CN115904218A - 包括主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法 - Google Patents

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Abstract

提供包括主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法。存储装置包括存储器控制器和存储器装置，其中，存储器控制器的操作方法包括：从主机接收对文件夹的第一模式改变请求，文件夹是用于管理至少一个文件和所述至少一个文件的逻辑地址的单位；以及响应于第一模式改变请求，在第二操作模式下将与逻辑地址对应的第一数据重新写入存储器装置，并使第一数据无效，第一数据是已经在第一操作模式下写入的与逻辑地址和第一数据对应的现有数据，其中，第一模式改变请求将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式。

Description

包括主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法
本申请要求于2021年8月20日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0110306号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及存储系统，更具体地，涉及包括主机和存储装置的存储系统和存储系统的操作方法。
背景技术
非易失性存储器可即使在电力被切断时保留存储的数据。具体地，包括基于闪存的非易失性存储器的存储装置已经被广泛使用。包括基于闪存装置的存储装置和主机装置的存储系统的示例包括固态驱动器(SSD)。
当数据被存储到SSD中时，输入/输出速度或存储空间可被最大化。在技术上可能难以同时使输入/输出速度和存储空间两者最大化，因此SSD可通过根据数据的特性确定是否优先考虑输入/输出速度或获得存储空间而被高效地使用。
发明内容
本公开提供包括用于以文件夹为单位设置多个文件的数据操作速度的主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法。
根据本公开的实施例，提供一种连接到存储器装置的存储控制器的操作方法，包括：从主机接收对文件夹的第一模式改变请求，文件夹是用于管理至少一个文件和所述至少一个文件的逻辑地址的单位；以及响应于第一模式改变请求，在第二操作模式下将与逻辑地址对应的第一数据重新写入存储器装置，并使第一数据无效，第一数据是已经在第一操作模式下写入的与逻辑地址和第一数据对应的现有数据，其中，第一模式改变请求将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式。
根据本公开的实施例，提供一种连接到包括存储器装置的存储装置的主机的操作方法，包括：由主机将文件夹的操作模式设置为第一操作模式，文件夹是用于管理至少一个文件的单位；生成用于将针对所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式的第一模式改变请求，并提取所述至少一个文件的逻辑地址；将文件夹的信息添加到管理表；将第一模式改变请求和逻辑地址提供给存储装置；以及，接收根据存储装置针对第一模式改变请求的存储空间的包括所述至少一个文件的写入是否成功的响应。
根据本公开的实施例，提供一种存储系统，包括主机；以及存储装置，其中，主机包括：模式管理器，被配置为：在数据的操作模式被设置为用于将数据的写入速度或读取速度中的至少一个设置为高速的第一操作模式时，创建第一模式改变请求并提取数据的逻辑地址；以及存储驱动器，被配置为创建包括数据的路径的管理表并将第一模式改变请求和逻辑地址提供给存储装置，其中，存储装置被配置为：响应于第一模式改变请求，将数据重新写入单层单元(SLC)中，并使已经写入存储器装置的多层单元(MLC)或三层单元(TLC)中的与数据和逻辑地址对应的现有数据无效。
附图说明
本公开的实施例将从下面结合附图的具体实施方式被更清楚的理解，其中：
图1是示出根据本公开的实施例的存储系统的框图；
图2是示出根据本公开的实施例的存储器装置的框图；
图3是示出根据本公开的实施例的存储器单元阵列的电路图；
图4A至图4C是示出在根据本公开的实施例的根据存储器装置的编程完成之后的阈值电压的分布的曲线图；
图5是根据本公开的实施例的设置文件夹的操作模式的混合图；
图6是示出根据本公开的实施例的存储系统的一部分的框图；
图7是示出根据本公开的实施例的将文件夹的数据操作速度设置为高速模式的方法的流程图；
图8是示出根据本公开的实施例的将文件夹的数据操作速度设置为低速模式的方法的流程图；
图9是示出根据本公的开实施例的将文件添加到文件夹的操作的流程图；
图10是示出根据本公开的实施例的当文件夹中的文件被修改时的操作的流程图；
图11是根据本公开的实施例的设置文件的操作模式的混合图；
图12是示出根据本公开的实施例的主机存储系统的框图；以及
图13是示出根据本公开的实施例的固态驱动器(SSD)系统的框图。
具体实施方式
在下文中，本公开的实施例参照附图被详细描述。
图1示出根据本公开的实施例存储系统。
参照图1，存储系统10可包括主机装置(或主机)100和存储装置200。模式改变请求REQ_M由主机装置100创建，并且存储装置200可接收模式改变请求REQ_M并执行写入操作或擦除操作。
存储系统10可被实现为例如个人计算机(PC)、数据服务器、网络附接存储(NAS)、物联网(IoT)装置或便携式电子装置。便携式电子装置包括膝上型计算机、移动电话、智能电话、平板PC、个人数字助理(PDA)、企业数字助理(EDA)、数字照相机、数字摄像机、音频装置、便携式多媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)、MP3播放器、掌上游戏机、电子书和可穿戴装置等。
主机装置可包括模式管理器110和存储驱动器120。模式管理器110可在文件和/或文件夹的操作模式由用户改变时创建模式改变请求REQ_M。文件夹可包括至少一个文件并且可表示至少一个文件由主机装置100管理的单位。此外，操作模式可根据在包括在文件和/或文件夹中的数据被输入到存储装置200或从存储装置200被输出时的操作速度而包括高速模式或低速模式。
另外，模式管理器110可提取其操作模式被设置为高速模式或低速模式的文件和/或文件夹的逻辑地址。提取文件夹的逻辑地址可表示提取包括在文件夹中的至少一个文件中的每个的逻辑地址。
模式管理器110可将逻辑地址与模式改变请求REQ_M一起提供给存储装置200。当与逻辑地址对应的数据被写入存储装置200或从存储装置200被读取时，存储装置200可以以高速操作，或者数据可通过模式改变请求REQ_M以低速被写入存储装置200。在一个实施例中，当第一数据在包括在文件夹中的文件被改变时而被创建时，模式管理器110可创建对第一数据的模式改变请求REQ_M并提取第一数据的逻辑地址。
主机装置100可将关于文件和/或文件夹的信息提供给用户。例如，主机装置100可在连接到主机装置100的显示屏上显示文件和/或文件夹图标。用户可通过点击文件和/或文件夹图标并改变与文件和/或文件夹有关的设置，来改变文件和/或文件夹的操作模式。其进一步细节可在下面参照图5和图11被描述。
存储驱动器120可将由模式管理器110创建的模式改变请求REQ_M和逻辑地址发送到存储装置200。
另外，存储驱动器120可包括管理表(或表)130，管理表130包括关于文件和/或文件夹的操作模式的信息。管理表130可包括文件和/或文件夹的操作模式和各自的路径。在一个实施例中，存储驱动器120可在文件和/或文件夹被设置为高速模式时将文件和/或文件夹的信息添加到管理表130，并且可在文件和/或文件夹被设置为低速模式时从管理表130删除文件和/或文件夹的信息。在一个实施例中，在文件和/或文件夹被设置为高速模式或低速模式时，存储驱动器120可将与操作模式对应的文件和/或文件夹的信息写入管理表130中。
虽然图1示出管理表130被包括在存储驱动器120中的实施例，但是本公开不限于此。例如，管理表130可被包括在在主机装置100中的存储器中。
主机装置100可通过各种接口与存储装置200通信。在一个实施例中，主机装置100可通过存储驱动器120与存储装置200通信。
在一个实施例中，主机装置100可通过各种接口(诸如，通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、PCI(外围组件互联)快速(PCI-E)、AT(高级技术)附件(ATA)、串行AT附件(SATA)、并行AT附件(PATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、串行附接SCSI(SAS)、增强型小型磁盘接口(ESDI)和集成式驱动电子设备(IDE)等)与存储装置200通信。另外，非易失性存储器快速(NVMe)已经被考虑作为针对存储装置200(诸如，固态驱动器(SSD))优化的接口，并且通过结构的非易失性存储器快速(NVMeoF)可应用于本公开的存储系统1000。
存储装置200可包括存储器控制器210和存储器装置220。存储器控制器210可总体控制存储器装置220。
根据从主机装置100接收的模式改变请求REQ_M，存储器控制器210可在高速模式或低速模式下写入数据，或在高速模式或低速模式下读取写入的数据。另外，存储器控制器210可在高速模式下重新写入数据，并在低速模式下使已经写入的数据无效。类似地，存储器控制器210可在低速模式下重新写入数据，并在高速模式下使已经写入的数据无效。在本公开的实施例中，使现有数据无效和重新写入新数据的时间顺序不限于任何特定的一个，并可以是基本上同时的。
在使用高速模式的实施例中，存储装置220可将数据写入单层单元(SLC)或读取写入SLC中的数据。
在使用低速模式的实施例中，存储器装置220可将数据写入多层单元(MLC)或将数据写入三层单元(TLC)。此外，存储器装置可读取写入MLC或TLC中的数据。
存储装置200可包括用于根据来自主机装置100的请求存储数据的存储介质。在一个实施例中，存储装置200可以是SSD。例如，存储装置200可是以太网附接存储驱动器(EASD)。
当存储装置200包括闪存时，闪存可包括二维(2D)与非(NAND)存储器阵列和/或三维(3D)(或垂直)NAND(VNAND)存储器阵列(或3D存储器阵列)。3D存储器阵列可以以单片(monolithic)方式形成在存储器单元的阵列上，存储器单元的阵列具有设置在硅基底上的有源区或具有形成在基底上或基底内的作为“与存储器单元的操作模式相关联的电路系统”的电路系统的至少一个物理层级。术语“单片”意思是构成阵列的每个层级(level)的层直接堆叠在阵列的每个更低层级的层上。
在一个实施例中，3D存储器阵列包括在垂直方向上布置的垂直NAND串，使得至少一个存储器单元位于另一存储器单元上。至少一个存储器单元可包括电荷捕获层。
在根据本公开的实施例的存储系统10中，用户可将文件和/或文件夹的数据操作的速度设置为高速或低速，因此，数据的输入/输出速度可被增大。
另外，由用户选择为属于高重要性的文件和/或文件夹的数据操作速度可被选择性地设置，因此实现高效的数据管理并增加用户便利性。
图2示出根据本公开的实施例存储器装置。
参照图2，存储器装置300可包括控制逻辑电路(或控制逻辑)320、存储器单元阵列330、页缓冲器单元340、电压生成器350和行解码器360。存储器装置300还可包括存储器接口电路310，并还可包括列逻辑、预解码器、温度传感器、命令解码器和地址解码器等。
控制逻辑电路320可总体控制存储器装置300中的各种操作。控制逻辑电路320可响应于来自存储器接口电路310的命令CMD和/或地址ADDR而输出各种控制信号。例如，控制逻辑电路320可输出电压控制信号CTRL_vol，行地址X-ADDR和列地址Y-ADDR。
存储器单元阵列330可包括多个存储器块BLK1至BLKz(z是正整数)，并且存储器块BLK1至BLKz中的每个可包括多个存储器单元。存储器单元阵列330可通过位线BL连接到页缓冲器单元340，并且可通过字线WL、串选择线SSL和地选择线GSL连接到行解码器360。
在一个实施例中，存储器单元阵列330可包括3D存储器单元阵列，3D存储器单元阵列可包括多个NAND串。每个NAND串可包括分别连接到垂直堆叠在基底上的字线的存储器单元。第7,679,133号美国专利、第8,553,466号美国专利、第8,654,587号美国专利、第8,559,235号美国专利和第2011/0233648号美国申请公开通过引用全部包含于此。在一个实施例中，存储器单元阵列320可包括2D存储器单元阵列，2D存储器单元阵列可包括在行方向和列方向上布置的多个NAND串。
存储器单元阵列330可包括SLC、MLC和/或TLC中的至少一个。SLC可表示用1位编程的存储器单元，MLC可表示用2位编程的存储器单元，TLC可表示用3位编程的存储器单元。
在高速模式下，控制逻辑电路320可创建用于将数据写入SLC或读取写入SLC中的数据的控制信号。在低速模式下，控制逻辑电路320可创建用于将数据写入MLC或TLC或者读取来自MLC或TLC的数据的控制信号。此外，控制逻辑电路320可创建用于将数据写入MLC或TLC并使写入SLC中的数据无效的控制信号。相反地，控制逻辑电路320可创建用于将数据写入SLC并使写入MLC或TLC中的数据无效的控制信号。另外，控制逻辑电路320创建用于重新写入的控制信号的操作和创建用于无效的控制信号的操作的顺序不受限制。
在一个实施例中，当空闲块在包括在存储器块BLK1至存储器块BLNz中的至少任何一个中的数据被无效时而被创建时，或当特定数据被写入空闲块时，对无效的数据的擦除操作可被执行。
页缓冲器单元340可包括多个页缓冲器PB1至PBn(其中，n是3或更大的整数)，页缓冲器PB1至PBn可通过位线BL分别连接到存储器单元。页缓冲器单元340可响应于列地址Y-ADDR而选择位线BL中的至少一个。页缓冲器单元340可根据操作模式作为写入驱动器或感测放大器进行操作。例如，在编程操作期间，页缓冲器单元340可将与待编程的数据(例如，来自存储器接口电路310的数据DATA)对应的位线电压施加到选择的位线。在读取操作期间，页缓冲器单元340可检测选择的位线的电流或电压，以检测存储在存储器单元中的数据。
电压生成器350可基于电压控制信号CTRL_vol创建用于执行编程、读取和擦除操作的各种类型的电压。例如，电压生成器350可创建编程电压、读取电压、编程验证电压或擦除电压等作为字线电压VWL。
行解码器360可响应于行地址X-ADDR选择字线WL中的一个，并可选择串选择线SSL中的一个。例如，在编程操作期间，行解码器360可将编程电压和编程验证电压施加到选择的字线，在读取操作期间，行解码器360可将读取电压施加到选择的字线。
图3示出根据本公开的实施例的存储器单元阵列。
参照图3，存储器块BLK1可与图2的存储器块BKL1至BLKz中的一个对应，并可包括多个NAND串NS11至NS13、NS21至NS23、NS31至NS33、多个地选择线GSL1至GSL3，多个串选择线SSL1至SSL3和共源极线CSL。这里，NAND串的数量、字线的数量、位线的数量、地选择线的数量和串选择线的数量可根据实施例被不同地改变。
NAND串NS11、NS21和NS31可设置在第一位线BL1与共源极线CSL之间，NAND串NS12、NS22和NS32可设置在第二位线BL2与共源极线CSL之间，NAND串NS13、NS23和NS33可设置在第三位线BL3与共源极线CSL之间。每个NAND串(例如，NS11)可包括串联连接的串选择晶体管SST、多个存储器单元MC1至MC8和地选择晶体管GST。
串选择晶体管SST可连接到对应的串选择线SSL1至SSL3。存储器单元MC1至MC8可分别连接到对应的字线WL1至WL8。地选择晶体管GST可连接到对应的地选择线GSL1至GSL3。串选择晶体管SST可连接到对应的位线BL1至BL3，地选择晶体管GST可连接到共源极线CSL。
在图3中，每个串被示出为包括一个串选择晶体管SST，但是本公开不限于此。例如，每个串可包括串联连接的上串选择晶体管和下串选择晶体管。另外，在图3中，每个串被示出为包括一个地选择晶体管GST，但是本公开不限于此。例如，每个串可包括串联连接的上地选择晶体管和下地选择晶体管。这里，上地选择晶体管可连接到对应的地选择线GSL1至GSL3，下地选择晶体管可共同连接到公共地选择线。
图4A至图4C示出在根据本公开的实施例的存储器装置的编程完成之后根据阈值电压的分布。
在图4A至图4C中，存储器单元可与图3的存储器单元MC1至MC8中的任何一个对应。图4A示出在其中存储器单元是SLC的情况，图4B示出在其中存储器单元是MLC的情况，图4C示出在其中存储器单元是TLC的情况。在图4A至图4C中，横轴代表阈值电压Vth，纵轴代表预期的分布或存储器单元的数量。
参照图4A，当存储器单元是用1位编程的SLC时，存储器单元可具有擦除状态E和第一编程状态P1中的一个。第一读取电压Vr11具有在具有擦除状态E的存储器单元的分布与具有第一编程状态P1的存储器单元的分布之间的电压电平。存储器单元是具有擦除状态E还是具有第一编程状态P1可基于第一读取电压Vr11被分类。
参照图4B，当存储器单元是用2位编程的MLC时，存储器单元可具有擦除状态E、第一编程状态P1、第二编程状态P2和第三编程状态P3中的一个。与SLC相比，在MLC的情况下，阈值电压Vth分布之间的间隔可以是窄的。第一读取电压至第三读取电压Vr21、Vr22和Vr23中的每个可与初始设置的默认电平对应。存储器单元是具有擦除状态E中的一个还是具有第一编程状态P1至第三编程状态P3中的一个可基于第一读取电压至第三读取电压Vr21、Vr22、和Vr23被分类。
参照图4C，当存储器单元是用3位编程的TLC时，存储器单元可具有擦除状态E和第一编程状态P1至第七编程状态P7中的一个。第一读取电压Vr31至第七读取电压Vr37中的每个可与初始设置的默认电平对应。存储器单元是具有擦除状态E中的一个还是具有第一编程状态P1至第七编程状态P7中的一个可基于第一读取电压Vr31至第七读取电压Vr37被分类。
另外，SLC的阈值电压的最大值可比MLC的阈值电压的最大值小，并且MLC的阈值电压的最大值可比TLC的阈值电压的最大值小。可选地，SLC的阈值电压的最大范围可比MLC的阈值电压的最大范围小，并且MLC的阈值电压的最大范围可比TLC的阈值电压的最大范围小。
根据本公开的实施例，针对SLC的写入速度和读取速度可分别比针对MLC的写入速度和读取速度快，并且针对MLC的写入速度和读取速度可分别比针对TLC的写入速度和读取速度快。因为SLC存储1位数据，并且MLC和TLC分别储存2位数据和3位数据，所以针对相同数量的存储器单元，MLC可比SLC储存更大量的数据，并且TLC可比MLC储存更大量的数据。
因此，根据本公开的实施例，被频繁输入/输出的数据、由用户设置为高重要性的数据、和需要快的输入/输出速度的数据等可被写入SLC以利用快的输入/输出速度。相反，不被频繁输入/输出的数据、设置为低重要性的数据、和不需要快的输入/输出速度的数据等可被写入MLC或TLC以高效地利用存储器装置的存储空间。
图5示出根据本公开的实施例的设置文件夹的操作模式。
参照图5，用户可点击文件夹400的图标并在点击时显示的设置列表中设置文件夹400的操作模式。在一个实施例中，用户可将文件夹400的操作模式设置为第一操作模式或者将操作模式设置为第二操作模式(或取消第一操作模式的设置)。
例如，如果用户右击文件夹400的图标，则设置列表可被显示。设置列表可包括用于将点击的文件夹400设置为第一操作模式S的项(例如，SLC或速度优先)和用于将点击的文件夹400设置为第二操作模式M的项(例如，MLC或存储器大小优先)。例如，第一操作模式可以是用于将包括在文件夹400中的至少一个文件的数据速度设置为高速的高速模式，第二操作模式可以是低速模式。例如，第一操作模式可以是用于将包括在文件夹400中的至少一个文件写入存储器装置的SLC的SLC模式，第二操作模式可以是用于将包括在文件夹400中的至少一个文件写入存储器装置的MLC的MLC模式，或用于将包括在文件夹400中的至少一个文件写入存储器装置的TLC的TLC模式。
在一个实施例中，第一操作模式S可以是用于将包括在文件夹400中的至少一个文件写入存储器装置的SLC的SLC模式，第二操作模式M可以是用于将包括在文件夹400中的至少一个文件写入MLC的存储器装置的MLC模式，第三操作模式T可以是用于将包括在文件夹400中的至少一个文件写入存储装置的TLC的TLC模式。例如，第一操作模式S可以是用于小型数据集合的速度优先，第二操作模式M可向中型数据集合提供平衡速度和存储器利用率的中等优先，第三操作模式T可向大型数据集合提供用于最大化总存储器利用率的第三优先。
用户可通过改变文件夹400的操作模式来改变包括在文件夹400中的至少一个文件的操作模式。
文件夹400的操作模式可与文件夹400的图标一起被显示。例如，操作模式可被显示在文件夹400的图标的右下端部上。
Figure BDA0003705591860000101
可以是指示第一操作模式的标志，
Figure BDA0003705591860000102
可以是指示第二操作模式的标志。
在一个实施例中，用户可将特定文件添加到文件夹400。在这种情况下，添加的文件的操作模式可与在文件夹400中设置的操作模式相同。作为一个示例，用户可通过改变或修改包括在文件夹400中的文件来创建新文件。创建的文件的操作模式可与在文件夹400中设置的操作模式相同。
图6示出根据本公开的实施例的存储系统的一部分。
参照图6，当第一模式改变请求REQ_M1至第四模式改变请求REQ_M4由模式管理器创建时，存储驱动器120可将第一模式改变请求REQ_M1至第四模式改变请求REQ_M4提供给存储装置。在这种情况下，数据可被包括在第一模式改变请求REQ_M1至第四模式改变请求REQ_M4中的每个中，并且第一模式改变请求REQ_M1至第四模式改变请求REQ_M4中的每个可被发送且数据可一起被发送。数据可包括在其中操作模式被改变的文件和/或文件夹的逻辑地址。
第一模式改变请求REQ_M1可在文件夹的操作模式被改变到高速模式时被创建。第二操作改变指令REQ_M2可在文件夹的操作模式被改变到低速模式时被创建。第三模式改变请求REQ_M3可在特定文件被添加到文件夹时被创建。第四模式改变请求REQ_M4可在文件夹中的文件被改变或修改时被创建。
存储器控制器210的操作可根据第一模式改变请求REQ_M1至第四模式改变请求REQ_M4中的每个而变化。作为一个示例，当存储器控制器210接收第一模式改变请求REQ_M1时，存储器控制器210可创建用于使数据(诸如，已经写入的与逻辑地址对应的现有数据)无效的擦除命令CMD_E和用于在SLC模式下写入数据的写入命令CMD_W，并将创建的擦除命令CMD_E和写入命令CMD_W提供给存储器装置220。在这种情况下，现有数据可在MLC模式(例如，或TLC模式)下被写入。当存储器装置220的存储空间不充足时，存储器控制器210可创建失败消息RETURN_FAIL作为针对第一模式改变请求的响应消息，并将失败消息RETURN_FAIL发送到存储装置。在这种情况下，现有数据可被保持。
作为一个示例，当存储器控制器210接收第二模式改变请求REQ_M2时，存储器控制器210可创建用于使数据(诸如，已经写入的与逻辑地址对应的现有数据)无效的擦除命令CMD_E和用于在MLC或TLC模式下写入数据的写入命令CMD_W，并将创建的擦除命令CMD_E和写入命令CMD_W提供给存储器装置220。在这种情况下，现有数据可在SLC模式下被写入。
作为一个示例，当存储控制器210接收第三模式改变请求REQ_M3时，存储器控制器210可接收包括用于添加的第一文件的逻辑地址的数据。存储器控制器210可创建用于在SLC模式下写入数据的写入命令CMD_W，并将创建的写入命令CMD_W提供给存储器装置220。
作为一个示例，当存储器控制器210接收第四模式改变请求REQ_M4时，存储器控制器210可接收包括针对改变之前的第二文件的逻辑地址和改变之后的第三文件的逻辑地址的数据。这里，存储器控制器210可基于第二文件的逻辑地址创建用于使现有数据无效的擦除命令CMD_E，并基于第三文件的逻辑地址创建用于在SLC模式下写入数据的写入命令CMD_W。在这种情况下，创建擦除命令CMD_E和写入命令CMD_W的顺序不限于此。存储器控制器210可将擦除命令CMD_E和写入命令CMD_W提供给存储器装置220。
在下文中，下面参照图7至图10给出的描述基于操作模式以文件夹为单位被设置和释放的假设，但是本公开不限于此。例如，操作模式可以以文件为单位被设置和释放。
图7示出根据本公开的实施例的将文件夹的数据操作速度设置为高速模式的方法。
一起参照图1和图7，可将文件夹的数据操作模式设置为第一操作模式(S110)。例如，第一操作模式可以是高速模式或SLC模式。
可提取包括在文件夹中的文件的逻辑地址，并且可创建模式改变请求REQ_M(S120)。当文件夹包括多个文件时，每个文件的逻辑地址可被提取。在一个实施例中，模式改变请求REQ_M可与图6的第一模式改变请求REQ_M1对应。可将文件夹信息储存在管理表130中(S130)。例如，文件夹的路径可被存储在管理表130中。可将模式改变请求REQ_M和提取的逻辑地址发送到存储装置200(S140)。可确定存储装置200的存储空间是否充足(S150)。
当存储空间充足时，可在第一操作模式下将与逻辑地址对应的数据重新写入存储器装置220，并且当存在已经写入的与数据和逻辑地址对应的现有数据时，可使现有数据无效(S160)。在这种情况下，现有数据可以是已经在第二操作模式下写入的与逻辑地址和数据对应的数据。例如，第二操作模式可以是低速模式、MLC模式和/或TLC模式中的任何一个。
如果存储空间不充足，则存储装置200可将失败消息发送到主机装置100(S170)。此后，可从管理表13删除在操作S130中存储的文件夹信息(S180)。
图8示出根据本公开的实施例的将文件夹的数据操作速度设置为低速模式的方法。
参照图8，可将文件夹的数据操作模式设置为第二操作模式(S210)。例如，第二操作模式可以是低速模式、MLC模式和TLC模式中的任何一个。可提取包括在文件夹中的文件的逻辑地址，并且可创建模式改变请求REQ_M(S220)。在一个实施例中，模式改变请求REQ_M可与图6的第二模式改变请求REQ_M2对应。可从管理表130删除文件夹信息(S230)。在一个实施例中，代替从管理表130删除文件夹信息，文件夹的操作模式可匹配到文件夹信息并被存储。
可将模式改变请求REQ_M和提取的逻辑地址发送到存储装置200(S240)。可在第二操作模式下再次写入数据，并且可使已经写入的与逻辑地址对应的现有数据无效(S250)。例如，数据可与图7的数据对应，并且现有数据可包括在图7的操作S160中在第一操作模式下写入的数据。例如，第一操作模式可以是高速模式或SLC模式。
图9示出根据本公开的实施例的将文件添加到文件夹的操作。
参照图9，可将文件添加到特定文件夹(S310)。例如，多个文件可被添加。可执行用于确定在管理表130中是否存在关于特定文件夹的信息的操作(S320)。也就是说，可确定特定文件夹的操作模式是否为第一操作模式。
当在管理表130中存在关于特定文件夹的信息时，可提取添加的文件的逻辑地址，并且可创建模式改变请求REQ_M(S330)。在这种情况下，写入请求可代替模式改变请求REQ_M被创建。当多个文件在操作S310中被添加时，每个文件的逻辑地址可被提取。在一个实施例中，模式改变请求REQ_M可与图6的第三模式改变请求REQ_M3对应。
可将模式改变请求REQ_M和提取的逻辑地址发送到存储装置200(S340)。可在第一操作模式下将添加的与逻辑地址对应的文件写入存储器装置220中(S350)。例如，第一操作模式可以是高速模式或SLC模式。当在操作表130中不存在关于特定文件夹的信息时，可在第二操作模式下将添加的文件写入存储器装置220中(S360)。例如，第二操作模式可以是低速模式、MLC模式和TLC模式中的任何一个。
图10示出根据本公开的实施例的当文件夹中的文件被修改时的操作。
参照图10，可在特定文件夹中的文件被修改时创建第一数据(S410)。第一数据可表示修改的文件。第一数据可包括多个修改的文件。可执行用于确定在操作表130中是否存在关于特定文件夹的信息的操作(S420)。也就是说，可确定特定文件夹的操作模式是否是第一操作模式。
当在管理表130中存在关于特定文件夹的信息时，可提取第一数据的逻辑地址并且可创建模式改变请求REQ_M(S430)。在一个实施例中，模式改变请求REQ_M可与图6的第四模式改变请求REQ_M4对应。在这种情况下，改变之前的文件的逻辑地址也可被提取。
可将模式改变请求REQ_M和提取的逻辑地址发送到存储装置200(S440)。在第一操作模式下，可基于逻辑地址重新写入数据，并且可使针对改变之前的文件的现有数据无效(S450)。在这种情况下，现有数据可以是已经在第一操作模式下写入的数据。此外，第一操作模式可以是高速模式或SLC模式。当在管理表130中不存在关于特定文件夹的信息时，可在第二操作模式下将第一数据写入存储器装置220中(S460)。例如，第二操作模式可以是低速模式、MLC模式和TLC模式中的任何一个。
图11示出根据本公开的实施例的设置文件500的操作模式。
虽然图7至图10出于说明性目的示出第一操作模式和第二操作模式，但是将理解，可选实施例可采用附加的操作模式。例如，如果第一操作模式用于SLC闪存，并且第二操作模式用于MLC闪存，则第三操作模式可用于TLC闪存而不限于此。在这样的实施例中，用于第二操作模式的方法步骤将与如流程图中所示的用于第一操作模式的方法步骤相似，并且用于第三操作模式的方法步骤将与如流程图中所示的用于第二操作模式的方法步骤相似。
参照图11，用户可点击文件500的图标并在点击时显示的设置列表中设置文件500的操作模式。
例如，当用户右击文件500的图标时，设置列表可被显示。设置列表可包括用于将点击的文件500设置为第一操作模式S的项、用于将点击的文件500设置为第二操作模式M的项、和用于将点击的文件500设置为第三操作模式T的项。例如，第一操作模式可以是用于将选择的文件500的数据速度设置为高速的高速模式，第二操作模式可以是中速模式，第三操作模式可以是低速模式。例如，第一操作模式可以是用于将选择的文件500写入存储器装置的SLC的SLC模式，第二操作模式可以是用于将选择的文件500写入存储器装置的MLC的MLC模式，第三操作模式可以是用于将选择的文件500写入存储器装置的TLC的TLC模式。
文件500的操作模式可与文件500的图标一起被显示。例如，操作模式可被显示在文件500的图标的右下端部。
Figure BDA0003705591860000143
可以是指示第一操作模式的标志，
Figure BDA0003705591860000141
可以是指示第二操作模式的标志，
Figure BDA0003705591860000142
可以是指示第三操作模式的标志，但不限于此。
图12示出根据本公开的实施例的主机存储系统。
主机存储系统20可包括主机600和存储装置700。主机600可与上面参照图1至图11描述的主机装置100对应，存储装置700可与上面参照图1至图11描述的存储装置200对应。
存储装置700可包括存储控制器710和非易失性存储器(NVM)720。此外，根据本公开的实施例，主机600可包括主机控制器610和主机存储器620。主机存储器620可用作用于临时存储待发送到存储装置700的数据或从存储装置700发送的数据的缓冲器存储器。
存储装置700可包括用于根据来自主机600的请求存储数据的存储介质。作为一个示例，存储装置700可包括SSD、嵌入式存储器和可移动的外部存储器中的至少一个。当存储装置700是SSD时，存储装置700可以是符合NVMe标准的装置。当存储装置700是嵌入式存储器或外部存储器时，存储装置700可以是符合通用闪存(UFS)标准或嵌入式多媒体卡(eMMC)标准的装置。主机600和存储装置700可各自根据采用的标准协议创建包并发送创建的包。
当存储装置700的NVM 720包括闪存时，闪存可包括2D NAND存储器阵列或3DVNAND存储器阵列。作为另一示例，存储装置700可包括各种其他类型的非易失性存储器。例如，存储装置700可包括磁随机存取存储器(MRAM)、自旋转转矩MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、铁电RAM(FeRAM)、相位RAM(PRAM)、电阻存储器和各种其它类型的存储器。
根据实施例，主机控制器610和主机存储器620可被实现为单独的半导体芯片。可选地，在一些实施例中，主机控制器610和主机存储器620可被集成在同一半导体芯片中。作为一个示例，主机控制器610可以是包括在应用处理器中的多个模块中的任何一个，并且应用处理器可被实现为片上系统(SoC)。另外，主机存储器620可以是包括在应用处理器或非易失性存储器或在应用处理器外部设置的存储器模块中的嵌入式存储器。
主机存储器610可管理将缓冲器区域的数据(例如，写入数据)存储在NVM 720中或将来自NVM 720的数据存储在缓冲器区域中的操作。
主机控制器610可包括图1的模式管理器110和存储驱动120。因此，在文件和/或文件夹的操作模式被改变时，主机控制器610可提取文件和/或文件夹的逻辑地址，并创建模式改变请求。
存储控制器710可包括主机接口(I/F)711、存储器I/F 712和中央处理器(CPU)713。另外，存储控制器710还可包括闪存转换层(FTL)714、包管理器715、缓冲器存储器716、纠错码(ECC)(或ECC引擎)717和高级加密标准(AES)718。存储控制器710还可包括工作存储器(未示出)，FTL 714被加载到工作存储器中，并且针对NVM 720的数据写入和读取操作可通过CPU 713执行FTL 714而被控制。
存储控制器710可与图1的存储器控制器210对应。因此，存储控制器710可接收模式改变请求REQ_M和逻辑地址，并基于逻辑地址将数据写入SLC、MLC和TLC中的任何一个。此外，存储控制器710可根据模式改变请求REQ_M创建写入命令、擦除命令和失败信息中的至少一个。
主机接口711可将包发送到主机600和从主机600接收包。从主机600发送到主机I/F 711的包可包括命令或待写入NVM 720的数据，并且从主机I/F 711发送到主机600的包可包括对命令的响应或从NVM 720读取的数据。存储器I/F 712可将待写入NVM 720的数据发送到NVM 720或接收从NVM 720读取的数据。存储器I/F 712可被实现为符合标准协议(诸如，切换(toggle)或开放NAND闪存接口(ONFI))。
FTL 714可执行各种功能(诸如，地址映射、损耗均衡(wear-leveling)和垃圾收集)。地址映射操作是将从主机600接收的逻辑地址改变为用于在NVM 720中实际存储数据的物理地址。损耗均衡是用于通过确保NVM 720中的块被一致地使用来防止特定块的过度劣化的技术，并且可通过例如用于平衡物理块的擦除计数的固件技术被实现。垃圾收集是用于通过将块的有效数据复制到新块然后擦除现有块来确保NVM 720中的可用容量的技术。
包管理器715可根据与主机600协商的I/F的协议创建包，或从自主机600接收的包解析各种类型的信息。此外，缓冲器存储器716可临时存储待写入NVM 720的数据或从NVM720读取的数据。缓冲器存储器716设置在存储控制器710中，或可设置在存储控制器710外部。
ECC引擎717可对从NVM 720读取的读取数据执行错误检测和校正功能。在一个实施例中，EEC引擎717可针对待写入NVM 720的写入数据创建奇偶校验位，并且创建的奇偶校验位可与写入数据一起被存储在NVM 720中。当从NVM 720读取数据时，ECC引擎717可使用从NVM 720与读取数据一起读取的奇偶校验位校正读取数据的错误，并输出校正错误的读取数据。
AES引擎718可使用对称秘钥算法对输入到存储控制器710的数据执行加密操作和解密操作中的至少一个。
图13示出根据本公开的实施例的SSD系统。
参照图13，SSD系统30可包括主机800和SSD 900。SSD 900可通过信号连接器将信号SGL发送到主机800和从主机800接收信号SGL，并可通过电力连接器接收电力PWR。SSD900可包括SSD控制器910、辅助电源920和分别通过第一通道Ch1至第n通道Chn连接到SSD控制器910的第一存储器装置930_1至第n存储器装置930_n(例如，闪存1至闪存n)。
第一存储器装置930_1至第n存储器装置930_n中的每个可包括SLC、MLC和TLC中的至少一个。例如，第一存储器装置930_1可被配置为SLC，第二存储器装置930_2可被配置为MLC，第n存储器装置930_n可被配置为TLC。然而，本公开不限于此。第一存储器装置930_1的一些存储器块可被配置为SLC，一些存储器块可被配置为MLC。
上述实施例可应用于图13中示出的SSD系统30。根据实施例，主机800可包括模式管理器810和存储驱动器820。在一个实施例中，模式管理器810可在文件和/或文件夹的操作模式被改变时提取文件和/或文件夹的逻辑地址，并可创建模式改变请求。存储驱动器820可在第一操作模式下管理设置的文件和/或文件夹的信息，并将逻辑地址和模式改变请求发送到SSD 900。响应于模式改变请求，SSD 900可将数据提供给包括SLC的存储器装置、包括MLC的存储器装置和包括TLC的存储器装置中的任何一个。
根据本公开的实施例，在数据被写入包括SLC的存储器装置时，改进的读取或写入速度可被获得。在数据被写入包括MLC的存储器装置或包括TLC的存储器装置时，最大化的存储空间可被保证。将文件和/或文件夹设置为高速模式或低速模式的操作可根据期望的准则被执行。
虽然已经参照本公开的实施例具体示出和描述了本公开，但是相关领域的普通技术人员将理解，在不脱离如在所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可在其中进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种连接到存储器装置的存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：
从主机接收对文件夹的第一模式改变请求，文件夹是用于管理至少一个文件和所述至少一个文件的逻辑地址的单位；以及
响应于第一模式改变请求，在第二操作模式下将与逻辑地址对应的第一数据重新写入存储器装置，并使第一数据无效，第一数据是已经在第一操作模式下写入的与逻辑地址和第一数据对应的现有数据，
其中，第一模式改变请求将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式。
2.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：
在第一文件被添加到文件夹时，还从主机接收第一文件的第一逻辑地址；以及
在第二操作模式下基于第一逻辑地址将第一文件写入存储器装置。
3.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：
从主机接收对文件夹的第二模式改变请求和逻辑地址；以及
响应于第二模式改变请求，在第一操作模式下将与第一数据对应的第二数据写入存储器装置，并使已经在第二操作模式下写入的第一数据无效，
其中，第二模式改变请求将针对包括的所述至少一个文件的数据操作速度设置为低速模式。
4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，响应于将文件夹设置为高速模式，第一模式改变请求由主机的模式管理器生成。
5.根据权利要求4所述的操作方法，其中，响应于将文件夹设置为高速模式，所述至少一个文件的逻辑地址由模式管理器从所述至少一个文件提取。
6.根据权利要求1所述的操作方法，其中：
第一操作模式包括用于将第一数据写入存储器装置的多层单元的多层单元模式、或用于将第一数据写入存储器装置的三层单元的三层单元模式，并且
第二操作模式包括用于将第一数据写入存储器装置的单层单元的单层单元模式。
7.一种连接到包括存储器装置的存储装置的主机的操作方法，所述操作方法包括：
由主机将文件夹的操作模式设置为第一操作模式，文件夹是用于管理至少一个文件的单位；
生成用于将针对所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式的第一模式改变请求，并提取所述至少一个文件的逻辑地址；
将文件夹的信息添加到管理表；
将第一模式改变请求和逻辑地址提供给存储装置；以及
接收针对第一模式改变请求的根据存储装置的存储空间的包括所述至少一个文件的写入是否成功的响应。
8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，第一操作模式包括用于将包括在文件夹中的所述至少一个文件写入存储器装置的单层单元中的单层单元模式。
9.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：
将第一文件添加到文件夹；
创建用于在单层单元模式下将第一文件写入存储器装置的写入请求，并且还提取第一文件的第一逻辑地址；以及
将写入请求和第一逻辑地址提供给存储装置。
10.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：
在包括在第一文件夹中的第一文件被改变时创建第二文件；
确定在管理表中是否存在第一文件夹的信息；
在管理表中存在第一文件夹的信息时，创建用于在单层单元模式下将第二文件写入存储器装置的第二模式改变请求，还提取第一文件的第一逻辑地址，并基于第一文件使已经写入存储器装置的现有数据无效；以及
将第二模式改变请求和第一逻辑地址提供给存储装置。
11.根据权利要求7至9中的任何一项所述的操作方法，还包括：
将文件夹的操作模式设置为第二操作模式；
创建用于将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为低速模式的第二模式改变请求；
从管理表删除文件夹的信息；以及
将第二模式改变请求和逻辑地址提供给存储装置，
其中，第二操作模式包括用于将包括在文件夹中的所述至少一个文件写入存储器装置的多层单元的多层单元模式、或用于将所述至少一个文件写入存储器装置的三层单元的三层单元模式。
12.根据权利要求8至10中的任何一项所述的操作方法，其中，接收所述响应的步骤包括：
在存储空间不足以在单层单元模式下写入所述至少一个文件时，接收失败消息作为对第一模式改变请求的响应；以及
响应于失败消息，从管理表删除文件夹的信息。
13.根据权利要求8至10中的任何一项所述的操作方法，其中，在存储空间充以在单层单元模式下写入所述至少一个文件时，所述至少一个文件在单层单元模式下被写入存储器装置，并且写入存储器装置中的现有数据基于所述至少一个文件被无效。
14.一种存储系统，包括：
主机；以及
存储装置，
其中，主机包括：
模式管理器，被配置为：在数据的操作模式被设置为用于将数据的写入速度和读取速度中的至少一个设置为高速模式的第一操作模式时，创建第一模式改变请求并提取数据的逻辑地址；以及
存储驱动器，被配置为创建包括数据的路径的管理表并将第一模式改变请求和逻辑地址提供给存储装置，
其中，存储装置被配置为：响应于第一模式改变请求，将数据重新写入单层单元中，并使已经写入存储器装置的多层单元或三层单元中的与数据和逻辑地址对应的现有数据无效。
15.根据权利要求14所述的存储系统，其中：
模式管理器被配置为：在数据的操作模式被设置为用于将数据的写入速度和读取速度中的至少一个设置为低速模式的第二操作模式时，创建第二模式改变请求，并且
第二操作模式被配置为将数据写入存储器装置的多层单元或三层单元中。
16.根据权利要求15所述的存储系统，其中，存储驱动器被配置为：在数据的操作模式被设置为第二操作模式时，从管理表删除数据的路径。
17.根据权利要求14所述的存储系统，其中，数据包括多个文件和文件夹中的至少一个，文件夹是用于管理所述多个文件的单位。
18.根据权利要求14所述的存储系统，其中：
模式管理器被配置为：当第一数据在数据被改变时被创建时，创建对第一数据的第二模式改变请求，并提取第一数据的第一逻辑地址，并且
存储驱动器被配置为将第二模式改变请求和第一逻辑地址提供给存储装置。
19.根据权利要求18所述的存储系统，其中，存储装置被配置为：基于逻辑地址和第一逻辑地址将第一数据写入单层单元中，并使已经写入存储器装置的数据无效。
20.根据权利要求14至19中的任何一项所述的存储系统，其中，存储装置包括固态驱动器。
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Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8078794B2 (en) 2000-01-06 2011-12-13 Super Talent Electronics, Inc. Hybrid SSD using a combination of SLC and MLC flash memory arrays
KR100833188B1 (ko) 2006-11-03 2008-05-28 삼성전자주식회사 데이터의 특성에 따라 싱글 레벨 셀 또는 멀티 레벨 셀에데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 시스템
KR100875539B1 (ko) * 2007-01-17 2008-12-26 삼성전자주식회사 프로그램 방식을 선택할 수 있는 메모리 시스템
TWI425523B (zh) 2008-03-25 2014-02-01 Asmedia Technology Inc 混合型快閃儲存裝置及其操作方法
US8060719B2 (en) 2008-05-28 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Hybrid memory management
US8843691B2 (en) * 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
US8407400B2 (en) 2008-11-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Dynamic SLC/MLC blocks allocations for non-volatile memory
US8209466B2 (en) 2008-12-16 2012-06-26 Intel Corporation Methods and systems to allocate addresses in a high-endurance/low-endurance hybrid flash memory
KR101861170B1 (ko) 2011-08-17 2018-05-25 삼성전자주식회사 마이그레이션 관리자를 포함하는 메모리 시스템
US8995183B2 (en) 2012-04-23 2015-03-31 Sandisk Technologies Inc. Data retention in nonvolatile memory with multiple data storage formats
US8954655B2 (en) 2013-01-14 2015-02-10 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods of configuring a mode of operation in a solid-state memory
JP7030463B2 (ja) 2017-09-22 2022-03-07 キオクシア株式会社 メモリシステム
KR102593541B1 (ko) 2018-11-29 2023-10-25 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그것의 동작방법
US10901622B2 (en) 2018-12-28 2021-01-26 Micron Technology, Inc. Adjustable NAND write performance

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