CN115896745A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种成膜装置，包括反应室、基座和进气模块，反应室包括一顶盖，所述顶盖中部开设有一安装孔；基座设置于所述反应室内，并与所述顶盖相对设置；进气模块设于所述安装孔内，且底部延伸至所述反应室内；所述进气模块包括第一主体与第二主体，所述第一主体包括工艺气流通道与冷却流道，所述冷却流道自所述第一主体的顶部向其底部延伸设置；所述第二主体包括清洁气流通道；所述清洁气流通道至少部分与所述冷却流道相邻，所述安装孔的孔壁与所述进气模块的外侧壁之间存在间隙，以使得清洁气体的温度控制效果更好。

Description

成膜装置

技术领域

本申请涉及半导体晶片成膜技术领域，具体涉及一种成膜装置。

背景技术

MOCVD技术是将稀释于载气中的金属有机化合物与V族或VI族元素的氢化物在被加热的外延衬底上进行分解并发生反应，利用反应后的生成物沉积到外延衬底上从而形成外延薄膜。基板通过加热装置升温至工艺温度，工艺气体被输送至反应室内，并从主气流区以扩散的方式通过边界层沉积在基板的表面，成为吸附原子(分子)。吸附原子(分子)在基板表面发生化学反应，生成薄膜的基本元素并沉积成薄膜。在此过程中，基座或腔盖的表面也会沉积反应产物，因而需要在净化步骤中去除腔盖和基座表面的沉积物。

现有技术中通过向反应室内通入清洁气体，借助具有腐蚀性能的清洁气体在更高的温度下将沉积物转化成挥发性的化合物，从而使得上述挥发性的化合物可以借助载气从反应室内去除。为了避免产生不必要的刻蚀，清洁气体在进入反应腔前需要严格地控制温度。是以，有必要提供一种提高清洁气体进入反应腔之前的温度控制效果的进气模块。

发明内容

本申请提供一种成膜装置，以提高清洁气体进入反应腔之前的温度控制效果。

本申请提供一种成膜装置，包括反应室、基座和进气模块，反应室包括一顶盖，所述顶盖中部开设有一安装孔；基座设置于所述反应室内，并与所述顶盖相对设置；进气模块设于所述安装孔内，且底部延伸至所述反应室内；所述进气模块包括第一主体与第二主体，所述第一主体包括工艺气流通道与冷却流道，所述冷却流道自所述第一主体的顶部向其底部延伸设置；所述第二主体包括清洁气流通道；所述清洁气流通道至少部分与所述冷却流道相邻；其中，所述安装孔的孔壁与所述进气模块的外侧壁之间存在间隙。

可选的，柱状的所述第一主体设于所述安装孔内，且其底部延伸至所述反应室内；以及环状的所述第二主体突出于所述第一主体的外侧壁，且位于所述安装孔内；所述第二主体的外侧壁与所述安装孔的孔壁之间存在间隙；所述第二主体的下表面与所述顶盖的下表面之间高度差的绝对值小于5mm。

可选的，所述冷却流道包括冷却室和第一冷却管，冷却室开设于所述第一主体内部，并与所述第二主体相邻；以及第一冷却管自所述第一主体的顶部向下延伸，并直接或间接连通至所述冷却室。

可选的，所述第一主体还包括冷却板、导流板以及第二冷却管，冷却板位于所述第一主体的底面，并与所述基座相对设置；所述冷却板内部设有腔体，所述腔体与所述冷却室连通；导流板设于所述腔体内，所述导流板与所述腔体的顶面、底面及侧面之间存在间隙，并将所述腔体分为连通的上腔体与下腔体；所述导流板设有通孔，所述第一冷却管通过所述通孔连通至所述下腔体，所述第二冷却管套设至所述第一冷却管的外侧壁，所述第二冷却管连通所述上腔体与所述冷却室，所述第二冷却管的端部突出所述冷却室的底壁设置；所述第一冷却管，通过所述通孔、下腔体、上腔体及第二冷却管，间接连通至所述冷却室；所述冷却室的顶部设置有排液口。

可选的，所述清洁气流通道包括出气口，所述出气口开设于所述第二主体的底部，并朝向所述反应腔，所述出气口不低于所述冷却室的底壁。

可选的，所述第二主体还包括若干挡板，挡板平行设置于所述清洁气流通道的内部，且沿所述第二主体的轴向排布；所述挡板开设有多个通孔。

可选的，所述挡板至少包括第一挡板及第二挡板，所述第一挡板位于所述第二挡板的上游；所述第一挡板的所述通孔的数量为N1，所述第二挡板的所述通孔的数量为N2，则N1＜N2。

可选的，相邻的两个所述挡板中，一所述挡板的任一所述通孔的中心轴线与另一个所述挡板的任一所述通孔的中心轴线平行。

可选的，所述安装孔的孔壁与所述第二主体的外侧壁之间的间隙宽度为0.3-2mm。

可选的，所述顶盖包括外盖、面向所述反应腔的内盖及位于所述外盖和所述内盖之间冷却板组件，所述内盖及所述冷却板组件与所述第二主体的外侧壁之间存在间隙。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

成膜装置通过限定安装孔的孔壁与进气模块的外侧壁之间存在间隙，以及在进气模块的内部设置冷却流道，可以有效减少进气模块的外侧壁接收的热量并同时对进气模块的本体进行高效的冷却，使得清洁气流通道内的清洁气体的温度能保持在较低的水平，避免对进气模块的本体造成腐蚀。

上述技术方案中的另一个技术方案具有如下优点或有益效果：

利用预留的间隙和冷却室的配合，清洁气流通道可以保持在较低温度；同时利用挡板降低清洁气流的速率，使得相邻挡板之间的弥散室内的清洁气体较为均匀分布，因而从清洁气流通道流出的清洁气体具有均匀的温度，从而使得流动至反应室各个位置处的清洁气体的温度一致，从而提高清洁气体进入反应腔之前的温度控制效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请提供的成膜装置的示意图；

图2是本申请提供的进气模块的剖视图；

图3是本申请提供的挡板的示意图。

附图标记说明：

100、反应室；110、顶盖；200、基座；300、工艺气流通道；410、清洁气流通道；420、挡板；421、通孔；500、间隙；610、第一冷却管；620、冷却室；630、第二冷却管；640、冷却板；641、腔体；650、导流板。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“左”、“右”通常是指装置实际使用或工作状态下的上、下、左和右，具体为附图中的图面方向。

本申请提供一种成膜装置，以下分别进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。且在以下实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

请参阅图1-3，本申请公开了一种成膜装置，其可以将稀释于载气中的金属有机化合物与V族或VI族元素的氢化物在被加热的外延衬底上进行分解并发生反应，利用反应后的生成物沉积到外延衬底上形成外延薄膜，上述成膜装置可以为CVD设备。该成膜装置包括壳体、反应室100、基座200和进气模块，其中壳体相对于外部气密，可以利用真空泵将壳体内的气体排出，使得壳体内形成真空状态。反应室100置于壳体的内部，反应室100包括位于其顶部的一顶盖110，并且上述顶盖110的中部贯穿式开设有一安装孔。基座200置于反应室100内部，并且与顶盖110相对设置，以利用基座200承载待镀膜的基片。基座200的下方设置有加热装置，现有技术中加热装置可以是电阻加热装置或者射频加热装置，从而利用上述加热装置将基座200的上表面加热到工艺温度和清洁温度。

进气模块设于安装孔内，并且其底部延伸至反应室内；进气模块包括第一主体与第二主体，第一主体包括工艺气流通道与冷却流道，冷却流道自第一主体的顶部向其底部延伸设置；第二主体包括清洁气流通道；清洁气流通道至少部分与冷却流道相邻；并且安装孔的孔壁与进气模块的外侧壁之间存在间隙。第一主体和第二主体均嵌设至顶盖110的安装孔内，第一主体包括工艺气流通道300和冷却流道，工艺气流通道300的出气口连通至反应室100，并位于基座200中心区域的上方。第二主体包括连通至反应室100的清洁气流通道410，第二主体设置于安装孔内，并环绕至第一主体的外侧壁设置，使得清洁气流通道410的出气口对应基座200。

利用与反应室100连通的工艺气流通道300输送载气和工艺气体的混合气体，使得工艺气体在反应室100内分解并发生反应，以将反应后的生成物沉积在基片上形成薄膜。与反应室100连通的清洁气流通道410向反应室100内输送载气和清洁气体的混合气体，在每次反应工序结束后，利用具有腐蚀性能的清洁气体对反应室100的内壁进行清洁，从而使沉积在反应室100内壁以及基座200表面的沉积物转化成挥发性的化合物，以使得挥发性的化合物借助载气从反应室100内排出、去除。

安装孔的内侧壁与进气模块的外侧壁间留有间隙500，通过设置上述间隙500可以避免进气模块以及喷嘴与顶盖110直接接触，从而使得环形的间隙500形成空气墙，将顶盖110与喷嘴之间的热传导转变为热辐射；因而利用设置在进气模块外侧壁的间隙500可以降低进气模块外侧壁的温度。此外，进气模块内部设置有与清洁气流通道相邻的冷却流道，可以利用冷却流道对进气模块的内部进行冷却，以降低清洁气流通道410内的清洁气体的温度。

本申请中通过在进气模块的外侧壁预留间隙500，以及在进气模块的内部设置冷却流道，可以有效减少进气模块的外侧壁接收的热量并同时对进气模块的本体进行高效的冷却，使得清洁气流通道410内的清洁气体的温度能保持在较低的水平，避免对进气模块的本体造成腐蚀。在清洁气体流出进气模块后，清洁气体可以被腔室内的高温迅速的提高到可与待刻蚀物反应的温度，因而使得清洁气体的刻蚀行为被约束到反应室内，清洁气体可以更加充分高效地与沉积物反应，以提高反应室100内壁的清洁效果。

进一步的，柱状的第一主体设于安装孔内，且其底部延伸至反应室内；环状的第二主体突出于第一主体的外侧壁，且位于安装孔内；第二主体的外侧壁与安装孔的孔壁之间存在间隙；第二主体的下表面与顶盖110的下表面之间高度差的绝对值小于5mm，优选地，第二主体的下表面与顶盖110的下表面保持平齐，以使得反应腔内气流场平稳，不易出现紊流。

安装孔的孔壁与第二主体的外侧壁间留有间隙500，通过设置上述间隙500可以避免第二主体与顶盖110直接接触，从而使得环形的间隙500形成空气墙，降低第二主体外侧壁接收的热辐射量，从而降低第二主体的温度。此外，第二主体环绕在第一主体的外侧壁，并且第二主体与第一主体内的冷却流道相邻，以通过该冷却流道同时降低第一主体和第二主体的温度，进而降低工艺气流通道300内的工艺气体与清洁气流通道410内的清洁气体的温度。

在第二主体的外侧壁预留间隙500，以及使第二主体与在第一主体内部设置的冷却流道相邻，可以有效减少第二主体的外侧壁接收的热量并同时对第二主体进行高效的冷却，使得清洁气流通道410内的清洁气体的温度能保持在较低的水平，避免对进气模块的本体造成腐蚀。

此外，在成膜工序中，工艺气体经工艺气流通道300输送进反应室100的内部，并利用混合于载气中的金属有机化合物与V族或VI族元素的氢化物分解、反应，从而在基片的表面形成薄膜。此时，清洁气流通道410内仅输送不与工艺气体发生反应的载气，使得环绕在第一主体外侧壁的第二主体可以形成一空气隔墙，可以进一步的减小顶盖110传递给喷嘴本体的热量。在清洁工序中，清洁气流通道410将混合于载气中的清洁气体输送至反应室100的内部，此时，工艺气流通道300内仅输送不与清洁气体反应的载气，利用输送进反应室100内部的载气可以辅助转化后的化合物从反应室100内去除。

进一步的，上述顶盖110包括外盖、面向反应室100的内盖及位于外盖和内盖之间冷却板组件，内盖及冷却板组件与第二主体的外侧壁之间存在间隙，以避免该冷却板组件对第二主体的外侧壁的温度均匀性产生影响。冷却板组件主要用以实现对内盖的冷却，本申请中冷却板组件为现有技术，在此不做赘述。

进一步的，冷却流道包括冷却室和第一冷却管，冷却室开设于第一主体内部，并与第二主体相邻；第一冷却管自第一主体的顶部向下延伸，并直接或间接连通至冷却室。

冷却室620内传输有冷却液，冷却室620开设于第一主体的上半部分，并且与第二主体相邻设置，可以利用冷却室620内的冷却液与清洁气流通道和喷嘴本体进行间接或直接的热交换，从而对清洁气体和喷嘴进行冷却。本申请中利用环绕在第二主体外侧壁的间隙500，以及靠近清洁气流通道410的冷却室620的共同作用，可以有效减少清洁气流通道的外侧壁接收的热量并同时对清洁气流通道的本体进行高效的冷却，从而使得填充在其内部的清洁气体的温度能得到有效的控制。

由于工艺气流通道300由第一主体的顶端延伸至冷却室620下方，并且工艺气流通道300自冷却室620内穿过，因而可以利用冷却室620内的冷却液与工艺气流通道和喷嘴本体进行热交换，从而对工艺气体和喷嘴本体进行冷却；本申请中多个工艺气流通道300环绕第一冷却管610设置，并使得多个工艺气流通道300相对于冷却流道的环境因素基本一致，以使得多个工艺气流通道300内的工艺气体的温度基本保持均匀一致。

进一步的，第二主体还包括若干挡板420，全部的挡板420均平行设置于清洁气流通道410的内部，且沿第二主体的轴向排布；挡板420上贯穿式开设有多个通孔421，用于流通清洁气体。利用设置在清洁通道内的挡板420，可以将清洁通道的内部分割为若干相互连通的弥散室，分布在相邻的弥散室内的清洁气体可以通过开设在挡板420上的多个通孔421进行流动，以使得清洁气体在清洁气流通道410中变得均匀分布，从而使得清洁气体相对于清洁气流通道的热交换变得均匀，提高清洁气流通道中的清洁气体的温度均质程度，进而提高对清洁气体温度控制的均匀性。本申请中挡板420的数量可以是一个，也可以是多个，在此不做限定，优选的方案中挡板420的数量为3-6个。

通过在清洁气流通道410的内部设置挡板420，可以提高清洁气体在清洁气流通道410内的分布的均匀性，清洁气体沿流动方向在弥撒空间内依次扩散，使得下级弥散室内清洁气体更加均匀。此时利用第二主体外侧壁处预留的间隙500，以及靠近清洁气流通道410的冷却室620对清洁气体进行更加充分的冷却，同时配合均匀分布的清洁气体，可以使得清洁气体在清洁气流通道410内各个位置的温度更加趋于一致。本申请中利用预留的间隙500和与冷却室620相邻的排布方式对清洁气流通道进行控温，同时与在清洁气流通道内置挡板的匀气方式相配合，使得清洁气流通道410内的清洁气体保持较低温度并且温度较为一致。因而使得从清洁气流通道410的出气口流出的清洁气体具有均匀的温度，使得流动至反应室100各个位置处的清洁气体的温度一致，从而使得反应室内温场均匀，不会产生清洁气体温度局部过高或过低而对待清洁区域造成局部遗漏，从而提高反应室100的清洁效果。

进一步的，第一主体还包括冷却板640以及导流板650，冷却板640位于第一主体的底面，其底面与基座200相对设置；冷却板640内部设有腔体641，并且上述腔体641连通至冷却室620；导流板650设于腔体641内，导流板650与腔体641的顶面、底面及侧面之间存在间隙，并将腔体641分为连通的上腔体与下腔体；导流板650设有通孔，第一冷却管610通过通孔连通至下腔体。

利用设置在冷却板640内部的导流板650可以将腔体641分为连通的上腔体与下腔体，其中上腔体与冷却室620连通，下腔体与第一冷却管610连通。第一冷却管610内的冷却液经排液口流动至冷却板640的内部，并且上述冷却液沿导流板650的延伸方向在冷却板640的下腔体内流动，然后经导流板650与腔体641的侧面之间的缝隙流动至腔体641的上腔体，再流动至冷却室620中。本申请中腔体641可以开设为弧形区域，也可以开设为圆形区域，同时，设置在冷却板640内部的导流板650可以设置为圆形板，本申请中对此均不做限定。

进一步的，冷却流道还包括第二冷却管630，第二冷却管630套设至第一冷却管610的外侧壁，第二冷却管630连通上腔体与冷却室620，进一步，第二冷却管630的端部突出冷却室620的底壁并沿着所述第一冷却管610延伸到冷却室620内部设置，使得流经第一冷却管和腔体后并已经吸收热量的冷却液回流到冷却室的腔室中部，避免过热的冷却液与第一本体或者第二本体直接接触并能被迅速地被排出冷却室，以减轻第一本体或第二本体的冷却效果受到循环后的冷却液的热量的干扰，从而提升对进气模块整体的冷却效果；第一冷却管610，通过通孔、下腔体、上腔体及第二冷却管630，间接连通至冷却室620。在本实施例中，利用第二冷却管630实现第一冷却管610与冷却室620的连通，其中，第一冷却管610的进液口与冷却室620的排放口均位于第一主体的顶部。

由于第一冷却管610沿第一主体的轴向设置，可以实现对工艺气流通道300以及喷嘴本体的冷却；然后上述冷却液沿导流板650的延伸方向在冷却板640的下侧区域内流动，然后经导流板650与腔体641之间的缝隙流动至腔体641的上侧区域，再经第二冷却管630流动至冷却室620中。然后利用上述冷却液对清洁气流通道410进行冷却，冷却完成后的冷却液可以经冷却室620的排放口流出。

进一步的，清洁气流通道包括出气口，出气口开设于第二主体的底部，并朝向反应室，出气口不低于冷却室的底壁。由于清洁气流通道410朝向反应室100的端面处温度较其他位置略高，因而限定冷却室620的底壁低于或齐平于清洁气流通道410的出气口，以保证冷却室620内的冷却液能够与清洁气流通道410的底部进行充分的热交换，从而使得清洁气体位于清洁气流通道410内各个位置的温度保持均匀一致。

进一步的，挡板420至少包括第一挡板及第二挡板，第一挡板位于所述第二挡板的上游；第一挡板的通孔421的数量为N1，第二挡板的通孔421的数量为N2，则N1＜N2。由于清洁气流通道410进气口处的压强大于其出气口处的压强，因而通过在清洁气流通道410内设置多层挡板420，并且挡板420上开设的通孔421的数量逐渐增加，可以使得清洁气流在靠近上游的弥散室内压强较大，同时形成该弥散室的挡板420上开设的通孔421的数量较少，可以使得上述挡板420各个位置的通孔421处的清洁气体的压强基本一致，从而使得各个位置处通孔421的出气量趋于一致。然后通过依次增加开设在挡板420上通孔421的数量，可以保证清洁气体相对于通孔均匀出气，从而达到均匀清洁气体的效果，进一步，可以提高清洁气流通道内的清洁气体的冷却效果和温度均匀性。

进一步的，相邻的两个挡板420中，一挡板420的任一通孔421的中心轴线与另一个挡板420的任一通孔421的中心轴线平行，即相邻挡板的通孔错位设置，可以更好的对清洁气体进行弥散。在本实施例中，本申请中相邻两挡板420上的通孔421可以沿轴向错位。

进一步的，第二主体固定式环绕至第一主体的外侧壁，其中第二主体与第一主体可以一体成型，也可以通过焊接、螺栓连接等方式固定连接。利用固定连接的第一主体和第二主体，既便于装配和维修；同时也能够减小工作过程中位置的偏移，以保证相对位置的准确性。

进一步的，安装孔的内壁与第二主体的外侧壁之间的间隙500宽度为0.3-2mm，既能够实现各个部件的合理排布，也能够降低清洁气体和喷嘴的温度，实现较好的隔热效果。

当安装孔的内侧壁与第二主体的外侧壁之间的间隙500宽度小于0.3mm时，顶盖110和第二主体之间热传递方式更加接近于热传导，因而清洁气体和喷嘴温度受顶盖110的影响较大，隔热效果不明显。当安装孔的内壁与第二主体的外侧壁之间的间隙500宽度大于2mm时，流动至反应室100内部的工艺气体可能会沉积在间隙500的内部，此时利用载气吹扫也无法保证工艺气体会被全部排除出间隙500之外，使得工艺气体可能会在上述间隙500处形成镀膜，同时沉积在间隙500内的沉积物在后续的工序中可能会成为杂质，从而降低了基片镀膜的精度。

以上对本申请提供成膜装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：

反应室，其包括一顶盖，所述顶盖中部开设有一安装孔；

基座，其设置于所述反应室内，并与所述顶盖相对设置；以及

进气模块，其设于所述安装孔内，且底部延伸至所述反应室内；所述进气模块包括第一主体与第二主体，所述第一主体包括工艺气流通道与冷却流道，所述冷却流道自所述第一主体的顶部向其底部延伸设置；所述第二主体包括清洁气流通道；所述清洁气流通道至少部分与所述冷却流道相邻；

其中，所述安装孔的孔壁与所述进气模块的外侧壁之间存在间隙。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

柱状的所述第一主体，其设于所述安装孔内，且其底部延伸至所述反应室内；以及

环状的所述第二主体，其突出于所述第一主体的外侧壁，且位于所述安装孔内；所述第二主体的外侧壁与所述安装孔的孔壁之间存在间隙；所述第二主体的下表面与所述顶盖的下表面之间高度差的绝对值小于5mm。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述冷却流道包括：

冷却室，其开设于所述第一主体内部，并与所述第二主体相邻；以及

第一冷却管，其自所述第一主体的顶部向下延伸，并直接或间接连通至所述冷却室。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，所述第一主体还包括：

冷却板，其位于所述第一主体的底面，并与所述基座相对设置；所述冷却板内部设有腔体，所述腔体与所述冷却室连通；

导流板，其设于所述腔体内，所述导流板与所述腔体的顶面、底面及侧面之间存在间隙，并将所述腔体分为连通的上腔体与下腔体；所述导流板设有通孔，所述第一冷却管通过所述通孔连通至所述下腔体；以及

第二冷却管，其套设至所述第一冷却管的外侧壁，所述第二冷却管连通所述上腔体与所述冷却室，所述第二冷却管的端部突出所述冷却室的底壁设置；所述第一冷却管，通过所述通孔、下腔体、上腔体及第二冷却管，间接连通至所述冷却室；

所述冷却室的顶部设置有排液口。

5.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，所述清洁气流通道包括出气口，所述出气口开设于所述第二主体的底部，并朝向所述反应室，所述出气口不低于所述冷却室的底壁。

6.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述第二主体还包括：

若干挡板，其平行设置于所述清洁气流通道的内部，且沿所述第二主体的轴向排布；所述挡板开设有多个通孔。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述挡板至少包括第一挡板及第二挡板，所述第一挡板位于所述第二挡板的上游；所述第一挡板的所述通孔的数量为N1，所述第二挡板的所述通孔的数量为N2，则N1＜N2。

8.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，相邻的两个所述挡板中，一所述挡板的任一所述通孔的中心轴线与另一个所述挡板的任一所述通孔的中心轴线平行。

9.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述安装孔的孔壁与所述第二主体的外侧壁之间的间隙宽度为0.3-2mm。

10.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述顶盖包括外盖、面向所述反应室的内盖及位于所述外盖和所述内盖之间冷却板组件，所述内盖及所述冷却板组件与所述第二主体的外侧壁之间存在间隙。

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