CN115877674A - 一种di光刻机的led光学系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种DI光刻机的LED光学系统，属于DI光刻机光源技术领域，本方案通过多个近紫外LED光源本体的独立或同步工作，配合聚光增强机构的光照反射和聚光透镜，实现将近紫外LED光源本体的光能量集中在一起，减少光资源的浪费，提高光源功率，满足不同功率需求的芯片加工，增强工作效果，且散吸吹尘机构通过吸收块对发散的光进行吸收，同时借助发散的光带动形变记忆弹簧收缩，带动挡板上下运动，挤压固定半球内部空气喷出，吹走近紫外LED光源本体表面的灰尘，保证其发光效果，并且导热降温机构利用制冷块的冷气与近紫外LED光源本体进行冷热交替，达到降温的效果，保证近紫外LED光源本体的稳定工作。

Description

一种DI光刻机的LED光学系统

技术领域

本发明涉及DI光刻机光源技术领域，更具体地说，涉及一种DI光刻机的LED光学系统。

背景技术

DI光刻机是指通过开启灯光发出激光，将胶片或其他透明体上的图像信息转移到涂有感光物质的表面上的机器设备，DI光刻机一般应用于高精度加工领域中，如芯片加工领域，需要利用DI光刻机将芯片电路转印至晶圆片上。

在DI光刻机中，光源模块是其中一项重要的模块，目前，常常采用紫外半导体激光器、近紫外LED光源或UV LED光源，但是近紫外LED存在光功率密度低和发散角大的问题，利用有限，导致光资源的浪费，且在需要高精度加工需求时，需要更大的光源功率时，无法有效的满足芯片加工需求，从而对DI光刻机的工作造成影响。

发明内容

1．要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种DI光刻机的LED光学系统，本方案通过多个近紫外LED光源本体的独立或同步工作，配合聚光增强机构的光照反射和聚光透镜，实现将近紫外LED光源本体的光能量集中在一起，减少光资源的浪费，提高光源功率，满足不同功率需求的芯片加工，增强工作效果，且散吸吹尘机构通过吸收块对发散的光进行吸收，同时借助发散的光带动形变记忆弹簧收缩，带动挡板上下运动，挤压固定半球内部空气喷出，吹走近紫外LED光源本体表面的灰尘，保证其发光效果，并且导热降温机构利用制冷块的冷气与近紫外LED光源本体进行冷热交替，达到降温的效果，保证近紫外LED光源本体的稳定工作。

2．技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。

一种DI光刻机的LED光学系统，包括光源框，所述光源框的内壁安装有多个均匀分布的近紫外LED光源本体，所述光源框与近紫外LED光源本体之间设有聚光增强机构，所述聚光增强机构的下端设有散吸吹尘机构，所述光源框的外端固定连接有多个均匀分布的衔接侧框，且其与近紫外LED光源本体之间设有导热降温机构，本方案通过多个近紫外LED光源本体的独立或同步工作，配合聚光增强机构的光照反射和聚光透镜，实现将近紫外LED光源本体的光能量集中在一起，减少光资源的浪费，提高光源功率，满足不同功率需求的芯片加工，增强工作效果，且散吸吹尘机构通过吸收块对发散的光进行吸收，同时借助发散的光带动形变记忆弹簧收缩，带动挡板上下运动，挤压固定半球内部空气喷出，吹走近紫外LED光源本体表面的灰尘，保证其发光效果，并且导热降温机构利用制冷块的冷气与近紫外LED光源本体进行冷热交替，达到降温的效果，保证近紫外LED光源本体的稳定工作。

进一步的，所述聚光增强机构包括安装在光源框内壁上的多个三角台，所述三角台位于近紫外LED光源本体的上侧，并与其相对应，所述三角台的倾斜面设有反射层，所述光源框的内部设有反射台，所述光源框的内壁固定连接有聚光透镜，且其位于反射台的上侧，聚光增强机构通过三角台和反射层对分散的多个近紫外LED光源本体的光束进行反射，接着反射台对光束再次进行反射，使多个近紫外LED光源本体的光束相互平行，并透过聚光透镜集中在一起，增强光束能力，满足更高光源功率的芯片加工需求，使芯片加工更加充分全面，增强加工效果。

进一步的，所述散吸吹尘机构包括安装在反射台下端的固定半球，所述固定半球与光源框之间固定连接有支撑柱，所述固定半球的外端开凿有多个均匀分布的透光微孔，所述固定半球的内顶端固定连接有连接罩，且连接罩与固定半球的内顶端之间固定连接有吸收块，所述连接罩内壁设有与其紧密接触的挡板，且挡板的下端固定连接有衔接杆，所述固定半球的内底端固定连接有限位杆，且其外端套设有活动环块，所述活动环块的左右两端均与衔接杆固定连接，所述衔接杆的外端套设有形变记忆弹簧，且形变记忆弹簧的上下两端分别与活动环块的下端和固定半球的内底端固定连接，近紫外LED光源本体发散的光经过多个透光微孔进入到固定半球的内部，散吸吹尘机构通过发散的光带动形变记忆弹簧向下收缩，拉动挡板向下运动，与连接罩分离，使吸收块显现出来，对发散的光进行吸收，而随着吸收块的吸收，固定半球内部发散的光减少，使得形变记忆弹簧的形变程度降低，向上延伸部分距离，待外界的发散的光进入到固定半球内，再次增强发散的光时，使形变记忆弹簧再次充分形变，从而带动挡板上下运动，反复挤压固定半球内部的空气喷出，吹向近紫外LED光源本体，吹落其表面的灰尘，减少灰尘的干扰遮挡，保证近紫外LED光源本体的发光效果。

进一步的，所述活动环块的左右两端内壁均开凿有球形槽，且两个球形槽的内部均转动连接有滚珠，两个所述滚珠的外端均与限位杆的外端相接触，通过滚珠的设置，使活动环块的运动更加顺畅便捷，减少摩擦影响。

进一步的，所述连接罩的内壁设有抗反射涂层，所述吸收块采用碳纳米管黑体材料制成，通过抗反射涂层的设置，减少连接罩内发散的光的反射，使发散的光被碳纳米管黑体材料制成的吸收块进行充分吸收，减少发散的光的干扰。

进一步的，所述形变记忆弹簧采用光致型形状记忆高分子材料制成，且形变记忆弹簧的初始状态为延伸状态，所述形变记忆弹簧与近紫外LED光源本体的光相匹配，通过使用光致型形状记忆高分子材料的形变记忆弹簧具有记忆效应，在近紫外LED光源本体的光照下，形变记忆弹簧形变收缩，而在近紫外LED光源本体的光照消失后，形变记忆弹簧又恢复至初始状态。

进一步的，所述导热降温机构包括安装在衔接侧框内壁上的回形框，所述回形框上固定连接有导热铜块，所述导热铜块贯穿光源框，并与近紫外LED光源本体相接触，所述回形框的内壁安装有记忆活动瓣座，且记忆活动瓣座的内壁通过直杆固定连接有连接球囊，所述连接球囊的内部设有制冷块，且连接球囊的内部设有密集的绝磁粉末，导热降温机构通过导热铜块将近紫外LED光源本体工作时产生的热量，传导到回形框内，使得回形框内部温度升高，促使记忆活动瓣座向外绽开，带动制冷块散发是冷气散发出来，与热量进行冷热交替，降低近紫外LED光源本体的温度，减少高温干扰，保证近紫外LED光源本体的稳定工作。

进一步的，所述记忆活动瓣座采用形状记忆合金材料制成，所述记忆活动瓣座的初始状态为闭合状态，所述记忆活动瓣座的内壁设有隔温棉层，通过使用形状记忆合金材料制成的记忆活动瓣座，具有记忆功能，在温度升高后，记忆活动瓣座受热向外绽开，而在温度降低后，记忆活动瓣座恢复至初始的闭合状态，且隔温棉层的设置，在记忆活动瓣座闭合后，能够有效的阻挡其内外的温度影响。

进一步的，所述制冷块采用磁制冷材料制成，所述绝磁粉末采用Fe-Ni合金材料制成，且绝磁粉末中Ni的含量为80%，通过使用磁制冷材料制成的制冷块，在Fe-Ni合金材料制成的绝磁粉末密集绝磁后，隔绝外来磁场的干扰，进行单独作用，使得制冷块内部磁矩的取向无规则，促使磁熵升高并吸收热量，从而进行吸热降温。

3．有益效果

相比于现有技术，本发明的优点在于：

（1）本方案通过多个近紫外LED光源本体的独立或同步工作，配合聚光增强机构的光照反射和聚光透镜，实现将近紫外LED光源本体的光能量集中在一起，减少光资源的浪费，提高光源功率，满足不同功率需求的芯片加工，增强工作效果，且散吸吹尘机构通过吸收块对发散的光进行吸收，同时借助发散的光带动形变记忆弹簧收缩，带动挡板上下运动，挤压固定半球内部空气喷出，吹走近紫外LED光源本体表面的灰尘，保证其发光效果，并且导热降温机构利用制冷块的冷气与近紫外LED光源本体进行冷热交替，达到降温的效果，保证近紫外LED光源本体的稳定工作。

（2）聚光增强机构包括安装在光源框内壁上的多个三角台，三角台位于近紫外LED光源本体的上侧，并与其相对应，三角台的倾斜面设有反射层，光源框的内部设有反射台，光源框的内壁固定连接有聚光透镜，且其位于反射台的上侧，聚光增强机构通过三角台和反射层对分散的多个近紫外LED光源本体的光束进行反射，接着反射台对光束再次进行反射，使多个近紫外LED光源本体的光束相互平行，并透过聚光透镜集中在一起，增强光束能力，满足更高光源功率的芯片加工需求，使芯片加工更加充分全面，增强加工效果。

（3）散吸吹尘机构包括安装在反射台下端的固定半球，固定半球与光源框之间固定连接有支撑柱，固定半球的外端开凿有多个均匀分布的透光微孔，固定半球的内顶端固定连接有连接罩，且连接罩与固定半球的内顶端之间固定连接有吸收块，连接罩内壁设有与其紧密接触的挡板，且挡板的下端固定连接有衔接杆，固定半球的内底端固定连接有限位杆，且其外端套设有活动环块，活动环块的左右两端均与衔接杆固定连接，衔接杆的外端套设有形变记忆弹簧，且形变记忆弹簧的上下两端分别与活动环块的下端和固定半球的内底端固定连接，近紫外LED光源本体发散的光经过多个透光微孔进入到固定半球的内部，散吸吹尘机构通过发散的光带动形变记忆弹簧向下收缩，拉动挡板向下运动，与连接罩分离，使吸收块显现出来，对发散的光进行吸收，而随着吸收块的吸收，固定半球内部发散的光减少，使得形变记忆弹簧的形变程度降低，向上延伸部分距离，待外界的发散的光进入到固定半球内，再次增强发散的光时，使形变记忆弹簧再次充分形变，从而带动挡板上下运动，反复挤压固定半球内部的空气喷出，吹向近紫外LED光源本体，吹落其表面的灰尘，减少灰尘的干扰遮挡，保证近紫外LED光源本体的发光效果。

（4）活动环块的左右两端内壁均开凿有球形槽，且两个球形槽的内部均转动连接有滚珠，两个滚珠的外端均与限位杆的外端相接触，通过滚珠的设置，使活动环块的运动更加顺畅便捷，减少摩擦影响。

（5）连接罩的内壁设有抗反射涂层，吸收块采用碳纳米管黑体材料制成，通过抗反射涂层的设置，减少连接罩内发散的光的反射，使发散的光被碳纳米管黑体材料制成的吸收块进行充分吸收，减少发散的光的干扰。

（6）形变记忆弹簧采用光致型形状记忆高分子材料制成，且形变记忆弹簧的初始状态为延伸状态，形变记忆弹簧与近紫外LED光源本体的光相匹配，通过使用光致型形状记忆高分子材料的形变记忆弹簧具有记忆效应，在近紫外LED光源本体的光照下，形变记忆弹簧形变收缩，而在近紫外LED光源本体的光照消失后，形变记忆弹簧又恢复至初始状态。

（7）导热降温机构包括安装在衔接侧框内壁上的回形框，回形框上固定连接有导热铜块，导热铜块贯穿光源框，并与近紫外LED光源本体相接触，回形框的内壁安装有记忆活动瓣座，且记忆活动瓣座的内壁通过直杆固定连接有连接球囊，连接球囊的内部设有制冷块，且连接球囊的内部设有密集的绝磁粉末，导热降温机构通过导热铜块将近紫外LED光源本体工作时产生的热量，传导到回形框内，使得回形框内部温度升高，促使记忆活动瓣座向外绽开，带动制冷块散发是冷气散发出来，与热量进行冷热交替，降低近紫外LED光源本体的温度，减少高温干扰，保证近紫外LED光源本体的稳定工作。

（8）记忆活动瓣座采用形状记忆合金材料制成，记忆活动瓣座的初始状态为闭合状态，记忆活动瓣座的内壁设有隔温棉层，通过使用形状记忆合金材料制成的记忆活动瓣座，具有记忆功能，在温度升高后，记忆活动瓣座受热向外绽开，而在温度降低后，记忆活动瓣座恢复至初始的闭合状态，且隔温棉层的设置，在记忆活动瓣座闭合后，能够有效的阻挡其内外的温度影响。

（9）制冷块采用磁制冷材料制成，绝磁粉末采用Fe-Ni合金材料制成，且绝磁粉末中Ni的含量为80%，通过使用磁制冷材料制成的制冷块，在Fe-Ni合金材料制成的绝磁粉末密集绝磁后，隔绝外来磁场的干扰，进行单独作用，使得制冷块内部磁矩的取向无规则，促使磁熵升高并吸收热量，从而进行吸热降温。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为本发明的立体结构示意图；

图3为本发明中近紫外LED光源本体的分布示意图；

图4为本发明中散吸吹尘机构的剖面结构示意图；

图5为本发明中散吸吹尘机构的局部立体结构示意图；

图6为本发明中导热降温机构的剖面结构示意图；

图7为本发明中回形框的立体结构示意图。

图中标号说明：

100、光源框；200、近紫外LED光源本体；300、聚光增强机构；301、三角台；302、反射台；303、聚光透镜；400、散吸吹尘机构；401、固定半球；402、支撑柱；403、透光微孔；404、连接罩；405、吸收块；406、挡板；407、衔接杆；408、限位杆；409、活动环块；4091、滚珠；4010、形变记忆弹簧；500、衔接侧框；600、导热降温机构；601、回形框；602、导热铜块；603、记忆活动瓣座；604、连接球囊；605、制冷块；606、绝磁粉末。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例：

请参阅图1-7，一种DI光刻机的LED光学系统，包括光源框100，光源框100的内壁安装有多个均匀分布的近紫外LED光源本体200，光源框100与近紫外LED光源本体200之间设有聚光增强机构300，聚光增强机构300的下端设有散吸吹尘机构400，光源框100的外端固定连接有多个均匀分布的衔接侧框500，且其与近紫外LED光源本体200之间设有导热降温机构600，本方案通过多个近紫外LED光源本体200的独立或同步工作，配合聚光增强机构300的光照反射和聚光透镜303，实现将近紫外LED光源本体200的光能量集中在一起，减少光资源的浪费，提高光源功率，满足不同功率需求的芯片加工，增强工作效果，且散吸吹尘机构400通过吸收块405对发散的光进行吸收，同时借助发散的光带动形变记忆弹簧4010收缩，带动挡板406上下运动，挤压固定半球401内部空气喷出，吹走近紫外LED光源本体200表面的灰尘，保证其发光效果，并且导热降温机构600利用制冷块605的冷气与近紫外LED光源本体200进行冷热交替，达到降温的效果，保证近紫外LED光源本体200的稳定工作。

请参阅图1，聚光增强机构300包括安装在光源框100内壁上的多个三角台301，三角台301位于近紫外LED光源本体200的上侧，并与其相对应，三角台301的倾斜面设有反射层，光源框100的内部设有反射台302，光源框100的内壁固定连接有聚光透镜303，且其位于反射台302的上侧，聚光增强机构300通过三角台301和反射层对分散的多个近紫外LED光源本体200的光束进行反射，接着反射台302对光束再次进行反射，使多个近紫外LED光源本体200的光束相互平行，并透过聚光透镜303集中在一起，增强光束能力，满足更高光源功率的芯片加工需求，使芯片加工更加充分全面，增强加工效果。

请参阅图1和图4-5，散吸吹尘机构400包括安装在反射台302下端的固定半球401，固定半球401与光源框100之间固定连接有支撑柱402，固定半球401的外端开凿有多个均匀分布的透光微孔403，固定半球401的内顶端固定连接有连接罩404，且连接罩404与固定半球401的内顶端之间固定连接有吸收块405，连接罩404内壁设有与其紧密接触的挡板406，且挡板406的下端固定连接有衔接杆407，固定半球401的内底端固定连接有限位杆408，且其外端套设有活动环块409，活动环块409的左右两端均与衔接杆407固定连接，衔接杆407的外端套设有形变记忆弹簧4010，且形变记忆弹簧4010的上下两端分别与活动环块409的下端和固定半球401的内底端固定连接，近紫外LED光源本体200发散的光经过多个透光微孔403进入到固定半球401的内部，散吸吹尘机构400通过发散的光带动形变记忆弹簧4010向下收缩，拉动挡板406向下运动，与连接罩404分离，使吸收块405显现出来，对发散的光进行吸收，而随着吸收块405的吸收，固定半球401内部发散的光减少，使得形变记忆弹簧4010的形变程度降低，向上延伸部分距离，待外界的发散的光进入到固定半球401内，再次增强发散的光时，使形变记忆弹簧4010再次充分形变，从而带动挡板406上下运动，反复挤压固定半球401内部的空气喷出，吹向近紫外LED光源本体200，吹落其表面的灰尘，减少灰尘的干扰遮挡，保证近紫外LED光源本体200的发光效果。

请参阅图4，活动环块409的左右两端内壁均开凿有球形槽，且两个球形槽的内部均转动连接有滚珠4091，两个滚珠4091的外端均与限位杆408的外端相接触，通过滚珠4091的设置，使活动环块409的运动更加顺畅便捷，减少摩擦影响。

请参阅图4，连接罩404的内壁设有抗反射涂层，吸收块405采用碳纳米管黑体材料制成，通过抗反射涂层的设置，减少连接罩404内发散的光的反射，使发散的光被碳纳米管黑体材料制成的吸收块405进行充分吸收，减少发散的光的干扰。

请参阅图4-5，形变记忆弹簧4010采用光致型形状记忆高分子材料制成，且形变记忆弹簧4010的初始状态为延伸状态，形变记忆弹簧4010与近紫外LED光源本体200的光相匹配，通过使用光致型形状记忆高分子材料的形变记忆弹簧4010具有记忆效应，在近紫外LED光源本体200的光照下，形变记忆弹簧4010形变收缩，而在近紫外LED光源本体200的光照消失后，形变记忆弹簧4010又恢复至初始状态。

请参阅图1和图6-7，导热降温机构600包括安装在衔接侧框500内壁上的回形框601，回形框601上固定连接有导热铜块602，导热铜块602贯穿光源框100，并与近紫外LED光源本体200相接触，回形框601的内壁安装有记忆活动瓣座603，且记忆活动瓣座603的内壁通过直杆固定连接有连接球囊604，连接球囊604的内部设有制冷块605，且连接球囊604的内部设有密集的绝磁粉末606，导热降温机构600通过导热铜块602将近紫外LED光源本体200工作时产生的热量，传导到回形框601内，使得回形框601内部温度升高，促使记忆活动瓣座603向外绽开，带动制冷块605散发是冷气散发出来，与热量进行冷热交替，降低近紫外LED光源本体200的温度，减少高温干扰，保证近紫外LED光源本体200的稳定工作。

请参阅图6，记忆活动瓣座603采用形状记忆合金材料制成，记忆活动瓣座603的初始状态为闭合状态，记忆活动瓣座603的内壁设有隔温棉层，通过使用形状记忆合金材料制成的记忆活动瓣座603，具有记忆功能，在温度升高后，记忆活动瓣座603受热向外绽开，而在温度降低后，记忆活动瓣座603恢复至初始的闭合状态，且隔温棉层的设置，在记忆活动瓣座603闭合后，能够有效的阻挡其内外的温度影响。

请参阅图6，制冷块605采用磁制冷材料制成，绝磁粉末606采用Fe-Ni合金材料制成，且绝磁粉末606中Ni的含量为80%，通过使用磁制冷材料制成的制冷块605，在Fe-Ni合金材料制成的绝磁粉末606密集绝磁后，隔绝外来磁场的干扰，进行单独作用，使得制冷块605内部磁矩的取向无规则，促使磁熵升高并吸收热量，从而进行吸热降温。

本发明中，相关内的技术人员在使用时，面对不同精度的芯片加工需求，可根据加工需求选择相应数量的近紫外LED光源本体200发光，使近紫外LED光源本体200发出的光束经过三角台301和反射层对分散的多个近紫外LED光源本体200的光束进行反射，接着反射台302对光束再次进行反射，使多个近紫外LED光源本体200的光束相互平行，并透过聚光透镜303集中在一起向外发出，提高光源功率，与此同时，发散的光经过多个透光微孔403进入到固定半球401的内部，形变记忆弹簧4010在其光照下，形变向下收缩，拉动挡板406向下运动，与连接罩404分离，使吸收块405显现出来，对发散的光进行吸收，而随着吸收块405的吸收，固定半球401内部发散的光减少，使得形变记忆弹簧4010的形变程度降低，向上延伸部分距离，待外界的发散的光进入到固定半球401内，再次增强发散的光时，使形变记忆弹簧4010再次充分形变，从而带动挡板406上下运动，反复挤压固定半球401内部的空气喷出，吹向近紫外LED光源本体200，吹落其表面的灰尘，减少灰尘的干扰遮挡，保证近紫外LED光源本体200的发光效果，且导热铜块602将近紫外LED光源本体200工作时产生的热量，传导到回形框601内，使得回形框601内部温度升高，促使记忆活动瓣座603向外绽开，带动隔温棉层分离，而在密集的绝磁粉末606磁屏蔽后，制冷块605进行单独作用，吸热降温，从而降低近紫外LED光源本体200的温度，减少高温干扰，保证近紫外LED光源本体200的稳定工作。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种DI光刻机的LED光学系统，包括光源框（100），其特征在于：所述光源框（100）的内壁安装有多个均匀分布的近紫外LED光源本体（200），所述光源框（100）与近紫外LED光源本体（200）之间设有聚光增强机构（300），所述聚光增强机构（300）的下端设有散吸吹尘机构（400），所述光源框（100）的外端固定连接有多个均匀分布的衔接侧框（500），且其与近紫外LED光源本体（200）之间设有导热降温机构（600）。

2.根据权利要求1所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述聚光增强机构（300）包括安装在光源框（100）内壁上的多个三角台（301），所述三角台（301）位于近紫外LED光源本体（200）的上侧，并与其相对应，所述三角台（301）的倾斜面设有反射层，所述光源框（100）的内部设有反射台（302），所述光源框（100）的内壁固定连接有聚光透镜（303），且其位于反射台（302）的上侧。

3.根据权利要求2所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述散吸吹尘机构（400）包括安装在反射台（302）下端的固定半球（401），所述固定半球（401）与光源框（100）之间固定连接有支撑柱（402），所述固定半球（401）的外端开凿有多个均匀分布的透光微孔（403），所述固定半球（401）的内顶端固定连接有连接罩（404），且连接罩（404）与固定半球（401）的内顶端之间固定连接有吸收块（405），所述连接罩（404）内壁设有与其紧密接触的挡板（406），且挡板（406）的下端固定连接有衔接杆（407），所述固定半球（401）的内底端固定连接有限位杆（408），且其外端套设有活动环块（409），所述活动环块（409）的左右两端均与衔接杆（407）固定连接，所述衔接杆（407）的外端套设有形变记忆弹簧（4010），且形变记忆弹簧（4010）的上下两端分别与活动环块（409）的下端和固定半球（401）的内底端固定连接。

4.根据权利要求3所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述活动环块（409）的左右两端内壁均开凿有球形槽，且两个球形槽的内部均转动连接有滚珠（4091），两个所述滚珠（4091）的外端均与限位杆（408）的外端相接触。

5.根据权利要求3所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述连接罩（404）的内壁设有抗反射涂层，所述吸收块（405）采用碳纳米管黑体材料制成。

6.根据权利要求3所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述形变记忆弹簧（4010）采用光致型形状记忆高分子材料制成，且形变记忆弹簧（4010）的初始状态为延伸状态，所述形变记忆弹簧（4010）与近紫外LED光源本体（200）的光相匹配。

7.根据权利要求1所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述导热降温机构（600）包括安装在衔接侧框（500）内壁上的回形框（601），所述回形框（601）上固定连接有导热铜块（602），所述导热铜块（602）贯穿光源框（100），并与近紫外LED光源本体（200）相接触，所述回形框（601）的内壁安装有记忆活动瓣座（603），且记忆活动瓣座（603）的内壁通过直杆固定连接有连接球囊（604），所述连接球囊（604）的内部设有制冷块（605），且连接球囊（604）的内部设有密集的绝磁粉末（606）。

8.根据权利要求7所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述记忆活动瓣座（603）采用形状记忆合金材料制成，所述记忆活动瓣座（603）的初始状态为闭合状态，所述记忆活动瓣座（603）的内壁设有隔温棉层。

9.根据权利要求7所述的一种DI光刻机的LED光学系统，其特征在于：所述制冷块（605）采用磁制冷材料制成，所述绝磁粉末（606）采用Fe-Ni合金材料制成，且绝磁粉末（606）中Ni的含量为80%。

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