CN115875637A - 电子装置 - Google Patents

电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115875637A
CN115875637A CN202211664433.8A CN202211664433A CN115875637A CN 115875637 A CN115875637 A CN 115875637A CN 202211664433 A CN202211664433 A CN 202211664433A CN 115875637 A CN115875637 A CN 115875637A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
light emitting
protrusion
emitting element
spacer structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211664433.8A
Other languages
English (en)
Inventor
张启良
林芳禾
郑雅分
林嘉慧
梁益彰
洪信钲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to CN202211664433.8A priority Critical patent/CN115875637A/zh
Publication of CN115875637A publication Critical patent/CN115875637A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S8/00—Lighting devices intended for fixed installation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

电子装置包含基板、间隔结构以及发光元件。间隔结构设置于基板之上，且间隔结构包括第一挡墙、第二挡墙及底板，且第一挡墙、第二挡墙与底板形成容置空间。发光元件设置于容置空间內。

Description

电子装置
本发明是申请号为201910159481.3、申请日为2019年3月4日、发明名称为“电子装置”的发明的分案申请。
技术领域
本申请是关于电子装置，特别是关于具有间隔结构的电子装置。
背景技术
一些电子装置可依照实际设计的需求而包含光源。在电子装置的光源架构中，电子装置的边角因为缺乏光线照射而产生暗带区，导致亮度分布均匀度下降。
在这些电子装置中，常采用扩散板使光线通过并均匀散出。为了支撑扩散板，在发光元件与扩散板之间需要设置支撑柱(Support Pin)。随着电子装置的尺寸增加，扩散板的重量也随之增加。为了加强大尺寸电子装置中光扩散的功效及光混合的均匀性，以及支撑更重的重量，发光元件与扩散板之间的间隙有可能增大，支撑柱的使用数量也有可能增加。然而，如此的结构设计将导致光源模块的部件增多、厚度增加、制造时间增长，而与电子装置轻薄化的设计趋势相违背。
另外，采用前述架构下进行局部调光(local dimming)时，仍会有光晕较大、亮度不均等问题。
发明内容
在本申请的一些实施例中，在电子装置的基板上设置间隔结构(例如，网格结构)，并让发光元件(例如，发光二极管)与间隔结构相邻设置。借此，透过调整间隔结构的形状、高度、壁厚等特征，可减少电子装置的部件数量，或达到良好的光均匀性。
根据一些实施例，提供一种电子装置。电子装置包含基板、间隔结构以及发光元件。间隔结构设置于基板之上，且间隔结构包括第一挡墙、第二挡墙及底板，且第一挡墙、第二挡墙与底板形成容置空间。发光元件设置于容置空间内。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1显示本申请一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
图2显示本申请一实施例的间隔结构的部分立体示意图。
图3A显示本申请一实施例的间隔结构的部分侧视图。
图3B为本申请一实施例的间隔结构的部分俯视图。
图4显示本申请另一实施例的间隔结构的部分立体示意图。
图5显示本申请另一实施例的间隔结构的部分侧视图。
图6显示本申请另一实施例的间隔结构的部分俯视图。
图7A显示一般具有多个支撑柱搭配扩散板的电子装置的部分俯视图。
图7B显示包含间隔结构的电子装置的部分俯视图。
图8显示沿着图7A所示的线L1、图7B所示的线L2及图7B所示的线L3进行光学模拟得到的亮度-位置关系图。
图9显示本申请又一实施例的间隔结构的部分立体示意图。
图10A显示本申请又一实施例的间隔结构的部分侧视图。
图10B显示本申请又一实施例的间隔结构的部分俯视图。
图11显示本申请一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
图12A显示本申请一实施例的刚性材料的结构示意图。
图12B显示本申请另一实施例的刚性材料的结构示意图。
图13A显示本申请一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
图13B显示本申请另一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
图13C显示本申请又一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
图14显示本申请一实施例的间隔结构的部分侧视图。
图15显示本申请一实施例的电子装置的部分俯视图。
图16显示本申请一实施例的电子装置的部分剖面示意图。
图17A显示电子装置的部分俯视图。
图17B显示电子装置的部分俯视图。
图中元件标号说明：100、101、102、102’、102”、103、104、104’、105～电子装置10～基板
20～发光元件
21、21’～光源
30、30’、30-1～间隔结构
30H～底板
31、31’、31-1～第一挡墙
31A、31A’、31-1A～第一突起部
312、312’～交界部
32、32’、32-1～第二挡墙
32A、32A’、32-1A～第二突起部
33～刚性部
33’～中空刚性部
35～弹性部
37～连接部件
39～支撑柱
40、40’、40”～光学元件
41～孔洞
43～透镜
43’、43”～表面
50、51、52、53、54～定位辅助块
90～支撑柱
D1～第一方向
D2～第二方向
H1、H2～高度
H4、H5、H6～深度
L1、L2、L3～线
R4、R5、R6～空隙
S～容置空间
S1、S1’、S2、S2’、S12、S4、S5、S6～距离
T1、T2、T3、T4～厚度
W4、W5、W6～宽度
具体实施方式
以下提供了很多不同的实施例或范例，用于实施所提供的标的物的不同元件。各元件和其配置的具体范例描述如下，以简化本申请实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本申请实施例。举例而言，叙述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成在第一和第二元件之间，使得第一和第二元件不直接接触的实施例。此外，本申请实施例可能在不同的范例中重复参考数字及/或字母。如此重复是为了简明和清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或形态之间的关系。
再者，空间上相关的用语，例如“在…之下”、“在…下方”、“下方的”、“在…之上”、“在…上方”、“上方的”和其他类似的用语可用于此，使得描述附图中所示的一元件或部件与其他元件或部件之间的关系更容易。此空间上相关的用语意欲包含除附图中描绘的定位外，使用或操作中的装置的不同定位。设备可以其他方式定位(旋转90度或其他定位)，且在此使用的空间相关描述可同样依此解读。
在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中，相似的参考数字被用来标示相似的元件。可以理解的是，在下述方法之前、期间和之后可以提供额外的操作，且一些叙述的操作可为了该方法的其他实施例被取代或删除。
图1显示本申请一实施例的电子装置100的部分剖面示意图。在本实施例中，电子装置100包含基板10、发光元件20以及间隔结构30。如图1所示，发光元件20与间隔结构30皆设置于基板10上，且间隔结构30邻近于发光元件20设置。在图1所示的实施例中，间隔结构30还包含了围绕发光元件20而设置的底板30H，但本申请实施例并未以此为限，在部分实施例中，间隔结构30可不包含底板30H。需要注意的是，为了便于说明，在本申请的各附图中仅绘出电子装置(例如，电子装置100)的部分元件，但电子装置的实际元件、结构外型与尺寸并不以附图为限。
在一些实施例中，基板10可为刚性或可挠基板，且基板10可为单层或多层组合。基板10的材料例如可为印刷电路板(printed circuit board,PCB)、玻璃、石英、蓝宝石或其他适合的硬质材料，或是聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET or PETE)或聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)等可挠性材料。在一些实施例中，发光元件20可为发光二极管(light-emitting diode,LED)，但本申请实施例并未以此为限。在其他实施例中，发光元件20可包含灯管、灯泡、有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、量子点(quantum dot,QD)、量子点发光二极管(QLED或QDLED)、萤光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、微型发光二极管(micro light-emitting diode or mini light-emitting diode)、其他可发光材料或上述材料的组合。
图2显示本申请一实施例的间隔结构30的部分立体示意图。图3A显示本申请一实施例的间隔结构30的部分侧视图。要特别注意的是，为了更清楚显示本申请实施例的电子装置100的结构，图1至图3A中可能省略部分元件，例如在图1中所示的间隔结构30的底板30H，在图3A中并没有出现。另外要注意的是，在本申请中，为了清楚表示间隔结构30(或后方的30’、30-1、30-2、30-3)与发光元件20之间的空间关系，在本申请中与间隔结构30(或后方的30’、30-1、30-2、30-3)相关的附图中会一并画出发光元件20，但发光元件20并不属于间隔结构30(或后方的30’、30-1、30-2、30-3)的一部分。
在一些实施例中，间隔结构30可为高反射材料，且间隔结构30的材料可包括可挠性或刚性的材料，例如塑胶或金属等，但本申请实施例并非以此为限。此外，间隔结构30的颜色可为白色或黑色，且间隔结构30的表面粗糙度也可依实际需求(例如，对于反射率的需求)进行调整。同时参照图1至图3A，间隔结构30包含第一挡墙31与第二挡墙32。第一挡墙31沿第一方向D1延伸，而第二挡墙32沿第二方向D2延伸。在本实施例中，第一方向D1与第二方向D2不同，例如在图2中，第一方向D1与第二方向D2垂直，但本申请实施例并非以此为限。
如图2所示，间隔结构30包括多个第一挡墙31与多个第二挡墙32，第一挡墙31及第二挡墙32彼此交错排列形成网格结构，多个发光元件20可分别设置于由第一挡墙31及第二挡墙32所形成的容置空间S内。为了说明本申请的主要技术特征，在本申请的一些实施例(例如，图1到图16所示的实施例)中，从俯视方向来看，发光元件20位于容置空间S的中心位置，但本申请实施例并非以此为限。在部分实施例中，从俯视方向来看，发光元件20可不位于容置空间S的中心位置。
如图2、图3A所示，在本实施例中，间隔结构30包括第一挡墙31、第二挡墙32及交界部312。第一挡墙31包括第一突起部31A，且第一挡墙31沿第一方向D1延伸。第二挡墙32包括第二突起部32A，且第二挡墙32沿第二方向D2延伸，其中第一方向D1与第二方向D2不同。交界部312连接第一突起部31A与第二突起部32A，且交界部312的高度H2低于第一突起部31A的高度H1。图3A在本申请中，交界部312的高度H2定义为交界部312从基板10顶表面沿着基板10的法线方向(即垂直于基板10顶表面的方向)所量得的最小高度；第一突起部31A的高度H1定义为第一突起部31A从基板10顶表面沿着基板10的法线方向所量得的最大高度。
类似地，在本实施例中，交界部312的高度低于第二突起部32A的高度。第二突起部32A的高度定义为第二突起部32A从基板10顶表面沿着基板10的法线方向所量得的最大高度。在本实施例中，第一突起部31A的高度与第二突起部32A的高度可相同或不同，并无限制。
图3B为本申请一实施例的间隔结构30的部分俯视图。如图3B所示，交界部312的范围可由第一挡墙31底部厚度t1与第二挡墙32底部厚度t2所定义。举例来说，在本实施例中，交界部312的范围可由第一挡墙31底部的两条边缘延伸线，和第二挡墙32底部的两条边缘延伸线围出来的区域定义交界部312(例如，图3B中所示的虚线方框)。第一挡墙31扣除了交界部312之后的范围可定义为第一突起部31A，而第二挡墙32扣除了交界部312之后的范围可定义为第二突起部32A。在本实施例中，第一挡墙31可具有多个第一突起部31A，且一个第一突起部31A位于两个交界部312之间，但本实施例并未以此为限。
参考图2中虚线框起由第一挡墙31及第二挡墙32所形成的网格结构的部分俯视图，在第一挡墙31及第二挡墙32与两者所形成的容置空间S中，容置空间S内的亮度会随着与发光元件20间距离的增加而减少。因此，将发光元件20设置于容置空间S时，由于发光元件20与第一突起部31A的距离S1小于发光元件20与交界部312的距离S12，在交界部312与附近的亮度较低。为了提高交界部312与附近的亮度，将交界部312的高度H2设置为低于第一突起部31A的高度H1，可以让邻近容置空间S的光线自交界部312透入，将有助于提高交界部312的亮度，增加容置空间S内的亮度均匀性。
类似地，由于发光元件20与第二突起部32A在基板10上的距离S2小于发光元件20与交界部312在基板10上的距离S12，因此，将交界部312的高度设置为低于第二突起部32A的高度，将有助于提高交界部312的亮度，增加容置空间S内的亮度均匀性。
在本实施例中，发光元件20与第一突起部31A的距离S1可定义为在俯视方向上，发光元件20的中心至第一突起部31A在基板10上的投影面积中心的距离；发光元件20与交界部312的距离S12可定义为在俯视方向上，发光元件20的中心至交界部312在基板10上的投影面积中心的距离；发光元件20与第二突起部32A的距离S2可定义为在俯视方向上，发光元件20的中心至第二突起部32A在基板10上的投影面积中心的距离。
亦即，在本实施例中，借由调整间隔结构30(第一挡墙31与第二挡墙32)的高度，不需要额外增加电子装置100的部件(例如多层的扩散板)，发光元件20便可在第一挡墙31及第二挡墙32所形成的容置空间S内均匀混光，进而提高电子装置的亮度均匀性，减少电子装置100的厚度。再者，间隔结构30也可一体成形地形成，以缩短制造的时间。
图4显示本申请另一实施例的间隔结构30’的部分立体示意图。图5显示本申请另一实施例的间隔结构30’的部分侧视图。图6显示本申请另一实施例的间隔结构30’的部分俯视图。要特别注意的是，为了更清楚显示本申请实施例的间隔结构30’的结构，图4至图6中可能省略部分元件。
可以图4至图6所示的间隔结构30’取代图1至图3B所示的间隔结构30而设置于本申请实施例的电子装置100中。
如图4所示，间隔结构30’包含多个第一挡墙31’与多个第二挡墙32’，第一挡墙31’及第二挡墙32’彼此交错排列形成网格结构，多个发光元件20可设置于由第一挡墙31’及第二挡墙32’所形成的容置空间S内。间隔结构30’可另外包含多个底板30H’位于容置空间S的底部，但本申请并非以此为限，在部分实施例中，间隔结构30’可不包含底板30H’。此外，第一挡墙31’沿第一方向D1延伸，而第二挡墙32’沿第二方向D2延伸。在本实施例中，第一方向D1与第二方向D2不同，例如在图4至图6中，第一方向D1与第二方向D2垂直，但本申请实施例并非以此为限。
同时参照图4、图5，在本实施例中，第一挡墙31’包括第一突起部31A’，第二挡墙32’包括第二突起部32A’，交界部312’连接第一突起部31A’与第二突起部32A’。如图5所示，交界部312’的高度H2’低于第一突起部31A’的高度H1’。类似地，在本实施例中，交界部312’的高度低于第二突起部32A’的高度。在本实施例中，第一突起部31A’的高度与第二突起部32A’的高度可相同或不同，并无限制。
要注意的是，如图4至图6所示，在本实施例中，间隔结构30’的第一挡墙31’与第二挡墙32’可具有不同的厚度。如图6所示，挡墙的厚度会沿着挡墙的延伸方向而变化，例如第一挡墙31’的第一突起部31A’沿着第一方向D1的厚度变化可介于最大厚度T1与最小厚度T2之间(即，T2≤第一挡墙的31’厚度≤T1)。在此，第一突起部31A’的厚度可定义为在俯视方向上，第一突起部31A’的底部沿着垂直于第一挡墙31’的延伸方向D1的方向所量得的最大厚度。
类似地，第二挡墙32’的第二突起部32A’沿着第二方向D2的厚度变化可介于最大厚度T3与最小厚度T4之间(即，T4≤第二挡墙32’的厚度≤T3)。在此，第二突起部32A’的厚度可定义为在俯视方向上，第二突起部32A’的底部沿着垂直于第二挡墙32’的延伸方向D2的方向所量得的最大厚度。当挡墙的厚度会沿着挡墙的延伸方向而变化时，交界部312’的范围大小被定义为第一挡墙31’的最小厚度T2与第二挡墙32’最小厚度T4的乘积。亦即，交界部312’所对应的厚度小于或等于第一突起部31’或第二突起部32’的厚度。
在一些实施例中，间隔结构30’之上也可设置其他元件(例如，后方图13A中所示的光学元件40)，由于交界部312’的高度H2’低于第一突起部31A’(与第二突起部32A’)的高度，间隔结构30’在第一挡墙31’上的支撑应力可能集中于第一突起部31A’(或第二突起部32A’)。因此，在本实施例中，将第一突起部31A’的最大厚度T1(或第二突起部32A’的最大厚度T3)设置为大于交界部312’的厚度时，可使间隔结构30’具有更好的支撑性。
另外，在本实施例中，第一挡墙31’与第二挡墙32’的厚度除了会沿着挡墙的延伸方向而变化外，也会随着高度不同而变化。例如当以图4至图6所示的间隔结构30’取代图1至图3A所示的间隔结构30设置于本申请实施例的电子装置100中时，第一挡墙31’的第一突起部31A’越接近基板10之处，其厚度越厚。类似地，第二挡墙32’的第二突起部32A’越接近基板10之处，其厚度越厚，但本申请实施例并非以此为限。
如图6所示，当将发光元件20设置于容置空间S中，由于发光元件20与第一突起部31A’的距离S1’小于发光元件20与交界部312的距离S12’，因此，将交界部312’的高度H2’设置为小于第一突起部31A’的高度H1’，将有助于提高交界部312’的亮度，增加容置空间S内的亮度均匀性。在本实施例中，发光元件20与第一突起部31A’的距离S1’可定义为在俯视方向上，发光元件20的中心至第一突起部31A’在基板10上的投影面积中心的距离；发光元件20与交界部312’距离S12’可定义为在俯视方向上，发光元件20的中心至交界部312’在基板10上的投影面积中心的距离。
类似地，由于发光元件20与第二突起部32A’的距离S2’小于发光元件20的中心与交界部312’的距离S12’，因此，将交界部312’的高度H2’设置为小于第二突起部32A’的高度，将有助于提高交界部312’的亮度，增加容置空间S内的亮度均匀性。在本实施例中，发光元件20与第二突起部32A’距离S2’可定义为在俯视方向上，发光元件20的中心至第二突起部32A’在基板10上的投影面积中心的距离。
在前述实施例中，皆以发光元件20与第一突起部31A(或31A’)的距离S1(S1’)相等于发光元件20与第二突起部32A(或32A’)的距离S2(S2’)为例进行说明。但本申请实施例并未以此为限。在一些实施例中，发光元件20与第一突起部31A(或31A’)的距离S1(S1’)和发光元件20与第二突起部32A(或32A’)的距离S2(S2’)可不相同。
图7A显示一般具有多个支撑柱(support pin)90搭配扩散板的电子装置105的部分俯视图。图7B显示包含间隔结构30的电子装置100的部分俯视图。
图8显示沿着图7A所示的线L1、图7B所示的线L2及图7B所示的线L3进行光学模拟得到的亮度-位置关系图。在图7B中，线L2显示采用本申请的间隔结构30(即，交界部312的高度低于第一突起部31A及第二突起部32A的高度)时的结果，而线L3显示当间隔结构30的高度一致(即，第一挡墙31与第二挡墙32的各处高度皆相同)时的结果。
在图8中，水平轴所呈现的为各测量点的位置(0mm的位置代表测量路径的中点，例如在图7B中，测量路径的中点位于交界部上)，而垂直轴所呈现的为亮度均匀度(即，电子装置中各测量点的亮度与最大亮度间的比值)。如图8所示的模拟结果，在具有本申请实施例的间隔结构30的电子装置100中，其不同位置间的亮度分布(如线L2所示)差异相较于其他两者更小。亦即，包含本申请实施例的间隔结构30的电子装置100可达到更好的混光效果。
图9显示本申请又一实施例的间隔结构30-1的部分立体示意图。图10A显示本申请又一实施例的间隔结构30-1的部分侧视图。图10B显示本申请又一实施例的间隔结构30-1的部分俯视图。要特别注意的是，为了更清楚显示本申请实施例的间隔结构30-1的结构，图9至图10B中可能省略部分元件。
可以图9至图10B所示的间隔结构30-1取代图1至图3B所示的间隔结构30而设置于本申请实施例的电子装置100中。
如图9所示，间隔结构30-1包含多个第一挡墙31-1与多个第二挡墙32-1，第一挡墙31-1及第二挡墙32-1彼此交错排列形成网格结构，多个发光元件20可设置于由第一挡墙31-1及第二挡墙32-1所形成的容置空间S内。
同时参照图9、图10A，在本实施例中，第一挡墙31-1包括第一突起部31-1A，第二挡墙32-2包括第二突起部32-1A，而交界部312连接第一突起部31-1A与第二突起部32-1A。如图10A所示，交界部312的高度低于第一突起部31-1A的高度。在此，交界部312的高度定义为交界部312从基板10的顶表面沿着基板10的法线方向(即垂直于基板10的顶表面的方向)所量得的最小高度。第一突起部31-1A的高度则定义为第一突起部31-1A从基板10顶表面沿着基板10的法线方向所量得的最大高度。
类似地，在本实施例中，交界部312的高度低于第二突起部32-1A的高度。第二突起部32-1A的高度定义为第二突起部32-1A从基板10顶表面沿着基板10的法线方向所量得的最大高度。在一些实施例中，第一突起部31-1A的高度实质上等于第二突起部32-1A的高度，但本申请实施例并非以此为限。
如图9至图10B所示，在本实施例中，第一突起部31-1A包括多个空隙(R4、R5、R6)。在本实施例中，随着与发光元件20间距离不同，空隙的宽度也可能不同。其中，空隙与发光元件20间的距离可定义为在俯视方向上，空隙在基板10上的投影面与发光元件20的中心的最短距离，而空隙的宽度可定义为空隙沿挡墙的延伸方向所量到的最大宽度。图10A、图10B显示三个相邻两个突出部31C之间的空隙R4、R5、R6。如图10B所示，空隙R4与发光元件20的距离S4小于空隙R5与发光元件20的距离S5，且空隙R5与发光元件20的距离S5小于空隙R6与发光元件20的距离S6；空隙R4的宽度W4小于空隙R5的宽度W5，且空隙R5的宽度W5小于空隙R6的宽度W6，但本实施例并未以此为限。
此外，在本实施例中，第一突起部31-1A的每个空隙的深度也可相同或不同。在本实施例中，空隙的深度可定义为空隙在基板10顶表面的法线方向上，空隙底部与第一突起部31-1A的高度差距。当空隙底部不为水平时，则以该空隙的最大深度为空隙的深度。如图10A所示，空隙R4、R5、R6分别具有深度H4、H5、H6，深度H4小于深度H5，且深度H5小于深度H6，但本申请并未以此为限，在一些实施例中，部分空隙的深度相同，而在另一些实施例中，所有空隙的深度都相同。
类似地，在本实施例中，第二突起部32-1A可包括多个空隙。在本实施例中，第二突起部32-1A的空隙的宽度与深度的定义方式与第一突起部31-1A的空隙R4、R5、R6相同，在此不再赘述。要注意的是，本实施例中，第二突起部32-1A的多个空隙的宽度与深度也可与空隙R4、R5、R6一样具有变化，但本实施例并未以此为限。
在图9至图10B所示的实施例中，借由调整第一突起部31-1A与第二突起部32-1A的空隙宽度与深度，将有助于提高容置空间S内的亮度均匀性。
图11显示本申请一实施例的电子装置101的部分剖面示意图。在本实施例中，电子装置101包含基板10、发光元件20以及间隔结构30-2。如图11所示，发光元件20与间隔结构30-2皆设置于基板10上，且间隔结构30-2邻近于发光元件20设置。
在本实施例中，间隔结构30-2可包括刚性部33与弹性部35，弹性部35可包覆于刚性部33的部分外表面，但本申请并未以此为限。举例来说，刚性部33的材料可包含高反射金属片(例如，铝片、不锈钢片)、高反射有机材料、半透明材料。在一些实施例中，刚性部33的材料可包含透明材料，例如玻璃、聚碳酸酯(poly carbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、硅的至少其中之一或所述材料的组合。
由于刚性部33具有更好的支撑性，因此，相较于完全使用弹性材料的间隔结构，具有多重材料组合的间隔结构30-2的支撑能力可进一步提升。
图12A显示本申请一实施例的刚性材料的结构示意图。由于刚性材料不易弯曲、弯折，因此，在一实施例中，可采用如图12A的方式，在两个刚性部33之间进一步设置连接部件37，使两个刚性部33可以交错的形式彼此连接。连接部件37可与刚性部33具有相同的材料，也可使用其他合适的材料制成。此外，刚性部33与连接部件37可为一体成型，也可分开制作再透过焊接、粘着等技术连接。本申请实施例并未限制连接部件37与刚性部33的连接方式。
图12B显示本申请另一实施例的刚性材料的结构示意图。在图12B所示的实施例中，可在连接部件37上进一步设置支撑柱39，以提升间隔结构30-2的支撑能力与混光效果。要注意的是，支撑柱39需位于第一突起部(或第二突起部)，且可与刚性部33具有相同的材料，也可使用其他合适的材料制成。此外，支撑柱39也并未限制于图12B所示的形状，可视实际需求(例如连接部件37的大小、顶表面积等)进行调整。
图13A显示本申请一实施例的电子装置102的部分剖面示意图。在本实施例中，电子装置102包含基板10、发光元件20以及间隔结构30。如图13A所示，发光元件20与间隔结构30皆设置于基板10上，且间隔结构30邻近于发光元件20设置。要注意的是，此实施例中的间隔结构30也可以前述其他间隔结构(例如间隔结构30’、间隔结构30-1、间隔结构30-2)替换，在此不多加赘述。
此外，在本实施例中，电子装置102更包含光学元件40，光学元件40设置于间隔结构30之上，且具有改变光线路径的作用，例如在光学元件40的表面加上棱镜或是其他可改变光线路径的图案，或是在光学元件40的内部添加可使光线折射或散射的粒子，但本申请并未以此为限。例如在一些实施例中，光学元件40可为洞洞板(peg board)，即光学元件40可具有至少一孔洞41。在图13A所示的实施例中，光学元件40可具有多个孔洞41。光学元件40可用于进一步提升光的均匀度。
在一些实施例中，光学元件40可包括至少一透镜43。透镜43可为半凸透镜或凸透镜。在一些实施例中，透镜43由透明材料形成。举例而言，透镜43可由玻璃、环氧树脂、硅氧树脂、聚氨酯、其他适当的材料或上述的组合形成。需注意的是，尽管在图13A所示的电子装置中，光学元件40同时包含孔洞41与透镜43，但本申请并未以此为限。在一些实施例中，光学元件40可仅包含孔洞41，而在一些实施例中，光学元件40可仅包含透镜43。
图13B显示本申请另一实施例的电子装置102’的部分剖面示意图。在本实施例中，电子装置102’包含基板10、发光元件20以及间隔结构30。如图13B所示，发光元件20与间隔结构30皆设置于基板10上，且间隔结构30邻近于发光元件20设置。要注意的是，此实施例中的间隔结构30也可以前述其他间隔结构(例如间隔结构30’、间隔结构30-1、间隔结构30-2)替换，在此不多加赘述。
此外，在本实施例中，电子装置102’更包含光学元件40’，光学元件40’设置于间隔结构30之上。在本实施例中，光学元件40’可包含半透明材料或透明材料(例如玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、硅)的其中之一或是上述材料的组合。在一些实施例中，光学元件40’可包括弯曲的底表面43’。弯曲的底表面43’可改变光线的行径方向，另外，底表面43’所形成的空间也可用于容置半凸透镜或凸透镜，但本申请实施例并未以此为限。在一些实施例中，光学元件40’也可不包含任何透镜。
图13C显示本申请又一实施例的电子装置102”的部分剖面示意图。在本实施例中，电子装置102”包含基板10、发光元件20以及间隔结构30。如图13C所示，发光元件20与间隔结构30皆设置于基板10上，且间隔结构30邻近于发光元件20设置。要注意的是，此实施例中的间隔结构30也可以前述其他间隔结构(例如间隔结构30’、间隔结构30-1、间隔结构30-2)替换，在此不多加赘述。
此外，在本实施例中，电子装置102”更包含光学元件40”，光学元件40”设置于间隔结构30之上。类似地，在本实施例中，光学元件40”可包含半透明材料或透明材料，例如玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、硅的其中之一或上述材料的组合。在一些实施例中，光学元件40”面向发光元件20的表面43”为粗糙面或具有特定图案。粗糙或具有特定图案的表面43”可进一步提升发光元件20所发出的光的均匀性。在一些实施例中，表面43”所形成的空间可用于容置半凸透镜或凸透镜，但本申请并未以此为限。在一些实施例中，光学元件40”也可不包含任何透镜。
在前述实施例中，光学元件40、40’、40”也可与扩散板整合，例如与扩散板一体成型，借此进一步提升发光元件20所发出的光的均匀性。另外，如图13B与图13C所示，光学元件40’或40”可设置于间隔结构30(或间隔结构30’、间隔结构30-1、间隔结构30-2)之上，且与间隔结构30(或间隔结构30’、间隔结构30-1、间隔结构30-2)相嵌合，但本申请并未以此为限。
图14显示本申请一实施例的间隔结构30-3的部分侧视图。在本实施例中，间隔结构30-3可为中空刚性部33’。举例来说，中空刚性部33’的材料可包含高反射金属片(例如，铝片、不锈钢片)、高反射有机材料、半透明材料。在一些实施例中，中空刚性部33’的材料可包含透明材料，例如玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、硅的至少其中之一或上述材料的组合。
由于中空刚性部33’减少了材料的使用，因此可使间隔结构30-3的重量变轻。
图15显示本申请一实施例的电子装置103的部分俯视图。图16显示本申请一实施例的电子装置103的部分剖面示意图。在本实施例中，间隔结构30更包括多个底板30H以及多个定位辅助块50，定位辅助块50邻近发光元件20设置，更具体地说，定位辅助块50可位于发光元件20与底板30H之间的空隙中。要注意的是，此实施例中的间隔结构30也可以前述其他间隔结构(例如，间隔结构30’、间隔结构30-1、间隔结构30-2、间隔结构30-3)替换，在此不多加赘述。
如图15与图16所示，在本实施例中，定位辅助块50可用于固定发光元件20的位置。定位辅助块50的材料可与第一挡墙31及第二挡墙32相同或不同。此外，本申请实施例并未限制定位辅助块50的形状以及每个发光元件20周围的定位辅助块50的数量。
举例来说，定位辅助块50也可为图15中的三角形定位辅助块51、椭圆形定位辅助块52、多边形定位辅助块53或矩形定位辅助块54，但本申请并未以此为限。需注意的是，在本申请中，每个定位辅助块50的形状可相同或不同。另外，在发光元件20周围的定位辅助块50的数量可为一个或多个，或是在发光元件20周围并不存在定位辅助块。需注意的是，在本申请中，每个发光元件20周围的定位辅助块的数量可相同或不同。
虽然于前述实施例中，发光元件20皆以单一光源绘示，但本申请实施例并未以此为限。图17A与图17B分别显示电子装置104及电子装置104’的部分俯视图。电子装置104及电子装置104’的发光元件20及20’分别包含多个光源21、21’。具体而言，在图17A所示的电子装置104中，发光元件20包含两个光源21；而在图17B所示的电子装置104’中，发光元件20’包含四个光源21’。
要特别注意的是，本申请并未限制光源的数量以及排列方式。在一些实施例中，位于同一间隔结构30(30’、30-1、30-2、30-3)的不同容置空间S中，发光元件20的光源21数量也可能彼此不同，端视设计需求而定。另外，本申请也未限制光源21所发出的光线类型。在一些实施例中，发光元件20可包含发出同种颜色的光源21，在一些实施例中，发光元件20可包含发出不同颜色的光源21，而在一些实施例中，发光元件20可包含发出紫外光(UV)或红外光(IR)等非可见光的光源21。此外，在一些实施例中，在间隔结构30(30’、30-1、30-2、30-3)的容置空间S中，除了发光元件20外还可以包含其他电子元件，例如传感器(sensor)。
此外，在计算发光元件20与其他部件(例如，第一挡墙31或第二挡墙32)的距离时，当发光元件20只包含单一光源21时，发光元件20中心的位置可定义为在俯视方向上，此单一光源21的中心位置，而当发光元件20包含多个光源21时，发光元件20的中心位置可定义为在俯视方向上，此些光源21彼此的连线所组成的几何形状的几何中心。
承前述实施例的说明，借由调整间隔结构(第一挡墙与第二挡墙)的形状、高度等特征，不需要额外增加电子装置的部件(例如多层的扩散板)便可使间隔结构的容置空间内的亮度分布更加均匀，能有效减少电子装置的厚度。再者，间隔结构也可与其他部件一体成型地形成，以进一步缩短制造时间，提升生产效率。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (8)

1.一种电子装置，包括：
一基板；
一间隔结构，设置于该基板之上，其中该间隔结构包括一第一挡墙、一第二挡墙及一底板，且該第一挡墙、該第二挡墙与該底板形成一容置空间；以及
一发光元件，设置于该容置空间内。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一挡墙沿一第一方向延伸，该第二挡墙沿一第二方向延伸，其中该第一方向与该第二方向不同，且该第一挡墙及该第二挡墙彼此交错。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第一方向与该第二方向垂直。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该底板的顶表面低于该发光元件的顶表面。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该底板与该发光元件之间有一空隙。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该间隔结构为一中空刚性部。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该间隔结构包括反射性材料。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在剖面中，该第一挡墙的厚度随着该第一挡墙的高度变化。
CN202211664433.8A 2019-03-04 2019-03-04 电子装置 Pending CN115875637A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211664433.8A CN115875637A (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910159481.3A CN111649261B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置
CN202211664433.8A CN115875637A (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910159481.3A Division CN111649261B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115875637A true CN115875637A (zh) 2023-03-31

Family

ID=72335491

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910159481.3A Active CN111649261B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置
CN202211664433.8A Pending CN115875637A (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910159481.3A Active CN111649261B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 电子装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20200287109A1 (zh)
CN (2) CN111649261B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114035369B (zh) * 2021-07-14 2022-08-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 背光模组和液晶显示器
DE102022205083A1 (de) * 2022-05-20 2023-11-23 Continental Automotive Technologies GmbH Anzeigevorrichtung und Fortbewegungsmittel
WO2024006266A1 (en) * 2022-06-30 2024-01-04 Lumileds Llc Led array with air-spaced optics
CN115542612B (zh) 2022-11-28 2023-03-21 惠科股份有限公司 背光模组及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT178139B (de) * 1952-02-12 1954-04-10 Ernst Ing Gasser-Steiner Lichtstreuungsraster, insbesondere für mit Leuchtstoffröhren versehene Leuchten
US8123391B2 (en) * 2006-08-17 2012-02-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Surface light emitter
TWI504993B (zh) * 2013-06-14 2015-10-21 Innolux Corp 背光單元及包含該背光單元的顯示裝置
CN106684108B (zh) * 2015-11-05 2019-10-08 群创光电股份有限公司 发光二极管显示设备
CN207334392U (zh) * 2017-07-17 2018-05-08 惠州民爆光电技术有限公司 一种防眩光led面板灯
CN108572481B (zh) * 2018-03-08 2021-10-26 厦门天马微电子有限公司 背光模组及显示装置
CN109116631B (zh) * 2018-09-30 2021-06-15 厦门天马微电子有限公司 背光模组、液晶显示模组以及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN111649261B (zh) 2023-01-10
US20200287109A1 (en) 2020-09-10
CN111649261A (zh) 2020-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111649261B (zh) 电子装置
TWI570480B (zh) 一種顯示裝置
US11061276B2 (en) Laser array display
US8678636B2 (en) Light guide plate for backlight and manufacturing method therefor
KR101326666B1 (ko) 유연한 백라이트 유닛
CN107689426B (zh) 发光器件、电子装置及发光器件制作方法
US20080101069A1 (en) Backlight module having light-mixing areas
JP2007103402A (ja) 光源
CN110534508B (zh) 发光模块与显示模块
KR101575360B1 (ko) 백라이트 유닛 및 이를 이용한 액정표시장치
WO2023123656A1 (zh) 显示装置
TWI686633B (zh) 背光模組
TW202042414A (zh) 背光裝置用面光源模組及其製作方法
KR20110129619A (ko) 발광 장치
KR101386572B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100826582B1 (ko) 액정표시장치의 백라이트 유닛
JP6752948B2 (ja) プリントヘッド
CN111176017A (zh) 显示装置
KR20200007580A (ko) 반사시트 및 이를 구비한 디스플레이 장치
CN113873069A (zh) 电子装置
CN220381415U (zh) 支撑结构、背光模组和显示装置
TWI695212B (zh) 背光模組
WO2021132401A1 (ja) マイクロレンズアレイ及び発光装置
KR100750361B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
US9361814B2 (en) Backlit sign exhibiting brightness and color uniformity

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination