CN115865123A - 一种射频收发切换开关 - Google Patents

Abstract

本申请属于微电子技术领域，具体公开了一种射频收发切换开关。开关设有天线端、发射端和接收端，包括：发射阻抗可控电路，设置在天线端和发射端之间，用于改变发送通路的阻抗；接收阻抗可控电路，设置在天线端和接收端之间，用于改变接收通路的阻抗，并在发射状态下反射泄漏到接收通路的发射信号；并且，接收阻抗可控电路与发射阻抗可控电路采用不同的拓扑结构；接收保护单元，设置在接收阻抗可控电路的输出端和地之间，在发射状态下增加发射端和接收端之间的隔离度，在接收状态下反射功率超过预定阈值的信号；接收二级保护单元，设置在接收端和地之间。本申请的优点在于提高了系统整体的鲁棒性。

Description

一种射频收发切换开关

技术领域

本申请涉及微电子技术领域，尤其涉及了一种射频收发切换开关。

背景技术

在时分双工（Time Divide Duplex，TDD）系统中，通过调整射频收发切换开关的收发通路来连通天线和接收链路/发射链路。在使用TDD技术的无线通信系统中，数据是收发双向传输的，并且该数据收发不是同时进行的，而是按时间分配的不同而轮流进行的。在这种分时收发的无线通信装置中，其射频前端电路必然包含负责接收链路和发射链路之间的相互转换的射频收发切换开关（RF T/R Switch）。

当发射信号时，收发切换开关切换至导通天线和发射链路的状态，发射链路将信号调制到射频波段，并通过若干级放大后，由天线将射频信号发射出去。当接收信号时，收发切换开关切换至导通天线和接收链路的状态，天线接收空间中的射频信号，由接收链路对其进行放大和解调，以获取有用信息。

但是，由于发射的信号经过若干级放大后，功率大大增强，若收发切换开关中的收发通路之间的隔离度不够的话，一部分发射信号的能量可能会进入接收通道中，导致接收链路中的器件被烧毁。

因此，亟需设计一种高功率的射频切换开关，使其具有高可靠性、低插损、高隔离度的特性，可以满足收发通道不同的需求。

发明内容

为了解决上述缺陷，本申请提出了一种射频收发切换开关，其设有天线端、发射端和接收端，包括：

发射阻抗可控电路，设置在所述天线端和所述发射端之间，用于改变发送通路的阻抗；

接收阻抗可控电路，设置在所述天线端和所述接收端之间，用于改变接收通路的阻抗，并在发射状态下反射泄漏到所述接收通路的发射信号，其中，所述接收阻抗可控电路包括至少一个可控反射级；并且，所述接收阻抗可控电路与所述发射阻抗可控电路采用不同的拓扑结构；

接收保护单元，设置在所述接收阻抗可控电路的输出端和地之间，包括堆叠晶体管结构，在发射状态下增加所述发射端和所述接收端之间的隔离度，在接收状态下反射功率超过预定阈值的信号；

接收二级保护单元，设置在所述接收端和地之间，其中，所述接收二级保护单元包括钳位二极管或钳位晶体管。

上述的开关中，所述接收阻抗可控电路中包括多个所述可控反射级时，多个所述可控反射级串联连接。

上述的开关中，所述接收保护单元包括堆叠晶体管。

上述的开关中，所述堆叠晶体管中包括二极管、三极管、场效应管和晶闸管中的至少一种。

上述的开关中，所述可控反射级包括：

隔离开关，所述隔离开关的一端与所述可控反射级的输出端连接，另一端接地，并且在收发控制信号的控制下断开或导通；

阻抗匹配网络，设置在所述可控反射级的输入端和所述输出端之间，在所述收发控制信号指示切换到接收状态的情况下，所述隔离开关断开，所述阻抗匹配网络允许频率与其相适应的接收信号通过。

上述的开关中，在所述收发控制信号指示切换到发射状态的情况下，所述隔离开关导通，所述阻抗匹配网络的一端接地，射频信号无法通过所述阻抗匹配网络。

上述的开关中，所述隔离开关由多个晶体管堆叠而形成，所述收发控制信号与所述多个晶体管的控制端连接。

上述的开关中，所述阻抗匹配网络包括传输线、电感电容网络或电感网络。

上述的开关中，所述传输线的长度是所述接收信号的1/4波长；所述电感电容网络与所述传输线等效；所述电感网络与所述隔离开关组合后，在所述接收状态下呈低阻抗导通的状态，在所述发射状态下呈高阻抗断开的状态。

上述的开关中，所述发射阻抗可控电路由多个晶体管堆叠而形成，所述多个晶体管的控制端与一收发控制信号连接。

与现有技术相比，本申请的射频收发切换开关中的发射阻抗可控电路和接收阻抗可控电路采用了不同的拓扑结构，也就是说，射频收发开关中的接收通路和发射通路的电路结构是不对称的，这样的电路结构可以有效地阻止发射通路中的高功率的发射信号泄漏到接收通路形成串扰。在发射状态下，发射通路插损小，适合于发射高功率射频信号，而接收通路对发射出去的射频信号而言处于高阻态，因而可以阻止高功率的发射信号泄漏到接收通路中对接收通道形成串扰，从而起到了提高隔离度的效果；在接收状态下，接收通路由串联的阻抗匹配网络构成，能够允许相应频率的接收射频信号通过，插入损耗小。

并且，本申请的射频收发切换开关中的接收阻抗可控电路采用多个可控反射级串联，优化了带宽和发射状态的隔离度。

此外，本申请的射频收发切换开关在接收端还采用了多级保护单元：接收保护单元和接收二级保护单元。接收保护单元在发射工作状态下等效为量级较小的电阻，通常为50欧姆量级可以提供接收端和发射端之间的隔离度；在接收工作状态下等效为电容，当接收到的信号功率过大时电容被击穿，信号被短路到地，起到保护接收端的作用。接收二级保护单元在发射和接收工作状态下都限制过大功率信号的流入，起到保护接收端后级的接收机，尤其是接收机中的低噪声放大器的作用，提高了系统整体的鲁棒性。

附图说明

图1是包含本申请的射频收发切换开关的射频系统的简要框图；

图2是本申请的射频收发切换开关的功能框图；

图3是图2所示射频收发切换开关在接收和发射状态下的信号流向图；

图4和图5是图2所示射频收发切换开关中发射阻抗可控电路的具体电路示意图；

图6是图2所示射频收发切换开关中接收阻抗可控电路的功能框图；

图7是图6所示的可控反射级的功能框图；

图8是图7所示的可控反射级在接收和发射状态下的信号流向图；

图9a-9e所示的是图7中的阻抗匹配网络的实际电路示意图；

图10a-10b是接收保护单元的实际电路示意图；

图11a-11d是接收二级保护单元的实际电路示意图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。虽然本申请的描述将结合较佳实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本申请的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本申请的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本申请也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本申请的重点，有些具体细节将在描述中被省略。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

应注意的是，在本说明书中，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释，默认为同一定义。

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的实施方式作进一步地详细描述。

图1是包含本申请的收发切换开关的射频系统100的简要框图。射频系统100包括天线1、射频收发切换开关2、接收链路3和发射链路4。

天线1的一端与射频收发切换开关2相连，用于接收和发射射频信号。

射频收发切换开关2设有天线端21、发射端23和接收端22。当天线端21与接收端22连通时，天线1与接收链路3连通，从天线1接收到的射频信号可以进入接收链路3。当天线端21与发射端23连通时，天线1与发射链路4连通，发射链路4中的信号可以通过天线1向空间发射。

接收链路3的作用是将天线1接收到的射频信号解调为基带信号，以供后续的处理器对该基带信号进行解调等处理，以获得有用信息。

发射链路4作用是将基带信号调制到射频波段，以通过天线1将射频信号发射到空中。

图2是本申请的收发切换开关的功能框图。如图所示，射频收发切换开关2的内部包括发射阻抗可控电路24、接收阻抗可控电路25、接收保护单元26和接收二级保护单元27。射频收发切换开关2可以受控于一个收发控制信号，在所述收发控制信号指示切换到接收状态的情况下，所述接收阻抗可控电路25允许接收到的接收信号通过；在所述收发控制信号指示切换到发射状态的情况下，所述发射阻抗可控电路24允许待发射的发射信号通过。

图3是图2所示收发切换开关在接收和发射状态下的信号流向图。以下结合图2和图3对射频收发切换开关2进行详细说明。

本实施例中，在天线端（ANT）21和接收端（RX）22之间设有接收阻抗可控电路25、接收保护单元26和接收二级保护单元27。在天线端（ANT）21和发射端（TX）23之间设有发射阻抗可控电路24。

发射阻抗可控电路24可以由晶体管构成，所述晶体管导通时发射信号可通过发射阻抗可控电路24，进而可以通过天线1发射到空间中。所述晶体管包括二极管、三极管、场效应管和晶闸管。以二极管为例，可以将一个或多个二极管串联来作为发射阻抗可控电路24。当发射阻抗可控电路24的二极管偏置电压设置在适当的正向偏置电压下时，二极管导通，发射信号可以通过发射阻抗可控电路24，进而通过天线1发射到空间中。而若是有反向信号倒灌时，二极管反向可视为不导通状态，从而还起到了保护发射端23的作用。具体的发射阻抗可控电路24的示例看参看图4-5的说明。

接收阻抗可控电路25可以由至少一个可控反射级组成，多个可控反射级串联连接，每一个可控反射级可以由同一个控制信号来控制，从而多个可控反射级可以相对接收信号呈现低阻抗或高阻抗的效果。当可控反射级对于接收信号而言呈现低阻抗时，从天线端21到接收端22形成低阻抗通路，接收到的信号可以以较小的插损进入接收端22；而当可控反射级对于接收信号而言呈现高阻抗时，从天线端21接收到的信号被反射回去，不能进入接收端22。具体的接收阻抗可控电路25的示例可参看图6的说明。

接收保护单元26可采用堆叠晶体管结构，该结构的一端与接收阻抗可控电路25的输出端（亦即接收端22）相连，另一端接地，并受到收发控制信号（可参考图4中所示的收发控制信号28）控制。所述收发控制信号与多个堆叠在一起的晶体管的控制端连接。其中，所述的控制端，对三极管来说，多数情况下是基极；对于场效应管来说，多数情况下是栅极。

接收二级保护单元27可采用钳位二极管或钳位晶体管等结构，该结构的一端与接收阻抗可控电路25的输出端（亦即接收端22）相连，另一端接地。上述的两个保护单元均设置在接收阻抗可控电路25的后端，起到提高隔离度和可靠性的作用。

如图3所示，在一收发控制信号（可参考图4中所示的收发控制信号28）的控制下，发射阻抗可控电路24和接收阻抗可控电路25分时导通。即，当收发控制信号指示当前时间段用于接收信号时，则接收阻抗可控电路25导通，也就是信号可以从天线端21流向接收端23；当收发控制信号指示当前时间段用于发射信号时，发射阻抗可控电路24导通，也就是信号可以从发射端23流向天线端21。

在发射工作状态下，收发控制信号28处于高电位，在此情况下，由于接收保护单元26采用了堆叠晶体管结构，多个堆叠在一起的晶体管均导通，接收保护单元26等效为一个并联到地的电阻，即改变了接收端22的端口阻抗，使得该端口阻抗与发射信号的频率不匹配，从而可以进一步提高天线端21和接收端22两个端口之间的隔离度；由于接收二级保护单元27采用了钳位二极管或钳位晶体管，可有效实现削峰作用，在隔离度一定的情况下，大幅提高了接收机中的低噪放的工作可靠性。

在接收工作状态下，收发控制信号28处于低电位，在此情况下，接收保护单元26中的堆叠晶体管结构中的晶体管都关断，接收保护单元26在正常工作状态下等效为一组电容，在有大功率信号进入时，接收保护单元26发生可恢复的击穿，即等效为到地小电阻，起到对大功率信号短路反射的作用。其中，针对大功率信号保护的阈值可以通过调整接收保护单元26中晶体管的堆叠数量进行调整，一般采用2~4个晶体管进行堆叠。接收二级保护单元27中的钳位二极管/晶体管可以防止意外进入接收通道的短时大功率信号对接收机造成破坏。

对于射频系统100来说，为了获得更大的信号覆盖范围，发射功率通常较高，但是，对于射频收发切换开关2来说，发射阻抗可控电路24中通过的信号功率越强，通过接收阻抗可控电路25，泄露到接收链路的信号功率也越强，也就是说，对射频收发切换开关2的收发通道的隔离度的要求越高。本实施例中，为了提高射频收发开关2内部的接收通道和发射通道之间的隔离度，将发射阻抗可控电路24和接收阻抗可控电路25设计为可以通过控制信号来配置，从而改变其端口阻抗的电路，同时为了防止泄露至接收链路3的高功率信号影响后级（例如，接收链路3中的低噪放）的器件性能，本实例在接收通路的输出端增加了并联到地的接收保护单元26和接收二级保护单元27。具体来说，如图3所示，在射频收发切换开关2处于接收状态时，接收阻抗可控电路25为低阻导通状态，允许天线端21引入的射频信号通过，并通过接收端22进入接收链路3；而此时的发射阻抗可控电路24则处于高阻态（即输入阻抗呈现高阻抗状态）。根据图示，由天线端21向发射阻抗可控电路24方向的端口呈高阻态，接收到的信号无法进入发射阻抗可控电路24，因此收发通路之间的隔离程度得到了保证。同理，如图3中发射状态的框图所示，在射频收发切换开关2处于发射状态时，发射阻抗可控电路24为低阻导通状态，来自发射链路4的待发射的信号可流向天线端21，从而发射出去；而此时的接收阻抗可控电路25则处于高阻态（输入阻抗呈现高阻抗状态）。根据图示，由天线端21向接收阻抗可控电路25方向的端口呈高阻态，待发射的信号无法进入接收阻抗可控电路25，因此收发通路之间的隔离程度得到了保证。

此外，在发射工作状态下，接收保护单元26（并联到地的堆叠晶体管结构）导通并等效为一并联到地的小电阻（例如50欧姆），进一步提高了ANT-RX端口隔离度。在接收工作状态下，接收保护单元26关断，从而等效为一个并联到地的电容来参与阻抗匹配。此时，若存在异常大功率信号输入时，接收保护单元26可以发生可恢复的击穿（即临时断路），对后级电路起到保护作用。在发射或接收状态下，接收二级保护单元27可有效实现削峰作用，在隔离度一定的情况下，可大幅提高接收低噪放的工作可靠性。

图4和图5是图2所示射频收发切换开关2中发射阻抗可控电路24的具体电路示意图。图4中示出了由n个晶体管M串联堆叠而成的发射通道。此处的串联堆叠是指一个晶体管的源极与另一个晶体管的漏极相连。例如，如图4所示，晶体管M1的漏极与天线端21相连，晶体管M1的源极则与晶体管M2的漏极相连……晶体管Mn的源极与发射端23连接。晶体管M1~Mn的栅极短接在一起，连接到收发控制信号28。当收发控制信号28指示当前为发射状态，例如，为高电平时，则晶体管M1~Mn的源极和漏极导通，天线端21和发射端23之间形成一个低阻抗的信号通道，发射信号可以很低的损耗从发射端23发出，然后通过天线1向空间发送。

如图5所示，在另一些实施例中，还可以在图4的电路的基础上，在各支路上增加电阻，以控制各支路的电流大小。例如，图5中，电阻R1、R3、R4和R6分别单独调整晶体管M1、M2、Mn-1和Mn的栅极阻抗的大小（由于工作电压已确定，因此调整电阻的效果就是调整支路电流），电阻R2、R5和R7则用于控制/调整收发控制信号28及其在各支路中的电流大小。除了图5所示的实施例，在其他的一些实施例中，可以只采用电阻R1、R3、R4和R6来分别独立调整各栅极阻抗的大小，也可以选用电阻R2、R5和R7中的一个或几个来调整收发控制信号28及其各支路中的电流大小，或者还可以上述两种方案混合采用。

图6是图2所示射频收发切换开关2中接收阻抗可控电路25的功能框图。接收阻抗可控电路25可以采用可控反射级251串联来优化带宽和发射状态的隔离度。具体的，可控反射级251可以只有一级，也可以是二级、三级……，具体使用情况可以根据带宽和隔离度需求来设定。可控反射级251的输入端与天线端21相连（或与上一级可控反射级251的输出端相连），输出端与接收端相连（或与下一级的输入端相连）。收发控制信号28用来控制该可控反射级251是否需要进入工作状态，即如果收发控制信号28指示了进入接收状态，则可控反射级251可以导通；在收发控制信号28指示进入发射状态时，可控反射级251不能允许射频信号进入。采用多级可控反射级251串联的结构，可以在每一级中灵活地选用性能不同的器件，从而优化带宽和发射状态的隔离度。

具体的，图7进一步示出了图6所示的可控反射级的功能框图。可控反射级251中包括阻抗匹配网络2511和隔离开关2512。阻抗匹配网络2511用于实现输入端输入阻抗的变换。隔离开关2512用于实现输出端到地阻抗的变换，例如，在收发控制信号28的控制下，电路进入接收状态，则隔离开关2512断开，其相当于图8中的直通等效图所示，接收到的信号能够如图中信号流向箭头所示从输入端流向输出端。

继续参考图7。在图7的反射等效电路（如图8中的反射等效图所示）中，在收发控制信号28的控制下，电路处在发射状态下，则隔离开关2512导通到地，即到地呈现短路状态。通过阻抗匹配网络2511，输入端看到的阻抗为高阻。射频信号不能到达输出端，也就是发射信号无法干扰接收端22的正常工作。

其中，阻抗匹配网络2511可以是传输线，也可以是电感电容网络，还可能是电感网络。其中，为了取得最佳的匹配效果，传输线的长度最好与接收信号的1/4波长相当。同理，电感电容网络可以设计为与上述的传输线等效，也就是说，为了取得最佳的匹配效果，可以将电感电容网络设计为使得所接收的射频信号的相位滞后90°。而电感网络则与隔离开关2512作为一个整体产生效果，即在收发控制信号28指示为接收状态时电感网络与隔离开关2512共同呈低阻态，允许所述接收信号通过，而在控制信号指示为发射状态时呈高阻态，阻断发射信号泄露进接收链路的通道。而隔离开关2512则可采用与图4和图5相类似的电路，即堆叠晶体管结构的电路。其中，以电感电容网络来等效传输线最主要是通过电感电容网络来调整所接收的射频信号的相位。众所周知，在射频波段，当信号的波长和传输介质的长度可比拟时，电压电流将会是时间和位置的二元函数，不同位置电压电流和波长有关。本申请中，优选通过调整电感电容网络中元器件的参数来等效传输线的长度，即通过阻抗匹配网络2511的相位调整来对所接收的射频信号的相位产生影响，从而取得信号的反射效果或直通效果。

图9a-9e给出了上述的阻抗匹配网络2511的几个实际电路示意图。图9a给出了用传输线Y作为阻抗匹配网络2511的示意电路图，其中，传输线Y的长度与1/4波长相当。图9b给出了使用LC网络作为阻抗匹配网络2511的一种示意电路图，其中电感Lb与电容Cb的取值使得该电路对所接收的射频信号的相位产生滞后90°的作用。图9c给出了使用LC网络作为阻抗匹配网络2511的另一种示意电路图，其中电感Lc与电容Cc1和电容Cc2组成的π型网络对所接收的射频信号相位产生滞后90°的作用。图9d给出了使用LC网络作为阻抗匹配网络2511的再一种示意电路图，其中电感Ld与电容Cd的取值使得该电路对所接收的射频信号相位产生滞后90°的作用。总的来说，图9b-d所示出的电路图起到的作用与图9a所示的传输线Y的作用是等效的。图9e给出的示意电路仅包括电感Le，该电感网络与隔离开关2512相结合，实现在接收状态下呈低阻抗导通的状态，在发射状态下呈高阻抗断开的状态。

进一步地，图9a-9e所示出的阻抗匹配网络的电路在具体实施时，可以直接集成在射频芯片中，即芯片内部直接包括可控反射级251；也可以在设计基板或印刷电路板的时候将阻抗匹配网络2511和隔离开关2512设计在基板或印刷电路板上，即可以在已有的射频芯片的接收端外再额外附加可控反射级251，这样，已有型号的芯片也可以通过改良外部电路来比较经济地实现性能优化。

图10a和10b是接收保护单元26的实际电路示意图。接收保护单元26可由并联到地的堆叠晶体管组成，一端与接收端22连接，另一端接地。堆叠的晶体管的栅极均由收发控制信号28控制。在收发控制信号28的控制下，发射状态时，晶体管M-Mn导通，即接收端22与地导通，对高频信号呈现高阻态，可以隔离泄漏到接收通路中的发射信号，即提高了发射端23与接收端22之间的隔离度；在接收状态时，晶体管M-Mn关断，整个电路等效为电容，可以允许频率与其相适应的高频信号进入接收端22，但是，若信号的功率过大，将引起晶体管M-Mn的源极和漏极被击穿，该大功率的信号被短路反射，无法进入接收端22，使后级电路不被过大功率的信号所冲击，从而起到保护接收端22之后的后级电路（例如接收链路3）的作用。

图11a-11d是接收二级保护单元27的实际电路示意图。接收二级保护单元27可由钳位二极管或钳位晶体管构成，位于接收保护单元26与后级电路（例如，接收链路3中的低噪声放大器）之间，一端与接收端22连接，另一端接地。基于钳位二极管或钳位晶体管的钳位特性，信号中电压幅度大于钳位电压的部分都被限制在钳位电压上，即接收端22的电压最多等于钳位电压，也就是说，电压过高的信号也无法进入接收端22，从而起到保护接收端22之后的后级电路（例如接收链路3）不被过高的电压冲击的作用。

上述关于图10a-11d的说明，还可以结合图3的相关说明来理解。

综上，本申请为了进一步提高现有的大功率收发切换开关的隔离度和插入损耗而提出了一种新的技术方案。该方案中，切换开关的接收通路和发射通路被设计为不对称的形式，在发射状态下，接收通道对射频信号而言是高阻态，能够阻止高功率的发射信号灌入接收通路，大大提高了收发通道之间的隔离度。在接收状态下，由于接收通路是由多个阻抗匹配网络串联而成，因此对于射频信号而言，插入损耗较小。

需声明的是，本申请所提供的说明书中提供了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有部分或全部这些具体细节的情况下实施。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，为了精简本申请并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。

本领域的技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的替代特征来代替。

此外，本领域的技术人员应当理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

Claims (10)

1.一种射频收发切换开关，其特征在于，设有天线端、发射端和接收端，包括：

发射阻抗可控电路，设置在所述天线端和所述发射端之间，用于改变发送通路的阻抗；

接收阻抗可控电路，设置在所述天线端和所述接收端之间，用于改变接收通路的阻抗，并在发射状态下反射泄漏到所述接收通路的发射信号，其中，所述接收阻抗可控电路包括至少一个可控反射级；并且，所述接收阻抗可控电路与所述发射阻抗可控电路采用不同的拓扑结构；

接收保护单元，设置在所述接收阻抗可控电路的输出端和地之间，包括堆叠晶体管结构，在发射状态下增加所述发射端和所述接收端之间的隔离度，在接收状态下反射功率超过预定阈值的信号；

接收二级保护单元，设置在所述接收端和地之间，其中，所述接收二级保护单元包括钳位二极管或钳位晶体管。

2.如权利要求1所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述接收阻抗可控电路中包括多个所述可控反射级时，多个所述可控反射级串联连接。

3.如权利要求1所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述接收保护单元包括堆叠晶体管。

4.如权利要求3所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述堆叠晶体管中包括二极管、三极管、场效应管和晶闸管中的至少一种。

5.如权利要求1或2所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述可控反射级包括：

隔离开关，所述隔离开关的一端与所述可控反射级的输出端连接，另一端接地，并且在收发控制信号的控制下断开或导通；

阻抗匹配网络，设置在所述可控反射级的输入端和所述输出端之间，在所述收发控制信号指示切换到接收状态的情况下，所述隔离开关断开，所述阻抗匹配网络允许频率与其相适应的接收信号通过。

6.如权利要求5所述的射频收发切换开关，其特征在于，在所述收发控制信号指示切换到发射状态的情况下，所述隔离开关导通，所述阻抗匹配网络的一端接地，射频信号无法通过所述阻抗匹配网络。

7.如权利要求6所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述隔离开关由多个晶体管堆叠而形成，所述收发控制信号与所述多个晶体管的控制端连接。

8.如权利要求5所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述阻抗匹配网络包括传输线、电感电容网络或电感网络。

9.如权利要求8所述的射频收发切换开关，其特征在于：

所述传输线的长度是所述接收信号的1/4波长；

所述电感电容网络与所述传输线等效；

所述电感网络与所述隔离开关组合后，在所述接收状态下呈低阻抗导通的状态，在所述发射状态下呈高阻抗断开的状态。

10.如权利要求1所述的射频收发切换开关，其特征在于，所述发射阻抗可控电路由多个晶体管堆叠而形成，所述多个晶体管的控制端与一收发控制信号连接。

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