CN115842536A - 开关加速电路及无线充电装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及车载无线充电领域，具体涉及一种开关加速电路及无线充电装置。该开关加速电路包括电压驱动模块、负压关断模块、功率开关模块，负压关断模块分别连接电压驱动模块和功率开关模块，其中，所述负压关断模块包括稳压二极管、电容和二极管；所述电压驱动模块用于输出高电平或低电平至所述负压关断模块，当所述负压关断模块接收所述高电平时，所述稳压二极管和电阻限制所述功率开关模块中MOS管的控制端电流，以使所述电容充电至稳态，当所述负压关断模块接收所述低电平时，所述电容使所述功率开关模块中MOS管的控制端承受负压，以控制所述MOS管关断。

Description

开关加速电路及无线充电装置

技术领域

本发明涉及车载无线充电领域，特别是涉及一种开关加速电路及无线充电装置。

背景技术

随着交通工具的快速发展及用户对手机充电的便捷性需求，车载无线充电技术应运而生，无线充电技术不仅避免了行驶时拔插数据线造成的危险驾驶，还能随用随充、方便快捷。

在实现本发明实施例的过程中，发明人发现：当使用无线充电器对手机进行充电时，随着充电功率的增大无线充的功率损耗会导致发热，无线充的功率损耗和传输效率未实现最优。

发明内容

本申请实施例提供了一种开关加速电路及无线充电装置，能够实现驱动电压为负压，以快速的关断后级的MOS管，减小开关损耗，提高了选通MOS管的开关速率，从而实现了更高的传输效率。

为解决上述技术问题，本发明实施方式采用的一个技术方案是提供一种开关加速电路，所述开关加速电路包括电压驱动模块、负压关断模块、功率开关模块；所述负压关断模块分别连接所述电压驱动模块和所述功率开关模块，其中，所述负压关断模块包括稳压二极管、电容和二极管，所述稳压二极管的负极通过电阻连接所述电压驱动模块，所述稳压二极管的负极还连接所述二极管的正极，所述稳压二极管的正极连接所述功率开关模块，所述稳压二极管的正极还通过所述电容与所述二极管的正极连接，所述二极管的负极连接所述电压驱动模块；所述电压驱动模块用于输出高电平或低电平至所述负压关断模块；当所述负压关断模块接收所述高电平时，所述稳压二极管和电阻限制所述功率开关模块中MOS管的控制端电流，以使所述电容充电至稳态；当所述负压关断模块接收所述低电平时，所述电容使所述功率开关模块中MOS管的控制端承受负压，以控制所述MOS管关断。

可选的，所述电压驱动模块包括直流电源、电容C7、电容C9和半桥驱动单元；所述电容C7和所述电容C9并联后的一端分别连接所述直流电源和所述半桥驱动单元，所述电容C7和所述电容C9并联后的另一端接地；所述电容C7和所述电容C9并联后对所述直流电源输出的直流电进行滤波，以提供滤波后的直流电给所述半桥驱动单元。

可选的，所述半桥驱动单元包括：芯片U1、二极管D1、自举电容C8和电阻R3；所述芯片U1的第一端连接所述电容C9的第一端，所述芯片U1的第二端通过电阻R3连接所述电容C9的第一端，所述芯片U1的第三端和所述芯片U1的第四端均连接外部MCU芯片，所述芯片U1的第五端接地，所述芯片U1的第六端和所述芯片U1的第十端均连接所述负压关断模块，所述芯片U1的第七端连接所述二极管D1的负极和所述自举电容C8的第一端，所述二极管D1的正极连接所述电容C9的第一端，所述自举电容C8的第二端连接所述功率开关模块，所述芯片U1的第八端连接所述功率开关模块；所述外部MCU芯片用于提供所述高电平和所述低电平至所述芯片U1。

可选的，所述负压关断模块包括第一负压关断单元和第二负压关断单元，所述功率开关模块包括上桥功率开关单元和下桥功率开关单元；所述第一负压关断单元与所述上桥功率开关单元连接，所述第二负压关断单元与所述下桥功率开关单元连接；所述第一负压关断单元用于控制所述上桥功率开关单元中的MOS管关断，所述第二负压关断单元用于控制所述下桥功率开关单元中的MOS管关断。

可选的，所述第一负压关断单元包括稳压二极管ZD1、二极管D3、电容C6和电阻R1；所述稳压二极管ZD1的负极通过电阻R1连接所述芯片U1的第六端，所述稳压二极管ZD1的负极还连接所述二极管D3的正极，所述二极管D3的负极连接所述芯片U1的第六端，所述稳压二极管ZD1的正极通过所述电容C6与所述二极管D3的正极连接，所述稳压二极管ZD1的正极还连接所述上桥功率开关单元。

可选的，所述上桥功率开关单元包括MOS管Q1、续流二极管D2、电容C1和电阻R4；所述MOS管Q1的控制端连接所述稳压二极管ZD1的正极，所述MOS管Q1的第一端连接所述续流二极管D2的负极，所述MOS管Q1的第二端分别连接所述芯片U1的第八端、所述续流二极管D2的正极和所述下桥功率开关单元，所述续流二极管D2的正极还连接所述电阻R4的第二端，所述电阻R4的第一端连接所述电容C1的第二端，所述电容C1的第一端连接所述续流二极管D2的负极。

可选的，所述第二负压关断单元包括稳压二极管ZD2、二极管D5、电容C10和电阻R8；所述稳压二极管ZD2的负极通过电阻R8连接所述芯片U1的第十端，所述稳压二极管ZD2的负极还连接所述二极管D5的正极，所述二极管D5的负极连接所述芯片U1的第十端，所述稳压二极管ZD2的正极通过所述电容C10与所述二极管D5的正极连接，所述稳压二极管ZD2的正极还连接所述下桥功率开关单元。

可选的，所述下桥功率开关单元包括MOS管Q2、续流二极管D4、电容C11和电阻R6；所述MOS管Q2的控制端连接所述稳压二极管ZD2的正极，所述MOS管Q2的第一端分别连接所述MOS管Q1的第二端、所述芯片U1的第八端和所述续流二极管D4的负极，所述续流二极管D4的负极还连接所述续流二极管D2的正极，所述MOS管Q2的第二端接地，所述MOS管Q2的第二端还连接所述续流二极管D4的正极，所述续流二极管D4的正极还连接所述电容C11的第二端，所述电容C11的第一端连接所述电阻R6的第二端，所述电阻R6的第一端分别连接所述续流二极管D4的负极和所述电阻R4的第二端。

可选的，所述上桥功率开关单元还包括电阻R2，所述电阻R2的第一端分别连接所述稳压二极管ZD1的正极和所述MOS管Q1的控制端，所述电阻R2的第二端分别连接所述芯片U1的第八端和所述MOS管Q1的第二端；所述电阻R2用于无驱动时将所述MOS管Q1的电压下拉，防止误导通。

为解决上述技术问题，本发明实施方式采用的另一个技术方案是提供一种无线充电装置，所述无线充电装置包括如上所述的开关加速电路。

区别于相关技术的情况，本发明提供一种开关加速电路及无线充电装置，将稳压管、二极管与电容进行组合，利用电容两端电压不能突变、二极管的单向导电性和稳压管的齐纳击穿特性以实现驱动电压为负压，实现快速关断后级的MOS管，减小了开关损耗，提高了选通MOS管的开关速率，从而实现了更高的传输效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种开关加速电路的电路结构图；

图2是本发明实施例提供的图1中负压关断模块的电路结构图；

图3是本发明实施例提供的图1中功率开关模块的电路结构图；

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，如果不冲突，本发明实施例中的各个特征可以相互组合，均在本发明的保护范围之内。另外，虽然在装置示意图中进行了功能模块的划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于装置示意图中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。此外，本文所采用的“第一”、“第二”等字样并不对数据和执行次序进行限定，仅是对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本发明。

现有无线充电装置中的半桥或全桥驱动电路的工作频率和开关损耗主要受MOS管开关时间的影响，开关时间越长，开关损耗越大，工作频率越低，因此开关时间是影响MOS管工作频率的主要因素，技术人员一直致力于减小MOS管的开通时间和关断时间，由于MOS管的特性，采用负压关断可以大幅减小关断时间，降低MOS管的关断损耗，以提升MOS管的工作频率，实现更高的传输效率。

由于稳压管的齐纳击穿特性，其端电压几乎不变；二极管具有单向导电性，即正偏导通，反偏截止；电容两端的电压不能突变。本申请利用元件的特性将稳压管、二极管和电容进行组合，实现MOS管在关断时控制端的驱动电压为负压，以快速所述关断MOS管，减小了开关损耗。

请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种开关加速电路1的结构示意图。

如图1所示，该开关加速电路1包括：电压驱动模块11、负压关断模块12和功率开关模块13，所述负压关断模块12分别连接所述电压驱动模块11和所述功率开关模块13。其中，所述负压关断模块12包括稳压二极管、电容和二极管，所述稳压二极管的负极通过电阻连接所述电压驱动模块11，所述稳压二极管的负极还连接所述二极管的正极，所述稳压二极管的正极连接所述功率开关模块13，所述稳压二极管的正极还通过所述电容与所述二极管的正极连接，所述二极管的负极连接所述电压驱动模块11。

所述电压驱动模块11用于输出高电平或低电平至所述负压关断模块12；当所述负压关断模块12接收所述高电平时，所述稳压二极管和电阻限制所述功率开关模块13中MOS管的控制端电流，以使所述电容充电至稳态；当所述负压关断模块12接收所述低电平时，所述电容使所述功率开关模块13中MOS管的控制端承受负压，以控制所述MOS管快速关断。其中，所述功率开关模块13中的MOS管均采用N型MOS管，为方便说明，将所述MOS管的栅极作为所述MOS管的控制端，所述MOS管的漏极作为所述MOS管的第一端，所述MOS管的源极作为所述MOS管的第二端。

电压驱动模块11包括直流电源、电容C7、电容C9和半桥驱动单元；所述电容C7和所述电容C9并联后的一端分别连接所述直流电源和所述半桥驱动单元，所述电容C7和所述电容C9并联后的另一端接地；所述电容C7和所述电容C9并联后对所述直流电源输出的直流电进行滤波，以提供滤波后的直流电给所述半桥驱动单元。其中，所述直流电源输出的直流电为5V，所述电容C7的型号具体可以为C0805，其电容容量为10uF，所述电容C9的型号具体可以为C0402，其电容容量为100nF。

其中，所述半桥驱动单元包括：芯片U1、二极管D1、自举电容C8和电阻R3。所述芯片U1的第一端连接所述电容C9的第一端，所述芯片U1的第二端通过电阻R3连接所述电容C9的第一端，所述芯片U1的第三端和所述芯片U1的第四端均连接外部MCU芯片，所述芯片U1的第五端接地，所述芯片U1的第六端和所述芯片U1的第十端均连接所述负压关断模块12，所述芯片U1的第七端连接所述二极管D1的负极和所述自举电容C8的第一端，所述二极管D1的正极连接所述电容C9的第一端，所述自举电容C8的第二端连接所述功率开关模块13，所述芯片U1的第八端连接所述功率开关模块13；所述外部MCU芯片用于提供所述高电平和所述低电平至所述芯片U1。

所述二极管D1的型号具体可以为1PS76SB10，其封装规格为SOD-323；所述自举电容C8的电容容量具体可以为100nF；所述电阻R3的阻值具体可以为10K；所述芯片U1的型号具体可以为DGD05473FN-7，为方便说明，将所述芯片U1的VCC引脚作为所述芯片U1的第一端，将所述芯片U1的EN引脚作为所述芯片U1的第二端，将所述芯片U1的HIN引脚作为所述芯片U1的第三端，将所述U1的LIN引脚作为所述芯片U1的第四端，将所述芯片U1的COM引脚作为所述芯片U1的第五端，将所述芯片U1的HO引脚作为所述芯片U1的第六端，将所述芯片U1的VB引脚作为所述芯片U1的第七端，将所述芯片U1的VS引脚作为所述芯片U1的第八端，将所述芯片U1的NC引脚作为所述芯片U1的第九端，将所述芯片U1的LO引脚作为所述芯片U1的第十端。其中，所述芯片U1的EN引脚为使能引脚，若不激活该引脚，则所述芯片U1的第六端和第十端无输出，所述芯片U1的第三端和所述芯片U1的第四端接收一组互补驱动信号，以控制功率开关模块13中的两个MOS管交替导通，所述驱动信号为脉冲调制信号，具体包括高电平和低电平。例如，所述外部MCU芯片输出高电平至所述芯片U1的第三端，则同时输出低电平至所述芯片U1的第四端，所述高电平通过芯片U1放大后从所述芯片U1的第六端输出，所述低电平通过芯片U1放大后从所述芯片U1的第十端输出。所述外部MCU芯片输出至所述芯片U1的驱动信号无法直接驱动MOS管导通或关断，需经过所述芯片U1进行放大，即提高所述驱动信号的驱动能力。

在一些实施例中，所述半桥驱动单元还包括电阻R5和电阻R7，测试点TP1设置于所述外部MCU芯片的第一输出端与所述芯片U1的第三端之间，测试点TP2设置于所述外部MCU芯片的第二输出端与所述芯片U1的第四端之间，所述测试点TP1通过所述电阻R5连接所述芯片U1的第五端，所述测试点TP2通过所述电阻R7连接所述芯片U1的第五端，所述测试点TP1和所述测试点TP2用于技术人员测试外部MCU芯片输出至所述芯片U1的高电平和低电平信号。其中，所述电阻R5和所述电阻R7的阻值均可以为4.7K。

请参阅图2和图3，图2提供了开关加速电路1中负压关断模块12的电路结构图，图3提供了开关加速电路1中功率开关模块13的电路结构图。

所述负压关断模块12包括第一负压关断单元121和第二负压关断单元122，所述功率开关模块13包括上桥功率开关单元131和下桥功率开关单元132；所述第一负压关断单元121与所述上桥功率开关单元131连接，所述第二负压关断单元122与所述下桥功率开关单元132连接；所述第一负压关断单元121用于控制所述上桥功率开关单元131中的MOS管快速关断，所述第二负压关断单元122用于控制所述下桥功率开关单元132中的MOS管快速关断。

所述第一负压关断单元121包括稳压二极管ZD1、二极管D3、电容C6和电阻R1；所述稳压二极管ZD1的负极通过电阻R1连接所述芯片U1的第六端，所述稳压二极管ZD1的负极还连接所述二极管D3的正极，所述二极管D3的负极连接所述芯片U1的第六端，所述稳压二极管ZD1的正极通过所述电容C6与所述二极管D3的正极连接，所述稳压二极管ZD1的正极还连接所述上桥功率开关单元131。

所述上桥功率开关单元131包括MOS管Q1、续流二极管D2、电容C1和电阻R4；所述MOS管Q1的控制端连接所述稳压二极管ZD1的正极，所述MOS管Q1的第一端连接所述续流二极管D2的负极，所述MOS管Q1的第二端分别连接所述芯片U1的第八端、所述续流二极管D2的正极和所述下桥功率开关单元132，所述续流二极管D2的正极还连接所述电阻R4的第二端，所述电阻R4的第一端连接所述电容C1的第二端，所述电容C1的第一端连接所述续流二极管D2的负极。

具体的，所述稳压二极管ZD1为5V稳压管，所述二极管D3的型号具体可以为BAS316，所述电容C6的电容容量具体可以为100nF，所述电阻R1的阻值具体可以为10K。所述芯片U1的第六端输出高电平时，由于稳压二极管ZD1的齐纳击穿特性，所述MOS管Q1的控制端电流由所述稳压二极管ZD1和所述电阻R1限制，所述芯片U1的第六端输出的高电平通过所述电阻R1对所述电容C6充电至稳态，其两端的电压具体可以为5.5V；所述芯片U1的第六端输出低电平时，由于所述电容C6内部储存有电荷，导致电容两端电压不能突变，且所述电容C6的第二端电势低于所述电容C6的第一端电势，由于所述芯片U1的第六端输出的高电平变为低电平，所以所述电容C6的第一端电压变为0V，所述电容C6的第二端电压变为－5.5V，此时由于所述MOS管Q2导通，所述电容C6的第一端相当于与所述MOS管Q1的第二端连接，所述电容C6的第二端与所述MOS管Q1的控制端连接，即在MOS管Q1的控制端和第二端之间产生一个和所述电容C6充电至稳态时两端电压值相同的负压，即所述电容C6使所述MOS管Q1的控制端承受负压，具体为－5.5V，以控制所述MOS管Q1快速关断。另外，由于所述MOS管Q1的体二极管通流不够，所述续流二极管D2用于与所述MOS管Q1同时导通以增加通流，所述电容C1和所述电阻R4可组成吸收电路，所述吸收电路用于吸收干扰信号，例如：吸收多次谐波；所述MOS管Q1的第一端还与所述无线充电装置的其他元件连接，具体可以为线圈，通过所述线圈进行能量耦合，实现能量传递；所述上桥功率开关单元131还包括电阻R2，所述电阻R2的第一端分别连接所述稳压二极管ZD1的正极和所述MOS管Q1的控制端，所述电阻R2的第二端分别连接所述芯片U1的第八端和所述MOS管Q1的第二端；所述电阻R2用于在所述芯片U1的第六端无驱动时将所述MOS管Q1的电压下拉至所述芯片U1的第八端处的电压，防止误导通，所述电阻R2的阻值具体可以为10K。

所述第二负压关断单元122包括稳压二极管ZD2、二极管D5、电容C10和电阻R8；所述稳压二极管ZD2的负极通过电阻R8连接所述芯片U1的第十端，所述稳压二极管ZD2的负极还连接所述二极管D5的正极，所述二极管D5的负极连接所述芯片U1的第十端，所述稳压二极管ZD2的正极通过所述电容C10与所述二极管D5的正极连接，所述稳压二极管ZD2的正极还连接所述下桥功率开关单元132。

所述下桥功率开关单元132包括MOS管Q2、续流二极管D4、电容C11和电阻R6；所述MOS管Q2的控制端连接所述稳压二极管ZD2的正极，所述MOS管Q2的第一端分别连接所述MOS管Q1的第二端、所述芯片U1的第八端和所述续流二极管D4的负极，所述续流二极管D4的负极还连接所述续流二极管D2的正极，所述MOS管Q2的第二端接地，所述MOS管Q2的第二端还连接所述续流二极管D4的正极，所述续流二极管D4的正极还连接所述电容C11的第二端，所述电容C11的第一端连接所述电阻R6的第二端，所述电阻R6的第一端分别连接所述续流二极管D4的负极和所述电阻R4的第二端。

由于所述MOS管Q2的第二端接地，因此当所述芯片U1的第十端输出高电平至所述MOS管Q2的控制端时，所述MOS管Q2导通，所述滤波后的直流电经过所述二极管D1给所述自举电容C8充电；当所述芯片U1的第十端输出低电平时，所述第二负压关断单元122控制所述MOS管Q2快速关断，此时Q1未导通，由于所述自举电容C8两端的电压不能突变，则所述芯片U1的第七端处的电压升高，通过所述芯片U1对第六端的输出进行调整，以控制所述MOS管Q1导通。

具体的，所述稳压二极管ZD2为5V稳压管，所述二极管D5的型号具体可以为BAS316，所述电容C10的电容容量具体可以为100nF，所述电阻R8的阻值具体可以为10K。所述芯片U1的第十端输出高电平时，由于稳压二极管ZD2的齐纳击穿特性，所述MOS管Q2的控制端电流由所述稳压二极管ZD2和所述电阻R8限制，所述芯片U1的第十端输出的高电平通过所述电阻R8对所述电容C10充电至稳态，其两端的电压具体可以为5.5V；所述芯片U1的第十端输出低电平时，MOS管Q2关断时所述电容C10内部储存有电荷，导致电容两端电压不能突变，且所述电容C10的第二端电势低于所述电容C10的第一端电势，所述电容C10的第一端由于所述芯片U1的第十端输出的高电平变为低电平，所以所述电容C10的第一端电压变为0V，所述电容C10的第二端电压变为－5.5V，所述电容C10的第一端相当于与所述MOS管Q2的第二端连接，所述电容C10的第二端与所述MOS管Q2的控制端连接，即在MOS管Q2的控制端和第二端之间产生一个所述电容C10充电至稳态时两端电压值相同的负压，即所述电容C10使所述MOS管Q2的控制端承受负压，具体可以为－5.5V，以控制所述MOS管Q2快速关断。所述MOS管Q1和所述MOS管Q2的公共端还与电感连接，所述电感的型号具体可以为YKMS1004-1R0MT，其封装规格为smd7×7mm，所述电感用于加速所述功率开关单元中MOS管的充电和放电，实现快速切换。另外，由于所述MOS管Q2的体二极管通流不够，所述续流二极管D4用于与所述MOS管Q2同时导通以增加通流，所述电容C11和所述电阻R6可组成吸收电路，所述吸收电路用于吸收干扰信号，例如：吸收多次谐波，所述下桥功率开关单元132还包括电阻R9，所述电阻R9的第一端分别连接所述稳压二极管ZD2的正极和所述MOS管Q2的控制端，所述电阻R9的第二端接地，所述电阻R9用于在所述芯片U1的第十端无驱动时将所述MOS管Q2的电压下拉，防止误导通，所述电阻R9的阻值具体可以为10K。

本发明实施例提供了一种开关加速电路，将稳压管、二极管与电容进行组合，利用电容两端电压不能突变、二极管的单向导电性和稳压管的齐纳击穿特性以实现MOS管关断时控制端的驱动电压为负压，实现所述MOS管快速关断，减小了开关损耗。

所述开关加速电路1不仅适用于半桥驱动电路，也适用于全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包含结构相同的第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块，所述第一半桥驱动电路和第二半桥驱动电路的结构均与所述开关加速电路1一致，即采用两个驱动芯片控制四个MOS管的导通及关断，其负压关断模块的工作原理及有益效果与上述开关加速电路1中相同。

本发明实施例提供一种无线充电装置，该无线充电装置包括如上所述的开关加速电路1，将稳压管、二极管与电容进行组合，利用电容两端电压不能突变、二极管的单向导电性和稳压管的齐纳击穿特性以实现MOS管关断时控制端的驱动电压为负压，实现所述MOS管快速关断，提高了选通MOS管的开关速率，从而减小了整体无线充电装置的开关损耗，提高了该无线充电装置的传输效率。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种开关加速电路，应用于无线充电装置，其特征在于，所述开关加速电路包括电压驱动模块、负压关断模块、功率开关模块；

所述负压关断模块分别连接所述电压驱动模块和所述功率开关模块，其中，所述负压关断模块包括稳压二极管、电容和二极管，所述稳压二极管的负极通过电阻连接所述电压驱动模块，所述稳压二极管的负极还连接所述二极管的正极，所述稳压二极管的正极连接所述功率开关模块，所述稳压二极管的正极还通过所述电容与所述二极管的正极连接，所述二极管的负极连接所述电压驱动模块；

所述电压驱动模块用于输出高电平或低电平至所述负压关断模块；当所述负压关断模块接收所述高电平时，所述稳压二极管和电阻限制所述功率开关模块中MOS管的控制端电流，以使所述电容充电至稳态；当所述负压关断模块接收所述低电平时，所述电容使所述功率开关模块中MOS管的控制端承受负压，以控制所述MOS管关断。

2.根据权利要求1所述的开关加速电路，其特征在于，所述电压驱动模块包括直流电源、电容C7、电容C9和半桥驱动单元；

所述电容C7和所述电容C9并联后的一端分别连接所述直流电源和所述半桥驱动单元，所述电容C7和所述电容C9并联后的另一端接地；

所述电容C7和所述电容C9并联后对所述直流电源输出的直流电进行滤波，以提供滤波后的直流电给所述半桥驱动单元。

3.根据权利要求2所述的开关加速电路，其特征在于，所述半桥驱动单元包括：芯片U1、二极管D1、自举电容C8和电阻R3；

所述芯片U1的第一端连接所述电容C9的第一端，所述芯片U1的第二端通过电阻R3连接所述电容C9的第一端，所述芯片U1的第三端和所述芯片U1的第四端均连接外部MCU芯片，所述芯片U1的第五端接地，所述芯片U1的第六端和所述芯片U1的第十端均连接所述负压关断模块，所述芯片U1的第七端连接所述二极管D1的负极和所述自举电容C8的第一端，所述二极管D1的正极连接所述电容C9的第一端，所述自举电容C8的第二端连接所述功率开关模块，所述芯片U1的第八端连接所述功率开关模块；

所述外部MCU芯片用于提供所述高电平和所述低电平至所述芯片U1。

4.根据权利要求3所述的开关加速电路，其特征在于，所述负压关断模块包括第一负压关断单元和第二负压关断单元，所述功率开关模块包括上桥功率开关单元和下桥功率开关单元；

所述第一负压关断单元与所述上桥功率开关单元连接，所述第二负压关断单元与所述下桥功率开关单元连接；

所述第一负压关断单元用于控制所述上桥功率开关单元中的MOS管关断，所述第二负压关断单元用于控制所述下桥功率开关单元中的MOS管关断。

5.根据权利要求4所述的开关加速电路，其特征在于，所述第一负压关断单元包括稳压二极管ZD1、二极管D3、电容C6和电阻R1；

所述稳压二极管ZD1的负极通过电阻R1连接所述芯片U1的第六端，所述稳压二极管ZD1的负极还连接所述二极管D3的正极，所述二极管D3的负极连接所述芯片U1的第六端，所述稳压二极管ZD1的正极通过所述电容C6与所述二极管D3的正极连接，所述稳压二极管ZD1的正极还连接所述上桥功率开关单元。

6.根据权利要求5所述的开关加速电路，其特征在于，所述上桥功率开关单元包括MOS管Q1、续流二极管D2、电容C1和电阻R4；

所述MOS管Q1的控制端连接所述稳压二极管ZD1的正极，所述MOS管Q1的第一端连接所述续流二极管D2的负极，所述MOS管Q1的第二端分别连接所述芯片U1的第八端、所述续流二极管D2的正极和所述下桥功率开关单元，所述续流二极管D2的正极还连接所述电阻R4的第二端，所述电阻R4的第一端连接所述电容C1的第二端，所述电容C1的第一端连接所述续流二极管D2的负极。

7.根据权利要求6所述的开关加速电路，其特征在于，所述第二负压关断单元包括稳压二极管ZD2、二极管D5、电容C10和电阻R8；

所述稳压二极管ZD2的负极通过电阻R8连接所述芯片U1的第十端，所述稳压二极管ZD2的负极还连接所述二极管D5的正极，所述二极管D5的负极连接所述芯片U1的第十端，所述稳压二极管ZD2的正极通过所述电容C10与所述二极管D5的正极连接，所述稳压二极管ZD2的正极还连接所述下桥功率开关单元。

8.根据权利要求7所述的开关加速电路，其特征在于，所述下桥功率开关模块包括MOS管Q2、续流二极管D4、电容C11和电阻R6；

所述MOS管Q2的控制端连接所述稳压二极管ZD2的正极，所述MOS管Q2的第一端分别连接所述MOS管Q1的第二端、所述芯片U1的第八端和所述续流二极管D4的负极，所述续流二极管D4的负极还连接所述续流二极管D2的正极，所述MOS管Q2的第二端接地，所述MOS管Q2的第二端还连接所述续流二极管D4的正极，所述续流二极管D4的正极还连接所述电容C11的第二端，所述电容C11的第一端连接所述电阻R6的第二端，所述电阻R6的第一端分别连接所述续流二极管D4的负极和所述电阻R4的第二端。

9.根据权利要求6所述的开关加速电路，其特征在于，所述上桥功率开关单元还包括电阻R2，所述电阻R2的第一端分别连接所述稳压二极管ZD1的正极和所述MOS管Q1的控制端，所述电阻R2的第二端分别连接所述芯片U1的第八端和所述MOS管Q1的第二端；

所述电阻R2用于无驱动时将所述MOS管Q1的电压下拉，防止误导通。

10.一种无线充电装置，其特征在于，所述无线充电装置包括如权利要求1至9任一项所述的开关加速电路。

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