CN115840314B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板;阵列基板包括第一衬底基板,第一衬底基板上形成第一主隔垫结构;彩膜基板包括第二衬底基板;第二衬底基板上形成第二主隔垫结构和辅隔垫结构;第二主隔垫结构在第一衬底基板上的正投影与第一主隔垫结构在第一衬底基板上的正投影区域交叠,辅隔垫结构在第一衬底基板上的正投影位于第一主隔垫结构在第一衬底基板上的正投影区域外;可以利用第一主隔垫结构与第二主隔垫结构的组合,实现与辅隔垫结构的段差,利用普通的全色调掩膜版进行曝光方式制得高度基本一致的第二主隔垫结构和辅隔垫结构,提高辅隔垫结构的均一性,减小显示面板不同区域黑斑水平之间差异。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示装置通常包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板、以及分布在阵列基板与彩膜基板之间的液晶,阵列基板与彩膜基板之间还分布有用于支撑阵列基板和彩膜基板的多个柱状隔垫物(Photo Spacer,PS),液晶位于柱状PS支撑起来的空间内。一般柱状PS包括高度不同的主隔垫物和辅隔垫物,可以通过半色调掩膜制备辅隔垫物,但这种方法容易造成柱状PS均一性差,显示异常的问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以解决现有技术中显示面板不同区域黑斑水平之间差异较大的问题。
针对上述问题,本发明提供了一种显示面板,包括:对盒成形的阵列基板和彩膜基板;
所述阵列基板包括:第一衬底基板,所述第一衬底基板上形成第一主隔垫结构;
所述彩膜基板包括:第二衬底基板;
所述第二衬底基板上形成有第二主隔垫结构和辅隔垫结构;
其中,所述第二主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域交叠,所述辅隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域外;
所述第二主隔垫结构与所述辅隔垫结构之间的高度差小于预设差值。
本发明还提供了一种显示面板的制备方法,包括:
形成阵列基板,所述形成阵列基板包括:在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构;
形成彩膜基板,所述形成彩膜基板包括:在第二衬底基板上形成第二主隔垫结构和辅隔垫结构;
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒,使所述第二主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域交叠,所述辅隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域外。
本发明还提供了一种显示装置,其特征在于,包括如上任一项所述的显示面板。
与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:
本发明的显示面板及其制备方法、显示装置,通过在阵列基板的第一衬底基板上形成第一主隔垫结构,在彩膜基板的第二衬底基板上形成高度差小于预设差值的第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构,这样,可以利用第一主隔垫结构与第二主隔垫结构的组合,实现与所述辅隔垫结构的段差,从而可以不再利用半色调掩膜版进行曝光的方式形成具有高度差的第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构,而是利用普通的全色调掩膜版进行曝光方式制得高度基本一致的第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构,这样,得到的辅隔垫结构透光率基本相同,从而提高辅隔垫结构的均一性,在显示面板受到外界压力时候,避免引起弹性恢复的差异,进而减小显示面板不同区域黑斑水平之间差异。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且部分地调节说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例共同用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明的显示面板实施例的结构示意图;
图2为图1中彩膜基板的结构示意图;
图3为图1中阵列基板的一种结构的平面示意图;
图4为图3中A-B-C-D的部分截面示意图;
图5为图3中E-F-G-H的部分截面示意图;
图6为图3中像素电极的一种实施例的结构示意图;
图7为图3中像素电极的另一种实施例的结构示意图;
图8为图3中像素电极的再一种实施例的结构示意图;
图9为图1中阵列基板的另一种结构的平面示意图;
图10为图9中I-J-K-L的部分截面示意图;
图11为利用半色调掩膜版进行曝光方式制得两个隔垫结构与利用全色调掩膜版进行曝光方式制得两个隔垫结构的对比图;
图12为不同尺寸的隔垫结构在不同温度下的弹性回复率测试结果图;
图13为图12中尺寸与弹性回复率的关系图;
图14为图12中尺寸与最大变形量的关系图;
图15为本发明的显示面板的制备方法实施例的流程图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
用于支撑阵列基板和彩膜基板的多个PS又分为主隔垫物和辅隔垫物,主隔垫物一般较辅隔垫物高出0.6μm。在彩膜基板与阵列基板成盒后,主隔垫物受压收缩15%起重要支撑作用;正常情况下辅隔垫物一般距离阵列基板0.1μm,当受到外界压力作用时,主隔垫物继续被压缩,此时辅隔垫物发挥支撑作用,防止主隔垫物形变量过大导致其无法恢复引起计算机图形学差异导致显示异常。
为了形成高度不同的主隔垫物和辅隔垫物,一般采用半色调掩膜版(half-tonemask)在彩膜基板上形成主隔垫物和辅隔垫物,半色调掩膜包括两种透光率不同的区域,在形成PS的过程中,采用半色调掩膜版对彩膜基板上的待曝光膜层进行曝光,然后采用显影工艺进行处理,即可形成主隔垫物和辅隔垫物,其中,主隔垫物在半色调掩膜上对应区域的透光率与辅隔垫物在半色调掩膜上对应区域的透光率不同,使得主隔垫物与辅隔垫物的高度不同。
然而,利用半色调掩膜版进行曝光的方式由于曝光不充分,形成的辅隔垫物的均一性较差,在显示面板受到外界压力时候,显示面板不同部分辅隔垫物的差异会引起弹性恢复的差异,导致显示面板不同区域黑斑水平之间差异较大。
因此,为了解决上述技术问题,本发明提供了以下技术方案:
图1为本发明的显示面板实施例的结构示意图,图2为图1中彩膜基板的结构示意图。如图1-图2所示,本实施例的显示面板包括对盒成形的阵列基板1和彩膜基板;
阵列基板1包括:第一衬底基板11,第一衬底基板11上形成第一主隔垫结构12,需要说明的是第一主隔垫结构12和第一衬底基板11之间还可以有其他膜层结构,在此不做限定,。彩膜基板2包括:第二衬底基板21。第二衬底基板21上形成有第二主隔垫结构22和辅隔垫结构23。其中,第二主隔垫结构22在第一衬底基板11上的正投影与第一主隔垫结构12在第一衬底基板11上的正投影区域交叠,辅隔垫结构23在第一衬底基板11上的正投影位于第一主隔垫结构12在第一衬底基板11上的正投影区域外。第二主隔垫结构22与辅隔垫结构23之间的高度差小于预设差值,本实施例中,第二主隔垫结构22的高度可以与辅隔垫结构23的高度相同,如二者的高度均为2.94μm,或者二者之间的高度差在一定的工艺误差范围内,即利用普通的全色调掩膜版进行曝光方式形成二主隔垫结构22与辅隔垫结构23时存在的工艺误差或者工艺波动;在利用掩膜版进行曝光时,则无需再考虑第二主隔垫结构22与辅隔垫结构23之间的高度差,这样利用普通的全色调掩膜版进行曝光方式制得高度基本一致的第二主隔垫结构22和所述辅隔垫结构23即可,从而使得到的辅隔垫结构23透光率基本相同,进而提高辅隔垫结构23的均一性。
在一个具体实现过程中,在距离所述第二衬底基板同一高度下,所述第二主隔垫结构22平行于所述第二衬底基板的截面面积小于所述辅隔垫结构23平行于所述第二衬底基板的截面面积,即,所述第二主隔垫结构22在平行于所述第二衬底基板的方向上的截面面积小于所述辅隔垫结构23在平行于所述第二衬底基板的方向上的截面面积。这样,由于第二主隔垫结构22的尺寸小于辅隔垫结构23,第二主隔垫结构22具有较好的弹性,辅隔垫结构23的弹性相对较差,这样,成盒后第二主隔垫结构22容易被压缩,避免各处盒厚不一致,提高显示面板的暗态均一性。当显示面板收到的压力较大时,辅隔垫结构23与阵列基板1接触,能够抵抗较大的压力,有效防止第二主隔垫结构22被压坏。
在一个具体实现过程中,可以通过掩膜版的开口来控制第二主隔垫结构22和辅隔垫结构23的尺寸,如,第二主隔垫结构22对应的掩膜版的开口可以为15*16μm,辅隔垫结构23对应的掩膜版的开口可以为18*22μm。
本实施例的显示面板,通过在阵列基板1的第一衬底基板11上形成第一主隔垫结构12,在彩膜基板2的第二衬底基板21上形成高度差小于预设差值的第二主隔垫结构22和所述辅隔垫结构23,这样,可以利用第一主隔垫结构12与第二主隔垫结构22的组合,实现与所述辅隔垫结构23的段差,从而可以不再利用半色调掩膜版进行曝光的方式形成具有高度差的第二主隔垫结构22和所述辅隔垫结构23,而是利用普通的全色调掩膜版进行曝光方式制得高度基本一致的第二主隔垫结构22和所述辅隔垫结构23,这样,得到的辅隔垫结构23透光率基本相同,从而提高辅隔垫结构23的均一性,在显示面板受到外界压力时候,避免引起弹性恢复的差异,进而减小显示面板不同区域黑斑水平之间差异。
图3为图1中阵列基板的一种结构的平面示意图,图4为图3中A-B-C-D的部分截面示意图,如图3-图4所示,阵列基板1还包括栅极层13、数据线层14、栅极绝缘层18和有源层19;所述栅极层13位于所述第一衬底基板11一侧,所述数据线层14位于所述栅极层13远离所述第一衬底基板11一侧,所述栅极绝缘层18位于所述栅极层13远离所述第一衬底基板11一侧,且所述栅极绝缘层18位于所述钝化层15靠近所述第一衬底基板11一侧,M表示第二主隔垫结构22所在的位置,N表示辅隔垫结构23所在的位置。其中,栅极层13的厚度可以为5000-6000A,数据线层14的厚度可以为5000-6000A。栅极绝缘层18的厚度可以为4000A,有源层19的厚度可以为1250A。
在一个具体实现过程中,有源层19可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),TFT包括栅极、源极和漏极,其中,TFT的栅极与栅极层13连接且栅极与栅极层13通常同层设置,因此,栅极与栅极层13可以采用一次构图工艺形成,TFT的源极与数据线连接,TFT的漏极与像素电极连接,且TFT的源极、漏极以及数据线通常同层设置,因此,可以采用一次构图工艺形成源极、漏极以及数据线,本发明实施例在此不再赘述。
如图3-图4所示,第二主隔垫结构22所在的位置M可以与栅极层13相对应,这种情况下,第一主隔垫结构12可以包括设置在所述栅极层13远离所述第一衬底基板11一侧的辅助数据线层,也就是说,在形成数据线层14的时候,可以根据第二主隔垫结构22所在的位置M,在栅极层13远离所述第一衬底基板11一侧也形成一个数据线层14,此处可以定义为辅助数据线层,并将辅助数据线层作为第一主隔垫结构12。这样,则无额外工艺,也不需要对掩膜版制具进行改进,从而无需增加费用。
在一个具体实现过程中,第二主隔垫结构22所在位置还可以与所述数据线层14相对应,这种情况下,第一主隔垫结构12包括设置在所述数据线层14靠近所述第一衬底基板11一侧的辅助栅极层13。也就是说,在形成栅极层13的时候,可以根据第二主隔垫结构22所在的位置,在数据线层14靠近所述第一衬底基板11一侧也形成一个栅极层13,此处可以定义为辅助栅极层13,并将辅助栅极层13作为第一主隔垫结构12。这样,则无额外工艺,也不需要对掩膜版制具进行改进,从而无需增加费用。
图5为图3中E-F-G-H的部分截面示意图,如图3和图5所示,该阵列基板1还包括钝化层15、像素电极层16和公共电极层17;钝化层15覆盖位于数据线层14远离第一衬底基板11一侧;像素电极层16位于钝化层15远离第一衬底基板11一侧;公共电极层17与所述栅极层13同层设置。其中,钝化层15的厚度可以为4000A,像素电极层16的厚度可以为400A,公共电极层17的厚度可以为400A。
需要说明的是,图3只是示出了部分像素区域的像素电极层16。
在一个具体实现过程中,像素电极层16包括多个子像素区;其中,沿着第一方向X延伸的栅极层13中栅线131和沿着第二方向Y延伸的数据层14数据线141交叉限定子像素区。图6为图3中像素电极的一种实施例的结构示意图,如图6所示,该像素电极包括:在所述第二方向Y上间隔排布的第一边缘导电部161和第二边缘导电部162,以及至少部分位于所述第一边缘导电部161和所述第二边缘导电部162间的主导电部163,所述主导电部163分别与所述第一边缘导电部161和所述第二边缘导电部162连接;所述主导电部163包括至少一个第一组子导电部1631、至少一个第二组子导电部1632和至少一个公共子导电部1633,所述第一组子导电部1631和所述第二组子导电部1632在所述子像素区沿着所述第二方向Y上交替排布;所述第一组子导电部1631通过所述公共子导电部1633与所述第二组子导电部1632连接;
所述第一组子导电部1631包括与所述公共子导电部1633连接的第一连接条16311,所述第一连接条16311在第二方向Y上延伸且其具有在第一方向X上相对的第一面16311a和第二面16311b;所述第一组子导电部1631具有位于所述第一面16311a远离所述第二面16311b一侧的多个第一电极条16312和相邻两个第一电极条16312之间的第一狭缝S1,所述第一狭缝S1远离所述第一连接条16311的一端为开口端;
所述第二组子导电部1632包括位于所述第一狭缝S1远离所述第一连接条16311的一侧并与所述公共子导电部1633连接的第二连接条16321,所述第二连接条16321在第二方向Y上延伸且其具有在第一方向X上相对的第三面16321a和第四面16321b,所述第三面16321a位于所述第四面16321b靠近所述第一面16311a的一侧;且所述第二组子导电部1632具有位于所述第三面16321a远离所述第四面16321b一侧的多个第二电极条16322和相邻两个第二电极条16322之间的第二狭缝S2,所述第二狭缝S2远离所述第二连接条16321的一端为开口端。
在一个具体实现过程中,所述公共子导电部1633开设有第三狭缝S3,所述第三狭缝S3远离所述第一连接条16311的一端为闭口端,所述第三狭缝S3远离所述第二连接条16321的一端为闭口端。其中,相邻两个像素电极的第三狭缝S3的延申方向不同,且均与第一方向X呈锐角,且相邻两个像素电极的第三狭缝S3之间在第二方向Y上间隔预设距离。
在一个具体实现过程中,至少一个子像素区中像素电极的第二边缘导电部162开设有第五狭缝S5,所述第五狭缝远离所述第二连接条16321的一端为闭口端和/或开口端。图6以第五狭缝S5远离所述第二连接条16321的一端为闭口端为例进行说明的。
在一个具体实现过程中,所述第一边缘导电部161与相邻的第一电极条16312之间具有第六狭缝S6,所述第六狭缝远离所述第一连接条16311的一端为开口端;所述第二边缘导电部162与相邻的第二电极条16322之间具有第七狭缝S7,所述第七狭缝远离所述第二连接条16321的一端为开口端。
需要说明的是,如图3所示,相邻两个像素电极之间的“马”字形像素中的电极条延伸方向相反,例如第一个像素电极上半部分的第一电极条16311沿第一方向X向左延申,第二个像素上半部分的第一电极条16311沿第一方向X向右延申,这样可以改善显示视角差异,提升显示品质。
图7为图3中像素电极的另一种实施例的结构示意图;图7与图6的区别在于,图7以第五狭缝S5远离所述第二连接条16321的一端为开口端为例进行说明的。
图8为图3中像素电极的再一种实施例的结构示意图,如图8所示,该像素电极的第一边缘导电部161开设有第四狭缝S4,所述第四狭缝S4远离所述第一连接条16311的一端为闭口端。
图9为图1中阵列基板的另一种结构的平面示意图,图10为图9中I-J-K-L的部分截面示意图,其中,图9仅示出部分像素区域的公共电极层17和部分像素电极。
在一个具体实现过程中,该阵列基板1还包括贯穿所述栅极绝缘层18、所述数据线层14和所述钝化层15的通孔P。所述像素电极层16通过所述通孔P与所述数据线层14以及所述公共电极层17电连接,这样可以通过数据线层将相邻两行的公共电极层17电连接。
在一个具体实现过程中,所述第二主隔垫结构22对应的位置和所述辅隔垫结构23对应的位置至少间隔一个所述通孔P对应的像素电极。这样,通孔P的位置对应的像素电极不再设置第二主隔垫结构22柱或辅隔垫结构23,防止一个像素对应的位置有过多的非显示部分,防止相邻像素透过率差异过大,影响显示,可以继续参考图3和图7,可以看出在设置有连接公共电极层17的通孔P的位置,像素电极设置的形状和其他像素电极形状不同,需要设置有避让通孔位置的区域,此时由于像素电极有效区域面积减小,为了保证和其他像素电极产生电场强度的差异性降低,不影响显示,所以在靠近通孔P位置的像素电极设置第四狭缝S4,这样可以和公共电极层17之间产生驱动液晶旋转的电场,避免由于开设通孔造成与其他像素电极差异性过大,另外需要说明的是,当对应的子像素电极区域设置了通孔P,则此对应设置隔垫结构的位置将不再设置在此子像素电极的位置,由于设置隔垫结构会占用显示的开口区域,避免此子像素电极的像素电极的开口区太小,和其他子像素差异过大,导致显示异常出现。
在一个具体实现过程中,所述第二主隔垫结构22和所述辅隔垫结构23对应的栅极层13中的栅线在所述第二方向Y的尺寸大于未设置所述第二主隔垫结构22和所述辅隔垫结构23对应的栅极层13中的栅线在所述第二方向Y的尺寸。第二主隔垫结构22对应的栅极层13中的栅线如图3中的M处,辅隔垫结构23对应的栅极层13中的栅线如图3中的N处。
基于上述实施例的显示面板,本发明还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述实施例的显示面板。
图11为利用半色调掩膜版进行曝光方式制得两个隔垫结构与利用全色调掩膜版进行曝光方式制得两个隔垫结构的对比图,如图9所示,Halftone表示半色调掩膜版进行曝光方式,Fulltone表示全色调掩膜版进行曝光方式,M-PSH表示第二主隔垫结构22的高度,S-PSH表示辅隔垫结构23的高度,M-TX表示第二主隔垫结构22在X方向的尺寸,M-TY表示第二主隔垫结构22在Y方向的尺寸,S-TX表示辅隔垫结构23在X方向的尺寸,S-TY表示辅隔垫结构23在Y方向的尺寸,M-S表示第二主隔垫结构22与辅隔垫结构23的高度差,range表示各参数的变化范围,3σ表示各参数的均一性,3σ值越小均一性越好。由图9可知,采用全色调掩膜版进行曝光方式制得的辅隔垫结构23,其均一性明显好于采用半色调掩膜版进行曝光方式制得的辅隔垫结构23。
图12为不同尺寸的隔垫结构在不同温度下的弹性回复率测试结果图,图13为图12中尺寸与弹性回复率的关系图,图14为图12中尺寸与最大变形量的关系图。图13中横坐标表示尺寸,纵坐标比表示弹性回复率,图14中横坐标表示尺寸,纵坐标比表示厚度的最大变形量,如图12-14所示,隔垫结构的尺寸越大,hmax越小,PS的ER值越大。
图15为本发明的显示面板的制备方法实施例的流程图,如图15所示,本实施例的显示面板的制备方法具体可以包括如下步骤:
步骤100、形成阵列基板,所述形成阵列基板包括:在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构;
步骤101、形成彩膜基板,所述形成彩膜基板包括:在第二衬底基板上形成第二主隔垫结构和辅隔垫结构;
步骤102、将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒,使所述第二主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域交叠,所述辅隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域外。
在一个具体实现过程中,所述第二主隔垫结构所在位置与所述栅极层相对应,在步骤100中“在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构”之前,还包括:
在所述第一衬底基板靠近所述第一主隔垫结构的一侧形成所述栅极层;
对应地,步骤100中“在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构”,包括:
在所述栅极层远离所述第一衬底基板一侧形成数据线层和辅助数据线层;其中,所述辅助数据线层作为所述第二主隔垫结构;
在一个具体实现过程中,所述第二主隔垫结构所在位置与所述数据线层相对应,步骤100中“在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构”,包括:
在所述第一衬底基板靠近所述第一主隔垫结构的一侧形成所述栅极层和辅助栅极层;其中,所述辅助栅极层作为所述第二主隔垫结构。
本实施例的显示面板的制备方法,通过在阵列基板的第一衬底基板上形成第一主隔垫结构,在彩膜基板的第二衬底基板上形成高度差小于预设差值的第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构,这样,可以利用第一主隔垫结构与第二主隔垫结构的组合,实现与所述辅隔垫结构的段差,从而可以不再利用半色调掩膜版进行曝光的方式形成具有高度差的第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构,而是利用普通的全色调掩膜版进行曝光方式制得高度基本一致的第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构,这样,得到的辅隔垫结构透光率基本相同,从而提高辅隔垫结构的均一性,在显示面板受到外界压力时候,避免引起弹性恢复的差异,进而减小显示面板不同区域黑斑水平之间差异。
可以理解的是,上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考,在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
需要说明的是,在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是指至少两个。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
虽然本发明所公开的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员,在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本发明的保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:对盒成形的阵列基板和彩膜基板;
所述阵列基板包括:第一衬底基板,所述第一衬底基板上形成第一主隔垫结构;
所述彩膜基板包括:第二衬底基板;
所述第二衬底基板上形成有第二主隔垫结构和辅隔垫结构;
其中,所述第二主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域交叠,所述辅隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域外;
所述第二主隔垫结构与所述辅隔垫结构之间的高度差小于预设差值;
所述阵列基板还包括栅极层和数据线层;所述栅极层位于所述第一衬底基板一侧,所述数据线层位于所述栅极层远离所述第一衬底基板一侧;
所述第二主隔垫结构所在位置与所述栅极层相对应,所述第一主隔垫结构包括设置在所述栅极层远离所述第一衬底基板一侧的辅助数据线层;和/或
所述第二主隔垫结构所在位置与所述数据线层相对应,所述第一主隔垫结构包括设置在所述数据线层靠近所述第一衬底基板一侧的辅助栅极层;
所述阵列基板还包括钝化层和像素电极层;所述钝化层覆盖位于所述数据线层远离所述第一衬底基板一侧;所述像素电极层位于所述钝化层远离所述第一衬底基板一侧;
所述像素电极层包括多个子像素区;沿着第一方向延伸的栅极层中的栅线和沿着第二方向延伸的数据层中的数据线交叉限定所述子像素区;
所述子像素区中的像素电极包括:在所述第二方向上间隔排布的第一边缘导电部和第二边缘导电部,以及至少部分位于所述第一边缘导电部和所述第二边缘导电部间的主导电部,所述主导电部分别与所述第一边缘导电部和所述第二边缘导电部连接;所述主导电部包括至少一个第一组子导电部、至少一个第二组子导电部和至少一个公共子导电部,所述第一组子导电部和所述第二组子导电部在所述子像素区沿着所述第二方向上交替排布;所述第一组子导电部通过所述公共子导电部与所述第二组子导电部连接;
所述第一组子导电部包括与所述公共子导电部连接的第一连接条,所述第一连接条在第二方向上延伸且其具有在第一方向上相对的第一面和第二面;所述第一组子导电部具有位于所述第一面远离所述第二面一侧的多个第一电极条和相邻两个第一电极条之间的第一狭缝;所述第二组子导电部包括位于所述第一狭缝远离所述第一连接条的一侧并与所述公共子导电部连接的第二连接条;所述公共子导电部开设有第三狭缝,所述第三狭缝远离所述第一连接条的一端为闭口端,所述第三狭缝远离所述第二连接条的一端为闭口端。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一狭缝远离所述第一连接条的一端为开口端;
所述第二连接条在第二方向上延伸且其具有在第一方向上相对的第三面和第四面,所述第三面位于所述第四面靠近所述第一面的一侧;且所述第二组子导电部具有位于所述第三面远离所述第四面一侧的多个第二电极条和相邻两个第二电极条之间的第二狭缝,所述第二狭缝远离所述第二连接条的一端为开口端。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少一个子像素区中像素电极的第一边缘导电部开设有第四狭缝,所述第四狭缝远离所述第一连接条的一端为闭口端。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少一个子像素区中像素电极的第二边缘导电部开设有第五狭缝,所述第五狭缝远离所述第二连接条的一端为闭口端和/或开口端。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一边缘导电部与相邻的第一电极条之间具有第六狭缝,所述第六狭缝远离所述第一连接条的一端为开口端;
所述第二边缘导电部与相邻的第二电极条之间具有第七狭缝,所述第七狭缝远离所述第二连接条的一端为开口端。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括公共电极层和栅极绝缘层;
所述公共电极层与所述栅极层同层设置;
所述栅极绝缘层位于所述栅极层远离所述第一衬底基板一侧,且所述栅极绝缘层位于所述钝化层靠近所述第一衬底基板一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括贯穿所述栅极绝缘层、所述数据线层和所述钝化层的通孔;
所述像素电极层通过所述通孔与所述数据线层以及所述公共电极层电连接,以通过所述数据线层将相邻两行的所述公共电极层电连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二主隔垫结构对应的位置和所述辅隔垫结构对应的位置至少间隔一个所述通孔对应的像素电极。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构对应的栅极层中的栅线在所述第二方向的尺寸大于未设置所述第二主隔垫结构和所述辅隔垫结构对应的栅极层中的栅线在所述第二方向的尺寸。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在距离所述第二衬底基板同一高度下,所述第二主隔垫结构平行于所述第二衬底基板的截面面积小于所述辅隔垫结构平行于所述第二衬底基板的截面面积。
11.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
形成阵列基板,所述形成阵列基板包括:在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构;
形成彩膜基板,所述形成彩膜基板包括:在第二衬底基板上形成第二主隔垫结构和辅隔垫结构;
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒,使所述第二主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域交叠,所述辅隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影位于所述第一主隔垫结构在所述第一衬底基板上的正投影区域外。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板还包括栅极层;所述第二主隔垫结构所在位置与所述栅极层相对应,所述在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构之前,还包括:
在所述第一衬底基板靠近所述第一主隔垫结构的一侧形成所述栅极层;
所述在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构,包括:
在所述栅极层远离所述第一衬底基板一侧形成数据线层和辅助数据线层;其中,所述辅助数据线层作为所述第二主隔垫结构;
所述第二主隔垫结构所在位置与所述数据线层相对应,所述在第一衬底基板上形成第一主隔垫结构,包括:
在所述第一衬底基板靠近所述第一主隔垫结构的一侧形成所述栅极层和辅助栅极层;其中,所述辅助栅极层作为所述第二主隔垫结构。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10中任一项所述的显示面板。
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