CN115802765A - 一种全固态有机电化学晶体管及其制备方法 - Google Patents

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于军胜
邓津易
彭玉洁
高林
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Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou
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Yangtze River Delta Research Institute of UESTC Huzhou
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Abstract

本发明公开了一种全固态有机电化学晶体管及其制备方法，涉及柔性有机电化学晶体管或生物电子学领域，解决电化学晶体管中由于液态电解质导致的器件不便于大规模集成、长期应用和便携的缺点，本发明从下到上依次包括柔性衬底层，电极层，半导体层和离子凝胶电解质层；电极包括源电极、漏电极和栅电极；源电极、漏电极的上方设置多层多孔半导体层，栅电极上方为离子凝胶电解质层；通过在预浸润的多层多孔半导体薄膜上滴覆由聚合物和离子液体按比例混合的离子凝胶电解质层，能够在保证半导体活性层与离子凝胶电解质层具有较大的接触面积的同时，增加电解质离子的注入率，提升器件的性能。

Description

一种全固态有机电化学晶体管及其制备方法
技术领域
本发明涉及柔性有机电化学晶体管领域，具体涉及一种全固态有机电化学晶体管及其制备方法。
背景技术
在普通晶体管中，相同栅压刺激下的漏电流会保持不变，而在有机电化学晶体管(OECT)中其漏电流会呈现增强或减弱的特性。这一特性的关键，来源于电解质对离子/电子的选择透过性，即电场作用下离子可以自由地在栅极和沟道之间迁移，而电子迁移却是阻断的。具体而言，离子在电场作用下迁移并且对沟道材料进行掺杂(去掺杂)，从而达到影响其电导的效果；而电子无法在电解质中迁移，在断电条件下可以存储电荷，实现非易失的效果。
常用Bernards模型将有机电化学晶体管器件简单的理解为一个离子电路加电子电路的组合。其中，离子电路沿栅极-电解质-沟道方向，由一个描述电解质离子中离子流动的电阻器、一个描述离子在栅极-电解质界面的电容器和一个描述离子在沟道体积内存储的电容器串联组成。施加在沟道上的栅压降的比例大小由栅极电极的性质和几何形状控制。电子电路沿源极-沟道-漏极方向，可以等效为一个受离子电路影响的可变电阻。
有机电化学晶体管具有的高跨导、低电压、电容大、与水环境的兼容性等特点，使其在生物电子及柔性穿戴领域具有广阔的前景。虽然液态电解质在生物相容性和器件性能上有着独特的优势，但液态电解质也不可避免地会导致器件不便于大规模集成、长期应用和便携。目前，使用固态聚合物电解质，凝胶聚合物电解质和复合聚合物电解质等固体电解质已经成为一种常见的策略。但使用固态电解质后会不可避免的损失一部分活性层中电子传输和离子渗透/传输性能。如何在实现全固态有机电化学晶体管的同时维持器件的高性能成为了目前的一大难题。
发明内容
本发明的目的在于：如何提供一种基于多层多孔半导体层的全固态有机可拉伸电化学晶体管及其制备方法，旨在解决电化学晶体管中由于液态电解质导致的器件不便于大规模集成、长期应用和便携的缺点，同时利用离子液体预浸润，增强固体电解质与多层多孔有机半导体层的渗透率，增大半导体层中电子传输和离子渗透/传输，提高器件的总体性能。
本发明采用的技术方案如下：
一种全固态有机电化学晶体管，从下到上依次包括柔性衬底层，电极层和离子凝胶电解质层；电极包括源电极、漏电极和栅电极；源电极、漏电极的上方设置多层多孔半导体层，栅电极上方为离子凝胶电解质层；
多层多孔半导体层由半导体材料与SEBS按比例溶解于混合的有机溶剂氯仿与甲醇中，且经过旋涂和水转印后形成可拉伸的多层多孔固体半导体的薄膜。
作为一种优选的技术方案，柔性衬底层的材料为SEBS、PDMS或PU的至少一种。
作为一种优选的技术方案，电极层的材料为金，薄膜厚度范围为80～150nm。
作为一种优选的技术方案，多层多孔半导体层的材料为P3HT或Pg2T-T中的一种与SEBS的混合配制而成，薄膜厚度范围为200～300nm。
作为一种优选的技术方案，离子凝胶电解质层的材料为由聚合物与离子液体混合配制而成离子凝胶，聚合物为PS-PMMA-PS、PS-PEO-PS、P(VDF-TrFE)、P(VDF-HFP)或P(VDF-TrFE-CTFE)中的一种，离子液体为[EMIM][TFSI]、[EMIM][FSI]、[EMIM][DCA]、[BMIM][PF6]或[EMIM][BF4]中的至少一种。
一种全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：对透明玻璃基板进行清洗，清洗后用氮气吹干或经恒温箱热烘干6h以上；
步骤2：将SEBS、PDMS或PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，待溶液铺平后，置于真空干燥箱中烘干，烘干后用刀片将柔性基板从玻璃基板上剥离；
步骤3：将金的电极蒸镀在柔性衬底层(1)上；
步骤4：对显微镜载玻片进行清洗，清洗后用氮气吹干或经恒温箱热烘干6h以上；
步骤5：将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上，并将旋涂后的基片进行烘干处理，得到葡聚糖牺牲层；
步骤6：在湿度为88％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液或Pg2T-T混合溶液旋涂至葡聚糖牺牲层上；
步骤7：将基片置于装有40℃去离子水的培养皿中，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到单层多孔半导体层，将第一层多孔半导体层转印至柔性基板上，并用氮气吹干，重复将第二层多孔半导体层转印至第一层多孔半导体层上，并用氮气吹干，重复将第三层多孔半导体层转印至第二层多孔半导体层上，并用氮气吹干；
步骤8：在半导体沟道上涂覆制备离子凝胶电解质层所用的离子液体，空气中静置10分钟。
步骤9：在半导体沟道上滴覆离子凝胶电解质。
作为一种优选的技术方案，步骤2中，烘干的温度在30℃，时间范围为12h。
作为一种优选的技术方案，步骤5中，烘干的温度在110℃，时间范围为1min。
作为一种优选的技术方案，烘干方式采用恒温热台加热、烘箱加热、远红外加热、热风加热的至少一种。
本发明的有益效果如下：
1、通过简单堆叠多孔半导体薄膜，半导体活性层与离子凝胶电解质层具有较大的接触面积，能够有效增多半导体中的电化学掺杂的反应位点，加强电解质离子与半导体层的电化学掺杂，提高器件输出漏电流，增强输入栅电压对输出的调控。
2、通过离子液体预浸润与离子凝胶电解质相结合，能够避免液态电解质带来的不便储存与应用的弊端，且适合于柔性电子的大规模集成；同时，预浸润改善了离子凝胶电解质渗透率不如液体电解质的特性，优化了器件的跨导。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，本说明书附图中的各个部件的比例关系不代表实际选材设计时的比例关系，其仅仅为结构或者位置的示意图，其中：
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明中多孔半导体薄膜的示意图；
图3是本发明中致密半导体薄膜的示意图；
附图中标号说明：
1-柔性衬底层，2-源电极，3-漏电极，4-栅电极，5-多层多孔半导体层，6-离子凝胶电解质层，11-多孔半导体薄膜、22-致密半导体薄膜。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
下面结合图1至图3，对本发明作详细说明。
一种全固态有机电化学晶体管，从下到上依次包括柔性衬底层，电极层和离子凝胶电解质层；电极包括源电极、漏电极和栅电极；源电极、漏电极的上方设置多层多孔半导体层，栅电极上方为离子凝胶电解质层；
多层多孔半导体层由半导体材料与SEBS按比例溶解于混合的有机溶剂氯仿与甲醇中，且经过旋涂和水转印后形成可拉伸的多层多孔固体半导体的薄膜。
柔性衬底层的材料为SEBS、PDMS或PU的至少一种。
电极层的材料为金，具有延展性，薄膜厚度范围为80～150nm。
多层多孔半导体层的材料为P3HT或Pg2T-T中的一种与SEBS的混合配制而成，薄膜厚度范围为200～300nm。
离子凝胶电解质层的材料为由聚合物与离子液体混合配制而成离子凝胶，聚合物为PS-PMMA-PS、PS-PEO-PS、P(VDF-TrFE)、P(VDF-HFP)或P(VDF-TrFE-CTFE)中的一种，离子液体为[EMIM][TFSI]、[EMIM][FSI]、[EMIM][DCA]、[BMIM][PF6]或[EMIM][BF4]中的至少一种。
实施例1(对照组)：
全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1.对表面粗糙度小于1nm的透明玻璃基板进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
2.在玻璃基板上涂一层洗洁精，将PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，微微振动，将溶液铺平，铺平后置于真空干燥箱中烘干(30℃，12h)，烘干后用刀片将柔性基板小心从玻璃基板上剥离；
3.将金的电极(80nm)蒸镀在柔性衬底层(1)上；
4.对表面粗糙度小于1nm的显微镜载玻片进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
5.将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上(3000rpm，60s)，并将旋涂后的载玻片进行烘干处理(110℃，1min)，得到葡聚糖牺牲层；
6.在湿度为10％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液(P3HT:SEBS＝2:1)旋涂至葡聚糖牺牲层(5000rpm，10s)；
7.在显微镜下观察P3HT薄膜，观察得P3HT薄膜表面平整致密，得到图2所示的致密半导体膜22；
8.将旋涂后的载玻片置于装有去离子水的培养皿中，培养皿置于热台上(40℃)，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到半导体活性层，将一层半导体活性层转印至柔性基板上，并用氮气吹干；
9.测试条件下：漏电压(VD)＝-0.5V，栅电压(VG)扫描区间为0.1～-1V，在半导体沟道上方滴覆[EMIM][TFSI]离子液体，测得开关比(Ion/Ioff)＝5.3×103，跨导(gm)＝0.37mS，若不经封装器件不易长期存储且直接拉伸会损坏器件。
实施例2：
全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1.对表面粗糙度小于1nm的透明玻璃基板进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
2.在玻璃基板上涂一层洗洁精，将PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，微微振动，将溶液铺平，铺平后置于真空干燥箱中烘干(30℃，12h)，烘干后用刀片将柔性基板小心从玻璃基板上剥离；
3.将金的电极(80nm)蒸镀在柔性衬底层(1)上；
4.对表面粗糙度小于1nm的显微镜载玻片进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
5.将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上(3000rpm，60s)，并将旋涂后的载玻片进行烘干处理(110℃，1min)，得到葡聚糖牺牲层；
6.在湿度为88％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液(P3HT:SEBS＝2:1)旋涂至葡聚糖牺牲层(5000rpm，10s)；
7.在显微镜下观察P3HT薄膜，观察得P3HT薄膜表面有分布均匀的多孔，得到图2所示的多孔半导体膜11；
8.将旋涂后的载玻片置于装有去离子水的培养皿中，培养皿置于热台上(40℃)，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到半导体活性层，将一层半导体活性层转印至柔性基板上，并用氮气吹干；
9.测试条件下：漏电压(VD)＝-0.5V，栅电压(VG)扫描区间为0.1～-1V，在半导体沟道上方滴覆[EMIM][TFSI]离子液体，测得开关比(Ion/Ioff)＝3.9×103，跨导(gm)＝0.64mS，若不经封装器件不易长期存储且直接拉伸会损坏器件。
实施例3：
全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1.对表面粗糙度小于1nm的透明玻璃基板进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
2.在玻璃基板上涂一层洗洁精，将PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，微微振动，将溶液铺平，铺平后置于真空干燥箱中烘干(30℃，12h)，烘干后用刀片将柔性基板小心从玻璃基板上剥离；
3.将金的电极(80nm)蒸镀在柔性衬底层(1)上；
4.对表面粗糙度小于1nm的显微镜载玻片进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
5.将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上(3000rpm，60s)，并将旋涂后的载玻片进行烘干处理(110℃，1min)，得到葡聚糖牺牲层；
6.在湿度为10％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液(P3HT:SEBS＝2:1)旋涂至葡聚糖牺牲层(5000rpm，10s)；
7.在显微镜下观察P3HT薄膜，观察得P3HT薄膜表面平整致密，得到图2所示的致密半导体膜22；
8.将旋涂后的载玻片置于装有去离子水的培养皿中，培养皿置于热台上(40℃)，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到半导体活性层，将一层半导体活性层转印至柔性基板上，并用氮气吹干；
9.在半导体沟道上方滴覆PS-PEO-PS:[EMIM][TFSI]离子凝胶，滴覆后置于40℃真空干燥箱烘干；
10.测试条件下：漏电压(VD)＝-0.5V，栅电压(VG)扫描区间为0.1～-1V，测得开关比(Ion/Ioff)＝3.4×103，跨导(gm)＝0.31mS；
实施例4：
全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1.对表面粗糙度小于1nm的透明玻璃基板进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
2.在玻璃基板上涂一层洗洁精，将PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，微微振动，将溶液铺平，铺平后置于真空干燥箱中烘干(30℃，12h)，烘干后用刀片将柔性基板小心从玻璃基板上剥离；
3.将金的电极(80nm)蒸镀在柔性衬底层(1)上；
4.对表面粗糙度小于1nm的显微镜载玻片进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
5.将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上(3000rpm，60s)，并将旋涂后的载玻片进行烘干处理(110℃，1min)，得到葡聚糖牺牲层；
6.在湿度为88％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液(P3HT:SEBS＝2:1)旋涂至葡聚糖牺牲层(5000rpm，10s)；
7.在显微镜下观察P3HT薄膜，观察得P3HT薄膜表面有分布均匀的多孔，得到图2所示的多孔半导体膜11；
8.将旋涂后的载玻片置于装有去离子水的培养皿中，培养皿置于热台上(40℃)，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到半导体活性层，将一层半导体活性层转印至柔性基板上，并用氮气吹干；
9.在半导体沟道上涂覆[EMIM][TFSI]离子液体，空气中静置10分钟；
10.在半导体沟道上方滴覆PS-PEO-PS:[EMIM][TFSI]离子凝胶，滴覆后置于40℃真空干燥箱烘干；
11.测试条件下：漏电压(VD)＝-0.5V，栅电压(VG)扫描区间为0.1～-1V，测得开关比(Ion/Ioff)＝4.3×103，薄膜厚度归一化跨导(gm)＝0.59mS；
实施例5：
全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1.对表面粗糙度小于1nm的透明玻璃基板进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
2.在玻璃基板上涂一层洗洁精，将PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，微微振动，将溶液铺平，铺平后置于真空干燥箱中烘干(30℃，12h)，烘干后用刀片将柔性基板小心从玻璃基板上剥离；
3.将金的电极(80nm)蒸镀在柔性衬底层(1)上；
4.对表面粗糙度小于1nm的显微镜载玻片进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
5.将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上(3000rpm，60s)，并将旋涂后的载玻片进行烘干处理(110℃，1min)，得到葡聚糖牺牲层；
6.在湿度为88％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液(P3HT:SEBS＝2:1)旋涂至葡聚糖牺牲层(5000rpm，10s)；
7.在显微镜下观察P3HT薄膜，观察得P3HT薄膜表面有分布均匀的多孔，得到图2所示的多孔半导体膜11；
8.将旋涂后的载玻片置于装有去离子水的培养皿中，培养皿置于热台上(40℃)，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到半导体活性层，依次将两层半导体活性层转印至柔性基板上，并用氮气吹干；
9.在半导体沟道上涂覆[EMIM][TFSI]离子液体，空气中静置10分钟；
10.在半导体沟道上方滴覆PS-PEO-PS:[EMIM][TFSI]离子凝胶，滴覆后置于40℃真空干燥箱烘干；
11.测试条件下：漏电压(VD)＝-0.5V，栅电压(VG)扫描区间为0.1～-1V，测得开关比(Ion/Ioff)＝3.2×103，薄膜厚度归一化跨导(gm)＝1.22mS；
实施例6：
全固态有机电化学晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1.对表面粗糙度小于1nm的透明玻璃基板进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
2.在玻璃基板上涂一层洗洁精，将PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，微微振动，将溶液铺平，铺平后置于真空干燥箱中烘干(30℃，12h)，烘干后用刀片将柔性基板小心从玻璃基板上剥离；
3.将金的电极(80nm)蒸镀在柔性衬底层(1)上；
4.对表面粗糙度小于1nm的显微镜载玻片进行清洗，清洗后经恒温箱热烘干6h以上；
5.将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上(3000rpm，60s)，并将旋涂后的载玻片进行烘干处理(110℃，1min)，得到葡聚糖牺牲层；
6.在湿度为88％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液(P3HT:SEBS＝2:1)旋涂至葡聚糖牺牲层(5000rpm，10s)；
7.在显微镜下观察P3HT薄膜，观察得P3HT薄膜表面有分布均匀的多孔，得到图2所示的多孔半导体膜11；
8.将旋涂后的载玻片置于装有去离子水的培养皿中，培养皿置于热台上(40℃)，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到半导体活性层，依次将三层半导体活性层转印至柔性基板上，并用氮气吹干；
9.在半导体沟道上涂覆[EMIM][TFSI]离子液体，空气中静置10分钟；
10.在半导体沟道上方滴覆PS-PEO-PS:[EMIM][TFSI]离子凝胶，滴覆后置于40℃真空干燥箱烘干；
11.测试条件下：漏电压(VD)＝-0.5V，栅电压(VG)扫描区间为0.1～-1V，测得开关比(Ion/Ioff)＝3.2×103，薄膜厚度归一化跨导(gm)＝1.51mS；
通过实施例1-6可以看出：按照一种全固态有机电化学晶体管，从下到上依次包括柔性衬底层1，电极层和离子凝胶电解质层6；电极包括源电极2、漏电极3和栅电极4；源电极2、漏电极3的上方设置多层多孔半导体层5，栅电极4上方为离子凝胶电解质层6；多层多孔半导体层5由半导体材料与SEBS按比例溶解于混合的有机溶剂氯仿与甲醇中，且经过旋涂、水转印和预浸润后形成可拉伸的多层多孔固体半导体的薄膜。
通过引入预浸润多层多孔半导体活性层的全固态有机可拉伸电化学晶体管的制备方法制备的有机电化学晶体管(即实例2～6制备而成的有机电化学晶体管)，相比于未经处理制备的电化学晶体管(即实例1制备而成的有机电化学晶体管)，其跨导gm提高，器件的对信号的放大能力增强。这是由于滴覆在P3HT多孔膜上的离子凝胶电解质渗入进如图2左图所示的多孔半导体薄膜11中，该多孔半导体层有利于增大电解质与半导体的接触面积，在栅极电压的调制下，电解质离子有效地注入半导体层，调控漏电流，同时，离子凝胶固体电解质与多层多孔半导体层界面兼容，解决了液体电解质不能大规模扩展、整合和小型化的弊端。离子液体预浸润处理的半导体活性层使电解质离子更容易渗透注入，有效提高了离子凝胶固体电解质相对于液体电解质较低的渗透率。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种全固态有机电化学晶体管，其特征在于，从下到上依次包括柔性衬底层(1)，电极层和离子凝胶电解质层(6)；电极包括源电极(2)、漏电极(3)和栅电极(4)；源电极(2)、漏电极(3)的上方设置多层多孔半导体层(5)，栅电极(4)上方为离子凝胶电解质层(6)；
多层多孔半导体层(5)由半导体材料与SEBS按比例溶解于混合的有机溶剂氯仿与甲醇中，且经过旋涂和水转印后形成可拉伸的多层多孔固体半导体的薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种全固态有机电化学晶体管，其特征在于，柔性衬底层(1)的材料为SEBS、PDMS或PU的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种全固态有机电化学晶体管及其制备方法，其特征在于，电极层的材料为金，薄膜厚度范围为80～150nm。
4.根据权利要求1所述的一种全固态有机电化学晶体管，其特征在于，多层多孔半导体层(5)的材料为P3HT或Pg2T-T中的一种与SEBS的混合配制而成，薄膜厚度范围为200～300nm。
5.根据权利要求1所述的一种全固态有机电化学晶体管，其特征在于，离子凝胶电解质层的材料为由聚合物与离子液体混合配制而成离子凝胶，聚合物为PS-PMMA-PS、PS-PEO-PS、P(VDF-TrFE)、P(VDF-HFP)或P(VDF-TrFE-CTFE)中的一种，离子液体为[EMIM][TFSI]、[EMIM][FSI]、[EMIM][DCA]、[BMIM][PF6]或[EMIM][BF4]中的至少一种。
6.一种全固态有机电化学晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：对透明玻璃基板进行清洗，清洗后用氮气吹干或经恒温箱热烘干6h以上；
步骤2：将SEBS、PDMS或PU倾倒于涂有洗洁精的玻璃基板上，待溶液铺平后，置于真空干燥箱中烘干，烘干后用刀片将柔性基板从玻璃基板上剥离；
步骤3：将金的电极蒸镀在柔性衬底层(1)上；
步骤4：对显微镜载玻片进行清洗，清洗后用氮气吹干或经恒温箱热烘干6h以上；
步骤5：将配制好的葡聚糖溶液旋涂至显微镜载玻片上，并将旋涂后的基片进行烘干处理，得到葡聚糖牺牲层；
步骤6：在湿度为88％RH条件下，将配制好的P3HT混合溶液或PG2T-T混合溶液旋涂至葡聚糖牺牲层上；
步骤7：将基片置于装有40℃去离子水的培养皿中，使葡聚糖牺牲层溶解于去离子水中，得到单层多孔半导体层，将第一层多孔半导体层转印至柔性基板上，并用氮气吹干，重复将第二层多孔半导体层转印至第一层多孔半导体层上，并用氮气吹干，重复将第三层多孔半导体层转印至第二层多孔半导体层上，并用氮气吹干；
步骤8：在半导体沟道上涂覆制备离子凝胶电解质层所用的离子液体，空气中静置10分钟；
步骤9：在半导体沟道上滴覆离子凝胶电解质。
7.根据权利要求6所述的一种全固态有机电化学晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2中，烘干的温度在30℃，时间范围为12h。
8.根据权利要求6所述的一种全固态有机电化学晶体管的制备方法，其特征在于，步骤5中，烘干的温度在110℃，时间范围为1min。
9.根据权利要求6所述的一种全固态有机电化学晶体管的制备方法，其特征在于，烘干方式采用恒温热台加热、烘箱加热、远红外加热、热风加热的至少一种。
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