CN115802454A - 一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端，涉及通信技术领域。该方法包括：在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。本发明实施例的方案，不需要额外的散热装置，在通讯模组处于任何状态时均可以调节自发热，使得通信模组不会因温度过高而出现故障。解决了针对通信模组采用物理降温的散热方法不仅增加了成本，而且需要占用额外的空间的问题。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，特别是指一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端。
背景技术
随着5G基站的普及，5G通信模组在终端中的应用也越来越广泛，涵盖丰富的领域和应用场景。5G通信模组在实现高速率、低时延和大容量的同时，也存在着功耗大、发热大、模组温度上升快的问题。在温度环境恶劣的场景下，模组自身温度的上升将导致整体性能的下降，超过一定温度后模组将无法正常工作，影响用户的使用。目前常用的散热方法多为物理降温，包括配置散热硅脂、散热片、风扇等，物理降温的散热方法不仅增加了成本，而且需要占用额外的空间。
发明内容
本发明的目的是提供一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端，用以解决相关技术中针对5G通信模组采用物理降温的散热方法不仅增加了成本，而且需要占用额外的空间的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种自发热调节方法，包括：
在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
进一步地，所述获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度，包括：
获取与印制电路板第一空置区域的第一温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第一数值，根据所述第一数值计算所述印制电路板第一空置区域的第一温度；
获取与印制电路板第二空置区域的第二温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第二数值，根据所述第二数值计算所述印制电路板第二空置区域的第二温度；
其中，所述印制电路板第一空置区域位于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区；所述印制电路板第二空置区域位于印制电路板中射频器件的布件区。
进一步地，所述获取所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，包括：
获取与所述基带芯片的第三温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第三数值，根据所述第三数值计算所述基带芯片的第三温度；
获取与所述主电源芯片的第四温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第四数值，根据所述第四数值计算所述主电源芯片的第四温度；
获取与所述射频电源芯片的第五温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第五数值，根据所述第五数值计算所述射频电源芯片的第五温度；
获取与所述射频功率放大芯片的第六温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第六数值，根据所述第六数值计算所述射频功率放大芯片的第六温度。
进一步地，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
在所述第一温度大于或者等于第一门限的情况下，降低所述基带芯片的工作主频；
在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
在所述第二温度大于或者等于第二门限的情况下，降低所述射频电源的电压以及射频功率放大芯片的发射功率；
在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限。
进一步地，所述在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
若所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
其中，所述第三门限大于或者等于所述第四门限，且所述第四门限大于所述第一门限。
进一步地，所述在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
若所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频放大芯片的发射功率；
其中，所述第五门限大于或者等于所述第六门限，且所述第六门限大于所述第一门限。
进一步地，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，还包括：
若所述第一温度大于第一门限，且所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第一温度大于第一门限，且所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频功率放大芯片的发射功率；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限，所述第三门限、所述第四门限、所述第五门限以及所述第六门限相等且大于所述第一门限。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种自发热调节装置，应用于通信模组，包括：
获取模块，用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
调节模块，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种自发热调节系统，包括：
第一温度采集单元，用于采集通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度；
第二温度采集单元，用于采集基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
调节单元，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
所述第一温度采集单元、所述第二温度采集单元以及所述调节单元与所述基带芯片的模数转换器连接。
进一步地，所述第一温度采集单元包括：
设置于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区的第一温度采集电路以及设置于印制电路板中射频器件的布件区的第二温度采集电路中的至少一个。
进一步地，所述第二温度采集单元包括：
设置于基带芯片的第三温度采集电路、设置于主电源芯片的第四温度采集电路、设置于射频电源芯片的第五温度采集电路以及设置于射频功率放大芯片的第六温度采集电路中的至少一个。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种移动终端，包括处理器和收发器；其中，
所述收发器用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
所述处理器用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种移动终端，包括收发器、处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令；所述处理器执行所程序或指令时实现如上所述的自发热调节方法。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种可读存储介质，其上存储有程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如上所述的自发热调节方法中的步骤。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明实施例的自发热调节方法，根据获取到的通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，以降低通信模组的发热。本发明实施例的方案，不需要额外的散热装置，在通讯模组处于任何状态时均可以调节自发热，使得通信模组不会因温度过高而出现故障。
附图说明
图1为本发明实施例的自发热调节方法的流程示意图；
图2为本发明第一实施例的自发热调节方法的逻辑示意图；
图3为本发明第二实施例的自发热调节方法的逻辑示意图；
图4为本发明实施例的自发热调节装置的示意图；
图5为本发明实施例的自发热调节系统的结构示意图；
图6为本发明实施例的自发热调节系统的硬件连接示意图；
图7为本发明实施例的移动终端的结构示意图；
图8为本发明实施例的移动终端的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
在本发明的各种实施例中，应理解，下述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
另外，本文中术语“系统”和“网络”在本文中常可互换使用。
在本申请所提供的实施例中，应理解，“与A相应的B”表示B与A相关联，根据A可以确定B。但还应理解，根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其它信息确定B。
如图1所示，本发明实施例的一种自发热调节方法，包括：
步骤101，在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
步骤102，根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
其中，休眠态为在预设时间内无业务交互的状态；所述非休眠态包括：在预设时间内产生了至少一次业务交互的状态。
需要说明的是，在所述通信模组处于休眠状态时，无业务交互，模组功耗低，自发热量小，可以不进行自发热调节。
本发明实施例的自发热调节方法，根据获取到的通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，以降低通信模组的发热。本发明实施例的方案，不需要额外的散热装置，在通讯模组处于任何状态时均可以调节自发热，使得通信模组不会因温度过高而出现故障。
可选地，所述获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度，包括：
获取与印制电路板第一空置区域的第一温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第一数值，根据所述第一数值计算所述印制电路板第一空置区域的第一温度；
获取与印制电路板第二空置区域的第二温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第二数值，根据所述第二数值计算所述印制电路板第二空置区域的第二温度；
其中，所述印制电路板第一空置区域位于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区；所述印制电路板第二空置区域位于印制电路板中射频器件的布件区。
需要说明的是，通信模组上的发热源主要是基带芯片、电源芯片和射频放大芯片，当这些芯片发热严重时，会带动周围区域的温度上升，影响周围元器件的正常工作。与模组上其他的元器件相比，发热源芯片本身的耐受温度范围较高，因此，需要同时考虑发热源的温度上升情况和周围区域的温度上升情况。
本发明实施例的自发热调节方法，通过获取印制电路板中基带器件和电源器件的布件区的第一空置区域和印制电路板中射频器件的布件区的第二空置区域的温度，能够更精确的监控基带芯片、电源芯片以及射频功率放大芯片的发热对其他元器件的影响。
可选地，所述获取所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，包括：
获取与所述基带芯片的第三温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第三数值，根据所述第三数值计算所述基带芯片的第三温度；
获取与所述主电源芯片的第四温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第四数值，根据所述第四数值计算所述主电源芯片的第四温度；
获取与所述射频电源芯片的第五温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第五数值，根据所述第五数值计算所述射频电源芯片的第五温度；
获取与所述射频功率放大芯片的第六温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第六数值，根据所述第六数值计算所述射频功率放大芯片的第六温度。
通过设置于各个发热源芯片出的温度采集电路，可以实时监控通信模组的自发热情况，并根据监控通信模组实时的自发热情况，调节基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，以降低通信模组的自发热，提高模组的性能。
可选地，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
在所述第一温度大于或者等于第一门限的情况下，降低所述基带芯片的工作主频；
在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
在所述第二温度大于或者等于第二门限的情况下，降低所述射频电源的电压以及射频功率放大芯片的发射功率；
在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限。
通信模组上的发热源主要是基带芯片、电源芯片和射频放大芯片，当这些芯片发热严重时，会带动周围区域的温度上升，影响周围元器件的正常工作。通过空置区域的温度监控发热源周围元器件的温度，在至少一个空置区域的温度大于或者等于预设阈值的情况下，基带芯片、电源芯片和射频放大芯片至少有一处温度过高。
本发明实施例的自发热调节方法，在至少一个空置区域的温度大于或者等于预设阈值时，不需要对基带芯片、电源芯片和射频放大芯片处的温度进行检测，仅仅通过空置区域的温度即可确定如何对通信模组进行自发热调节，实现方式简单可靠，对自发热的调节效率高。
可选地，所述在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
若所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
其中，所述第三门限大于或者等于所述第四门限，且所述第四门限大于所述第一门限。
本发明实施例的自发热调节方法，通过实时监控基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片的温度，以降低芯片的电压或者功率的形式降低通信模组的自发热量，方法简单可靠，且可以使得通信模块不会因为温度过高而产生运行故障。
可选地，所述在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
若所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频放大芯片的发射功率；
其中，所述第五门限大于或者等于所述第六门限，且所述第六门限大于所述第一门限。
本发明实施例的自发热调节方法，通过实时监控基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片的温度，以降低芯片的电压或者功率的形式降低通信模组的自发热量，方法简单可靠，且可以使得通信模块不会因为温度过高而产生运行故障。
可选地，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，还包括：
若所述第一温度大于第一门限，且所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第一温度大于第一门限，且所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频功率放大芯片的发射功率；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限，所述第三门限、所述第四门限、所述第五门限以及所述第六门限相等且大于所述第一门限。
本发明实施例的自发热调节方法，通过实时监控基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片的温度，以降低芯片的电压或者功率的形式降低通信模组的自发热量，方法简单可靠，且可以使得通信模块不会因为温度过高而产生运行故障。
本发明第一实施例的自发热调节方法的逻辑示意图，如图2所述：
(1)在通信模组在使用过程中，设置一个时间阈值T1，若模组在T1时间内无业务交互，自动进入休眠状态，该状态模组功耗低，发热量小，可以不进行自发热调节。
(2)在通信模组处非休眠态：每个固定时间周期T2读取模数转换器ADC所采集的数值，计算各区域的温度值。
(3a)若模组印制电路板上的第一空置区域(位于模组的基带及电源器件布件区)的温度大于或者等于第一阈值温度D1，则降低基带芯片工作主频，同时降低电源的输出电压，可以降低至最低安全工作电压；
若模组印制电路板上的第一空置区域的温度采集结果小于阈值温度D1，则：
若基带芯片温度采集结果大于第二阈值温度D2，则降低基带芯片工作主频；否则设置基带芯片工作主频为常规值。
若主电源芯片温度采集结果大于第三阈值温度D3，则利用电源芯片降压式变换电路降低电源的输出电压，可以降低至最低安全工作电压；否则升高电源的输出电压，直至常规工作电压。
(3b)若模组印制电路板上的第二空置区域(位于模组的射频器件布件区)的温度采集结果大于或者等于第四阈值温度D4，则降低射频电源的输出电压，可以降低至最低安全工作电压，同时降低相应频段的发射功率；
若模组印制电路板上的第二空置区域的温度采集结果小于第四阈值温度D4，则：
若射频电源芯片温度采集结果大于第五阈值温度D5，则降低射频电源的输出电压，可以降低至最低安全工作电压；否则射频电源的输出电压，可以升高至常规工作电压。
若射频功率放大芯片温度采集结果大于第六阈值温度D6，则降低相应频段的发射功率，至少满足3GPP的要求；否则设置发射功率为常规值。
其中，D1＝D4＝60℃，D2＝D3＝D5＝D6＝65℃。
本发明第二实施例的自发热调节方法的逻辑示意图，如图3所述：
(1)在通信模组在使用过程中，设置一个时间阈值T1，若模组在T1时间内无业务交互，自动进入休眠状态，该状态模组功耗低，发热量小，可以不进行自发热调节。
(2)在通信模组处非休眠态：每个固定时间周期T2读取模数转换器ADC所采集的数值，计算各区域的温度值。
(3a)若基带芯片温度采集结果大于第七阈值温度E1，且模组第一空置区域温度采集结果大于第八阈值温度E2，则降低基带芯片工作主频；否则设置基带芯片工作主频为常规值。
(3b)若主电源芯片温度采集结果大于第九阈值温度E3，且模组第一空置区域温度采集结果大于第八阈值温度E2，则降低主电源的输出电压，可以降低至最低安全工作电压；否则设置工作电压为常规值。
(3c)若射频电源芯片温度采集结果大于第十阈值温度E4，且模组第二空置区域温度采集结果大于第十一阈值温度E5，则降低射频电源输出电压，可以降低至最低安全工作电压，足够保证射频性能；否则设置射频电源电压为常规值。
(3d)若射频功率放大芯片温度采集结果大于第十二阈值温度E6，且模组第二空置区域温度采集结果大于第十一阈值温度E5，则降低相应频段的发射功率，至少满足3GPP的要求；否则设置发射功率为常规值。
其中，E1＝E5＝60℃，E2＝E3＝E4＝E6＝65℃。
本发明的一实施例中，以通信模组工作状态的主要发热芯片有基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片、多个射频功率放大芯片。模组设计过程中，在主要发热芯片的位置旁边放置温度采集电路，另外在模组印制电路板空白区域放置两组温度采集电路，一组位于基带及电源器件布件区，一组位于射频器件布件区。
以本发明的第一实施例为例，在模组调试过程中，需确定各芯片的工作参数：
(1)基带芯片正常工作的主频为F，通过实际的测试(包括模组性能测试和芯片节温测试)，确定基带芯片的最低工作主频为F1；
(2)主电源芯片各路的正常工作电压为V1、V2…Vn，通过实际测试(包括模组性能测试和芯片节温测试)，确定最低工作电压为V1m、V2m…Vnm，在电压区间范围内，分为五档控制，可根据温度变化情况，控制电压的阶梯下降和上升；
(3)射频电源芯片的正常工作电压为Vapt，通过实际测试(包括射频指标测试和芯片节温测试)，确定最低工作电压为Vaptm，在电压区间范围内，分为五档控制，可根据温度变化情况，控制电压的阶梯下降和上升；
(4)各射频功率放大芯片可控制各频段的发射功率，实际测试各频段的余量后，确定满足3GPP标准的射频功率配置参数为P1、P2…Pn，可根据温度变化情况和实际使用频段情况，控制功率的降低。
本发明一实施例中，通信模组自发热调节的软件流程为：
(1)若通信模组在T1时间内无业务产生，模组自动进入休眠态，该状态数据、电话、短信等均可以唤醒模组，休眠态模组的功耗均值小于10mA，待机状态功耗均值在60mA左右，该流程可有效降低放热量。
(2)若模组在非休眠状态(待机或业务状态)，设置固定周期T2读取模数转换器所采集的数值，并计算温度。
(3)若模组印制电路板的第一空置区域(位于模组的基带及电源器件布件区)的温度采集结果大于D1(设为60度)，说明该区域的散热情况不佳，则调用存储器中存储中的参数，将工作主频主动降低工作主频到F1，同时降低各路的工作电压(若已降到最低档则保持)。
(4)若模组印制电路板的第一空置区域的温度采集结果小于D1(设为60度)，同时基带芯片旁的温度大于D2(设为65度)，则主动降低工作主频到F1；若不满足条件，设置基带芯片工作主频为常规值。
(5)若模组印制电路板的第一空置区域的温度采集结果小于D1(设为60度)，同时主电源芯片旁的温度大于D3(设为65度)，则降低各路的工作电压，若已降到最低档则保持；若不满足条件，升高电源工作电压，若已到标准档则保持。
(6)若模组印制电路板的第二空置区域(位于模组的射频器件布件区)的温度采集结果大于D4(设为60度)，说明该区域的散热情况不佳，则调用存储器中存储中的参数，降低工作电压(若已降到最低档则保持)，同时根据当前驻网频段降低该频段的发射功率。
(7)若模组印制电路板的第二空置区域的温度采集结果大于D4(设为60度)，同时射频电源芯片旁的温度大于D5(设为65度)，则降低工作电压，若已降到最低档则保持；若不满足条件，升高工作电压，若已到标准档则保持。
(8)若模组印制电路板的第二空置区域的温度采集结果大于D4(设为60度)，同时各个射频功率放大芯片旁的温度大于D6(设为65度)，则调用配置参数降低相应芯片所涉及的频段功率；若不满足条件，设置发射功率为常规值。
(9)循环进行上述操作。
如图4所示，本发明的实施例提供一种自发热调节装置400，应用于通信模组，包括：
获取模块401，用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
调节模块402，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
本发明实施例的自发热调节装置，根据获取到的通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，以降低通信模组的发热。本发明实施例的方案，不需要额外的散热装置，在通讯模组处于任何状态时均可以调节自发热，使得通信模组不会因温度过高而出现故障。
可选地，所述获取模块401，还用于：
获取与印制电路板第一空置区域的第一温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第一数值，根据所述第一数值计算所述印制电路板第一空置区域的第一温度；
获取与印制电路板第二空置区域的第二温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第二数值，根据所述第二数值计算所述印制电路板第二空置区域的第二温度；
其中，所述印制电路板第一空置区域位于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区；所述印制电路板第二空置区域位于印制电路板中射频器件的布件区。
可选地，所述获取模块401，还用于：
获取与所述基带芯片的第三温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第三数值，根据所述第三数值计算所述基带芯片的第三温度；
获取与所述主电源芯片的第四温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第四数值，根据所述第四数值计算所述主电源芯片的第四温度；
获取与所述射频电源芯片的第五温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第五数值，根据所述第五数值计算所述射频电源芯片的第五温度；
获取与所述射频功率放大芯片的第六温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第六数值，根据所述第六数值计算所述射频功率放大芯片的第六温度。
可选地，调节模块402，还用于：
在所述第一温度大于或者等于第一门限的情况下，降低所述基带芯片的工作主频；
在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
在所述第二温度大于或者等于第二门限的情况下，降低所述射频电源的电压以及射频功率放大芯片的发射功率；
在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限。
可选地，调节模块402，还用于：
若所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
其中，所述第三门限大于或者等于所述第四门限，且所述第四门限大于所述第一门限。
可选地，调节模块402，还用于：
若所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频放大芯片的发射功率；
其中，所述第五门限大于或者等于所述第六门限，且所述第六门限大于所述第一门限。
可选地，调节模块402，还用于：
若所述第一温度大于第一门限，且所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第一温度大于第一门限，且所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频功率放大芯片的发射功率；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限，所述第三门限、所述第四门限、所述第五门限以及所述第六门限相等且大于所述第一门限。
本发明的实施例提供一种自发热调节系统，包括：
第一温度采集单元，用于采集通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度；
第二温度采集单元，用于采集基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
调节单元，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
所述第一温度采集单元、所述第二温度采集单元以及所述调节单元与所述基带芯片的模数转换器连接。
可选地，所述第一温度采集单元包括：
设置于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区的第一温度采集电路以及设置于印制电路板中射频器件的布件区的第二温度采集电路中的至少一个。
可选地，所述第二温度采集单元包括：
设置于基带芯片的第三温度采集电路、设置于主电源芯片的第四温度采集电路、设置于射频电源芯片的第五温度采集电路以及设置于射频功率放大芯片的第六温度采集电路中的至少一个。
需要说明的是，本发明实施例的温度采集电路包括分压电路和温敏电阻。
本发明的实施例自发热调节系统的硬件结构示意图如图5所示，设置于第一空置区域、第二控制区域基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片的温度采集电路，分别与基带芯片的模数转换器接口连接。
本发明的实施例自发热调节系统的基带芯片与主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片的连接示意图如图6所示，
主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片均与基带芯片连接，并通过基带芯片并口与存储芯片连接。
其中，主电源芯片、射频电源芯片通过系统电源管理接口(System PowerManagement Interface，SPM)与所述基带芯片连接；射频功率放大芯片通过移动产业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface，MIPI)与所述基带芯片连接。
如图7所示，本发明实施例的一种移动终端700，包括处理器710和收发器720，其中，
所述收发器720用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
所述处理器710用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
该实施例的移动终端，根据获取到的通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，以降低通信模组的发热。本发明实施例的方案，不需要额外的散热装置，在通讯模组处于任何状态时均可以调节自发热，使得通信模组不会因温度过高而出现故障。
本发明另一实施例的一种移动终端，如图8所示，包括收发器810、处理器800、存储器820及存储在所述存储器820上并可在所述处理器800上运行的程序或指令；所述处理器800执行所述程序或指令时实现上述应用于自发热调节方法。
所述收发器810，用于在处理器800的控制下接收和发送数据。
其中，在图8中，总线架构可以包括任意数量的互联的总线和桥，具体由处理器800代表的一个或多个处理器和存储器820代表的存储器的各种电路链接在一起。总线架构还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口提供接口。收发器810可以是多个元件，即包括发送机和接收机，提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。针对不同的用户设备，用户接口830还可以是能够外接内接需要设备的接口，连接的设备包括但不限于小键盘、显示器、扬声器、麦克风、操纵杆等。
处理器800负责管理总线架构和通常的处理，存储器820可以存储处理器800在执行操作时所使用的数据。
本发明实施例的一种可读存储介质，其上存储有程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如上所述的自发热调节方法中的步骤，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
其中，所述处理器为上述实施例中所述的自发热调节中的处理器。所述可读存储介质，包括计算机可读存储介质，如计算机只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等。
进一步需要说明的是，此说明书中所描述的终端包括但不限于智能手机、平板电脑等，且所描述的许多功能部件都被称为模块，以便更加特别地强调其实现方式的独立性。
本发明实施例中，模块可以用软件实现，以便由各种类型的处理器执行。举例来说，一个标识的可执行代码模块可以包括计算机指令的一个或多个物理或者逻辑块，举例来说，其可以被构建为对象、过程或函数。尽管如此，所标识模块的可执行代码无需物理地位于一起，而是可以包括存储在不同位里上的不同的指令，当这些指令逻辑上结合在一起时，其构成模块并且实现该模块的规定目的。
实际上，可执行代码模块可以是单条指令或者是许多条指令，并且甚至可以分布在多个不同的代码段上，分布在不同程序当中，以及跨越多个存储器设备分布。同样地，操作数据可以在模块内被识别，并且可以依照任何适当的形式实现并且被组织在任何适当类型的数据结构内。所述操作数据可以作为单个数据集被收集，或者可以分布在不同位置上(包括在不同存储设备上)，并且至少部分地可以仅作为电子信号存在于系统或网络上。
在模块可以利用软件实现时，考虑到现有硬件工艺的水平，所以可以以软件实现的模块，在不考虑成本的情况下，本领域技术人员都可以搭建对应的硬件电路来实现对应的功能，所述硬件电路包括常规的超大规模集成(VLSI)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者是其它分立的元件。模块还可以用可编程硬件设备，诸如现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等实现。
上述范例性实施例是参考该些附图来描述的，许多不同的形式和实施例是可行而不偏离本发明精神及教示，因此，本发明不应被建构成为在此所提出范例性实施例的限制。更确切地说，这些范例性实施例被提供以使得本发明会是完善又完整，且会将本发明范围传达给那些熟知此项技术的人士。在该些图式中，组件尺寸及相对尺寸也许基于清晰起见而被夸大。在此所使用的术语只是基于描述特定范例性实施例目的，并无意成为限制用。如在此所使用地，除非该内文清楚地另有所指，否则该单数形式“一”、“一个”和“该”是意欲将该些多个形式也纳入。会进一步了解到该些术语“包含”及/或“包括”在使用于本说明书时，表示所述特征、整数、步骤、操作、构件及/或组件的存在，但不排除一或更多其它特征、整数、步骤、操作、构件、组件及/或其族群的存在或增加。除非另有所示，陈述时，一值范围包含该范围的上下限及其间的任何子范围。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种自发热调节方法，其特征在于，包括：
在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
2.根据权利要求1所述的自发热调节方法，其特征在于，所述获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度，包括：
获取与印制电路板第一空置区域的第一温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第一数值，根据所述第一数值计算所述印制电路板第一空置区域的第一温度；
获取与印制电路板第二空置区域的第二温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第二数值，根据所述第二数值计算所述印制电路板第二空置区域的第二温度；
其中，所述印制电路板第一空置区域位于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区；所述印制电路板第二空置区域位于印制电路板中射频器件的布件区。
3.根据权利要求2所述的自发热调节方法，其特征在于，所述获取所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，包括：
获取与所述基带芯片的第三温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第三数值，根据所述第三数值计算所述基带芯片的第三温度；
获取与所述主电源芯片的第四温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第四数值，根据所述第四数值计算所述主电源芯片的第四温度；
获取与所述射频电源芯片的第五温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第五数值，根据所述第五数值计算所述射频电源芯片的第五温度；
获取与所述射频功率放大芯片的第六温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第六数值，根据所述第六数值计算所述射频功率放大芯片的第六温度。
4.根据权利要求3所述的自发热调节方法，其特征在于，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
在所述第一温度大于或者等于第一门限的情况下，降低所述基带芯片的工作主频；
在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
在所述第二温度大于或者等于第二门限的情况下，降低所述射频电源的电压以及射频功率放大芯片的发射功率；
在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限。
5.根据权利要求4所述的自发热调节方法，其特征在于，所述在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
若所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
其中，所述第三门限大于或者等于所述第四门限，且所述第四门限大于所述第一门限。
6.根据权利要求4所述的自发热调节方法，其特征在于，所述在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
若所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频放大芯片的发射功率；
其中，所述第五门限大于或者等于所述第六门限，且所述第六门限大于所述第一门限。
7.根据权利要求3所述的自发热调节方法，其特征在于，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，还包括：
若所述第一温度大于第一门限，且所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
若所述第一温度大于第一门限，且所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
若所述第二温度大于第二门限，且所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频功率放大芯片的发射功率；
其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限，所述第三门限、所述第四门限、所述第五门限以及所述第六门限相等且大于所述第一门限。
8.一种自发热调节装置，应用于通信模组，其特征在于，包括：
获取模块，用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
调节模块，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
9.一种自发热调节系统，其特征在于，包括：
第一温度采集单元，用于采集通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度；
第二温度采集单元，用于采集基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
调节单元，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
所述第一温度采集单元、所述第二温度采集单元以及所述调节单元与所述基带芯片的模数转换器连接。
10.根据权利要求9所述的自发热调节系统，其特征在于，所述第一温度采集单元包括：
设置于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区的第一温度采集电路以及设置于印制电路板中射频器件的布件区的第二温度采集电路中的至少一个。
11.根据权利要求9所述的自发热调节系统，其特征在于，所述第二温度采集单元包括：
设置于基带芯片的第三温度采集电路、设置于主电源芯片的第四温度采集电路、设置于射频电源芯片的第五温度采集电路以及设置于射频功率放大芯片的第六温度采集电路中的至少一个。
12.一种移动终端，其特征在于，包括：收发器和处理器；
所述收发机用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
所述处理器用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
13.一种移动终端，包括：收发器、处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令；其特征在于，所述处理器执行所述程序或指令时实现如权利要求1-7任一项所述的自发热调节方法。
14.一种可读存储介质，其上存储有程序或指令，其特征在于，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的自发热调节方法中的步骤。
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| CN202111060017.2A CN115802454A (zh) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | 一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端 |
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| CN202111060017.2A CN115802454A (zh) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | 一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端 |
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| CN (1) | CN115802454A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116248140A (zh) * | 2023-05-10 | 2023-06-09 | 同光科技(北京)有限公司 | 电磁信号的接收方法、接收机、电子设备和存储介质 |
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2021
- 2021-09-10 CN CN202111060017.2A patent/CN115802454A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116248140A (zh) * | 2023-05-10 | 2023-06-09 | 同光科技(北京)有限公司 | 电磁信号的接收方法、接收机、电子设备和存储介质 |
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