CN115798282A - 一种模拟缺陷的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种模拟缺陷的方法及装置，采用接收加热指令，加热指令携带第一目标温度，加热第一发热元件，使得第一加热元件的温度达到第一目标温度，并使第一设备的第一位置的温度达到第一目标温度，第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，第一设备为待模拟发热缺陷的设备，第一位置为第一设备的待模拟发热位置，保持第一加热元件的温度为第一目标温度的方法，通过第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，加热第一发热元件，从而使第一设备的第一位置的温度模拟发热缺陷时的温度，从而达到模拟变电设备发热缺陷，以供运检人员进行红外精确测温练习的效果。

Description

一种模拟缺陷的方法及装置

技术领域

本申请涉及设备领域，特别涉及一种模拟缺陷的方法及装置。

背景技术

随着我国工业化进程速度的不断加快，用电量的不断增加，保障电网的安全性和稳定性是当前电力行业发展所要关注的重要问题。因此需要对变电设备进行运维和检修，保障变电设备输送电的可靠性。

在现有技术中，运检人员对红外热像仪对变电设备进行巡视性检测，若发现稳点异常点，再进行精确检测。

但现有技术的缺点是：部分运检人员没有机会通过发热实例去针对性提升自己的红外精确测温技能水平。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种模拟缺陷的方法及装置，从而达到模拟变电设备发热缺陷，向运检人员提供发热实例以提供外红精确测温的技能水平的目的。

本申请提供的一种模拟缺陷的方法是这样实现的：

接收加热指令，加热指令携带第一目标温度；

加热第一发热元件，使得第一加热元件的温度达到第一目标温度，并使第一设备的第一位置的温度达到第一目标温度，第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，第一设备为待模拟发热缺陷的设备，第一位置为第一设备的待模拟发热位置；

保持第一加热元件的温度为第一目标温度。

可选地，加热指令还携带第二目标温度，第二目标温度低于第一目标温度；

则方法还包括：加热第二发热元件，使得第二加热元件的温度达到第二目标温度，并使第二设备的第二位置的温度达到第二目标温度，第二发热元件与第二设备的第二位置相接触，第二设备为待模拟正常运行的设备，第二位置为与第一位置相对应的位置；保持第二加热元件的温度为第二目标温度。

可选地，保持第二加热元件的温度为第二加热目标温度后，还包括：采集第一实际温度，第二实际温度和环境温度，第一实际温度为第一设备的第一位置的温度，第二实际温度为第二设备的第二位置的温度；根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

可选地，第一设备为第一接线线夹，第二设备为第二接线线夹。

可选地，根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级，包括：若第一实际温度高于130℃，或相对温差不低于95％且第一实际温度高于90℃，则确定缺陷等级为紧急缺陷，相对温差根据第一目标温度与第二目标温度之差和第一目标温度与环境温度之差确定；若第一实际温度不低于90℃且不高于130℃，或相对温差不低于80％且第一实际温度不高于130℃，则确定缺陷等级为严重缺陷；若相对温差不低于35％且第一实际温度低于90℃，则确定缺陷等级为一般缺陷。

可选地，第一设备为第一氧化锌避雷器，第二设备为第二氧化锌避雷器；则第二目标温度为高于样本环境温度0-2℃中的任一温度值。

可选地，根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级，包括：若第一实际温度与第二实际温度的差值大于0.5℃，则确定缺陷等级为严重缺陷。

本申请还公开了一种模拟缺陷的装置，包括：第一发热元件、加热模块和温控模块；

第一发热元件与加热模块连接，第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，第一设备为待模拟发热缺陷的设备，第一位置为第一设备的待模拟发热位置；

加热模块用于加热第一发热元件，使得第一发热元件的温度达到第一目标温度；

温控模块与第一发热元件连接，用于保持第一发热元件的温度为第一目标温度。

可选地，一种模拟缺陷的装置还包括：第二发热元件、温度采集模块、通讯模块和分析模块；

第二发热元件与加热模块连接，第二发热元件与第二设备的第二位置相接触，第二设备为待模拟正常运行的设备，第二位置为与第一位置相对应的位置；则加热模块还用于加热第二发热元件，使得第二发热元件的温度达到第二目标温度；温控模块还与第二发热元件连接，用于保持第二发热元件的温度为第二目标温度；

温度采集模块分别与第一发热元件和第二发热元件连接，温度采集模块设于装置的外部，用于采集第一实际温度、第二实际温度和环境温度，第一实际温度为第一设备的第一位置的温度，第二实际温度为第二设备的第二位置的温度；

通讯模块分别与温度采集模块和分析模块连接，用于将第一实际温度、第二实际温度和环境温度传递到分析模块；

分析模块用于根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

可选地，第一设备为第一接线线夹，第二设备为第二接线线夹。

可选地，第一设备为第一氧化锌避雷器，第二设备为第二氧化锌避雷器。

因此，本申请的有益效果是：提供了一种模拟缺陷的方法，接收加热指令，加热指令携带第一目标温度，加热第一发热元件，使得第一加热元件的温度达到第一目标温度，并使第一设备的第一位置的温度达到第一目标温度，第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，第一设备为待模拟发热缺陷的设备，第一位置为第一设备的待模拟发热位置，保持第一加热元件的温度为第一目标温度，通过第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，加热第一发热元件，从而使第一设备的第一位置的温度模拟发热缺陷时的温度，从而达到模拟变电设备发热缺陷，以供运检人员进行红外精确测温练习的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施例的流程图；

图2为本申请第二实施例的流程图；

图3为本申请第三实施例的流程图；

图4为本申请第四实施例的流程图；

图5为本申请的一种装置示意图；

图6为本申请的一种计算机设备示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

发明人发现，由于不同的变电站设备运行工况、设备质量不一，未必存在各类发热缺陷的实例。运检人员在日常的红外测温培训中主要以理论培训为主，无法保证具有发热缺陷的设备以供实操培训，部分运检人员没有机会通过发热实例去针对性地提升自己红外精确测温的技能水平，本申请通过模拟设备发热缺陷，使运检人员有机会通过发热实例实操练习。

在本申请实施例中，模拟缺陷的设备包括但不限于：第一设备、第一发热元件和带保温功能的温度控制器。

第一设备：为待模拟发热缺陷的变电设备。

第一发热元件：与第一设备的第一位置相接触，第一位置为第一设备的待模拟发热位置。

带保温功能的温度控制器：带保温功能的温度控制器与第一发热元件连接。

请参阅图1，本申请的第一实施例具体步骤如下：

S101：温度控制器接收加热指令，加热指令携带第一目标温度。

温度控制器用于执行以下加热和保温的步骤，温度控制器也可以通过其他可以实现加热和保温功能的设备代替。

第一目标温度可根据实际需求和所需模拟发热缺陷的类型不同而设定为不同温度，本申请不限定第一目标温度的具体温度值。

S102：温度控制器加热第一发热元件，使得第一加热元件的温度达到第一目标温度，并使第一设备的第一位置的温度达到第一目标温度。

第一发热元件与第一设备的第一位置相接触。

第一发热元件可以为发热电阻，可以为小功率加热装置，也可以为其他可以实现发热的元件。

在一些实现方式中，当第一发热元件为第一发热电阻时，温度控制器通过控制电流流向第一发热电阻，使第一发热电阻的温度达到第一目标温度。

第一设备为待模拟发热缺陷的设备，可以为接线线夹，可以为氧化锌避雷器，也可以为其他需要模拟发热缺陷的设备。

第一位置为第一设备的待模拟发热位置，本申请对第一位置不做限制，第一位置可以根据实际需求和第一设备的不同而作不同的设定。

S103：温度控制器保持第一加热元件的温度为第一目标温度。

由于变电设备存在发热缺陷时，温度会长时间保持在一定数值，所以温度控制器需要在对加热元件进行加热后，再保持加热元件的温度为加热的温度不变。

在本申请第一实施例中，通过第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，加热第一发热元件，从而使第一设备的第一位置的温度模拟发热缺陷时的温度，从而达到模拟变电设备发热缺陷，以供运检人员进行红外精确测温练习的效果。

由于模拟发热缺陷仅能提供发热实例，对运检人员的指导有限，第二实施例增加了确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议的步骤。

请参阅图2，本申请的第二实施例具体步骤如下：

S201：装置接收加热指令，加热指令携带第一目标温度和第二目标温度。

装置包含加热模块、温控模块、温度采集模块、通讯模块和分析模块。

第二目标温度低于第一目标温度，第二目标温度可根据实际需求和所需模拟正常运行的设备的类型不同而设定为不同温度。

S202：装置加热第一发热元件，使得第一加热元件的温度达到第一目标温度，并使第一设备的第一位置的温度达到第一目标温度。

S203：装置加热第二发热元件，使得第二加热元件的温度达到第二目标温度，并使第二设备的第二位置的温度达到第二目标温度。

第二发热元件与第二设备的第二位置相接触。

第二发热元件可以为发热电阻，可以为小功率加热装置，也可以为其他可以实现发热的元件。

在一些实现方式中，当第二发热元件为第二发热电阻时，温度控制器通过控制电流流向第二发热电阻，使第二发热电阻的温度达到第二目标温度。

第二设备为待模拟正常运行的设备，可以为接线线夹，可以为氧化锌避雷器，也可以为其他需要模拟正常运行的设备。

第二设备与第一设备为同一种类的设备，第二位置为与第一位置相对应的位置。

S204：装置保持第一加热元件的温度为第一目标温度，保持第二加热元件的温度为第二目标温度。

S205：装置采集第一实际温度，第二实际温度和环境温度。

第一实际温度为第一设备的第一位置的温度。

第二实际温度为第二设备的第二位置的温度。

S206：装置根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

缺陷等级可以为紧急缺陷，可以为严重缺陷，可以为一般缺陷，也可以为根据实际需求设定的其他等级。

缺陷处理建议根据不同缺陷等级、不同设备和实际的需求，可以设置不同的处理建议，本申请对缺陷处理建议的具体内容不作限制。

在本申请第二实施例中，通过增加对第二发热元件进行加热处理，使第二设备的第二位置的温度达到目标温度，根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度确定缺陷等级并输出对应的处理建议，便于运检人员将人工诊断的结果与自动诊断的结果进行参照比对，对运检人员提供指导。

第三实施例以待模拟发热设备为接线线夹，发热元件为发热电阻为例，对模拟电流致热型缺陷进行描述。

请参阅图3，本申请的第三实施例具体步骤如下：

S301：装置接收加热指令，加热指令携带第一目标温度和第二目标温度。

S302：装置加热第一发热电阻，使得第一加热电阻的温度达到第一目标温度，并使第一接线线夹的第一位置的温度达到第一目标温度。

由于电流致热型发热缺陷是由电流效应引起发热的，发热温度高，热像特征以线夹为中心，热度明显，模拟接线线夹的电流致热型缺陷时根据线夹的构造，将发热电阻放入接线线夹的接线位置。

第一发热电阻与第一接线线夹的第一接线位置接触。

S303：装置加热第二发热电阻，使得第二加热电阻的温度达到第二目标温度，并使第二接线线夹的第二位置的温度达到第二目标温度。

第二发热电阻与第二接线线夹的第二接线位置接触。

S304：装置保持第一加热电阻的温度为第一目标温度，保持第二加热电阻的温度为第二目标温度。

S305：装置采集第一实际温度，第二实际温度和环境温度。

第一实际温度为第一接线线夹的第一接线位置的温度。

第二实际温度为第二接线线夹的第二接线位置的温度。

因为第一发热电阻和第二发热电阻在运行中都通过负载电流，第一实际温度和第二实际温度应大于环境温度。

S306：装置根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

在一些实现方式中，根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，查询第一映射关系(如表1所示)，确定缺陷等级。

在另一些实现方式中，根据确定的缺陷等级，查询第二映射关系(如表2所示)，输出确定的缺陷等级对应的缺陷处理建议。

表1第一映射关系

表2第二映射关系

第一映射关系和第二映射关系可以集成为同一个表格，也可以分为两个表格。

在另一些实现方式中，通过将第一实际温度、第二实际温度和环境温度输入到模型中，模型输出缺陷等级和缺陷等级对应的缺陷处理建议。模型根据样本设备温度、样本环境温度和缺陷等级标签，通过机器学习模型训练得到。

在另一些实现方式中，若第一实际温度高于130℃，或相对温差不低于95％且第一实际温度高于90℃，则确定缺陷等级为紧急缺陷，缺陷处理建议为：建议立即安排设备消缺处理或设备带负荷限值运行。

在另一些实现方式中，若第一实际温度不低于90℃且不高于130℃，或相对温差不低于80％且第一实际温度不高于130℃，则确定缺陷等级为严重缺陷，缺陷处理建议为：建议加强红外跟踪检测，根据缺陷发展趋势尽早安排停电计划进行消缺，必要时可限负荷运行。

在另一些实现方式中，若相对温差不低于35％且第一实际温度低于90℃，则确定缺陷等级为一般缺陷，缺陷处理建议为：建议加强红外跟踪检测，结合停电进行消缺处理。

相对温差根据第一目标温度与第二目标温度之差、第一目标温度与环境温度之差确定。

在另一些实现方式中，计算相对温差根据如下公式计算：相对温差＝(第一目标温度-第二目标温度)/(第一目标温度-环境温度)×100％。

在本申请第三实施例中，通过根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度的不同，确定出接线线夹的缺陷等级，运检人员可以根据不同缺陷等级对应的缺陷处理意见，对比纠正自己的处理方式。

第四实施例以待模拟发热设备为氧化锌避雷器，发热元件为小功率加热装置为例，对模拟电压致热型缺陷进行描述。

请参阅图4，本申请的第四实施例具体步骤如下：

S401：装置接收加热指令，加热指令携带第一目标温度和第二目标温度。

可以取第二目标温度为高于样本环境温度0-2℃中的任一温度值，第二目标温度也可以设置为其他根据实际需求设定的符合氧化锌避雷器正常运行时的温度。

第一目标温度高于第二目标温度。

在一些实现方式中，加热指令只携带第三目标温度。通过预先加热第三小功率加热装置和第四小功率加热装置(第三小功率加热装置可以与第一氧化锌避雷器内底部相接触，第四小功率加热装置可以与第二氧化锌避雷器内底部相接触，第三小功率加热装置和第四小功率加热装置也可以设置在其他能模拟正常运行时的温度的位置)，使得第三小功率加热装置和第四小功率加热装置的温度达到第四目标温度(第四目标温度可以为高于样本环境温度0-2℃中的任一温度值，也可以设置为其他根据实际需求设定的符合氧化锌避雷器正常运行时的温度)，并使第一氧化锌避雷器的整体温度和第二氧化锌避雷器的整体温度达到第四目标温度，且保持第三小功率加热装置的温度和第四小功率加热装置的温度为第四目标温度，模拟正常运行时的温度。

在另一些实现方式中，加热指令只携带第三目标温度。通过预先加热第一避雷器整个芯体上均匀包裹的一层第一发热元件和第二避雷器整个芯体上均匀包裹的一层第二发热元件(第一发热元件和第二发热元件的厚度值可以为1-5mm范围内任意厚度，第一发热元件和第二发热元件的厚度也可以根据实际需求设定为其他厚度值，第一发热元件和第二发热元件的厚度值可以不相等)，使得第一发热元件的温度和第二发热元件的温度达到第四目标温度，并使第一氧化锌避雷器的整体温度和第二氧化锌避雷器的整体温度达到第四目标温度，且保持第一发热元件的温度和第二发热元件的温度为第四目标温度，模拟正常运行时的温度。

在S401的上述两种实现方式中，不继续执行S402-S404，通过加热第五小功率加热装置(第五小功率加热装置的高度值可以为1-2个避雷器阀片的厚度值，也可以根据实际需求设定为其他高度值)，使得第五小功率加热装置的温度达到第三目标温度，并使第一氧化锌避雷器上与第五小功率加热装置相接触的部位的温度达到第三目标温度，且保持第一氧化锌避雷器上与第五小功率加热装置相接触的部位的温度为第三目标温度，模拟第一氧化锌避雷器因电压致热型缺陷而升高的温度。

S402：装置加热第一小功率加热装置，使得第一小功率加热装置的温度达到第一目标温度，并使第一氧化锌避雷器的第一位置的温度达到第一目标温度。

第一小功率加热装置设置在第一氧化锌避雷器的内部，与第一氧化锌避雷器的第一位置相接触。

S403：装置加热第二小功率加热装置，使得第二小功率加热装置的温度达到第二目标温度，并使第二氧化锌避雷器的第二位置的温度达到第二目标温度。

第二小功率加热装置设置在第二氧化锌避雷器的内部，与第二氧化锌避雷器的第二位置相接触。

S404：装置保持第一小功率加热装置的温度为第一目标温度，保持第二小功率加热装置的温度为第二目标温度。

S405：装置采集第一实际温度，第二实际温度和环境温度。

在一些实现方式中，采集第一实际温度时，在第一氧化锌避雷器的外壳与第一氧化锌避雷器的第一位置相对应的位置采集，则第一实际温度为第一氧化锌避雷器的外壳与第一氧化锌避雷器的第一位置相对应的位置的温度。

在另一些实现方式中，采集第二实际温度时，在第二氧化锌避雷器的外壳与第二氧化锌避雷器的第二位置相对应的位置采集，则第二实际温度为第二氧化锌避雷器的外壳与第二氧化锌避雷器的第二位置相对应的位置的温度。

由于第一避雷器和第二避雷器在运行中都承受运行电压，第一实际温度和第二实际温度应大于环境温度。

在另一些实现方式中，只采集第三实际温度、第四实际温度和环境温度。第三实际温度为在第一氧化锌避雷器的外壳与第三小功率加热装置和第一氧化锌避雷器接触的位置相对应的位置的温度，第四实际温度为第一氧化锌避雷器的外壳与采集第三实际温度的位置相对应的位置的温度。

由于第一氧化锌避雷器设置有第一小功率加热装置和第三小功率加热装置，第二氧化锌避雷器设置有第四小功率加热装置，由于热传导及对流的影响，因此第三实际温度小于第三目标温度，第四实际温度小于第三实际温度，且第三实际温度、第三目标温度和第四实际温度都大于环境温度。

S406：装置根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

以氧化锌避雷器为例，电压致热型发热的热像特征为：发热点一般靠近上部，温差较小，所以0.5～1K的温差则可怀疑设备内部可能存在异常。

在一些实现方式中，根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，查询第三映射关系(如表3所示)，确定缺陷等级。

在另一些实现方式中，根据确定的缺陷等级，查询第四映射关系(如表4所示)，输出确定的缺陷等级对应的缺陷处理建议。

表3第三映射关系

判据	缺陷等级
		第一实际温度-第二实际温度＞0.5℃	严重缺陷

表4第四映射关系

第三映射关系和第四映射关系可以集成为一个表格中，也可以分为两个表格。

在另一些实现方式中，若第一实际温度与第二实际温度的差值大于0.5℃，则确定缺陷等级为严重缺陷，缺陷处理建议为：建议加强监测并安排其他测试手段进行综合检测。

在另一些实现方式中，若第一实际温度和第二实际温度的差值大于预设阈值(阈值大于0.5℃，因实际需求的不同，阈值可以根据实际需求做不同设定)，缺陷处理建议为：建议尽快退出。

在另一些实现方式中，根据第三实际温度、第四实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

在另一些实现方式中，可以通过切换装置的模拟模式(模拟电流致热型缺陷模式或模拟电压致热型缺陷模式)，从而进行针对不同设备的发热缺陷模拟、确定缺陷等级以及输出缺陷处理建议。

在本申请第四实施例中，通过根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度的不同，确定出氧化锌避雷器的缺陷等级，运检人员可以根据不同缺陷等级对应的缺陷处理意见，对比纠正自己的处理方式。

请参阅图5，本申请提供了一种模拟缺陷的装置500，包括：第一发热元件501、加热模块502和温控模块503。

第一发热元件501：与加热模块连接，第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，第一设备为待模拟发热缺陷的设备，第一位置为第一设备的待模拟发热位置。

加热模块502：用于加热第一发热元件，使得第一发热元件的温度达到第一目标温度。

温控模块503：与第一发热元件连接，用于保持第一发热元件的温度为第一目标温度。

可选地，一种模拟缺陷的装置还包括：第二发热元件504、温度采集模块505、通讯模块506和分析模块507。

第二发热元件：与加热模块连接，第二发热元件与第二设备的第二位置相接触，第二设备为待模拟正常运行的设备，第二位置为与第一位置相对应的位置。

则加热模块还用于加热第二发热元件，使得第二发热元件的温度达到第二目标温度；温控模块还与第二发热元件连接，用于保持第二发热元件的温度为第二目标温度。

温度采集模块：分别与第一发热元件和第二发热元件连接，温度采集模块设于装置的外部，用于采集第一实际温度、第二实际温度和环境温度，第一实际温度为第一设备的第一位置的温度，第二实际温度为第二设备的第二位置的温度。

通讯模块：分别与温度采集模块和分析模块连接，用于将第一实际温度、第二实际温度和环境温度传递到分析模块。

分析模块：用于根据第一实际温度、第二实际温度和环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

需要说明的是：上述实施例提供的一种模拟缺陷的装置在实现模拟缺陷的功能时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将一种模拟缺陷的装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的一种模拟缺陷的装置与一种模拟缺陷的方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。

图6是本申请实施例提供的一种计算机设备600的结构示意图。

计算机设备600包括至少一个处理器601、存储器602以及至少一个网络接口603。

处理器601例如是通用中央处理器(central processing unit，CPU)、网络处理器(network processer，NP)、图形处理器(graphics processing unit，GPU)、神经网络处理器(neural-network processing units，NPU)、数据处理单元(data processing unit，DPU)、微处理器或者一个或多个用于实现本申请方案的集成电路。例如，处理器601包括专用集成电路(application-specific integrated circuit，ASIC)，可编程逻辑器件(programmable logic device，PLD)或其组合。PLD例如是复杂可编程逻辑器件(complexprogrammable logic device，CPLD)、现场可编程逻辑门阵列(field-programmable gatearray，FPGA)、通用阵列逻辑(generic array logic，GAL)或其任意组合。

存储器602例如是只读存储器(read-only memory，ROM)或可存储静态信息和指令的其它类型的静态存储设备，又如是随机存取存储器(random access memory，RAM)或者可存储信息和指令的其它类型的动态存储设备，又如是电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only Memory，EEPROM)、只读光盘(compactdisc read-only memory，CD-ROM)或其它光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质或者其它磁存储设备，或者是能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其它介质，但不限于此。可选地，存储器602独立存在，并通过内部连接604与处理器601相连接。或者，可选地存储器602和处理器601集成在一起。

网络接口603使用任何收发器一类的装置，用于与其它设备或通信网络通信。网络接口603例如包括有线网络接口或者无线网络接口中的至少一项。其中，有线网络接口例如为以太网接口。以太网接口例如是光接口，电接口或其组合。无线网络接口例如为无线局域网(wireless local area networks，WLAN)接口，蜂窝网络网络接口或其组合等。

在一些实施例中，处理器601包括一个或多个CPU，如图6中所示的CPU0和CPU1。

在一些实施例中，计算机设备600可选地包括多个处理器，如图6中所示的处理器601和处理器605。这些处理器中的每一个例如是一个单核处理器(single-CPU)，又如是一个多核处理器(multi-CPU)。这里的处理器可选地指一个或多个设备、电路、和/或用于处理数据(如计算机程序指令)的处理核。

在一些实施例中，计算机设备600还包括内部连接604。处理器601、存储器602以及至少一个网络接口603通过内部连接604连接。内部连接604包括通路，在上述组件之间传送信息。可选地，内部连接604是单板或总线。可选地，内部连接604分为地址总线、数据总线、控制总线等。

在一些实施例中，计算机设备600还包括输入输出接口606。输入输出接口606连接到内部连接604上。

在一些实施例中，输入输出接口606用于与输入设备连接，接收用户通过输入设备输入的上述实施例涉及的命令或数据。输入设备包括但不限于键盘、触摸屏、麦克风、鼠标或传感设备等等。

在一些实施例中，输入输出接口606还用于与输出设备连接。输入输出接口606通过输出设备输出处理器601执行上述方法实施例产生的中间结果和/或最终结果。输出设备包括但不限于显示器、打印机、投影仪等等。

可选地，处理器601通过读取存储器602中保存的程序代码实现上述实施例中的方法，或者，处理器601通过内部存储的程序代码实现上述实施例中的方法。在处理器601通过读取存储器602中保存的程序代码实现上述实施例中的方法的情况下，存储器602中保存实现本申请实施例提供的方法的程序代码610。

处理器601实现上述功能的更多细节请参考前面各个方法实施例中的描述，在这里不再重复。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种模拟缺陷的装置，其特征在于，所述装置包括：第一发热元件、加热模块和温控模块；

所述第一发热元件与所述加热模块连接，所述第一发热元件与第一设备的第一位置相接触，所述第一设备为待模拟发热缺陷的设备，所述第一位置为所述第一设备的待模拟发热位置；

所述加热模块用于加热所述第一发热元件，使得所述第一发热元件的温度达到第一目标温度；

所述温控模块与所述第一发热元件连接，用于保持所述第一发热元件的温度为所述第一目标温度。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第二发热元件、温度采集模块、通讯模块和分析模块；

所述第二发热元件与所述加热模块连接，所述第二发热元件与第二设备的第二位置相接触，所述第二设备为待模拟正常运行的设备，所述第二位置为与所述第一位置相对应的位置；则所述加热模块还用于加热所述第二发热元件，使得所述第二发热元件的温度达到所述第二目标温度；所述温控模块还与所述第二发热元件连接，用于保持所述第二发热元件的温度为所述第二目标温度；

所述温度采集模块分别与所述第一发热元件和所述第二发热元件连接，所述温度采集模块设于所述装置的外部，用于采集第一实际温度、第二实际温度和环境温度，所述第一实际温度为所述第一设备的所述第一位置的温度，所述第二实际温度为所述第二设备的所述第二位置的温度；

所述通讯模块分别与所述温度采集模块和所述分析模块连接，用于将所述第一实际温度、所述第二实际温度和所述环境温度传递到所述分析模块；

所述分析模块用于根据所述第一实际温度、所述第二实际温度和所述环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一设备为第一接线线夹，所述第二设备为第二接线线夹。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一设备为第一氧化锌避雷器，所述第二设备为第二氧化锌避雷器。

5.一种模拟缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

接收加热指令，所述加热指令携带第一目标温度；

加热第一发热元件，使得所述第一加热元件的温度达到所述第一目标温度，并使第一设备的第一位置的温度达到所述第一目标温度，所述第一发热元件与所述第一设备的所述第一位置相接触，所述第一设备为待模拟发热缺陷的设备，所述第一位置为所述第一设备的待模拟发热位置；

保持所述第一加热元件的温度为所述第一目标温度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述加热指令还携带第二目标温度，所述第二目标温度低于所述第一目标温度；

则所述方法还包括：

加热第二发热元件，使得所述第二加热元件的温度达到所述第二目标温度，并使第二设备的第二位置的温度达到所述第二目标温度，所述第二发热元件与所述第二设备的所述第二位置相接触，所述第二设备为待模拟正常运行的设备，所述第二位置为与所述第一位置相对应的位置；

保持所述第二加热元件的温度为所述第二目标温度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述保持所述第二加热元件的温度为所述第二加热目标温度后，还包括：

采集第一实际温度，第二实际温度和环境温度，所述第一实际温度为所述第一设备的所述第一位置的温度，所述第二实际温度为所述第二设备的所述第二位置的温度；

根据所述第一实际温度、所述第二实际温度和所述环境温度，确定缺陷等级并输出对应的缺陷处理建议。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一设备为第一接线线夹，所述第二设备为第二接线线夹。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一实际温度、所述第二实际温度和所述环境温度，确定缺陷等级，包括：

若所述第一实际温度高于130℃，或相对温差不低于95％且所述第一实际温度高于90℃，则确定缺陷等级为紧急缺陷，所述相对温差根据所述第一目标温度与所述第二目标温度之差和所述第一目标温度与所述环境温度之差确定；

若所述第一实际温度不低于90℃且不高于130℃，或所述相对温差不低于80％且所述第一实际温度不高于130℃，则确定缺陷等级为严重缺陷；

若所述相对温差不低于35％且所述第一实际温度低于90℃，则确定缺陷等级为一般缺陷。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一设备为第一氧化锌避雷器，所述第二设备为第二氧化锌避雷器；

则所述第二目标温度为高于样本环境温度0-2℃中的任一温度值。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一实际温度、所述第二实际温度和所述环境温度，确定缺陷等级，包括：

若所述第一实际温度与所述第二实际温度的差值大于0.5℃，则确定缺陷等级为严重缺陷。

12.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：处理器，所述处理器与存储器耦合，所述存储器中存储有至少一条计算机程序指令，所述至少一条计算机程序指令由所述处理器加载并执行，以使所述电子设备实现权利要求5-11中任一项所述的方法。

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