CN115763641B - 氮化物器件的高通量测试方法以及氮化物器件 - Google Patents

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CN115763641B CN202211097995.9A CN202211097995A CN115763641B CN 115763641 B CN115763641 B CN 115763641B CN 202211097995 A CN202211097995 A CN 202211097995A CN 115763641 B CN115763641 B CN 115763641B
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康俊杰
罗巍
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Abstract

本申请涉及光电子与电力电子器件领域，涉及一种氮化物器件的高通量测试方法以及氮化物器件。将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中，每浸泡5min‑15min，将衬底向上提升8mm～1cm，直至衬底完全脱离液体表面；将刻蚀后的衬底清洗并干燥；然后将衬底进行外延生长并对外延片进行流片处理，获得氮化物器件；在氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据最优位置，确定氮化物器件的最优厚度。该方法能够在最短的时间内通过最有效率的实验筛选出最佳模板厚度，从而能够快速确定不同器件对应的最佳模板厚度。

Description

氮化物器件的高通量测试方法以及氮化物器件
技术领域
本申请涉及光电子与电力电子器件领域，具体而言，涉及一种氮化物器件的高通量测试方法以及氮化物器件。
背景技术
由于具有耐压性好、抗辐照且耐高温等优点，AlGaN基光电子与电力电子器件近年来无论是在基础科研还是应用产业界都受到广泛关注。众所周知，AlGaN中Al组分的不同决定了其电子器件的应用窗口，以其为基础发光二极管的发光波长会随着Al组分的升高由蓝光区域逐渐进入深紫外区域，由于其禁带宽度也随着不断增大，AlGaN化合物的耐电压耐抗高温能力也随之提升。但由于具有不同的Al组分，AlGaN晶格常数也随之发生变化，因此寻找到应力及其晶格常数匹配的外延衬底，则成为实现具有优异晶体质量AlGaN外延薄膜的前提条件。而无论是使用GaN还是AlN模板进行AlGaN单晶薄膜外延，其厚度始终被看作最关键的参数之一，其原因便是模板的厚度决定了上层外延薄膜距离衬底界面的距离，因而不同的模板厚度也会使得上层外延薄膜承受不同的应力状态最终影响器件的外延质量及其性能。
目前传统的摸索最佳AlGaN外延薄膜所需模板厚度的方法为对比实验，通过生长一系列具有不同厚度模板的衬底，随后以其为基础外延器件，并从中寻找到具有最优性能的样品。但该方法工作量大，且重复工作效率低下，不利于进行条件致密的筛查。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种氮化物器件的高通量测试方法以及氮化物器件。
第一方面，本申请提供一种氮化物器件的高通量测试方法，包括：
将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中，每浸泡5min-15min，将衬底向上提升8mm～1cm，直至衬底完全脱离液体表面；
将刻蚀后的衬底清洗并干燥；然后将衬底进行外延生长并对外延片进行流片处理，获得氮化物器件；
在氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据最优位置，确定氮化物器件的最优厚度。
本申请提供的氮化物器件的高通量测试方法，提拉出的氮化物模板由于不同区域在刻蚀溶液中刻蚀时间不同，因此不同区域具有不同的模板厚度，由于提拉过程是一个匀速过程，因此模板厚度沿提拉方向连续变化；得到一个模板厚度连续变化的氮化物单晶模板。通过在衬底表面形成厚度连续变化的氮化物单晶模板，只需要在氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据最优位置，确定氮化物单晶模板的最优厚度。该方法能够在最短的时间内通过最有效率的实验筛选出最佳模板厚度，是一种高通量测试方法。采用这种方法能够快速确定不同器件对应的最佳模板厚度，能够成为在科研与生产中节省时间增强效率的关键之举。
在本申请的其他实施例中，每浸泡5-15min，将衬底向上提升8.5mm～1cm。
在本申请的其他实施例中，衬底具有提出端和相对的最底端；
将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中包括：
将衬底竖直浸入刻蚀液，使衬底全部浸没在刻蚀液的液面以下，且最底端位于液面下最低处，提出端位于液面下最高处。
在本申请的其他实施例中，提出的过程，保持衬底的提出端相对固定；提出端最先提出于刻蚀液的液面，最底端最后提出于刻蚀液的液面。
在本申请的其他实施例中，刻蚀液为氢氧化钾溶液，氢氧化钾溶液质量浓度为10％～50％。
在本申请的其他实施例中，表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底的制备方法包括：
利用磁控溅射法在衬底表面制备形成氮化物单晶薄膜；
制备的氮化物单晶薄膜厚度为100nm～5μm。
在本申请的其他实施例中，衬底为α相单晶蓝宝石，晶向包括：(0001)Al2O3、
Figure BDA0003839168600000031
Al2O3、/>
Figure BDA0003839168600000032
Al2O3。
在本申请的其他实施例中，衬底包括2寸晶圆、4寸晶圆或者6寸晶圆。
在本申请的其他实施例中，衬底包括单面抛光或者双面抛光。
在本申请的其他实施例中，衬底表面结构包括平片衬底、表面图形化衬底或者纳米表面图形化衬底。
在本申请的其他实施例中，进行外延生长包括：将清洗后的衬底置于金属有机物气相外延中进行器件的外延生长。
在本申请的其他实施例中，氮化物器件包括：UVC-LED器件、UVB-LED器件。
在本申请的其他实施例中，多个测试结果包括：最适合生长UVB-LED正向导通电压；或者最适合生长UVC-LED波长。
第二方面，本申请提供一种氮化物器件，氮化物器件的同一衬底表面具有厚度连续变化的氮化物单晶模板。
该氮化物器件，通过设置同一衬底表面具有厚度连续变化的氮化物单晶模板，只需要在氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据最优位置，确定氮化物单晶模板的最优厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本申请实施例1实验结果(图片做了灰度处理)；
图2是本申请实施例2实验结果(图片做了灰度处理)；
图3是本申请对比例1实验结果(图片做了灰度处理)；
图4是本申请对比例2实验结果(图片做了灰度处理)。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
因此，以下对本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施方式提供一种氮化物器件的高通量测试方法，包括以下步骤：
步骤S1、制备表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底。
表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底的制备方法包括：
利用磁控溅射法在衬底表面制备形成氮化物单晶薄膜，又称为氮化物模板。
在本申请一些实施方式中，当利用磁控溅射法时，制备的氮化物单晶薄膜为氮化铝单晶薄膜，并对氮化铝单晶薄膜高温退火；制备的氮化物单晶薄膜厚度为100nm～5μm。
示例性地，制备的氮化物单晶薄膜厚度为400nm、500nm、600nm、700nm、800nm或者1μm。
进一步地，在本申请一些实施方式中，衬底为α相单晶蓝宝石，晶向包括：(0001)Al2O3、
Figure BDA0003839168600000051
Al2O3、/>
Figure BDA0003839168600000052
Al2O3。
在本申请其他可选的实施方式中，也可以选择其他晶向。
进一步地，在本申请一些实施方式中，衬底包括2寸晶圆、4寸晶圆或者6寸晶圆。
在本申请其他可选的实施方式中，也可以选择其他尺寸的衬底。
进一步地，在本申请一些实施方式中，衬底包括单面抛光或者双面抛光。
进一步地，在本申请一些实施方式中，衬底表面结构包括平片衬底、表面图形化衬底或者纳米表面图形化衬底。
步骤S2、将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中。
进一步地，在本申请一些实施方式中，衬底具有提出端和相对的最底端。
进一步地，在本申请一些实施方式中，将表面形成有氮化物单晶模板的衬底置于刻蚀液中包括：
将衬底竖直浸入刻蚀液，使衬底全部浸没在刻蚀液的液面以下，且最底端位于液面下最低处，提出端位于液面下最高处。
进一步地，在本申请一些实施方式中，刻蚀液为氢氧化钾溶液，氢氧化钾溶液质量浓度为10％～50％。
进一步地可选地，氢氧化钾溶液质量浓度为15％～49％；进一步地可选地，氢氧化钾溶液质量浓度为16％～48％；示例性地，氢氧化钾溶液质量浓度为17％、20％、25％、30％、35％、40％或者45％。
步骤S3、将表面形成有氮化物单晶薄膜提出于刻蚀液，每浸泡5min-15min，将衬底向上提升8mm～1cm，直至衬底完全脱离液体表面。
在本申请一些实施方式中，每浸泡5min-15min，将衬底向上提升8.5mm～1cm。进一步可选地，在本申请一些实施方式中，每浸泡5min-15min，将衬底向上提升9mm～1cm。
进一步可选地，在本申请一些实施方式中，每浸泡6min-14min，将衬底向上提升8mm～1cm。
示例性地，每浸泡10min，将衬底向上提升1cm；每浸泡7min，将衬底向上提升9mm；或者每浸泡12min，将衬底向上提升9.5mm。
进一步地，在本申请一些实施方式中，提出的过程，保持衬底的提出端相对固定；提出端最先提出于刻蚀液的液面，最底端最后提出于刻蚀液的液面。
应理解，上述相对固定是指衬底相对于提出设备保持固定，相对于刻蚀液为匀速上升。
提拉出的氮化物模板度由于不同区域在氢氧化钾溶液中刻蚀时间不同，因此不同区域具有不同的模板厚度，由于提拉过程是一个连续过程，因此模板厚度沿提拉方向连续变化；得到一个模板厚度连续变化的氮化物单晶模板。
步骤S4、将刻蚀后的衬底清洗并干燥。
在本申请一些实施方式中，将前述步骤S3刻蚀后的衬底先后置于蒸馏水、乙醇与丙酮中进行清洗干净并吹干。
步骤S5、将衬底进行外延生长并对外延片进行流片处理，获得氮化物器件。
在本申请一些实施方式中，进行外延生长包括：将清洗后的衬底置于金属有机物气相外延中进行器件的外延生长。
上述对外延片进行流片处理采用本领域常规流片处理工艺即可。
进一步地，在本申请一些实施方式中，氮化物器件包括：UVC-LED器件、UVB-LED器件。
步骤S6、在氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据最优位置，确定氮化物单晶模板的最优厚度。
晶圆流片成为器件后，通过选择不同区域的器件进行测试，可得出不同模板厚度对上层半导体器件性能的影响规律，从而实现在一片晶圆上实现模板厚度渐变的多种半导体器件制备，最终快速筛选最佳模板厚度的选择。
进一步地，在本申请一些实施方式中，多个测试结果包括：最适合生长UVB-LED正向导通电压；或者最适合生长UVC-LED波长。
本申请一些实施方式提供氮化物器件，氮化物器件的同一衬底表面具有厚度渐变的氮化物单晶模板。该氮化物单晶模板为上述任一实施方式中形成的氮化物单晶模板。
该光学器件，该氮化物器件，通过设置同一衬底表面具有厚度渐变的氮化物单晶模板，只需要在氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据最优位置，确定氮化物单晶模板的最优厚度。
以下结合实施例进一步详细描述本申请的方案：
实施例1
提供一种对氮化铝模板基UVC-LED器件的高通量测试方法，包括以下步骤：
1)选择单面抛光的2寸(0001)晶面的蓝宝石衬底，利用丙酮进行超声清洗10分钟后，用氮气吹干；
2)将清洁干净的蓝宝石衬底置于反应溅射腔体中，在蓝宝石表面生长氮化铝薄膜，所用靶材为单质铝靶，溅射功率为3000W，溅射温度为500℃，背景气体为氮气与氩气的混合气，气体体积比例N2：Ar为5：1，溅射时间为100秒，制备氮化铝厚度为500nm；
3)将制备好的氮化铝薄膜以面对面对片的形式置于管式退火炉中，样品载体为石墨材质，将退火温度设定为1700℃，退火时间设定为300分钟，退火气氛为常压大气环境，退火后氮气常压环境冷却至室温取出，获得蓝宝石衬底上重结晶的六方相氮化铝单晶薄膜，即制得六方相单晶氮化铝模板；
4)将制备好的六方相单晶氮化铝模板置于质量比为30％的氢氧化钾腐蚀液中，固定住氮化铝衬底晶圆的一端使其完全浸入氢氧化钾溶液，浸泡10min后，将样品向上提8mm～1cm距离，随后过10min浸泡后，再向上提出1cm，重复若干次，直到完全脱离液体表面，获得厚度呈五个梯度变化的蓝宝石衬底上六方相单晶氮化铝模板；
5)对刻蚀后的六方相单晶氮化铝模板进行化学清洗，利用丙酮进行超声清洗10分钟，后用氮气吹干；
6)将清洗干净的六方相单晶氮化铝模板置于金属有机物气相外延中，进行UVC-LED的外延生长，之后将外延片进行流片处理，获得楔形AlN模板上的UVC-LED外延片芯片；
7)对不同区域的UVC-LED外延片芯片进行点测，获得芯片数据，进行分析系统性分析，寻找到性能最优的芯片位置，并确定对UVC-LED性能最优的AlN模板厚度。结果见图1。
通过椭偏仪可知，每15min的刻蚀厚度大概为50nm左右，因此几个渐变区域的AlN模板厚度分别为450nm、400nm、350nm、300nm、250nm和200nm。由发光结果可知由于受到刻蚀作用，氮化铝模板的厚度发生变化，随之影响上层UVC-LED的发光波长，由图1可知，外延所得UVC-LED的外延片沿着浸泡提拉方向存在着明显的梯度分布，说明不同浸泡时间区域的AlN衬底对上层UVC-LED发光波长具有十分明显的影响，此外，我们可发现随着浸泡时间的增长，氮化铝模板区域厚度的不断降低，发光波长逐步增大，说明氮化铝模板区域厚度越薄，产生的压应力状态越弱，因此在AlGaN发光量子阱区域生长时Al的组分偏低，导致了发光波长向更长的方向移动。而根据结果可知，在该LED生长条件下，AlN模板区域的厚度450nm、400nm、350nm、300nm、250nm与200nm分别对应的最适合生长UVC-LED波长分别为270～272nm、272～284nm、274～276nm、276～278nm、278～280nm和280～300nm。进一步优选为：AlN模板区域的厚度450nm、400nm、350nm、300nm、250nm与200nm分别对应的最适合生长UVC-LED波长分别为271nm、273nm、275nm、277nm、279nm和290nm。
实施例2
提供一种对氮化铝模板基UVB-LED器件的高通量测试方法，包括以下步骤：
1)选择单面抛光的2寸(0001)晶面的蓝宝石衬底，利用丙酮进行超声清洗10分钟后，用氮气吹干；
2)将清洁干净的蓝宝石衬底置于反应溅射腔体中，在蓝宝石表面生长氮化铝薄膜，所用靶材为单质铝靶，溅射功率为3000W，溅射温度为500℃，背景气体为氮气与氩气的混合气，气体体积比例N2：Ar为5：1，溅射时间为100秒，制备氮化铝厚度为500nm；
3)将制备好的氮化铝薄膜以面对面对片的形式置于管式退火炉中，样品载体为石墨材质，将退火温度设定为1700℃，退火时间设定为300分钟，退火气氛为常压大气环境，退火后氮气常压环境冷却至室温取出，获得蓝宝石衬底上重结晶的六方相氮化铝单晶薄膜，即制得六方相单晶氮化铝单晶模板；
4)将制备好的六方相单晶氮化铝单晶模板置于质量比为30％的氢氧化钾腐蚀液中，固定住氮化铝衬底晶圆的一端使其完全浸入氢氧化钾溶液，浸泡10min后，将样品向上提8mm～1cm距离，随后过10min浸泡后，再向上提出1cm，重复若干次，直到完全脱离液体表面，获得厚度呈五个梯度变化的蓝宝石衬底上六方相单晶氮化铝模板；
5)对刻蚀后的六方相单晶氮化铝模板进行化学清洗，利用丙酮进行超声清洗10分钟，后用氮气吹干；
6)将清洗干净的六方相单晶氮化铝模板置于金属有机物气相外延中，进行UVB-LED的外延生长，之后将外延片进行流片处理，获得楔形AlN模板上的UVB-LED外延片芯片；
7)对不同区域的UVB-LED外延片芯片进行点测，获得芯片数据，进行分析系统性分析，寻找到性能最优的芯片位置，并确定对UVC-LED性能最优的AlN模板厚度，结果见图2。
通过椭偏仪可知，每15min的刻蚀厚度大概为50nm左右，因此几个渐变区域的AlN模板厚度分别为450nm、400nm、350nm、300nm、250nm、200nm。由发光结果可知由于受到刻蚀作用，氮化铝模板的厚度发生变化，随之影响上层UVB-LED的芯片正向电压，由图2可知，外延所得UVB-LED的外延片沿着浸泡提拉方向存在着明显的梯度分布，说明不同浸泡时间区域的AlN衬底对上层UVB-LED芯片导通正向具有十分明显的影响，此外，我们可发现随着浸泡时间的增长，氮化铝模板区域厚度的不断降低，电压逐渐降低，说明氮化铝模板区域厚度越薄，产生的压应力状态越弱，因此在AlGaN发光量子阱区域生长时Al的组分偏低，导致了电阻率更低。而根据结果可知，在该LED生长条件下，AlN模板区域的厚度450nm、400nm、350nm、300nm、250nm与200nm分别对应的最适合生长UVB-LED正向导通电压分别为6.8～7V、6.6～6.8V、6.4～6.6V、6.2～6.4V、6.0～6.2V和6V以下。
对比例1
提供一种对氮化铝模板基UVC-LED器件的高通量测试方法，包括以下步骤：
1)选择单面抛光的2寸(0001)晶面的蓝宝石衬底，利用丙酮进行超声清洗10分钟后，用氮气吹干；
2)将清洁干净的蓝宝石衬底置于反应溅射腔体中，在蓝宝石表面生长氮化铝薄膜，所用靶材为单质铝靶，溅射功率为3000W，溅射温度为500℃，背景气体为氮气与氩气的混合气，气体体积比例N2：Ar为5：1，溅射时间为60秒，制备氮化铝厚度为300nm；
3)将制备好的氮化铝薄膜以面对面对片的形式置于管式退火炉中，样品载体为石墨材质，将退火温度设定为1700℃，退火时间设定为300分钟，退火气氛为常压大气环境，退火后氮气常压环境冷却至室温取出，获得蓝宝石衬底上重结晶的六方相氮化铝单晶薄膜，即制得六方相单晶氮化铝模板；
4)对退火后的六方相单晶氮化铝模板进行化学清洗，利用丙酮进行超声清洗10分钟，后用氮气吹干；
5)将清洗干净的六方相单晶氮化铝模板置于金属有机物气相外延中，进行UVC-LED的外延生长，之后将外延片进行流片处理，获得楔形AlN模板上的UVC-LED外延片芯片；
7)对不同区域的UVC-LED外延片芯片进行点测，获得发光波长数据，进行分析系统性分析。结果见图3。
由图3结果可知，厚度为300nmAlN模板样品的发光较为均匀，均集中在276～278nm区域范围内，而且整片相对均匀。
对比例2
提供一种对氮化铝模板基UVC-LED器件的高通量测试方法，包括以下步骤：
1)选择单面抛光的2寸(0001)晶面的蓝宝石衬底，利用丙酮进行超声清洗10分钟后，用氮气吹干；
2)将清洁干净的蓝宝石衬底置于反应溅射腔体中，在蓝宝石表面生长氮化铝薄膜，所用靶材为单质铝靶，溅射功率为3000W，溅射温度为500℃，背景气体为氮气与氩气的混合气，气体体积比例N2：Ar为5：1，溅射时间为100秒，制备氮化铝厚度为500nm；
3)将制备好的氮化铝薄膜以面对面对片的形式置于管式退火炉中，样品载体为石墨材质，将退火温度设定为1700℃，退火时间设定为300分钟，退火气氛为常压大气环境，退火后氮气常压环境冷却至室温取出，获得蓝宝石衬底上重结晶的六方相氮化铝单晶薄膜，即制得六方相单晶氮化铝模板；
4)将制备好的六方相单晶氮化铝模板置于质量比为30％的氢氧化钾腐蚀液中，整片浸入溶液中进行刻蚀，75min后取出；
5)对刻蚀后的六方相单晶氮化铝模板进行化学清洗，利用丙酮进行超声清洗10分钟，后用氮气吹干；
6)将清洗干净的六方相单晶氮化铝模板置于金属有机物气相外延中，进行UVC-LED的外延生长，之后将外延片进行流片处理，获得刻蚀后AlN模板上的UVC-LED外延片芯片；
7)对不同区域的UVC-LED外延片芯片进行点测，获得芯片发光波长数据，进行分析系统性分析，结果见图4。
由图4结果可知，厚度为经整片刻蚀过的AlN模板样品的发光较为均匀，均集中在278～280nm区域范围内，而且整片相对均匀。
综上，本申请的方法在同一衬底上制备具有连续渐变厚度氮化物模板的制备方法，并通过后续继续生长不同结构的AlGaN基光电子或电力电子器件，最终在同样一张衬底上实现具有连续渐变厚度模板的器件，并通过在上层选区测试器件的方式，寻找到最佳的模板厚度，该方案操作简单，筛选效率高，因此及其适合器件外延条件摸索。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，包括：
将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中，每浸泡5min-15min，将所述衬底向上提升8mm～1cm，直至所述衬底完全脱离液体表面；
将刻蚀后的所述衬底清洗并干燥；然后将所述衬底进行外延生长并对外延片进行流片处理，获得氮化物器件；
在所述氮化物器件的表面不同位置进行测试，并进行分析，得到多个测试结果，对所述多个测试结果进行比对，确定最优位置，根据所述最优位置，确定所述氮化物器件的最优厚度；
所述衬底具有提出端和相对的最底端；
所述将表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底置于刻蚀液中包括：
将所述衬底竖直浸入所述刻蚀液，使所述衬底全部浸没在所述刻蚀液的液面以下，且所述最底端位于所述液面下最低处，所述提出端位于所述液面下最高处。
2.根据权利要求1所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述每浸泡5-15min，将所述衬底向上提升8.5mm～1cm。
3.根据权利要求1所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述提出的过程，保持所述衬底的所述提出端相对固定；所述提出端最先提出于所述刻蚀液的液面，所述最底端最后提出于所述刻蚀液的液面。
4.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述刻蚀液为氢氧化钾溶液，所述氢氧化钾溶液质量浓度为10％～50％。
5.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述表面形成有氮化物单晶薄膜的衬底的制备方法包括：
利用磁控溅射法在所述衬底表面制备形成所述氮化物单晶薄膜；
制备的所述氮化物单晶薄膜厚度为100nm～5μm。
6.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述衬底为α相单晶蓝宝石，晶向包括：(0001)Al2O3、
Figure FDA0004256788700000021
7.根据权利要求6所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述衬底包括2寸晶圆、4寸晶圆或者6寸晶圆。
8.根据权利要求6所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，所述衬底包括单面抛光或者双面抛光。
9.根据权利要求6所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述衬底表面结构包括平片衬底、表面图形化衬底或者纳米表面图形化衬底。
10.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述进行外延生长包括：将清洗后的所述衬底置于金属有机物气相外延中进行器件的外延生长。
11.根据权利要求1或2所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述氮化物器件包括：UVC-LED器件、UVB-LED器件。
12.根据权利要求11所述的氮化物器件的高通量测试方法，其特征在于，
所述多个测试结果包括：所述氮化物器件为UVB-LED器件时最适合生长UVB-LED正向导通电压；或者所述氮化物器件为UVC-LED器件时，最适合生长UVC-LED波长。
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