CN115756210A - 检测装置及检测装置的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供检测装置及检测装置的驱动方法，改善悬停检测的准确度。该检测装置具有：多个检测电极，在行方向及列方向上排列，检测接近的对象物；多条布线，分别与所述多个检测电极连接；检测电路，与所述多条布线连接，根据多个检测期间检测所述多个检测电极的电压；以及运算电路，与所述检测电路连接，使用所述检测电路检测出的所述多个检测电极的电压来计算所述接近的对象物的位置，所述检测电路从所述多个检测电极中将在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极作为检测单位，所述多个检测期间连续出现，在所述多个检测期间的连续中，使得在每个所述检测期间内，所述检测单位中包括的所述检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。

Description

检测装置及检测装置的驱动方法
技术领域
本发明涉及检测装置及检测装置的驱动方法。
背景技术
作为用于用户对显示装置输入信息的接口，已知的有触摸面板或接近传感器。通过在显示装置中具备触摸面板或接近传感器，操作者能够使用操作者自身的手指或触摸笔来操作在画面上显示的输入按钮或图标等。具备接近传感器的显示装置具备所谓的悬停检测(接近检测)功能，在不使操作者自身的手指接触画面的状态下检测例如操作者自身的手指的接近状态。
例如，具备悬停检测功能的显示装置具备多个能够进行悬停检测的电极。在以下的说明中，具备悬停检测功能的显示装置或具备悬停检测功能的装置被统称为检测装置，能够进行悬停检测的电极被称为检测电极。近年来，开发了一种通过捆扎多个检测电极来提高悬停检测的灵敏度的检测装置(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-166921号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
已知在检测装置中，根据检测装置内的检测电极的位置，悬停检测的准确度不同。近年来，随着悬停检测的准确度不同，悬停检测的检测准确度的降低成为课题。
在本发明的一实施方式中，鉴于上述问题，其目的之一在于提供一种改善悬停检测的准确度的检测装置。
用于解决技术问题的方案
一种检测装置，具有：多个检测电极，在行方向及列方向上排列，检测接近的对象物；多条布线，分别与所述多个检测电极连接；检测电路，与所述多条布线连接，根据多个检测期间检测所述多个检测电极的电压；以及运算电路，与所述检测电路连接，使用所述检测电路检测出的所述多个检测电极的电压，计算所述接近的对象物的位置，所述检测电路从所述多个检测电极中将在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极作为检测单位，所述多个检测期间连续出现，在所述多个检测期间的连续中，使得在每个所述检测期间内，所述检测单位中包括的所述检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。
一种检测装置的驱动方法，所述检测装置具有：多个检测电极，在行方向及列方向上排列，检测接近的对象物；多条布线，分别与所述多个检测电极连接；检测电路，与所述多条布线连接；以及运算电路，与所述检测电路连接，在检测装置的驱动方法中，从所述多个检测电极中将在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极作为检测单位，根据多个检测期间检测所述多个检测电极的电压，使用所述检测出的所述多个检测电极的电压，计算所述接近的对象物的位置，所述多个检测期间连续出现，在所述多个检测期间的连续中，使得在每个所述检测期间内，所述检测单位中包括的所述检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。
附图说明
图1是示出本发明的一实施方式所涉及的检测装置的构成的示意性的俯视图。
图2是示出本发明的一实施方式所涉及的检测装置的构成的示意性的俯视图。
图3是示出本发明的一实施方式所涉及的检测装置具有的功能构成的俯视图。
图4是示出本发明的一实施方式所涉及的检测装置具有的功能构成的俯视图。
图5是用于说明自静电电容方式中的电压变化检测的一例的图。
图6是本发明的一实施方式所涉及的显示面板的示意性的端部截面图。
图7是本发明的一实施方式所涉及的显示面板的像素构成的等效电路图。
图8是示出本发明的一实施方式所涉及的像素布局的一例的图。
图9是本发明的一实施方式所涉及的像素的示意性的端部截面图。
图10是示出本发明的一实施方式所涉及的检测电极、电极连接电路及检测电路的构成的示意性的俯视图。
图11是用于说明本发明的一实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的流程图。
图12是用于说明本发明的一实施方式所涉及的检测装置的构成(单元0(unit0))的图。
图13是用于说明本发明的一实施方式所涉及的检测装置的构成(单元1(unit1))的图。
图14是用于说明本发明的一实施方式所涉及的检测装置的构成(单元2(unit2))的图。
图15是用于说明本发明的一实施方式所涉及的检测装置的构成(单元3(unit3))的图。
图16是用于说明本发明的一实施方式所涉及的束扫描0中的检测对象物与检测装置的位置关系的一例的图。
图17是用于说明本发明的一实施方式所涉及的束扫描1中的检测对象物与检测装置的位置关系的一例的图。
图18是用于说明本发明的一实施方式所涉及的束扫描2中的检测对象物与检测装置的位置关系的一例的图。
图19是用于说明本发明的一实施方式所涉及的束扫描3中的检测对象物与检测装置的位置关系的一例的图。
图20是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的时序图。
图21是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的流程图。
图22是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的步骤413(S413)的图。
图23是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的步骤415(S415)的图。
图24是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的步骤415(S415)的图。
图25是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的流程图。
图26是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的流程图。
图27是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的流程图。
图28是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的流程图。
图29是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法中的束扫描4(bundlescan4)的图。
图30是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法中的束扫描5(bundlescan5)的图。
图31是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法中的束扫描6(bundlescan6)的图。
图32是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法中的束扫描7(bundlescan7)的图。
图33是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法中的束扫描8(bundlescan8)的图。
图34是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法的各束扫描中的检测电极的尺寸比的一例的图。
图35是示出本发明的第四实施方式所涉及的检测电极、电极连接电路及检测电路的构成的示意性的俯视图。
图36是示出本发明的第五实施方式所涉及的检测电极、电极连接电路及检测电路的构成的示意性的俯视图。
图37是示出本发明的第六实施方式所涉及的检测装置的构成的示意性的俯视图。
图38是示出本发明的第六实施方式所涉及的检测装置具有的功能构成的俯视图。
图39是本发明的一实施方式所涉及的检测装置的示意性的端部截面图。
附图标记说明
10：检测装置；12：栅极驱动器；13：源极驱动器；14：驱动电极驱动器；20：基板；30：TFT阵列层；31：平坦化膜；32：半导体膜；33：栅极绝缘膜；35：层间膜；39a：第一开口部；39b：第一开口部；40：检测电极层；42：有机膜；47：有机绝缘膜；50：连接布线层；55：第一连接布线；56：第三开口部；57：有机膜；60：第一取向膜；62：像素电极；70：液晶层；80：第二取向膜；90：滤色器层；100：对置基板；102：检测面；106：基底膜；122：显示部；124：接近传感器部；126：周边部；138a：狭缝；140：电极层；150：柔性印刷基板；170：晶体管；180：检测电极；194：第二开口部；200：控制电路；210：布线；212：布线；213：布线；214：布线；216：布线；220：像素；222：源极布线；222a：源极布线；222b：源极布线；224：栅极布线；230：晶体管；232：栅极电极；234：源极电极；234a：源极电极；234b：源极电极；236：漏极电极；238：保持电容；240：液晶元件；300：电极选择电路；310：多路复用器；400：检测电路；410：检测信号放大电路；414：模拟放大器；415：放大电路；420：AD转换电路；430：信号处理电路；440：检测定时控制电路；490：检测对象物；500：运算电路；510：信号处理电路；520：坐标计算电路；530：差值计算电路；540：比较判定电路；600：显示面板；700：检测装置；710：检测面板。
具体实施方式
下面参照附图等对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明能够以多种不同的方式实施，并不限定于以下示出的实施方式的记载内容来解释。另外，为了使说明更明确，与实际的方式相比，附图中有时会示意性地表示各部分的构成等，但这仅仅是示例，并不限定本发明的解释。而且，在本说明书和各图中，对于与在已经出现的图中进行了说明的要素相同的要素赋予相同的附图标记(或者在数字之后标注了A、B、a、b等的附图标记)，有时会适当省略详细的说明。需要说明的是，对各要素标注了“第一”、“第二”的文字是为了区分各要素而使用的方便的标识，只要没有特别的说明，就不具有其他更多含义。
<1.第一实施方式>
<1-1.检测装置10的硬件构成>
图1是示出本发明的一实施方式所涉及的检测装置10的一例的示意性的俯视图。图2是示出本发明的一实施方式所涉及的显示面板600的一例的示意性的俯视图。图1及图4所示的检测装置10的硬件构成是一个示例，检测装置10的硬件构成并不限于图1及图2所示的构成。
如图1或图2所示，检测装置10具有柔性印刷基板150、电极选择电路300、检测电路400、运算电路500及显示面板600。
显示面板600及运算电路500使用柔性印刷基板150电连接。检测电路400设置在柔性印刷基板150上。
显示面板600具有基板20、对置基板100、显示部122、接近传感器部124、周边部126、控制电路200、布线210、布线212、布线213、布线214、布线216及电极选择电路300。
基板20及对置基板100通过设置在基板20与对置基板100之间的密封部(省略图示)而贴合。密封部设置于周边部126。显示部122、接近传感器部124及周边部126设置在基板20上。布线210、布线212、布线213、布线214及布线216配置在基板20上。
显示部122及接近传感器部124被对置基板100和周边部126包围。在显示部122中，多个像素220在左右方向(行方向、X方向)及上下方向(列方向、Y方向)上配置成矩阵状。多个像素220分别使用布线210及布线212与控制电路200及电极选择电路300电连接。在接近传感器部124中，多个检测电极180在左右方向(行方向、X方向)及上下方向(列方向、Y方向)上配置成矩阵状。多个检测电极180分别使用布线214与电极选择电路300电连接。
详细情况将在后面描述，在检测装置10中，用于检测检测对象物的一个接近传感器HS(图10)使用多个检测电极180中的k(k为正整数)个电极构成。检测装置10使用多个使用k个电极构成的接近传感器HS来检测检测对象物。在检测装置10中，例如系数k为4。在检测装置10中，检测对象物被称为“接近的对象物”。接近传感器HS从多个检测电极180中将在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极(k＝4时为四个检测电极)作为检测单位，检测检测对象物的电压(电压的变化)。
控制电路200例如以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式、COF(Chip on Film：覆晶薄膜)方式与布线213及布线216电连接。另外，控制电路200使用布线213与电极选择电路300电连接。控制电路200及电极选择电路300使用布线216与多个端子(省略图示)电连接。在端子部(省略图示)中配置有多个端子。多个端子与柔性印刷基板150电连接。控制电路200、电极选择电路300及端子部在Y方向上配置在从对置基板100露出的基板20上。
多个像素220的排列例如是条纹排列。多个像素220例如可以分别与子像素R、子像素G、子像素B对应。一个像素也可以由三个子像素形成。像素220是构成由显示部122再现的图像的一部分的最小单位。各子像素具备一个显示元件。显示元件例如是液晶元件、有机电致发光(EL)元件等。在本实施方式的例子中，显示元件是液晶元件240(图7)。子像素所对应的颜色由液晶元件240或设置在子像素上的滤色器(省略图示)的特性确定。
在条纹排列中，子像素R、子像素G、子像素B可以构成为提供相互不同的颜色。例如，子像素R、子像素G、子像素B可以分别具备发出红色、绿色、蓝色的三原色的滤色器层90(图5)。向三个子像素分别供给任意的电压或电流，显示面板600能够显示图像。
例如，源极布线222与布线212连接且在Y方向上延伸，并且与配置在Y方向上的多个像素220连接。例如，栅极布线224与布线210连接且在X方向上延伸，并且与配置在X方向上的多个像素220连接。
<1-2.检测装置10具有的功能构成>
图3及图4是示出检测装置10具有的功能构成的俯视图。图3及图4所示的检测装置10具有的功能构成是一个示例，检测装置10具有的功能构成并不限于图3及图4所示的构成。对于与图1及图2相同或相似的构成，在此省略说明。
检测装置10能够进行显示动作及接近检测动作。在这种情况下，控制电路200能够执行使用显示部122显示图像的显示动作及使用接近传感器部124检测检测对象物490的位置的接近检测动作。例如，在检测装置10中，显示动作及接近检测动作可以分时执行，也可以执行显示动作或接近检测动作中的任意一种。
在检测装置10中，使用接近传感器部124中包括的多个接近传感器HS(图10)，能够以自静电电容方式执行接近检测动作。在检测装置10中，接近检测动作可以是检测对象物490与检测面102分离而被检测出的悬停检测动作(非接触检测)，也可以是检测对象物与检测面102接触而被检测出的触摸检测(接触检测)。具体而言，在检测装置10中，触摸检测表示在检测对象物490与检测面102接触的状态或者与接触的状态等同地接近的状态(接触状态)下，检测检测对象物490的位置。另外，悬停检测表示在检测对象物490不与检测面102接触的状态或者不与接触等同地接近的状态(非接触状态)下，检测检测对象物490的位置或动作。需要说明的是，在本发明的一实施方式所涉及的检测装置10中，检测面102与显示面相同。
在接近检测动作中，检测装置10执行检测包括多个检测电极180(图2)各自的初始状态的电压的初始信号Vini1的基线扫描、以及在检测对象物490接近时通过将多个检测电极180捆束来检测包括多个检测电极180(图2)各自的电压的检测信号Vdet1的束扫描。接近检测动作中的基线扫描及束扫描的详细情况将在后面描述，例如检测装置10分别执行四次基线扫描及束扫描。检测装置10例如分时执行基线扫描0～3及束扫描0～3。
在检测装置10的基线扫描及束扫描中，对检测装置10执行Y方向、X方向的重叠扫描。在检测装置10中，使用包括多个检测电极180的接近传感器HS进行控制，使得当比较多次束扫描的前后的扫描时，执行重叠扫描多个检测电极180的一部分的重叠扫描。其结果，能够抑制检测对象物490被多个接近传感器HS检测到，改善检测对象物490的检测位置坐标的检测准确度。
<1-2-1.控制电路200的功能构成>
如图3所示，控制电路200具有栅极驱动器12、源极驱动器13及驱动电极驱动器14。控制电路200例如从运算电路500被供给视频控制信号Vdisp。控制电路200是使用视频控制信号Vdisp向栅极驱动器12、源极驱动器13、驱动电极驱动器14、电极选择电路300及检测电路400供给控制信号，来控制显示动作和接近检测动作的电路。
栅极驱动器12是使用从控制电路200供给的控制信号向与显示部122中包括的多个像素220(图2)连接的栅极布线供给扫描信号Vscan的电路。例如，栅极驱动器12依次或同时选择成为显示动作的对象的栅极布线。
源极驱动器13是向与显示部122中包括的多个像素220(图2)连接的源极布线供给与多个像素220分别对应的图像信号Vpix的电路。需要说明的是，源极驱动器13的功能的一部分也可以搭载在显示面板600上。在这种情况下，控制电路200也可以生成图像信号Vpix，并将所生成的图像信号Vpix供给到源极驱动器13。
驱动电极驱动器14例如是在显示动作中经由电极选择电路300向成为显示面板600的公共电极的检测电极180供给控制信号Vcom的电路。另外，驱动电极驱动器14是例如在接近检测动作中经由电极选择电路300向显示面板600的检测电极180供给控制信号Vhs的电路。
<1-2-2.电极选择电路300的功能构成>
如图1～图3所示，电极选择电路300配置在接近传感器部124与检测电路400之间。电极选择电路300是使用从控制电路200(驱动电极驱动器14)经由检测电路400供给的控制信号Vhs来切换成为接近检测动作的对象的检测电极180(图2)与检测电路400的连接和切断的电路。例如，在一个接近传感器HS使用四个(系数k为4)检测电极180构成的情况下，电极选择电路300切换接近传感器部124中包括的多个检测电极180中的、在X方向及Y方向上彼此相邻的四个检测电极180的连接和切断，电极选择电路300对多个接近传感器HS分别切换对应的四个检测电极180的连接和切断。例如，检测装置10能够分时地分别执行束扫描0～束扫描3，并在各束扫描中，切换四个检测电极180与检测电路400中包括的检测信号放大电路410的连接和切断，使得分别分时地单独扫描与一个接近传感器HS对应的第一检测电极、第二检测电极、第三检测电极及第四检测电极。另外，例如，检测装置10能够分时地分别执行束扫描0～束扫描3，并在各束扫描中切换四个检测电极180与检测电路400中包括的检测信号放大电路410的连接和切断，使得同时驱动与一个接近传感器HS对应的四个检测电极180的全部。
检测电极180分别检测检测对象物490(图6)的接触或接近，并将检测信号Vdet供给到电极选择电路300。电极选择电路300对多个接近传感器HS分别使用对应的检测电极180各自的检测信号Vdet1来生成检测信号Vdet2。电极选择电路300将对多个接近传感器HS分别生成的多个检测信号Vdet2供给到检测电路400。
在检测装置10中，在基线扫描中由检测电极180分别检测出的检测信号被称为初始信号Vini1，对多个接近传感器HS分别生成的检测信号被称为初始信号Vini2。
<1-2-3.检测电路400的功能构成>
在接近检测动作中，如图3所示，检测电路400从驱动电极驱动器14被供给控制信号Vhs，并从显示面板600(电极选择电路300)被供给检测信号Vdet2及初始信号Vini2。检测电路400是使用控制信号Vhs及检测信号Vdet2或初始信号Vini2来检测接近检测面102的检测对象物490的电路。
如图4所示，检测电路400具有检测信号放大电路410、AD转换电路420、信号处理电路430及检测定时控制电路440。检测定时控制电路440使用从控制电路200(驱动电极驱动器14)供给的控制信号Vhs进行控制，使得检测信号放大电路410、AD转换电路420及信号处理电路430同步进行动作。
检测电路400(检测信号放大电路410)经由电极选择电路300被串行地供给对多个接近传感器HS分别生成的多个检测信号Vdet2及初始信号Vini2。检测信号放大电路410经由控制电路200及检测定时控制电路440被供给控制信号Vhs。检测信号放大电路410使用多个检测信号Vdet2、初始信号Vini2及控制信号Vhs，与控制信号Vhs同步地放大多个检测信号Vdet2及多个初始信号Vini2。检测信号放大电路410也可以构成为在放大多个检测信号Vdet2及多个初始信号Vini2的同时，例如抑制多个检测信号Vdet2及多个初始信号Vini2的噪声。
AD转换电路420在与控制信号Vhs同步的定时，对从检测信号放大电路410串行地供给的多个模拟信号分别进行采样，并转换为数字信号。AD转换电路420将所生成的多个数字信号串行地供给到信号处理电路430。在检测装置10中，可以具备用于读出多个检测信号Vdet2及多个初始信号Vini2的读出电路，读出电路也可以包括AD转换电路420。
信号处理电路430例如包括数字信号处理器(DSP)、易失性存储器及非易失性存储器。信号处理电路430与控制信号Vhs同步地对从AD转换电路420供给的多个数字信号中包括的数据进行运算处理，将多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb串行地供给到运算电路500。信号处理电路430使用数字信号处理器中包括的乘法器及加法器，能够使该多个数字信号中包括的数据的运算处理高速化。例如，信号处理电路430能够去除该多个数字信号中包括的噪声，并形成多个数字信号的波形。在检测装置10中，输出信号Vout被称为原始数据(RawData)。
需要说明的是，检测电路400也可以设置于与控制电路200同一个集成电路(IC)，该集成电路电连接在柔性印刷基板150上。在这种情况下，控制电路200不是配置在基板20上，而是配置在柔性印刷基板150上。
<1-2-4.运算电路500的功能构成>
如图4所示，运算电路500具有信号处理电路510、坐标计算电路520、差值计算电路530及比较判定电路540。详细情况将在后面描述，运算电路500与从检测电路400供给的控制信号Hint同步地，使用从信号处理电路430供给的多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb，例如执行计算检测对象物的位置、判定是否有检测对象物、判定是否停止束扫描。
信号处理电路510具有与信号处理电路430相同的构成及功能。信号处理电路510与控制信号Hint同步地对多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb中包括的数据进行运算处理。信号处理电路510与信号处理电路430同样地，使用乘法器及加法器，能够使该多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb中包括的数据的运算处理高速化。例如，信号处理电路510能够去除该多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb中包括的噪声，并形成该多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb的波形。
坐标计算电路520是与控制信号Hint同步地使用多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb来计算检测对象物490的坐标的电路。计算出的坐标例如被供给到差值计算电路530、比较判定电路540。
差值计算电路530与控制信号Hint同步地使用多个输出信号Vout及多个初始输出信号Voutb来分别生成对应的输出信号Vout与初始输出信号Voutb的差值信号(绝对值|ΔV|)。差值计算电路530将所生成的多个绝对值|ΔV|供给到比较判定电路540。
比较判定电路540与控制信号Hint同步地使用多个绝对值|ΔV|来判定是否有检测对象物490(存在状态或非存在状态)。例如，比较判定电路540将绝对值|ΔV|与预定的阈值电压(Vth)进行比较，如果该绝对值|ΔV|小于阈值电压(Vth)，则判定为没有检测对象物(非存在状态)。比较判定电路540将绝对值|ΔV|与预定的阈值电压(Vth)进行比较，如果该绝对值|ΔV|为阈值电压(Vth)以上，则判定为有检测对象物(存在状态)。比较判定电路540当判定为有检测对象物(存在状态)时，判定是否停止束扫描。
需要说明的是，比较判定电路540可以与控制信号Hint同步地计算多个绝对值|ΔV|的总和(Sum(多个绝对值|ΔV|))，并将Sum(多个绝对值|ΔV|)与预定的阈值电压(Vth)进行比较，如果Sum(多个绝对值|ΔV|)小于阈值电压(Vth)，则可以判定为没有检测对象物(非存在状态)；将Sum(多个绝对值|ΔV|)与预定的阈值电压(Vth)进行比较，如果该Sum(多个绝对值|ΔV|)为阈值电压(Vth)以上，则判定为有检测对象物(存在状态)。比较判定电路540当判定为有检测对象物(存在状态)时，判定是否停止束扫描。
如上所述，检测装置10能够检测检测对象物490与检测面102的接触状态及非接触状态，计算检测对象物490的坐标，以高准确度计算检测对象物490的位置。
<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>
图5是用于说明本发明的一实施方式所涉及的自静电电容方式中的电压变化检测的一例的图。图5所示的检测装置10的构成是一个示例，检测装置10的构成并不限于图5所示的构成。对于与图1～图4相同或相似的构成，在此省略说明。
如图5所示，例如，电极选择电路300包括开关411及开关412。显示面板600包括具有检测面102的对置基板100以及具有静电电容C1的检测电极180。检测信号放大电路410中包括的放大电路415包括模拟放大器414、静电电容C3、开关413。开关411与检测电极180电连接，开关412电连接在检测电极180与模拟放大器414之间。开关413及静电电容C3电连接在模拟放大器414的一个输入端子与输出端子之间。模拟放大器414的另一个输入端子被供给基准电压Vref。
例如，在没有检测对象物490的非存在状态下，开关411、开关412及开关413接通，向交流矩形波Vsig及检测信号放大电路410中包括的放大电路415供给基准电压Vref，放大电路415被复位。
接着，例如在没有检测对象物490的非存在状态下，当开关411及开关412接通且预定频率的交流矩形波Vsig被供给到具有静电电容C1的检测电极180时，与静电电容C1相应的电流流动在检测电极180中。与交流矩形波Vsig相应的电压的变动是检测信号Vdet，检测信号Vdet被输入到放大电路415。在没有检测对象物490的非存在状态下输出的检测信号Vdet相当于在基线扫描中检测出的初始信号Vini1或初始信号Vini2。初始信号Vini1或初始信号Vini2在放大电路415中被放大后，在AD转换电路420中被转换为数字信号，并在信号处理电路430中被进行信号处理，然后被作为初始输出信号Voutb输出。预定频率例如是数kHz以上且数百kHz以下的频率。
接着，在有检测对象物490的存在状态下，检测对象物490与检测电极180之间的静电电容C2施加到检测电极180的静电电容C1。静电电容C2根据检测对象物490与检测电极180的距离D而产生变化。在有检测对象物490的存在状态下，当开关411及开关412接通且交流矩形波Vsig被供给到检测电极180时，与静电电容C1及静电电容C2相应的电流流动在检测电极180中。与交流矩形波Vsig相应的电压的变动是检测信号Vdet，检测信号Vdet被输入到放大电路415。在有检测对象物490的存在状态下输出的检测信号Vdet相当于在束扫描中检测出的检测信号Vdet1或检测信号Vdet2。检测信号Vdet1或检测信号Vdet2在放大电路415中被放大后，在AD转换电路420中被转换为数字信号，并在信号处理电路430中被进行信号处理，然后被作为输出信号Vout输出。
检测装置10使用存在状态下的输出信号Vout和非存在状态下的初始输出信号Voutb的差值的绝对值|ΔV|，能够计算检测对象物490的坐标(位置)。
<1-4.显示面板600的构成>
图6是显示面板600的示意性的端部截面图，是图1所示的A1和A2所表示的区域的端部截面图。图7是示出显示面板600中包括的像素220的构成的等效电路图。图8是示出像素220的布局的一例的图。图9是像素220的示意性的端部截面图，是图8所示的像素220的布局的B1和B2所表示的区域的端部截面图。图6～图9所示的显示面板600的构成是一个示例，显示面板600的构成并不限于图6～图9所示的构成。对于与图1～图5相同或相似的构成，在此省略说明。
显示面板600具有基板20、TFT阵列层30、检测电极层40、连接布线层50、第一取向膜60、液晶层70、第二取向膜80、滤色器层90及对置基板100。
TFT阵列层30包括多个晶体管170、电容元件、电阻元件及布线。TFT阵列层30配置在基板20上。检测电极层40包括有机膜42、检测电极180及布线214。检测电极层40配置在TFT阵列层30上。检测电极180及布线214配置在同一层上，且检测电极180与布线214连接。有机膜42具有第三开口部56，且覆盖检测电极180及布线214。
连接布线层50具有有机膜57、第一连接布线55。第一连接布线55经由第三开口部56与检测电极180电连接。有机膜57覆盖第一连接布线55。像素220的像素电极62配置在检测电极层40与连接布线层50之间，并配置在有机膜57上。第一取向膜60覆盖像素电极62，并配置在有机膜57上。
滤色器层90配置在与基板20相对的对置基板100上。第二取向膜80相对于滤色器层90配置在设置有对置基板100的一侧的相反侧。液晶层70被夹持在第一取向膜60与第二取向膜80之间。
如图7所示，像素220例如包括晶体管230、保持电容238及液晶元件240等元件。晶体管230包括栅极电极232、源极电极234及漏极电极236。栅极电极232与栅极布线224连接。源极电极234与源极布线222连接。漏极电极236与保持电容238及液晶元件240连接。漏极电极236和源极电极234也可以相互切换，各个电极的作为源极的功能和作为漏极的功能也可以调换。
图8所示的像素220是可应用于FFS(Fringe Field Switching：边缘场开关)模式或IPS(In Plane Switching：平面转换)模式的构成。在具有像素220的显示面板600中，在检测电极180与像素电极62之间形成横向电场(例如，边缘场中的与基板20的主面(上表面)平行或大致平行的电场)。在显示面板600中，主要利用横向电场来控制液晶层70中包括的液晶分子的取向。
像素220包括晶体管170、源极布线222(源极电极234)、栅极布线224(栅极电极232)、漏极电极236及像素电极62。晶体管170包括半导体膜32、栅极电极232、源极电极234及漏极电极236、第一开口部39a及第一开口部39b。源极电极234经由第一开口部39a与半导体膜32电连接。漏极电极236经由第一开口部39b与半导体膜32电连接。像素电极62经由第二开口部194与漏极电极236电连接。使用漏极电极236、检测电极180及平坦化膜31(图9)形成电容元件。使用检测电极180、第一连接布线55(图9)、像素电极62、有机膜57(图9)及有机膜42(图9)形成电容元件。源极电极234与源极布线222a(源极电极234a)电连接。源极布线222b(源极电极234b)是相邻的像素的源极布线。栅极电极232与栅极布线224电连接。
在像素电极62设置有多个狭缝138a。当向像素电极62和检测电极180分别供给电压时，经由多个狭缝138a，在像素电极62与检测电极180之间形成横向电场(例如，边缘场中的与基板20的主面(上表面)平行或大致平行的电场)。液晶层70中包括的液晶元件的取向由横向电场控制。其结果，显示面板600能够显示图像。
在图8所示的像素的布局中，作为一例，具有U字型形状的半导体膜32与栅极电极232交叉。需要说明的是，半导体膜32的形状并不限于图8所示的形状。形成晶体管170的半导体膜32的形状可以是L字型，也可以是I字型。另外，晶体管170的结构并不限于双栅极结构。晶体管170的结构可以是单栅极结构，也可以是以在源极电极与漏极电极之间串联或并联地排列两个以上的信道的方式具备栅极电极的多栅极结构。另外，在晶体管170中，形成半导体膜32的材料例如可列举多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
在检测装置10中，在进行接近检测动作时，检测电极180是构成接近传感器HS(图10)的电极之一。
使用图9对显示面板600的制作方法进行说明。在显示面板600的制作方法中，能够应用在显示面板的制作中使用的光刻技术。需要说明的是，在显示面板600的制作方法中，并不限于光刻技术，能够应用在本发明的技术领域中通常使用的制作方法。
TFT阵列层30形成在基板20上。TFT阵列层30包括基底膜106、半导体膜32、栅极绝缘膜33、栅极布线224(栅极电极232)、层间膜35、源极布线222(源极电极234)、漏极电极236、第一开口部39a及第一开口部39b、以及平坦化膜31。在TFT阵列层30形成有晶体管170及电容元件。
TFT阵列层30的形成方法、晶体管170及电容元件的结构、各个膜、层及各部件能够采用本发明的技术领域中通常使用的方法、部件。例如，形成平坦化膜31的材料能够使用聚酰亚胺系或丙烯酸系的树脂。通过使用聚酰亚胺系或丙烯酸系的树脂，能够使光充分透过。
在平坦化膜31上形成检测电极层40。检测电极层40由布线214(图1)、检测电极180及有机膜42构成。在形成布线214及检测电极180之后，有机膜42以覆盖布线214及检测电极180的方式进行涂敷。布线214与检测电极180形成在同一层上。通过以覆盖各电极的方式涂敷有机膜42，防止各个电极相互接触而导通。有机膜42缓和形成比有机膜42靠下的层的膜、布线或晶体管时的凹凸。因此，形成在有机膜42上的膜或图案形成在平坦的面上。
接着，形成使有机膜42开口的第三开口部56(图5)。布线214、检测电极180及第一连接布线55经由第三开口部56电连接。在有机膜42上形成连接布线层50。连接布线层50由第一连接布线55及有机膜42构成。在有机膜42上形成第一连接布线55之后，形成贯通第一连接布线55、有机膜57、布线214及检测电极180的开口部。有机绝缘膜47以覆盖第一连接布线55和该开口部的方式进行涂敷。
形成布线214、检测电极180及第一连接布线55的材料优选具有透光性且具有导电性。例如，形成布线214、检测电极180及第一连接布线55的材料可以使用ITO(Indium TinOxide：氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)。形成布线214、检测电极180及第一连接布线55的材料也可以使用以Al、Ti或W为代表的导电性金属材料的薄膜。另外，形成有机膜42及有机膜57的材料可以使用与形成平坦化膜31的材料相同的材料。
接着，形成第二开口部194。第二开口部194使有机膜57开口。接着，形成像素电极62。像素电极62经由第二开口部194与漏极电极236电连接。在形成像素电极62之后，第一取向膜60以覆盖像素电极62的方式进行涂敷。形成像素电极62的材料例如可以使用与形成检测电极180的材料相同的材料。另外，形成第一取向膜60的材料例如可以使用聚酰亚胺系的树脂。
根据以上说明的制造方法，能够制作所谓的TFT阵列侧的基板。电极选择电路300、布线213及布线216使用设置在TFT阵列侧的基板的TFT阵列层30、连接布线层50及检测电极层40的晶体管、电容、电阻、布线等形成。
接着，对所谓的相对侧的基板的制作方法进行说明。相对侧的基板具有对置基板100、滤色器层90、第二取向膜80。在对置基板100上形成滤色器层90之后，涂敷第二取向膜80。例如，滤色器层90在通过涂敷而涂敷于整个面之后，通过光刻技术形成。滤色器层90例如具有红色滤色器层、绿色滤色器层、蓝色滤色器层。形成第二取向膜80的材料例如可以使用与形成第一取向膜60的材料相同的材料。
也可以在对置基板100与滤色器层90之间形成绝缘膜。通过形成所述绝缘膜，能够使对置基板100的表面平坦。因此，由于能够使形成在所述绝缘膜上的滤色器层90平坦，因此能够抑制相邻的像素之间的混色。另外，也可以在对置基板100上或滤色器层90与第二取向膜80之间形成遮光膜。形成有遮光膜的层具有隔绝可见光的作用，另外，还能够抑制相邻的像素之间的混色。
根据以上的制造方法，能够制作相对侧的基板。
最后，将液晶层70夹持在TFT阵列侧的基板与相对侧的基板之间。例如，使用密封材料，将液晶层70夹在TFT阵列侧的基板与相对侧的基板之间，TFT阵列侧的基板贴合于相对侧的基板。而且，也可以将偏光板贴合于基板20和对置基板100中的一方或双方。这样，能够制造显示面板600。
<1-5.检测装置10的驱动方法>
图10是示出检测装置10的接近传感器部124、电极选择电路300及检测电路400的构成的示意性的俯视图。图11是用于说明检测装置10的驱动方法的流程图。图12～图15是用于说明检测装置10的驱动方法中的检测装置10的构成单元0(unit0)～单元3(unit3)的图。图16是用于说明检测装置10的驱动方法的流程图。图17～图20是用于说明本发明的一实施方式所涉及的束扫描0(BundleScan0)～束扫描3(BundleScan3)的各个扫描中的检测对象物与检测装置的位置关系的一例的图。图10～图20所示的检测装置10的驱动方法是一个示例，检测装置10的驱动方法并不限于图10～图20所示的构成。对于与图1～图9相同或相似的构成，在此省略说明。
在本说明书及附图中，在记载有检测电极180或接近传感器HS的坐标的情况下，为了便于说明，考虑到附图的易见性等，将检测电极180或接近传感器HS的坐标的记载限制在最小限度。
检测装置10能够使用图10～图20所示的检测装置10的驱动方法执行接近检测动作。
图10是在图1所示的检测装置10中主要选取了接近传感器部124、电极选择电路300及检测电路400的俯视图。相对于图1所示的检测装置10，主要详细示出了接近传感器部124、电极选择电路300及检测电路400。
在接近传感器部124配置有多个检测电极180。电极选择电路300具有多路复用器310。检测电路400具有检测信号放大电路410。检测信号放大电路410具有多个放大电路415。多个检测电极180使用布线214与多路复用器310电连接。多路复用器310使用布线216与多个放大电路415电连接。检测电极180与布线214配置在同一层上，但为了便于说明，记载为布线214在检测电极180上通过。
在图10所示的例子中，多个检测电极180配置有m列n行的m×n个。系数m及系数n是正整数。另外，在图10所示的例子中，多个检测电极180各自的坐标用(m，n)表示，但为了便于说明，坐标的记载限制在最小限度的记载。例如，位于图10的左上的1列1行的检测电极180的坐标用坐标(1，1)表示，1列2行的检测电极180的坐标用坐标(1，2)表示，1列3行的检测电极180的坐标用坐标(1，3)表示，1列n-2行的检测电极180的坐标用坐标(1，n-2)表示，1列n-1行的检测电极180的坐标用坐标(1，n-1)表示，1列n行的检测电极180的坐标用坐标(1，n)表示。同样地，位于图10的右上的m列1行的检测电极180的坐标用坐标(m，1)表示，位于图10的右下的m列n行的检测电极180的坐标用坐标(m，n)表示。
在图10所示的例子中，接近传感器HS由四个(系数k＝4)检测电极180构成。例如，多个接近传感器HS配置有M列N行的M×N个。系数M及系数N是正整数，例如，系数M和系数N的乘积是系数m和系数n的乘积的1/4。另外，在图10所示的例子中，多个接近传感器HS各自的坐标用HS(M，N)表示，但为了便于说明，坐标的记载限制在最小限度的记载。例如，位于图10的左上的1列1行的接近传感器HS的坐标用坐标HS(1，1)表示，1列2行的接近传感器HS的坐标用坐标HS(1，2)表示，1列N行的接近传感器HS的坐标用坐标HS(1，N)表示，位于图10的右上的M列1行的接近传感器HS的坐标用坐标HS(M，1)表示，位于图10的右下的M列N行的接近传感器HS的坐标用坐标HS(M，N)表示。
多路复用器310对多个接近传感器HS分别切换对应的四个检测电极180的连接和切断。多路复用器310对多个接近传感器HS分别使用对应的检测电极180各自的检测信号Vdet1(图3)来生成检测信号Vdet2(图3)。多路复用器310将对多个接近传感器HS分别生成的多个检测信号Vdet2供给到与多个接近传感器HS分别对应的放大电路415。
<1-5-1.接近检测动作>
如图11所示，在检测装置10的驱动方法中，当从控制电路200(图2)向检测电路400(检测定时控制电路440)(图2)供给控制信号Vhs时，开始进行接近检测动作。在检测装置10执行各扫描时，可以在扫描与扫描之间，从控制电路200(图2)向检测电路400(检测定时控制电路440)(图2)供给控制信号Vhs。例如，在检测装置10执行基线扫描3之后，当从控制电路200向检测电路400供给控制信号Vhs时，检测装置10可以执行束扫描0，在检测装置10执行束扫描0之后，当从控制电路200向检测电路400供给控制信号Vhs时，检测装置10也可以执行束扫描1。需要说明的是，在检测装置10的驱动方法中，图11所示的执行各扫描的顺序是一个示例，例如，也可以调换执行基线扫描0～3的顺序，也可以调换执行束扫描0～3的顺序。
在检测装置10的驱动方法中，示出系数m为20，系数n为8，系数M为10，系数N为4的例子。即，检测装置10具有由160个检测电极180构成的40个接近传感器HS。
<1-5-1-1.第一初始电压检测期间>
当接近检测动作开始时，在步骤401(S401)中，检测装置10执行基线扫描0。在基线扫描0中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图12所示的单元0(unit0)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描0的期间被称为第一初始电压检测期间，在第一初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第一初始电压。
如图12所示，在单元0(unit0)中，接近传感器HS(1，1)由坐标(1，2)、(1，3)、(2，2)及(2，3)的四个检测电极180构成，接近传感器HS(1，2)由坐标(1，3)、(1，4)、(2，3)及(2，4)的四个检测电极180构成。与接近传感器HS(1，1)及接近传感器HS(1，2)同样地，接近传感器HS(1，3)～(10，4)分别由分别对应的四个检测电极180构成。
接近传感器HS(1，1)与多路复用器310内的00信道(00ch)电连接，接近传感器HS(1，2)与多路复用器310内的01信道(01ch)电连接。与接近传感器HS(1，1)及接近传感器HS(1，2)同样地，接近传感器HS(1，3)～(10，4)分别与分别对应的多路复用器310内的信道电连接。
<1-5-1-2.第二初始电压检测期间>
在接着步骤401(S401)的步骤403(S403)中，检测装置10执行基线扫描1。在基线扫描1中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图13所示的单元1(unit1)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元1相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标移动了检测电极180的一行。例如，接近传感器HS(1，1)由坐标(1，2)、(1，3)、(2，2)及(2，3)的四个检测电极180构成，接近传感器HS(1，4)由坐标(1，8)及(2，8)的两个检测电极180构成。初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描1的期间被称为第二初始电压检测期间，在第二初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第二初始电压。
如图13所示，在单元1(unit1)中，接近传感器HSA由坐标(1，1)～(20，1)的检测电极180构成。在第二初始电压检测期间，接近传感器HSA被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSA的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSA对应的初始信号Vini1或初始信号Vini2。
如图13所示，在单元1(unit1)中，接近传感器HS(M，1)～(M，3)由四个检测电极180构成，接近传感器HS(M，4)由两个检测电极180构成。数值M是1～10的整数。例如，接近传感器HS(1，1)由坐标(1，2)、(1，3)、(2，2)及(2，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(1，4)由检测电极180的坐标(1，8)及(2，8)构成。与接近传感器HS(1，1)～(1，4)同样地，接近传感器HS(2，1)～(10，4)的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，在单元1中，接近传感器HS(1，1)～(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<1-5-1-3.第三初始电压检测期间>
在接着步骤403(S403)的步骤405(S405)中，检测装置10执行基线扫描2。在基线扫描2中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图14所示的单元2(unit2)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元2相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标移动了检测电极180的一列。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(2，1)、(2，2)、(3，1)及(3，2)的四个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(20，1)及(20，2)的两个检测电极180构成。初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描2的期间被称为第三初始电压检测期间，在第三初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第三初始电压。
如图14所示，在单元2(unit2)中，接近传感器HSB由检测电极180的坐标(1，1)～(1，8)构成。在第三初始电压检测期间，接近传感器HSB被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSB的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSB对应的初始信号Vini1或初始信号Vini2。
如图14所示，在单元2(unit2)中，接近传感器HS(1，N)～(9，N)由四个检测电极180构成，接近传感器HS(10，N)由两个检测电极180构成。数值N是1～4的整数。例如，接近传感器HS(1，1)由坐标(2，1)、(2，2)、(3，1)及(3，2)的检测电极180构成，接近传感器HS(1，2)由坐标(2，3)、(2，4)、(3，3)及(3，4)的检测电极180构成，接近传感器HS(10，4)由坐标(20，7)及(20，8)的检测电极180构成。与接近传感器HS(1，1)、(1，2)、(10，4)同样地，接近传感器HS(1，3)～(10，3)的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，在单元2中，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<1-5-1-4.第四初始电压检测期间>
在接着步骤405(S405)的步骤407(S407)中，检测装置10执行基线扫描3。在基线扫描3中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图15所示的单元3(unit3)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元3相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标移动了检测电极180的一列一行。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(2，2)、(2，3)、(3，2)及(3，3)的四个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(20，8)的一个检测电极180构成。
初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描3的期间被称为第四初始电压检测期间，在第四初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第四初始电压。
如图15所示，在单元3(unit3)中，接近传感器HSC由检测电极180的坐标(1，1)～(1，8)及(2，1)～(20，1)构成。在第四初始电压检测期间，接近传感器HSC被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSC的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSC对应的初始信号Vini1或初始信号Vini2。
如图15所示，在单元3(unit3)中，接近传感器HS(M，1)～(M，3)由四个检测电极180构成，数值M是1～9的整数。接近传感器HS(M，4)由两个检测电极180构成，数值M是1～9的整数。接近传感器HS(1，N)由两个检测电极180构成，数值N是1～3的整数。接近传感器HS(10，4)由一个检测电极180构成。例如，接近传感器HS(1，1)由坐标(2，2)、(2，3)、(3，2)及(3，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(1，4)由坐标(2，8)及(3，8)的检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由坐标(20，2)及(20，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(10，4)由坐标(20，8)的检测电极180构成。与接近传感器HS(1，1)、(1，4)、(10，1)同样地，接近传感器HS(1，1)、(1，4)、(10，1)、(10，4)以外的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<1-5-1-5.第一检测电压检测期间>
如图11所示，在接着步骤407(S407)的步骤409(S409)中，检测装置10执行束扫描0。在束扫描0中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图12所示的单元0(unit0)的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描0的期间被称为第一检测电压检测期间，在第一检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第一检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第一检测电压被统称为第一检测数据RD0。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，来计算束扫描0中的检测对象物490的坐标(y0，x0)。例如，如图16所示，检测对象物490跨单元0中的接近传感器HS(5，2)、接近传感器HS(5，3)、接近传感器HS(6，2)及接近传感器HS(6，3)而存在。此时，运算电路500使用对接近传感器HS(5，2)生成的输出信号Vout、对接近传感器HS(5，3)生成的输出信号Vout、对接近传感器HS(6，2)生成的输出信号Vout及对接近传感器HS(6，3)生成的输出信号Vout，来计算束扫描0中的检测对象物490的坐标(y0，x0)。
<1-5-1-6.第二检测电压检测期间>
在接着步骤409(S409)的步骤417(S417)中，检测装置10执行束扫描1。在束扫描1中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图13所示的单元1(unit1)的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描1的期间被称为第二检测电压检测期间，在第二检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第二检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第二检测电压被统称为第二检测数据RD1。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，来计算束扫描1中的检测对象物490的坐标(y1，x1)。例如，如图17所示，检测对象物490跨单元1中的接近传感器HS(5，2)及接近传感器HS(6，2)而存在。此时，运算电路500使用对接近传感器HS(5，2)生成的输出信号Vout及对接近传感器HS(6，2)生成的输出信号Vout，来计算束扫描1中的检测对象物490的坐标(y1，x1)。
<1-5-1-7.第三检测电压检测期间>
在接着步骤417(S417)的步骤425(S425)中，检测装置10执行束扫描2。在束扫描2中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图14所示的单元2(unit2)的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描2的期间被称为第三检测电压检测期间，在第三检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第三检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第三检测电压被统称为第三检测数据RD2。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，来计算束扫描2中的检测对象物490的坐标(y2，x2)。例如，如图18所示，检测对象物490跨单元2中的接近传感器HS(5，2)及接近传感器HS(5，3)而存在。此时，运算电路500使用对接近传感器HS(5，2)生成的输出信号Vout及对接近传感器HS(5，3)生成的输出信号Vout，来计算束扫描2中的检测对象物490的坐标(y2，x2)。
<1-5-1-8.第四检测电压检测期间>
在接着步骤425(S425)的步骤433(S433)中，检测装置10执行束扫描3。在束扫描3中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图15所示的单元3(unit3)的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描3的期间被称为第四检测电压检测期间，在第四检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第四检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第四检测电压被统称为第四检测数据RD3。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，来计算束扫描3中的检测对象物490的坐标(y3，x3)。例如，如图19所示，检测对象物490存在于单元2中的接近传感器HS(5，2)。此时，运算电路500使用对接近传感器HS(5，2)生成的输出信号Vout，来计算束扫描3中的检测对象物490的坐标(y3，x3)。
运算电路500使用束扫描0中的检测对象物490的坐标(y0，x0)、束扫描1中的检测对象物490的坐标(y1，x1)、束扫描2中的检测对象物490的坐标(y2，x2)及束扫描3中的检测对象物490的坐标(y3，x3)，来计算检测对象物490的位置坐标(Y，X)。例如，检测对象物490的位置坐标(Y，X)可以使用各束扫描中的输出信号Vout的平均值来计算，也可以使用公知的使用平均值或重心的计算方法来计算。
运算电路500当步骤433(S433)结束时，反复执行步骤409(S409)～步骤433(S433)。运算电路500发送在反复执行的步骤409(S409)～步骤433(S433)中分别检测出的输出信号Vout。
需要说明的是，与第二初始电压检测期间同样地，在第二检测电压检测期间，与对于接近传感器HSA的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSA对应的检测信号Vdet。与第三初始电压检测期间同样地，在第三检测电压检测期间，与对于接近传感器HSB的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSB对应的检测信号Vdet。与第四初始电压检测期间同样地，在第四检测电压检测期间，与对于接近传感器HSC的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSC对应的检测信号Vdet。
如上所述，在检测装置10中，第一初始电压检测期间、第二初始电压检测期间、第三初始电压检测期间、第四初始电压检测期间、第一检测电压检测期间、第二检测电压检测期间、第三检测电压检测期间及第四检测电压检测期间连续出现。即，在检测装置10中，多个检测期间连续出现，检测装置10控制各接近传感器、控制电路200、电极选择电路300、检测电路400、运算电路500等，使得在多个检测期间的连续中，使得在每个检测期间内，该检测单位中包括的检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。
在检测装置10中，使用包括多个检测电极180的接近传感器HS，通过多次束扫描来执行重叠扫描。其结果，对于有检测对象物490的存在状态，通过多次束扫描，能够使用多个接近传感器HS来检测检测对象物490的检测位置坐标。其结果，能够抑制检测对象物490被多个接近传感器HS检测到，改善检测对象物490的检测位置坐标的检测准确度。
<2.第二实施方式>
在第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中，对能够在束扫描0与束扫描1之间停止束扫描的接近检测动作进行说明。图20是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的时序图。
图21是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的流程图。图22是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的步骤413(S413)的图。图23是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的步骤415(S415)的图。图24是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的步骤415(S415)的图。图25是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例1的流程图。图26是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例1的流程图。图27是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例2的流程图。图20～图27所示的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法是一个示例，检测装置10的驱动方法并不限于图20～图27所示的构成。对于与图1～图19相同或相似的构成，在此省略说明。
与第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法同样地，在第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中，当从控制电路200(图2)向检测电路400(检测定时控制电路440)(图2)供给控制信号Vhs时，也开始进行接近检测动作。
与第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法同样地，在第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中，也示出系数m为20，系数n为8，系数M为10，系数N为4的例子。即，检测装置10具有由160个检测电极180构成的40个接近传感器HS。
在图20所示的时序图中，第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的束扫描0、束扫描1、束扫描2及束扫描3被作为模式(MODE)示出。另外，示出了在扫描与扫描之间从控制电路200(图2)向检测电路400(检测定时控制电路440)(图2)供给的控制信号Vhs。而且，示出了在从控制电路200(图2)向检测电路400(检测定时控制电路440)(图2)供给控制信号Vhs，到从控制电路200(图2)向检测电路400(检测定时控制电路440)(图2)供给下一个控制信号Vhs的期间，从检测电路400向运算电路500供给的控制信号Hint。另外，示出了运算电路500的状态。
检测装置10例如与控制信号Vhs同步地执行各扫描。运算电路500例如当从检测电路400被供给控制信号Hint时，成为读出状态(READ状态)，与从检测电路400供给的控制信号Hint同步地读出暂时储存在信号处理电路430中包括的存储装置中的对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout(例如第一检测数据RD0)。另外，运算电路500当从控制电路200向检测电路400供给控制信号Vht时，成为判定状态(JUDGEMENT状态)，使用差值|ΔV|以及差值|ΔV|与阈值(Th)的比较结果，判定是继续扫描还是停止扫描。
在图21所示的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中，步骤401(S401)、步骤403(S403)、步骤405(S405)、步骤407(S407)、步骤409(S409)、步骤417(S417)、步骤425(S425)及步骤433(S433)中的检测装置10的驱动方法、构成及功能与第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法相同，因此在此省略说明。在第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的说明中，对与第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法不同的驱动方法进行说明。
<2-1.差值|ΔV|的计算>
在步骤409(S409)中，检测装置10执行基线扫描0。在接着步骤409(S409)的步骤411(S411)中，检测装置10计算差值|ΔV|。
具体而言，运算电路500中包括的差值计算电路530与控制信号Hint同步地读出暂时储存在信号处理电路430中包括的存储装置中的对各个接近传感器HS生成的第一检测数据RD0(多个第一检测电压Vout)。另外，差值计算电路530读出暂时储存在信号处理电路510中包括的存储装置中的对各个接近传感器HS生成的多个第一初始电压Voutb。
差值计算电路530使用多个第一检测电压Vout及多个第一初始电压Voutb，生成分别对应的第一检测电压Vout与多个第一初始电压Voutb的差值信号(绝对值|ΔV|＝Vout-Voutb)。差值计算电路530将所生成的多个绝对值|ΔV|供给到比较判定电路540。在第二实施方式中，绝对值|ΔV|被称为差值|ΔV|。
<2-2.差值|ΔV|与阈值(Th)的比较及判定>
在接着步骤411(S411)的步骤413(S413)中，检测装置10将差值|ΔV|与阈值(Th)进行比较。具体而言，运算电路500中包括的比较判定电路540与控制信号Hint同步地，将绝对值|ΔV|与预定的阈值电压(Th)进行比较。当对于信号强度绘制差值|ΔV|时，例如获得图22所示的曲线。
当该绝对值|ΔV|小于阈值电压(Vth)时，比较判定电路540判定为没有检测对象物(非存在状态，在图21所示的流程图中为“否”)。当比较判定电路540判定为“否”时，检测装置10返回到步骤409(S409)，执行束扫描0。
当该绝对值|ΔV|为阈值电压(Th)以上时，判定为有检测对象物(存在状态，在图21所示的流程图中为“是”)。当比较判定电路540判定为“是”时，比较判定电路540执行步骤415(S415)。
需要说明的是，比较判定电路540也可以与控制信号Hint同步地计算多个绝对值|ΔV|的总和(Sum(多个绝对值|ΔV|))。比较判定电路540也可以将Sum(多个绝对值|ΔV|)与预定的阈值电压(Th)进行比较。比较判定电路540可以当Sum(多个绝对值|ΔV|)小于阈值电压(Vth)时，判定为没有检测对象物(非存在状态，在图21所示的流程图中为“否”)。当比较判定电路540判定为“否”时，检测装置10返回到步骤409(S409)，执行束扫描0。也可以将Sum(多个绝对值|ΔV|)与预定的阈值电压(Vth)进行比较，如果该Sum(多个绝对值|ΔV|)为阈值电压(Vth)以上，则判定为有检测对象物(存在状态，在图21所示的流程图中为“是”)。当比较判定电路540判定为“是”时，比较判定电路540执行步骤415(S415)。
在接着步骤413(S413)的步骤415(S415)中，检测装置10判定是否停止(中断)束扫描。
例如，如图23所示，假定检测对象物490存在于接近传感器HS(5，2)上。接近传感器HS(5，2)与多路复用器310内的17信道(17ch)电连接，假设从17ch输出的检测信号Vdet2的电压的变化最大，即与17ch对应的第一检测电压Vout最大。接近传感器HS(4，1)与多路复用器310内的13信道(13ch)电连接，假设从13ch输出的检测信号Vdet2的电压变化第二大，即与13ch对应的第一检测电压Vout第二大。
在电压的变化最大的数据与电压的变化第二大的数据的差值为阈值电压(Th)以上(电压的变化最大的数据-电压的变化第二大的数据≥Th)时，比较判定电路540判定为停止(中断，在图21所示的流程图中为“是”)束扫描。在图23所示的状态下，电压的变化最大的数据与电压的变化第二大的数据的差值为阈值电压(Th)以上。因此，比较判定电路540判定为“是”。当比较判定电路540判定为“是”时，检测装置10返回到步骤409(S409)，执行束扫描0。
例如，如图24所示，假定检测对象物490跨接近传感器HS(4，1)和接近传感器HS(5，2)而存在。与图23所示的接近传感器同样地，假设从连接有接近传感器HS(5，2)的17ch输出的检测信号Vdet2的电压的变化最大，从连接有接近传感器HS(4，1)的13ch输出的检测信号Vdet2的电压变化第二大。
在图24所示的状态下，电压的变化最大的数据与电压的变化第二大的数据的差值比阈值电压(Th)小。因此，比较判定电路540判定为不停止(不中断，在图21所示的流程图中为“否”)束扫描。当比较判定电路540判定为“否”时，检测装置10在步骤417(S417)中执行束扫描1。
在本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10中，在使用一个接近传感器HS检测出检测对象物490时，能够停止后续的束扫描，缩短接近检测动作的时间。
<2-3.变形例1>
使用图25及图26，对本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例1进行说明。在检测装置10的驱动方法的变形例1中，相对于图21所示的流程图，检测装置10在步骤417(S417)中的束扫描1之后，也使用差值|ΔV|以及差值|ΔV|与阈值(Th)的比较结果，判定是继续扫描还是停止扫描。除此以外的驱动方法与图21所示的流程图相同，因此在此省略说明。
如图25所示，在接着步骤417(S417)的步骤419(S419)中，检测装置10使用在基线扫描1及束扫描1中检测出的信号来计算差值|ΔV|。在基线扫描1中检测出的信号是多个第二初始检测电压Vout，在束扫描1中检测出的信号是第二检测数据RD1(多个第二检测电压Vout)。步骤419(S419)中的驱动方法除了以上说明的方面以外，与步骤411(S411)中的驱动方法相同，因此在此省略说明。
在接着步骤419(S419)的步骤421(S421)中，检测装置10使用在基线扫描1及束扫描1中检测出的信号，将差值|ΔV|与阈值(Th)进行比较。步骤421(S421)中的驱动方法除了以上说明的方面以外，与步骤413(S413)中的驱动方法相同，因此在此省略说明。
在接着步骤421(S421)的步骤423(S423)中，检测装置10判定是否停止(中断)束扫描1。
当该绝对值|ΔV|小于阈值电压(Vth)时，比较判定电路540判定为没有检测对象物(非存在状态，在图25所示的流程图中为“否”)。当比较判定电路540判定为“否”时，检测装置10返回到步骤409(S409)，执行束扫描0。当该绝对值|ΔV|为阈值电压(Th)以上时，判定为有检测对象物(存在状态，在图25所示的流程图中为“是”)。当比较判定电路540判定为“是”时，比较判定电路540执行图26所示的步骤425(S425)。步骤423(S423)中的驱动方法除了以上说明的方面以外，与步骤415(S415)中的驱动方法相同，因此在此省略说明。
在本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例1中，在束扫描0和束扫描1中的任一个中，能够停止后续的束扫描，缩短接近检测动作的时间。
<2-4.变形例2>
使用图25及图27，对本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例2进行说明。在检测装置10的驱动方法的变形例2中，相对于图25及图26所示的流程图，检测装置10在步骤425(S425)中的束扫描3之后，也使用差值|ΔV|以及差值|ΔV|与阈值(Th)的比较结果，判定是继续扫描还是停止扫描。除此以外的驱动方法与图25及图26所示的流程图相同，因此在此省略说明。
如图27所示，在接着步骤425(S425)的步骤427(S427)中，检测装置10使用在基线扫描2及束扫描2中检测出的信号来计算差值|ΔV|。在基线扫描2中检测出的信号是多个第三初始检测电压Vout，在束扫描2中检测出的信号是第三检测数据RD2(多个第三检测电压Vout)。步骤427(S427)中的驱动方法除了以上说明的方面以外，与步骤419(S419)中的驱动方法相同，因此在此省略说明。
在接着步骤427(S427)的步骤429(S429)中，检测装置10使用在基线扫描2及束扫描2中检测出的信号，将差值|ΔV|与阈值(Th)进行比较。步骤429(S429)中的驱动方法除了以上说明的方面以外，与步骤421(S421)中的驱动方法相同，因此在此省略说明。
在接着步骤S429(S429)的步骤S431(S431)中，检测装置10判定是否停止(中断)束扫描2。
当该绝对值|ΔV|小于阈值电压(Vth)时，比较判定电路540判定为没有检测对象物(非存在状态，在图27所示的流程图中为“否”)。当比较判定电路540判定为“否”时，检测装置10返回到步骤409(S409)，执行束扫描0。当该绝对值|ΔV|为阈值电压(Th)以上时，判定为有检测对象物(存在状态，在图27所示的流程图中为“是”)。当比较判定电路540判定为“是”时，比较判定电路540执行步骤433(S433)。步骤431(S431)中的驱动方法除了以上说明的方面以外，与步骤423(S423)中的驱动方法相同，因此在此省略说明。
在本发明的第二实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的变形例2中，在束扫描0、束扫描1和束扫描2中的任一个中，能够停止后续的束扫描，缩短接近检测动作的时间。
<3.第三实施方式>
本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法是相对于图11所示的第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法，改善检测装置10的四角的检测准确度的驱动方法。具体而言，在第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中，相对于第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法，在增加了基线扫描4～基线扫描8以及束扫描4～束扫描8方面不同。在第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的说明中，主要对基线扫描4～基线扫描8以及束扫描4～束扫描8的驱动方法进行说明。除此以外的方面与第一实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法相同，因此在此省略说明。
图28是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的流程图。图29是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中的束扫描4(bundlescan4)的图。图30是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中的束扫描5(bundlescan5)的图。图31是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中的束扫描6(bundlescan6)的图。图32是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法中的束扫描7(bundlescan7)的图。图33是用于说明本发明的第三实施方式所涉及的检测装置的驱动方法中的束扫描8(bundlescan8)的图。图34是示出本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法的各束扫描中的检测电极的尺寸比的一例的图。图28～图34所示的检测装置10的驱动方法是一个示例，检测装置10的驱动方法并不限于图28～图34所示的构成。对于与图1～图27相同或相似的构成，在此省略说明。
<3-1.第五初始电压检测期间>
如图28所示，当接近检测动作开始时，在步骤601(S601)中，检测装置10执行基线扫描4。在基线扫描4中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图29所示的单元4(unit4)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元4相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标向右移动了检测电极180的一列，向上移动了一行。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(2，1)及(3，1)的两个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(20，1)的一个检测电极180构成。
初始信号Vini1或初始信号Vini2与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描4的期间被称为第五初始电压检测期间，在第五初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第五初始电压。
如图29所示，在单元4中，接近传感器HSD由检测电极180的坐标(1，1)～(1，8)及(2，8)～(10，8)构成。在第五初始电压检测期间，接近传感器HSD被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSD的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与对应于接近传感器HSD的初始信号Vini1或初始信号Vini2对应的第五初始电压。
如图29所示，在单元4中，接近传感器HS(M，1)由两个检测电极180构成，数值M是1～9的整数。接近传感器HS(M，2)～(M，4)由四个检测电极180构成，数值M是2～9的整数。接近传感器HS(10，N)由两个检测电极180构成，数值N是2～4的整数。接近传感器HS(10，1)由一个检测电极180构成。例如，接近传感器HS(1，1)由坐标(2，1)及(3，1)的检测电极180构成，接近传感器HS(1，2)由坐标(2，2)、(2，3)、(3，2)及(3，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由坐标(20，1)的检测电极180构成，接近传感器HS(10，2)由坐标(20，2)及(20，3)的检测电极180构成。与接近传感器HS(1，1)、(1，2)、(10，2)同样地，接近传感器HS(1，1)、(1，2)、(10，1)、(10，2)以外的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<3-2.第六初始电压检测期间>
在接着步骤601(S601)的步骤603(S603)中，检测装置10执行基线扫描5。在基线扫描5中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图30所示的单元5(unit5)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元5相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标向上移动了检测电极180的一行。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(2，1)及(3，1)的两个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(19，1)及(20，1)的两个检测电极180构成。
初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描5的期间被称为第六初始电压检测期间，在第六初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第六初始电压。
如图30所示，在单元5中，接近传感器HSE由检测电极180的坐标(1，8)～(20，8)构成。在第六初始电压检测期间，接近传感器HSE被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSE的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与对应于接近传感器HSE的初始信号Vini1或初始信号Vini2对应的第六初始电压。
如图30所示，在单元5中，接近传感器HS(M，2)～(M，4)由四个检测电极180构成，接近传感器HS(M，1)由两个检测电极180构成。数值M是1～10的整数。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(1，1)及(2，1)构成，接近传感器HS(1，2)由检测电极180的坐标(1，2)、(1，3)、(2，2)及(2，3)构成。与接近传感器HS(1，1)、(1，2)同样地，接近传感器HS(1，3)～(10，4)的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<3-3.第七初始电压检测期间>
在接着步骤603(S603)的步骤605(S605)中，检测装置10执行基线扫描6。在基线扫描6中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图31所示的单元6(unit6)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元6相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标向左移动了检测电极180的一列，向上移动了检测电极180的一行。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(1，1)的一个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(19，1)及(20，1)的两个检测电极180构成。
初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描6的期间被称为第七初始电压检测期间，在第七初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第七初始电压。
如图31所示，在单元6中，接近传感器HSF由检测电极180的坐标(1，8)～(19，8)及(20，1)～(20，8)构成。在第七初始电压检测期间，接近传感器HSB被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSF的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSF对应的初始信号Vini1或初始信号Vini2。
如图31所示，在单元6中，接近传感器HS(M，1)由两个检测电极180构成，数值M是2～10的整数。接近传感器HS(M，2)～(M，4)由四个检测电极180构成，数值M是2～10的整数。接近传感器HS(1，N)由两个检测电极180构成，数值N是2～4的整数。接近传感器HS(1，1)由一个检测电极180构成。接近传感器HS(1，1)由坐标(1，1)的检测电极180构成，接近传感器HS(1，2)由坐标(1，2)及(1，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(2，1)由坐标(2，1)及(3，1)的检测电极180构成，接近传感器HS(2，2)由坐标(2，2)、(2，3)、(3，2)及(3，3)的检测电极180构成。与接近传感器HS(1，2)、(2，1)、(2，2)同样地，接近传感器HS(1，1)、(1，2)、(2，1)、(2，2)以外的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<3-4.第八初始电压检测期间>
在接着步骤605(S605)的步骤607(S607)中，检测装置10执行基线扫描7。在基线扫描7中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图32所示的单元7(unit7)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元7相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标向左移动了检测电极180的一列。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(1，1)及(1，2)的两个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(18，1)、(18，2)、(19，1)及(19，2)的四个检测电极180构成。
初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描7的期间被称为第八初始电压检测期间，在第八初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第八初始电压。
如图32所示，在单元7中，接近传感器HSG由检测电极180的坐标(20，1)～(20，8)构成。在第八初始电压检测期间，接近传感器HSG被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSG的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSG对应的初始信号Vini1或初始信号Vini2。
如图32所示，在单元7中，接近传感器HS(2，N)～(10，N)由四个检测电极180构成，接近传感器HS(1，N)由两个检测电极180构成。数值N是1～4的整数。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(1，1)及(2，1)构成，接近传感器HS(2，1)由检测电极180的坐标(2，1)、(2，2)、(3，1)及(3，2)构成。与接近传感器HS(1，1)、(2，1)同样地，接近传感器HS(1，1)、(2，1)以外的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<3-5.第九初始电压检测期间>
在接着步骤607(S607)的步骤609(S609)中，检测装置10执行基线扫描8。在基线扫描8中，在没有检测对象物490的非存在状态下，使用图33所示的单元8(unit8)的构成，对各个接近传感器HS生成初始信号Vini1及初始信号Vini2。单元8相对于单元0，各个接近传感器HS的坐标向左移动了检测电极180的一列，向下移动了检测电极180的一行。例如，接近传感器HS(1，1)由检测电极180的坐标(1，2)及(1，3)的两个检测电极180构成，接近传感器HS(10，1)由检测电极180的坐标(18，2)、(18，3)、(19，2)及(19，3)的四个检测电极180构成。
初始信号Vini1及初始信号Vini2的信号处理与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行基线扫描8的期间被称为第九初始电压检测期间，在第九初始电压检测期间生成的初始输出信号Voutb被称为第九初始电压。
如图33所示，在单元8中，接近传感器HSH由检测电极180的坐标(1，1)～(20，1)及(20，2)～(20，8)构成。在第九初始电压检测期间，接近传感器HSH被供给交流矩形波Vsig，但不与多路复用器310内的信道连接。与对于接近传感器HSH的交流矩形波Vsig相应的电流的变动不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSH对应的初始信号Vini1或初始信号Vini2。
如图33所示，在单元8中，接近传感器HS(M，4)由两个检测电极180构成，数值M是2～10的整数。接近传感器HS(M，1)～(M，3)由四个检测电极180构成，数值M是2～10的整数。接近传感器HS(1，N)由两个检测电极180构成，数值N是1～3的整数。接近传感器HS(1，4)由一个检测电极180构成。接近传感器HS(1，1)由坐标(1，2)及(1，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(1，4)由坐标(1，8)的检测电极180构成，接近传感器HS(2，1)由坐标(2，2)、(2，3)、(3，2)及(3，3)的检测电极180构成，接近传感器HS(2，4)由坐标(2，8)及(3，8)的检测电极180构成。与接近传感器HS(1，1)、(2，1)、(2，4)同样地，接近传感器HS(1，1)、(1，4)、(2，1)、(2，4)以外的接近传感器HS分别由分别对应的四个检测电极180或两个检测电极180构成。
与单元0同样地，接近传感器HS(1，1)～HS(10，4)分别与多路复用器310内的00信道(00ch)～39信道(39ch)电连接。
<3-6.第一检测电压检测期间～第四检测电压检测期间>
如图28所示，在接着步骤609(S609)的步骤409(S409)中，检测装置10执行束扫描0。束扫描0在第一检测电压检测期间执行。在接着步骤409(S409)的步骤417(S417)～步骤433(S433)中，检测装置10执行束扫描1～束扫描3。束扫描1～束扫描3在第二检测电压检测期间～第四检测电压检测期间执行。步骤417(S417)～步骤433(S433)的驱动方法所涉及的构成及功能与第一实施方式相同，因此在此省略说明。
<3-7.第五检测电压检测期间>
在接着步骤433(S433)的步骤611(S611)中，检测装置10执行束扫描4。在束扫描4中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图29所示的单元4的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描4的期间被称为第五检测电压检测期间，在第五检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第五检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第五检测电压被统称为第五检测数据RD4。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，计算束扫描4中的检测对象物490的坐标(y4，x4)。坐标的计算方法例如能够使用与使用图16～19说明的方法相同的方法。
<3-8.第六检测电压检测期间>
在接着步骤611(S611)的步骤613(S613)中，检测装置10执行束扫描5。在束扫描5中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图30所示的单元5的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描5的期间被称为第六检测电压检测期间，在第六检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第六检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第六检测电压被统称为第六检测数据RD5。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，计算束扫描5中的检测对象物490的坐标(y5，x5)。坐标的计算方法例如能够使用与使用图16～19说明的方法相同的方法。
<3-9.第七检测电压检测期间>
在接着步骤613(S613)的步骤615(S615)中，检测装置10执行束扫描6。在束扫描6中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图31所示的单元6的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描6的期间被称为第七检测电压检测期间，在第七检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第七检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第七检测电压被统称为第七检测数据RD6。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，计算束扫描6中的检测对象物490的坐标(y6，x6)。坐标的计算方法例如能够使用与使用图16～19说明的方法相同的方法。
<3-10.第八检测电压检测期间>
在接着步骤615(S615)的步骤617(S617)中，检测装置10执行束扫描7。在束扫描7中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图32所示的单元7的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描7的期间被称为第八检测电压检测期间，在第八检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第八检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第八检测电压被统称为第八检测数据RD7。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，计算束扫描7中的检测对象物490的坐标(y7，x7)。坐标的计算方法例如能够使用与使用图16～19说明的方法相同的方法。
<3-11.第九检测电压检测期间>
在接着步骤617(S617)的步骤619(S619)中，检测装置10执行束扫描8。在束扫描8中，在有检测对象物490的存在状态下，使用图33所示的单元8的构成，对各个接近传感器HS生成检测信号Vdet1及检测信号Vdet2。
检测信号Vdet1或检测信号Vdet2与<1-3.自静电电容方式中的电压变化检测的一例>中说明的相同。在检测装置10的驱动方法中，执行束扫描8的期间被称为第九检测电压检测期间，在第九检测电压检测期间生成的输出信号Vout被称为第九检测电压，对各个接近传感器HS生成的多个第九检测电压被统称为第九检测数据RD8。
运算电路500使用对各个接近传感器HS生成的输出信号Vout，计算束扫描8中的检测对象物490的坐标(y8，x8)。坐标的计算方法例如能够使用与使用图16～19说明的方法相同的方法。
运算电路500使用束扫描0中的检测对象物490的坐标(y0，x0)、束扫描1中的检测对象物490的坐标(y1，x1)、束扫描2中的检测对象物490的坐标(y2，x2)、束扫描3中的检测对象物490的坐标(y3，x3)、束扫描4中的检测对象物490的坐标(y4，x4)、束扫描5中的检测对象物490的坐标(y5，x5)、束扫描6中的检测对象物490的坐标(y6，x6)、束扫描7中的检测对象物490的坐标(y7，x7)及束扫描8中的检测对象物490的坐标(y8，x8)，计算检测对象物490的位置坐标(Y，X)。
当步骤619(S619)结束时，运算电路500反复执行步骤409(S409)～步骤619(S619)。运算电路500发送在反复执行的步骤409(S409)～步骤619(S619)中分别检测出的输出信号Vout。
需要说明的是，与第五初始电压检测期间同样地，在第五检测电压检测期间，与对于接近传感器HSD的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSD对应的检测信号Vdet。与第六初始电压检测期间同样地，在第六检测电压检测期间，与对于接近传感器HSE的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSE对应的检测信号Vdet。与第七初始电压检测期间同样地，在第七检测电压检测期间，与对于接近传感器HSF的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSF对应的检测信号Vdet。与第八初始电压检测期间同样地，在第八检测电压检测期间，与对于接近传感器HSG的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSG对应的检测信号Vdet。与第九初始电压检测期间同样地，在第九检测电压检测期间，与对于接近传感器HSH的交流矩形波Vsig相应的电流的变动也不被转换为电压的变动，不生成与接近传感器HSH对应的检测信号Vdet。
如上所述，在检测装置10中，第一初始电压检测期间、第二初始电压检测期间、第三初始电压检测期间、第四初始电压检测期间、第五初始电压检测期间、第六初始电压检测期间、第七初始电压检测期间、第八初始电压检测期间、第九初始电压检测期间、第一检测电压检测期间、第二检测电压检测期间、第三检测电压检测期间、第四检测电压检测期间、第五检测电压检测期间、第六检测电压检测期间、第七检测电压检测期间、第八检测电压检测期间及第九检测电压检测期间连续出现。即，在检测装置10中，多个检测期间连续出现，检测装置10控制各接近传感器、控制电路200、电极选择电路300、检测电路400、运算电路500等，使得在多个检测期间的连续中，使得在每个检测期间内，该检测单位中包括的检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。
<3-12.检测电极180的尺寸比>
图34是示出对于束扫描(束扫描编号(Bundle Scan No.))的接近传感器HS的电极比的图。如图34所示，在检测装置10中，各束扫描的单元(unit)的四角的接近传感器HS的电极比因束扫描而不同。四角的接近传感器是接近传感器HS(1，1)、接近传感器HS(1，4)、接近传感器HS(10，1)及接近传感器HS(10，4)。
在本实施方式所涉及的检测装置10中，接近传感器HS的电极比是指，相对于束扫描0的单元0的四角的各个接近传感器HS中包括的检测电极180的数量的各束扫描的单元的四角的各个接近传感器HS中包括的检测电极180的数量。具体而言，是在将束扫描0的单元0的四角的接近传感器的数量设为1时的、各束扫描的单元的四角的各个接近传感器HS中包括的检测电极180的数量。
例如，在束扫描1(Bundle Scan No.1)的单元1中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为4。在束扫描0的单元0中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为4。因此，束扫描1的接近传感器HS(1，1)的电极比为1。在束扫描1(Bundle ScanNo.1)的单元1中，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为2。因此，束扫描1的接近传感器HS(1，4)的电极比为1/2。
需要说明的是，在束扫描0的单元0中，接近传感器HS(m，n)中包括的检测电极180的数量为4。
在束扫描1(Bundle Scan No.1)的单元1中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为2。因此，在束扫描1(Bundle Scan No.1)的单元1中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1，接近传感器HS(1，4)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，1)的电极比为1，接近传感器HS(10，4)的电极比为1/2。
在束扫描2(Bundle Scan No.2)的单元2中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为2。因此，在束扫描2(Bundle Scan No.2)的单元2中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1，接近传感器HS(1，4)的电极比为1，接近传感器HS(10，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，4)的电极比为1/2。
在束扫描3(Bundle Scan No.3)的单元3中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为1。因此，在束扫描3(Bundle Scan No.3)的单元3中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1，接近传感器HS(1，4)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，4)的电极比为1/4。
在束扫描4(Bundle Scan No.4)的单元4中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为1，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为2。因此，在束扫描4(Bundle Scan No.4)的单元4中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(1，4)的电极比为1，接近传感器HS(10，1)的电极比为1/4，接近传感器HS(10，4)的电极比为1。
在束扫描5(Bundle Scan No.5)的单元5中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为4。因此，在束扫描5(Bundle Scan No.5)的单元5中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(1，4)的电极比为1，接近传感器HS(10，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，4)的电极比为1。
在束扫描6(Bundle Scan No.6)的单元6中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为1，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为4。因此，在束扫描6(Bundle Scan No.6)的单元6中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1/4，接近传感器HS(1，4)的电极比为1，接近传感器HS(10，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，4)的电极比为1。
在束扫描7(Bundle Scan No.7)的单元7中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为4。因此，在束扫描7(Bundle Scan No.7)的单元7中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(1，4)的电极比为1/2，接近传感器HS(10，1)的电极比为1，接近传感器HS(10，4)的电极比为1。
在束扫描8(Bundle Scan No.8)的单元8中，接近传感器HS(1，1)中包括的检测电极180的数量为2，接近传感器HS(1，4)中包括的检测电极180的数量为1，接近传感器HS(10，1)中包括的检测电极180的数量为4，接近传感器HS(10，4)中包括的检测电极180的数量为2。因此，在束扫描8(Bundle Scan No.8)的单元8中，接近传感器HS(1，1)的电极比为1/2，接近传感器HS(1，4)的电极比为1/4，接近传感器HS(10，1)的电极比为1，接近传感器HS(10，4)的电极比为1/2。
在本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10中，在各束扫描的单元(unit)的四角的接近传感器HS中，在电极比为1/2的情况下，供给到电极比为1/2的检测电极180的交流矩形波Vsig的振幅被校正为供给到电极比为1的检测电极180的交流矩形波Vsig的振幅的2倍，在电极比为1/4的情况下，供给到电极比为1/4的检测电极180的交流矩形波Vsig的振幅被校正为供给到电极比为1的检测电极180的交流矩形波Vsig的振幅的4倍。在本发明的第三实施方式所涉及的检测装置10中，通过对供给到四角的接近传感器HS的不同电极比的电极的矩形波的振幅进行校正，能够使用校正后的检测信号来检测检测对象物490的位置坐标(Y，X)。其结果，对于有检测对象物490的存在状态，能够改善检测装置10的四角的检测准确度。
<4.第四实施方式>
在本发明的第四实施方式所涉及的检测装置10中，相对于第一实施方式所涉及的检测装置10，接近传感器HS由16个(系数k＝16)检测电极180构成。在本发明的第四实施方式所涉及的检测装置10中，除此以外的构成及功能与第一实施方式所涉及的检测装置10相同，因此在此省略说明。图35是示出本发明的第四实施方式所涉及的检测装置10的接近传感器部124、电极选择电路300及检测电路400的构成的示意性的俯视图。图35所示的检测装置10的驱动方法是一个示例，检测装置10的驱动方法并不限于图35所示的构成。对于与图1～图34相同或相似的构成，在此省略说明。
如图35所示，接近传感器HS由16个检测电极180构成。多个接近传感器HS配置有5×2个(5列2行，M＝5，N＝2)。与第一实施方式同样地，在第四实施方式中，多个检测电极180各自的坐标也用(m，n)表示，为了便于说明，坐标的记载限制在最小限度的记载。
如图35所示，接近传感器HS(1，1)由坐标(1，1)、(1，2)、(1，3)、(1，4)、(2，1)、(2，2)、(2，3)、(2，4)、(3，1)、(3，2)、(3，3)、(3，4)、(4，1)、(4，2)、(4，3)及(4，4)的检测电极180构成。与接近传感器HS(1，1)同样地，接近传感器HS(1，2)～(5，2)由分别对应的16个检测电极180构成。
在本发明的第四实施方式所涉及的检测装置10中，多路复用器310具有5×2个信道00(00ch)～信道09(09ch)。接近传感器HS(1，1)与多路复用器310内的00信道(00ch)电连接，接近传感器HS(1，2)与多路复用器310内的01信道(01ch)电连接。与接近传感器HS(1，1)、(1，2)同样地，接近传感器HS(2，1)～(5，2)的接近传感器HS分别与分别对应的多路复用器310内的信道电连接。
本发明的第四实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法能够使用与在第一实施方式～第三实施方式所涉及的驱动方法中，将由四个检测电极180构成的接近传感器HS变更为由16个检测电极180构成的接近传感器HS的情况相同的驱动方法。
在本发明的第四实施方式所涉及的检测装置10中，通过增加构成接近传感器HS的检测电极180的数量，能够减少多路复用器310的信道数。
<5.第五实施方式>
在本发明的第五实施方式所涉及的检测装置10中，如在第一实施方式所涉及的检测装置10中说明的那样，对能够进行将多个检测电极180捆束而进行驱动的束扫描以及分别单独地扫描各个检测电极180的单独扫描的构成进行说明。在本发明的第五实施方式所涉及的检测装置10中，除此以外的构成及功能与第一实施方式所涉及的检测装置10相同，因此在此省略说明。图36是示出本发明的第五实施方式所涉及的检测装置10的接近传感器部124、电极选择电路300及检测电路400的构成的示意性的俯视图。图36所示的检测装置10的驱动方法是一个示例，检测装置10的驱动方法并不限于图36所示的构成。对于与图1～图35相同或相似的构成，在此省略说明。需要说明的是，与第一实施方式同样地，在第五实施方式中，多个检测电极180各自的坐标也用(m，n)表示，为了便于说明，坐标的记载限制在最小限度的记载。
在第五实施方式所涉及的检测装置10中，为了能够进行单独扫描，作为一例，如图36所示，多个接近传感器HS配置有20×8个(20列8行，M＝20，N＝8)，多个接近传感器HS与检测电极以1：1对应，接近传感器HS的坐标与检测电极180的坐标以1：1对应。另外，多路复用器310具有20×8个(20列8行，M＝20，N＝8)信道000(000ch)～信道159(159ch)，信道000～信道159分别与检测信号放大电路410中包括的放大电路415以1：1电连接。例如，接近传感器部124的第一列的接近传感器HS(1，1)由坐标(1，1)的检测电极180构成且与信道000(000ch)电连接，信道000(000ch)与对应于信道000的放大电路415电连接。同样地，接近传感器HS(20，8)由坐标(1，1)的检测电极180构成且与信道159(159ch)电连接，信道159(159ch)与对应于信道159的放大电路415电连接。
另外，在第五实施方式所涉及的检测装置10中，与第一实施方式同样地，能够执行将多个检测电极180捆束而进行驱动的束扫描。在第五实施方式所涉及的检测装置10中，例如在执行将四个检测电极180捆束而进行驱动的束扫描时，切换多路复用器310中包括的开关的连接，与第一实施方式同样地控制为四个检测电极180与一个放大电路415电连接。
例如，在第五实施方式所涉及的检测装置10中，从图2或图3所示的检测定时控制电路440向电极选择电路300、检测信号放大电路410、AD转换电路420及信号控制电路430发送开关控制信号(省略图示)，使用多路复用器310中包括的开关，能够切换为与坐标(1，1)、(1，2)、(2，1)及(2，2)电连接的信道000(000ch)、001(001ch)、008(008ch)及009(009ch)与一个放大电路415(例如，与信道000(000ch)对应的放大电路415)电连接。
本发明的第五实施方式所涉及的检测装置10的驱动方法能够使用与在第一实施方式～第三实施方式所涉及的驱动方法中，将由四个检测电极180构成的接近传感器HS变更为由一个检测电极180构成的接近传感器HS的情况相同的驱动方法。
在本发明的第五实施方式所涉及的检测装置10中，接近传感器HS与检测电极180以1：1对应，高精细地形成接近传感器部124。因此，与粗糙的接近传感器部的构成粗糙的情况相比，本发明的第五实施方式所涉及的检测装置10能够在检测装置10的中央及四角进一步以高准确度检测检测对象物490的坐标。
<6.第六实施方式>
本发明的第六实施方式所涉及的检测装置700相对于第一实施方式所涉及的检测装置700，不包括与显示相关的构成及功能。除此以外的构成及功能与第一实施方式所涉及的检测装置10相同，因此在此省略说明。图37是示出本发明的第六实施方式所涉及的检测装置700的构成的示意性的俯视图。图38是示出本发明的第六实施方式所涉及的检测装置700具有的功能构成的俯视图。图39是检测装置700的示意性的端部截面图。图37～图39所示的检测装置700的驱动方法是一个示例，检测装置700的驱动方法并不限于图37～图39所示的构成。对于与图1～图36相同或相似的构成，在此省略说明。
如图37所示，检测装置700具有柔性印刷基板150、电极选择电路300、检测电路400、运算电路500及检测面板710。检测面板710及运算电路500使用柔性印刷基板150电连接。检测电路400设置在柔性印刷基板150上。
检测面板710具有基板20、覆盖层100、接近传感器部124、控制电路200、布线210、布线212、布线213、布线214、布线216及电极选择电路300。
检测面板710相对于第一实施方式所涉及的显示面板600，具备除去了与显示相关的构成及功能的构成及功能。在检测面板710中，与显示相关的构成及功能以外的构成及功能与第一实施方式所涉及的显示面板600相同，因此在此省略说明。
覆盖层100保护检测电极层30，抑制检测电极180及无机膜42的破损。覆盖层100例如是覆盖玻璃。例如，覆盖层100及检测电极层40通过设置在覆盖层100与检测电极层30之间的透明接合层(省略图示)而接合。在第六实施方式所涉及的检测面板710中，示出了具有覆盖层100的例子，但覆盖层100基于检测面板710的用途、规格等根据需要设置。接近传感器部124、布线213、布线214及布线216配置在基板20上。在接近传感器部124中，多个检测电极180在左右方向(行方向、X方向)及上下方向(列方向、Y方向)上配置成矩阵状。多个检测电极180分别使用布线214与电极选择电路300电连接。
如图38所示，控制电路200具有驱动电极驱动器14。控制电路200具备从第一实施方式所涉及的控制电路200中除去了与栅极驱动器12及源极驱动器13相关的构成及功能的构成及功能。驱动电极驱动器14是经由电极选择电路300向检测面板710的检测电极180供给控制信号Vhs的电路。
检测装置700具有与第一实施方式相同的检测电极180的构成及功能、接近传感器HS的构成及功能、电极选择电路300的构成及功能、检测电路400的构成及运算电路500的构成及功能。另外，检测装置700能够使用与第一实施方式相同的驱动方法进行接近检测动作。
图39是图37所示的由C1和C2表示的区域的端部截面图。检测面板710具有电极层140、基板20、TFT阵列层30、检测电极层40及覆盖层100。
电极层140相对于基板20设置在设置有TFT阵列层30的面的相反侧的面上。电极层140例如使用形成在基板20上的贯通电极(省略图示)或柔性基板(省略图示)与检测电路400、运算电路500电连接。在检测装置700的接近检测动作中，检测装置700例如在执行与第一实施方式相同的束扫描1(图13)时，向接近传感器HSA(图13)供给交流矩形波Vsig。电极层140被供给与接近传感器HSA相同的交流矩形波Vsig。电极层140能够屏蔽来自检测装置700的外部的信号或电场等。其结果，检测装置700能够以高准确度检测检测对象物490的位置。
TFT阵列层30包括多个晶体管170、电容元件、电阻元件及布线。TFT阵列层30配置在基板20上。检测电极层40包括无机膜42、检测电极180及布线214。检测电极层40配置在TFT阵列层30上。检测电极180及布线214配置在同一层上，检测电极180与布线214连接。电极选择电路300、布线213及布线216使用设置在TFT阵列侧的基板的TFT阵列层30、连接布线层50及检测电极层40上的晶体管、电容、电阻、布线等形成。对置基板100设置在检测电极层40上。
本发明的第六实施方式所涉及的检测装置700与第一实施方式同样地，能够检测检测对象物490与覆盖层100的检测面102的接触状态及非接触状态，计算检测对象物490的坐标，以高准确度计算检测对象物490的位置。
作为本发明的实施方式，只要不相互矛盾，上述各实施方式就能够适当组合实施。
即使是与由上述的检测装置及检测装置的驱动方法的各实施方式的方面带来的作用效果不同的其他作用效果，对于从本说明书的记载明确的或者本领域技术人员容易预料到的，当然也可以理解为由本发明带来的。

Claims (20)

1.一种检测装置，具有：
多个检测电极，在行方向及列方向上排列，检测接近的对象物；
多条布线，分别与所述多个检测电极连接；
检测电路，与所述多条布线连接，根据多个检测期间检测所述多个检测电极的电压；以及
运算电路，与所述检测电路连接，使用所述检测电路检测出的所述多个检测电极的电压来计算所述接近的对象物的位置，
所述检测电路从所述多个检测电极中将在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极作为检测单位，
所述多个检测期间连续出现，
在所述多个检测期间的连续中，使得在每个所述检测期间内，所述检测单位中包括的所述检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。
2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，
从所述多个检测电极中在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极中，第一组检测电极包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极沿所述列方向配置；第三电极，与所述第一电极沿与所述列方向交叉的所述行方向配置；以及第四电极，与所述第二电极沿所述行方向配置，且与所述第三电极沿所述列方向配置，
所述多个检测期间包括第一检测电压检测期间、接着所述第一检测电压检测期间的第二检测电压检测期间、接着所述第二检测电压检测期间的第三检测电压检测期间、以及接着所述第三检测电压检测期间的第四检测电压检测期间，
所述多个检测电极的电压包括：
在所述第一检测电压检测期间使用所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极检测的第一检测电压；
在所述第二检测电压检测期间至少使用所述第二电极及所述第四电极检测的第二检测电压；
在所述第三检测电压检测期间至少使用所述第三电极及所述第四电极检测的第三检测电压；以及
在所述第四检测电压检测期间至少使用所述第四电极检测的第四检测电压，
所述运算电路至少使用所述第一检测电压来计算所述对象物的位置。
3.根据权利要求2所述的检测装置，其中，
所述运算电路使用所述第一检测电压、所述第二检测电压、所述第三检测电压及所述第四检测电压，计算所述对象物的位置。
4.根据权利要求2所述的检测装置，其中，
所述检测电路在所述第一检测电压检测期间之前的第一初始电压检测期间，使用所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极来检测第一初始电压，
所述运算电路使用所述第一初始电压及所述第一检测电压来计算差值，
所述运算电路将所述差值与预定的阈值进行比较，判定所述对象物是否接近。
5.根据权利要求4所述的检测装置，其中，
所述运算电路当所述差值大于所述预定的阈值时，判定为所述对象物接近，
根据所述第一检测电压，在接着所述第一检测电压检测期间之后的所述第二检测电压检测期间，判定是否中断所述第二检测电压的检测。
6.根据权利要求2所述的检测装置，其中，
从所述多个检测电极中在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极中，与所述第一组检测电极相邻的第二组检测电极具有：
第五电极，与所述第三电极沿所述行方向配置在所述第一电极的相反侧；
第六电极，与所述第五电极沿所述列方向配置，且与所述第四电极沿所述列方向配置在所述第二电极的相反侧；
第七电极，与所述第五电极沿所述行方向配置在所述第三电极的相反侧；以及
第八电极，与所述第六电极沿所述行方向配置在所述第四电极的相反侧，与所述第七电极沿所述列方向配置。
7.根据权利要求6所述的检测装置，其中，
所述多个检测电极的电压包括：
在所述第一检测电压检测期间使用所述第五电极、所述第六电极、所述第七电极及所述第八电极检测的第五检测电压；
在所述第二检测电压检测期间至少使用所述第六电极及所述第八电极检测的第六检测电压；
在所述第三检测电压检测期间使用所述第三电极、所述第四电极、所述第五电极及所述第六电极检测的所述第三检测电压；
在所述第三检测电压检测期间至少使用所述第七电极及所述第八电极检测的第七检测电压；
在所述第四检测电压检测期间至少使用所述第四电极及所述第六电极检测的所述第四检测电压；以及
在所述第四检测电压检测期间至少使用所述第八电极检测的第八检测电压，
所述运算电路至少使用所述第一检测电压及所述第五检测电压，计算所述对象物的位置。
8.根据权利要求7所述的检测装置，其中，
所述运算电路使用所述第一检测电压、所述第二检测电压、所述第三检测电压、所述第四检测电压、所述第五检测电压、所述第六检测电压、所述第七检测电压及所述第八检测电压，计算所述对象物的位置。
9.根据权利要求7所述的检测装置，其中，
所述检测电路在所述第一检测电压检测期间之前的第一初始电压检测期间，
使用所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极，检测第一初始电压，并
使用所述第五电极、所述第六电极、所述第七电极及所述第八电极，检测第五初始电压，
所述运算电路使用所述第一初始电压及所述第一检测电压，计算第一差值，
所述运算电路使用所述第五初始电压及所述第五检测电压，计算第五差值，
所述运算电路将所述第一差值及所述第五差值相加后的值与预定的阈值进行比较，判定所述对象物是否接近。
10.根据权利要求9所述的检测装置，其中，
所述运算电路当所述相加后的值大于所述预定的阈值时，判定为所述对象物接近，
所述运算电路根据所述第一检测电压及所述第五检测电压，在接着所述第一检测电压检测期间之后的所述第二检测电压检测期间，判定是否中断所述第二检测电压的检测。
11.一种检测装置的驱动方法，所述检测装置具有：多个检测电极，在行方向及列方向上排列，检测接近的对象物；多条布线，分别与所述多个检测电极连接；检测电路，与所述多条布线连接；以及运算电路，与所述检测电路连接，
在所述检测装置的驱动方法中，
从所述多个检测电极中将在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极作为检测单位，根据多个检测期间检测所述多个检测电极的电压，
使用所述检测出的所述多个检测电极的电压，计算所述接近的对象物的位置，
所述多个检测期间连续出现，
在所述多个检测期间的连续中，使得在每个所述检测期间内，所述检测单位中包括的所述检测电极在行方向上有一行不同或在列方向上有一列不同。
12.根据权利要求11所述的检测装置的驱动方法，其中，
从所述多个检测电极中在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极中，第一组检测电极包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极沿所述列方向配置；第三电极，与所述第一电极沿与所述列方向交叉的所述行方向配置；以及第四电极，与所述第二电极沿所述行方向配置，且与所述第三电极沿所述列方向配置，
在所述检测装置的驱动方法中，
在第一检测电压检测期间，使用所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极来检测第一检测电压，
在第二检测电压检测期间，至少使用所述第二电极及所述第四电极来检测第二检测电压，
在第三检测电压检测期间，至少使用所述第三电极及所述第四电极来检测第三检测电压，
在第四检测电压检测期间，至少使用所述第四电极来检测第四检测电压，
至少使用所述第一检测电压来计算所述对象物的位置。
13.根据权利要求12所述的检测装置的驱动方法，其中，
使用所述第一检测电压、所述第二检测电压、所述第三检测电压及所述第四检测电压，计算所述对象物的位置。
14.根据权利要求12所述的检测装置的驱动方法，其中，
在所述第一检测电压检测期间之前的第一初始电压检测期间，使用所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极来检测第一初始电压，
使用所述第一初始电压及所述第一检测电压来计算差值，
将所述差值与预定的阈值进行比较，判定所述对象物是否接近。
15.根据权利要求14所述的检测装置的驱动方法，其中，
当所述差值大于所述预定的阈值时，判定为所述对象物接近，
根据所述第一检测电压，在接着所述第一检测电压检测期间之后的所述第二检测电压检测期间，判定是否中断所述第二检测电压的检测。
16.根据权利要求12所述的检测装置的驱动方法，其中，
从所述多个检测电极中在行方向及列方向上彼此相邻的一组检测电极中，与所述第一组检测电极相邻的第二组检测电极具有：
第五电极，与所述第三电极沿所述行方向配置在所述第一电极的相反侧；第六电极，与所述第五电极沿所述列方向配置，且与所述第四电极沿所述列方向配置在所述第二电极的相反侧；第七电极，与所述第五电极沿所述行方向配置在所述第三电极的相反侧；以及第八电极，与所述第六电极沿所述行方向配置在所述第四电极的相反侧，与所述第七电极沿所述列方向配置。
17.根据权利要求16所述的检测装置的驱动方法，其中，
在所述第一检测电压检测期间，使用所述第五电极、所述第六电极、所述第七电极及所述第八电极来检测第五检测电压，
在所述第二检测电压检测期间，至少使用所述第六电极及所述第八电极来检测第六检测电压，
在所述第三检测电压检测期间，使用所述第三电极、所述第四电极、所述第五电极及所述第六电极来检测所述第三检测电压，并至少使用所述第七电极及所述第八电极来检测第七检测电压，
在所述第四检测电压检测期间，至少使用所述第四电极及所述第六电极来检测所述第四检测电压，并至少使用所述第八电极来检测第八检测电压，
至少使用所述第一检测电压及所述第五检测电压来计算所述对象物的位置。
18.根据权利要求17所述的检测装置的驱动方法，其中，
使用所述第一检测电压、所述第二检测电压、所述第三检测电压、所述第四检测电压、所述第五检测电压、所述第六检测电压、所述第七检测电压及所述第八检测电压，计算所述对象物的位置。
19.根据权利要求17所述的检测装置的驱动方法，其中，
在所述第一检测电压检测期间之前的第一初始电压检测期间，使用所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极来检测第一初始电压，并使用所述第五电极、所述第六电极、所述第七电极及所述第八电极来检测第五初始电压，
使用所述第一初始电压及所述第一检测电压来计算第一差值，
使用所述第五初始电压及所述第五检测电压来计算第五差值，
将所述第一差值及所述第五差值相加后的值与预定的阈值进行比较，判定所述对象物是否接近。
20.根据权利要求19所述的检测装置的驱动方法，其中，
当所述相加后的值大于所述预定的阈值时，判定为所述对象物接近，
根据所述第一检测电压及所述第五检测电压，在接着所述第一检测电压检测期间之后的所述第二检测电压检测期间，判定是否中断所述第二检测电压的检测。
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