CN115735163A - 用于快速量测恢复的精确真空窗视口和表膜 - Google Patents

Abstract

提供了用于极紫外(EUV)辐射系统中的光学量测的系统、设备和方法。示例系统可以包括量测系统和窗口。示例量测系统可以被配置为被设置在第一环境中，并且沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量。示例窗口可以被配置为被设置成与光轴相交，并且将量测系统与第二环境隔离。示例窗口还可以被配置为在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

Description

用于快速量测恢复的精确真空窗视口和表膜

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年7月1日提交的题为“PRECISE VACUUM WINDOW VIEWPORTSAND PELLICLES FOR RAPID METROLOGY RECOVERY”的美国申请No.63/046,984的优先权，该美国申请的全部内容通过引用被并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于极紫外(EUV)辐射系统的量测系统和窗口。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(或者被称为掩模或掩模版)可以用于生成要在IC的个体层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个裸片的部分)上。图案的转印通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(扫描方向)上通过辐射束扫描图案、同时同步地平行或反平行于(即反向于)该扫描方向扫描目标部分来辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。

极紫外(EUV)光(例如，具有约50纳米(nm)或更小波长的电磁辐射(有时也被称为软X射线)，并且包括波长为约13nm的光)可以被用于光刻设备中或与光刻设备一起使用，以在衬底(例如硅晶片)中或上产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不一定限于将包括具有在EUV范围内的发射线的元素(例如氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子态。例如，在一种被称为激光产生等离子体(LPP)的此类方法中，可以利用可以被称为驱动激光的经放大光束通过辐射靶材料来产生等离子体，该靶材料在LPP源的上下文中可互换地被称为燃料(例如以材料的微滴、板、带、流或簇的形式)。对于此过程，等离子体通常在密封容器(例如真空腔室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。

发明内容

本公开描述了用于光学量测的系统、设备和方法的各个方面以及极紫外(EUV)辐射系统中的各个其他方面。

在一些方面，本公开描述了一种用于辐射系统(诸如，EUV辐射系统)中的光学量测的系统。该系统可以包括量测系统，该量测系统被配置为被设置在第一环境中。该量测系统还可以被配置为沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量。第二环境可以不同于第一环境。该窗口可以被配置为被设置成与该光轴相交。该窗口还可以被配置为将量测系统与第二环境隔离。该窗口还可以被配置为在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。在一些方面，主焦点可以位于距窗口表面约1米的距离处。

在一些方面，窗口可以被配置为将横向位移限制为小于约±33微米。在一些方面，窗口可以被配置为将沿光轴的角偏差限制为与沿光轴的标称角偏差相差小于约±0.5弧分。在一些方面，窗口可以被配置为将角偏差限制为小于约±0.1弧分。在一些方面，窗口可以被配置为沿光轴将纵向位移限制为与相对于主焦点的标称纵向位移相差小于约±330微米。在一些方面，窗口可以被配置为将纵向位移限制为小于约±200微米。

在一些方面，窗口可以包括第一部件(例如，视口)，该第一部件被配置为被设置成与光轴相交。在一些方面，窗口还可以包括第二部件(例如，表膜)，该第二部件被配置为被设置成与光轴相交并且与第一部件相对。在一些方面，该窗口可以包括与标称楔角相差小于约±0.1弧分的楔角。在一些方面，标称楔角可以是约零度。在其它方面，标称楔角可以大于约零度。

在一些方面，量测系统可以是模块化的。在一些方面，窗口可以被配置为：在量测系统被安装在系统中时，将位移限制为小于约±50微米。在一些方面，窗口可以被配置为：在无校准动作的情况下，将位移限制为小于约±50微米。

在一些方面，本公开描述了一种用于辐射系统(诸如EUV辐射系统)中的光学量测的设备。该设备可以包括第一部件(例如，视口)，该第一部件被配置为被布置成与光轴相交。该设备还可以包括第二部件(例如，表膜)，该第二部件被配置为被设置成与光轴相交并且与第一部件相对。该设备可以被配置为沿着穿过第一部件和第二部件的光轴传输辐射。该设备还可以被配置为在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

在一些方面，主焦点可以位于距设备表面约1米的距离处。在一些方面，第一部件可以包括视口。在一些方面，第二部件可以包括表膜。在一些方面，该设备可以包括与标称楔角相差小于约±0.1弧分的楔角。在一些方面，该设备可以是或包括如本文所述的窗口。

在一些方面，本公开描述了一种用于辐射系统(诸如EUV辐射系统)中的光学量测的方法。该方法可以包括：在第一环境中设置量测系统。该量测系统沿量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，第二环境不同于第一环境。该方法还可以包括：使用被设置成与光轴相交的窗口，将量测系统与第二环境隔离。该方法还可以包括：基于窗口的设置，在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

下面参考附图详细描述其它特征和优势以及各个方面的结构和操作。应注意，本公开不限于本文所述的具体方面。本文仅出于说明目的而呈现这些方面。基于本文所包含的教导，额外的方面将对于相关领域的技术人员而言是明显的。

附图说明

被并入本文且形成说明书的部分的附图图示了本公开，并且与描述一起进一步用于解释本公开的方面的原理且使相关领域的技术人员能够制作和使用本公开的方面。

图1A是根据本公开的一些方面的示例反射式光刻设备的示意图。

图1B是根据本公开的一些方面的示例透射式光刻设备的示意图。

图2是根据本公开的一些方面的图1A所示的反射式光刻设备的更详细的示意图。

图3是根据本公开的一些方面的示例光刻单元的示意图。

图4是根据本公开的一些方面的用于示例性反射式光刻设备的示例辐射源的示意图。

图5是根据本公开的一些方面的示例EUV辐射系统的一部分的示意图。

图6A、图6B、图6C和图6D是根据本公开的一些方面的示例EUV辐射系统的部分的示意图。

图7A、图7B和图7C是根据本公开的一些方面的快速更换窗口组装件的示意图。

图8是根据本公开的一些方面及其(多个)部分的示例方法。

从以下结合附图所阐述的详细描述中，本公开的特征和优势将变得更加明显，在附图中相似的附图标记始终标识对应的元件。在附图中，除非另有说明，相似的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。另外，通常，附图标记的最左边的(多个)数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有说明，在整个公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。

具体实施方式

本说明书公开了包含本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅描述了本公开。本公开的范围不限于所公开的(多个)实施例。本公开的宽度和范围由所附权利要求及其等效来限定。

所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特性。此外，这些短语未必是指同一实施例。另外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例来影响该特征、结构或特性是在本领域技术人员的知识范围内。

为了便于描述，可以在本文中使用诸如“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上面”、“上”等空间相关术语来描述图中所示的一个元素或特征与另一(多个)元素或(多个)特征的关系。除了图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。该设备可以以其他方式来取向(旋转90度或处于其他取向)，并且本文中所使用的空间相对描述符同样可以被相应地解释。

如本文中所使用的术语“约”指示可以基于特定技术而变化的给定量的值。基于特定技术，术语“约”可以表示在例如值的10-30％(例如值的±10％、±20％或±30％)内变化的给定量的值。

概述

在一个示例中，用于EUV辐射系统的窗口包括真空窗口(也称为视口)，该真空窗口与第二窗口(也称为表膜)组装在一起。真空窗口和表膜均由非光学品质的玻璃(例如，钠玻璃)制成。真空窗口为EUV源容器提供真空密封，并且使容器量测能够看到容器中。表膜位于真空容器内，并且提供用于防止锡碎片进入真空窗口的屏障。表膜随时间被锡污染，必须定期更换。当更换表膜时，更换整个视口-表膜组装件。

然而，因为视口和表膜是光学窗口，所以它们可以引起光轴偏差(偏移和角度指向误差)以及将像差传予波前。结果，视口和表膜可能导致量测光轴的未对准。当更换视口和表膜时，这种未对准可能需要量测的重新对准。根据量测模块和在重新对准期间的B-时间(例如，恢复时间)的风险，该重新对准过程可能增加约1到10小时量级的附加恢复时间(MTTR)。此外，现有的视口和表膜可能不具有足够好地控制的制造容差以避免干扰量测的光轴。此外，由于当前的真空窗视口可能不是光学品质的，所以对于量测性能关键的许多规范可能是未知的(例如，与波长相对的折射率，透射波前误差，楔角等)。

相反，本公开的一些实施例可以提供具有改进的结构和容差的窗口，以实质上减小窗口对被耦合到窗口的量测系统的对准的影响。

在一些方面，本公开提供了利用用于视口和表膜的改进的材料结构(例如，光学玻璃)替换钠玻璃以减小由于(a)折射率的不均匀性和(b)非受控气泡和条纹的存在而引起的透射波前像差的窗口。例如，视口和表膜的材料可以是光学玻璃，例如硼硅酸盐冕玻璃，其透射范围为约350纳米至约2.5微米，在587.5618纳米处的折射率为约1.51680(例如，黄色氦线)。在一些方面，视口可以被涂覆有抗反射(AR)涂层。

在一些方面，本公开还提供了一种窗口，该窗口改善了以下方面的容差：(i)用以减小指向误差的视口和表膜的楔角；(ii)用以减小离心和聚焦误差的视口和表膜的厚度；(iii)用以减小聚焦误差的视口和表膜的折射率；(iv)用以减小聚焦误差的视口和表膜的透射波前功率；以及(v)如果需要，使用元件之间的补偿(例如，平衡负误差和正误差)以进一步减小总对准误差。在一些方面，与下面表1所示的传统窗口相比，本公开改善了本文所公开的示例窗口的对准容差。

表1：本文所公开的示例窗口与传统窗口相比的对准容差。

¹精细微滴转向相机(FDSC)。

在一些方面，本文所提供的改进可以将量测对准误差从约600微米横向和2毫米轴向聚焦误差减小到小于约30微米横向和小于约200微米轴向聚焦误差。由于量测对准误差的这种减小，量测系统将不需要在窗口更换(例如，视口和表膜更换)之后被重新对准。

在一些方面，本公开通过缩短针对视口更换的“绿色到绿色”时间(也称为A-时间)来改进EUV辐射系统的可用性。另外，通过消除量测恢复动作，本公开消除了某物出现错误且花费比计划恢复更长的时间(也称为B时间)的风险，这也改进了可用性。

在一些方面，本公开提供了一种技术，由此可以选择视口以消除表膜的误差，反之亦然。该技术提供了更宽松的制造容差，以调换更复杂的配对和构建过程。

本文所公开的窗口有许多益处。例如，本公开提供了视口和表膜的精确控制的制造容差，包括：较小的楔容差；更严格的角度安装容差；较低的透射波前功率容差；由于使用光学品质设计的真空接口对真空窗口的较小应力；代替现有视口中使用的硼硅酸盐玻璃的光学品质玻璃；以及减少的用于更换真空窗口的恢复时间。在另一示例中，本文所公开的窗口、视口和表膜的光学和机械容差被大大改进，在一些方面，这可以消除在视口和表膜更换之后对量测恢复步骤的需要。

在一些方面，本文所公开的窗口、视口和表膜的光学和机械容差还通过消除设置和对准步骤来简化EUV源制造过程。例如，辐射源可以具有九个量测系统，它们都需要指向容器内的特定位置。在一些方面，辐射源要求技术人员在容器内部设置复杂的目标，并且一旦安装在容器上就将量测系统对准这些目标。这是耗时的过程，该过程可能由于技术人员错误而不能正确地完成。相比之下，在其他方面，所有相关硬件(例如，量测系统，窗口，容器框架)的对准容差可以足够小以使得这些设置步骤不再是必需的。因此，一旦已经组装了所有相关的硬件，它们就应已被充分良好地对准以不需要对准动作。本文所公开的高精度窗口对于实现这一点是关键的。

如上所述，指向误差可能对量测系统的总对准误差预算以及转而对EUV辐射源的性能具有关键影响。在一个说明性示例中，从视口到测量位置(辐射收集器的主焦点PF)的光学距离约为1米。视口中的楔引起与折射率成比例的指向误差，如等式D＝L*A*(n-1)所示，其中D＝在主焦点PF处偏移的距离，L＝距主焦点PF的距离，A＝楔角，以及n＝折射率。现有楔容差为±3弧分，或约±870微弧度(urad)。在折射率n约为1.5且距主焦点PF的距离D约为1米的情况下，主PF处的容差可以单独距视口约为435微米(例如，0.5*870)。当还考虑表膜时，容差可以在约600微米和870微米之间。

继续上面的示例，微滴检测模块(DDM)具有约540微米的视场(FOV)。如果微滴照射模块(DIM)视口和表膜被更换，并且实现了在约600微米和870微米之间的对准误差，则DIM和DDM将需要重新对准，这可能花费20个小时。对于本文所公开的窗口，视口和表膜的楔容差均为约±5弧秒，导致在主焦点PF处的偏差小于约30微米，完全在DDM的视场内。

在一些方面，作为本公开中所描述的技术的结果，本文所公开的视口和表膜可以降低量测系统的光学建模中的不确定性。此外，因为本文所公开的视口和表膜是光学品质的，所以可以知道许多对量测性能关键的规范，诸如与波长相比的折射率、透射波前误差、楔角和其它合适的特性。另外，容差视口组装件的使用可以允许：(i)在光具座测试台上预对准量测模块；以及(ii)直接更换量测模块(例如，在出现故障时)而不需要在容器上重新对准，节省时间(例如，每次更换高达10个小时)。

然而，在更详细地描述这些方面之前，呈现其中可以实施本公开的方面的示例环境是有益的。

示例光刻系统

图1A和图1B分别是光刻设备100和光刻设备100'的示意图，其中可以实现本公开的各方面。如图1A和图1B所示，光刻设备100和100'从正交于XZ平面(例如，X-轴指向右并且Z-轴指向上)的视角(例如，侧视图)示出，而图案形成装置MA和衬底W从正交于XY平面(例如，X-轴指向右并且Y-轴指向上)的额外视角(例如，俯视图)而呈现。

光刻设备100和光刻设备100’各自包括以下：照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，深紫外(DUV)辐射束或极紫外(EUV)辐射束)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被配置为支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并且被连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为精确地定位图案形成装置MA；以及诸如衬底台的衬底保持器(例如，晶片台)WT，被配置为保持衬底W(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)并且被连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为精确地定位衬底W。光刻设备100和100’还具有投射系统PS，投射系统PS被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个裸片的部分)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投射系统PS是反射式的。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投射系统PS是透射式的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学组件，诸如折射式、反射式、反折射式、磁性、电磁式、静电式或其它类型的光学组件、或它们的任意组合，用于引导、成形或控制辐射束B。

支撑结构MT以某种方式保持图案形成装置MA，该方式取决于图案形成装置MA相对于参考框架的取向、光刻设备100和100’中的至少一者的设计、以及其它条件，诸如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或工作台，其根据需要可以是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA处于例如相对于投射系统PS的期望位置。

术语“图案形成装置”MA应被广义地解释为是指可以用于对辐射束B的横截面赋予图案以便在衬底W的目标部分C中创建图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C中被创建以形成集成电路的器件中的特定功能层相对应。

图案形成装置MA可以是透射式的(如在图1B的光刻设备100’中)或反射式的(如在图1A的光刻设备100中)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模包括诸如二元、交替相移或衰减相移的掩模类型、以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵排列，小反射镜中的每个小反射镜可以被单独倾斜，以便在不同方向上反射进入的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束B中赋予图案，该辐射束B被小反射镜的矩阵反射。

术语“投射系统”PS可以涵盖任何类型的投射系统，包括折射式、反射式、反折射式、磁性、电磁式和静电式的光学系统、或它们的任何组合，适合于所使用的曝光辐射，或适合于其它因素，诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子。因此可以借助于真空壁和真空泵来向整个射束路径提供真空环境。

光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双级)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或者可以在一个或多个台上执行准备步骤，同时使用一个或多个其它衬底台WT以用于曝光。在一些情况下，附加台可以不是衬底台WT。

光刻设备还可以是其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖以填充投射系统与衬底之间的空间的类型。还可以将浸没液体施加到光刻设备中的其它空间，例如掩模与投射系统之间的空间。浸没技术提供了用于增加投射系统的数值孔径。本文所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须被淹没在液体中，而是仅仅意味着在曝光期间液体位于投射系统与衬底之间。

参考图1A和图1B，照射系统IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当辐射源SO是准分子激光器时，辐射源SO和光刻设备100或100’可以是分开的物理实体。在这种情况下，辐射源SO不被认为形成光刻设备100或100’的部件，并且辐射束B借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束递送系统BD(例如，在图1B中示出)从辐射源SO传递到照射系统IL。在其它情况下，例如，当辐射源SO是汞灯时，辐射源SO可以是光刻设备100或100’的组成部件。如果需要，辐射源SO和照射器IL与束递送系统BD一起可以被称为辐射系统。

照射系统IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD(例如，在图1B中示出)。通常，至少可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的外和/或内径向范围(通常分别被称为“σ-外”和“σ-内”)。另外，照射系统IL可以包括各种其它组件(例如，在图1B中)，诸如积分器IN和辐射收集器CO(例如，聚束器或收集器光学器件)。照射系统IL可以用于调节辐射束B，以在辐射束B的横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

参考图1A，辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过图案形成装置MA进行图案化。在光刻设备100中，辐射束B从图案形成装置MA被反射。在从图案形成装置MA被反射之后，辐射束B通过投射系统PS，投射系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量装置，线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被精确地移动(例如，以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1(例如，干涉测量装置，线性编码器或电容传感器)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1和M2和衬底对准标记P1和P2来对准图案形成装置MA和衬底W。

参考图1B，辐射束B入射到被保持在支撑结构MT上的图案形成装置MA上，并且通过图案形成装置MA进行图案化。在穿过图案形成装置MA之后，辐射束B通过投射系统PS，投射系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。投射系统具有与照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出并穿过掩模图案而不受在掩模图案处的衍射的影响，并且在照射系统光瞳IPU处产生强度分布的图像。

投射系统PS将掩模图案MP的图像MP’投射到被涂覆在衬底W上的抗蚀剂层上，其中图像MP’由通过来自强度分布的辐射从标记图案MP产生的衍射束形成。例如，掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。辐射在阵列处的衍射不同于零级衍射，生成在垂直于线的方向上具有方向变化的转向衍射束。未衍射束(即所谓的零阶衍射束)在传播方向上没有任何变化地穿过图案。零阶衍射束穿过投射系统PS中在投射系统PS的光瞳共轭PPU上游的上透镜或上透镜组，以到达光瞳共轭PPU。光瞳共轭PPU的平面中并与零阶衍射束相关联的强度分布的部分是照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔径装置PD例如被设置在或基本上被设置在包括投射系统PS的光瞳共轭PPU的平面处。

投射系统PS被布置为：通过透镜或透镜组L，不仅捕获零阶衍射束，还捕获一阶或一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些方面，用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，一阶衍射束在衬底W的水平处与对应的零阶衍射束干涉，以在最高可能的分辨率和工艺窗口(即，与可容忍的曝光剂量偏差相结合的可用焦深)处创建掩模图案MP的图像。在一些方面，可以通过在照射系统光瞳IPU的相对象限中提供辐射极(未示出)来减小像散像差。此外，在一些方面，可以通过阻挡与相对象限中的辐射极相关联的投射系统的光瞳共轭PPU中的零阶束来减小像散像差。这在2009年3月31日公布的题为“Lithographic projection apparatus and a devicemanufacturing method”的美国专利No.7,511,799中更详细地描述，该专利的全部内容通过引用被并入本文中。

借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置，线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以被精确地移动(例如，以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(图1B中未示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA(例如，在从掩模库机械取回之后或在扫描期间)。

通常，支撑结构MT的移动可以借助于长行程定位器(粗略定位)和短行程定位器(精细定位)来实现，长行程定位器和短行程定位器形成第一定位器PM的部件。类似地，可以使用长行程定位器和短行程定位器来实现衬底台WT的移动，长行程定位器和短行程定位器形成第二定位器PW的部件。在步进器(与扫描仪相对)的情况下，支撑结构MT可以仅被连接到短行程致动器或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管衬底对准标记(如图所示)占据了专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(例如，划道对准标记)。类似地，在图案形成装置MA上提供多于一个裸片的情况下，掩模对准标记可以位于裸片之间。

支撑结构MT和图案形成装置MA可以在真空腔室V中，其中真空中机器人IVR可以用于将图案形成装置(诸如掩模)移入和移出真空腔室。备选地，当支撑结构MT和图案形成装置MA在真空腔室的外部时，真空外机器人可以被使用以用于各种运输操作，类似于真空中机器人IVR。真空中和真空外机器人都需要被校准，以用于将任何有效负载(例如，掩模)平滑地传送到传送站的固定运动支座。

光刻设备100和100’可以用于以下模式中的至少一种：

1.在步进模式中，支撑结构MT和衬底台WT被保持基本静止，同时被赋予辐射束B的整个图案被一次投射到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后衬底台WT在X和/或Y方向上进行移位，使得不同的目标部分C可以被暴露。

2.在扫描模式中，支撑结构MT和衬底台WT被同步扫描，同时被赋予辐射束B的图案被投射到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT(例如，掩模台)的速度和方向可以由投射系统PS的(去)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，支撑结构MT被保持基本静止以保持可编程图案形成装置MA，并且在被赋予辐射束B的图案被投射到目标部分C上的同时移动或扫描衬底台WT。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以很容易地应用于利用可编程图案形成装置MA(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

也可以采用对所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。

在另一方面，光刻设备100包括EUV源，EUV源被配置为生成用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调节EUV源的EUV辐射束。

图2更详细地示出了光刻设备100，包括辐射源SO(源收集器设备)、照射系统IL和投射系统PS。如图2所示，光刻设备100从正交于XZ平面的视角(例如侧视图)进行图示(例如，X-轴指向右，并且Z-轴指向上)。

辐射源SO被构造和布置为使得可以在封闭结构220中维持真空环境。辐射源SO包括源腔室211和收集器腔室212，并且被配置为产生和传输EUV辐射。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如氙(Xe)气体、锂(Li)蒸气或锡(Sn)蒸气，其中产生EUV辐射发射等离子体210以发射在电磁波谱的EUV范围内的辐射)产生。例如，EUV辐射发射等离子体210(至少部分电离的)可以由例如放电或激光束产生。为了有效地生成辐射，可以使用例如约10帕(Pa)的Xe气体、Li蒸汽、Sn蒸气或任何其它合适的气体或蒸气的分压。在一些方面，提供被激发的锡的等离子体以产生EUV辐射。

由EUV辐射发射等离子体210发射的辐射从源腔室211经由可选的气体障碍或污染物陷阱230(在一些情况下也称为污染物障碍或箔陷阱)被传递进入收集器腔室212，该气体障碍或污染物陷阱230位于源腔室211中的开口中或后面。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体障碍或气体障碍与通道结构的组合。本文所进一步指出的污染物陷阱230至少包括通道结构。

收集器腔室212可以包括辐射收集器CO(例如，聚束器或收集器)，辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤波器240被反射离开，以被聚焦在虚拟源点IF。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置为使得虚拟源点IF位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点IF是EUV辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤波器240被特别用于抑制红外(IR)辐射。

随后，辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置为在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望角分布，以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望均匀性。当辐射束221在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成被图案化的束226，并且被图案化的束226由投射系统PS经由反射元件228、229成像到由晶片台或支撑结构WT保持的衬底W上。

在照射系统IL和投射系统PS中通常可以存在比所示出的更多的元件。可选地，根据光刻设备的类型，光栅光谱滤波器240可以存在。此外，可以存在比图2所示的反射镜更多的反射镜，例如与图2所示的相比，在投射系统PS中可以存在1至6个附加反射元件。

如图2所示，辐射收集器CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，只是作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O被轴对称地设置，并且这种类型的辐射收集器CO优选地与放电产生等离子体(DPP)源结合使用。

示例光刻单元

图3示出了光刻单元300，有时也称为光刻单元(lithocell)或簇。如图3所示，光刻单元300从正交于XY平面(例如，X轴指向右，并且Y轴指向上)的视角(例如，俯视图)进行图示。

光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的部件。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前和曝光后工艺的一个或多个设备。例如，这些设备包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影经曝光的抗蚀剂的显影剂DE、冷却板CH以及烘烤板BK。衬底处理器RO(例如，机器人)从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的处理设备之间移动它们，并且将它们递送到光刻设备100或100’的装载舱LB。这些通常统称为轨道的装置处于轨道控制单元TCU的控制下，该轨道控制单元TCU本身由监督控制系统SCS控制，该监督控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以使生产量和处理效率最大化。

示例辐射源

用于示例反射式光刻曝光设备(例如，图1A的光刻设备100)的辐射源SO的示例在图4中进行示出。如图4所示，辐射源SO从如下所述的正交于XY平面的视角(例如俯视图)进行图示。

图4所示的辐射源SO是可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。可以例如包括二氧化碳(CO₂)激光器的激光系统401被布置为经由一个或多个激光束402将能量沉积到燃料靶403’中，诸如从燃料靶生成器403(例如，燃料发射器，微滴生成器)提供的一个或多个离散锡(Sn)微滴。根据一些方面，激光系统401可以是脉冲、连续波或准连续波激光器，或者可以以脉冲、连续波或准连续波激光器的方式操作。从燃料靶生成器403发射的燃料靶403’(例如，微滴)的轨迹可以平行于X-轴。根据一些方面，一个或多个激光束402在平行于Y-轴的方向上传播，Y-轴垂直于X-轴。Z-轴垂直于X-轴和Y-轴两者并且通常延伸到页面的平面中(或延伸出页面的平面)，但是在其它方面，使用其它配置。在一些实施例中，激光束402可以在除了平行于Y-轴之外的方向上传播(即在除了与燃料靶403’的轨迹的X-轴方向正交之外的方向上传播)。

尽管在以下描述中提到了锡，但是可以使用任何合适的靶材料。靶材料例如可以是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料靶生成器403可以包括喷嘴，该喷嘴被配置为沿着朝向等离子体形成区域404的轨迹来引导例如燃料靶403’(例如，离散微滴)形式的锡。贯穿说明书的其余部分，对“燃料”、“燃料靶”或“燃料微滴”的引用应被理解为指的是由燃料靶生成器403发射的靶材料(例如，微滴)。燃料靶生成器403可以包括燃料发射器。一个或多个激光束402在等离子体形成区域404处入射到靶材料(例如，锡)上。激光能量到靶材料中的沉积在等离子体形成区域404处产生等离子体407。在等离子体的离子和电子的去激发和重组期间从等离子体407发射包括EUV辐射的辐射。

EUV辐射由收集器405(例如，辐射收集器CO)收集和聚焦。在一些方面，收集器405可以包括近垂直入射辐射收集器(有时更一般地被称为垂直入射辐射收集器)。辐射收集器405可以是多层结构，其被布置为反射EUV光(例如，具有诸如约13.5nm的期望波长的EUV辐射)。根据一些方面，辐射收集器405可以具有椭圆形配置，具有两个焦点。如本文所讨论的，第一焦点可以在等离子体形成区域404处，并且第二焦点可以在中间焦点IF处。

在一些方面，激光系统401可以位于距辐射源SO相对长的距离处。在这种情况下，借助于包括例如合适的定向镜和/或扩束器和/或其他光学器件的束递送系统(未示出)，可以将一个或多个激光束402从激光系统401传递到辐射源SO。激光系统401和辐射源SO可以一起被认为是辐射系统。

由收集器405反射的辐射形成辐射束B。辐射束B被聚焦在一个点处(即，中间焦点IF)以形成等离子体形成区域404的图像，其用作照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B聚焦的点可以被称为中间焦点IF(中间焦点406)。辐射源SO被布置为使得中间焦点IF位于辐射源SO的封闭结构409中的开口408处或附近。

辐射束B从辐射源SO传递到照射系统IL中，该照射系统IL被配置为调节辐射束B。辐射束B从照射系统IL传递并入射在由支持结构MT所保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射辐射束B并对辐射束B进行图案化。在从图案形成装置MA反射之后，经图案化的辐射束B进入投射系统PS。投射系统包括多个反射镜，其被配置为将辐射束B投射到由衬底台WT保持的衬底W上。投射系统PS可以对辐射束应用缩减因子，从而形成其中特征小于图案形成装置MA上的对应特征的图像。例如，可以应用缩减因子4。尽管投射系统PS在图2中被示为具有两个反射镜，但是投射系统可以包括任意数目的反射镜(例如，六个反射镜)。

辐射源SO可以包括图4中未图示的组件。例如，可以在辐射源SO中提供光谱滤波器。光谱滤波器可以对EUV辐射基本上是透射的，但是对诸如红外辐射之类的其他波长的辐射基本上是阻挡的。

辐射源SO(或辐射系统)还包括燃料靶成像系统，以获得等离子体形成区域404中的燃料靶(例如，微滴)的图像，或者更具体地以获得燃料靶的阴影图像。燃料靶成像系统可以检测从燃料靶的边缘衍射的光。下文中对燃料靶图像的引用也应被理解为指的是燃料靶的阴影图像或由燃料靶引起的衍射图案。

燃料靶成像系统可以包括光电检测器，诸如CCD阵列或CMOS传感器，但是应理解，可以使用适合于获得燃料靶图像的任何成像装置。应理解，除了光电检测器之外，燃料靶成像系统还可以包括光学组件，诸如一个或多个透镜。例如，燃料靶成像系统可以包括相机410，例如，光电传感器(或：光电检测器)和一个或多个透镜的组合。可以选择光学组件以使得光电传感器或相机410获得近场图像和/或远场图像。相机410可以被定位在辐射源SO内的任何适当位置处，相机从该位置具有到等离子体形成区域404的视线以及被提供在收集器405上的一个或多个标记(图4中未示出)。在一些方面，然而，可能需要将相机410定位为远离一个或多个激光束402的传播路径以及远离从燃料靶生成器403发射的燃料靶的轨迹，以避免损坏相机410。根据某些方面，相机410被配置为经由连接412向控制器411提供燃料目标的图像。连接412被示为有线连接，尽管应理解，可以将该连接412(以及本文中所提到的其他连接)实现为有线连接或无线连接或它们的组合。

如图4中所示，辐射源SO可以包括燃料靶生成器403，该燃料靶生成器403被配置为朝向等离子体形成区域404生成和发射燃料靶403’(例如，离散的锡微滴)。辐射源SO还可以包括激光系统401，激光系统401被配置为利用一个或多个激光束402撞击燃料靶403’中的一个或多个燃料靶，以用于在等离子体形成区域404处生成等离子体407。辐射源SO还可以包括辐射收集器405(即，辐射收集器CO)，辐射收集器405被配置为收集由等离子体407发射的辐射。

图5至图7示出了被设置在用于示例反射式光刻设备的辐射源50中的量测系统和窗口的示例。

示例量测系统和窗口

图5图示了示例封闭结构502(例如，封闭结构220，封闭结构409)的等轴侧视图500，该示例封闭结构502被配置为作为示例反射式光刻设备的示例辐射源SO的部件保持真空环境。示例封闭结构502可以被设置成与辐射收集器506(例如，图2所示的辐射收集器CO，图4所示的辐射收集器405)相邻。作为参考，辐射收集器506的主焦点504与包括X轴、Y轴和Z轴的笛卡尔坐标系一起进行图示，尽管可以使用任何合适的相对或通用坐标系。在一些方面，示例封闭结构502包括与燃料目标生成器(例如，燃料目标生成器403，微滴生成器DG)相关联的开口508以及与燃料目标接收器(例如，锡捕集器TC)相关联的开口509。

如图5所示，根据本公开的一些方面，一个或多个示例组件可以机械地连接(例如，通过一个或多个紧固件、夹具、粘合剂或它们的组合锚定或以其他方式附接)到示例封闭结构502。可以机械地连接到辐射源SO的示例封闭结构502的示例组件可以包括但不限于：量测系统510和窗口511；量测系统512和窗口513；量测系统514和窗口515；量测系统516和窗口517；量测系统518和窗口519；量测系统520和窗口521；量测系统522和窗口523；量测系统524和窗口525；量测系统526和窗口527；任何其它合适的组件，或它们的任何组合。在一些方面，主焦点504可以位于距窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口的表面约1米的距离处。

在一些方面，量测系统510可以包括粗微滴操纵相机(CDSC)，并且量测系统522可以包括细微滴操纵相机(FDSC)。在一些方面，量测系统512可以包括第一微滴形成相机(DFC)，并且量测系统520可以包括第二DFC。在一些方面，量测系统514可以包括微滴检测模块(DDM)。在一些方面，量测系统516可以包括线激光器模块(LLM)。在一些方面，量测系统518可以包括微滴照射模块(DIM)。在一些方面，量测系统524可以包括第一照射模块，诸如第一背光激光器模块(BLM)，并且量测系统526可以包括第二照射模块，诸如第二BLM。在一些方面，量测系统524和526(例如，第一BLM和第二BLM)可以连接到量测系统512和520(例如，一对DFC)。

在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以如参考以下所描述的方式来构造和布置：图6A和图6B所示的窗口640、图7所示的窗口740、图7所示的示例快速更换窗口组装件700、任何其它合适的窗口或窗口组装件、其中所包括的任何结构或特征或它们的任何组合。

在一些方面，量测系统510、512、514、516、518、520、522、524和526中的一个或多个量测系统可以被配置为被设置在第一环境中，诸如位于密封容器(诸如示例封闭结构502)外部的大气环境。在一些方面，量测系统510、512、514、516、518、520、522、524和526中的一个或多个量测系统可以被配置为沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量。在一些方面，该区域可以部分地或全部地涵盖任何合适的几何区域，诸如：在包括辐射收集器506的主焦点504的示例封闭结构内部的区域；图4所示的等离子体形成区域404；图6A和图6C所示的区域601；任何其它合适的区域；或它们的任何组合。在一些方面，量测系统的光轴可以是诸如图6A和图6C所示的光轴602的光轴。在一些方面，第二环境可以是位于密封容器(诸如示例封闭结构502)内部的真空环境或部分真空环境。在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为被设置成与相应量测系统的光轴相交。在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为将相应的量测系统与第二环境隔离。

在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为：在辐射收集器506的主焦点504处将横向位移(例如，横向聚焦误差)限制为与相对于(例如，特定窗口的相应量测系统的)光轴的标称横向位移相差小于约±50微米的横向位移容差。在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为：在辐射收集器506的主焦点504处将横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±33微米的横向位移容差。

在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为将沿光轴(例如，特定窗口的相应量测系统的光轴)的角偏差限制为与沿光轴的标称角偏差相差小于约±0.5弧分的角偏差容限。在一些方面，窗口511，513，515，517，519，521，523，525和527中的一个或多个窗口可以被配置为沿着光轴将角偏差限制为与标称角偏差相差小于约±0.1弧分的角偏差容限。

在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为：沿着光轴(例如，特定窗口的相应量测系统的光轴)将纵向位移(例如，轴向聚焦误差)限制为与相对于主焦点504的标称纵向位移相差小于约±330微米的纵向位移容差。在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为：沿着光轴将纵向位移限制为与相对于主焦点504的标称纵向位移相差小于约±200微米的纵向位移容差。

在一些方面，量测系统510、512、514、516、518、520、522、524和526中的一个或多个量测系统可以是模块化量测系统。在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为：在相应的量测系统被安装在辐射源SO中时，将横向位移限制为小于约±50微米。在一些方面，窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口可以被配置为：在无校准动作(例如，无需执行单独的校准动作)的情况下，将横向位移限制为小于约±50微米。

图6A、图6B、图6C和图6D是根据本公开的一些方面的示例EUV辐射系统的部分的示意图。图6A图示了根据本公开的一些方面的示例系统600的示意图。如图6A所示，示例系统600包括量测系统630和窗口640。在一些方面，量测系统630可以是或包括图5所示的量测系统510、512、514、516、518、520、522、524和526中的一个或多个量测系统。在一些方面，窗口640可以是或包括图5所示的窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527中的一个或多个窗口。

在一些方面，量测系统630可以被设置在位于密封容器(例如，图2中所示的封闭结构220，图4中所示的封闭结构409，图5中所示的封闭结构502)外部的第一环境680(例如，大气环境)中，并且可移除地附接(例如，通过一个或多个紧固件、夹具、粘合剂或它们的组合机械地连接、锚定或以其他方式附接)到窗口640。在一些方面，窗口640可以可移除地附接到密封容器(例如，图2所示的封闭结构220，图4所示的封闭结构409，图5所示的封闭结构502)，该密封容器被配置为作为示例反射式光刻设备的示例辐射源SO的部件来维持第二环境682(例如，真空环境，部分真空环境)。

作为参考，图6A图示了辐射收集器(例如，图2所示的辐射收集器CO，图4所示的辐射收集器405，图5所示的辐射收集器506)的主焦点604以及量测系统630的光轴602。在一些方面，主焦点604可以位于距窗口640的表面约1米的距离处。例如，主焦点604可以位于距视口648的表面648b(图6B所示)约1米的距离处。

在一些方面，量测系统630可以被配置为沿着量测系统630的光轴602执行对第二环境682中的区域601的一个或多个测量。在一些方面，区域601可以部分地或全部地涵盖任何合适的几何区域，诸如：在包括辐射收集器的主焦点604的示例封闭结构内部的区域；图4所示的等离子体形成区域404；任何其它合适的区域；或它们的任何组合。在一些方面，第二环境682可以是位于密封容器内部的真空环境或部分真空环境。在一些方面，窗口640可以被配置为被设置成与量测系统630的光轴602相交。

在一些方面，窗口640可以包括基部结构642、视口安装结构644、视口648、表膜安装结构652、表膜650、辐射屏蔽结构646(例如，光屏蔽)、任何其它合适的组件或结构、或它们的任何组合。在一些方面，参考图6B进一步详细描述窗口640。

如图6B所示，窗口640的基部结构642可以包括O形环664，该O形环664被配置为可移除地附接到密封容器的外表面。基部结构642可以包括O形环660，该O形环660被配置为可移除地附接到视口648的表面648b(例如，内表面)。视口安装结构644可以包括O形环661，该O形环661被配置为可移除地附接到视口648的表面648a(例如，外表面)。在一些方面，辐射屏蔽结构646和视口安装结构644可以被配置为使用紧固件(例如，八个内六角插口平头机器螺钉)附接到基部结构642。

在一些方面，视口648可以包括抗反射(AR)涂覆的光学玻璃，例如硼硅酸盐冕玻璃，该光学玻璃具有约350纳米至约2.5微米的透射范围和在587.5618纳米处约为1.51680的折射率(例如，黄色氦线)。在一些方面，表膜650可以包括与在视口648中所包括的光学玻璃相同或不同的光学玻璃。

在一些方面，窗口640可以被配置为将量测系统630与第二环境682隔离。例如，O形环661、O形环660和O形环664可以将第一环境680与第二环境682分开。在一些方面，窗口640可以包括流动通道668，该流动通道668被配置为将第二环境682延伸到被设置在表面650a与表面648b之间的体积。

在一些方面，窗口640可以包括与标称楔角相差小于±5.0弧秒、或约±0.1弧分的楔角。在一些方面，标称楔角可以是约零度。例如，视口648、表膜650或两者可以具有与零度的标称楔角相差小于±5.0弧秒的楔角。在一个说明性示例中，表面648a与表面648b之间的标称楔角可以是约零度，并且表面648a与表面648b之间的楔角可以小于约－5.0弧秒和约5.0弧秒。在另一个说明性示例中，表面650a与表面650b之间的标称楔角可以是约零度，并且表面650a与表面650b之间的楔角可以在约-5.0弧秒与约5.0弧秒之间。

在其它方面，标称楔角可以大于约零度。例如，视口648、表膜650或两者可以具有与大于约零度的标称楔角(例如，约58弧分，1度56弧分，3度52弧分或任何其它合适的楔角)相差小于±5.0弧分的楔角。在一个说明性示例中，表面648a与表面648b之间的标称楔角可以是约3,480弧秒，并且表面648a与表面648b之间的楔角可以在约3,475弧秒与约3,485弧秒之间。在另一说明性示例中，表面650a与表面650b之间的标称楔角可以是6,960弧秒，并且表面650a与表面650b之间的楔角可以在约6,955弧秒与约6,965弧秒之间。

图6C更详细地图示了区域601。应理解，区域601不必按比例绘制，并且此外，图6C所示的线性二维描绘实际上可以指的是非线性方面、三维方面、任何其它合适的方面或它们的组合。

如图6C所示，区域601可以包括辐射收集器的主焦点604。主焦点604可以沿着量测系统630的光轴602来设置。图6C还图示了横向于主焦点604且正交(例如，垂直)于光轴602的轴603。

如图6C进一步所示，区域601可以包括窗口640(例如，在窗口640不是理想窗口的情况下)的标称位移焦点606(例如，预测的，估计的，计划的或设计的聚焦误差)。标称位移焦点606可以沿着窗口640的标称位移光轴605(例如，预测的，估计的，计划的或设计的光轴)来设置。如本文所使用的，术语“标称”可以指的是预测的、估计的、计划的或设计的值、测量结果、位置、几何形状或其它合适的特性。

在一些方面，标称位移焦点606可以具有在辐射收集器的主焦点604处相对于光轴602的标称横向位移610(例如，预测的，估计的，计划的或设计的横向聚焦误差)。在一个说明性示例中，标称横向位移610可以是约1毫米。在一些方面，标称位移焦点606可以具有沿着光轴602相对于主焦点604的标称纵向位移611(例如，预测的，估计的，计划的或设计的轴向聚焦误差)。在一些方面，标称位移焦点606可以具有相对于光轴602的标称角偏差618(例如，预测的，估计的，计划的或设计的标称角偏差)。

在一些方面，标称位移焦点606可以通过初始量测模块对准过程来校正，并且因此，标称位移焦点606可以与主焦点604重合。作为初始量测模块对准过程的结果，标称横向位移610可以是约0微米，标称纵向位移611可以是约0微米，并且标称角偏差618可以是约0度。

如图6C进一步所示，区域601可以包括窗口640的位移焦点608(例如，实际聚焦误差)。位移焦点608可以沿着窗口640的位移光轴607(例如，实际光轴)来设置。

在一些方面，位移焦点608可以在辐射收集器的主焦点604处具有相对于光轴602的横向位移612(例如，实际横向聚焦误差)。在一些方面，位移焦点608可以具有沿着光轴602相对于主焦点604的纵向位移614(例如，实际轴向聚焦误差)。在一些方面，位移焦点608可以具有相对于光轴602的角偏差619(例如，实际角偏差)。

在一些方面，位移焦点608可以具有相对于标称位移焦点606的实际到标称的横向移位613，该实际到标称的横向移位613被设置在相对于标称位移焦点606的横向位移容差616内。在一些方面，横向位移容差616可以小于约±50微米，小于约±33微米，或小于任何其它合适的容差。

在一些方面，位移焦点608可以具有相对于标称位移焦点606的实际到标称的纵向位移615，该实际到标称的纵向位移615被设置在相对于标称位移焦点606的纵向位移容差617内。在一些方面，纵向位移容差617可以小于约±330微米，小于约±200微米，或小于任何其它合适的容差。

在一些方面，位移焦点608可以具有相对于标称位移焦点606的实际到标称的角偏差620，该实际到标称的角偏差620被设置在相对于标称位移焦点606的角偏差容限621内。在一些方面，角偏差容限621可以小于约±0.5弧分，小于约±0.1弧分，小于约±5弧秒，或小于任何其它合适的容差。

在一些方面，窗口640可以被配置为：在辐射收集器的主焦点604处将横向位移612限制为与相对于光轴602的标称横向位移610相差小于约±50微米的横向位移容差616。在一些方面，窗口640可以被配置为：在辐射收集器的主焦点604处将横向位移612限制为与相对于光轴602的标称横向位移610相差小于约±33微米的横向位移容差616。换言之，窗口640可以被配置为：将实际到标称的横向位移613限制为小于约±50微米，将实际到标称的横向位移613限制为小于约±33微米，或将实际到标称的横向位移613限制为小于任何其它合适的容差。

在一些方面，窗口640可以被配置为：沿着光轴602将纵向位移614限制为与相对于主焦点604的标称纵向位移611相差小于约±330微米的纵向位移容差617。在一些方面，窗口640可以被配置为：沿着光轴602将纵向位移614限制为与相对于主焦点604的标称纵向位移611相差小于约±200微米的纵向位移容差617。换言之，窗口640可以被配置为：将实际到标称的纵向位移615限制为小于约±330微米，将实际到标称的纵向位移615限制为小于约±200微米，或将实际到标称的纵向位移615限制为小于任何其它合适的容差。

在一些方面，窗口640可以被配置为：将沿光轴602的角偏差619限制为与沿光轴602的标称角偏差618相差小于约±0.5弧分的角偏差容限621。在一些方面，窗口640可以被配置为沿光轴602将角偏差619限制为与标称角偏差618相差小于约±0.1弧分的角偏差容限621。

换言之，窗口640可以被配置为：将实际到标称的角偏差620限制为小于约±0.5弧分，将实际到标称的角偏差620限制为小于约±0.1弧分，将实际到标称的角偏差620限制为小于约±5弧秒，或将实际到标称的角偏差620限制为小于任何其它合适的容差。

在一些方面，量测系统630可以是模块化量测系统。在一些方面，窗口640可以被配置为：在量测系统630被安装在辐射源SO中时，在辐射收集器的主焦点604处将横向位移612限制为与相对于光轴602的标称横向位移610相差小于约±50微米。在一些方面，窗口640可以被配置为：在无校准动作的情况下(例如，在无需执行超出初始量测模块对准过程的单独校准动作以调整标称位移焦点606的情况下)，在辐射收集器的主焦点604处将横向位移612限制为与相对于光轴602的标称横向位移610相差小于约±50微米。

如图6D所示，视口648可以被配置为被设置成与光轴602相交。在一些方面，表膜650可以被配置为被设置成与光轴602相交并且与视口648相对(例如，以约零度的角度，以大于约零度的角度，或以小于约零度的角度)。例如，视口648可以具有视口轴690，表膜650可以具有表膜轴692，并且视口轴690与表膜轴692之间的角度691可以大于零度(例如，约4.5度)以减少或防止背反射。

示例快速更换窗口组装件

图7A、图7B和图7C是根据本公开的一些方面的示例快速更换窗口组装件700的示意图。如图7A所示，示例快速更换窗口组装件700可以包括快速更换窗口740和快速更换窗口框架770(例如，固定机构)。在一些方面，如图7A中所描绘的，示例快速更换窗口组装件700可以包括多个紧固件，诸如紧固件、销、夹子、旋转臂和其它这种结构，为了简洁起见，这些在图7A中没有标出。

在一些方面，快速更换窗口740可以包括基部结构742、视口安装结构744、视口748(例如，“光学平晶”品质衬底)、表膜安装结构(未示出)、表膜(未示出；例如，相对于视口748成角度以防止背反射)、辐射屏蔽结构(未示出)、任何其它合适的组件或结构、或它们的任何组合。在一些方面，快速更换窗口740可以包括参考图5所示的窗口511、513、515、517、519、521、523、525和527以及图6A和图6B所示的窗口640所描述的一个或多个结构。在一些方面，一个或多个快速更换安装结构(诸如滚珠轴承743a和滚珠轴承743b)可以连接到基部结构742，以用于安装、对准和拆除示例快速更换窗口组装件700。

在一些方面，快速更换窗口框架770可以包括框架结构772，该框架结构772可以附接到快速更换窗口740(例如，附接到基部结构742)。在一些方面，一个或多个快速更换安装结构(诸如滚珠轴承774a，滚珠轴承774b，滚珠轴承774c和滚珠轴承774d)可以附接到框架结构772，以用于安装、对准和拆除示例快速更换窗口组装件700。在一些方面，快速更换窗口框架770可以包括被配置为接收安装和拆除工具790(图7B所示)的接收结构776。在一些方面，快速更换窗口框架770可以是内置的固定机构，其确保快速更换窗口740相对于辐射源容器上的参考表面的一致取向。在一些方面，快速更换窗口框架770可以使用“偏心自锁(over center)”凸轮来提供可靠的接合和真空气密性。在一些方面，快速更换窗口框架770可以被配置为使得当利用辐射源容器进行真空密封时不发生真空密封O形环的擦洗。

如图7B所示，示例快速更换窗口组装件700可以通过安装和拆除工具790的运动792来安装和拆除。在一些方面，示例快速更换窗口组装件700的固定部件(例如，快速更换窗口740的基部结构742)可以包括轴承(例如，滚珠轴承743a，滚珠轴承743b)，当快速更换窗口740被插入辐射源容器702上的其插口中时，该轴承用作行进止挡件。在一些方面，示例快速更换窗口组装件700可以被配置为使得不会发生额外的平移(例如，密封O形环相对于密封表面的取向)。在一些方面，致动安装和拆除机构仅提供挤压密封环的运动。

如图7C所示，示例快速更换窗口组装件700可以通过运动794从辐射源容器702上的其插口安装和拆除。在安装和拆除期间，量测系统796(例如，图5所示的量测系统522)可以保持固定到辐射源容器702。

在一些示例中，保留方法可以是：(i)具有多个固定螺钉的松动金属密封件；(ii)具有多个固定螺钉的松动弹性密封件；以及(iii)具有补充的松动夹环的松动弹性密封件。此外，真空视口可以包括玻璃和金属结合，玻璃和金属结合在窗口中施加应力并因此产生变形。此外，表膜具有有限的寿命。例如，来自EUV等离子体的锡碎片(经由蒸气和弹道粒子两者)积聚在表膜上，从而模糊了量测系统查看感兴趣区域(例如，图6A和图6C中所示的区域601)的能力。存在表膜以保护视口窗口免受污染和所产生的热应力，该热应力历史上导致窗口破裂和真空损失(例如，系统停机状况)。表膜相对于视口的取向有些随机。

在一些方面，示例快速更换窗口组装件700将表膜组合到具有经由O形环而固定的光学器件的精密壳体中，这可以允许对光学失真的控制和最小化。在一些方面，通过包括“偏心自锁”凸轮机构，可以在几秒钟内完成安装和拆除。仅需要单臂通路来致动安装和拆除机构。视口拆除也可能需要单臂前移。

在一些方面，示例快速更换窗口组装件700提供了具有极好的光学特性(例如，波前误差)和优化的安装和拆除特征的视口748，其使EUV辐射源的可用性最大化。在一些方面，示例快速更换窗口组装件700在同一光路中提供牺牲窗口(称为表膜)。因此，示例快速更换窗口组装件700提供了优化的视口，该视口涵盖真空窗口和表膜，同时具有快速安装和拆除能力。

示例快速更换窗口组装件700可以满足对EUV辐射系统的可用性的极端要求，并且能够快速地完成所有维护动作。换言之，快速更换时间支持对系统正常运行时间和可用性的极端可用性要求的需要。在另一示例中，与玻璃和金属焊料相比，使用弹性体密封件促进了较低的光学玻璃变形和较低的玻璃中的残余应力。结果，可能存在较低的破裂风险、辐射源中的真空损失以及用于恢复的较长停机时间(例如，B-时间)。

用于光学量测的示例过程

图8是根据本公开的一些方面或其(多个)部分的用于辐射系统(例如，EUV辐射系统，诸如图1A、图2和图4所示的示例辐射源50)中的光学量测的示例方法800。参考示例方法800所描述的操作可以由或根据本文所描述的系统、设备、组件、技术或它们的组合中的任一者来执行，诸如上面参考图1至图7所描述的那些。

在操作802处，该方法可以包括在第一环境(例如，诸如图6A和图6B所示的第一环境680的大气环境)中设置量测系统(例如，图5所示的量测系统510、512、514、516、518、520、522、524或526；图6A所示的量测系统630)。量测系统沿着量测系统的光轴(例如，图6A和图6C所示的光轴602)对第二环境(例如，真空或部分真空环境，诸如图6A和图6B所示的第二环境682)中的区域(例如，图4所示的等离子体形成区域404；图6A和图6C所示的区域601)执行一个或多个测量，第二环境不同于第一环境。在一些方面，量测系统的设置可以使用合适的机械方法或其它方法来实现，并且包括根据上面参考图1至图7所描述的任何方面或方面的组合来设置量测系统。

在操作804处，该方法可以包括使用窗口(例如，图5所示的窗口511、513、515、517、519、521、523、525或527；图6A和图6B所示的窗口640；图7a所示的快速更换窗口740)将量测系统与第二环境隔离，该窗口被设置成与光轴相交。在一些方面，可以基于由窗口提供的真空密封或部分真空密封来执行量测系统与第二环境的隔离。在一些方面，量测系统的隔离可以使用合适的机械方法或其它方法来实现，并且包括根据上面参考图1至图7所描述的任何方面或方面的组合来隔离量测系统。

在操作806处，该方法可以包括：基于窗口的设置，在辐射收集器(例如，图2所示的辐射收集器CO，图4所示的辐射收集器405，图5所示的辐射收集器506)的主焦点(例如，图5所示的主焦点504；图6A和图6C所示的主焦点604)处，将相对于光轴的横向位移(例如，图6C所示的横向位移612)限制为与相对于光轴的标称横向位移(例如，图6C所示的标称横向位移610)相差小于约±50微米。在一些方面，横向位移的限制可以使用合适的机械方法或其它方法来实现，并且包括根据上面参考图1至图7所描述的任何方面或方面的组合来限制横向位移。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC的制造中的使用，但是应理解，本文所描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“晶片””或“裸片”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如跟踪单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底上并使经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理本文所提到的衬底。在适用的情况下，本文的公开内容可以应用于这种和其它衬底处理工具。此外，例如为了创建多层IC，可以不止一次地处理衬底，使得本文所使用的术语衬底也可以指的是已经包含多个经处理层的衬底。

应理解，本文的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞应由相关领域的技术人员根据本文的教导来解释。

本文所使用的术语“衬底”描述了在其上添加材料层的材料。在一些方面，衬底本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料也可以被图案化，或者可以保持不图案化。

本文所公开的实施例是对本公开的实施例的说明而非限制。所属领域中通常遇到的各种条件和参数的其它合适修改和适应(其对于相关领域的技术人员来说将是明显的)在本公开的精神和范围内。

虽然上面已经描述了本公开的特定方面，但是应理解，这些方面可以以不同于所描述的方式来实践。该描述并不旨在限制本公开的实施例。

应理解，具体实施方式部分而非技术背景、发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述(多个)发明人所预期的一个或多个但不是所有的示例实施例，并且因此不旨在以任何方式限制本实施例和所附权利要求。

上面借助于说明特定功能及其关系的实现的功能构建块描述了本公开的一些方面。为了便于描述，这些功能构建块的边界在本文中被任意限定。只要适当地执行指定的功能及其关系，就可以限定备选边界。

前面对本公开的具体方面的描述将充分揭示这些方面的一般性质，通过应用本领域的知识，其他人可以容易地修改和/或适应这些具体方面的各种应用，而无需过多的实验，而不脱离本公开的一般概念。因此，基于本文给出的教导和指导，这样的适应和修改旨在处于所公开的方面的等效的含义和范围内。

本发明的其它方面在以下编号的条款中进行阐述。

1.一种系统，包括：

量测系统，被配置为设置在第一环境中并且沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，其中第二环境不同于第一环境；以及

窗口，被配置为被设置成与光轴相交并且被配置为：

将量测系统与第二环境隔离；以及

在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

2.根据条款1的系统，其中主焦点位于距窗口约1米的距离处。

3.根据条款1的系统，其中窗口被配置为：将横向位移限制为小于约±33微米。

4.根据条款1的系统，其中窗口被配置为：将沿光轴的角偏差限制为与沿光轴的标称角偏差相差小于约±0.5弧分。

5.根据条款4的系统，其中窗口被配置为：将角偏差限制为小于约±0.1弧分。

6.根据条款1的系统，其中窗口被配置为：沿光轴将纵向位移限制为与相对于主焦点的标称纵向位移相差小于约±330微米。

7.根据条款6的系统，其中窗口被配置为：将纵向位移限制为小于约±200微米。

8.根据条款1的系统，其中窗口包括：

第一部件，被配置为被设置成与光轴相交；以及

第二部件，被配置为被设置成与光轴相交并且与第一部件相对。

9.根据条款8的系统，其中：

第一部件包括视口；以及

第二部件包括表膜。

10.根据条款1的系统，其中窗口包括与标称楔角相差小于约±0.1弧分的楔角。

11.根据条款10的系统，其中标称楔角是约零度。

12.根据条款10的系统，其中标称楔角大于约零度。

13.根据条款1的系统，其中量测系统是模块化量测系统。

14.根据条款1的系统，其中窗口被配置为：在量测系统被安装在系统中时，将位移限制为小于约±50微米。

15.根据条款1的系统，其中窗口被配置为：在无校准动作的情况下，将位移限制为小于约±50微米。

16.一种窗口，包括：

第一部件，被配置为被设置成与光轴相交；以及

第二部件，被配置为被设置成与光轴相交并且与第一部件相对，

其中窗口被配置为：

沿着穿过第一部件和第二部件的光轴传输辐射；以及

在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

17.根据条款16的窗口，其中主焦点位于距窗口约1米的距离处。

18.根据条款16的窗口，其中第一部件包括视口，并且其中第二部件包括表膜。

19.根据条款16的窗口，其中窗口包括与标称楔角相差小于约±0.1弧分的楔角。

20.一种方法，包括：

在第一环境中设置量测系统，其中量测系统沿量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，第二环境不同于第一环境；

使用被设置成与光轴相交的窗口，将量测系统与第二环境隔离；以及

基于窗口的设置，在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

本公开的广度和范围不应受任何上述示例性方面或实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等效来限定。

Claims (20)

1.一种系统，包括：

量测系统，被配置为设置在第一环境中并且沿着所述量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，其中所述第二环境不同于所述第一环境；以及

窗口，被配置为被设置成与所述光轴相交并且被配置为：

将所述量测系统与所述第二环境隔离；以及

在辐射收集器的主焦点处，将相对于所述光轴的横向位移限制为与相对于所述光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述主焦点位于距所述窗口约1米的距离处。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：将所述横向位移限制为小于约±33微米。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：将沿所述光轴的角偏差限制为与沿所述光轴的标称角偏差相差小于约±0.5弧分。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述窗口被配置为：将所述角偏差限制为小于约±0.1弧分。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：沿所述光轴，将纵向位移限制为与相对于所述主焦点的标称纵向位移相差小于约±330微米。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述窗口被配置为：将所述纵向位移限制为小于约±200微米。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口包括：

第一部件，被配置为被设置成与所述光轴相交；以及

第二部件，被配置为被设置成与所述光轴相交并且与所述第一部件相对。

9.根据权利要求8所述的系统，其中：

所述第一部件包括视口；以及

所述第二部件包括表膜。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口包括与标称楔角相差小于约±0.1弧分的楔角。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述标称楔角是约零度。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述标称楔角大于约零度。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述量测系统是模块化量测系统。

14.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：在所述量测系统被安装在所述系统中时，将所述位移限制为小于约±50微米。

15.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：在无校准动作的情况下，将所述位移限制为小于约±50微米。

16.一种窗口，包括：

第一部件，被配置为被设置成与光轴相交；以及

第二部件，被配置为被设置成与所述光轴相交并且与所述第一部件相对，

其中所述窗口被配置为：

沿着穿过所述第一部件和所述第二部件的所述光轴传输辐射；以及

在辐射收集器的主焦点处，将相对于所述光轴的横向位移限制为与相对于所述光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

17.根据权利要求16所述的窗口，其中所述主焦点位于距所述窗口约1米的距离处。

18.根据权利要求16所述的窗口，其中所述第一部件包括视口，并且其中所述第二部件包括表膜。

19.根据权利要求16所述的窗口，其中所述窗口包括与标称楔角相差小于约±0.1弧分的楔角。

20.一种方法，包括：

在第一环境中设置量测系统，其中所述量测系统沿所述量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，所述第二环境不同于所述第一环境；

使用被设置成与所述光轴相交的窗口，将所述量测系统与所述第二环境隔离；以及

基于所述窗口的设置，在辐射收集器的主焦点处，将相对于所述光轴的横向位移限制为与相对于所述光轴的标称横向位移相差小于约±50微米。

Images