CN115719915B - 侧泵模块封装方法及侧泵模块 - Google Patents

侧泵模块封装方法及侧泵模块 Download PDF

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CN115719915B CN202211204691.8A CN202211204691A CN115719915B CN 115719915 B CN115719915 B CN 115719915B CN 202211204691 A CN202211204691 A CN 202211204691A CN 115719915 B CN115719915 B CN 115719915B
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Abstract

本发明提供一种侧泵模块封装方法及侧泵模块,涉及半导体技术领域,侧泵模块封装方法包括以下步骤:组装步骤:沿第一方向,将多个芯片和多个热沉依次交替设置,并在芯片与热沉之间设置焊料层,以使多个芯片、多个热沉和多个焊料层组装形成组装模块;遮挡步骤:利用掩膜板遮挡组装模块中的芯片的腔面上的腔面膜;镀高反膜步骤:向组装模块中的热沉的第二端面镀高反膜;封装步骤:加热焊料层,以使组装模块完成封装。与现有技术相比,本发明提供的侧泵模块封装方法,能够省去多个热沉紧密排列和分离的工序,从而简化侧泵模块封装工艺的工序,降低侧泵模块封装工艺的复杂度。

Description

侧泵模块封装方法及侧泵模块
技术领域
本发明涉及半导体激光技术领域,尤其是涉及一种侧泵模块封装方法及侧泵模块。
背景技术
侧泵模块是高功率激光器的重要组成部分,为增益介质提供泵浦能量。侧泵模块包括芯片和热沉。芯片发出的泵浦光射向增益介质,少部分未被吸收的泵浦光在增益介质表面被反射回侧泵模块后,泵浦光会被热沉吸收,造成泵浦光的浪费,并导致侧泵模块温度升高,影响模块使用寿命。
为解决上述问题,本专利提出在热沉的侧面镀高反膜,使被增益介质反射至热沉的泵浦光被高反膜再次反射至增益介质,从而使该部分泵浦光被增益介质吸收,以提高泵浦光的吸收率。
现有的侧泵模块封装工艺中,需要对多个芯片的腔面镀腔面膜,镀膜过程中,相邻的芯片之间需要叠加一个支撑件,镀膜完成后,将芯片与支撑件分离;还需要对多个热沉镀高反膜,镀膜过程中,将多个热沉紧密排列,镀膜完成后将多个热沉分离;最后将镀膜后的芯片和热沉依次层叠后,加热焊料以完成封装。上述侧泵模块封装工艺的流程较多,工艺较为复杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种侧泵模块封装方法,以解决现有技术中的侧泵模块封装工艺复杂的技术问题。
本发明提供的侧泵模块封装方法,包括以下步骤:
组装步骤:沿第一方向,将多个芯片和多个热沉依次交替设置,并在芯片与热沉之间设置焊料层,以使多个芯片、多个热沉和多个焊料层组装形成组装模块;
沿第二方向,组装模块的一端为第一端面,组装模块中的芯片的一端为腔面,组装模块中的热沉的一端为第二端面;第一端面、腔面和第二端面位于同一平面,第二方向与第一方向垂直;
遮挡步骤:利用掩膜板遮挡组装模块中的芯片的腔面上的腔面膜;
镀高反膜步骤:向组装模块中的热沉的第二端面镀高反膜;
封装步骤:加热焊料层,以使组装模块完成封装。
进一步地,组装步骤中的芯片未镀腔面膜,侧泵模块封装方法还包括以下步骤:镀腔面膜步骤:向组装模块的第一端面镀腔面膜;镀腔面膜步骤设置在组装步骤与遮挡步骤之间;
或;组装步骤之前设置镀腔面膜步骤,以使组装步骤中芯片已镀腔面膜,镀腔面膜步骤:向多个未镀腔面膜的芯片的腔面镀腔面膜。
进一步地,组装步骤还包括以下步骤:
使热沉的边缘与芯片的边缘平齐;
沿第二方向,芯片靠近腔面的边缘为第一边缘,焊料层靠近第二端面的边缘为第二边缘,将第二边缘设置在第一边缘内侧;并将焊料层沿第一方向的厚度设置为20μm-30μm。
进一步地,组装步骤还包括以下步骤:
芯片包括P面、第一金属层和第二金属层;沿第一方向,所述第一金属层设置在P面上,所述第二金属层设置在所述第一金属层上;且所述第二金属层的边缘位于所述第一金属层的边缘的内侧;
向沿第二方向位于第二金属层两侧的第一金属层上分别形成条状凸起;沿第三方向,条状凸起的两端分别与第一金属层的两端对齐,或,条状凸起的两端分别与P面的两端对齐;条状凸起由介质膜形成;
第三方向与第二方向垂直,且第三方向与第一方向垂直;
焊料层覆盖在P面、第一金属层和第二金属层上,且沿第二方向,焊料层靠近腔面的边缘位于条状凸起内侧。
进一步地,沿第一方向,条状凸起的厚度设置为100nm-110nm。
进一步地,封装步骤还包括以下步骤:加热焊料层时,在组装模块的顶面上放置压块,压块的重量为3g-7g。
进一步地,遮挡步骤还包括以下步骤:
设置多个掩膜板,每个掩膜板的外轮廓均与芯片的腔面的形状相同;
将多个掩膜板与多个腔面一一对应相对设置,且将掩膜板与腔面间隔设置。
进一步地,沿第二方向,掩膜板与腔面之间的距离小于2mm。
进一步地,遮挡步骤还包括以下步骤:将组装模块与夹具固定,根据多个芯片的位置将多个掩膜板分别与夹具固定,以使多个掩膜板与多个腔面一一对应相对间隔设置;
沿第一方向,掩膜板的长度大于腔面的长度。
本发明的目的还在于提供一种侧泵模块,所述侧泵模块采用本发明所述的侧泵模块封装方法制得。
本发明提供的侧泵模块封装方法,包括以下步骤:组装步骤:沿第一方向,将多个芯片和多个热沉依次交替设置,并在芯片与热沉之间设置焊料层,以使多个芯片、多个热沉和多个焊料层组装形成组装模块;沿第二方向,组装模块的一端为第一端面,组装模块中的芯片的一端为腔面,组装模块中的热沉的一端为第二端面;第一端面、腔面和第二端面位于同一平面,第二方向与第一方向垂直;遮挡步骤:利用掩膜板遮挡组装模块中的芯片的腔面上的腔面膜;镀高反膜步骤:向组装模块中的热沉的第二端面镀高反膜;封装步骤:加热焊料层,以使组装模块完成封装;将芯片和热沉组装成组装模块后,再向组装模块中的热沉的第二端面镀高反膜,与现有技术相比,本发明提供的侧泵模块封装方法,能够省去多个热沉紧密排列和分离的工序,从而简化侧泵模块封装工艺的工序,降低侧泵模块封装工艺的复杂度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的侧泵模块的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的侧泵模块中芯片的俯视图;
图3是本发明实施例提供的侧泵模块中芯片的截面图;
图4是本发明实施例提供的侧泵模块封装方法中夹具和掩膜板的使用状态图;
图5是本发明实施例提供的侧泵模块封装方法中掩膜板的结构示意图。
图标:1-芯片;11-第一金属层;12-第二金属层;13-条状凸起;2-热沉;3-高反膜;4-增益介质;5-夹具;51-底座;52-底座的顶面;6-掩膜板;7-组装模块。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种侧泵模块封装方法及侧泵模块,下面给出多个实施例对本发明提供的侧泵模块封装方法及侧泵模块进行详细描述。
实施例1
本实施例提供的侧泵模块封装方法,如图1至图5所示,包括以下步骤:
组装步骤:沿第一方向,将多个芯片1和多个热沉2依次交替设置,并在芯片1与热沉2之间设置焊料层,以使多个芯片1、多个热沉2和多个焊料层组装形成组装模块7;
沿第二方向,组装模块7的一端为第一端面,组装模块7中的芯片1的一端为腔面,组装模块7中的热沉2的一端为第二端面;第一端面、腔面和第二端面位于同一平面,第二方向与第一方向垂直;
遮挡步骤:利用掩膜板6遮挡组装模块7中的芯片1的腔面上的腔面膜;
镀高反膜步骤:向组装模块7中的热沉2的第二端面镀高反膜3;
封装步骤:加热焊料层,以使组装模7块完成封装。
需要说明的是,第一方向如图1、3和5中箭头ab方向所示,第二方向如图1-4中箭头cd方向所示,第三方向如图2和图4中箭头ef方向所示。
将芯片1和热沉2组装成组装模块后,再向组装模块7中的热沉2的第二端面镀高反膜3,与现有技术相比,本实施例提供的侧泵模块封装方法,能够省去多个热沉2紧密排列和分离的工序,从而简化侧泵模块封装工艺的工序,降低侧泵模块封装工艺的复杂度。
其中,封装步骤可以设置在组装步骤与遮挡步骤之间,也可以设置在镀高反膜步骤之后。
芯片1解理后,在芯片1的两端的腔面上分别镀高反膜HR和减反膜AR形成谐振腔镜,从而使芯片1中与第一端面位于同一平面的腔面出光,实现激光器的谐振激光输出。在芯片1的一个腔面上设置高反膜HR作为腔面膜,芯片1的另一个腔面上设置减反膜AR作为腔面膜,是使芯片1工作必要存在的结构之一。
本实施例中,沿第二方向,组装模块7的一端为第一端面,组装模块7中的芯片1的一端为腔面,该腔面与第一端面位于同一平面;沿第二方向,组装模块7的另一端为第三端面,第三端面与第一端面相背设置,组装模块7中的芯片1的另一端为另一个腔面,该腔面与第三端面位于同一平面;与第一端面位于同一平面的腔面以及与第三端面位于同一平面的腔面上均需要镀腔面膜。
在一种实施方式中,组装步骤中的芯片1未镀腔面膜,侧泵模块封装方法还包括以下步骤:镀腔面膜步骤:向组装模块7的第一端面镀腔面膜;镀腔面膜步骤设置在组装步骤与遮挡步骤之间。
具体地,侧泵模块封装方法可按下述步骤进行:
步骤Sa1:沿第一方向,将多个未镀腔面膜的芯片1和多个热沉2依次交替设置,并在未镀腔面膜的芯片1与热沉2之间设置焊料层,以使多个未镀腔面膜的芯片1、多个热沉2和多个焊料层组装形成组装模块7;
沿第二方向,组装模块7的一端为第一端面,组装模块7中的未镀腔面膜的芯片1的一端为腔面,组装模块7中的热沉2的一端为第二端面;第一端面、腔面和第二端面位于同一平面,第二方向与第一方向垂直;
步骤Sa2:向第一端面镀腔面膜;
步骤Sa3:利用掩膜板6遮挡与第一端面位于同一平面的腔面上的腔面膜;
步骤Sa4:向第二端面镀高反膜3;
步骤Sa5:加热焊料层,以使组装模块7完成封装。
更具体地,将多个未镀腔面膜的芯片1和多个热沉2组装形成组装模块7后,向第一端面镀腔面膜,利用掩膜板6遮挡与第一端面位于同一平面的腔面上的腔面膜后,再向第二端面上的腔面膜上镀高反膜3,最后加热焊料层,以完成组装模块7的封装。与现有技术相比,本实施例提供的侧泵模块封装方法,能够省去芯片1与支撑件叠加和分离的工序以及多个热沉2紧密排列和分离的工序,从而简化侧泵模块封装工艺的工序,降低侧泵模块封装工艺的复杂度。
需要说明的是,步骤Sa1之后,可以通过向第三端面镀腔面膜的方式,使芯片1中与第三端面位于同一平面的腔面上镀上腔面膜。
在另一种实施方式中,组装步骤之前设置镀腔面膜步骤,以使组装步骤中芯片1已镀腔面膜,镀腔面膜步骤:向多个未镀腔面膜的芯片1的腔面镀腔面膜。
具体地,侧泵模块封装方法可按下述步骤进行:
步骤Sb1:向多个未镀腔面膜的芯片1的腔面镀腔面膜,即向与第一端面位于同一平面的腔面上镀腔面膜,并向与第三端面位于同一平面的腔面上镀腔面膜;
步骤Sb2:沿第一方向,将多个已镀腔面膜的芯片1和多个热沉2依次交替设置,并在已镀腔面膜的芯片1与热沉2之间设置焊料层,以使多个已镀腔面膜的芯片1、多个热沉2和多个焊料层组装形成组装模块7;
沿第二方向,组装模块7中的已镀腔面膜的芯片1的一端为腔面,组装模块7中的热沉2的一端为第二端面;腔面和第二端面位于同一平面,第二方向与第一方向垂直;
步骤Sb3:加热焊料层,以使组装模块7完成封装;
步骤Sb4:利用掩膜板6遮挡与第一端面位于同一平面的腔面上的腔面膜;
步骤Sb5:向第二端面镀高反膜3。
更具体地,对多个芯片1镀腔面膜后,将多个已镀腔面膜的芯片1和多个热沉2组装形成组装模块7后,加热焊料层,以使组装模块7完成封装,利用掩膜板6遮挡组装模块7上的腔面,最后向第二端面镀高反膜3。与现有技术相比,本实施例提供的侧泵模块封装方法,能够省去多个热沉2紧密排列和分离的工序,从而简化侧泵模块封装工艺的工序,降低侧泵模块封装工艺的复杂度。
在组装步骤中,需要设置相关步骤防止焊料层污染芯片1的腔面和/或腔面膜。
一种可选地实施方式中,组装步骤还包括以下步骤:
使热沉2的边缘与芯片1的边缘平齐;
沿第二方向,芯片1靠近腔面的边缘为第一边缘,焊料层靠近第二端面的边缘为第二边缘,将第二边缘设置在第一边缘内侧;并将焊料层沿第一方向的厚度设置为20μm-30μm。
具体地,芯片1的边缘和热沉2的边缘是平齐的,第二边缘设置在第一边缘内侧,第一边缘与第二边缘之间的距离用于容纳溢出的焊料层,能够防止焊料层溢出至腔面;第一边缘与第二边缘之间的距离是微米级别的,例如1微米-5微米等任意适合的距离;焊料层中除第二边缘外的其他边缘可以与热沉2中除第一边缘外的其他边缘一一对应平齐设置。此外,在其他实施方式中,焊料层的整个边缘也可以设置在芯片1的边缘的内侧。
沿第一方向,焊料层的厚度可以设置为20μm、25μm或30μm等任意适合的数值。通过对焊料层的第二边缘的位置和厚度的设计,来控制焊料层的外溢程度,在第二边缘设置在第一边缘内侧,且焊料层沿第一方向的厚度为20μm-30μm时,焊料层的外溢程度较小,能够防止焊料层污染芯片1的腔面。
需要说明的是,第一边缘的内侧为第一边缘朝向芯片1内部的一侧。
进一步地,组装步骤还包括以下步骤:
芯片1包括P面、第一金属层11和第二金属层12;沿第一方向,第一金属层11设置在P面上,第二金属层12设置在第一金属层11上,且第二金属层12的边缘位于第一金属层11的边缘的内侧;
向沿第二方向位于第二金属层12两侧的第一金属层11上分别形成条状凸起13;沿第三方向,条状凸起13的两端分别与第一金属层11的两端对齐,或条状凸起13的两端分别与P面的两端对齐;条状凸起13由介质膜形成;
第三方向与第二方向垂直,且第三方向与第一方向垂直;
焊料层覆盖在P面、第一金属层11和第二金属层12上,且沿第二方向,焊料层靠近腔面的边缘位于条状凸起13内侧。
条状凸起13的内侧是沿第二方向,条状凸起13朝向第二金属层12的一侧。
沿第二方向,第一金属层11的两端与P面的两端平齐,沿第三方向,第一金属层11的两端位于P面的两端的内侧。第一金属层11在芯片1的P面形成肖特基接触(做电极使用),第二金属层12用于散热、防划痕。
焊料层覆盖在P面、第一金属层11和第二金属层12上,沿第二方向,焊料层靠近腔面的边缘位于条状凸起13内侧,使焊料层靠近腔面的边缘与边缘之间存在间隙,防止焊料层外溢至腔面。
在上文中,通过对焊料层的第二边缘的位置和厚度的设计,来控制焊料层的外溢程度,,焊料层的外溢程度较小,外溢的焊料层在外观检验时,通过显微镜测量外溢的焊料层的尺寸,外溢的焊料层的尺寸为微米级别,例如外溢的焊料层的尺寸为1微米-3微米。在第一金属层11上设置条状凸起13,由于条状凸起13由介质膜形成,焊料层与条状凸起13不浸润,条状凸起13可以起到阻挡尺寸为微米级别量的焊料层外溢的作用,从而防止焊料爬至腔面,提高成品率。
其中,第一金属层11下方设置介质膜层,介质膜层设置在P面上,介质膜层的外边缘与P面的外边缘平齐,第一金属层11生长在介质膜层上,第二金属层12电镀至第一金属层11上,沿第三方向,条状凸起13的两端可以分别与第一金属层11的两端对齐,条状凸起13的两端也可以分别与介质膜层的两端对齐。
介质膜层也能够起到阻挡焊料外溢的作用,从而提高产品良率。
进一步地,沿第一方向,条状凸起13的厚度设置为100nm-110nm。
其中,条状凸起13的厚度可以为100nm、105nm或110nm等任意适合的数值。
沿第一方向,条状凸起13的厚度设置为100nm-110nm,既能够较好地阻挡焊料爬至腔面,还不会影响芯片1的结构和性能。
在一种可选地实施方式中,封装步骤还包括以下步骤:加热焊料层时,在组装模块7的顶面上放置压块,压块的重量为3g-7g。
压块的作用是使芯片1和热沉2在焊料熔化时更好的贴紧,从而形成良好的焊接效果。在组装模块7的封装完成后,可以将压块从组装模块7上取下。
如果压块的重量不够,压块对芯片1、热沉2和焊料层组成的组装模块7的压力不够;如果压块的重量过重,容易将焊料层压出,使焊料层外溢污染芯片1的腔面。
本实施例中,设置压块的重量为3g-7g,以平衡上述两方面因素,使压块对组装模块7的压力足够,并不会将焊料层压出。
进一步地,遮挡步骤还包括:
设置多个掩膜板6,每个掩膜板6的外轮廓均与芯片1的腔面的形状相同;
将多个掩膜板6与多个腔面一一对应相对设置,且将掩膜板6与腔面间隔设置。
在利用掩膜板6遮挡腔面上的腔面膜时,设置多个掩膜板6,每个掩膜板6的外轮廓设置为与芯片1的腔面的形状相同,每个掩膜板6对应遮挡一个腔面,以使每个腔面都被一个与该腔面对应的掩膜板6遮挡,对腔面的遮挡效果较好。
并且,每个掩膜板6与该掩膜板6对应的腔面之间沿第二方向间隔设置,能够防止掩膜板6与腔面接触造成腔面上的腔面膜污染。
沿第二方向,掩膜板6与腔面之间的距离需要保持适合的大小,掩膜板6与腔面之间的距离过大容易使高反膜3进入腔面膜上。
本实施例中,沿第二方向,掩膜板6与腔面之间的距离小于2mm。
具体地,沿第二方向,掩膜板6与腔面之间的距离需要大于0mm且小于2mm,掩膜板6与腔面之间的距离可以为0.5mm、1mm、1.5mm、2mm等任意适合的数值,以防止高反膜3进入腔面膜上。
为了稳定固定掩膜板6和腔面,并使掩膜板6与腔面之间保持适合的距离,可以利用夹具5固定掩膜板6和组装模块7。
进一步地,遮挡步骤还包括以下步骤:将组装模块7与夹具5固定,根据多个芯片1的位置将多个掩膜板6分别与夹具5固定,以使多个掩膜板6与多个腔面一一对应相对间隔设置;
沿第一方向,掩膜板6的长度大于腔面的长度。
具体地,夹具5包括底座51;沿第三方向,组装模块7的一端被底座的顶面52夹紧,以使组装模块7固定在底座51上;多个掩膜板6的一端分别与底座51的顶面夹紧,以使掩膜板6固定在底座51上,多个掩膜板6沿第一方向间隔固定在底座51上,相邻的掩膜板6之间形成缝隙结构,缝隙结构能够露出第二端面,高反膜3通过缝隙结构镀在第二端面上。
夹具5对掩膜板6和组装模块7稳定固定,掩膜板6能够位于适合的位置遮挡腔面上的腔面膜,并使掩膜板6与腔面之间保持适合的距离,以进行后续的镀高反膜3工序,防止高反膜3进入腔面膜上。
并且,沿第一方向,掩膜板6能够与底座的顶面52的各个位置进行插接,以使掩膜板6与底座的顶面52的各个位置固定。由于组装模块7中相邻的两个芯片1之间的距离是存在误差的,上述设置,能够使掩膜板6根据与其对应的腔面的位置,选择与底座51固定的位置,能够使掩膜板6更精确地遮挡腔面。
为使沿第一方向,掩膜板6能够与底座的顶面52的各个位置进行插接,可以在底座的顶面52上设置插槽,插槽的延伸方向与第一方向平行,掩膜板6的一端能够与插槽插接。
进一步地,沿第一方向,掩膜板6的长度大于腔面的长度。
沿第一方向,掩膜板6的长度大于腔面的长度,缝隙结构的长度小于第二端面的厚度,使掩膜板6沿第一方向的两端分别位于腔面沿第一方向的两端的外侧,从而将腔面遮挡严实,防止高反膜3杂质进入腔面膜中。
实施例2
本实施例提供的侧泵模块,侧泵模块采用实施例1提供的侧泵模块封装方法制得。
将芯片1和热沉2组装成组装模块后,再向组装模块7中的热沉2的第二端面镀高反膜3,与现有技术相比,本实施例提供的侧泵模块,能够省去多个热沉2紧密排列和分离的工序,从而简化侧泵模块封装工艺的工序,降低侧泵模块封装工艺的复杂度。
在热沉2的第二端面镀高反膜3,使被增益介质4反射至热沉2的泵浦光被高反膜3再次反射至增益介质4,从而使该部分泵浦光被增益介质4吸收,以提高泵浦光的吸收率。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种侧泵模块封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
组装步骤:沿第一方向,将多个芯片和多个热沉依次交替设置,并在芯片与热沉之间设置焊料层,以使多个芯片、多个热沉和多个焊料层组装形成组装模块;
沿第二方向,组装模块的一端为第一端面,组装模块中的芯片的一端为腔面,组装模块中的热沉的一端为第二端面;第一端面、腔面和第二端面位于同一平面,第二方向与第一方向垂直;
遮挡步骤:利用掩膜板遮挡组装模块中的芯片的腔面上的腔面膜;
镀高反膜步骤:向组装模块中的热沉的第二端面镀高反膜;
封装步骤:加热焊料层,以使组装模块完成封装;
组装步骤还包括以下步骤:
芯片包括P面、第一金属层和第二金属层;沿第一方向,所述第一金属层设置在P面上,所述第二金属层设置在所述第一金属层上;且所述第二金属层的边缘位于所述第一金属层的边缘的内侧;
向沿第二方向位于第二金属层两侧的第一金属层上分别形成条状凸起;沿第三方向,条状凸起的两端分别与第一金属层的两端对齐,或,条状凸起的两端分别与P面的两端对齐;条状凸起由介质膜形成;
第三方向与第二方向垂直,且第三方向与第一方向垂直;
焊料层覆盖在P面、第一金属层和第二金属层上,且沿第二方向,焊料层靠近腔面的边缘位于条状凸起内侧;
遮挡步骤还包括以下步骤:将组装模块与夹具固定,根据多个芯片的位置将多个掩膜板分别与夹具固定,以使多个掩膜板与多个腔面一一对应相对间隔设置;
沿第一方向,掩膜板的长度大于腔面的长度;
夹具包括底座;沿第三方向,组装模块的一端被底座的顶面夹紧,以使组装模块固定在底座上;多个掩膜板的一端分别与底座的顶面夹紧,以使掩膜板固定在底座上,多个掩膜板沿第一方向间隔固定在底座上,相邻的掩膜板之间形成缝隙结构,缝隙结构能够露出第二端面,高反膜通过缝隙结构镀在第二端面上;
底座的顶面上设置插槽,插槽的延伸方向与第一方向平行,掩膜板的一端能够与插槽插接,以使沿第一方向,掩膜板能够与底座的顶面的各个位置进行插接。
2.根据权利要求1所述的侧泵模块封装方法,其特征在于,组装步骤中的芯片未镀腔面膜,侧泵模块封装方法还包括以下步骤:镀腔面膜步骤:向组装模块的第一端面镀腔面膜;镀腔面膜步骤设置在组装步骤与遮挡步骤之间;
或;组装步骤之前设置镀腔面膜步骤,以使组装步骤中芯片已镀腔面膜,镀腔面膜步骤:向多个未镀腔面膜的芯片的腔面镀腔面膜。
3.根据权利要求1所述的侧泵模块封装方法,其特征在于,组装步骤还包括以下步骤:
使热沉的边缘与芯片的边缘平齐;
沿第二方向,芯片靠近腔面的边缘为第一边缘,焊料层靠近第二端面的边缘为第二边缘,将第二边缘设置在第一边缘内侧;并将焊料层沿第一方向的厚度设置为20μm-30μm。
4.根据权利要求1所述的侧泵模块封装方法,其特征在于,沿第一方向,条状凸起的厚度设置为100nm-110nm。
5.根据权利要求1所述的侧泵模块封装方法,其特征在于,封装步骤还包括以下步骤:加热焊料层时,在组装模块的顶面上放置压块,压块的重量为3g-7g。
6.根据权利要求1所述的侧泵模块封装方法,其特征在于,遮挡步骤还包括以下步骤:
设置多个掩膜板,每个掩膜板的外轮廓均与芯片的腔面的形状相同;
将多个掩膜板与多个腔面一一对应相对设置,且将掩膜板与腔面间隔设置。
7.根据权利要求6所述的侧泵模块封装方法,其特征在于,沿第二方向,掩膜板与腔面之间的距离小于2mm。
8.一种侧泵模块,其特征在于,所述侧泵模块采用权利要求1-7中任一项所述的侧泵模块封装方法制得。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101740996A (zh) * 2009-12-29 2010-06-16 北京理工大学 一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块
CN111211477A (zh) * 2018-11-21 2020-05-29 深圳市中光工业技术研究院 半导体激光器及其制备方法
CN113097165A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 度亘激光技术(苏州)有限公司 一种半导体叠阵的制备方法
CN115021070A (zh) * 2022-08-03 2022-09-06 度亘激光技术(苏州)有限公司 侧泵模块及半导体激光器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101740996A (zh) * 2009-12-29 2010-06-16 北京理工大学 一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块
CN111211477A (zh) * 2018-11-21 2020-05-29 深圳市中光工业技术研究院 半导体激光器及其制备方法
CN113097165A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 度亘激光技术(苏州)有限公司 一种半导体叠阵的制备方法
CN115021070A (zh) * 2022-08-03 2022-09-06 度亘激光技术(苏州)有限公司 侧泵模块及半导体激光器

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