CN115708310A - 振荡器、振荡器驱动电路及使用晶体建立振荡的方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及振荡器、振荡器驱动电路及使用晶体建立振荡的方法。该振荡器包括第一电容器、第二电容器、反相器、电压偏移电路和迟滞缓冲器。该第一电容器和该第二电容器具有适于耦接到相应的第一节点和第二节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子。该反相器具有耦接到第一节点的输入端以及耦接到第二节点的输出端。该电压偏移电路耦接到第一节点和第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端。当响应于晶体耦接在第一节点与第二节点之间而发生振荡时，电压偏移电路根据调谐信号改变该一节点处的平均电压。迟滞缓冲器具有输入端和输出端，输入端耦接到第一节点和该第二节点中的一者，并且输出端用于提供具有响应于调谐信号的占空比的时钟信号。
Description
技术领域
本公开整体涉及振荡器、振荡器驱动电路及使用晶体建立振荡的方法，并且更具体地，涉及提供具有可变占空比的时钟输出信号的振荡器和振荡器电路。
背景技术
振荡器是提供反复变化信号的电路。振荡器以其闭环增益为零度的频率振荡，并且需要大于1的环路增益。振荡器电路是模拟和数字通信中所使用的常见电路，并且用作数字电路的定时参考。对于数字定时参考，使用迟滞缓冲器将正弦波形转换为数字信号。
许多振荡器构建在使用压电石英晶体形成的晶体参考上。晶体的物理尺寸和性质用于在期望频率下建立振荡。典型的振荡器是用作数字集成电路的时钟源的所谓的皮尔斯振荡器，其中晶体和两个槽路电容器在片外，并且增益元件、迟滞缓冲器和偏压电阻器在片上。虽然这种类型的振荡器已普遍用于许多集成电路许多年，但它需要大量的集成电路面积并消耗大量电流，并且需要进一步的改进。
发明内容
根据第一方面，提供一种振荡器，包括：第一电容器，所述第一电容器具有适于耦接到第一节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；第二电容器，所述第二电容器具有适于耦接到第二节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；反相器，所述反相器具有耦接到所述第一节点的输入端以及耦接到所述第二节点的输出端；电压偏移电路，所述电压偏移电路耦接到所述第一节点和所述第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端，其中当响应于晶体耦接在所述第一节点与所述第二节点之间而发生振荡时，所述电压偏移电路根据所述调谐信号改变所述第一节点处的平均电压；以及迟滞缓冲器，所述迟滞缓冲器的输入端耦接到所述第一节点和所述第二节点中的一者，并且所述迟滞缓冲器的输出端用于提供具有响应于所述调谐信号的占空比的时钟信号。
根据第二方面，提供一种振荡器驱动电路，所述振荡器驱动电路具有用于耦接到晶体以及提供振荡器输出信号的第一节点和第二节点，所述振荡器驱动电路包括：第一电容器，所述第一电容器具有适于耦接到所述第一节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；第二电容器，所述第二电容器具有适于耦接到所述第二节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子；反相器，所述反相器具有耦接到所述第一节点的输入端，以及耦接到所述第二节点的输出端；以及电压偏移电路，所述电压偏移电路耦接到所述第一节点和所述第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端，其中当响应于所述晶体耦接在所述第一节点与所述第二节点之间而发生振荡时，所述电压偏移电路根据所述调谐信号改变所述第一节点处的平均电压。
根据第三方面，提供一种使用晶体建立振荡的方法，所述方法包括：使在适于耦接到所述晶体的第一端子的第一节点和适于耦接到所述晶体的第二端子的第二节点之间的信号反相；将所述第一节点电容耦接到地电位；将所述第二节点电容耦接到地电位；以及在所述晶体耦接在所述第一节点与所述第二节点之间时发生的振荡期间，根据调谐信号改变所述第一节点处的平均电压。
附图说明
通过参照附图可更好地理解本公开，并且本公开的多个特征和优点对于本领域的技术人员为显而易见的，在附图中：
图1以示意图形式示出现有技术领域中已知的晶体振荡器电路；
图2以示意图形式示出现有技术领域中已知的晶体振荡器电路，示出了反馈电阻器的电气模型；
图3以局部框图和局部示意图形式示出了用于与图1的晶体振荡器电路一起使用的占空比调节电路；
图4以局部框图和局部示意图形式示出了根据本公开的各种实施方案的具有占空比调节的晶体振荡器电路；并且
图5示出了示出图4的晶体振荡器电路的操作的时序图。
在不同附图中使用相同的参考符号来指示相同或类似的元件。除非另有说明，否则字词“耦接”以及其相关联的动词形式包括直接连接以及通过本领域已知的方式的间接电连接两者；并且除非另有说明，否则对直接连接的任一描述也暗示使用合适形式的间接电连接的替代实施方案。
具体实施方式
图1以示意图形式示出现有技术领域中已知的晶体振荡器电路100。晶体振荡器电路100包括晶体110、电容器120和130、反相器140和电阻器150。晶体110是基于其物理结构建立自然振荡频率的压电晶体，并且具有形成晶体振荡器电路100的输出的、用于提供被标记为“VOUT”的输出电压的第一端子，和第二端子。电容器120具有连接到晶体110的第一端子的第一端子、连接到地电位的第二端子，并且具有被标记为“C1”的相关联电容。电容器130具有连接到晶体110的第二端子的第一端子、连接到地电位的第二端子，并且具有被标记为“C2”的相关联电容。反相器140具有连接到晶体110的第一端子的输入端，以及连接到晶体110的第二端子的输出端。电阻器150具有连接到晶体110的第一端子的第一端子、连接到晶体110的第二端子的第二端子，并且具有被标记为“RF”的相关联电阻。
晶体振荡器电路100是一种被称为皮尔斯振荡器的振荡器，并且当反相器连接在其第一端子与第二端子之间时建立振荡。晶体振荡器电路100以其串联谐振频率振荡。初始地，反相器140通过电阻器150偏置进入其工作区的中间。反相器140提供180°相移，并且电容器120和130提供产生振荡的附加180°相移。晶体振荡器电路100自动调节自身以保持360°相移，从而维持振荡。晶体振荡器电路100提供作为正弦波形的VOUT，但可以添加诸如施密特触发器等附加电路以将正弦信号变换为方波数字信号，从而使其可用作数字时钟信号。
晶体振荡器电路100可用于生成用于诸如微控制器等许多类型的集成电路的数字时钟信号。在典型的微控制器具体实施中，晶体110和电容器120和130位于集成电路外部，而反相器140和电阻器150位于集成电路内部。尽管晶体振荡器电路100对于许多应用已经非常普遍，但它们具有一些缺点，并且因为需要昂贵的外部部件，并且因为内部部件的非理想性质，因此对于某些应用来说不太理想。
图2以示意图形式示出现有技术领域中已知的晶体振荡器电路200，示出了反馈电阻器的电气模型。晶体振荡器电路200包括晶体210、电容器220和230、反相器240和电阻器250。晶体210具有形成晶体振荡器电路200的输出的、用于提供输出电压“VOUT”的第一端子，和第二端子。电容器220具有连接到晶体210的第一端子的第一端子、连接到地电位的第二端子，并且具有相关联电容C1。电容器230具有连接到晶体210的第二端子的第一端子、连接到地电位的第二端子，并且具有相关联电容C2。反相器240具有连接到晶体210的第一端子的输入端，以及连接到晶体210的第二端子的输出端。电阻器250具有连接到晶体210的第一端子的第一端子和连接到晶体210的第二端子的第二端子。
在典型的具体实施中，晶体210的振荡频率为32，768赫兹(Hz)，其为215，并且由此允许使用15位计数器容易地生成一秒实时时钟信号。这些晶体被广泛制造，因此不太昂贵。然而，为了在这种频率下维持振荡，电阻器250需要具有约10-15兆欧(MΩ)的电阻。由于掺杂硅的电阻率相对较低，形成具有如此高电阻的电阻器需要大量集成电路面积。大电阻器的布局还产生非常大的寄生电容。图2示出了作为沿着电阻器250的一侧分布的一系列电容器251和沿着电阻器250的另一侧分布的另一系列电容器252的这种寄生电容。这种大寄生电容降低了晶体振荡器电路200的修整能力。
例如，在电源电压为1.0伏(V)和电阻器值为10MΩ的22纳米(22nm)互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺中，电阻器250需要2800平方微米(2800μm2)的芯片面积。寄生电容为5.563皮法拉(pF)，并且单独由寄生电容引起的额外工作电流为约183纳安培(nA)。
如上所述，晶体振荡器电路100的正弦输出需要另一电路，以将其变换为在数字逻辑电路中更有用的方波。该其他电路也可以有利地用于改变占空比。
图3以局部框图和局部示意图形式示出了与图1的晶体振荡器电路100一起使用的占空比调节电路300。占空比调节电路300包括电阻器310、电阻器320和施密特触发电路330。电阻器310具有连接到标记为“VDD”的电源电压端子的第一端子和用于提供标记为“VX”的电压的第二端子，并且具有标记为“R1”的相关联电阻。电阻器320具有连接到电阻器310的第二端子的第一端子，以及连接到地电位的第二端子。施密特触发器330具有用于从晶体振荡器接收标记为“VIN”的电压的第一输入端子、连接到电阻器310的第二端子的第二输入端，以及用于提供具有可变占空比的方波输出信号的输出端。
施密特触发电路330用作迟滞缓冲器，其对于上升沿和下降沿具有不同阈值，以防止由于随机噪声引起的时钟边沿的抖动。电阻器310和320的使用还提供改变VOUT的占空比的能力。如果VIN等于正弦波形的平均电压，则VOUT将具有50％的占空比。然而，当VIN升至高于平均电压时，其更高程度地“切割”正弦波形，使得VX大于VIN的时间更长，从而将占空比提高到50％以上。相反地，当VIN降至低于平均电压时，其更高程度地“切割”正弦波形，使得VX大于VIN的时间更长，从而使占空比降低到50％以下。
如果电阻器是用对应开关分区段实现的，则可以通过选择适当数量的区段对VX的值进行数字调谐，以根据需要改变VX，从而改变占空比。然而，这会产生其他问题。如果R1和R2的标称值太高，则占空比调节电路300将消耗大量芯片面积。如果R1和R2的标称值太低，则占空比调节电路300将消耗大量静态电流。
此外，为了将来自晶体引脚的正弦波信号转换成施密特触发器的输出处的方波信号，该正弦波的电压摆幅应足够高以达到施密特触发器的高触发点并且足够低以达到施密特触发器的低触发点。如果振荡的平均(DC)水平发生变化并且无法修整，则振荡器电路需要高信号摆幅以达到施密特触发器阈值水平。为了获得高信号摆幅，晶体振荡器的偏置电流将需要很高，转变为高电流消耗，以便具有高信号振幅。
图4以局部框图和局部示意图形式示出了根据本公开的各种实施方案的具有占空比调节的晶体振荡器电路400。晶体振荡器电路400通常包括晶体410和集成电路420，该集成电路具有分别连接到晶体410的第一端子和第二端子的节点421和422。晶体410是基于其结构建立自然振荡频率的压电晶体，并且具有第一端子和第二端子。
集成电路420包括电容器430、电容器440、反相器450、电压偏移电路460和迟滞缓冲器470。电容器430具有连接到节点421的第一端子、连接到地电位的第二端子，并且具有相关联电容C1。电容器440具有连接到节点422的第一端子、连接到地电位的第二端子，并且具有相关联电容C2。反相器450具有连接到节点421的输入端，以及连接到节点422的输出端。电压偏移电路460连接到节点421和422，并且具有用于接收标记为“Ctune”的调谐信号的输入端。电压偏移电路460包括电流源461、可调谐电容器462(其电容由Ctune设定)、晶体管463和晶体管464。电流源461具有用于在其输出端处向第三节点提供偏置电流的输出端子。可调谐电容器462具有连接到第三节点的第一端子，以及连接到地电位的第二端子。晶体管463是N沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其漏极连接到第三节点、栅极连接到第三节点，并且源极连接到节点421。晶体管464是N沟道MOS晶体管，其漏极连接到晶体管463的源极、栅极连接到第三节点，并且源极连接到节点422。迟滞缓冲器470具有连接到第一节点的输入端，以及用于提供VOUT的输出端。
在操作中，电压偏移电路460通过跨节点N1和N2串联连接两个二极管连接的NMOS晶体管形成有源阻抗，以使反相器450偏置进入其工作区中。电压偏移电路460将电容器462添加到晶体管463的漏极，形成二极管连接的晶体管的阳极。通过为CTUNE选择适当值，用户可以影响V1和V2之间的直流电压偏移，而不影响任何振荡器参数。
二极管连接的晶体管463和464与电容器462一起产生电荷泵电路，该电荷泵电路在V1端子上建立参考电压。如果C1＞＞CTUNE，则振荡器频率允许电容器在改变状态之前完全充电或放电。作为该充电循环的结果，V1将具有根据Ctune值而增加的偏移电压电平。V1上电压的积聚需要若干振荡器周期以达到稳态。
信号V1被馈送到迟滞缓冲器，诸如施密特触发器470，其具有两个固定阈值电压。当V1的DC偏移电压发生变化时，迟滞缓冲器形成作为方形波形的输出信号，该方形波形的可变脉冲宽度随输入偏移信号而变化，即所生成的时钟信号具有可调的占空比。
在典型的CMOS皮尔斯振荡器设计中，诸如图1的振荡器100，在设置振荡器频率时，晶体110和负载电容器120和130是主导的。受Ctune的值以及晶体管463和464的尺寸影响，电容器462仅修改V1的DC偏移电压，而不影响任何振荡参数。由于信号V1的DC值增加或减小，该信号被输入到具有固定值VTH1和VTH2的施密特触发器470，因此VOUT具有根据偏移电压而变化的可变脉冲宽度，即可变占空比。
此外，利用这种偏移调节技术，正弦波振幅可以保持较小，并且该正弦波的DC水平可以设定为处于施密特触发器阈值水平。因此，晶体振荡器电路400不需要高偏置电流，因此可以用于在施密特触发器的输出处以低功耗产生方波信号。
图5示出了示出图4的晶体振荡器电路400的操作的时序图500。在时序图500中，水平轴线表示以纳秒(ns)为单位的时间，并且垂直轴线表示以伏为单位的各种信号的振幅。图5中示出的是所关注的四个波形，包括第一振荡器V1波形510、第一VOUT波形520、第二振荡器V1波形530和第二VOUT波形540。第一振荡器波形510是周期性地穿过两个阈值VTH1和VTH2的正弦波。图4的施密特触发器470是一种固有地具有这两个阈值以用于稳定性的特定类型的迟滞缓冲器。VTH1表示施密特触发器470在正弦波的上升沿上的阈值，而VTH2表示施密特触发器470在正弦波的下降沿上的阈值。VOUT波形520是具有约50％占空比的方波，因为在该示例中，Ctune被设定为使正弦波的平均值约为中间供电值。然而，第二振荡器波形520是正弦波，其通过增加Ctune的值而向下偏移。在这种情况下，VoUT波形520是具有远小于50％占空比的方波，因为在该示例中，Ctune被设定为使正弦波的平均值小于中间供电值。
在一种形式中，振荡器包括第一电容器、第二电容器、反相器、电压偏移电路和迟滞缓冲器。该第一电容器具有被适于耦接到第一节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子。该第二电容器具有被适于耦接到第二节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子。该反相器具有耦接到该第一节点的输入端，以及耦接到该第二节点的输出端。该电压偏移电路耦接到该第一节点和该第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端，其中当响应于晶体耦接在该第一节点与该第二节点之间而发生振荡时，该电压偏移电路根据该调谐信号改变该第一节点处的平均电压。该迟滞缓冲器具有输入端和输出端，该输入端耦接到该第一节点和该第二节点中的一者，并且该输出端用于提供具有响应于该调谐信号的占空比的时钟信号。
根据一个方面，该电压偏移电路包括电流源，该电流源具有用于向第三节点提供偏置电流的输出端子；可调谐电容器，该可调谐电容器具有耦接到该第三节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子；第一晶体管，该第一晶体管具有耦接到该第三节点的第一电流电极、耦接到该第三节点的控制电极，以及耦接到该迟滞缓冲器的该输入端的第二电流电极；以及第二晶体管，该第二晶体管具有耦接到该迟滞缓冲器的该输入端的第一电流电极、耦接到该第三节点的控制电极，以及耦接到该第二节点的第二电流电极。根据该方面，该第一晶体管和该第二晶体管中的每一者可以是N沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
根据另一方面，该迟滞缓冲器为施密特触发器。
根据又一方面，该第一端子和该第二端子中的每一者是集成电路的端子。在这种情况下，该第一电容器和该第二电容器可以形成在该集成电路上，并且该晶体位于该集成电路外部。如果是这样，则该电压偏移电路和该迟滞缓冲器可以形成在该集成电路上。
在另一种形式中，振荡器驱动电路具有第一节点和第二节点，用于耦接到晶体以及提供振荡器输出信号。该振荡器包括第一电容器、第二电容器、反相器和电压偏移电路。该第一电容器具有被适于耦接到该第一节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子。该第二电容器具有被适于耦接到该第二节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子。该反相器具有耦接到该第一节点的输入端，以及耦接到该第二节点的输出端。该电压偏移电路耦接到该第一节点和该第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端，其中当响应于该晶体耦接在该第一节点与该第二节点之间而发生振荡时，该电压偏移电路根据该调谐信号改变该第一节点处的平均电压。
根据一个方面，该电压偏移电路进一步具有用于接收调谐信号的输入端，其中该电压偏移电路在该振荡期间根据该调谐信号改变该第一节点处的平均电压。根据该方面，该振荡器驱动电路可进一步包括迟滞缓冲器，该迟滞缓冲器具有输入端和输出端，该输入端耦接到该第一节点和该第二节点中的一者，并且该输出端用于提供具有根据该调谐信号而变化的占空比的时钟信号。在这种情况下，该迟滞缓冲器可以是施密特触发器。此外，该第一端子、该第二端子、该第一电容器、该第二电容器、该反相器、该电压偏移电路和该迟滞缓冲器可以组合在集成电路上。
根据另一方面，该电压偏移电路被表征为无电阻器，并且该电压偏移电路包括电流源、可调谐电容器、第一晶体管和第二晶体管。该电流源具有用于向第三节点提供偏置电流的输出端子。该可调谐电容器具有耦接到该第三节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子。该第一晶体管具有耦接到该第三节点的第一电流电极、耦接到该第三节点的控制电极，以及耦接到该第一节点的第二电流电极。该第二晶体管具有耦接到该第一节点的第一电流电极、耦接到该第三节点的控制电极，以及耦接到该第二节点的第二电流电极。根据该方面，该第一晶体管和该第二晶体管中的每一者可以是N沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
在另一种形式中，一种使用晶体建立振荡的方法包括：使在被适于耦接到该晶体的第一端子的第一节点和被适于耦接到该晶体的第二端子的第二节点之间的信号反相；将该第一节点电容耦接到地电位；将该第二节点电容耦接到地电位；以及在该晶体耦接在该第一节点与该第二节点之间时发生的振荡期间，根据调谐信号改变该第一节点处的平均电压。
根据一个方面，该方法可以进一步包括使用迟滞缓冲器响应于该第一节点处的平均电压而形成输出电压。
上文所公开的主题应被视为示例性的而非限制性的，并且所附权利要求书旨在涵盖落在权利要求书的范围内的所有此类修改、增强和其他实施方案。例如，尽管在示例性实施方案中使用施密特触发器，但在其他实施方案中，可以使用其他形式的迟滞缓冲器。该晶体振荡器电路可与各种类型的电路一起使用，包括微控制器单元(MCU)、片上系统(SOC)和需要数字时钟信号的其他数字电路。在各种实施方案中，除了晶体之外，所有部件均可以在单个芯片上实现，但是其他实施方案可以在芯片上集成较少元件。
因此，在法律所允许的最大范围上，本发明的范围将由对所附权利要求及它们的等同物的最广泛的可允许的解释来确定，并且不应受到前文详细描述约束或限制。
Claims (10)
1.一种振荡器，包括：
第一电容器，所述第一电容器具有适于耦接到第一节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；
第二电容器，所述第二电容器具有适于耦接到第二节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；
反相器，所述反相器具有耦接到所述第一节点的输入端以及耦接到所述第二节点的输出端；
电压偏移电路，所述电压偏移电路耦接到所述第一节点和所述第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端，其中当响应于晶体耦接在所述第一节点与所述第二节点之间而发生振荡时，所述电压偏移电路根据所述调谐信号改变所述第一节点处的平均电压；以及
迟滞缓冲器，所述迟滞缓冲器的输入端耦接到所述第一节点和所述第二节点中的一者，并且所述迟滞缓冲器的输出端用于提供具有响应于所述调谐信号的占空比的时钟信号。
2.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述电压偏移电路被表征为无电阻器。
3.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述电压偏移电路包括：
电流源，所述电流源具有用于向第三节点提供偏置电流的输出端子；
可调谐电容器，所述可调谐电容器具有耦接到所述第三节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子；
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦接到所述第三节点的第一电流电极、耦接到所述第三节点的控制电极、耦接到所述迟滞缓冲器的所述输入端的第二电流电极；以及
第二晶体管，所述第二晶体管具有耦接到所述迟滞缓冲器的所述输入端的第一电流电极、耦接到所述第三节点的控制电极、耦接到所述第二节点的第二电流电极。
4.一种振荡器驱动电路，所述振荡器驱动电路具有用于耦接到晶体以及提供振荡器输出信号的第一节点和第二节点，所述振荡器驱动电路包括：
第一电容器，所述第一电容器具有适于耦接到所述第一节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；
第二电容器，所述第二电容器具有适于耦接到所述第二节点的第一端子，以及耦接到地电位的第二端子；
反相器，所述反相器具有耦接到所述第一节点的输入端，以及耦接到所述第二节点的输出端；以及
电压偏移电路，所述电压偏移电路耦接到所述第一节点和所述第二节点，并且具有用于接收调谐信号的输入端，其中当响应于所述晶体耦接在所述第一节点与所述第二节点之间而发生振荡时，所述电压偏移电路根据所述调谐信号改变所述第一节点处的平均电压。
5.根据权利要求4所述的振荡器驱动电路，其中：
所述电压偏移电路进一步具有用于接收调谐信号的输入端，其中所述电压偏移电路在所述振荡期间根据所述调谐信号改变所述第一节点处的所述平均电压。
6.根据权利要求4所述的振荡器驱动电路，其中所述电压偏移电路被表征为无电阻器。
7.根据权利要求6所述的振荡器驱动电路，其中所述电压偏移电路包括：
电流源，所述电流源具有用于向第三节点提供偏置电流的输出端子；
可调谐电容器，所述可调谐电容器具有耦接到所述第三节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子；
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦接到所述第三节点的第一电流电极、耦接到所述第三节点的控制电极、耦接到所述第一节点的第二电流电极；以及
第二晶体管，所述第二晶体管具有耦接到所述第一节点的第一电流电极、耦接到所述第三节点的控制电极、耦接到所述第二节点的第二电流电极。
8.一种使用晶体建立振荡的方法，所述方法包括：
使在适于耦接到所述晶体的第一端子的第一节点和适于耦接到所述晶体的第二端子的第二节点之间的信号反相；
将所述第一节点电容耦接到地电位；
将所述第二节点电容耦接到地电位；以及
在所述晶体耦接在所述第一节点与所述第二节点之间时发生的振荡期间，根据调谐信号改变所述第一节点处的平均电压。
9.根据权利要求8所述的方法，其中改变所述平均电压包括在不使用电阻器的情况下改变所述平均电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其中改变所述平均电压包括改变可调谐电容器的值。
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