CN115702389A - 流体净化系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于光学元件(120)的流体净化系统(100)，包括：流体引导单元，该流体引导单元被布置为在光学元件的光学表面(122)的至少弯曲部分上引导由流体供应系统提供的流体。流体引导单元包括流体入口和第一喷嘴单元(110)，该第一喷嘴单元用于向光学表面提供流体。该流体引导单元由至少第一壁部分(102)和至少第二壁部分(104)形成，其中第二壁部分被配置为面向光学表面并且跟随光学表面的轮廓。第二壁部分包括第二喷嘴单元(112)。

Description

流体净化系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月9日提交的EP申请20179056.5的优先权，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及一种流体净化系统和净化方法，并且更具体地涉及一种防止或减少光学元件的光学表面处的污染的流体净化系统。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(通常也被称为“设计布局”或“设计”)投射到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如，晶体管)的数目在几十年内稳定地增加，遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体工业正在追求能够产生越来越小的特征的技术。为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了在衬底上形成图案的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。
光刻设备可以包括照射系统，该照射系统配置为在辐射束到达图案形成装置之前调节辐射束。一旦辐射束已经由图案形成装置形成图案，投射系统将辐射束引导到衬底。照射系统和投射系统包括光学元件。光学元件的污染可以导致辐射束均匀性的降低，杂散辐射(杂光)从系统中损失或甚至到达衬底并且导致误差，和/或光学元件的污染可以导致污染物与光学元件的表面反应，这可以减少光学元件的寿命。这种光学元件可以位于超净流体环境中，以延长照射系统和/或投射系统的光学元件的寿命。超净流体环境可以被称为保护性环境或微环境。这种环境可以减少光学元件污染(可清洁和不可清洁)，从而减少辐射束均匀性的降低，减少从系统中损失的杂散辐射的量并且增加光学元件的寿命。
微环境内的流体流动可以影响净化性能。在常规系统中，流体可以被提供给微环境，以在微环境中的流体中生成停滞点。优选地避免这种停滞点，因为这些是流体不移动的区域，并且因此不能有效地进行净化。回流也可能发生在常规系统中，在该常规系统中包含污染物的流体例如通过文丘里效应反转方向。
本发明的流体净化系统在光学元件上提供流体流动，这可以例如通过如下方式来改善光学元件表面上的净化性能：通过减少或避免在光学元件上的流体流动中的停滞点和/或污染物的回流，以及通过提供更多的屏蔽和层流类型的流动。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于向光学元件提供流体的流体净化系统，并且因此提供光学元件的改进的净化。
在本发明中，提供了一种用于光学元件的流体净化系统，包括：流体引导单元(或流体导向单元)，该流体引导单元被布置为在光学元件的光学表面的至少一部分上引导由流体供应系统提供的流体，流体引导单元包括流体入口和第一喷嘴单元，该第一喷嘴单元用于基本上平行于光学表面提供流体，流体引导单元可以由至少第一壁部分和至少第二壁部分形成，其中第二壁部分被配置为面向光学表面并且跟随光学表面的轮廓。
流体引导单元可以被布置为：在光学元件的光学表面的至少弯曲部分上，引导由流体供应系统提供的流体。
根据本发明的一个实施例，第二壁部分包括第二喷嘴单元。第二喷嘴单元被布置为：防止由第一喷嘴单元提供的流体的流动引起的文丘里效应导致的光学表面的污染。
为了在光学元件的表面获得更均匀的流体流，在本发明的一个实施例中，第一喷嘴单元和第二喷嘴单元中的至少一个喷嘴单元包括微筛出口。
在本发明的实施例中，第一壁部分包括倾斜部分，该倾斜部分被配置为将净化流体导向光学表面。因此，净化流体的流被引导到光学元件，从而增强流体流与光学元件的相互作用。
凭借在第一壁部分和第二壁部分中的至少一个壁部分上提供圆形边缘，可以提高减少污染和/或防止污染的效率。
在本发明的一个实施例中，流体净化系统包括第一喷嘴单元，该第一喷嘴单元被布置为以总流体流量的60％至90％的比率提供流体。
在本发明的实施例中，流体净化系统具有被设置在第一壁部分和第二壁部分中的至少一个壁部分处的第一涂层。第一涂层可以是非反射层，以便于防止在例如曝光辐射与流体净化系统相互作用的情况下出现杂光。
在本发明的一个实施例中，流体净化系统具有被设置在第一喷嘴单元和第二喷嘴单元中的至少一个喷嘴单元的表面处的第二涂层。提供第二涂层以降低流动阻力和/或防止表面的磨损和/或腐蚀。
在本发明中，还提供了一种包括流体净化系统的投射系统。
在本发明中，还提供了一种包括流体净化系统的照射系统。
在本发明中，还提供了一种包括流体净化系统的光刻设备。
在本发明中，还提供了一种用于通过净化流体来净化光学元件的方法。该方法包含以下步骤；在光学元件的第一表面部分处，经由第一喷嘴单元在第一方向上提供第一净化流体；在光学元件的第二表面部分处，经由第二喷嘴单元在第二方向上提供第二净化流体，其中第一方向与第二方向之间的角度在70度到120度的范围中。
下面参考附图详细描述本发明的另外的实施例、特征和优点，以及本发明的各种实施例、特征和优点的结构和操作。
附图说明
现在将仅通过示例的方式参照所附示意图来描述本发明的实施例，在附图中：
-图1描绘了光刻设备的示意图；
-图2描绘了根据一个实施例的流体净化系统的示意性截面图；
-图3A和图3B描绘了根据一个实施例的流体净化系统的侧视图。
附图中所示的特征不必按比例绘制，并且所描绘的尺寸和/或布置不是限制性的。应当理解，附图包括可选特征，其可能不是本发明所必需的。此外，并非系统和/或光刻设备的所有特征都被描绘在每个附图中，并且附图仅可以示出与描述特定特征相关的一些部件。
具体实施方式
在本文件中，术语“辐射”和“光束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如，具有在约5nm-100nm范围中的波长)。
在本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指代通用图案形成装置，其可以用于赋予入射辐射束以图案化截面，该图案化截面对应于将在衬底的目标部分中产生的图案。在本文中也可以使用术语“光阀”。除经典的掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其它这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括照射系统(也被称为照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且被连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数精确地定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W并且被连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数精确地定位衬底支撑件；以及投射系统(例如，折射型投射透镜系统)PS，其被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
在操作中，照射系统IL例如经由光束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件、或其任意组合，用于引导、整形和/或控制辐射。照射器IL可以用于调节辐射束B，以使其在图案形成装置MA的平面处的横截面中具有期望的空间和角度强度分布。
本文使用的术语“投射系统”PS应该被广义地解释为涵盖各种类型的投射系统，包括折射型、反射型、反折射型、变形型、磁性型、电磁和/或静电光学系统、或其任意组合，这些投射系统适用于使用中的曝光辐射，和/或适用于诸如使用浸没液体或使用真空的其它因素。本文中的术语“投射透镜”的任何使用可以被认为与更一般的术语“投射系统”PS同义。
光刻设备LA可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投射系统PS和衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸没技术的更多信息在US 6952253中被给出，其通过引用并入本文。
光刻设备LA也可以是具有两个以上衬底支撑件WT的类型(也被称为“双载物台”)。在这种“多载物台”机器中，可以并行地使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT之一上的衬底W上执行准备衬底W的后续曝光的步骤，同时使用另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于曝光另一衬底W上的图案。
除衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量台。测量台被布置为保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投射系统PS的特性或辐射束B的特性。测量台可以容纳多个传感器。清洁装置可以被布置为对光刻设备的一部分进行清洁，例如投射系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量台可以在投射系统PS下面移动。
在操作中，辐射束B入射到被保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并由图案形成装置MA上存在的图案(设计布局)形成图案。在穿过掩模MA之后，辐射束B通过投射系统PS，投射系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。凭借第二定位器PW和位置测量系统IF，衬底支撑件WT可以精确地被移动，例如，以便于将辐射束B的路径中的不同目标部分C定位在聚焦的和对准的位置处。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(图1中未明确示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分，但是其可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，其被称为划线道对准标记。
为了阐明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即，x轴、y轴和z轴。三个轴中的每个轴与另外两个轴正交。绕x轴的旋转被称为Rx旋转。绕y轴的旋转被称为Ry旋转。绕z轴的旋转被称为Rz旋转。x轴和y轴限定水平面，而z轴在垂直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明，并且仅用于阐明。相反，可以使用另一坐标系(诸如圆柱坐标系)来阐明本发明。笛卡尔坐标系的取向可以不同，例如，使得z轴具有沿水平面的分量。
已经认识到，已知系统的光学性能可能受到光学元件(例如，诸如反射镜的反射元件和诸如透射透镜的折射元件)的污染，这可能由于光学元件位置处的次优净化性能而发生。通常，光学元件的污染与某些类型的光的量成线性比例，并且因此，光刻设备的产量的任何增加都可能导致透镜污染的增加，并且因此导致光学性能更加恶化。这可能导致某些光学元件需要更早地被替换，因为光学元件的寿命可能减少，或者更频繁地清洁，这可能破坏设备的性能。
因此，保护光刻设备中的光学元件(诸如透镜)免受污染是有益的。一种已知的保护这种光学元件的方式是将光学元件放置在半封闭环境中，该半封闭环境可以以其他方式被称为净化容积、保护性环境、微环境或小环境。半封闭环境可以用清洁流体(例如，清洁气体)净化，使得光学元件表面上或周围的污染物可以被去除，或至少被减少到允许光学元件的寿命提高的水平。因此，光学元件的寿命可能取决于半封闭环境的净化性能。
对于一些系统，净化性能(并且因此，光学元件的寿命)取决于许多因素，诸如刷新率、相对于外部环境的过压以及净化均匀性。
刷新速率与净化流速和净化长度相关。通常，刷新率越高，污染物残留在光学元件上的时间量就越短，并且因此任何污染物必须与光学元件的表面反应的时间量就越短，这可能导致较低的污染率。
半封闭环境的压力与环境的封闭程度相关，并且环境的封闭程度由限定半封闭环境的元件控制。半封闭环境中的净化容积的平均压力通常应高于环境外部的压力，因为这导致净化流体的流出。这降低了净化流体回流的风险，并且因此降低了净化流体中污染物回流的风险。
沿着光学元件均匀地分布净化流可能是有益的，因为这可以减少或避免停滞点、流的再循环(其可能包含污染物)、或净化流体的湍流。此外，净化流在光学元件的表面处提供更多的屏蔽和层流类型的流动。
在本发明中，提供了一种流体净化系统，其将在下面被详细描述。本发明中的流体净化系统可以解决上述问题中的一些问题。
本发明的流体净化系统可以被提供，例如，如图2、图3A和图3B所示。图2描绘了流体净化系统100的示意性截面图，并且图3A和图3B从两个不同的视角描绘了流体净化系统100。
流体净化系统100适于与光学元件120一起使用。因此，流体净化系统100可以用于向光学元件120提供净化流体。尽管下面参考光学元件120并且在相应的附图中示出，但是光学元件120代表任何适当的光学元件，包括任何折射型和反射型光学部件。任何适当的光学元件可以包括光学元件120和/或可以包括光学系统内的另一光学元件，诸如投射系统PS或照射系统IL。如图2所示，光学元件120的截面被示为具有凹形。光学元件120可以替代地具有不同的形状，例如变形形状。
在一个实施例中，流体净化系统100包括流体引导单元，该流体引导单元被布置为：在光学元件120的光学表面122的至少一部分上，例如在光学元件120的光学表面122的弯曲部分上引导净化流体(也被称为流体)。净化流体可以由流体供应系统(未示出)来提供。流体引导单元包括：流体入口(未示出)，和用于基本上平行于光学表面122提供净化流体的第一喷嘴单元110。流体引导单元由至少第一壁部分102和至少第二壁部分104形成，其中第二壁部分104被配置为面向光学表面122并且跟随光学表面122的轮廓。因此，第二壁部分104被布置为相对于第一壁部分102更靠近光学表面122。在具有弯曲部分的情况下，光学表面122的轮廓可以具有弯曲形状。通过凭借第一喷嘴单元110基本上平行于光学表面122引导净化流体，可以在光学表面122处获得改进的屏蔽流动。第二壁部分104可以具有与光学表面122的轮廓相对应的形状。
由第一喷嘴单元110提供的(净化)流体被提供给空间130。被提供给空间130的流体意味着流体被提供以经过光学元件120的表面，该表面在空间130中或与空间130相邻。因此，流体净化系统100被配置为向光学元件120的邻近空间130的表面提供流体。
空间130可以对应于或形成如上所述的净化容积的至少一部分。因此，空间130可以对应于或形成上述半封闭环境、微环境、保护性环境或小环境的至少一部分。
流体净化系统100可以包括流体供应系统(未示出)。净化流体也可以由单独的流体供应系统提供，该单独的流体供应系统可以被连接到流体净化系统100。
在一个实施例中，流体净化系统100包括被布置在第二壁部分104处的第二喷嘴单元112，因此提供朝向光学元件120的分离的流体流出(并且提供给空间130)。第二喷嘴单元112被布置为提供预防性流体流，以便在由第一喷嘴单元110提供净化流体时防止由流体流引起的泄漏流、或使得泄漏流最小化。即，通过所谓的文丘里效应，(潜在地)脏流体的泄漏流围绕流体净化系统100流动，这可能污染最靠近流体净化系统的光学元件120。为了防止如文丘里效应所描述的不需要的脏泄漏流，第二喷嘴单元112可以被设置在第二壁部分104处。
在图2中，第一喷嘴单元110和第二喷嘴单元112处的箭头图示了：当净化流体分别经由第一喷嘴单元110(第一净化流体)和第二喷嘴单元112(第二净化流体)离开流体净化系统100时、净化流体的流动方向。每个位置处的流体流动方向取决于该位置处的喷嘴单元的取向和几何形状。在优选的布置中，第二喷嘴单元112处的流体流动(第二净化流体的流动)被引导远离第一喷嘴单元110。因此，由第一喷嘴单元110处的流体流动(第一净化流体的流动)所引起的文丘里效应引起的流体流动被抑制或被减少。因此，最小化了到光学元件120的光学表面122的潜在脏流体的流动，该光学元件120被布置为与辐射(例如，用于曝光半导体衬底的辐射)相互作用。
在光学元件120的第一表面部分处的第一净化流体经由第一喷嘴单元110在第一方向上被提供，并且在光学元件120的第二表面部分处的第二净化流体经由第二喷嘴单元112在第二方向上被提供。第一方向和第二方向之间的角度可以在70度至120度的范围中。因此，第二净化流体可以防止由第一净化流体引起的文丘里效应导致的光学元件的污染。在一个实施例中，第一方向基本上垂直于第二方向。
在一个实施例中，第一喷嘴单元110包括多个第一微筛出口110A-110F，以在光学表面122处产生均匀的流体流动图案。第一微筛出口110A-110F跨第一喷嘴单元110(例如，沿着Y方向，如图3A和3B所示)在高度上可以变化。第一喷嘴单元110的中心处的第一微筛出口110C、110D的高度可以低于被布置在第一喷嘴单元110外侧处的第一微筛出口110A、110F的高度。因此，第一喷嘴单元110的中心处的微筛出口的高度可以低于外侧处的微筛出口的高度。在另一个示例中，第一喷嘴单元110的中心处的第一微筛出口110C、110D的高度可以高于被布置在第一喷嘴单元110的外侧处的第一微筛出口110A、110F的高度。因此，第一喷嘴单元110的中心处的微筛出口可以具有比外侧处的微筛出口更高的高度。相邻微筛出口110A-110F的高度变化可以是逐渐改变或逐步改变的。凭借微筛出口110A-110F的高度变化，可以控制在光学表面122处的净化流体的流速，以用于局部地优化净化性能。
尽管图3A和图3B图示了六个微筛出口110A-110F，但是微筛出口的数目不限于六个。所示的微筛出口的数目是为了说明的目的，并且不限制被设置在第一喷嘴单元110处的微筛出口的数目。被布置在第一喷嘴出口110处的微筛出口110A-110F的数目可以多于六个或可以少于六个。
第二喷嘴单元112也可以包括微筛出口，以在光学元件120的面向第二喷嘴单元112的表面122处产生均匀的流动图案。
为了增强朝向光学元件120的光学表面122的净化流，第一壁部分102可以包括在第一喷嘴单元110的位置处的倾斜部分102A。倾斜部分102A被布置为朝向光学表面122倾斜。倾斜部分102A被配置为引导净化流体的流、并且相应地将净化流体的流更多地导向光学表面122，并且因此进一步增强流体净化系统100的净化性能。
第一喷嘴单元110和第二喷嘴单元112两者的边缘可以是倒角的、圆形的或折叠的，以提供向外的优化的流体流动(例如，更好被引导的和/或更多的层流)。因此，可以在流体净化系统100的拐角处获得改进的净化。这可以有利于减少或避免停滞点、流动的再循环、或净化流体的湍流。
微筛出口110A-110F可以沿曲线布置。即，第一壁部分102和第二壁部分104的接合处可以不是直线接合。例如，第一壁部分102(或倾斜部分102A)可以形成弯曲表面(例如，部分圆柱形表面)。因此，被设置在第一壁部分102处的微筛出口沿着该弯曲表面(或线)设置。因此，第一壁部分102的表面处的法向矢量的方向取决于弯曲表面处的位置。凭借弯曲表面，根据光学元件120的几何表面特性，可以优化净化流的方向。因此，提供了提高流体净化系统100的净化(和清洁)效率的装置。
流体引导单元可以包括歧管，以将净化流体朝向第一喷嘴单元110和/或朝向第二喷嘴单元112引导。歧管可以被布置为将净化流体提供给一个或多个微筛出口，例如被布置在第一喷嘴单元110处的微筛出口110A-110F。
净化流体可以是任何适当的流体。流体可以是气体，例如H2、N2、He、Ar、Kr、Ne、Xe、空气、清洁干燥空气(CDA)和极度清洁干燥空气(XCDA)。在这种情况下，流体的参考物可以用气体替换。在这种情况下，流体净化系统100可以是气体净化系统，并且流体供应系统可以是气体供应系统。流体可以是清洁气体。流体可以是液体(例如超洁净水(或超纯水))。在这种情况下，流体净化系统100可以是液体净化系统，并且流体供应系统可以是液体供应系统。
由流体净化系统100提供的流体可以凭借第一喷嘴单元110和第二喷嘴单元112分别以例如80:20的比例被引导、并且被提供给光学元件120(并且因此被提供给空间130)。第一喷嘴单元110可以提供主净化功率，例如在总净化流的60％-90％范围中的第一净化流，并且第二喷嘴单元112可以提供次净化功率，例如在总净化流(或流体流)的40％-10％范围中的第二净化流。
由于流体净化系统100可以用于净化(和清洁)可以被布置在光学系统中的光学元件的光学表面，以用于防止和/或减少光学表面处的污染，所以流体净化系统可以被布置在照射系统(例如，如图1所示的照射系统IL)中、在投射系统(例如，如图1所示的投射系统PS)中、或通常地在光刻设备(例如，如图1所示的光刻设备LA)中的光学元件的光学表面处或量测装置中。附加地，流体净化系统100可以被布置在EUV光源中使用的收集器反射镜处，以收集和引导等离子体生成的EUV辐射。
流体净化系统100的外表面(例如，第一壁部分102(102a)的外表面和第二壁部分104的外表面)可以被设置有第一涂层材料(或第一涂层)。在辐射(例如，曝光辐射)与外表面相互作用的情况下，第一涂层材料可以用于减少或防止不期望的反射和/或杂光。第一涂层材料可以形成例如非反射层。第一涂层可以是辐射吸收层。第一涂层可以是抗反射涂层。在流体净化系统100的外表面处的第一涂层材料也可以被设置为形成针对其工作环境的保护层。例如，提供保护层以保护外表面免受腐蚀流体的影响，腐蚀流体可能影响流体净化系统100的性能和/或寿命。
第一喷嘴单元110和第二喷嘴单元112的一个或多个表面可以被设置有第二涂层材料(第二涂层)。第二涂层材料可以防止表面的磨损和/或腐蚀(例如，防止磨损或腐蚀的层)。附加地，第二涂层可以增强净化流体的流动(即，减小流动阻力)，例如，疏液层。被设计成与给定流体具有90°或更大的接触角的接触表面可以被称为疏液接触表面。可以用例如由等离子体电离产生的氧化涂层来实现疏液层。备选地或附加地，可以用涂层来实现疏液层，该涂层具有在10nm与1000nm之间厚度的合适的材料。
第二涂层可以防止喷嘴单元110、112的污染，例如，以防止微筛出口的遮盖。
第一涂层和第二涂层可以包括至少一种相同的材料。
流体净化系统100可以从环境(光学系统)或空间130移除，其中流体净化系统被用于净化和清洁光学表面。因此，为了包括流体净化系统100的光学系统的维护目的，流体净化系统100可以被暂时地移除。并且在流体净化系统100升级或故障的情况下，流体净化系统100可以例如被类似的系统替换(或交换)。
流体净化系统100也可以在光学元件的运输过程中被设置在光学元件处。光学元件可以被暂时地存储在集装箱中。通过凭借流体净化系统100来净化光学元件，可以防止或最小化光学元件的污染。
本发明可以提供一种凭借如图2、图3A和图3B所示的流体净化系统100来净化光学元件的方法。用于通过净化流体来净化光学元件的方法可以包括以下步骤：在光学元件的第一表面部分(例如，光学元件120的光学表面122(如图2、图3A或图3B所示))处，经由第一喷嘴单元110在第一方向上提供第一净化流体；以及在光学元件的第二表面部分(例如，光学表面122)处，经由第二喷嘴单元112在第二方向上提供第二净化流体。第一方向可以是基本上平行于光学表面122的方向。第一方向和第二方向之间的角度可以在70度至120度的范围中。因此，第二净化流体可以防止由第一净化流体引起的文丘里效应导致的光学元件的污染。在一个实施例中，第一方向基本上垂直于第二方向。
在一个实施例中，第一净化流体和第二净化流体可以由同一流体供应单元提供。
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测模式、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用在其它装置中。本发明的实施例可以形成以下装置的一部分：掩模检查装置、计量装置或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)的物体的任何装置。这些装置通常被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
尽管上面已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻并且可以用在其它应用中，例如压印光刻。
本发明的各方面在以下条款中被阐述。
1.一种用于光学元件的流体净化系统，包括：流体引导单元，被布置为在所述光学元件的光学表面的至少一部分上引导由流体供应系统提供的流体，所述流体引导单元包括流体入口、和用于向所述光学表面提供流体的第一喷嘴单元，所述流体引导单元由至少第一壁部分和至少第二壁部分形成，其中所述第二壁部分被配置为面向所述光学表面并且跟随所述光学表面的轮廓。
2.根据条款1所述的流体引导净化系统，其中所述光学元件的光学表面的至少一部分是弯曲部分。
3.根据条款1或2所述的流体净化系统，其中所述第二壁部分包括第二喷嘴单元。
4.根据条款1至3中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元中的至少一个喷嘴单元包括微筛出口。
5.根据条款4所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元处的所述微筛具有各种高度。
6.根据前述条款中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一壁部分包括倾斜部分，所述倾斜部分被配置为将所述流体导向所述光学表面。
7.根据前述条款中任一项所述的流体净化系统，其中所述光学元件的光学表面至少包括凹入部分。
8.根据前述条款中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一壁部分和所述第二壁部分中的至少一个壁部分的边缘是圆形的。
9.根据前述条款中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元被布置为以总流体流量的60％至90％的比率提供所述流体。
10.根据前述条款中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一壁部分和所述第二壁部分中的至少一个壁部分被设置有第一涂层。
11.根据条款10所述的流体净化系统，其中所述第一涂层是非反射层。
12.根据前述条款中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元中的至少一个喷嘴单元的表面被设置有第二涂层。
13.根据条款12所述的流体净化系统，其中所述第二涂层是疏液层。
14.根据条款12所述的流体净化系统，其中所述第二涂层是耐磨层。
15.一种投射系统，包括前述条款中任一项所述的流体净化系统。
16.一种照射系统，包括条款1至13中任一项所述的流体净化系统。
17.一种包括条款1至13中任一项所述的流体净化系统的光刻设备。
18.一种用于通过净化流体来净化光学元件的方法，包括以下步骤：在所述光学元件的第一表面部分处，经由第一喷嘴单元在第一方向上提供第一净化流体；在所述光学元件的第二表面部分处，经由第二喷嘴单元在第二方向上提供第二净化流体，其中所述第一方向与所述第二方向之间的角度在70度到120度的范围内。
19.根据条款18所述的方法，其中所述第一方向基本上垂直于所述第二方向。
20.根据条款18或19所述的方法，其中提供所述第一净化流体和所述第二净化流体由同一流体供应单元提供。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实施。以上描述旨在是说明性的而非限制性的。因此，对于本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离于下面阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种用于光学元件的流体净化系统，包括：
流体引导单元，所述流体引导单元被布置为在所述光学元件的光学表面的至少弯曲部分上引导由流体供应系统提供的流体，所述流体引导单元包括流体入口、和用于基本上平行于所述光学表面提供流体的第一喷嘴单元，所述流体引导单元由至少第一壁部分和至少第二壁部分形成，其中所述第二壁部分被配置为面向所述光学表面并且跟随所述光学表面的轮廓，并且所述第二壁部分包括第二喷嘴单元。
2.根据权利要求1所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元中的至少一个喷嘴单元包括微筛出口。
3.根据权利要求2所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元处的所述微筛出口具有各种高度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一壁部分包括倾斜部分，所述倾斜部分被配置为将所述流体导向所述光学表面。
5.根据前述权利要求中任一项所述的流体净化系统，其中所述光学元件的所述光学表面至少包括凹入部分。
6.根据前述权利要求中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一壁部分和所述第二壁部分中的至少一个壁部分的边缘是圆形的。
7.根据前述权利要求中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元被布置为以总流体流量的60％至90％的比率提供所述流体。
8.根据前述权利要求中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一壁部分和所述第二壁部分中的至少一个壁部分被设置有第一涂层。
9.根据权利要求8所述的流体净化系统，其中所述第一涂层是非反射层。
10.根据前述权利要求中任一项所述的流体净化系统，其中所述第一喷嘴单元和所述第二喷嘴单元中的至少一个喷嘴单元的表面被设置有第二涂层。
11.根据权利要求10所述的流体净化系统，其中所述第二涂层是疏液层。
12.根据权利要求10所述的流体净化系统，其中所述第二涂层是耐磨层。
13.一种投射系统，包括前述权利要求中任一项所述的流体净化系统。
14.一种用于通过净化流体来净化光学元件的方法，包括以下步骤：
在所述光学元件的第一表面部分处，经由第一喷嘴单元在第一方向上提供第一净化流体；
在所述光学元件的第二表面部分处，经由第二喷嘴单元在第二方向上提供第二净化流体，其中所述第一方向和所述第二方向之间的角度在70度至120度的范围中。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一方向基本上垂直于所述第二方向。
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