CN115701763A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN115701763A
CN115701763A CN202210879201.8A CN202210879201A CN115701763A CN 115701763 A CN115701763 A CN 115701763A CN 202210879201 A CN202210879201 A CN 202210879201A CN 115701763 A CN115701763 A CN 115701763A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
light emitting
sub
bank
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210879201.8A
Other languages
English (en)
Inventor
郭真善
金璟陪
李龙熙
李智慧
表基贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115701763A publication Critical patent/CN115701763A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括：子像素，包括发光部分以及在发光部分的第一方向上的相应侧上的子区域；第一电极和第二电极，第一电极在发光部分中并且在第一方向上延伸，第二电极在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；以及发光元件，在发光部分中在第一电极和第二电极上，其中，第二电极包括在第一方向上延伸的电极杆部分和从电极杆部分分支的电极分支部分。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月2日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0101304号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备的重要性已经增加。因此，已经使用了各种类型的显示设备，诸如有机发光显示器(OLED)和液晶显示器(LCD)。
存在一种自发光显示设备，其包括发光元件作为显示设备的显示图像的器件。自发光显示设备包括使用有机材料作为发光材料的有机发光显示设备、使用无机材料作为发光材料的无机发光显示设备等。
发明内容
本公开的方面提供一种显示设备，其中通过经由相同的第二电极将相同的第二电源电压施加到相邻子像素中的每一个来减少线的数量。
然而，本公开的方面不限于本文中所阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更显而易见。
根据实施方式，显示设备包括：子像素，包括发光部分以及在发光部分的第一方向上的相应侧上的子区域；第一电极和第二电极，第一电极在发光部分中并且在第一方向上延伸，第二电极在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；以及发光元件，在发光部分中在第一电极和第二电极上，其中，第二电极包括在第一方向上延伸的电极杆部分和从电极杆部分分支的电极分支部分。
显示设备还可以包括堤层，堤层分离子像素中的相邻子像素，其中，子像素沿着第一方向和第二方向布置。
堤层可以沿着第一方向和第二方向呈网格形状。
发光部分和子区域可以由堤层的在第一方向和第二方向上延伸的部分围绕。
第一电极可以延伸至子区域，并且第一绝缘层可以在子区域中限定开口孔。
显示设备还可以包括：第二绝缘层，在第一绝缘层上；以及分离部分，分别在子区域中，第一绝缘层和第二绝缘层不在分离部分中，其中，第一电极接触子区域中的一个子区域的分离部分和子区域中的另一子区域的分离部分。
显示设备还可以包括：第一连接电极，在发光部分中在第一电极上并且与发光元件接触；以及第二连接电极，在发光部分中在第二电极上并且与发光元件接触，其中，第一绝缘层还包括与第一电极的在子区域中的部分重叠的第一接触部分和与第二电极的在子区域中的部分重叠的第二接触部分，其中，第一连接电极通过第一接触部分与第一电极接触，以及其中，第二连接电极通过第二接触部分与第二电极接触。
显示设备还可以包括第三绝缘层，第三绝缘层在第二绝缘层上并且在子区域中覆盖分离部分。
电极杆部分可以与堤层的在第一方向上延伸的部分重叠，并且在子区域的第二方向上的一侧上。
电极分支部分可以在堤层的在第一方向和第二方向两者上延伸的部分处从电极杆部分的第一部分分支，并且向第二方向上的相应侧弯折。
电极分支部分可以在第一方向上跨过发光部分，再次弯折，并且可以与电极杆部分的第二部分一体以彼此连接。
第二电极的电极分支部分可以包括在第一电极的左侧上的第一电极分支部分和在第一电极的右侧上的第二电极分支部分。
第二电极中的一个第二电极的电极分支部分可以分别在子像素中的在第二方向上相邻的相邻子像素的发光部分中，其中，第二电极中的不同的第二电极的电极分支部分在子像素中的一个子像素中。
显示设备还可以包括第一堤图案和第二堤图案，第一堤图案在发光部分的中央部分处，第二堤图案与第一堤图案间隔开，且第一堤图案插置在第二堤图案之间，其中，第一堤图案和第二堤图案沿着第二方向交替布置，以及其中，发光元件在第一堤图案和第二堤图案中的一个第二堤图案之间。
第一电极可以在子像素的中央处，其中，第一电极的在发光部分中的部分在第一堤图案上，以及其中，第一电极在第一方向上从子区域延伸到子像素中的相邻子像素的子区域。
第一电极在第二方向上的宽度可以根据第一电极在第一方向上的位置而不同，其中，第一堤图案上的第一电极的在发光部分中的部分的宽度大于第一堤图案的宽度。
第一电极可以覆盖第一堤图案的两个侧表面。
根据实施方式，显示设备包括：子像素，包括发光部分以及在发光部分的第一方向上的相应侧上的子区域；第一电极和第二电极，第一电极在发光部分中并且在第一方向上延伸，第二电极在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；发光元件，在发光部分中在第一电极和第二电极上；第一堤图案，在第一电极下方在发光部分的中央部分处；第二堤图案，与第一堤图案间隔开，且第一堤图案插置在第二堤图案之间；以及堤层，在第一绝缘层上，并且分离子像素中的相邻子像素，其中，发光元件在第一堤图案和第二堤图案中的一个第二堤图案之间，以及其中，第一绝缘层限定与堤层重叠的开口图案。
子像素可以沿着第一方向和第二方向布置，其中，堤层沿着第一方向和第二方向呈网格形状，以及其中，开口图案沿着堤层布置，并且在平面图中在第一方向上延伸。
第二电极可以包括在第一方向上延伸的电极杆部分和从电极杆部分分支的电极分支部分，其中，开口图案在平面图中在电极分支部分之间。
在详细描述中描述了并且在附图中示出了其他实施方式的详细内容。
利用根据实施方式的显示设备，可以通过经由相同的第二电极将相同的第二电源电压施加到相邻子像素中的每一个来减少线的数量。
本公开的方面不限于上述方面，并且各种其他方面包括在本说明书中。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其他方面将变得更显而易见，在附图中：
图1是根据一些实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据一些实施方式的子像素的布局图；
图3是示出沿着图2的线Q1-Q1'截取的显示面板的示例的剖视图；
图4是示出根据一些实施方式的显示设备的一个像素的平面图；
图5是示出图4的第一子像素的视图；
图6是沿着图5的线N1-N1'、线N2-N2'和线N3-N3'截取的剖视图；
图7是沿着图5的线N4-N4'、线N5-N5'和线N6-N6'截取的剖视图；
图8是图5的部分B的放大视图；
图9是沿着图8的线N7-N7'截取的剖视图；
图10和图11是示出在制造显示设备的工艺中子区域中的电极的形状的视图；
图12是示出根据一些实施方式的发光元件的视图；
图13是示出根据一些实施方式的通过第一绝缘层的开口图案排气的示意图；
图14是示出根据其他实施方式的显示设备的第一子像素的平面图；以及
图15是示出根据又一其他实施方式的显示设备的第一子像素的平面图。
具体实施方式
通过参考实施方式的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施方式的方面及实现其的方法。在下文中，将参考附图更详细地描述实施方式。然而，所描述的实施方式可以具有各种修改，并且可以以各种不同的形式来实施，并且不应被解释为仅限于本文中所说明的实施方式。相反，提供这些实施方式作为示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面，并且应当理解，本公开涵盖在本公开的构思和技术范围内的所有修改、等同和代替。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员用于完全理解本公开的方面而言不是必需的工艺、元件和技术。
除非另有说明，否则在全部附图和书面描述中，相同的附图标号、附图标记或其组合表示相同的元件，并且因此，将不重复相同的元件的描述。此外，与实施方式的描述不相关(或无关)的部分可以不被示出以使描述清楚。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。此外，附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非另有指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
本文中参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施方式。如此，应预期例如由于制造技术和/或公差而导致的、图中的形状的变型。另外，本文中公开的特定结构性或功能性描述仅仅是说明性的，以用于描述根据本公开的构思的实施方式的目的。因此，本文中所公开的实施方式不应被解释为受限于具体示出的区域形状，而是应包括例如由制造而导致的形状的偏差。
例如，示出为矩形的植入区域将通常在其边缘处具有圆化的或曲化的特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，通过植入而形成的埋置区域可能导致在埋置区域与通过其发生植入的表面之间的区域中的某些植入。
因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出设备的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。此外，如本领域技术人员将认识到的，在均不背离本公开的精神或范围的情况下，所描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改。
在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实践各种实施方式。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和设备，以便避免不必要地模糊各种实施方式。
为了易于解释，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”、“上”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种定向。设备可以另外定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于第二部分的基于重力方向的上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”是指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观察通过竖直切割目标部分而形成的截面。
应理解，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件、层、区域或组件时，它可以直接形成在另一元件、层、区域或组件上、直接在另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接联接到另一元件、层、区域或组件，或者它可以间接形成在另一元件、层、区域或组件上、间接在另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接联接到另一元件、层、区域或组件，使得可存在一个或多个居间元件、层、区域或组件。然而，这可以统称为直接联接或直接连接或者间接联接或间接连接以及一体联接或一体连接或者非一体联接或非一体连接。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电联接”到另一层、区域或组件时，它可以直接电连接或直接电联接到另一层、区域或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接联接”或“直接在…上”是指在没有中间组件的情况下一个组件直接连接或直接联接另一组件或者直接在另一组件上。同时，描述组件之间的关系的其他表述(诸如“在…之间”、“直接在…之间”或者“邻近于”和“直接邻近于”)可以类似地解释。此外，还应当理解，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
出于本公开的目的，当位于一列表的元素之后时，诸如“…中的至少一个”的表述修饰整个列表的元素而不修饰该列表中的个别元素。例如，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的群组中的至少一个”可以解释为仅X、仅Y、仅Z、X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合(诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ)或其任何变型。类似地，诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B或者A和B。如本文中所使用的，“或”通常表示“和/或”，并且术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。
应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等也可以在本文中用于将不同类别或组的元件区分开。为了简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制本公开。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”和“一个(an)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(includes)”和“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在为将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差留有余量。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。另外，在描述本公开的实施方式时使用的“可”表示“本公开的一个或多个实施方式”。
此外，本文中公开和/或列举的任何数值范围旨在包括包含在所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所述最小值1.0和所述最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如例如2.4至7.6。本文中所述的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低数值限制，并且本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地叙述包含在本文中明确叙述的范围内的任何子范围。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于形式化的含义进行解释。
图1是根据一些实施方式的显示设备的示意性平面图。
参考图1，显示设备10显示运动图像或静止图像。显示设备10可以指提供显示屏的所有电子设备。例如，提供显示屏的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、游戏机、数码相机、便携式摄像机等可以包括在显示设备10中。
显示设备10包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，将通过示例的方式描述将无机发光二极管显示面板用作显示面板的示例的情况，但是本公开不限于此，并且在适用的情况下，相同的技术精神可以应用于其他显示面板。
显示设备10的形状可以各种改变。例如，显示设备10可以具有以下形状：诸如具有大于长度的宽度的矩形形状、具有大于宽度的长度的矩形形状、正方形形状、具有圆润拐角(顶点)的矩形形状、其他多边形形状或圆形形状。显示设备10的显示区域DPA的形状可以类似于显示设备10的整体形状。在图1中，示出了显示设备10具有第二方向DR2上的长度大于第一方向DR1上的宽度的矩形形状。
显示设备10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示屏幕的区域，并且非显示区域NDA是其中不显示屏幕的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA可以基本上占据显示设备10的中央。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以布置成矩阵形式。在平面图中，每个像素PX的形状可以是矩形形状或正方形形状，但不限于此，并且还可以是其每一侧相对于一个方向倾斜的菱形形状。各个像素PX可以交替地布置成条类型或
Figure BDA0003763565390000101
类型(例如，
Figure BDA0003763565390000104
矩阵结构、
Figure BDA0003763565390000103
结构或RGBG结构)。
Figure BDA0003763565390000102
是韩国三星显示有限公司的注册商标。此外，像素PX中的每个可以包括发射相应波长带的光以显示相应颜色的一个或多个发光元件。
非显示区域NDA可以位于显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以定位成与显示区域DPA的四个边相邻。非显示区域NDA可以构成显示设备10的边框。包括在显示设备10中的线或电路驱动器可以位于非显示区域NDA中，或者外部设备可以安装在非显示区域NDA中。
图2是示出根据一些实施方式的子像素的布局图。
参考图2，多个像素PX可以在显示区域DPA(参见图1)中布置在第一方向DR1和第二方向DR2上。多个像素PX中的每一个可以包括多个子像素SPX1、SPX2和SPX3。例如，如图2中所示，多个像素PX中的每一个可以包括三个子像素，即，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3，但是包括在多个像素PX中的每一个中的子像素的数量不限于此。例如，多个像素PX中的每一个可以包括四个或更多个子像素。
多个子像素SPX1、SPX2和SPX3可以布置在第二方向DR2上，但是多个子像素SPX1、SPX2和SPX3的布置方向不限于此。例如，多个子像素SPX1、SPX2和SPX3可以布置在第一方向DR1上。
多个子像素SPX1、SPX2和SPX3中的每一个可以包括发光部分和光阻挡部分。例如，第一子像素SPX1可以包括第一发光部分EMA1和光阻挡部分BA(例如，光阻挡部分BA的一部分)，第二子像素SPX2可以包括第二发光部分EMA2和光阻挡部分BA(例如，光阻挡部分BA的附加部分)，并且第三子像素SPX3可以包括第三发光部分EMA3和光阻挡部分BA(例如，光阻挡部分BA的另一部分)。
第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3可以发射相同颜色的光。在这种情况下，第一子像素SPX1可以将从第一发光部分EMA1输出的第三颜色的光转换为第一颜色的光，并且可以输出第一颜色的光。第二子像素SPX2可以将从第二发光部分EMA2输出的第三颜色的光转换为第二颜色的光，并且可以输出第二颜色的光。第三子像素SPX3可以照原样输出从第三发光部分EMA3输出的第三颜色的光。
替代地，第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3可以发射不同的各个颜色的光。在这种情况下，第一子像素SPX1可以输出从第一发光部分EMA1输出的第一颜色的光，第二子像素SPX2可以输出从第二发光部分EMA2输出的第二颜色的光，并且第三子像素SPX3可以输出从第三发光部分EMA3输出的第三颜色的光。
在图2中已经示出了第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3具有相同的面积，但是本公开不限于此。第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3可以具有与光的相应颜色或光的波长带对应的不同面积。
图3是示出沿着图2的线Q1-Q1'截取的显示面板的示例的剖视图。
参考图2和图3，显示设备可以包括衬底SUB、缓冲层BL、薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML。
衬底SUB可以是基础衬底或基础构件，并且可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。作为示例，衬底SUB可以是刚性衬底。当衬底SUB是刚性衬底时，衬底SUB可以包括玻璃材料或金属材料，但不限于此。作为另一示例，衬底SUB可以是可弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。当衬底SUB是柔性衬底时，衬底SUB可以包括聚酰亚胺(PI)，但不限于此。
缓冲层BL可以位于衬底SUB上。缓冲层BL可以形成为能够减少或防止空气或湿气的渗透的无机膜。例如，缓冲层BL可以包括交替堆叠的多个无机膜。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管T、栅极绝缘膜GI、层间绝缘膜IL1和通孔层VIA。
薄膜晶体管T可以位于缓冲层BL上，并且可以构成多个像素PX中的每一个的像素电路。例如，薄膜晶体管T可以是像素电路的驱动晶体管(例如，图6的第一晶体管T1)或开关晶体管。薄膜晶体管T可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BL上。半导体层ACT可以与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE重叠。半导体层ACT可以与源电极SE和漏电极DE直接接触，并且可以面对栅电极GE，且栅极绝缘膜GI插置在半导体层ACT和栅电极GE之间。
栅电极GE可以位于栅极绝缘膜GI上。栅电极GE可以与半导体层ACT重叠，且栅极绝缘膜GI插置在栅电极GE与半导体层ACT之间。
源电极SE和漏电极DE可以在层间绝缘膜IL1上彼此间隔开。源电极SE可以通过设置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜IL1中的接触孔与半导体层ACT的一端接触。漏电极DE可以通过设置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜IL1中的接触孔与半导体层ACT的另一端接触。漏电极DE可以通过设置在通孔层VIA中的接触孔连接到发光构件EL的第一电极RME1。
栅极绝缘膜GI可以设置在半导体层ACT上。例如，栅极绝缘膜GI可以位于半导体层ACT和缓冲层BL上，并且可以使半导体层ACT和栅电极GE彼此绝缘。栅极绝缘膜GI可以包括源电极SE从其穿过的接触孔以及漏电极DE从其穿过的接触孔。
层间绝缘膜IL1可以位于栅电极GE上。例如，层间绝缘膜IL1可以包括源电极SE从其穿过的接触孔以及漏电极DE从其穿过的接触孔。这里，层间绝缘膜IL1的接触孔可以连接到栅极绝缘膜GI的接触孔，或者与栅极绝缘膜GI的接触孔连续。
通孔层VIA可以设置在层间绝缘膜IL1上，以使薄膜晶体管T的上端平坦化。例如，通孔层VIA可以包括发光构件EL的第一电极RME1从其穿过的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光构件EL、堤图案BP(BP1和BP2(参见图5))、堤层BNL、第一钝化层PAS1、第二钝化层PAS2和第三钝化层PAS3。
发光构件EL可以设置在薄膜晶体管T上。发光构件EL可以包括第一电极RME1、第二电极RME2和发光元件ED。
第一电极RME1可以设置在通孔层VIA上。例如，第一电极RME1可以位于定位在通孔层VIA上的堤图案BP(例如，第一堤图案BP1)上以覆盖堤图案BP。此外，第一电极RME1可以连接到薄膜晶体管T的漏电极DE。第一电极RME1可以是发光构件EL的阳极电极，但不限于此。
第二电极RME2可以设置在通孔层VIA上。例如，第二电极RME2可以位于定位在通孔层VIA上的堤图案BP(例如，第二堤图案BP2)上以覆盖堤图案BP。例如，第二电极RME2可以接收提供给所有像素PX的公共电压。第二电极RME2可以是发光构件EL的阴极电极，但不限于此。
第一绝缘层PAS1可以覆盖彼此相邻的第一电极RME1的一部分和第二电极RME2的一部分，并且可以使第一电极RME1和第二电极RME2彼此绝缘。
发光元件ED可以在通孔层VIA上方位于第一电极RME1和第二电极RME2之间。发光元件ED可以位于第一绝缘层PAS1上。发光元件ED的一端可以连接到第一电极RME1，并且发光元件ED的另一端可以连接到第二电极RME2。例如，多个发光元件ED可以包括具有相同材料的有源层，以发射相同波长带的光或发射相同颜色的光。从第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3中的每一个发射的光可以具有相同的颜色。例如，多个发光元件ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。因此，发光元件层EML可以发射第三颜色的光或蓝光。
堤层BNL可以位于通孔层VIA上。堤层BNL可以将多个发光构件EL中的每一个的第一电极RME1或第二电极RME2彼此分离和绝缘。
第二钝化层PAS2和第三钝化层PAS3可以位于多个发光构件EL和堤层BNL上。第二钝化层PAS2可以覆盖多个发光构件EL，并且可以保护多个发光构件EL。第二钝化层PAS2和第三钝化层PAS3可以减少或防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗透，以减小或防止损坏多个发光构件EL的可能性。
显示设备10还可以包括第一平坦化层OC1、第一封盖层CAP1、第一光阻挡构件BK1、第一波长转换部分WLC1、第二波长转换部分WLC2、光透射部分LTU、第二封盖层CAP2、第二平坦化层OC2、第二光阻挡构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3、第四钝化层PAS4以及封装层ENC。
第一平坦化层OC1可以设置在发光元件层EML上，以使发光元件层EML的上端平坦化。第一平坦化层OC1可以包括有机材料。例如，第一平坦化层OC1可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
第一封盖层CAP1可以位于第一平坦化层OC1上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU的下表面。第一封盖层CAP1可以包括无机材料。例如，第一封盖层CAP1可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。
第一光阻挡构件BK1可以位于光阻挡部分BA中且位于第一封盖层CAP1上。第一光阻挡构件BK1可以在厚度方向上与堤层BNL重叠。第一光阻挡构件BK1可以阻挡光的透射。第一光阻挡构件BK1可以减少或防止由于光在第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3之间的渗透而引起的颜色的彼此混合，以改善颜色再现率。在平面图中，第一光阻挡构件BK1可以设置成围绕第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3的网格形状。
第一光阻挡构件BK1可以包括有机光阻挡材料和液体排斥组分。这里，液体排斥组分可以由含氟单体或含氟聚合物制成，并且例如可以包括含氟脂族聚碳酸酯。例如，第一光阻挡构件BK1可以由包括液体排斥组分的黑色有机材料制成。第一光阻挡构件BK1可以通过有机光阻挡材料(包括液体排斥组分)的涂覆和曝光工艺等而形成。
第一光阻挡构件BK1包括液体排斥组分，并且因此第一光阻挡构件BK1可以将第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU分成相应的发光部分EMA1、EMA2和EMA3。例如，当第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU以喷墨方式形成时，墨水组合物可以流到第一光阻挡构件BK1的上表面上。在这种情况下，第一光阻挡构件BK1可以包括液体排斥组分，以引导墨水组合物流入每个透射区域中。因此，第一光阻挡构件BK1可减少或防止墨水组合物彼此混合。
第一波长转换部分WLC1可以在第一封盖层CAP1上位于第一发光部分EMA1中。第一波长转换部分WLC1可以由第一光阻挡构件BK1围绕。第一波长转换部分WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长变换体WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括具有相对高透光率的材料。第一基础树脂BS1可以由透明有机材料制成。例如，第一基础树脂BS1可以包括有机材料中的至少一种，有机材料诸如为环氧基树脂、丙烯酸树脂、卡多基(cardo-based)树脂和酰亚胺基树脂。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括用于散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包括金属氧化物，诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)，或者第一散射体SCT1可以包括有机颗粒，诸如丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯基树脂。不管入射光的入射方向如何，第一散射体SCT1可以在随机方向上散射光，而基本上不转换入射光的峰值波长。
第一波长变换体WLS1可以将入射光的峰值波长转换或变换到第一峰值波长。例如，第一波长变换体WLS1可以将从发光元件层EML提供的蓝光转换为具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红光，并且可以发射红光。第一波长变换体WLS1可以是量子点、量子杆或磷光体。量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的同时发射相应颜色的光的颗粒物质。
例如，量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组成和尺寸具有相应的带隙以吸收光，并且然后可以发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
II-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和/或四元化合物组成的群组，其中，二元化合物选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的群组；三元化合物选自由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的群组；四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的群组。
III-V族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和/或四元化合物组成的群组，其中，二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的群组；三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的群组；四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的群组。
IV-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和/或四元化合物组成的群组，其中，二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的群组；三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的群组；四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的群组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的群组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物组成的群组的二元化合物。
例如，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以其中浓度分布局部彼此不同的状态存在于相同的颗粒中。
例如，量子点可以具有核-壳结构，核-壳结构包括含有上述纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作保护层以通过减小或防止核的化学改质来保持半导体性质，和/或用作充电层以将电泳特性赋予到量子点。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低。量子点的壳可以由金属或非金属氧化物、半导体化合物、其组合等制成。
金属或非金属氧化物的示例可以包括诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO的二元化合物，或者包括诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4的三元化合物，但是本公开不限于此。
此外，半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开不限于此。
由第一波长变换体WLS1发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)，并且可以进一步改善由显示设备10显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。由第一波长变换体WLS1发射的光可以朝向若干方向发射而不管入射光的入射方向如何。因此，可以改善在第一发光部分EMA1中显示的红色的侧面可视性。
从发光元件层EML提供的蓝光的一部分可以透射通过第一波长转换部分WLC1，而不由第一波长变换体WLS1转换为红光。从发光元件层EML提供的蓝光中的入射到第一滤色器CF1上而不由第一波长转换部分WLC1转换的光可以被第一滤色器CF1阻挡。此外，从发光元件层EML提供的蓝光中的由第一波长转换部分WLC1转换的红光可以透射通过第一滤色器CF1，并且然后发射到外部。因此，第一发光部分EMA1可以发射红光。
第二波长转换部分WLC2可以在第一封盖层CAP1上位于第二发光部分EMA2中。第二波长转换部分WLC2可以由第一光阻挡构件BK1围绕。第二波长转换部分WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长变换体WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括具有相对高透光率的材料。第二基础树脂BS2可以由透明有机材料制成。例如，第二基础树脂BS2可以由与第一基础树脂BS1相同的材料制成，或者可以由第一基础树脂BS1中例示的材料制成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基础树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括用于散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2可以由与第一散射体SCT1相同的材料制成，或者可以由第一散射体SCT1中例示的材料制成。不管入射光的入射方向如何，第二散射体SCT2可以在随机方向上散射光，而基本上不转换入射光的峰值波长。
第二波长变换体WLS2可以将入射光的峰值波长转换或变换到与对应于第一波长变换体WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长变换体WLS2可以将从发光元件层EML提供的蓝光转换为具有在约510nm至约550nm的范围内的单峰值波长的绿光，并且可以发射绿光。第二波长变换体WLS2可以是量子点、量子杆或磷光体。第二波长变换体WLS2可以包括与第一波长变换体WLS1中例示的材料相同的材料。第二波长变换体WLS2可以由量子点、量子杆或磷光体制成，使得第二波长变换体WLS2的波长转换范围不同于第一波长变换体WLS1的波长转换范围。
光透射部分LTU可以在第一封盖层CAP1上位于第三发光部分EMA3中。光透射部分LTU可以由第一光阻挡构件BK1围绕。光透射部分LTU可以在保持入射光的峰值波长的同时透射从其穿过的入射光。光透射部分LTU可以包括第三基础树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括具有相对高透光率的材料。第三基础树脂BS3可以由透明有机材料制成。例如，第三基础树脂BS3可以由与第一基础树脂BS1或第二基础树脂BS2相同的材料制成，或者可以由第一基础树脂BS1或第二基础树脂BS2中例示的材料制成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括用于散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以由与第一散射体SCT1或第二散射体SCT2相同的材料制成，或者可以由第一散射体SCT1或第二散射体SCT2中例示的材料制成。不管入射光的入射方向如何，第三散射体SCT3可以在随机方向上散射光，而基本上不转换入射光的峰值波长。
因为第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU位于发光元件层EML上(例如，在第一平坦化层OC1和第一封盖层CAP1上方)，所以显示设备10可以不需要用于第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU的单独衬底。因此，第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU可以分别在第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3中适当地对准，并且显示设备10的厚度可以相对减小。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2、光透射部分LTU以及第一光阻挡构件BK1。例如，第二封盖层CAP2可以密封第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU，以减小或防止第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU的损坏或污染的可能性。第二封盖层CAP2可以由与第一封盖层CAP1相同的材料制成，或者可以由第一封盖层CAP1中例示的材料制成。
第二平坦化层OC2可以位于第二封盖层CAP2上，以使第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU的上端平坦化。第二平坦化层OC2可以包括有机材料。例如，第二平坦化层OC2可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
第二光阻挡构件BK2可以在第二平坦化层OC2上位于光阻挡部分BA中。第二光阻挡构件BK2可以在厚度方向上与第一光阻挡构件BK1或堤层BNL重叠。第二光阻挡构件BK2可以阻挡光的透射。第二光阻挡构件BK2可以减少或防止由于光在第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3之间的渗透而引起的颜色彼此混合来改善颜色再现率。在平面图中，第二光阻挡构件BK2可以设置成围绕第一发光部分EMA1、第二发光部分EMA2和第三发光部分EMA3的网格形状。
第一滤色器CF1可以在第二平坦化层OC2上位于第一发光部分EMA1中。第一滤色器CF1可以由第二光阻挡构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部分WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡或者可以吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂。红色着色剂可以由红色染料或红色颜料制成。
第二滤色器CF2可以在第二平坦化层OC2上位于第二发光部分EMA2中。第二滤色器CF2可以由第二光阻挡构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部分WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡或者可以吸收第一颜色的光(例如，红光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂。绿色着色剂可以由绿色染料或绿色颜料制成。
第三滤色器CF3可以在第二平坦化层OC2上位于第三发光部分EMA3中。第三滤色器CF3可以由第二光阻挡构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与光透射部分LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或者可以吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色着色剂。蓝色着色剂可以由蓝色染料或蓝色颜料制成。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示设备10的外部引入的光的一部分，以减少由于外部光而引起的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以减少或防止由于外部光反射而引起的颜色失真。
因为第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3通过第二平坦化层OC2分别位于第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及光透射部分LTU上，所以显示设备10可以不需要用于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的单独衬底。因此，可以相对减小显示设备10的厚度。
第四钝化层PAS4可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第四钝化层PAS4可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装层ENC可以位于第四钝化层PAS4上。例如，封装层ENC可以包括至少一个无机膜以减少或防止氧气或湿气的渗透。此外，封装层ENC可以包括至少一个有机膜，以保护显示设备10不受诸如灰尘的异物的影响。
图4是示出根据一些实施方式的显示设备的一个像素的平面图。图5是示出图4的第一子像素的视图。图6是沿着图5的线N1-N1'、线N2-N2'和线N3-N3'截取的剖视图。图7是沿着图5的线N4-N4'、线N5-N5'和线N6-N6'截取的剖视图。图6示出了跨过各个接触部分CT1和CT2连同第一子像素SPX1中的发光元件ED1和ED2的两端的截面。图7示出了跨过第一子像素SPX1中的各个接触孔CTD、CTS和CTA的截面。图13是示出根据一些实施方式的通过第一绝缘层的开口图案排气的示意图。
参考图4至图7，根据一些实施方式的显示设备10可以包括电极RME(RME1和RME2)、堤图案BP(BP1和BP2)、堤层BNL和连接电极CNE(CNE1、CNE2和CNE3)。
堤层BNL可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，以设置成完整的网格图案。由堤层BNL的在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分围绕的区域可以是每个子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA。相应地，一个像素PX的各个子像素SPXn可以具有基本上相同的结构。与图2的一些实施方式不同，子区域SA可以位于发射区域EMA的上侧上(例如，在平面图中，位于发射区域EMA的上方)，发射区域EMA的上侧是发射区域EMA的第一方向DR1上的一侧，并且不同子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA可以并排位于第二方向DR2上。
多个堤图案BP1和BP2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以小于发射区域EMA的第一方向DR1上的长度。此外，多个堤图案BP1和BP2的在第二方向DR2上测量的宽度可以彼此不同，并且堤图案BP1和BP2中的任何一个可以定位成跨过在第二方向DR2上彼此相邻的子像素SPXn。例如，堤图案BP1和BP2可以包括位于每个子像素SPXn的发射区域EMA中的第一堤图案BP1以及定位成跨过不同的相邻子像素SPXn的发射区域EMA的第二堤图案BP2。
第一堤图案BP1位于发射区域EMA的中央部分处，并且第二堤图案BP2与第一堤图案BP1间隔开，且第一堤图案BP1位于第二堤图案BP2之间。第一堤图案BP1和第二堤图案BP2可以沿着第二方向DR2交替地定位。多个发光元件ED可以位于彼此间隔开的第一堤图案BP1和第二堤图案BP2之间。
第一堤图案BP1和第二堤图案BP2可以具有第一方向DR1上的相同的长度，但是可以具有在第二方向DR2上测量的不同的宽度。堤层BNL的在第一方向DR1上延伸的部分可以在厚度方向上与第二堤图案BP2重叠。堤图案BP1和BP2可以作为岛形状的图案位于整个显示区域DPA(参见图1)中。
多个电极RME包括位于每个子像素SPXn的中央部分处的第一电极RME1以及定位成跨过不同的相邻子像素SPXn的第二电极RME2。第一电极RME1和第二电极RME2可以大致具有在第一方向DR1上延伸的形状，但是第一电极RME1和第二电极RME2的位于发射区域EMA中的部分可以具有不同的形状。
第一电极RME1可以位于子像素SPXn的中央处，并且第一电极RME1的位于发射区域EMA中的部分可以位于第一堤图案BP1上。第一电极RME1可以在第一方向DR1上从子区域SA延伸，并且可以延伸到另一子像素SPXn的子区域SA。第一电极RME1可以具有这样的形状，其中，其在第二方向DR2上测量的宽度根据沿着第一方向DR1的位置而变化，并且第一电极RME1的位于发射区域EMA中的第一堤图案BP1上的至少一部分可以具有比第一堤图案BP1的宽度大的宽度。第一电极RME1可以覆盖第一堤图案BP1的两个侧表面。
第二电极RME2可以包括在第一方向DR1上延伸的部分以及在发射区域EMA附近分支的部分。在一些实施方式中，第二电极RME2可以包括在第一方向DR1上延伸的电极杆部分RM_S以及多个电极分支部分RM_B1和RM_B2，多个电极分支部分RM_B1和RM_B2从电极杆部分RM_S分支，在第二方向DR2上(或朝向第二方向DR2)弯折并且然后再次在第一方向DR1上延伸。电极杆部分RM_S可以与堤层BNL的在第一方向DR1上延伸的部分重叠，并且可以位于子区域SA的第二方向DR2上的一侧上。电极分支部分RM_B1和RM_B2可以从位于堤层BNL的在第一方向DR1和第二方向DR2两者上延伸的部分处的电极杆部分RM_S分支，并且可以分别向与第二方向DR2对应的两侧弯折(例如，向外弯折)。电极分支部分RM_B1和RM_B2可以在第一方向DR1上跨过发射区域EMA，可以再次弯折(例如，向内弯折)，并且可以与电极杆部分RM_S一体以彼此连接。也就是说，第二电极RME2的电极分支部分RM_B1和RM_B2可以在任何一个子像素SPXn的发射区域EMA的上侧上彼此分叉，并且然后在发射区域EMA的下侧上再次彼此连接。
第二电极RME2可以包括位于第一电极RME1的左侧上的第一电极分支部分RM_B1以及位于第一电极RME1的右侧上的第二电极分支部分RM_B2。包括在一个第二电极RME2中的电极分支部分RM_B1和RM_B2可以分别位于在第二方向DR2上彼此相邻的子像素SPXn的发射区域EMA中，并且不同的第二电极RME2的电极分支部分RM_B1和RM_B2可以位于上述子像素SPXn中的一个中。一个第二电极RME2的第一电极分支部分RM_B1可以位于第一电极RME1的左侧上，并且另一第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2可以位于第一电极RME1的右侧上。
第二电极RME2的各个电极分支部分RM_B1和RM_B2可以位于第二堤图案BP2的相应侧上。一个第二电极RME2的第一电极分支部分RM_B1可以位于定位在第一堤图案BP1的左侧上的第二堤图案BP2上，并且另一第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2可以位于定位在第一堤图案BP1的右侧上的第二堤图案BP2上。第一电极RME1的两侧可以与不同的第二电极RME2的不同的电极分支部分RM_B1和RM_B2间隔开并且面对不同的第二电极RME2的不同的电极分支部分RM_B1和RM_B2，并且第一电极RME1和相邻的电极分支部分RM_B1和RM_B2之间的相应间隔可以小于堤图案BP1和BP2之间的间隔。
此外，第一电极RME1的在第二方向DR2上测量的宽度可以大于第二电极RME2的电极杆部分RM_S以及电极分支部分RM_B1和RM_B2的在第二方向DR2上测量的宽度。第一电极RME1可以覆盖第一堤图案BP1的两侧，而第二电极RME2可以形成为具有相对小的宽度，使得电极分支部分RM_B1和RM_B2可以分别仅覆盖第二堤图案BP2的一侧。
第一电极RME1可以通过第一接触孔CTD与第三导电层的第二导电图案CDP2接触，第一接触孔CTD在第一电极RME1的与堤层BNL的在第二方向DR2上延伸的部分重叠的部分处。与对应于图2的一些实施方式不同，第一接触孔CTD不位于子区域SA中，并且可以位于堤层BNL下方。第二电极RME2可以通过电极杆部分RM_S处的第二接触孔CTS与第三导电层的第二电压线VL2接触。此外，第一电极RME1可以通过第一绝缘层PAS1的第一接触部分CT1与第一连接电极CNE1接触，第一绝缘层PAS1的第一接触部分CT1位于第一绝缘层PAS1的位于子区域SA中的部分处。第二电极RME2可以包括在第二方向DR2上从电极杆部分RM_S突出并且位于子区域SA中的部分，并且第二电极RME2可以通过第一绝缘层PAS1的第二接触部分CT2(或由第一绝缘层PAS1限定的第二接触部分CT2)与第二连接电极CNE2接触，并且第一绝缘层PAS1的第二接触部分CT2位于突出部分处。
同时，一个像素PX中的子像素SPXn的第一接触孔CTD的位置可以彼此不同。例如，在第一子像素SPX1中，第一接触孔CTD可以位于发射区域EMA的上侧上，并且在第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中，第一接触孔CTD可以位于发射区域EMA的下侧上。
第一电极RME1可以定位成直至子区域SA的分离部分ROP(例如，在子区域SA的分离部分ROP处具有相应的边缘)，而第二电极RME2可以不在子区域SA中分离。一个第二电极RME2可以包括多个电极杆部分RM_S以及电极分支部分RM_B1和RM_B2，以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且一个第二电极RME2可以在每个子像素SPXn的发射区域EMA附近分支。第一电极RME1可以位于定位在各个相邻子像素SPXn的子区域SA中的分离部分ROP之间，并且可以跨过发射区域EMA。
根据一些实施方式，显示设备10可以包括位于子区域SA中并且位于不同子像素SPXn的第一电极RME1之间的虚设图案DP。虚设图案DP可以在子区域SA中，并且可以与相邻的第一电极RME1间隔开，且相应的分离部分ROP插置在虚设图案DP与第一电极RME1之间。两个分离部分ROP可以位于一个子区域SA中。虚设图案DP可以与位于一个子像素SPXn中的第一电极RME1间隔开，且下分离部分ROP插置在其之间，并且虚设图案DP可以与位于另一子像素SPXn(例如，在该一个子像素SPXn上方并且与该一个子像素SPXn相邻的另一子像素SPXn)中的第一电极RME1间隔开，且上分离部分ROP插置在其之间。
虚设图案DP可以最初形成为其通过电极连接部分CEP(例如，参见图10和图11)连接到不同的第一电极RME1的状态。因为第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2不位于分离部分ROP中，所以可以在分离部分ROP中执行去除电极连接部分CEP的工艺，并且连接到虚设图案DP的多个第一电极RME1可以彼此分离。
在一些实施方式中，虚设图案DP可以通过穿过通孔层VIA的第三接触孔CTA连接到第三导电层的第一电压线VL1。第一电极RME1可以形成为其连接到虚设图案DP的状态，并且用于布置或对准发光元件ED的电信号可以通过虚设图案DP从第一电压线VL1施加到第一电极RME1。在布置或对准发光元件ED的工艺中，信号可以施加到第一电压线VL1和第二电压线VL2，并且信号可以分别传递到第一电极RME1和第二电极RME2。
多个发光元件ED可以在不同的堤图案BP1和BP2之间位于不同的电极RME上。发光元件ED可以包括第一发光元件ED1和第二发光元件ED2，第一发光元件ED1的两端分别位于第一电极RME1和第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2上，第二发光元件ED2的两端分别位于第一电极RME1和另一第二电极RME2的第一电极分支部分RM_B1上。第一发光元件ED1可以位于相对于第一电极RME1的右侧上，并且第二发光元件ED2可以位于相对于第一电极RME1的左侧上。
多个连接电极CNE可以包括作为第一类型连接电极的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2以及作为第二类型连接电极的第三连接电极CNE3。
第一连接电极CNE1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以位于第一电极RME1上。第一连接电极CNE1的位于第一堤图案BP1上的部分可以与第一电极RME1重叠，并且第一连接电极CNE1可以在第一方向DR1上从该部分延伸以定位成越过堤层BNL直到在发射区域EMA的上侧处的子区域SA。第一连接电极CNE1可以在子区域SA中通过第一接触部分CT1与第一电极RME1接触。
第二连接电极CNE2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以位于第二电极RME2上。第二连接电极CNE2的位于第二堤图案BP2上的部分可以与第二电极RME2重叠，并且第二连接电极CNE2可以在第一方向DR1上从该部分延伸以定位成越过堤层BNL直到在发射区域EMA的上侧处的子区域SA。第二连接电极CNE2可以在子区域SA中通过第二接触部分CT2与第二电极RME2接触。
第三连接电极CNE3可以包括在第一方向DR1上延伸的延伸部分CN_E1和CN_E2以及将延伸部分CN_E1和CN_E2彼此连接的第一连接部分CN_B1。第一延伸部分CN_E1在发射区域EMA中面对第一连接电极CNE1并位于第二电极RME2的第二电极分支部分RM_B2上，并且第二延伸部分CN_E2在发射区域EMA中面对第二连接电极CNE2并位于第一电极RME1上。第一连接部分CN_B1可以在位于发射区域EMA的下侧上的堤层BNL上在第二方向DR2上延伸，以将第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2彼此连接。第三连接电极CNE3可以位于发射区域EMA中并位于堤层BNL上，并且可以不直接连接到电极RME。位于第一延伸部分CN_E1下方的第二电极分支部分RM_B2可以电连接到第二电压线VL2，但是施加到第二电极分支部分RM_B2的第二电源电压可不传送到第三连接电极CNE3。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以是直接连接到电极RME的第一类型连接电极，并且第三连接电极CNE3可以是未连接到电极RME的第二类型连接电极。
同时，与上述实施方式中的一些类似，在执行分离电极RME的工艺之后存在的分离部分ROP位于子区域SA中，并且第三接触孔CTA作为穿过通孔层VIA的接触孔位于子区域SA中。第一绝缘层PAS1可以不位于分离部分ROP中，并且可以包括与第三接触孔CTA重叠的开口孔OP，并且第二绝缘层PAS2可以不位于分离部分ROP中，但是可以覆盖开口孔OP。
同时，根据一些实施方式的显示设备的第一绝缘层PAS1可以包括至少一个开口图案OP_PA。至少一个开口图案OP_PA可以与堤层BNL重叠。开口图案OP_PA的数量可以是多个。如图5中所示，多个开口图案OP_PA可以沿着第一方向DR1布置。沿着第一方向DR1布置的多个开口图案OP_PA可以与沿着第一方向DR1延伸的堤层BNL重叠。
开口图案OP_PA在平面图中可以具有四边形形状。例如，开口图案OP_PA在平面图中可以具有正方形形状或矩形形状。
如图5中所示，在平面图中，开口图案OP_PA中的一些可以位于多个电极分支部分RM_B1和RM_B2中的各个电极分支部分RM_B1和RM_B2之间。例如，在平面图中，开口图案OP_PA中的一些可以位于第一电极分支部分RM_B1和第二电极分支部分RM_B2之间。位于第一电极分支部分RM_B1和第二电极分支部分RM_B2之间的开口图案OP_PA可以与和其相邻的第一电极分支部分RM_B1和第二电极分支部分RM_B2中的每一个间隔开。
在第一绝缘层PAS1的开口图案OP_PA中，堤层BNL可以与堤图案BP直接接触。例如，在第一绝缘层PAS1的开口图案OP_PA中，堤层BNL可以在厚度方向上与和堤层BNL重叠的第二堤图案BP2的上表面直接接触。换句话说，如图13中所示，在第一绝缘层PAS1的开口图案OP_PA处，捕获在第二堤图案BP2中的气体GAS可以通过堤层BNL向上排出(例如，参见图13)。
图8是图5的部分B的放大视图。图9是沿着图8的线N7-N7'截取的剖视图。图8示出了其中虚设图案DP和分离部分ROP位于一个子像素SPXn的子区域SA中的部分，并且图9示出了跨过多个分离部分ROP和开口孔OP的截面。
结合图5参考图8和图9，与第一电极RME1间隔开的虚设图案DP可以位于子区域SA中，并且多个绝缘层PAS1、PAS2和PAS3可以位于虚设图案DP上方的各个层上(或各个层处)。在显示设备10的子区域SA中，可以形成多个分离部分ROP，且虚设图案DP插置在它们之间，并且不同子像素SPXn的第一电极RME1可以分别与不同的分离部分ROP接触。一个子像素SPXn的第一电极RME1可以与虚设图案DP的(例如，平面图中的)下侧上的分离部分ROP接触，并且在第一方向DR1上与一个子像素SPXn相邻的另一子像素SPXn的第一电极RME1可以与虚设图案DP的(例如，平面图中的)上侧上的分离部分ROP接触。在一些实施方式中，第二电极RME2可以定位成使得电极杆部分RM_S与堤层BNL重叠，并且与子区域SA的分离部分ROP和虚设图案DP间隔开。
显示设备10可以最初形成为其中第一电极RME1和虚设图案DP在子区域SA的分离部分ROP中彼此连接的状态。此后，执行将第一电极RME1和虚设图案DP彼此分离的工艺。可以执行去除将虚设图案DP和第一电极RME1彼此连接的电极连接部分CEP(参见图10和图11)的工艺。第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2可以不位于子区域SA的分离部分ROP中，并且第三绝缘层PAS3可以覆盖分离部分ROP。第三绝缘层PAS3可以在分离部分ROP中与通孔层VIA的上表面直接接触，并且可以与在分离部分ROP中彼此间隔开的第一电极RME1和虚设图案DP部分直接接触。
第一绝缘层PAS1可以不位于子区域SA中的分离部分ROP上，并且可以包括或限定暴露虚设图案DP的一部分的开口孔OP。开口孔OP可以与第三接触孔CTA重叠，并且可以具有比第三接触孔CTA的直径大的直径。在一些实施方式中，作为第一绝缘层PAS1不位于其中的部分的分离部分ROP的面积可以大于开口孔OP的面积。
在一些实施方式中，第二绝缘层PAS2可以覆盖除分离部分ROP之外的整个子区域SA。第二绝缘层PAS2可以与虚设图案DP直接接触，同时覆盖开口孔OP。可以在第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2不位于分离部分ROP中并且除分离部分ROP之外的区域可以由第二绝缘层PAS2保护的状态下执行去除子区域SA中的电极连接部分CEP的工艺。
图10和图11是示出制造显示设备的工艺中的子区域中的电极的形状的视图。图10是示出其中虚设图案DP和第一电极RME1通过子区域SA中的电极连接部分CEP彼此连接的状态的平面图，并且图11是沿着图10的线N8-N8'截取的剖视图，并且示出了跨过分离部分ROP和开口孔OP的截面。
参考图10和图11，显示设备10可以形成为这样的状态，其中位于每个子像素SPXn中的第一电极RME1和虚设图案DP通过电极连接部分CEP彼此连接。虚设图案DP可以分别通过电极连接部分CEP连接到位于虚设图案DP的(例如，平面图中的)上侧和下侧上的第一电极RME1。因为电极连接部分CEP在随后的工艺中被去除，所以子区域SA的分离部分ROP可以设置为电极连接部分CEP所处的区域。
第一绝缘层PAS1可以覆盖电极RME，但是还可以暴露电极连接部分CEP和虚设图案DP的一部分。电极连接部分CEP的分别将虚设图案DP和第一电极RME1彼此连接的部分的位置成为分离部分ROP，并且第一绝缘层PAS1不位于分离部分ROP中。此外，第一绝缘层PAS1可以包括或限定开口孔OP，开口孔OP暴露虚设图案DP的与第三接触孔CTA重叠的部分。
在其中形成第一绝缘层PAS1的状态下，通过向电极RME施加电信号，发光元件ED布置在发射区域EMA中。电信号可以施加到第一电压线VL1和第二电压线VL2，并且施加到第一电压线VL1的电信号可以传送到通过第三接触孔CTA连接到第一电压线VL1的虚设图案DP。因为虚设图案DP通过电极连接部分CEP连接到第一电极RME1，所以电信号可以传送到第一电极RME1。
在发光元件ED定位之后，第二绝缘层PAS2可以覆盖发光元件ED。第二绝缘层PAS2可以覆盖发射区域EMA和子区域SA，但是可以不位于分离部分ROP中。因为在分离部分ROP处执行去除电极连接部分CEP的工艺，所以第二绝缘层PAS2可以暴露电极连接部分CEP。另一方面，第二绝缘层PAS2在子区域SA中覆盖第一绝缘层PAS1的开口孔OP，并且因此，虚设图案DP可不完全暴露(例如，可被部分覆盖)。
此后，在去除电极连接部分CEP的工艺中，子区域SA的除分离部分ROP之外的区域被第二绝缘层PAS2覆盖，并且因此，可以减少或防止由于在图案化工艺中产生的残留物而对其他电极RME造成损坏。例如，第二绝缘层PAS2覆盖开口孔OP，从而可以保护与第三接触孔CTA重叠的虚设图案DP。
图12是示出根据一些实施方式的发光元件的视图。
参考图12，发光元件ED可以是发光二极管。例如，发光元件ED可以具有微米级或纳米级的尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。根据在两个电极之间在相应方向上形成的电场，无机发光二极管可以在彼此面对的两个电极之间对准。
发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有诸如杆形状、线形状或管形状的形状。作为示例，发光元件ED可以具有圆柱形形状或杆形状。作为另一示例，发光元件ED可以具有各种形状，例如多边形棱柱形状(诸如立方体形状、矩形平行六面体形状或六边形棱柱形状)或在一个方向上延伸并部分倾斜的形状。发光元件ED的多个半导体层可以具有其中它们沿着一个方向顺序地定位或堆叠的结构。
发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、有源层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。例如，当发光元件ED发射蓝光时，第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。第一半导体层31可以包括掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料。第一半导体层31可以掺杂有诸如Si、Ge、Se或Sn的n型掺杂剂。第一半导体层31可以由掺杂有n型Si的n-GaN制成。第一半导体层31的长度可以在约1.5μm至约5μm的范围内，但不限于此。
第二半导体层32可以位于有源层36上。例如，当发光元件ED发射蓝光或绿光时，第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层32可以包括掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料。第二半导体层32可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca或Ba的p型掺杂剂。第二半导体层32可以由掺杂有p型Mg的p-GaN制成。第二半导体层32的长度可以在约0.05μm至约0.10μm的范围内，但不限于此。
第一半导体层31和第二半导体层32中的每一个可以形成为一个层，但不限于此。例如，第一半导体层31和第二半导体层32中的每一个可以通过进一步包括包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层而具有多个层。
有源层36可以位于第一半导体层31和第二半导体层32之间。有源层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当有源层36包括具有多量子阱结构的材料时，有源层36可以包括交替堆叠的多个量子层和阱层。根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号，有源层36可以通过电子-空穴对的复合发光。例如，当有源层36发射蓝光时，有源层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。当有源层36具有多量子阱结构(即，其中量子层和阱层交替堆叠的结构)时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。有源层36可以通过包括AlGaInN作为量子层的材料和AlInN作为阱层的材料来发射蓝光。
作为另一示例，有源层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替堆叠的结构，并且根据发射光的波长带，有源层36可以包括III族至V族半导体材料。由有源层36发射的光不限于蓝光，并且在一些情况下，有源层36可以发射红光或绿光。有源层36的长度可以在约0.05μm至约0.10μm的范围内，但不限于此。
从有源层36发射的光不仅可以在发光元件ED的长度方向上发射，而且可以发射到发光元件ED的两侧。从有源层36发射的光的方向不受特别限制。
电极层37可以是欧姆接触电极。作为另一示例，电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。当发光元件ED电连接到电极或连接电极时，电极层37可以减小发光元件ED与电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。电极层37还可以包括n型掺杂或p型掺杂的半导体材料。
绝缘膜38可以围绕多个半导体层和电极层的外表面。绝缘膜38可以围绕有源层36的外表面，并且可以在发光元件ED延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护发光元件ED。例如，绝缘膜38可以围绕发光元件ED的侧表面，并且可以暴露发光元件ED的长度方向上的两端。
绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)和氧化铝(Al2O3)。因此，绝缘膜38可以减小或防止当有源层36与电极(电信号通过其传递到发光元件ED)直接接触时可能发生的电短路的可能性。此外，绝缘膜38保护包括有源层36的发光元件ED的外表面，并且因此可以降低或防止发光效率的降低。
绝缘膜38的外表面可以被表面处理。当制造显示设备10时，可以在其中发光元件ED分散在墨水中的状态下将墨水(例如，预定墨水)喷射到电极上，使得可以对准发光元件ED。这里，在绝缘膜38的表面上执行疏水处理或亲水处理，使得发光元件ED可以保持在其中发光元件ED在墨水中分散而不与其他相邻的发光元件ED聚集的状态下。
图14是示出根据其他实施方式的显示设备的第一子像素的平面图。图15是示出根据又一其他实施方式的显示设备的第一子像素的平面图。
参考图14和图15，根据本实施方式的显示设备与根据对应于图5的实施方式的显示设备的不同之处在于，在平面图中，开口图案OP_PA_1和OP_PA_2的形状与开口图案OP_PA的形状不同。
例如，如图14中所示，开口图案OP_PA_1在平面图中的形状可以是圆形。此外，如图15中所示，开口图案OP_PA_2在平面图中的形状可以是椭圆形。
然而，本公开不限于此，并且开口图案OP_PA_1和OP_PA_2在平面图中的形状可以被修改。例如，开口图案OP_PA_1和OP_PA_2在平面图中的形状也可以是三角形、五边形或六边形。
在上文中已经参考附图描述了本公开的实施方式，但是本公开所属领域的普通技术人员将理解，在不脱离本公开的技术精神或基本特征的情况下，可以进行各种修改和改变。因此，应当理解，上述实施方式是说明性的，而不是在所有方面是限制性的。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
子像素，包括发光部分以及在所述发光部分的第一方向上的相应侧上的子区域；
第一电极和第二电极，所述第一电极在所述发光部分中并且在所述第一方向上延伸，所述第二电极在所述第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一电极间隔开；
第一绝缘层，在所述第一电极和所述第二电极上；以及
发光元件，在所述发光部分中在所述第一电极和所述第二电极上，
其中，所述第二电极包括在所述第一方向上延伸的电极杆部分和从所述电极杆部分分支的电极分支部分。
2.根据权利要求1所述的显示设备，还包括堤层，所述堤层分离所述子像素中的相邻子像素，
其中，所述子像素沿着所述第一方向和所述第二方向布置。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述堤层沿着所述第一方向和所述第二方向呈网格形状。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述发光部分和所述子区域由所述堤层的在所述第一方向和所述第二方向上延伸的部分围绕。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一电极延伸至所述子区域，并且所述第一绝缘层在所述子区域中限定开口孔。
6.根据权利要求5所述的显示设备，还包括：
第二绝缘层，在所述第一绝缘层上；以及
分离部分，分别在所述子区域中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层不在所述分离部分中，
其中，所述第一电极接触所述子区域中的一个子区域的所述分离部分和所述子区域中的另一子区域的所述分离部分。
7.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：
第一连接电极，在所述发光部分中在所述第一电极上并且与所述发光元件接触；以及
第二连接电极，在所述发光部分中在所述第二电极上并且与所述发光元件接触，
其中，所述第一绝缘层还包括与所述第一电极的在所述子区域中的部分重叠的第一接触部分和与所述第二电极的在所述子区域中的部分重叠的第二接触部分，
其中，所述第一连接电极通过所述第一接触部分与所述第一电极接触，以及
其中，所述第二连接电极通过所述第二接触部分与所述第二电极接触。
8.根据权利要求6所述的显示设备，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层在所述第二绝缘层上并且在所述子区域中覆盖所述分离部分。
9.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述电极杆部分与所述堤层的在所述第一方向上延伸的部分重叠，并且在所述子区域的所述第二方向上的一侧上。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述电极分支部分在所述堤层的在所述第一方向和所述第二方向两者上延伸的部分处从所述电极杆部分的第一部分分支，并且向所述第二方向上的相应侧弯折。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述电极分支部分在所述第一方向上跨过所述发光部分，再次弯折，并且与所述电极杆部分的第二部分一体以彼此连接。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第二电极的所述电极分支部分包括在所述第一电极的左侧上的第一电极分支部分和在所述第一电极的右侧上的第二电极分支部分。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第二电极中的一个第二电极的所述电极分支部分分别在所述子像素中的在所述第二方向上相邻的相邻子像素的所述发光部分中，以及
其中，所述第二电极中的不同的第二电极的所述电极分支部分在所述子像素中的一个子像素中。
14.根据权利要求1所述的显示设备，还包括第一堤图案和第二堤图案，所述第一堤图案在所述发光部分的中央部分处，所述第二堤图案与所述第一堤图案间隔开，且所述第一堤图案插置在所述第二堤图案之间，
其中，所述第一堤图案和所述第二堤图案沿着所述第二方向交替布置，以及
其中，所述发光元件在所述第一堤图案和所述第二堤图案中的一个第二堤图案之间。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一电极在所述子像素的中央处，
其中，所述第一电极的在所述发光部分中的部分在所述第一堤图案上，以及
其中，所述第一电极在所述第一方向上从所述子区域延伸到所述子像素中的相邻子像素的所述子区域。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一电极在所述第二方向上的宽度根据所述第一电极在所述第一方向上的位置而不同，以及
其中，所述第一堤图案上的所述第一电极的在所述发光部分中的所述部分的宽度大于所述第一堤图案的宽度。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第一电极覆盖所述第一堤图案的两个侧表面。
18.显示设备，包括：
子像素，包括发光部分以及在所述发光部分的第一方向上的相应侧上的子区域；
第一电极和第二电极，所述第一电极在所述发光部分中并且在所述第一方向上延伸，所述第二电极在所述第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一电极间隔开；
第一绝缘层，在所述第一电极和所述第二电极上；
发光元件，在所述发光部分中在所述第一电极和所述第二电极上；
第一堤图案，在所述第一电极下方在所述发光部分的中央部分处；
第二堤图案，与所述第一堤图案间隔开，且所述第一堤图案插置在所述第二堤图案之间；以及
堤层，在所述第一绝缘层上，并且分离所述子像素中的相邻子像素，
其中，所述发光元件在所述第一堤图案和所述第二堤图案中的一个第二堤图案之间，以及
其中，所述第一绝缘层限定与所述堤层重叠的开口图案。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述子像素沿着所述第一方向和所述第二方向布置，
其中，所述堤层沿着所述第一方向和所述第二方向呈网格形状，以及
其中，所述开口图案沿着所述堤层布置，并且在平面图中在所述第一方向上延伸。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述第二电极包括在所述第一方向上延伸的电极杆部分和从所述电极杆部分分支的电极分支部分，以及
其中，所述开口图案在平面图中在所述电极分支部分之间。
CN202210879201.8A 2021-08-02 2022-07-25 显示设备 Pending CN115701763A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210101304A KR20230020043A (ko) 2021-08-02 2021-08-02 표시 장치
KR10-2021-0101304 2021-08-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115701763A true CN115701763A (zh) 2023-02-10

Family

ID=82786863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210879201.8A Pending CN115701763A (zh) 2021-08-02 2022-07-25 显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230029779A1 (zh)
EP (1) EP4131376A1 (zh)
KR (1) KR20230020043A (zh)
CN (1) CN115701763A (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102652769B1 (ko) * 2018-10-01 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210053391A (ko) * 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210095774A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230020043A (ko) 2023-02-10
EP4131376A1 (en) 2023-02-08
US20230029779A1 (en) 2023-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11621305B2 (en) Display device
US11900838B2 (en) Tiled display device
CN113261128A (zh) 显示装置
US20210408109A1 (en) Display device and tiled display including the same
KR20210057273A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US20210327862A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
EP3955292B1 (en) Display device and tiled display device including the same
US20240015995A1 (en) Display apparatus
EP4084081B1 (en) Display device and method for providing the same
US20230238402A1 (en) Display device
US20230029779A1 (en) Display device
US20220352242A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN220402273U (zh) 显示设备
CN219305335U (zh) 显示设备
US20220367424A1 (en) Display device
CN219698377U (zh) 显示装置
CN220422357U (zh) 显示装置
US20220005874A1 (en) Display panel and display device
US20240185745A1 (en) Tiled display device
US20230284501A1 (en) Color converting substrate and display device comprising same
KR20240065606A (ko) 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication