CN115691643A - 一种nand闪存筛块方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种NAND闪存筛块方法、装置、设备及存储介质，涉及盘片测试技术领域。该方法包括：通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。可见，基于区块被执行擦写读操作后反馈的操作反馈参数，利用区块筛选条件从擦写读操作成功的区块中再筛选出高性能的目标区块，即以擦写读操作成功的区块为基础，从中再筛选出高性能的区块，将高性能的目标区块提供给用户使用，能够在保障盘片可靠性的前提下，满足用户对于盘片高性能和高可靠性的要求。

Description

一种NAND闪存筛块方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本发明涉及盘片测试技术领域，特别涉及一种NAND闪存筛块方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

目前，市场上的SSD(Solid State Disk或Solid State Drive，固态硬盘)盘片在出厂前，一般都会进行可靠性验证测试(Reliability Demonstration Testing，RDT)，主要测试盘片是否能正常工作，硬件是否存在虚焊，DRAM(动态随机存取内存)是否异常，筛选出NAND闪存(NAND FLASH)中的坏块等操作；即RDT主要目的是筛选不合格的盘片，其中包括了焊接问题、颗粒问题、DRAM以及主控问题，通过RDT测试，能保证盘片在使用过程中稳定可靠。

传统RDT测试流程包含DDR测试、NAND FLASH测试、TSB测试，只要其中有一项测试失败，整个RDT就失败；其中，筛块则是在NAND FLASH测试过程中，对NAND颗粒内每个区块(Block，由多个页组成，是擦除操作的最小可寻址单元)进行EPR(Erase-Program-Read，擦写读)，颗粒会返回该操作的测试结果，如有EPR失败，则将该区块加入到坏块表中，将坏块筛出，可以保证盘片在使用过程中的可靠性。即RDT筛块策略是筛出在测试过程中返回读写擦失败的块，可以保证盘片在用户使用过程中的稳定可靠，但是对于某些用户对于盘片性能的高要求，该方案便不能满足。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种NAND闪存筛块方法、装置、设备及介质，能够在保障盘片可靠性的前提下，满足用户对于盘片高性能和高可靠性的要求。其具体方案如下：

第一方面，本申请公开了一种NAND闪存筛块方法，包括：

通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；

获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；

根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

可选的，所述获取包含区块筛选指标的区块筛选条件，包括：

获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型；

确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值；

基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。

可选的，所述获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型，包括：

若所述区块筛选指标为延时时长，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标延时差值；所述目标延时差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大延时时长与平均延时时长之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；

将数值最大的所述目标延时差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

可选的，所述确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值，包括：

若所述目标操作类型为写操作，则根据所述操作反馈参数确定每个所述区块对应的写操作时长，并计算得到写操作平均时长；

基于所述写操作平均时长和预设系数计算得到写操作时长阈值，作为所述筛选阈值；

相应的，所述根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块，包括：

根据所述操作反馈参数，筛选出写操作时长大于所述写操作时长阈值的区块作为目标区块。

可选的，所述获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型，包括：

若所述区块筛选指标为电流值，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标电流差值；所述目标电流差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大电流值与平均电流值之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；

将数值最大的所述目标电流差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

可选的，所述确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值，包括：

根据所述目标操作类型和所述操作反馈参数，确定每个所述区块在所述目标操作类型下的电流值，以确定所述目标操作类型下的平均电流值；

基于所述平均电流值和预设系数计算得到电流阈值，作为所述筛选阈值。

可选的，所述对NAND闪存进行RDT测试，包括：

在高温下对所述NAND闪存进行RDT测试。

第二方面，本申请公开了一种NAND闪存筛块装置，包括：

参数获取模块，用于通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；

筛选条件获取模块，用于获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；

筛选模块，用于根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

第三方面，本申请公开了一种电子设备，包括：

存储器，用于保存计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序，以实现前述的NAND闪存筛块方法。

第四方面，本申请公开了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序；其中计算机程序被处理器执行时实现前述的NAND闪存筛块方法。

本申请中，通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。可见，基于区块被执行擦写读操作后反馈的操作反馈参数，利用区块筛选条件从擦写读操作成功的区块中再筛选出高性能的目标区块，即以擦写读操作成功的区块为基础，从中再筛选出高性能的区块，将高性能的目标区块提供给用户使用，能够在保障盘片可靠性的前提下，满足用户对于盘片高性能和高可靠性的要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的一种NAND闪存筛块方法流程图；

图2为本申请提供的一种具体的高温环境下UNC错误概率图；

图3为本申请提供的一种具体的RDT测试流程图；

图4为本申请提供的一种具体的NAND闪存筛块方法流程图；

图5为本申请提供的另一种具体的NAND闪存筛块方法流程图；

图6为本申请提供的一种NAND闪存筛块装置结构示意图；

图7为本申请提供的一种电子设备结构图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

现有技术中，在NAND FLASH测试过程中，对NAND颗粒内每个区块进行EPR，颗粒会返回该操作的测试结果，如有EPR失败，则将该区块加入到坏块表中，将坏块筛出，可以保证盘片在使用过程中的可靠性。即RDT筛块策略是筛出在测试过程中返回读写擦失败的块，可以保证盘片在用户使用过程中的稳定可靠，但是对于某些用户对于盘片性能的高要求，该方案便不能满足。为克服上述技术问题，本申请提出了一种NAND闪存筛块方法，能够在保障盘片可靠性的前提下，满足用户对于盘片高性能和高可靠性的要求。

本申请实施例公开了一种NAND闪存筛块方法，参见图1所示，该方法可以包括以下步骤：

步骤S11：通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数。

本实施例中，通过对NAND闪存进行RDT测试，即可靠性验证测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数，即通过可靠性验证测试能够确定NAND闪存内擦写读操作成功的区块，以及擦写读操作失败的区块，本实施例中为了从擦写读操作成功的区块中剔除较弱(weak)的区块，保留性能较高的区块，此时需要获取擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数。

本实施例中，所述对NAND闪存进行RDT测试，可以包括：在高温下对所述NAND闪存进行RDT测试。可以理解的是，大多数颗粒在高温下，会更加暴露出平时不容易发现的问题，在常温下，块与块之前的EPR时间或许没有什么差异，但随着温度升高，一些质量没那么好的块便会表现出较其它好块更长的EPR时间，对于对盘片性能有着高要求的用户来说，这些EPR时间较长的块，便是不想要的块，通过筛掉这些块，可以明显提高盘片的性能，以达到这些用户的需求。在对盘片进行测试的过程中发现高温下对盘片进行EPR时，某些Die(能够独立执行命令和报告状态的最小单位)上会出现UNC(校验错误)的现象，而在常温下不容易出现；且在高温下对盘片进行EPR，发现出UNC的Die的编程时间差异比较明显，编程时长即为写操作时长。例如图2所示，编程时间较长的区块在高温下更容易出UNC，因此这部分区块是较区块的区块。上述高温可以为预设较高温度值范围内的一个温度，如70℃中进行RDT测试，目的是更容易发现不同区块之间的差异从而暴露出问题，提高RDT测试效率。

本实施例中，上述RDT测试中的筛块过程，即根据EPR筛选出擦写读操作成功的区块的过程，例如图3所示，可以包括如下步骤：

步骤S111：启动擦写读操作。如果当前操作的section是首次操作，则重新刷新一下所有需要跳过测试的VRBLK；如果当前是首次操作这个VRBLK，并且对于写的数据模式是块内所有的数据都一样，则通过模板产生需要写的数据。其中，Section：将一个Die内的所有block，划分成一段一段的范围；例如section 0就是指blk 0～blk 127，blk即block。VRBLK：一块盘上，所有Die的相同位置的blk，组成一个VRBLK；例如所有Die的Blk 0(假设所有Die的BLK 0都不是原始坏块)组成一个VR BLK 0。

步骤S112：若当前擦写读操作为读操作，根据读操作规则进行数据读取。如果当前块的操作模式是读模式，如果是多Plane多die，先读die0上的plane0的page0，再读die1上的plane0上的page0，当所有die都读完毕在重新开始读die0上的plane1上的page1，然后在继续读die1上的plane1的page1，直到所有的page都读完，每次读只读一个page的大小的数据。

步骤S113：若当前擦写读操作为写操作，根据写操作规则进行数据写入。如果当前块的操作模式是写，则直接向要写的die的VRBLK的page写入NVML大小的数据；先从die0开始，直到把所有die都写完；TLC的写是每个page写三次，每次写入NVML大小的数据，直到把所有的die操作完毕。NVML：multi-Plane page，2Plane一个NVML大小是32K，4Plane一个NVML则是64K。

步骤S114：若当前擦写读操作为擦操作，根据擦操作规则进行数据擦除。如果当前块的操作模式是擦除，直接把当前需要擦除的VRBLK号和当前需要操作的die传给后端，后端就直接把对应的块给擦除了，直到把所有的die操作完毕。

步骤S115：执行完成当前区块的操作后，根据RDT操作配置判断下一步操作并执行。进入该块的下一步判断操作：获取当前块的操作模式(EPR)，根据当前块的操作获取RDT的下一步操作对该块的操作是什么。例如，RDT测试模式为写完立即读，则如果当前块的操作是写，那么它的下一步操作就是读，说明该块的操作还没有完成；再例如，如果RDT的操作模式是写完所有块后再读，那么在写完当前块后写下个块，直到写完所有块后在从第一个测试块开始读，直到读完所有的块。判断当前块的操作模式是否完毕，如果没有完毕，则进行下一次操作，并设置当前的块的下一步需要操作的EPR模式，如果当前块的操作已经完成则设置下一个块的EPR操作模式。

同时，还需要判断当前VRBLK是不是当前section的最后一个块，如果不是则测试下一个VRBLK；如果当前VRBLK是当前section的最后一个VRBLK，则设置下一个section为需要测试的section，并下刷RDT信息。

在设置下一个section为需要测试的section之前，还需要判断当前section是否是当前循环(cycle)的最后一个section，如果不是，则设置下个section为需要测试的section；如果当前section是当前cycle的最后一个section，如果当前的测试模式为写完所有块后再读，并且这次操作是写，那么设置下一次操作是读，设置下一次需要操作的VRBLK号和sectionID；如果这次操作模式是读，则设置下一次操作模式为擦。

当前cycle完成后，需要检查是不是最后一个cycle，如果不是，则设置下一次需要操作的cycle、section ID、VRBLK；返回，进行下一轮测试；如果是最后一个cycle则设置当前的SLC或者TLC测试结束；返回成功。

步骤S116：通过擦失败回调更新失败信息表。首先填充失败信息表(FailInfo)中的信息，包括Cycle、Block、Section、Die、FailReason(失败原因)等信息，然后将当前的这个坏块的详细信息(失败的地址、时间、原因等)加入坏块表中RecordInfo中，更新ResultHead中的Cycle、Block、Section、RunTime、FailCount等信息，将这个坏块添加到坏块表中；更新当前Die上的失败次数。

步骤S117：通过编程失败回调更新失败信息表。判断当前Block是都已经在坏块中，如果已经在坏块表中，则不需要其他的操作，直接返回；如果不在坏块中说明是新增坏块，首先填充FailInfo中的信息，Cycle、Block、Section、Die、FailReason等信息，然后将当前的这个坏块的详细信息(失败的地址、时间、原因等)加入坏块表中RecordInfo中，更新ResultHead中的Cycle、Block、Section、RunTime、FailCount等信息，将这个坏块添加到坏块表中；更新当前Die上的失败次数。

步骤S118：通过读失败回调更新失败信息表。填充读失败的FailInfo信息，判断这个块是否是坏块，如果是坏块则直接返回，不做任何操作。如果当前是比较严格的策略，则重新读10次，如果不是就不重读；即可以多次读取根据多个读取结果进行综合判断，以便偶然性。当前返回的结果是UNC表示纠错失败：设置当前的FailReason为UNC类型的失败；将ECC信息表中当前Block纠错失败的次数更新；然后将当前的这个坏块加入到坏块信息表RecordInfo中，更新ResultHead中的信息Cycle、Block、Section，更新ResultHead中的错误次数；将这个坏块加入到UNC的坏块表中；更新当前Die上失败的次数。即如果出现UNC错误即可直接认为是坏块。

当前返回的结果不是UNC：如果是多plane的读操作，当把没个plane都读完以后选择其中一个ECC(Error Checking and Correcting)错误次数最多的一次来进行操作；填充FailInfo中ECC错误的次数，填充FailReason为ECCFail，更新当前块内总的翻转数(Total+本次ECC的翻转数)和最大ECC翻转数；如果当前ECC的翻转数大于Page内ECC翻转的阈值，则更新ECC信息超过阈值的次数，如果当前Page内的最大翻转数超过块内翻转数的阈值则说明是坏块，直接返回；如果当前块内超过阈值的次数大于一个块内最大次数阈值则说明是坏块，直接返回；然后将坏块加入到坏块表中，并且更新当前DIE上失败的次数。即如果出现ECC错误，需要根据ECC错误的翻转数来判断是否为坏块。

步骤S12：获取包含区块筛选指标的区块筛选条件。

本实施例中，获取包含区块筛选指标的区块筛选条件，即高性能区块筛选的条件，按照什么筛选标准进行筛选。

本实施例中，所述获取包含区块筛选指标的区块筛选条件，可以包括：获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型；确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值；基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。

可以理解的是，上述区块筛选指标包括延时时长(Latency)和电流值，即可以按照区块在被执行EPR操作后反馈的延时时长来筛选目标区块，也可以按照区块在被执行EPR操作后反馈的电流值来筛选目标区块；进一步，根据区块筛选指标和操作反馈参数从擦写读操作中确定出目标操作类型，即擦操作、写操作和读操作那类操作更能表现出区块之间的差异，将那类操作作为目标操作类型，具体根据区块筛选指标和操作反馈参数确定目标操作类型，即根据所有区块在相同操作类型下对应的操作反馈参数之间的差异大小来确定。确定目标操作类型后，确定该目标操作类型下针对区块筛选指标的筛选阈值，如目标操作类型为读操作，区块筛选指标为电流值，则确定区块在读操作时对应的电流阈值，进而通过电流值与电流阈值进行比较即可筛选出目标区块。上述筛选阈值可以是预设的目标阈值，也可以是基于该指标对应的参数的平均值与预设系数的乘积，如此，通过调整乘积，即可按照实际对区块的性能需求，调整该预设系数，从而实现对区块的更精准筛选。

步骤S13：根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

本实施例中，确定出区块筛选条件后，利用区块筛选条件根据操作反馈参数中的相关参数进行筛选，从擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

由上可见，本实施例中通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。可见，基于区块被执行擦写读操作后反馈的操作反馈参数，利用区块筛选条件从擦写读操作成功的区块中再筛选出高性能的目标区块，即以擦写读操作成功的区块为基础，从中再筛选出高性能的区块，将高性能的目标区块提供给用户使用，在保障盘片可靠性的前提下，可以满足用户对于盘片高性能和高可靠性的要求。

本申请实施例公开了一种具体的NAND闪存筛块方法，参见图4所示，该方法可以包括以下步骤：

步骤S21：通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数。

步骤S22：获取区块筛选指标，若所述区块筛选指标为延时时长，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标延时差值；所述目标延时差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大延时时长与平均延时时长之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作。

步骤S23：将数值最大的所述目标延时差值对应的擦写读操作类型作为目标操作类型。

本实施例中，统计颗粒EPR时间，根据均值与其相应的Max值，来判断哪一类操作对应的操作时间的差异最为明显，然后选此类操作对应的操作时间进行下一步的筛块操作。例如，根据所有区块对应的写操作的时长，得到最大写操作时长和平均写操作时长，做差得到写操作对应的第一目标延时差值，同理得到读操作对应的第二目标延时差值，得到擦操作对应的第三目标延时差值，通过比较第一目标延时差值、第二目标延时差值和第三目标延时差值，发现第三目标延时差值的数值最大，则将擦操作作为目标操作类型。

步骤S24：根据所述目标操作类型和所述操作反馈参数，确定每个所述区块在所述目标操作类型下的操作时长，以确定所述目标操作类型下的平均操作时长；

步骤S25：基于所述平均操作时长和预设系数计算得到操作时长阈值，作为筛选阈值。

优先的，上述目标操作类型为写操作，以写操作为例，若目标操作类型为写操作，则根据操作反馈参数确定每个区块对应的写操作时长，并计算得到写操作平均时长；基于写操作平均时长和预设系数计算得到写操作时长阈值，作为筛选阈值。

步骤S26：基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。

步骤S27：根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

以写操作为例，本实施例中，所述根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块，包括：根据所述操作反馈参数，筛选出写操作时长大于所述写操作时长阈值的区块作为目标区块。具体的，对写操作时间(编程时间)求均值t，设一个预设系数ε，则写操作时长阈值为β＝t*ε，即筛掉编程时间大于阈值β的区块，根据不同厂家的颗粒表现，基于其质量与可靠性，调节筛块系数ε的大小，即可；若筛块过后剩余的区块数少于可以正常开卡的区块数，则判定为失败，即该盘片不在当前使用需求下使用。

可见，通过保留传统RDT筛块的流程，筛出EPR失败的坏块，可以保证盘片在使用过程中的安全可靠性，这个筛块流程，尽可能的留下可以用的块，保证盘片容量的最大。而对于某些客户来说，容量不是首要考虑，最先考虑的是盘片的读写性能，所以本实施例中通过筛掉一些延时较大的Block，也就是比较weak的Block，舍弃一部分容量，来提升盘片的整体读写性能。

并且，在进行测试后，发现一批在经过现有技术中RDT筛块过后，正常开卡的盘片，在BIT(Built-In Test，内建测试，是一种老化测试的方式)测试过程中失败；而通过本实施例提供的筛块方法，对这批盘片重新进行筛块过后，再开卡进行BIT测试，问题解决。

其中，关于上述步骤S26的具体过程可以参考前述实施例公开的相应内容，在此不再进行赘述。

由上可见，本实施例中，若所述区块筛选指标为延时时长，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标延时差值；所述目标延时差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大延时时长与平均延时时长之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；将数值最大的所述目标延时差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型；若所述目标操作类型为写操作，则根据所述操作反馈参数确定每个所述区块对应的写操作时长，并计算得到写操作平均时长；基于所述写操作平均时长和预设系数计算得到写操作时长阈值，作为所述筛选阈值；根据所述操作反馈参数，筛选出写操作时长大于所述写操作时长阈值的区块作为目标区块。可见，通过区块读写擦的延时时间进行筛块，提高了筛块的精确度。

本申请实施例公开了一种具体的NAND闪存筛块方法，参见图5所示，该方法可以包括以下步骤：

步骤S31：通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数。

步骤S32：获取区块筛选指标，若所述区块筛选指标为电流值，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标电流差值；所述目标电流差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大电流值与平均电流值之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作。

步骤S33：将数值最大的所述目标电流差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

本实施例中，统计颗粒EPR对应的ICC电流值，根据均值与其相应的Max值，来判断哪一类操作对应的电流值的差异最为明显，然后选此类操作对应的电流值进行下一步的筛块操作。例如，根据所有区块对应的写操作的电流值，得到最大写操作电流值和平均写操作电流值，做差得到写操作对应的第一目标电流差值，同理得到读操作对应的第二目标电流差值，得到擦操作对应的第三目标电流差值，通过比较第一目标电流差值、第二目标电流差值和第三目标电流差值，发现第二目标电流差值的数值最大，则将读操作作为目标操作类型。

步骤S34：根据所述目标操作类型和所述操作反馈参数，确定每个所述区块在所述目标操作类型下的电流值，以确定所述目标操作类型下的平均电流值。

步骤S35：基于所述平均电流值和预设系数计算得到电流阈值，作为所述筛选阈值。

本实施例中，与上述基于延时时长的实施例同理，电流阈值可以为针对每类操作预设一个对应的阈值，也可以为基于目标操作类型下平均电流值和目标操作类型对应的预设系数计算得到的。最后，根据电流阈值和区块对应的实际电流值，按照电流的筛选规则，筛选出目标区块。

步骤S36：基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。

步骤S37：根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

其中，关于上述步骤S36、S37的具体过程可以参考前述实施例公开的相应内容，在此不再进行赘述。

由上可见，本实施例中，获取区块筛选指标，若所述区块筛选指标为电流值，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标电流差值；所述目标电流差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大电流值与平均电流值之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；将数值最大的所述目标电流差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型；基于所述平均电流值和预设系数计算得到电流阈值，作为所述筛选阈值；基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。可见，通过区块读写擦的电流值进行筛块，提高了筛块的精确度。

当然，上述基于延时时长的筛选和基于电流值的筛选也可以同时进行，最后根据两个筛选结果再综合得到最后结果。同样，上述目标操作类型也可以为一个或多个，最后根据针对不同操作类型得到的不同的筛选结果进行综合后得到最终的筛选结果。

相应的，本申请实施例还公开了一种NAND闪存筛块装置，参见图6所示，该装置包括：

参数获取模块11，用于通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；

筛选条件获取模块12，用于获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；

筛选模块13，用于根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

由上可见，本实施例中通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。可见，基于区块被执行擦写读操作后反馈的操作反馈参数，利用区块筛选条件从擦写读操作成功的区块中再筛选出高性能的目标区块，即以擦写读操作成功的区块为基础，从中再筛选出高性能的区块，将高性能的目标区块提供给用户使用，在保障盘片可靠性的前提下，可以满足用户对于盘片高性能和高可靠性的要求。

在一些具体实施例中，所述筛选条件获取模块12具体可以包括：

目标操作类型确定单元，用于获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型；

筛选阈值确定单元，用于确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值；

筛选条件生成单元，用于基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。

在一些具体实施例中，所述目标操作类型确定具体可以包括：

目标延时差值确定单元，用于若所述区块筛选指标为延时时长，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标延时差值；所述目标延时差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大延时时长与平均延时时长之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；

类型确定单元，用于将数值最大的所述目标延时差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

在一些具体实施例中，所述筛选阈值确定单元具体可以包括：

写操作平均时长确定单元，用于若所述目标操作类型为写操作，则根据所述操作反馈参数确定每个所述区块对应的写操作时长，并计算得到写操作平均时长；

写操作时长阈值确定单元，用于基于所述写操作平均时长和预设系数计算得到写操作时长阈值，作为所述筛选阈值；

相应的，所述筛选模块13，包括：

目标区块筛选单元，用于根据所述操作反馈参数，筛选出写操作时长大于所述写操作时长阈值的区块作为目标区块。

在一些具体实施例中，所述目标操作类型确定单元具体可以包括：

目标电流差值确定单元，用于若所述区块筛选指标为电流值，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标电流差值；所述目标电流差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大电流值与平均电流值之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；

类型确定单元，用于将数值最大的所述目标电流差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

在一些具体实施例中，所述筛选阈值确定单元具体可以包括：

平均电流值确定单元，用于根据所述目标操作类型和所述操作反馈参数，确定每个所述区块在所述目标操作类型下的电流值，以确定所述目标操作类型下的平均电流值；

电流阈值确定单元，用于基于所述平均电流值和预设系数计算得到电流阈值，作为所述筛选阈值。

在一些具体实施例中，所述参数获取模块11具体可以包括：

高温测试单元，用于在高温下对所述NAND闪存进行RDT测试。

进一步的，本申请实施例还公开了一种电子设备，参见图7所示，图中的内容不能被认为是对本申请的使用范围的任何限制。

图7为本申请实施例提供的一种电子设备20的结构示意图。该电子设备20，具体可以包括：至少一个处理器21、至少一个存储器22、电源23、通信接口24、输入输出接口25和通信总线26。其中，所述存储器22用于存储计算机程序，所述计算机程序由所述处理器21加载并执行，以实现前述任一实施例公开的NAND闪存筛块方法中的相关步骤。

本实施例中，电源23用于为电子设备20上的各硬件设备提供工作电压；通信接口24能够为电子设备20创建与外界设备之间的数据传输通道，其所遵循的通信协议是能够适用于本申请技术方案的任意通信协议，在此不对其进行具体限定；输入输出接口25，用于获取外界输入数据或向外界输出数据，其具体的接口类型可以根据具体应用需要进行选取，在此不进行具体限定。

另外，存储器22作为资源存储的载体，可以是只读存储器、随机存储器、磁盘或者光盘等，其上所存储的资源包括操作系统221、计算机程序222及包括操作反馈参数在内的数据223等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。

其中，操作系统221用于管理与控制电子设备20上的各硬件设备以及计算机程序222，以实现处理器21对存储器22中海量数据223的运算与处理，其可以是Windows Server、Netware、Unix、Linux等。计算机程序222除了包括能够用于完成前述任一实施例公开的由电子设备20执行的NAND闪存筛块方法的计算机程序之外，还可以进一步包括能够用于完成其他特定工作的计算机程序。

进一步的，本申请实施例还公开了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器加载并执行时，实现前述任一实施例公开的NAND闪存筛块方法步骤。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种NAND闪存筛块方法、装置、设备及介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种NAND闪存筛块方法，其特征在于，包括：

通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；

获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；

根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存筛块方法，其特征在于，所述获取包含区块筛选指标的区块筛选条件，包括：

获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型；

确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值；

基于所述区块筛选指标、所述目标操作类型和所述筛选阈值得到所述区块筛选条件。

3.根据权利要求2所述的NAND闪存筛块方法，其特征在于，所述获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型，包括：

若所述区块筛选指标为延时时长，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标延时差值；所述目标延时差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大延时时长与平均延时时长之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；

将数值最大的所述目标延时差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

4.根据权利要求3所述的NAND闪存筛块方法，其特征在于，所述确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值，包括：

若所述目标操作类型为写操作，则根据所述操作反馈参数确定每个所述区块对应的写操作时长，并计算得到写操作平均时长；

基于所述写操作平均时长和预设系数计算得到写操作时长阈值，作为所述筛选阈值；

相应的，所述根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块，包括：

根据所述操作反馈参数，筛选出写操作时长大于所述写操作时长阈值的区块作为目标区块。

5.根据权利要求2所述的NAND闪存筛块方法，其特征在于，所述获取区块筛选指标，根据所述区块筛选指标和所述操作反馈参数从所述擦写读操作中确定出目标操作类型，包括：

若所述区块筛选指标为电流值，则根据所述操作反馈参数确定每类擦写读操作对应的目标电流差值；所述目标电流差值为同一类擦写读操作下所有所述区块对应的最大电流值与平均电流值之间的差值；所述擦写读操作包括擦操作、写操作和读操作；

将数值最大的所述目标电流差值对应的擦写读操作类型作为所述目标操作类型。

6.根据权利要求5所述的NAND闪存筛块方法，其特征在于，所述确定所述目标操作类型下针对所述区块筛选指标的筛选阈值，包括：

根据所述目标操作类型和所述操作反馈参数，确定每个所述区块在所述目标操作类型下的电流值，以确定所述目标操作类型下的平均电流值；

基于所述平均电流值和预设系数计算得到电流阈值，作为所述筛选阈值。

7.根据权利要求1至6任一项所述的NAND闪存筛块方法，其特征在于，所述对NAND闪存进行RDT测试，包括：

在高温下对所述NAND闪存进行RDT测试。

8.一种NAND闪存筛块装置，其特征在于，包括：

参数获取模块，用于通过对NAND闪存进行RDT测试，获取NAND闪存内擦写读操作成功的区块对应的操作反馈参数；

筛选条件获取模块，用于获取包含区块筛选指标的区块筛选条件；

筛选模块，用于根据所述操作反馈参数和所述区块筛选条件，从所述擦写读操作成功的区块中筛选出高性能的目标区块。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器，用于保存计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序，以实现如权利要求1至7任一项所述的NAND闪存筛块方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，用于存储计算机程序；其中计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的NAND闪存筛块方法。

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