CN115643774A - Oled显示面板及其制备方法、显示终端 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端，OLED显示面板包括阵列基板包括第一辅助电极、第二辅助电极、第三辅助电极以及层间绝缘层，层间绝缘层形成于第一辅助电极与第二辅助电极之间、第二辅助电极与第三辅助电极之间，且第二辅助电极设置于第一辅助电极上；第三辅助电极设置于第二辅助电极上；第三辅助电极同时连接至第一辅助电极和第二辅助电极；保护层，其设置于第三辅助电极上，保护层开设有一底切开口，该底切开口用于暴露部分第三辅助电极；阳极，其设置于保护层上；发光功能层，其设置于阳极上；阴极，其设置于发光功能层上，阴极延伸至底切开口且连接至第三辅助电极，以改善阴极的阻抗较大而导致显示不匀的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端。
背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点。
在现有的OLED显示面板中，为了增大顶发射的透过率，金属阴极的厚度较薄，造成方阻较大，电流压降(IR-drop)严重，导致OLED显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端，以解决厚度较薄的阴极阻抗较大而导致OLED显示面板显示效果不佳的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示面板，包括：阵列基板，其包括第一辅助电极、第二辅助电极、第三辅助电极以及层间绝缘层，所述层间绝缘层形成于所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间，且所述第二辅助电极设置于所述第一辅助电极上；所述第三辅助电极设置于所述第二辅助电极上；其中，所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极；保护层，其设置于所述第三辅助电极上，所述保护层开设有一底切开口，该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极；阳极，其设置于所述保护层上；发光功能层，其设置于所述阳极上；以及阴极，其设置于所述发光功能层上，所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。
进一步地，所述第三辅助电极通过至少一个第一导电孔连接至所述第一辅助电极；所述第三辅助电极通过至少一个第二导电孔连接至所述第二辅助电极。
进一步地，所述第三辅助电极通过两个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极，两个所述第一导电孔中的一个连接至所述第一辅助电极的一侧，另一个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极的另一侧；其中，所述第二辅助电极位于两个所述第一导电孔之间。
进一步地，所述第三辅助电极同时通过两个所述第二导电孔连接至所述第二辅助电极。
进一步地，所述阵列基板还包括：遮光层，其与所述第一辅助电极同层设置；栅极，其与所述第二辅助电极同层设置；以及源漏极，其与所述第三辅助电极同层设置。
进一步地，所述的OLED显示面板还包括：衬底层，所述遮光层及所述第一辅助电极设置于所述衬底层上；缓冲层，其设置于衬底层上，且覆盖所述遮光层及所述第一辅助电极；有源层，其设置于所述缓冲层上，且所述有源层在所述衬底层上的正投影落入所述遮光层在所述衬底层上的正投影内；第一栅极绝缘层，其对应设置于所述有源层上；第二栅极绝缘层，其对应设置于所述缓冲层上；所述栅极对应设置于所述第一栅极绝缘层上，所述第二辅助电极对应设置于所述第二栅极绝缘层上，且所述第二辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合；介电层，其覆盖所述栅极、所述第二辅助电极，且延伸至所述缓冲层上；以及所述源漏极设置于所述介电层上，且连接至所述有源层，所述第三辅助电极设置于所述介电层上，且同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极，其中，所述第三辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合；其中，所述层间绝缘层包括所述缓冲层、所述介电层以及所述保护层。
进一步地，所述保护层包括：钝化层，其设置于所述第三辅助电极上，所述钝化层开设有第一通孔；以及平坦层，其设置于所述钝化层上，所述平坦层开设有第二通孔，所述第二通孔连通至所述第一通孔，且所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影完全落入所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影内，以使所述平坦层与所述钝化层之间形成有所述底切开口。
进一步地，所述的OLED显示面板还包括：像素定义层，其设置于所述保护层上，所述像素定义层开设有第三通孔及像素开口，所述第三通孔连通至所述第二通孔，所述像素开口用以暴露所述阳极；其中，所述发光功能层设置于所述阳极及所述像素定义层上；所述阴极设置于所述发光功能层上，延伸至所述第三通孔、所述底切开口，且连接至所述第三辅助电极。
为实现上述目的，本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括如下步骤：形成一阵列基板，所述阵列基板的形成步骤包括：形成一第一金属层；对所述第一金属层图案化形成第一辅助电极；形成一第二金属层于所述第一金属层上方；对所述第二金属层图案化形成第二辅助电极；形成一第三金属层与所述第二金属层上方；以及对所述第三金属层图案化形成第三辅助阴极；其中，所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间形成有层间绝缘层，并所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极、所述第二辅助电极；形成一保护层于所述第三辅助电极上，且延伸至所述阵列基板上；对所述保护层进行挖孔处理，使得所述保护层形成有一底切开口，该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极；形成一阳极于所述保护层上；形成一发光功能层于所述阳极上；以及形成一阴极于所述发光功能层上，所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。
进一步地，所述保护层的形成步骤包括：形成一钝化层于所述第三辅助电极上；以及形成一平坦层于所述钝化层上；对所述保护层进行挖孔处理的步骤包括：对所述平坦层和所述钝化层进行挖孔处理，使得所述钝化层形成有第一通孔，所述平坦层形成有第二通孔，所述第二通孔连通至所述第一通孔；以及
采用湿法蚀刻的方式对所述钝化层进行刻蚀处理，使得所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影完全落入所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影内，所述平坦层与所述钝化层之间形成有所述底切开口。
进一步地，在所述第一辅助电极的形成步骤中，对所述第一金属层图案化形成遮光层，且所述遮光层与所述第一辅助电极同层设置；在所述第二辅助电极的形成步骤中，对所述第二金属层图案化形成栅极，所述栅极与所述第二辅助电极同层设置；以及在所述第三辅助阴极的形成步骤中，对所述第三金属层图案化形成源漏极，所述源漏极与所述第三辅助电极同层设置。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示终端，所述显示终端包括终端主体和上述任一实施方式所述的OLED显示面板，所述终端主体与所述显示面板相连接。
本发明的技术效果在于，提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端，在阵列基板上形成绝缘设置的第一辅助电极、第二辅助电极以及第三辅助电极，且第三辅助电极同时连接至第一辅助电极和第二辅助电极以形成一个阴极搭接结构，并且在保护层开设一底切开口，该底切开口用于暴露部分第三辅助电极，使得阴极与阴极搭接结构连接形成阴极搭接区，以减小阴极的阻抗，降低压降(IR Drop)，使得OLED显示面板每一区域的显示亮度一致，从而进一步地提高OLED显示面板的显示均一性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例1提供的OLED显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例1提供的发光功能层的结构示意图。
图3为本申请实施例1提供的OLED显示面板的制备方法的流程图。
图4为本申请实施例1提供的阵列基板的形成步骤的流程图。
图5为本申请实施例1提供的阵列基板的结构示意图。
图6为本申请实施例1提供的保护层形成的结构示意图。
图7为本申请实施例1提供的保护层形成的流程图。
图8为本申请实施例1提供的底切开口的结构示意图。
图9为本申请实施例1提供的底切开口的流程图。
图10为本申请实施例1提供的像素定义层形成的结构示意图。
图11为本申请实施例2提供的OLED显示面板的结构示意图。
附图部件标识如下：
1、阵列基板；2、保护层；3、阳极；4、发光功能层；5、像素定义层；6、阴极；11、衬底层；12、第一金属层；13、缓冲层；14、有源层；15、栅极绝缘层；16、第二金属层；17、介电层；18、第三金属层；121、第一辅助电极；122、遮光层；141、沟道区；142、源极接触区；143、漏极接触区；144、第一存储电容电极；151、第一栅极绝缘层；152、第二栅极绝缘层；161、栅极；162、第二辅助电极；181、源极；182、漏极；183、第三辅助电极；184、第二存储电容电极；21、钝化层；22、平坦层；41、空穴注入层；42、空穴传输层；43、发光层；44、电子传输层；45、电子注入层；71、第一导电孔；72、第二导电孔；73、第三导电孔；74、第四导电孔；91、第一通孔；92、第二通孔；93、第三通孔；94、第四通孔；95、第五通孔；96、像素开口；10、底切开口。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例1
如图1所示，本实施例提供一种OLED显示面板，其包括阵列基板1、保护层2、阳极3、像素定义层5、发光功能层4以及阴极6。
阵列基板1包括衬底层11、第一金属层12、缓冲层13、有源层14、栅极绝缘层15、第二金属层16、介电层17以及第三金属层18。
衬底层11可以为柔性基板，其所用的材质可以为聚酰亚胺(PI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)，在此不做特别的限定。
第一金属层12设置于衬底层11的上表面，第一金属层12包括图案化形成的遮光层122和第一辅助电极121，遮光层122与第一辅助电极121同层设置。
缓冲层13覆盖第一辅助电极121和遮光层122，且延伸至衬底层11的上表面。
半导体层包括有源层14以及第一存储电容电极144，有源层14和第一存储电容电极144均设置于缓冲层13的上表面，有源层14在衬底层11上的正投影落入遮光层122在衬底层11上的正投影内，其中，有源层14包括沟道区141以及设于沟道区141两侧的源极181接触区142和漏极182接触区143。有源层14与第一存储电容电极144间隔设置，遮光层122与第一存储电容电极144对应设置，并且形成第一存储电容。
本实施例中，有源层14的源极181接触区142、漏极182接触区143和第一存储电容电极144均为离子掺杂区域，具有导体特性；沟道区141为非掺杂区域，具有半导体特性。在一实施例中，有源层14的材料可以为氧化物半导体材料，例如铟锌氧化物(IZO)、镓铟氧化物(IGO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等。在另一实施例中，有源层14的材料也可以为非晶硅、单晶硅、低温多晶硅等。
栅极绝缘层15包括不同层设置的第一栅极绝缘层151和第二栅极绝缘层152，第一栅极绝缘层151对应设置于有源层14的上表面，第二栅极绝缘层152对应设置于缓冲层13的上表面。
第二金属层16设置于栅极绝缘层15的上表面，其包括图案化形成的栅极161和第二辅助电极162，栅极161与第二辅助电极162在同一工艺步骤中形成，即栅极161与第二辅助电极162同层设置。具体的，栅极161对应设置于第一栅极绝缘层151的上表面，第二辅助电极162对应设置于第二栅极绝缘层152的上表面，且第二辅助电极162在衬底层11上的正投影与第一辅助电极121在衬底上的正投影至少部分重合。
介电层17设置于第二金属层16上，介电层17覆盖栅极161、第二辅助电极162，且延伸至缓冲层13的上表面。
第三金属层18设置于介电层17的上表面，其包括图案化形成的源漏极182、第三辅助电极183以及第二存储电容电极184，源漏极182与第三辅助电极183、第二存储电容电极184同层设置。具体的，源漏极182设置于介电层17上，且连接至有源层14，第三辅助电极183设置于介电层17上，且同时连接至第一辅助电极121和第二辅助电极162，其中，第三辅助电极183在衬底层11上的正投影与第一辅助电极121在衬底上的正投影至少部分重合。本实施例中，源漏极182包括源极181和漏极182，源极181连接至有源层14的一侧，漏极182连接至有源层14的另一侧，其中，源极181通过第三导电孔73连接至有源层14。漏极182通过第三导电孔73连接至有源层14，通过第四导电孔74连接至遮光层122，可以改善TFT的电学性能，使沟道电流更加稳定。遮光层122与第一存储电容电极144对应设置，第一存储电容电极144与第二存储电容电极184对应设置以形成第二存储电容。
本实施例中，第一金属层12、第二金属层16、第三金属层18的材料可以各自独立的选自金属、合金和金属氮化物中的一种或多种，例如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)和钕(Nd)等金属、以上金属的合金或氮化物，这些材料可以单独使用或者组合使用。
保护层2设置于第三金属层18上，保护层2覆盖源漏极182和第三辅助电极183，且延伸至介电层17的上表面。具体的，保护层2包括钝化层21及平坦层22，钝化层21设置于第三辅助电极183上，钝化层21开设有第一通孔91。平坦层22设置于钝化层21上，平坦层22开设有第二通孔92，第二通孔92连通至第一通孔91，且部分平坦层22伸入至第一通孔91内，以使平坦层22与所述钝化层21之间形成有底切开口10，该底切开口10用于暴露部分第三辅助电极183。本实施例中，第二通孔92的底部孔径小于第一通孔91的顶部孔径，如此设置能够确保所述第二通孔92在所述阵列基板1上的正投影完全落入所述第一通孔91在所述阵列基板1上的正投影内，从而使得平坦层22与钝化层21之间形成有底切开口10。优选地，第二通孔92在衬底层11上的正投影孔径小于第一通孔91在衬底层11上的正投影孔径，如此设置能够进一步确保至少部分平坦层22能够伸入至第一通孔91内，从而使得平坦层22与钝化层21之间形成有底切开口10。
本实施例中，缓冲层13、栅极绝缘层15、介电层17、保护层2的材料可以选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。需要说明的是，缓冲层13、介电层17以及保护层2共同构成第一辅助电极121与第二辅助电极162之间、第二辅助电极162与第三辅助电极183之间的层间绝缘层。
阳极3设置于保护层2上，且连接至源漏极182。阳极3的材料可以为透明导电金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO，Indium tin oxide)。
像素定义层5设置于保护层2上。具体的，像素定义层5开设有第三通孔93及像素开口96，第三通孔93连通至第二通孔92，像素开口96用以暴露阳极3。
发光功能层4设置于阳极3和像素定义层5上，且在底切开口10处间断设置，即部分发光功能层4可以连接至位于底切开口10处的第三辅助电极183，其他部分的发光功能层4无法连接至位于底切开口10处的第三辅助电极183，也就是说，底切开口10可以间断位于其上方的一些的膜层。本实施例中，如图2所示，发光功能层4从下至上依次包括空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44以及电子注入层45。发光功能层4的结构可以参见现有OLED发光器件的结构，在此不一一赘述。
结合图1所示，阴极6设置于发光功能层4上，该阴极6延伸至底切开口10且连接至第三辅助电极183。其中，阴极6的图案与发光功能层4的图案相同。阴极6的材料可以为金属或合金，例如银或镁银合金。可以理解的是，阴极6具有透光性能，以使发光层43发出的光线可以透过阴极6发射出去，也即是说，本实施例提供的OLED显示面板为顶发射型OLED显示面板。示例性地，阴极6的透光率为30％以上，例如30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％等。
本实施例中，第三辅助电极183通过至少一个第一导电孔71连接至第一辅助电极121，第三辅助电极183通过至少一个第二导电孔72连接至第二辅助电极162。每一第一导电孔71从介电层17贯穿至缓冲层13，且连接至第一辅助电极121。每一第二导电孔72贯穿介电层17，且连接至第二辅助电极162。
第三辅助电极183通过一个第一导电孔71连接至第一辅助电极121，第三辅助电极183通过一个第二导电孔72连接至第二辅助电极162。如此设置，第三辅助电极183与第二辅助电极162、第一辅助电极121连接且构成一个阴极6搭接结构，可以降低阴极6的阻抗，提高OLED显示面板的显示均一性。
如图3所示，本实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括如下步骤S1)-S7)。
S1)形成一阵列基板1，所述阵列基板1的形成步骤包括：形成一第一金属层12；对所述第一金属层12图案化形成第一辅助电极121；形成一第二金属层16于所述第一金属层12上方；对所述第二金属层16图案化形成第二辅助电极162；形成一第三金属层18与所述第二金属层16上方；对所述第三金属层18图案化形成第三辅助阴极6；其中，所述第一辅助电极121与所述第二辅助电极162之间、所述第二辅助电极162与所述第三辅助电极183之间形成有层间绝缘层，并所述第三辅助电极183同时连接至所述第一辅助电极121、所述第二辅助电极162。
在所述第一辅助电极121的形成步骤中，对所述第一金属层12图案化形成遮光层122，且所述遮光层122与所述第一辅助电极121同层设置。在所述第二辅助电极162的形成步骤中，对所述第二金属层16图案化形成栅极161，所述栅极161与所述第二辅助电极162同层设置。在所述第三辅助阴极6的形成步骤中，对所述第三金属层18图案化形成源漏极182，所述源漏极182与所述第三辅助电极183同层设置。
具体的，如图4所示，阵列基板1的形成步骤具体包括S11)-S111)。
S11)形成第一金属层12设置于衬底层11的上表面，参照图5。具体的，在衬底层11的上表面沉积金属材料形成第一金属层12，该金属材料可以为铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)和钕(Nd)等金属、以上金属的合金或氮化物，这些材料可以单独使用或者组合使用。
S12)对第一金属层12进行图案化处理，形成同层设置的遮光层122和第一辅助电极121，参照图5。
S13)形成缓冲层13于第一辅助电极121和遮光层122上，且延伸至衬底层11的上表面，参照图5。具体的，在第一辅助电极121和遮光层122的上表面沉积无机材料形成缓冲层13，该缓冲层13覆盖第一辅助电极121和遮光层122，且延伸至衬底层11的上表面。无机材料可以选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。
S14)形成有源层14和第一存储电容电极144于缓冲层13上，参照图5。具体的，在缓冲层13的上表面形成同层设置的有源层14和第一存储电容电极144。有源层14在衬底层11上的正投影落入遮光层122在衬底层11上的正投影内，其中，有源层14包括沟道区141以及设于沟道区141两侧的源极接触区142和漏极接触区143。有源层14与第一存储电容电极144间隔设置，遮光层122与第一存储电容电极144对应设置，并且形成第一存储电容。
本实施例中，有源层14的源极接触区142、漏极接触区143和第一存储电容电极144均为离子掺杂区域，具有导体特性；沟道区141为非掺杂区域，具有半导体特性。在一实施例中，有源层14的材料可以为氧化物半导体材料，例如铟锌氧化物(IZO)、镓铟氧化物(IGO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等。在另一实施例中，有源层14的材料也可以为非晶硅、单晶硅、低温多晶硅等。
S15)形成栅极绝缘层15于有源层14和缓冲层13上，参照图5。具体的，在同一工艺步骤中，在有源层14的上表面形成第一栅极绝缘层151，在缓冲层13的上表面形成第二栅极绝缘层152。栅极绝缘层15的材料可以选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。
S16)形成第二金属层16于栅极绝缘层15上，参照图5。具体的，在栅极绝缘层15的上表面沉积金属材料形成第二金属层16，该金属材料可以为铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)和钕(Nd)等金属、以上金属的合金或氮化物，这些材料可以单独使用或者组合使用。
S17)对第二金属层16进行图案化处理，形成同层设置的栅极161和第二辅助电极162，参照图5。具体的，栅极161对应设置于第一栅极绝缘层151的上表面，第二辅助电极162对应设置于第二栅极绝缘层152的上表面，且第二辅助电极162在衬底层11上的正投影与第一辅助电极121在衬底上的正投影至少部分重合。
S18)形成介电层17于栅极161和第二辅助电极162上，参照图5。具体的，在同一工艺步骤中，在栅极161和第二辅助电极162的上表面形成介电层17，该介电层17覆盖栅极161、第二辅助电极162，且延伸至缓冲层13的上表面。介电层17的材料可以选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。
S19)对介电层17进行两次挖孔处理，形成第一导电孔71、第二导电孔72、第三导电孔73以及第四导电孔74，参照图5。具体的，在第一次挖孔处理的过程中，形成第一导电孔71和第四导电孔74，第一导电孔71贯穿介电层17、缓冲层13，且暴露部分第一辅助电极121的表面，第四导电孔74贯穿介电层17、缓冲层13，且暴露部分遮光层122的表面。在第二次挖孔处理的过程中，形成第二导电孔72和第三导电孔73，第二导电孔72贯穿介电层17，且暴露部分第二辅助电极162的表面，第三导电孔73贯穿介电层17，且暴露部分有源层14的表面。也就是说在对介电层17进行两次挖孔处理时，先形成深孔，即第一导电孔71和第四导电孔74，然后在形成浅孔，即第二导电孔72和第三导电孔73。
S110)形成第三金属层18于介电层17上。具体的，在介电层17的上表面沉积金属材料形成第三金属层18，其中金属材料分别填充第一导电孔71、第二导电孔72、第三导电孔73以及第四导电孔74，参照图6。该金属材料可以为铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)和钕(Nd)等金属、以上金属的合金或氮化物，这些材料可以单独使用或者组合使用。
S111)对第三金属层18进行图案化处理，形成同层设置的源漏极182、第三辅助电极183以及第二存储电容电极184，参照图6。具体的，源漏极182设置于介电层17上，且连接至有源层14，第三辅助电极183设置于介电层17上，且同时连接至第一辅助电极121和第二辅助电极162，其中，第三辅助电极183在衬底层11上的正投影与第一辅助电极121在衬底上的正投影至少部分重合。本实施例中，源漏极182包括源极181和漏极182，源极181连接至有源层14的一侧，漏极182连接至有源层14的另一侧，其中，源极181和漏极182通过第三导电孔73连接至有源层14。源极181通过第三导电孔73连接至有源层14，通过第四导电孔84连接至遮光层122，可以改善TFT的电学性能，使沟道电流更加稳定。遮光层122与第一存储电容电极144对应设置，第一存储电容电极144与第二存储电容电极184对应设置以形成第二存储电容。
S2)形成一保护层2于所述第三辅助电极183上，且延伸至所述阵列基板1上，参照图6。
如图7所示，所述保护层2的形成步骤包括S21)-S22。
S21)形成一钝化层21于所述第三辅助电极183上，参照图6。具体的，在第三辅助电极183上形成钝化层21，该钝化层21的材料可以选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。
S22)形成一平坦层22于所述钝化层21上，参照图6。具体的，在钝化层21上形成平坦层22，该平坦层22的材料可以选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。
S3)对所述保护层2进行挖孔处理，使得所述保护层2形成有一底切开口10，该底切开口10用于暴露部分所述第三辅助电极183，参照图8。
如图9所示，对所述保护层2进行挖孔处理的步骤包括S31)-S32)。
S31)对所述平坦层22和所述钝化层21进行挖孔处理，使得所述钝化层21形成有第一通孔91，所述平坦层22形成有第二通孔92，所述第二通孔92连通至所述第一通孔91，参照图8。具体的，在对所述平坦层22和所述钝化层21进行挖孔处理时，所述钝化层21还形成有第四通孔94，所述平坦层22还形成有第五通孔95，所述第五通孔95连通至所述第四通孔94，且暴露有源层14的表面。
S32)采用湿法蚀刻的方式对所述钝化层21进行刻蚀处理，使得所述第二通孔92在所述阵列基板1上的正投影完全落入所述第一通孔91在所述阵列基板1上的正投影内，所述平坦层22与所述钝化层21之间形成有所述底切开口10，参照图8。具体的，通过黄光制程定义出底切开口10所在的区域，然后采用湿法蚀刻的方式对所述钝化层21进行刻蚀处理，以使得平坦层22与所述钝化层21之间形成有所述底切开口10。需要说明的是，除了底切开口10所在的区域，其他区域均有光阻保护，不会受到蚀刻液影响。底切开口10用于暴露部分第三辅助电极183。本实施例中，第二通孔92的底部孔径小于第一通孔91的顶部孔径，如此设置能够使得平坦层22与钝化层21之间形成有底切开口10。优选地，第二通孔92在衬底层11上的正投影孔径小于第一通孔91在衬底层11上的正投影孔径，如此设置能够进一步确保至少部分平坦层22能够伸入至第一通孔91内，从而使得平坦层22与钝化层21之间形成有底切开口10。
S4)形成一阳极3于所述保护层2上，参照图8。具体的，通过黄光制程在保护层2上沉积透明导电金属氧化物形成阳极3，该透明导电金属氧化物完全填充于第四通孔94和第五通孔95内，以使得阳极3形成后连接至源极181。透明导电金属氧化物可以是氧化铟锡(ITO，Indium tin oxide)。
在其他实施方式中，步骤S4)与S32)是可以调换步骤的，只要能够在所述平坦层22与所述钝化层21之间形成有所述底切开口10，所述保护层2上形成阳极3即可。
S5)形成一像素定义层5于保护层2上，该像素定义层5开设有第三通孔93及像素开口96。其中，第三通孔93连通至第二通孔92，像素开口96用以暴露阳极3，参照图10。
S6)形成一发光功能层4于所述阳极3上，参照图1。具体的，在阳极3和像素定义层5上形成发光功能层4，且在底切开口10处间断设置，即部分发光功能层4可以连接至位于底切开口10处的第三辅助电极183，其他部分的发光功能层4无法连接至位于底切开口10处的第三辅助电极183，也就是说，底切开口10可以间断位于其上方的一些的膜层。本实施例中，发光功能层4从下至上依次包括空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44以及电子注入层45，参见图2。
S7)形成一阴极6于所述发光功能层4上，所述阴极6延伸至所述底切开口10且连接至所述第三辅助电极183，参照图1。具体的，在发光功能层4上形成阴极6，该阴极6延伸至底切开口10且连接至第三辅助电极183。其中，阴极6的图案与发光功能层4的图案相同。阴极6的材料可以为金属或合金，例如银或镁银合金。可以理解的是，阴极6具有透光性能，以使发光层43发出的光线可以透过阴极6发射出去，也即是说，本实施例提供的OLED显示面板为顶发射型OLED显示面板。示例性地，阴极6的透光率为30％以上，例如30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％等。
结合图2所示，第三辅助电极183通过一个第一导电孔81连接至第一辅助电极121，第三辅助电极183通过一个第二导电孔82连接至第二辅助电极162。如此设置，第三辅助电极183与第二辅助电极162、第一辅助电极121连接且构成一个阴极6搭接结构，可以降低阴极6的阻抗，提高OLED显示面板的显示均一性。
本实施例还提供一种显示终端，该显示终端包括终端主体和前文所述的OLED显示面板，所述终端主体与所述显示面板相连接。
实施例2
本实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端，其包括实施例1的全部技术方案，其区别在于，第二辅助电极162位于两个第一导电孔71之间，第三辅助电极183同时通过两个第二导电孔72连接至第二辅助电极162。
如图11所示，第三辅助电极183通过两个第一导电孔71连接至第一辅助电极121，两个第一导电孔71中的一个连接至第一辅助电极121的一侧，另一个第一导电孔71连接至第一辅助电极121的另一侧。第二辅助电极162位于两个第一导电孔71之间，第三辅助电极183同时通过两个第二导电孔72连接至第二辅助电极162。如此设置，第三辅助电极183与第二辅助电极162、第一辅助电极121相互并联连接构成一个阴极6搭接结构，可以进一步地降低阴极6的阻抗，从而降低压降(IR Drop)，提高OLED显示面板的显示均一性。本实施例中，第二辅助电极162位于两个第一导电孔71之间，如此设置能够节省导电孔在阵列基板1内部的占用空间，提升PPI。在其他实施例中，两个第二导电孔72可以同时设置于栅极绝缘层15的左侧或者右侧，只要能够使得第三辅助电极183与第二辅助电极162、第一辅助电极121构成一个并联电路即可。
结合图1和图11所示，图11的阴极6搭接结构与图1的阴极6搭接结构相比，由于图11中的第三辅助电极183通过两个第一导电孔71连接至第一辅助电极121，通过两个第二导电孔72连接至第二辅助电极162，而图1中的第三辅助电极183通过一个第一导电孔71连接至第一辅助电极121，通过一个第二导电孔72连接至第二辅助电极162，因此，图11的阴极6搭接结构的阻抗比图1的阴极6搭接结构的阻抗更小，压降更小。也就是说，图11中的阴极6搭接结构降低阴极6阻抗效果更佳，从而有利于进一步地改善画面显示不均的问题。
因此，本实施例所提供的OLED显示面板，在阵列基板1上形成绝缘设置的第一辅助电极121、第二辅助电极162以及第三辅助电极183，且第三辅助电极183同时连接至第一辅助电极121和第二辅助电极162以形成一个并联连接的阴极6搭接结构，并且在保护层2开设一底切开口10，该底切开口10用于暴露部分第三辅助电极183，使得阴极6与阴极搭接结构连接形成阴极搭接区，以进一步地减小阴极6的阻抗，降低压降(IR Drop)，进一步地提高OLED显示面板的显示均一性。
本实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，其包括实施例1的OLED显示面板的制备方法的全部技术方案，其区别在于，在对介电层17进行挖孔处理时，形成两个第一导电孔71以及两个第二导电孔72，从而使得第三辅助电极183通过两个第一导电孔71连接至第一辅助电极121，第三辅助电极183通过两个第二导电孔72连接至第二辅助电极162。两个第一导电孔71中的一个连接至第一辅助电极121的一侧，另一个第一导电孔71连接至第一辅助电极121的另一侧。第二辅助电极162位于两个第一导电孔71之间，每一个第二导电孔72均连接至第二辅助电极162。如此设置，第三辅助电极183与第二辅助电极162、第一辅助电极121相互并联连接构成一个阴极6搭接结构，可以进一步地降低阴极6的阻抗，从而降低压降(IR Drop)，提高OLED显示面板的显示均一性。本实施例中，第二辅助电极162位于两个第一导电孔71之间，如此设置能够节省导电孔在阵列基板1内部的占用空间。在其他实施例中，两个第二导电孔72可以同时设置于栅极绝缘层15的左侧或者右侧，只要能够使得第三辅助电极183与第二辅助电极162、第一辅助电极121构成一个并联电路即可。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板及其制备方法、显示终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (12)
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，其包括第一辅助电极、第二辅助电极、第三辅助电极以及层间绝缘层，所述层间绝缘层形成于所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间，且所述第二辅助电极设置于所述第一辅助电极上；所述第三辅助电极设置于所述第二辅助电极上；其中，所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极；
保护层，其设置于所述第三辅助电极上，所述保护层开设有一底切开口，该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极；
阳极，其设置于所述保护层上；
发光功能层，其设置于所述阳极上；以及
阴极，其设置于所述发光功能层上，所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，
所述第三辅助电极通过至少一个第一导电孔连接至所述第一辅助电极；
所述第三辅助电极通过至少一个第二导电孔连接至所述第二辅助电极。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，
所述第三辅助电极通过两个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极，两个所述第一导电孔中的一个连接至所述第一辅助电极的一侧，另一个所述第一导电孔连接至所述第一辅助电极的另一侧；
其中，所述第二辅助电极位于两个所述第一导电孔之间。
4.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，
所述第三辅助电极同时通过两个所述第二导电孔连接至所述第二辅助电极。
5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
遮光层，其与所述第一辅助电极同层设置；
栅极，其与所述第二辅助电极同层设置；以及
源漏极，其与所述第三辅助电极同层设置。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括：
衬底层，所述遮光层及所述第一辅助电极设置于所述衬底层上；
缓冲层，其设置于衬底层上，且覆盖所述遮光层及所述第一辅助电极；
有源层，其设置于所述缓冲层上，且所述有源层在所述衬底层上的正投影落入所述遮光层在所述衬底层上的正投影内；
第一栅极绝缘层，其对应设置于所述有源层上；
第二栅极绝缘层，其对应设置于所述缓冲层上；
所述栅极对应设置于所述第一栅极绝缘层上，所述第二辅助电极对应设置于所述第二栅极绝缘层上，且所述第二辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合；
介电层，其覆盖所述栅极、所述第二辅助电极，且延伸至所述缓冲层上；以及
所述源漏极设置于所述介电层上，且连接至所述有源层，所述第三辅助电极设置于所述介电层上，且同时连接至所述第一辅助电极和所述第二辅助电极，其中，所述第三辅助电极在所述衬底层上的正投影与所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影至少部分重合；
其中，所述层间绝缘层包括所述缓冲层、所述介电层以及所述保护层。
7.根据权利要求1-4任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保护层包括：
钝化层，其设置于所述第三辅助电极上，所述钝化层开设有第一通孔；以及
平坦层，其设置于所述钝化层上，所述平坦层开设有第二通孔，所述第二通孔连通至所述第一通孔，且所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影完全落入所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影内，以使所述平坦层与所述钝化层之间形成有所述底切开口。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括：
像素定义层，其设置于所述保护层上，所述像素定义层开设有第三通孔及像素开口，所述第三通孔连通至所述第二通孔，所述像素开口用以暴露所述阳极；
其中，所述发光功能层设置于所述阳极及所述像素定义层上；所述阴极设置于所述发光功能层上，延伸至所述第三通孔、所述底切开口，且连接至所述第三辅助电极。
9.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成一阵列基板，所述阵列基板的形成步骤包括：形成一第一金属层；对所述第一金属层图案化形成第一辅助电极；形成一第二金属层于所述第一金属层上方；对所述第二金属层图案化形成第二辅助电极；形成一第三金属层与所述第二金属层上方；以及对所述第三金属层图案化形成第三辅助阴极；其中，所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间、所述第二辅助电极与所述第三辅助电极之间形成有层间绝缘层，并所述第三辅助电极同时连接至所述第一辅助电极、所述第二辅助电极；
形成一保护层于所述第三辅助电极上，且延伸至所述阵列基板上；
对所述保护层进行挖孔处理，使得所述保护层形成有一底切开口，该底切开口用于暴露部分所述第三辅助电极；
形成一阳极于所述保护层上；
形成一发光功能层于所述阳极上；以及
形成一阴极于所述发光功能层上，所述阴极延伸至所述底切开口且连接至所述第三辅助电极。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，
所述保护层的形成步骤包括：
形成一钝化层于所述第三辅助电极上；以及
形成一平坦层于所述钝化层上；
对所述保护层进行挖孔处理的步骤包括：
对所述平坦层和所述钝化层进行挖孔处理，使得所述钝化层形成有第一通孔，所述平坦层形成有第二通孔，所述第二通孔连通至所述第一通孔；以及
采用湿法蚀刻的方式对所述钝化层进行刻蚀处理，使得所述第二通孔在所述阵列基板上的正投影完全落入所述第一通孔在所述阵列基板上的正投影内，所述平坦层与所述钝化层之间形成有所述底切开口。
11.根据权利要求9所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述第一辅助电极的形成步骤中，对所述第一金属层图案化形成遮光层，且所述遮光层与所述第一辅助电极同层设置；
在所述第二辅助电极的形成步骤中，对所述第二金属层图案化形成栅极，所述栅极与所述第二辅助电极同层设置；以及
在所述第三辅助阴极的形成步骤中，对所述第三金属层图案化形成源漏极，所述源漏极与所述第三辅助电极同层设置。
12.一种显示终端，其特征在于，所述显示终端包括终端主体和如权利要求1至8中任一项权利要求所述的OLED显示面板，所述终端主体与所述显示面板相连接。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211363356.2A CN115643774A (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | Oled显示面板及其制备方法、显示终端 |
| US18/474,284 US20240147812A1 (en) | 2022-11-02 | 2023-09-26 | Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing the same, and display terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211363356.2A CN115643774A (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | Oled显示面板及其制备方法、显示终端 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115643774A true CN115643774A (zh) | 2023-01-24 |
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|---|---|---|---|
| CN202211363356.2A Pending CN115643774A (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | Oled显示面板及其制备方法、显示终端 |
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2023
- 2023-09-26 US US18/474,284 patent/US20240147812A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US20240147812A1 (en) | 2024-05-02 |
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