CN115641806A - 显示装置以及该显示装置的驱动方法 - Google Patents

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CN115641806A CN202210609405.XA CN202210609405A CN115641806A CN 115641806 A CN115641806 A CN 115641806A CN 202210609405 A CN202210609405 A CN 202210609405A CN 115641806 A CN115641806 A CN 115641806A
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Abstract

本发明公开了一种显示装置及该显示装置的驱动方法。根据一实施例的显示装置包括:像素,包括发光单元;数据驱动部,将数据电压供应至所述像素;以及亮度校正部,校正图像数据而生成与所述数据电压对应的补偿数据,其中,所述发光单元包括至少一个子元件组,所述至少一个子元件组包括发光元件,其中,所述亮度校正部根据包括于所述至少一个子元件组的所述发光元件的数量而计算所述至少一个子元件组的劣化值及亮度值,并且利用所述劣化值和所述亮度值来校正所述图像数据而生成所述补偿数据。

Description

显示装置以及该显示装置的驱动方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及该显示装置的驱动方法。
背景技术
随着对信息显示的关注日益增加以及对使用可携带的信息媒体的需求增加,对显示装置的需求及商业化已成为重点。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够均匀地实现显示装置的亮度的显示装置以及该显示装置的驱动方法。
根据本发明的一实施例的显示装置包括:像素,包括发光单元;数据驱动部,将数据电压供应至所述像素;以及亮度校正部,校正图像数据而生成与所述数据电压对应的补偿数据,其中,所述发光单元包括至少一个子元件组,所述至少一个子元件组包括发光元件,其中,所述亮度校正部根据包括于所述至少一个子元件组的所述发光元件的数量而计算所述至少一个子元件组的劣化值及亮度值,并且利用所述劣化值和所述亮度值来校正所述图像数据而生成所述补偿数据。
所述亮度校正部可以提取根据施加于所述发光元件的子驱动电流的所述劣化值,并反映所述劣化值而计算所述亮度值,所述子驱动电流通过将施加于所述发光单元的驱动电流除以所述发光元件的数量而得到。
所述亮度校正部可以将所述亮度值相加而计算所述像素的当前亮度值,并可以比较所述当前亮度值和基准亮度值而计算校正亮度值。
所述亮度校正部可以提取根据所述劣化值的大小、分布的劣化权重值,并可以将所述劣化权重值反映到所述当前亮度值。
所述亮度校正部可以将所述校正亮度值反映到所述图像数据而生成所述补偿数据。
所述显示装置还可以包括:时序控制部,将从外部供应的图像信号被重新排列而成的所述图像数据供应至所述亮度校正部,其中,所述亮度校正部可以将所述补偿数据供应至所述数据驱动部。
所述像素可以包括:第一晶体管,包括与第一电源线连接的第一电极、与所述发光单元的第一电极连接的第二电极以及与第一节点连接的栅极电极;第二晶体管,包括与数据线连接的第一电极、与所述第一节点连接的第二电极以及与第一扫描线连接的栅极电极;以及第三晶体管,包括与感测线连接的第一电极、与所述第一晶体管的第二电极连接的第二电极以及与第二扫描线连接的栅极电极,其中,所述第一晶体管可以对应于所述第一节点的电压而控制流向所述发光单元的所述驱动电流的电流量。
包括于所述至少一个子元件组的发光元件可以并联连接,所述至少一个子元件组可以包括串联连接的第一子元件组以及第二子元件组。
分别包括于所述第一子元件组和所述第二子元件组的所述发光元件的数量可以不同,在所述第一子元件组的发光元件和所述第二子元件组的发光元件流动的子驱动电流的电流量可以不同。
若所述第一子元件组的发光元件的数量少于所述第二子元件组的发光元件的数量,则在所述第一子元件组的发光元件流动的子驱动电流的电流量可以大于在所述第二子元件组的发光元件流动的子驱动电流的电流量。
根据一实施例的显示装置包括:像素,包括发光单元,所述发光单元分别包括利用发光元件构成的第一子元件组至第n子元件组;发光元件数量获取部,在所述第一子元件组至第n子元件组中获取各自的发光元件的数量;劣化值提取部,提取根据施加于所述发光元件的子驱动电流的所述第一子元件组至第n子元件组的劣化值,所述子驱动电流将施加于所述发光单元的驱动电流除以所述发光元件的数量而得到;亮度值计算部,反映所述劣化值而计算所述第一子元件组至第n子元件组的亮度值;校正亮度计算部,将所述亮度值相加而计算所述像素的当前亮度值,并且比较所述当前亮度值和基准亮度值而计算校正亮度值;以及校正部,将所述校正亮度值反映到图像数据而生成校正数据。
所述显示装置还可以包括:数据驱动部,将数据电压供应至所述像素;以及时序控制部,将从外部供应的图像信号被重新排列而成的所述图像数据供应至所述校正部,其中,所述校正部可以将所述校正数据供应至所述数据驱动部。
所述发光元件数量获取部可以通过光学拍摄、热成像拍摄、像素感测中的任意一个而获取所述发光元件的数量。
所述校正亮度计算部可以提取根据所述第一子元件组至第n子元件组的劣化值的大小、分布的劣化权重值,并且可以将所述劣化权重值反映到所述当前亮度值。
所述校正亮度计算部可以考虑随着时间的所述发光元件的效率变化来计算所述校正亮度值。
作为根据一实施例的包括像素的显示装置的驱动方法,所述显示装置包括分别包含利用发光元件构成的至少一个子元件组的像素,其中,所述显示装置的驱动方法包括如下步骤:获取所述至少一个子元件组的发光元件数量;提取所述至少一个子元件组的劣化值;反映所述劣化值而计算所述至少一个子元件组的亮度值;将所述亮度值相加而计算所述像素的当前亮度值;以及比较所述当前亮度值和基准亮度值而计算校正亮度值。
在获取所述发光元件数量的步骤中,可以通过光学拍摄、热成像拍摄、像素感测中的任意一个而获取所述发光元件的数量。
在计算所述像素的当前亮度值的步骤中,可以提取根据所述第一子元件组至第n子元件组的劣化值的大小、分布的劣化权重值,并且可以将所述劣化权重值反映到所述当前亮度值。
并且,可以考虑随着时间的所述发光元件的效率变化来计算所述校正亮度值。
所述显示装置的驱动方法还可以包括如下步骤:将所述校正亮度值反映到从外部供应的图像信号被重新排列而成的图像数据而生成校正数据。
根据一实施例,考虑根据至少一个子元件组的发光元件的数量的劣化程度来校正像素的亮度,从而可以均匀地实现显示装置的亮度。
根据一实施例的效果并不局限于以上例示的内容,在本说明书中包括更多样的效果。
附图说明
图1是示出根据一实施例的显示装置的框图。
图2及图3是示出包括于图1的显示装置的像素的一例的电路图。
图4及图5是图示根据一实施例的亮度校正部的一例的图。
图6是用于说明根据一实施例的劣化值提取部及亮度值计算部的图。
图7是图示根据一实施例的校正亮度计算部的图。
图8及图9是用于说明根据一实施例的当前亮度计算部的图。
图10及图11是用于说明根据一实施例的校正亮度计算部的图。
图12是图示根据一实施例的显示装置中的亮度校正部的驱动方法的流程图。
图13是图示根据一实施例的发光元件的立体图。
具体实施方式
本发明可以进行多样的变更且可以具有多种形态,将在附图中例示特定实施例,并在本文中进行详细说明。但是,这并不旨在将本发明限定于特定的公开形态,应当理解为包括包含在本发明的思想和技术范围的所有变更、等同物至替代物。
“第一”、“第二”等的术语可以用于说明多样的构成要素,但是所述构成要素不应限定于所述术语。所述术语仅用于将一个构成要素与另一个构成要素进行区分。例如,在不脱离本发明的权利范围的情况下,第一构成要素可以命名为第二构成要素,类似地,第二构成要素也可以命名为第一构成要素。除非在上下文中明确表示出不同含义,否则单数的表述包括复数的表述。
在本申请中,“包括”或“具有”等术语用于指定说明书中记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或这些的组合的存在,应理解为并不预先排除一个或其以上的其他特征或数字、步骤、操作、构成要素、部件或这些的组合的存在或添加可能性。
以下,参照与本发明的实施例相关的附图,对根据本发明的实施例的显示装置进行说明。
图1是示出根据一实施例的显示装置的框图。
参照图1,根据一实施例的显示装置可以包括像素部100、扫描驱动部200、数据驱动部300、时序控制部400及亮度校正部500。
显示装置可以是平面显示装置、柔性(flexible)显示装置、曲面(curved)显示装置、可折叠(foldable)显示装置、可弯曲(bendable)显示装置、可拉伸(stretchable)显示装置。并且,显示装置可适用于透明显示装置、头戴式(head-mounted)显示装置、可穿戴(wearable)显示装置等。并且,显示装置可以应用于智能电话、平板计算机、智能平板计算机、电视、监视器等的多种电子设备。
显示装置可以实现为包括多个自发光元件的自发光显示装置。例如,显示装置可以是包括有机发光元件的有机发光显示装置、包括无机发光元件的显示装置、或者包括由无机物质及有机物质复合构成的发光元件的显示装置。然而,这仅为示例性的,显示装置还可以实现为液晶显示装置、等离子体显示装置、量子点显示装置等。
像素部100包括连接到数据线DL、第一扫描线SL、第二扫描线SSL及感测线RL的像素PX。像素部100可以包括分别连接到多条数据线DL、多条第一扫描线SL、多条第二扫描线SSL及多条感测线RL的多个像素PX。
像素PX可以从外部接收第一驱动电压VDD、第二驱动电压VSS及初始化电压VINT。以下将参照图2及图3说明像素PX的具体构成。
另外,虽然在图1中图示了第一扫描线SL及第二扫描线SSL连接到像素PX的情形,但本发明不限于此。根据实施例,对应于像素PX的电路结构,在像素部100可以追加地形成有一个以上的发光控制线等。
扫描驱动部200从时序控制部400接收扫描控制信号SCS。扫描驱动部200可以响应于扫描控制信号SCS而向第一扫描线SL分别供应第一扫描信号,并且可以向第二扫描线SSL分别供应第二扫描信号。
扫描驱动部200可以向第一扫描线SL依次供应第一扫描信号。例如,第一扫描信号可以被设定为栅极导通电压,使得包括于像素PX的晶体管可以被导通。并且,第一扫描信号可以用于向像素PX施加数据信号(或者,数据电压)。
并且,扫描驱动部200可以向第二扫描线SSL供应第二扫描信号。例如,第二扫描信号可以被设定为栅极导通电压,使得包括于像素PX的晶体管可以被导通。第二扫描信号可以用于感测(或者,提取)在像素PX中流动的驱动电流或者向像素PX施加初始化电压VINT。
另外,在图1中示出了一个扫描驱动部200将第一扫描信号和第二扫描信号全部输出的情形,但并不限定于此。根据实施例,扫描驱动部200可以包括向像素部100供应第一扫描信号的第一扫描驱动部及向像素部100供应第二扫描信号的第二扫描驱动部。即,第一扫描驱动部及第二扫描驱动部可以实现为独立的构成。
数据驱动部300从时序控制部400接收数据控制信号DCS。并且,数据驱动部300从亮度校正部500接收补偿数据CDATA。数据驱动部300可以响应于数据控制信号DCS及补偿数据CDATA而产生数据电压(或者,数据信号),并且将产生的数据电压分别供应至数据线DL。即,数据驱动部300可以在一个帧时段中的每个像素PX的显示时段中向像素部100供应数据电压。
数据驱动部300可以利用伽马电压来生成与包括于补偿数据CDATA中的数据值(或者,灰度值)对应的数据电压(或者,数据信号)。在此,伽马电压可以由数据驱动部300生成或从单独的伽马电压生成电路(例如,伽马集成电路)提供。例如,数据驱动部300可以基于包括于补偿数据CDATA的数据值而在伽马电压中选择一个并输出为数据电压(或者,数据信号)。
数据驱动部300可以在显示时段中将初始化电压VINT供应至感测线RL。并且,数据驱动部300还可以在感测模式(或者,感测时段)下将初始化电压VINT施加到感测线RL,之后通过感测线RL感测每个像素PX的发光特性。像素PX的发光特性可以包括像素PX中的至少一个晶体管(例如,驱动晶体管)的阈值电压、迁移率及发光元件的特性信息(例如,电流-电压特性)。
在一实施例中,图示为感测线RL连接到数据驱动部300,然而根据实施例,显示装置可以配备有单独的感测部,使得数据驱动部300和感测部实现为独立的构成。
时序控制部400可以从外部的诸如图形设备之类的图像源接收时序控制信号CTL及图像信号RGB。
时序控制部400可以对应于从外部供应的时序控制信号CTL而生成数据控制信号DCS及扫描控制信号SCS。在时序控制部400生成的数据控制信号DCS可以被供应至数据驱动部300,并且扫描控制信号SCS可以被供应至扫描驱动部200。
并且,时序控制部400可以将从外部供应的图像信号RGB被重新排列而成的图像数据DATA1供应至亮度校正部500。
亮度校正部500可以根据包括于像素PX的至少一个子元件组的发光元件的数量而计算劣化值及亮度值,并且可以对至少一个子元件组的图像数据DATA1进行校正而生成补偿数据CDATA。亮度校正部500可以从时序控制部400接收图像数据DATA1,并且可以将生成的补偿数据CDATA供应至数据驱动部300。针对亮度补正部500的内容将参照图4以及以下内容进行详细说明。
另外,虽然在图1中图示了扫描驱动部200、数据驱动部300、时序控制部400及亮度校正部500彼此独立地构成的情形,但这仅是示例性的,并不限于此。例如,扫描驱动部200、数据驱动部300、时序控制部400及亮度校正部500中的至少一个可以配备于像素部100,或者可以实现为集成电路并贴装于柔性电路板而与像素部100连接。例如,扫描驱动部200可以配备于像素部100。并且,扫描驱动部200、数据驱动部300、时序控制部400及亮度校正部500中的至少两个可以实现为一个集成电路。例如,数据驱动部300及亮度校正部500可以实现为一个集成电路,并且时序控制部400及亮度校正部500也可以实现为一个集成电路。
以下,参照图2及图3说明根据一实施例的显示装置的像素。
图2及图3是示出包括于图1的显示装置的像素的一例的电路图。
参照图2及图3,像素PX可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、存储电容器Cst及发光单元EMU。
第一晶体管T1(或者,驱动晶体管)的第一电极可以与第一电源线PL1连接,并且第二电极可以与发光单元EMU的第一电极EL1(或者,第二节点N2)连接。第一晶体管T1的栅极电极可以与第一节点N1连接。在一实施例中,第一电极可以是漏极电极,并且第二电极可以是源极电极。第一晶体管T1可以对应于第一节点N1的电压而控制流向发光单元EMU的驱动电流Id的电流量。
第二晶体管T2(或者,开关晶体管)的第一电极可以与数据线DL连接,第二电极可以与第一节点N1(或者,第一晶体管T1的栅极电极)连接。第二晶体管T2的栅极电极可以与第一扫描线SL连接。当通过第一扫描线SL供应第一扫描信号SC1(例如,高电平电压)时,第二晶体管T2可以被导通而将数据电压VDATA从数据线DL传输到第一节点N1。
第三晶体管T3的第一电极可以与感测线RL连接,并且第二电极可以与第二节点N2(或者,第一晶体管T1的第二电极)连接。第三晶体管T3的栅极电极可以与第二扫描线SSL连接。当在预定的感测时段期间通过第二扫描线SSL供应第二扫描信号SC2(例如,高电平电压)时,第三晶体管T3可以被导通而将感测线RL与第二节点N2电连接。
存储电容器Cst连接于第一节点N1和第二节点N2之间。这种存储电容器Cst可以在一个帧期间充电对应于供应至第一节点N1的数据信号的数据电压VDATA。据此,存储电容器Cst可以存储与第一节点N1和第二节点N2之间的电压差对应的电压。作为一例,存储电容器Cst可以存储与向第一晶体管T1的栅极电极供应的数据电压VDATA和向第一晶体管T1的第二电极供应的初始化电压VINT之差对应的电压。
发光单元EMU可以在施加有第一驱动电压VDD的第一电源线PL1和施加有第二驱动电压VSS的第二电源线PL2之间包括串联和/或并联连接的发光元件LD。
作为一例,参照图2的发光单元EMU可以包括并联连接的发光元件LD,参照图3的发光单元EMU可以包括串联及并联连接的发光元件LD。在并联连接的发光元件LD中,沿彼此相同的方向连接的每个发光元件LD可以构成有效光源。并且,沿彼此相同的方向并联连接的发光元件LD可以构成一个子元件组GRO。
发光单元EMU可以包括至少一个子元件组GRO。至少一个子元件组GRO可以串联连接而构成发光单元EMU。作为一例,参照图3的发光单元EMU可以包括连接在第二节点N2和第二电源线PL2之间的第一子元件组GRO1、第二子元件组GRO2至第n子元件组GROn。
发光单元EMU可以包括在连接于第二节点N2的第一电极EL1与连接于第二电源线PL2的第二电极EL2之间串联连接的至少一个子元件组GRO。在此,第一电极EL1可以是阳极(anode),第二电极EL2可以是阴极(cathode)。并且,参照图3,第三电极EL3可以是阴极,第四电极EL4可以是阳极。
第二子元件组GRO2可以包括在第一电极EL1与第三电极EL3之间沿彼此相同的方向连接的发光元件LD。第n子元件组GROn可以包括在第四电极EL4与第二电极EL2之间沿彼此相同的方向连接的发光元件LD。
包括于第一子元件组GRO1、第二子元件组GRO2至第n子元件组GROn中的每一个的发光元件LD的数量可以不同。例如,第一子元件组GRO1可以包括三个发光元件LD,第二子元件组GRO2可以包括四个发光元件LD,并且第n子元件组GROn可以包括k个发光元件LD。根据各子元件组GRO的发光元件LD的数量,在各子元件组的发光元件流动的电流量、各子元件组GRO的亮度、各子元件组GRO的劣化程度可以不同。在一实施例中,由于考虑根据各子元件组GRO的发光元件的数量的劣化程度来对像素PX的亮度进行校正,因此可以均匀地实现显示装置的亮度。
发光单元EMU可以对应于从第一晶体管T1供应的驱动电流Id而生成具有预定亮度的光。例如,在一个帧时段期间,第一晶体管T1可以向发光单元EMU供应与相应的帧数据(例如,补偿数据CDATA(参照图1))的灰度值对应的驱动电流Id。供应至发光单元EMU的驱动电流Id可以被分到多个发光元件LD而流动。在此,被分到多个发光元件LD而流动的电流可以被称为子驱动电流Ids。每个发光元件LD可以以与子驱动电流Ids相应的亮度发光,并且发光单元EMU可以发出与驱动电流Id对应的亮度的光。
子驱动电流Ids可以根据子元件组GRO的发光元件LD的数量而不同。例如,若第一子元件组GRO1的发光元件LD的数量比第二子元件组GRO2的发光元件LD的数量少,则在第一子元件组GRO1的发光元件LD流动的子驱动电流Ids的电流量可以比在第二子元件组GRO2的发光元件LD流动的子驱动电流Ids的电流量更大。据此,各子元件组GRO的亮度和各子元件组GRO的劣化程度可以不同,并且包括这种子元件组GRO的像素PX可以产生亮度偏差。在一实施例中,由于考虑根据各子元件组GRO的发光元件的数量的劣化程度来对像素PX的亮度进行校正,因此可以均匀地实现显示装置的亮度。
以下,将参照图4至图11说明根据一实施例的亮度校正部。
图4及图5是图示根据一实施例的亮度校正部的一例的图,图6是用于说明根据一实施例的劣化值提取部及亮度值计算部的图,图7是图示根据一实施例的校正亮度计算部的图。图8及图9是用于说明根据一实施例的当前亮度计算部的图,图10及图11是用于说明根据一实施例的校正亮度计算部的图。
参照图4、图5及图7,亮度校正部500可以包括发光元件数量获取部510、劣化值及亮度值计算部520、校正亮度计算部530及校正部540。以下,一同参照图1至图3而进行说明。
发光元件数量获取部510可以在包括于一个像素PX(或者,发光单元EMU)的至少一个子元件组GRO获取各自的发光元件的数量NUM。
作为一例,参照图3,发光元件数量获取部510可以掌握第一子元件组GRO1所包括的发光元件的数量NUM为3个,并且第二子元件组GRO2所包括的发光元件的数量NUM为4个。
发光元件的数量NUM可以通过光学拍摄、热成像拍摄、像素感测等获取。发光元件数量获取部510可以通过光学相机或者热成像相机等拍摄像素部100(参照图1)而获取包括于至少一个子元件组GRO的发光元件的数量NUM。并且,当一个像素PX包括一个子元件组GRO时,发光元件数量获取部510可以对通过第三晶体管T3的第二节点N2的感测值与预先确定的发光元件LD的特性曲线进行比较而获取发光元件的数量NUM。
劣化值及亮度值计算部520可以从发光元件数量获取部510接收所获取的至少一个子元件组GRO的发光元件的数量NUM,并且可以基于施加到发光单元EMU的驱动电流Id而计算根据各子元件组GRO的发光元件的数量NUM的劣化值DET及亮度值LUMI。
劣化值及亮度值计算部520包括劣化值提取部521及亮度值计算部522。
劣化值提取部521可以提取根据施加到子元件组GRO的各发光元件LD的子驱动电流Ids的子元件组GRO的劣化值DET,所述子驱动电流Ids通过将施加到发光单元EMU的驱动电流Id除以子元件组GRO的发光元件的数量NUM而得到。子元件组GRO的劣化值DET可以通过将子驱动电流Ids的电流量、发光时间等与预先确定的发光元件的劣化数据进行比较而提取。预先确定的发光元件的劣化数据可以存储在查找列表(Look up table)等的存储器。并且,子元件组GRO的劣化值DET还可以通过将子驱动电流Ids的电流量、发光时间等代入到预先确定的数学式而提取。
作为一例,参照图5及图6,当第一子元件组GRO1的发光元件的数量NUM为3个时,劣化值提取部521可以提取根据子驱动电流Ids的第一子元件组GRO1的劣化值DET1,当第二子元件组GRO2的发光元件的数量NUM为4个时,劣化值提取部521可以提取根据子驱动电流Ids的第二子元件组GRO2的劣化值DET2,并且当第n子元件组GROn的发光元件的数量NUM为k个时,劣化值提取部521可以提取根据子驱动电流Ids的第n子元件组GROn的劣化值DETn。
亮度值计算部522可以通过反映劣化值DET来计算亮度值LUMI。亮度值LUMI可以借由预先确定的发光元件的子驱动电流Ids数据来计算,也可以根据预先确定的数学式来计算。亮度值LUMI可以与子驱动电流Ids的电流量成比例,但是随着反映劣化值DET,亮度值LUMI可以改变。例如,第一子元件组GRO1的子驱动电流Ids具有比第二子元件组GRO2的子驱动电流Ids更大的值,但是在第一子元件组GRO1的劣化程度比第二子元件组GRO2的劣化程度更大的情况下,第一子元件组GRO1的亮度值LUMI可以比第二子元件组GRO2的亮度值LUMI小。
作为一例,参照图5及图6,亮度值计算部522可以计算在第一子元件组GRO1反映劣化值DET1的亮度值LUMI1,可以计算在第二子元件组GRO2反映劣化值DET2的亮度值LUMI2,并且可以计算在第n子元件组GROn反映劣化值DETn的亮度值LUMIn。
校正亮度计算部530可以从亮度值计算部522接收亮度值LUMI并将亮度值LUMI相加来计算一个像素PX的当前亮度值LUMI_S,并且通过比较当前亮度值LUMI_S与基准亮度值LUMI_R来计算校正亮度值LUMI_C。
校正亮度计算部530包括当前亮度计算部531及亮度比较部532。
当前亮度计算部531可以通过将亮度值LUMI相加来计算一个像素PX的当前亮度值LUMI_S。
并且,当前亮度计算部531可以提取根据各子元件组GRO的劣化值DET的大小、分布的劣化权重值DET_W,并且可以将所提取的劣化权重值DET_W反映到当前亮度值LUMI_S。
作为一例,参照图8,当第一像素PX1的第一子元件组GRO1的劣化值DET为9,第二子元件组GRO2的劣化值DET为8,第三子元件组GRO3的劣化值DET为7,并且第四子元件组GRO4的劣化值DET为6时,当前亮度计算部531可以提取7.7的劣化权重值DET_W。当前亮度计算部531可以将劣化权重值DET_W7.7反映到第一像素PX1的当前亮度值LUMI_S。
当第二像素PX2的第一子元件组GRO1的劣化值DET为15,第二子元件组GRO2的劣化值DET为5,第三子元件组GRO3的劣化值DET为5,并且第四子元件组GRO4的劣化值DET为5时,当前亮度计算部531可以提取10的劣化权重值DET_W。当前亮度计算部531可以将劣化权重值DET_W 10反映到第二像素PX2的当前亮度值LUMI_S。
并且,当第三像素PX3的第一子元件组GRO1的劣化值DET为12,第二子元件组GRO2的劣化值DET为11,第三子元件组GRO3的劣化值DET为10,并且第四子元件组GRO4的劣化值DET为9时,当前亮度计算部531可以提取10.7的劣化权重值DET_W。当前亮度计算部531可以将劣化权重值DET_W 10.7反映到第三像素PX3的当前亮度值LUMI_S。
当第四像素PX4的第一子元件组GRO1的劣化值DET为12,第二子元件组GRO2的劣化值DET为10,第三子元件组GRO3的劣化值DET为8,并且第四子元件组GRO4的劣化值DET为6时,当前亮度计算部531可以提取9.4的劣化权重值DET_W。当前亮度计算部531可以将劣化权重值DET_W 9.4反映到第四像素PX4的当前亮度值LUMI_S。
参照图9,图示于图9的(a)的曲线图图示了在包括于发光单元EMU的至少一个子元件组GRO的发光元件的数量NUM相似的情况下的亮度值LUMI的偏差,并且图示于图9的(b)的曲线图图示了在包括于发光单元EMU的至少一个子元件组GRO的发光元件的数量NUM相差较大的情况下的亮度值LUMI的偏差。
可以看出图示于图9的(b)的亮度值LUMI的偏差具有比图示于图9的(a)的亮度值LUMI的偏差更大的值。即,可以确认会根据包括于子元件组GRO的发光元件的数量NUM而发生亮度值LUMI的偏差。
据此,在一实施例中,如针对图8在上文所述,若反映根据包括于发光单元EMU的子元件组GRO的劣化值DET的大小、分布的劣化权重值DET_W,则可以以预定的基准反映子元件组GRO的劣化程度而进行亮度校正,并且可以在像素PX之间实现均匀的亮度。
亮度比较部532可以通过将当前亮度值LUMI_S与基准亮度值LUMI_R进行比较来计算校正亮度值LUMI_C。
例如,若当前亮度值LUMI_S大于基准亮度值LUMI_R,则亮度比较部532可以计算出负的校正亮度值LUMI_C,并且若当前亮度值LUMI_S小于基准亮度值LUMI_R,则亮度比较部532可以计算出正的校正亮度值LUMI_C。
校正亮度计算部530可以考虑按时间的发光元件LD的效率变化来计算校正亮度值LUMI_C。
例如,子元件组GRO为1个的情况可以参照图10进行说明。
发光元件LD的当前亮度值可以随着时间的经过而减小。即,发光元件LD的发光效率可能随着时间的经过而降低,并且校正亮度计算部530可以通过在第一时间t1a及第二时间t2a比较当前亮度值LUMI1_S和基准亮度值LUMI_R来计算校正亮度值LUMI_C。
第一子元件组的亮度值LUMI1_S可以逐渐减小,并且可以在第一时间t1a将第一子元件组的亮度值LUMI1_S校正为基准亮度值LUMI_R。在此,用于校正为基准亮度值LUMI_R的校正亮度值LUMI_C可以相当于ΔXa。
此后,第一子元件组的亮度值LUMI1_S可以逐渐减小,并且可以在第二时间t2a将第一子元件组的亮度值LUMI1_S校正为基准亮度值LUMI_R。在此,用于校正为基准亮度值LUMI_R的校正亮度值LUMI_C可以相当于ΔXb。
随着对第一子元件组的亮度值LUMI1_S进行校正,校正亮度值LUMI_C的绝对值可以逐渐减小。据此,在一实施例中,随着时间的经过,可以均匀地校正显示装置的亮度,并且可以提高亮度可靠性。
子元件组GRO为3个的情况可以参照图11进行说明。
校正亮度计算部530可以在第一时间t1b及第二时间t2b比较当前亮度值LUMI1_S、LUMI2_S、LUMI3_S与基准亮度值LUMI_R来计算校正亮度值LUMI_C。在此,第一子元件组GRO1的发光元件的数量NUM可以大于第二子元件组GRO2及第三子元件组GRO3的发光元件的数量NUM。第二子元件组GRO2的发光元件的数量NUM可以大于第三子元件组GRO3的发光元件的数量NUM。
第一子元件组的亮度值LUMI1_S、第二子元件组的亮度值LUMI2_S、第三子元件组的亮度值LUMI3_S可以逐渐减小,并且可以在第一时间t1b将第一子元件组的亮度值LUMI1_S、第二子元件组的亮度值LUMI2_S、第三子元件组的亮度值LUMI3_S校正为基准亮度值LUMI_R。在此,用于校正为基准亮度值LUMI_R的校正亮度值LUMI_C可以相当于ΔXc。
此后,第一子元件组的亮度值LUMI1_S、第二子元件组的亮度值LUMI2_S、第三子元件组的亮度值LUMI3_S可以逐渐减小,并且可以在第二时间t2b将第一子元件组的亮度值LUMI1_S、第二子元件组的亮度值LUMI2_S、第三子元件组的亮度值LUMI3_S校正为基准亮度值LUMI_R。在此,用于校正为基准亮度值LUMI_R的校正亮度值LUMI_C可以相当于ΔXd。
随着对第一子元件组的亮度值LUMI1_S、第二子元件组的亮度值LUMI2_S、第三子元件组的亮度值LUMI3_S进行校正,校正亮度值LUMI_C的绝对值可以逐渐减小。据此,在一实施例中,随着时间的经过,可以均匀地校正显示装置的亮度,并且可以提高亮度可靠性。
校正部540可以从校正亮度计算部530接收校正亮度值LUMI_C,可以从时序控制部400(参照图1)接收图像数据DATA1,并且可以生成反映校正亮度值LUMI_C的补偿数据CDATA。校正部540可以将补偿数据CDATA提供给数据驱动部300(参照图1)。
以下,将参照图12对根据一实施例的显示装置的驱动方法进行说明。
图12是图示根据一实施例的显示装置中的亮度校正部的驱动方法的流程图。
参照图12,根据一实施例的显示装置可以根据亮度校正部的驱动而校正显示装置的亮度。以下,一同参照图1至图11而进行说明。
发光元件数量获取部510可以在包括于发光单元EMU的至少一个子元件组GRO获取各自的发光元件的数量NUM(S120)。
劣化值提取部521可以提取根据施加到子元件组GRO的各发光元件LD的子驱动电流Ids的子元件组GRO的劣化值DET,所述子驱动电流Ids通过将施加到发光单元EMU的驱动电流Id除以子元件组GRO的发光元件的数量NUM而得到(S121)。
此后,亮度值计算部522可以反映劣化值DET而计算亮度值LUMI(S122)。
当前亮度计算部531可以通过将亮度值LUMI相加来计算一个像素PX的当前亮度值LUMI_S(S123)。当前亮度计算部531可以提取根据各子元件组GRO的劣化值DET的大小及分布的劣化权重值DET_W,并且将所提取的劣化权重值DET_W反映到当前亮度值LUMI_S。
亮度比较部532可以通过对当前亮度值LUMI_S与基准亮度值LUMI_R进行比较来计算校正亮度值LUMI_C(S124)。
校正部540可以从亮度比较部532接收校正亮度值LUMI_C,从时序控制部400(参照图1)接收图像数据DATA1,并且生成反映校正亮度值LUMI_C的补偿数据CDATA。校正部540可以将补偿数据CDATA提供给数据驱动部300(参照图1)。
据此,在一实施例中,由于考虑根据各子元件组GRO的发光元件的数量的劣化程度来校正像素PX的亮度,因此可以均匀地实现显示装置的亮度。
以下,将参照图13说明包括于根据一实施例的显示装置的发光元件。
图13是图示根据一实施例的发光元件的立体图。
参照图13,包括于根据一实施例的显示装置的发光元件LD包括第一半导体层10、第二半导体层30及位于第一半导体层10与第二半导体层30之间的活性层20。作为一例,发光元件LD可以构成为沿长度L方向依次堆叠第一半导体层10、活性层20及第二半导体层30的层叠体。
发光元件LD可以提供为沿一方向延伸的棒状(即,圆柱体形状)。若将发光元件LD的延伸方向称为长度L方向,则发光元件LD可以沿长度L方向具有一侧端部和另一侧端部。尽管图1示出了柱形状的发光元件,但是根据一实施例的发光元件的种类和/或形状不限于此。
发光元件LD可以是制造为棒状的棒状发光二极管。在本说明书中,所谓“棒状”包括诸如圆柱体或多边柱体等的沿长度L方向较长(即,纵横比(aspect ratio)大于1)的杆状(rod-like shape)或棒状(bar-like shape),并且其截面的形状没有特别的限制。例如,发光元件LD的长度L可以大于其直径D(或者,横截面的宽度)。但是,本发明并不限定于此,根据实施例,发光元件LD也可以具有沿长度L方向较短(即,纵横比小于1)的杆状或棒状等。并且,根据另一实施例,发光元件LD也可以具有长度L和直径D相同的杆状或棒形状等。
发光元件LD可以具有纳米级至微米级程度的小尺寸。发光元件LD中的每一个可以具有在纳米级至微米级范围内的直径D和/或长度L。根据将利用发光元件LD的发光装置用作光源的各种装置(作为一例,显示装置等)的设计条件,发光元件LD的大小可以多样地变更。
第一半导体层10可以包括至少一个n型半导体层。例如,第一半导体层10可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN中的任意一种半导体材料,并且可以包括掺杂有诸如Si、Ge、Sn等的第一导电性掺杂剂的n型半导体层。然而,构成第一半导体层10的物质不限于此,除了上述位置以外,也可以利用多种物质构成第一半导体层10。
活性层20布置在第一半导体层10上,并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。在一实施例中,在活性层20的上部和/或下部还可以形成有掺杂有导电性掺杂剂的覆盖层(未图示)。作为一例,覆盖层可以利用AlGaN层或InAlGaN层形成。根据实施例,AlGaN、InAlGaN等的物质可以用于形成活性层20,并且除了上述物质以外,也可以利用多种物质构成活性层20。
若在发光元件LD的两端施加阈值电压以上的电压,则电子-空穴对在活性层20中结合,从而使发光元件LD发光。通过利用这种原理控制发光元件LD的发光,可以将发光元件LD用作包括显示装置的像素在内的各种发光装置的光源。
第二半导体层30可以布置于活性层20上,并且可以包括与第一半导体层10不同的类型的半导体层。作为一例,第二半导体层30可以包括至少一个p型半导体层。例如,第二半导体层30可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN中的至少一种半导体材料,并且可以包括掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等的第二导电性掺杂剂的p型半导体层。但是,构成第二半导体层30的物质并不限定于此,除此之外,也可以利用各种物质构成第二半导体层30。
在上述实施例中,以第一半导体层10和第二半导体层30分别构成为一个层的情况进行了说明,但本发明并不限定于此。在一实施例中,根据活性层20的物质,第一半导体层10和第二半导体层30中的每一个还可以包括一个以上的层(作为一例,覆盖层和/或拉伸应变屏障减缓(TSBR:Tensile Strain Barrier Reducing)层)。TSBR层可以是布置在晶格结构不同的半导体层之间而起到用于减少晶格常数(lattice constant)差异的缓冲作用的应变(strain)缓冲层。TSBR层可以由诸如p-GaInP、p-AlInP、p-AlGaInP等的p型半导体层构成,但本发明不限于此。
并且,根据实施例,发光元件LD还可以包括在其表面提供的绝缘膜40。绝缘膜40可以以包围活性层20的外周面的方式形成于发光元件LD的表面,并且除此之外还可以包围第一半导体层10和第二半导体层30的一区域。然而,根据实施例,绝缘膜40可以暴露具有彼此不同的极性的发光元件LD的两个端部。例如,绝缘膜40可以不覆盖而暴露在长度L方向上位于发光元件LD的两端的第一半导体层10和第二半导体层30中的每一个的一端(作为一例,圆柱的两个底面(发光元件LD的上部面及下部面))。
若在发光元件LD的表面(尤其,活性层20的表面)设置有绝缘膜40,则能够防止活性层20与未图示的至少一个电极(作为一例,与发光元件LD的两端连接的接触电极中的至少一个接触电极)等短路。据此,可以确保发光元件LD的电稳定性。
并且,发光元件LD通过在其表面包括绝缘膜40,使得发光元件LD的表面缺陷最小化,从而能够提高寿命及效率。并且,若各个发光元件LD包括绝缘膜40,则即使在多个发光元件LD彼此紧密地布置的情况下,也能够防止在发光元件LD之间发生意外的短路。
并且,在一实施例中,发光元件LD可以经表面处理过程而制造。例如,当将多个发光元件LD混合到流动性溶液(或者,溶剂)中并供应至各个发光区域(作为一例,每个像素的发光区域)时,可以对各个发光元件LD进行表面处理,使得发光元件LD可以均匀地分散而不会不均匀地聚集在溶液中。
在一实施例中,发光元件LD除了第一半导体层10、活性层20、第二半导体层30及绝缘膜40之外还可以包括追加的构成要素。例如,发光元件LD可以追加地包括布置于第一半导体层10、活性层20及第二半导体层30的一端侧的一个以上的荧光体层、活性层、半导体层和/或电极。
发光元件LD可以用于包括显示装置在内的需要光源的多种装置。例如,可以在显示装置的各个像素区域中布置至少一个发光元件LD,例如,可以布置分别具有纳米级至微米级尺寸的多个发光元件LD,并且可以利用发光元件LD来构成各个像素的光源(或者,光源单元)。然而,在本发明中,发光元件LD的应用领域不限于显示装置。例如,发光元件LD也可以用于诸如照明装置等的需要光源的其他种类的装置。
以上,参照本发明的优选实施例进行了说明,但只要是本技术领域的熟练的技术人员或本技术领域的具备普通知识的人员将理解本发明在不脱离后述的权利要求书中记载的本发明的思想及技术领域的范围内,可以对本发明进行多种修改及变更。
因此,本发明的技术范围并不限定于说明书的详细说明中记载的内容,而应由权利要求的范围确定。

Claims (10)

1.一种显示装置,包括:
像素,包括发光单元;
数据驱动部,将数据电压供应至所述像素;以及
亮度校正部,校正图像数据而生成与所述数据电压对应的补偿数据,
其中,所述发光单元包括至少一个子元件组,所述至少一个子元件组包括发光元件,
其中,所述亮度校正部根据包括于所述至少一个子元件组的所述发光元件的数量而计算所述至少一个子元件组的劣化值及亮度值,并且利用所述劣化值和所述亮度值来校正所述图像数据而生成所述补偿数据。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述亮度校正部提取根据施加于所述发光元件的子驱动电流的所述劣化值,并反映所述劣化值而计算所述亮度值,所述子驱动电流通过将施加于所述发光单元的驱动电流除以所述发光元件的数量而得到。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,
所述亮度校正部将所述亮度值相加而计算所述像素的当前亮度值,并比较所述当前亮度值和基准亮度值而计算校正亮度值。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中,
所述亮度校正部提取根据所述劣化值的大小、分布的劣化权重值,并将所述劣化权重值反映到所述当前亮度值。
5.如权利要求3所述的显示装置,其中,
所述显示装置还包括:
时序控制部,将从外部供应的图像信号被重新排列而成的所述图像数据供应至所述亮度校正部,
其中,所述亮度校正部将所述校正亮度值反映到所述图像数据而生成所述补偿数据,
所述亮度校正部将所述补偿数据供应至所述数据驱动部。
6.如权利要求2所述的显示装置,其中,
所述像素包括:
第一晶体管,包括与第一电源线连接的第一电极、与所述发光单元的第一电极连接的第二电极以及与第一节点连接的栅极电极;
第二晶体管,包括与数据线连接的第一电极、与所述第一节点连接的第二电极以及与第一扫描线连接的栅极电极;以及
第三晶体管,包括与感测线连接的第一电极、与所述第一晶体管的第二电极连接的第二电极以及与第二扫描线连接的栅极电极,
其中,所述第一晶体管对应于所述第一节点的电压而控制流向所述发光单元的所述驱动电流的电流量。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中,
包括于所述至少一个子元件组的发光元件并联连接,
所述至少一个子元件组包括串联连接的第一子元件组以及第二子元件组。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中,
分别包括于所述第一子元件组和所述第二子元件组的所述发光元件的数量不同,
在所述第一子元件组的发光元件和所述第二子元件组的发光元件流动的子驱动电流的电流量不同。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中,
若所述第一子元件组的发光元件的数量少于所述第二子元件组的发光元件的数量,则在所述第一子元件组的发光元件流动的子驱动电流的电流量大于在所述第二子元件组的发光元件流动的子驱动电流的电流量。
10.一种显示装置的驱动方法,所述显示装置包括分别包含利用发光元件构成的至少一个子元件组的像素,
其中,所述显示装置的驱动方法包括如下步骤:
获取所述至少一个子元件组的发光元件数量;
提取所述至少一个子元件组的劣化值;
反映所述劣化值而计算所述至少一个子元件组的亮度值;
将所述亮度值相加而计算所述像素的当前亮度值;以及
比较所述当前亮度值和基准亮度值而计算校正亮度值。
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