CN115633539B - 一种超导电路及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种超导电路及其制备方法，所述制备方法包括：（1）在衬底上制备钽层；（2）对所述钽层依次经一次钝化处理、光刻‑刻蚀处理以及二次钝化处理，得到超导电路；所述光刻‑刻蚀处理包括依次进行的涂胶、一次烘烤、图形化处理、二次烘烤、等离子体处理、湿法刻蚀以及光阻剥离；所述制备方法采用湿法刻蚀，并结合钝化工艺以及等离子体处理工艺，有效解决了现有技术中干法刻蚀带了的衬底损伤问题，改善了金属图形边缘的平滑程度，减少了器件的二能级损耗，提升了器件的致密性和稳定性，同时金属层坡度可调利于约瑟夫森结的制备。

Description

一种超导电路及其制备方法

技术领域

本发明属于超导芯片技术领域，具体涉及一种超导电路及其制备方法。

背景技术

超导量子计算由于拥有巨大潜在的计算能力而受到广泛研究。实用的超导量子计算机需要能够实行大量的比特门操作，这就需要较长的相干时间。作为超导量子芯片的重要组成部分，超导电路可以用来调控和读取量子比特的状态，也可以对超导量子比特材料质量进行表征，还可以用来研究超导量子比特的退相干机制。在远低于超导临界温度的环境和近单光子的功率时，超导微波谐振器的本征品质因子越高，超导量子比特的相干时间越长。

在毫开尔文的温度及单光子功率下，超导微波谐振器的损耗主要由二能级缺陷(TLS)引起，虽然二能级缺陷的物理机制还在探索中，但有研究表明这些二能级缺陷主要分布在器件的衬底、金属以及空气的界面上，所以提高器件表面的洁净度、平整度、衬底结晶性，以及金属表面的均匀性，金属侧壁的平滑程度有利于提高器件的相干时间。

此外，对于超导量子电路，最重要的器件是约瑟夫森结、以及约瑟夫森结电极与Pad（常规金属接触点）之间电连接。约瑟夫森结电极与Pad的电连接涉及约瑟夫森结电极上、下超导金属层与Pad金属层之间的界面，且由于Pad有一定的厚度，所以还涉及到约瑟夫森结电极镀膜金属在Pad线路边缘的爬坡问题，如果Pad金属边缘太过陡直，镀膜金属将出现断裂，所以控制超导线路图形化膜层边缘的角度也有利于提高器件的成品率。

综上，为了减少二能级缺陷，制备高质量的超导电路，提高器件成品率，优化超导电路的制备方法至关重要。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种超导电路及其制备方法，所述制备方法采用湿法刻蚀，并结合钝化工艺以及等离子体处理工艺，有效解决了现有技术中干法刻蚀带了的衬底损伤问题，改善了金属图形边缘的平滑程度，减少了器件的二能级损耗，提升了器件的致密性和稳定性，同时金属层坡度可调利于约瑟夫森结的制备。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法包括：

（1）在衬底上制备钽层；

（2）对所述钽层依次经一次钝化处理、光刻-刻蚀处理以及二次钝化处理，得到超导电路；

所述光刻-刻蚀处理包括依次进行的涂胶、一次烘烤、图形化处理、二次烘烤、等离子体处理、湿法刻蚀以及光阻剥离。

本发明中，超导电路包括但不限于谐振器、读取馈线、控制线路或pad。

以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。

作为本发明优选的技术方案，步骤（1）所述衬底包括蓝宝石或高阻硅。

步骤（1）所述钽层的制备方式包括磁控溅射或分子束外延。

步骤（1）所述钽层的厚度为70-400nm，例如70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm、200nm、210nm、220nm、230nm、240nm、250nm、300nm、350nm或400nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，使用钽金属膜之前，先采用有机溶剂对金属衬底进行清洗，用于去除金属表面的杂质和有机物，示例性地，包括：先采用丙酮进行清洗，再采用异丙醇进行清洗，清洗后氮气风干。还可以使用紫外线臭氧清洗设备对表面进行清洁，用于去除有机污染物。

为进一步保证衬底的清洗效果，在采用丙酮清洗的过程中，控制温度为40-50℃，同时配合超声处理。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述一次钝化处理的方式包括：采用食人鱼溶液浸泡10min以上。

经所述一次钝化处理后，钽层表面形成氧化钽层。

本发明中，食人鱼溶液由浓硫酸（98wt%）和过氧化氢（30wt%）组成，其中，浓硫酸与过氧化氢的体积比为2:1。采用食人鱼溶液浸泡可去除表面顽固的有机物和金属污染物，同时在钽薄膜表面形成致密的氧化钽层。与钽在自然氧化条件下形成的氧化钽（存在多种价态）相比，经食人鱼溶液处理后几乎均变为纯5价氧化钽，利于提高器件的性能。

在所述一次钝化处理与所述光刻处理之间进行干燥，可以使用热板或者烘箱进行干燥，干燥的温度大于100℃，例如100℃、105℃、110℃、115℃、120℃、125℃、130℃、135℃或140℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明中，通过干燥除去膜层表面的水汽，有利于提高光刻胶与膜层之间的附着力。此外，提高附着力的方法还包括在金属表面熏蒸六甲基二硅氮烷。

作为本发明优选的技术方案，光刻胶的选择包括但不限于AZ1500系列光刻胶。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述一次烘烤的温度为100-120℃，例如100℃、105℃、110℃、112℃、114℃、116℃、118℃或120℃等；时间为45-120s，例如45s、50s、55s、60s、65s、70s、75s、80s、85s、90s、95s、100s、105s、110s、115s或120s等，上述数值的选择并不仅限于所列举的数值，在各自的数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述图形化处理包括依次进行的曝光和显影。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述二次烘烤的温度为130-150℃，例如130℃、135℃、140℃、145℃或150℃等；时间为2-4min，例如2min、2.5min、3min、3.5min或4min等，上述数值的选择并不仅限于所列举的数值，在各自的数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明中，二次烘烤较一次烘烤的温度更高，优选地，控制二次烘烤温度比一次烘烤温度高20-30℃，也可选择商用光刻胶的推荐的烘烤温度。根据光刻胶的具体型号，通过烘烤温度和烘烤时间可进一步改善光刻胶的硬度、附着力和耐腐蚀性，保证后期在刻蚀过程中光刻胶不会局部或者整体脱落，避免腐蚀过程中光刻胶坍塌，对要刻蚀的金属薄膜形成包裹，导致出现刻蚀不彻底、图形边缘毛糙的问题，或者出现钻蚀问题。

作为本发明优选的技术方案，所述等离子体处理包括氧气等离子体处理。

进行氧气等离子体的过程中产生挥发性产物，通过真空泵排出。

本发明进行氧气等离子体处理过程中，形成的氧等离子体和自由基与有机物结合形成挥发性反应产物，这些产物通过泵排出腔室。利用该手段可去除显影后在衬底上残留的多余的有机物，且不会损伤衬底，有利于形成锐利的光刻胶图形边缘，从而保证刻蚀后形成锐利的刻蚀图形。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述湿法刻蚀采用的刻蚀溶液包括硝酸、氢氟酸和水的组合，且硝酸、氢氟酸与水的体积比为1:1:(1-3)，例如1:1:1、1:1:2或1:1:3等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

步骤（2）所述湿法刻蚀的时间15-240s，例如15s、30s、60s、90s、120s、150s、180s、210s或240s等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

步骤（2）所述湿法刻蚀后，钽层侧壁呈倾斜状态，倾斜的角度为30-60°，例如30°、35°、40°、45°、50°、55°或60°等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明中，通过调节刻蚀溶液的配比以及刻蚀时间，在保证刻蚀后的图形边缘锐利的同时，还可对刻蚀后膜层侧壁的倾斜角度进行调整，保证其在30-60°的范围内，避免由于谐振器线路金属边缘太过陡直而产生的约瑟夫森结镀膜金属在爬坡时出现断裂的情况，并且有利于提高器件的成品率。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述光阻剥离的方法包括：依次采用正甲基二吡咯烷酮和异丙醇进行清洗。

优选地，采用正甲基二吡咯烷酮进行浸泡，温度为60-80℃，例如60℃、65℃、70℃、75℃或80℃等；时间为不低于1小时，例如1小时、1.5小时或2小时等，上述数值的选择并不仅限于所列举的数值，在各自的数值范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，采用异丙醇清洗的过程中配合超声处理。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述二次钝化处理的方式包括采用食人鱼溶液浸泡；

经所述二次钝化处理后，钽层表面形成的氧化钽层的厚度为2-4nm，例如2nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm、2.4nm、2.5nm、2.6nm、2.7nm、2.8nm、2.9nm、3nm、3.2nm、3.4nm、3.6nm、3.8nm或4nm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明中，二次钝化工艺可除去光阻剥离过程中残留在器件表面的有机物，同时在强化超导金属层表面的氧化层，形成更加致密的氧化钽层。

第二方面，本发明提供了一种采用第一方面所述的制备方法制备得到的超导电路。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明中所述制备方法以超导金属钽材料为例针对干法刻蚀存在的弊端，采用湿法刻蚀，结合多次钝化工艺以及等离子体处理工艺，提高了器件表面的洁净度，金属层表面的均匀性，调节了金属层侧壁的坡度，改善了金属图形边缘的平滑程度，从而解决了干法刻蚀导致衬底损伤的问题，同时提高了器件的相干时间，以及器件的性能和成品率。

附图说明

图1是本发明实施例1提供的一种超导电路的制备过程中，进行氧气等离子体处理（步骤i）后，光刻胶图形边缘的SEM图。

图2是本发明实施例1提供的一种超导电路的制备过程中，经二次钝化处理（步骤l）后金属钽侧壁形貌的SEM图。

图3是本发明实施例1提供的一种超导电路的制备过程中，经光阻剥离（步骤k）后钽金属与衬底表面的SEM图。

图4是本发明实施例1制备超导电路的过程中，制备经一次钝化处理（步骤c）后，形成的氧化钽层中钽价态的情况图。

图5是本发明实施例2制备超导电路的过程中，制备经自然氧化后，形成的氧化钽层中钽价态的情况图。

图6是本发明实施例3提供的一种超导电路的制备过程中，经湿法刻蚀（步骤j）后光刻胶形成坍塌包裹的光刻胶与衬底界面形貌SEM图。

图7是本发明实施例3提供的一种超导电路的制备过程中，经二次钝化处理（步骤l）后的钽膜刻蚀边缘形貌的SEM图。

图8是本发明对比例1提供的一种超导电路的制备过程中，经二次烘烤（步骤h）后，未进行氧气等离子体处理（步骤i）的光刻胶图形边缘的SEM图。

图9是本发明对比例1提供的一种超导电路的制备过程中，光阻剥离（步骤k）之后的钽膜刻蚀边缘形貌的SEM图。

其中，1-衬底，2-钽层，3-氧化钽层，4-光刻胶。

具体实施方式

为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。

在一个具体实施方式中，本发明提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

a.对衬底1进行清洗，保证衬底1表面的洁净；

b.采用磁控溅射法或分子束外延法在衬底1表面制备厚度为70-250nm的钽层2；

c.采用食人鱼溶液进行一次钝化处理，处理时间不低于10min，其中，食人鱼溶液由浓硫酸(98wt%）和过氧化氢(30wt%)组成，且浓硫酸与过氧化氢的体积比为2:1；

d.在不低于100℃的条件下进行干燥；

e.在氧化钽层3的表面涂布光刻胶4；

f.进行一次烘烤，控制烘烤温度为110-120℃，烘烤时间为45-120s；

g.进行曝光和显影；

h.进行二次烘烤，控制烘烤温度为130-150℃，烘烤时间2-4min；

i.进行氧气等离子体处理，产生挥发性产物，通过真空泵排出；

j.进行湿法刻蚀，刻蚀溶液由硝酸、氢氟酸和水组成，其中硝酸、氢氟酸与水的体积比为1:1:(1-3)，控制时间为15-240s，刻蚀后钽层2的侧壁成倾斜状态，倾斜角度为30-60°；

k.依次采用正甲基二吡咯烷酮和异丙醇进行光阻剥离；

l.采用食人鱼溶液进行二次钝化处理，处理时间不低于10min，控制钽层2表面形成的氧化钽层3的厚度为2-4nm。

以下为本发明典型但非限制性实施例：

实施例1：

本实施例提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法包括：

a.先采用丙酮对衬底1（蓝宝石）进行清洗，清洗过程中控制温度为50℃，同时辅以超声处理；然后采用异丙醇进行清洗，保证衬底1（蓝宝石）表面的洁净；

b.采用磁控溅射法在衬底1（蓝宝石）表面制备厚度为150nm的钽层2；

c.采用食人鱼溶液进行一次钝化处理，处理时间为20min，处理完成后，在钽层2表面形成氧化钽层3；其中，食人鱼溶液由浓硫酸(98wt%）和过氧化氢(30wt%)组成，且浓硫酸与过氧化氢的体积比为2:1；

d.在130℃的条件下进行干燥5min；

e.在氧化钽层3表面涂布光刻胶4（AZ1500型号）；

f.进行一次烘烤，控制烘烤温度为110℃，烘烤时间为1min；

g.进行曝光和显影；

h.进行二次烘烤，控制烘烤温度为130℃，烘烤时间3min；

i.进行氧气等离子体处理，形成的氧等离子体和自由基与有机物结合产生挥发性产物，通过真空泵排出；

j.进行湿法刻蚀，刻蚀溶液由硝酸、氢氟酸和水组成，其中硝酸、氢氟酸与水的体积比为1:1:1.5，控制时间为1min，刻蚀后钽层2的侧壁成倾斜状态，倾斜角度为58°；

k.80℃条件下，在正甲基二吡咯烷酮中浸泡1.2小时，溶解光刻胶；然后采用异丙醇进行超声清洗；

l.采用食人鱼溶液进行二次钝化处理，处理时间为20min，控制钽层2表面形成的氧化钽层3的厚度为2.5nm。

其中，图1展示了进行氧气等离子体处理后，光刻胶图形边缘的SEM图。从图1可以看出，方框区域光刻胶图形边缘到衬底的过度锐利，没有多余的光刻胶残留。

图2展示了经全部工艺流程处理（即步骤l）后钽层侧壁的SEM图。由图2可以看出，钽层金属侧壁角度为58°，适合于双倾角蒸镀约瑟夫森结的金属膜层；不会由于太过陡直而出现镀膜断裂，另外湿法刻蚀不会刻蚀衬底，从而造成更多的能量耗散；

图3展示了经湿法刻蚀并剥离光阻后钽层与衬底表面的SEM图。从图3中可以看出衬底表面和金属钽表面均干净无任何残留，刻蚀图形的边缘比较光滑；

图4展示了一次钝化处理后，形成的氧化钽层中钽价态的情况。从图4中可以看出，采用食人鱼溶液氧化的氧化钽中均为5价状态，有利于提高器件的性能。

实施例2：

本实施例提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法参照实施例1中的制备方法，区别仅在于：步骤c中不采用食人鱼溶液进行一次钝化处理，而是使其置于空气中，进行自然氧化。

图5展示了本实施例中，经自然氧化后，形成的氧化钽层中钽的价态情况。从图5可以看出，自然条件下氧化的氧化钽中包含多种价态，如5价、3价以及2价等。

实施例3：

本实施例提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法参照实施例1中的制备方法，区别仅在于：步骤f的烘烤温度为100°，烘烤时间为1min；步骤h二次烘烤的温度设置为110°，烘烤时间3min。

图6展示了本实施例中经湿法刻蚀（步骤j）后光刻胶形成坍塌包裹和钻蚀刻的SEM图。图7展示了本实施例中经二次钝化处理（步骤l）后去除光刻胶之后的金属钽的SEM图。从图6中可以看出，光刻胶本身不够坚硬，光刻胶底部的金属被刻蚀后光刻胶本身出现了形变，此时的光刻胶不耐腐蚀，随着刻蚀时间增加，可能会出现光刻胶脱落的现象；导致刻蚀失败。另外还可以看出，在图形的边缘处，刻蚀液出现了钻蚀，光刻胶和金属钽之间出现了间隙，不利于形成锐利的图形边缘，从图7中可以看出，金属钽的刻蚀边缘毛糙不平整，部分金属被刻蚀，同时衬底还有部分的金属残留，此两项将造成谐振器的能量损耗，降低谐振器的品质因子。

实施例4：

本实施例提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法包括：

a.先采用丙酮对衬底1（蓝宝石）进行清洗，清洗过程中控制温度为50℃，同时辅以超声处理；然后采用异丙醇进行清洗，保证衬底1（蓝宝石）表面的洁净；

b.采用磁控溅射法在衬底1（蓝宝石）表面制备厚度为70nm的钽层2；

c.采用食人鱼溶液进行一次钝化处理，处理时间为15min，处理完成后，在钽层2表面形成氧化钽层3；其中，食人鱼溶液由浓硫酸(98wt%）和过氧化氢(30wt%)组成，且浓硫酸与过氧化氢的体积比为2:1；

d.在120℃的条件下进行干燥6min；

e.在氧化钽层3表面涂布光刻胶4（AZ1500型号）；

f.进行一次烘烤，控制烘烤温度为115℃，烘烤时间为1min；

g.进行曝光和显影；

h.进行二次烘烤，控制烘烤温度为140℃，烘烤时间2.5min；

i.进行氧气等离子体处理，形成的氧等离子体和自由基与有机物结合产生挥发性产物，通过真空泵排出；

j.进行湿法刻蚀，刻蚀溶液由硝酸、氢氟酸和水组成，其中硝酸、氢氟酸与水的体积比为1:1:3，控制时间为2.5min，刻蚀后钽层2的侧壁成倾斜状态，倾斜角度为30°

k.80℃条件下，在正甲基二吡咯烷酮中浸泡1.5小时，溶解光刻胶；然后采用异丙醇进行超声清洗；

l.采用食人鱼溶液进行二次钝化处理，处理时间为20min，控制钽层2表面形成的氧化钽层3的厚度为2.5nm。

实施例5：

本实施例提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法包括：

a.先采用丙酮对衬底1（蓝宝石）进行清洗，清洗过程中控制温度为50℃，同时辅以超声处理；然后采用异丙醇进行清洗，保证衬底1（蓝宝石）表面的洁净；

b.采用磁控溅射法在衬底1（蓝宝石）表面制备厚度为400nm的钽层2；

c.采用食人鱼溶液进行一次钝化处理，处理时间为25min，处理完成后，在钽层2表面形成氧化钽层3；其中，食人鱼溶液由浓硫酸(98wt%）和过氧化氢(30wt%)组成，且浓硫酸与过氧化氢的体积比为2:1；

d.在120℃的条件下进行干燥5min；

e.在氧化钽层3表面涂布光刻胶4（AZ1500型号）；

f.进行一次烘烤，控制烘烤温度为115℃，烘烤时间为1min；

g.进行曝光和显影；

h.进行二次烘烤，控制烘烤温度为130℃，烘烤时间3min；

i.进行氧气等离子体处理，形成的氧等离子体和自由基与有机物结合产生挥发性产物，通过真空泵排出；

j.进行湿法刻蚀，刻蚀溶液由硝酸、氢氟酸和水组成，其中硝酸、氢氟酸与水的体积比为1:1:1，控制时间为30s，刻蚀后钽层2的侧壁成倾斜状态，倾斜角度为45°；

k.80℃条件下，在正甲基二吡咯烷酮中浸泡1.5小时，溶解光刻胶；然后采用异丙醇进行超声清洗；

l.采用食人鱼溶液进行二次钝化处理，处理时间为25min，控制钽层2表面形成的氧化钽层3的厚度为4nm。

对比例1：

本对比例提供了一种超导电路的制备方法，所述制备方法参照实施例1中的制备方法，区别仅在于：不进行步骤i的氧气等离子体处理，即二次烘烤后直接进行湿法刻蚀。

图8展示了本对比例经二次烘烤后，未进行氧气等离子体处理的光刻胶图形边缘的SEM图。从图8可以看出，方框区域在衬底上有少量的光刻胶残留，在刻蚀时候将对其下方的金属钽形成保护作用，形成多余的金属残留。

图9展示了本对比例未进行氧气等离子体处理的情况下，经湿法刻蚀并剥离光阻后钽金属线条边缘的SEM图。从图9可以看出，金属线条刻蚀不彻底，线条边缘粗糙。

综合上述实施例和对比例可以看出，本发明中所述制备方法针对干法刻蚀存在的弊端，采用湿法刻蚀，结合多次钝化工艺以及等离子体处理工艺，提高了器件表面的洁净度，金属层表面的均匀性，调节了金属层侧壁的坡度，改善了金属图形边缘的平滑程度，从而解决了干法刻蚀导致衬底损伤的问题，同时提高了器件的相干时间，以及器件的性能和成品率。

本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明操作的等效替换及辅助操作的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种超导电路的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）在衬底上制备钽层；

（2）对所述钽层依次经一次钝化处理、光刻-刻蚀处理以及二次钝化处理，得到超导电路；

所述光刻-刻蚀处理包括依次进行的涂胶、一次烘烤、图形化处理、二次烘烤、等离子体处理、湿法刻蚀以及光阻剥离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述衬底包括蓝宝石或高阻硅；

步骤（1）所述钽层的制备方式包括磁控溅射或分子束外延；

步骤（1）所述钽层的厚度为70-400nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述一次钝化处理前进行有机溶液处理；

步骤（2）所述一次钝化处理的方式包括：采用食人鱼溶液浸泡10min以上；

经所述一次钝化处理后，钽层表面形成氧化钽层；

在所述一次钝化处理与所述光刻-刻蚀处理之间进行干燥，干燥的温度大于100℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述一次烘烤的温度为100-120℃，时间为45-120s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述图形化处理包括依次进行的曝光和显影。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述二次烘烤的温度为130-150℃，时间为2-4min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体处理包括氧气等离子体处理。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述湿法刻蚀的时间为15-240s；

步骤（2）所述湿法刻蚀采用的刻蚀溶液包括硝酸、氢氟酸和水的组合，且体积比为1:1:(1-3)；

步骤（2）所述湿法刻蚀后，钽层侧壁呈倾斜状态，倾斜的角度为30-60°。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述二次钝化处理的方式包括采用食人鱼溶液浸泡；

经所述二次钝化处理后，钽层表面形成的氧化钽层的厚度为2-4nm。

10.一种超导电路，其特征在于，所述超导电路采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。

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