CN115632612A - 一种低交调混频器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种低交调混频器。该低交调混频器包括：本振匹配单元、阻性变频单元、巴伦线圈、两个谐振单元、中频匹配单元和射频匹配单元；阻性变频单元包括pHEMT模块，pHEMT模块包括pHEMT管和第一电阻，pHEMT管栅极连接本振匹配单元的输出端，pHEMT管源极接地，当栅压低于开启电压时，pHEMT管不导通；当栅压不低于开启电压时，pHEMT管有线性导通特性；第一电阻的第一端与pHEMT管栅极连接，第一电阻的第二端接地。本发明能够实现较好的交调特性。提高了混频器电路的线性度，从而获得了宽本振功率动态范围，并获得了较小的变频损耗。

Description

一种低交调混频器

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种低交调混频器。

背景技术

随着社会的发展，通信在人们的工作和生活中起着越来越重要的作用。在无线电通信领域，通信产品质量的优劣取决于射频通信硬件的设计和实现方法。混频器是射频通信硬件的关键器件，其性能的好坏将直接影响整个系统的性能。

经发明人研究发现，现有的混频器大多由非线性元件来实现的，但是只采用非线性器件去完成混频操作，就不可避免的会产生相对较高的非线性失真和交调失真等问题，会造成混频器的线性度较低，变频损耗也会较大，影响系统的整体性能。

发明内容

本发明实施例提供了一种低交调混频器，以解决混频器线性度低、变频损耗高的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种低交调混频器，包括：

本振匹配单元、阻性变频单元、巴伦线圈、两个谐振单元、中频匹配单元和射频匹配单元；

所述本振匹配单元的输入端用于接收本振信号，所述中频匹配单元的输入端用于接收或发射中频信号，所述射频匹配单元的输入端用于发射或接收射频信号；

所述阻性变频单元包括pHEMT模块，所述pHEMT模块包括pHEMT管和第一电阻，所述pHEMT管栅极连接所述本振匹配单元的输出端，所述pHEMT管源极接地，当所述栅压低于开启电压时，所述pHEMT管不导通；当所述栅压不低于开启电压时，所述pHEMT管有线性导通特性；所述第一电阻的第一端与所述pHEMT管栅极连接，所述第一电阻的第二端接地；

所述巴伦线圈包括第一端口、第二端口、第三端口和第四端口，用于抽取或输入中频频率和射频频率；所述第一端口连接所述阻性变频单元的漏极，所述第二端口连接所述中频匹配单元的输出端，所述第三端口连接所述射频匹配单元的输出端；所述第四端口接地；

所述两个谐振单元中的一个连接所述阻性变频单元的漏极，所述两个谐振单元中的另一个连接所述巴伦线圈的第三端口。

在一种可能的实现方式中，所述本振匹配单元的输入端为所述低交调混频器的本振端口；所述中频匹配单元的输入端为所述低交调混频器的中频端口；所述射频匹配单元的输入端为所述低交调混频器的射频端口。

在一种可能的实现方式中，所述本振匹配单元包括：第一电感、第二电阻和电容模块；

所述第一电感的第一端连接所述本振匹配单元的输入端；

所述第二电阻的第一端连接所述第一电感的第一端，所述第二电阻的第二端接地；

所述电容模块的第一端连接所述第一电感的第二端，所述电容模块的第二端为所述本振匹配单元的输出端。

在一种可能的实现方式中，所述本振匹配单元包括：第二电感、第一电容、第三电阻和电容模块；

所述第二电感的第一端连接所述本振匹配单元的输入端；

所述第一电容的第一端连接所述第二电感的第一端；

所述第三电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述第三电阻的第二端接地；

所述电容模块的第一端连接所述第二电感的第二端，所述电容模块的第二端为所述本振匹配单元的输出端。

在一种可能的实现方式中，所述本振匹配单元包括：第三电感、第四电感和电容模块；

所述第三电感的第一端连接所述本振匹配单元的输入端；

所述第四电感的第一端连接所述第三电感的第一端；所述第四电感的第二端接地；

所述电容模块的第一端连接所述第三电感的第二端，所述电容模块的第二端为所述本振匹配单元的输出端。

在一种可能的实现方式中，所述电容模块包括若干个匹配电容，所述匹配电容的数量与所述pHEMT模块所包括的pHEMT管的数量一致，且一一对应连接。

在一种可能的实现方式中，所述阻性变频单元包括两个以上的pHEMT模块，各pHEMT模块串联连接，每个pHEMT模块的pHEMT管的栅极均连接至与该pHEMT管对应的匹配电容。

在一种可能的实现方式中，所述巴伦线圈包括初级电感线圈和次级电感线圈；

所述初级电感线圈的第一抽头连接所述第一端口，所述初级电感线圈的第二抽头连接所述第二端口；

所述次级电感线圈的第一抽头连接所述第三端口，所述次级电感线圈的第二抽头连接所述第四端口；

所述初级电感线圈采用多圈金属走线绕成方形，在所述初级电感线圈中心通过下层走线抽头引出；所述次级电感线圈在所述初级电感线圈之间的缝隙中盘绕，在所述次级电感线圈中心通过下层走线抽头引出。

在一种可能的实现方式中，所述巴伦线圈还包括第二电容；

所述第二电容的第一端连接所述初级电感线圈的第一抽头；

所述第二电容的第二端连接所述初级电感线圈的第二抽头。

在一种可能的实现方式中，所述谐振单元包括串联谐振网络或并联谐振网络。

本发明实施例提供的低交调混频器的有益效果在于：本发明采用无源阻性混频器结构，本振端口注入的信号可以改变砷化镓pHEMT管栅极势垒层的耗尽深度，从而改变栅极下方沟道电子浓度，进而影响pHEMT管的电阻。因此pHEMT管的沟道电阻被本振信号调制。当在漏极注入电压信号后，产生的反射信号也会被沟道电阻调制，进而产生混频信号。由于调制过程产生的交调信号较低，因此可以实现较好的交调特性。提高了混频器电路的线性度，从而获得了宽本振功率动态范围，并获得了较小的变频损耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中地附图仅仅是本发明地一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动地前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的一个实施例提供的低交调混频器的结构示意图；

图2为本发明的一个实施例提供的低交调混频器的收发互易说明框图；

图3中(a)(b)(c)是本发明的一个实施例提供的低交调混频器的阻性变频单元的三个电路原理图；

图4中(a)(b)(c)是本发明的一个实施例提供的低交调混频器的本振匹配单元的三个电路原理图；

图5中(a)(b)是本发明的一个实施例提供的低交调混频器的巴伦线圈的两个具体实现图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本方案，下面将结合本方案实施例中的附图，对本方案实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本方案一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本方案保护的范围。

本方案的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他任何变形，是指“包括但不限于”，意图在于覆盖不排他的包含，并不仅限于文中列举的示例。此外，术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图通过具体实施例来进行说明。

以下结合具体附图对本发明的实现进行详细的描述：

图1为本发明实施例提供的一种低交调混频器的结构示意图。参照图1，该低交调混频器包括本振匹配单元110、阻性变频单元120、巴伦线圈130、两个谐振单元140、中频匹配单元150和射频匹配单元160；

本振匹配单元110的输入端用于接收本振信号，中频匹配单元150的输入端用于接收或发射中频信号，射频匹配单元160的输入端用于发射或接收射频信号。

在一种可能的实现方式中，图2为本发明的一个实施例提供的低交调混频器的收发互易说明框图；本振匹配单元110的输入端为低交调混频器的本振端口；中频匹配单元150的输入端为低交调混频器的中频端口；射频匹配单元160的输入端为低交调混频器的射频端口。

在本实施例中，混频器电路有两种工作模式：上变频模式和下变频模式。上变频模式，中频端口注入的中频信号，频率为IF，与本振端口注入本振信号LO进行混频处理，在射频端口可以得到上变频的射频信号，工作频段为LO±IF。下变频模式，射频端口注入的射频信号，频率为RF，与本振端口注入本振信号LO进行混频处理，在中频端口可以得到下变频的中频信号，工作频段为RF±LO。这可以实现上下变频互易的功能。

具体地，当混频器电路处于上变频模式，本振信号从本振端口输入，被本振匹配单元接收；中频信号从中频端口输入，被中频匹配单元接收；在混频器电路中混频，射频匹配单元接收到上变频的射频信号，并从射频端口输出。

具体地，当混频器电路处于下变频模式，本振信号从本振端口输入，被本振匹配单元接收；射频信号从射频端口输入，被射频匹配单元接收；在混频器电路中完成混频，中频匹配单元接收到下变频的中频信号，并从中频端口输出。

阻性变频单元120包括pHEMT模块，参照图3(a)，pHEMT模块包括pHEMT管E1和第一电阻R1，pHEMT管E1栅极G连接本振匹配单元110的输出端，pHEMT管源极接地，当栅压低于开启电压时，pHEMT管不导通；当栅压不低于开启电压时，pHEMT管有线性导通特性；第一电阻的第一端与pHEMT管栅极连接，第一电阻的第二端接地；

在本实施例中，当pHEMT管的漏源电压较低时，pHEMT管的沟道就可以很好地近似为一个线性电阻，而当超过某个值时就会表现出强烈的非线性，而通常情况下线性沟道的电阻都是由栅极上的本振电压来调制的。

在本实施例中，pHEMT管栅极G连接本振匹配单元110的输出端，pHEMT管源极接地，当栅压低于开启电压时，pHEMT管不导通；当栅压不低于开启电压时，pHEMT管有线性导通特性；第一电阻的第一端与pHEMT管栅极连接，第一电阻的第二端接地；因为栅压的变化可以改变栅下耗尽区的深度，从而改变沟道电阻的值。当栅压低于开启电压V_t时，沟道电阻很大相当于开路；当栅压超过V_t时，沟道电阻就会将为几个欧姆，从而可以很好地近似为一个线性电阻。

在本实施例中，器件E1可以采用砷化镓D-pHEMT管，通过改变砷化镓D-pHEMT管栅极和源极、栅极和漏极之间的电势差，使源极与漏极之间呈现低阻态或高阻态，从而控制通路的通断。当砷化镓D-pHEMT管栅极与源极之间的电位差V_gs≥V_t，砷化镓D-pHEMT管导通；当砷化镓D-pHEMT管栅极与源极之间的电位差V_gs<V_t，砷化镓D-pHEMT管关断。所以在实施例中管子的栅极通过一个电阻R1接到了地上，使得D-pHEMT管的栅源电压V_gs满足大于开启电压，此时可以将管子E1近似为一个线性电阻。采用D-pHEMT管子的优点在于，无需额外的偏置电路，简化了电路结构，无源电路，不会引入额外的功耗。

巴伦线圈130包括第一端口、第二端口、第三端口和第四端口，用于抽取或输入中频频率和射频频率；第一端口连接阻性变频单元120的漏极D，第二端口连接中频匹配单元150的输出端，第三端口连接射频匹配单元160的输出端；第四端口接地；

两个谐振单元中的一个140连接阻性变频单元120的漏极D，两个谐振单元中的另一个140连接巴伦线圈130的第三端口。

在本实施例中，当混频器处于上变频工作模式，混频器电路将从本振端口和中频端口的注入的本振信号和中频信号进行混频处理，再从射频端口得到上变频的射频信号。在混频器电路内部的信号混频过程如下：从本振端口注入本振信号，从中频端口注入中频信号；本振匹配单元110接收到本振信号，与本振信号产生谐振，将本振信号传输给阻性混频单元120；当满足要求时，阻性变频单元相当于线性单元；中频匹配单元150将接收到的中频信号传输给巴伦线圈130；当阻性混频单元的pHEMT管的漏极接收到中频信号时，会被沟道电阻调制，进而产生混频信号，阻性变频单元120将处理的信号传输给巴伦线圈130；本振信号和中频信号完成混频；混频信号与谐振单元140产生谐振，对杂散信号抑制；从射频端口得到上变频的射频信号。

在本实施例中，当混频器处于下变频工作模式，混频器电路将从本振端口和射频端口的注入的本振信号和射频信号进行混频处理，再从中频端口得到下变频的中频信号。在混频器电路内部的信号混频过程如下：从本振端口注入本振信号，从射频端口注入射频信号；本振匹配单元110接收到本振信号，与本振信号产生谐振，将本振信号传输给阻性混频单元120；当满足一定要求时，阻性变频单元相当于线性单元；射频匹配单元160将接收到的射频信号传输给巴伦线圈130；当阻性混频单元的pHEMT管的漏极接收到射频信号时，会被沟道电阻调制，进而产生混频信号；阻性变频单元120将处理的信号传输给巴伦线圈130；混频信号与谐振单元140产生谐振，对杂散信号抑制；从中频端口得到下变频的中频信号。

在一种可能的实现方式中，图4(a)是本发明的一个实施例提供的低交调混频器的本振匹配单元的电路原理图，参照图4(a)，本振匹配单元110包括：第一电感L1、第二电阻R1和电容模块410；第一电感L1的第一端连接本振匹配单元110的输入端；第二电阻R2的第一端连接第一电感L1的第一端，第二电阻R2的第二端接地；电容模块410的第一端连接第一电感L1的第二端，电容模块410的第二端为本振匹配单元110的输出端。

在本实施例中，通过调节电路中采用的RLC网络的改变电阻值、电容值和电感值的至少一个值，来使得电路匹配到混频器电路工作的本振的频点；同时本实施例中的本振匹配单元110的第二电阻R2接地，保证了本振端口的抗静电能力。

在一种可能的实现方式中，参照图4(b)，本振匹配单元110包括：第二电感L2、第一电容C1、第三电阻R3和电容模块410；第二电感L2的第一端连接所述本振匹配单元110的输入端；第一电容C1的第一端连接第二电感L2的第一端；第三电阻R3的第一端连接第一电容C1的第二端，第三电阻R3的第二端接地；电容模块410的第一端连接第二电感L2的第二端，电容模块410的第二端为本振匹配单元110的输出端。

在一种可能的实现方式中，参照图4(c)，本振匹配单元110包括：第三电感L3、第四电感L4和电容模块410；第三电感L3的第一端连接本振匹配单元110的输入端；第四电感L4的第一端连接第三电感L3的第一端；第四电感L4的第二端接地；电容模块410的输入端连接第三电感L3的第二端，电容模块410的第二端为本振匹配单元110的输出端。

在本实施例中，本振匹配单元110用于本振端口阻抗匹配，对于本振信号的注入起到关键作用，通过调节LC或RLC网络的电容值、电感值或电阻值，与本振的工作频点产生谐振，使得电路匹配到混频器电路工作的本振的频点。良好的本振匹配电路可以有效的提升注入信号的摆幅，输入信号的摆幅直接影响了阻性变频单元120的pHEMT管的导通特性，即pHEMT管的沟道电阻，进而改善混频的损耗和提升输出1dB压缩点，所以在给定的本振功率值，通过调整本振匹配单元可以有效提升混频器性能。

在一种可能的实现方式中，电容模块410包括若干个匹配电容，匹配电容的数量与pHEMT模块所包括的pHEMT管的数量一致，且一一对应连接。

在本实施例中，电容模块的匹配电容的数量和阻性变频单元的pHEMT模块的数量是一一对应的。每个匹配电容的第二端和对应的pHEMT管的栅极连接。

在一种可能的实现方式中，图4(b)、4(c)是本发明实施例提供的一种低交调混频器的变频单元电路原理图，参考图4(b)、4(c)，阻性变频单元130包括两个以上的pHEMT模块，各pHEMT模块串联连接，每个pHEMT模块的pHEMT管的栅极均连接至与该pHEMT管对应的匹配电容。

在本实施例中，阻性变频单元120为混频器电路的核心变频部分，该结构由pHEMT管实现，pHEMT管的栅极连接本振匹配单元110，源极接地，漏极D连接巴伦线圈130的第一端口。通过调整pHEMT管的栅宽大小(维持合理的阻抗)，串联pHEMT管数量，参照图4(b)、4(c)，可以改变混频器电路的变频损耗和输出1dB压缩点等指标。

在一种可能的实现方式中，图5(a)是本发明的一个实施例提供的低交调混频器的巴伦线圈的具体实现图，参照图5(a)，巴伦线圈130包括初级电感线圈和次级电感线圈；初级电感线圈的第一抽头P1连接第一端口，初级电感线圈的第二抽头N1连接第二端口；次级电感线圈的第一抽头P2连接第三端口，次级电感线圈的第二抽头N2连接第四端口；

初级电感线圈采用多圈金属走线绕成方形，在初级电感线圈中心通过下层走线抽头引出；次级电感线圈在初级电感线圈之间的缝隙中盘绕，在次级电感线圈中心通过下层走线抽头引出。

在本实施例中，巴伦线圈P1、N1为初级电感线圈，P2、N2为次级电感线圈，初级和次级电感线圈通过片上金属走线加工制作，初级次级线圈走线相互紧密缠绕，以提升两级之间的耦合系数。

在本实施例中，巴伦线圈130使用片上金属走线加工制作，初级电感线圈采用多圈顶层厚金属走线绕成方形，并在线圈中心通过下层走线抽头引出，次级线圈在初级线圈之间的缝隙中盘绕，在线圈中心通过下层走线抽头引出。初级次级线圈走线相互紧密缠绕，从而提升初级次级之间的耦合系数。巴伦线圈的初级线圈和次级线圈分别连接到混频器电路的中频匹配单元和射频匹配单元，用于抽取或输入中频频率和射频频率。

在一种可能的实现方式中，巴伦线圈130还包括第二电容C2；

第二电容C2的第一端连接初级电感线圈的第一抽头P1；第二电容C2的第二端连接初级电感线圈的第二抽头N1。

在本实施例中，巴伦线圈130的P1和N1抽头中间并联了一个电容C2，如图5(b)所示。通过调整电容C2的电容值与巴伦线圈P1和N1之间的电感值L_P形成一个谐振网络，可以改变中频和射频端口的匹配特性，同时可以影响混频器电路的变频损耗和线性能力。所以需要选择合适的电容值，使混频器电路的变频损耗和线性达到最优值。

谐振频率的计算公式如下：

在一种可能的实现方式中，谐振单元140包括串联谐振网络或并联谐振网络。

在本实施例中，串联谐振网络是由一个电容和一个电感串联构成的，电容接地。

在本实施例中，并联谐振网络是由一个电容和一个电感并联构成的，并联后接地。

在本实施例中，谐振单元由LC谐振网络组成。LC谐振网络可以采用串联谐振网络，或者并联谐振网络，通过调整谐振网络中的电感值L、电容值C，可以改变混频信号在不同频段上的阻抗值，从而改善射频端口、中频端口对杂散信号的抑制和交调特性。

在本实施例中，中频匹配单元150连接到巴伦线圈的第二端口与中频端口，用于中频信号阻抗匹配，内部由片上电容、电感组成的无源匹配网络构成；中频匹配单元采用了LC网络中频端口匹配到中频频率。

在本实施例中，射频匹配单元160连接到巴伦线圈的第三端口与射频端口，用于射频信号阻抗匹配，内部由片上电容、电感组成的无源匹配网络构成；射频匹配单元采用了LC网络射频端口匹配到射频频率。

本发明实施例提供的低交调混频器的有益效果在于：本发明采用无源阻性混频器结构，本振端口注入的信号可以改变砷化镓pHEMT管栅极势垒层的耗尽深度，从而改变栅极下方沟道电子浓度，进而影响pHEMT管的电阻。因此pHEMT管的沟道电阻被本振信号调制。当在漏极注入电压信号后，产生的反射信号也会被沟道电阻调制，进而产生混频信号。由于调制过程产生的交调信号较低，因此可以实现较好的交调特性。提高了混频器电路的线性度，从而获得了宽本振功率动态范围，并获得了较小的变频损耗。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种低交调混频器，其特征在于，包括：本振匹配单元、阻性变频单元、巴伦线圈、两个谐振单元、中频匹配单元和射频匹配单元；

所述本振匹配单元的输入端用于接收本振信号，所述中频匹配单元的输入端用于接收或发射中频信号，所述射频匹配单元的输入端用于发射或接收射频信号；

所述阻性变频单元包括pHEMT模块，所述pHEMT模块包括pHEMT管和第一电阻，所述pHEMT管栅极连接所述本振匹配单元的输出端，所述pHEMT管源极接地，当所述栅压低于开启电压时，所述pHEMT管不导通；当所述栅压不低于开启电压时，所述pHEMT管有线性导通特性；所述第一电阻的第一端与所述pHEMT管栅极连接，所述第一电阻的第二端接地；

所述巴伦线圈包括第一端口、第二端口、第三端口和第四端口，用于抽取或输入中频频率和射频频率；所述第一端口连接所述阻性变频单元的漏极，所述第二端口连接所述中频匹配单元的输出端，所述第三端口连接所述射频匹配单元的输出端；所述第四端口接地；

所述两个谐振单元中的一个连接所述阻性变频单元的漏极，所述两个谐振单元中的另一个连接所述巴伦线圈的第三端口。

2.如权利要求1所述的低交调混频器，其特征在于，包括：

所述本振匹配单元的输入端为所述低交调混频器的本振端口；

所述中频匹配单元的输入端为所述低交调混频器的中频端口；

所述射频匹配单元的输入端为所述低交调混频器的射频端口。

3.如权利要求1所述的低交调混频器，其特征在于，所述本振匹配单元包括：第一电感、第二电阻和电容模块；

所述第一电感的第一端连接所述本振匹配单元的输入端；

所述第二电阻的第一端连接所述第一电感的第一端，所述第二电阻的第二端接地；

所述电容模块的第一端连接所述第一电感的第二端，所述电容模块的第二端为所述本振匹配单元的输出端。

4.如权利要求1所述的低交调混频器，其特征在于，所述本振匹配单元包括：第二电感、第一电容、第三电阻和电容模块；

所述第二电感的第一端连接所述本振匹配单元的输入端；

所述第一电容的第一端连接所述第二电感的第一端；

所述第三电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述第三电阻的第二端接地；

所述电容模块的第一端连接所述第二电感的第二端，所述电容模块的第二端为所述本振匹配单元的输出端。

5.如权利要求1所述的低交调混频器，其特征在于，所述本振匹配单元包括：第三电感、第四电感和电容模块；

所述第三电感的第一端连接所述本振匹配单元的输入端；

所述第四电感的第一端连接所述第三电感的第一端；所述第四电感的第二端接地；

所述电容模块的第一端连接所述第三电感的第二端，所述电容模块的第二端为所述本振匹配单元的输出端。

6.如权利要求3至5中任一项所述的低交调混频器，其特征在于，所述电容模块包括若干个匹配电容，所述匹配电容的数量与所述pHEMT模块所包括的pHEMT管的数量一致，且一一对应连接。

7.如权利要求6所述的低交调混频器，其特征在于，所述阻性变频单元包括两个以上的pHEMT模块，各pHEMT模块串联连接，每个pHEMT模块的pHEMT管的栅极均连接至与该pHEMT管对应的匹配电容。

8.如权利要求1所述的低交调混频器，其特征在于，所述巴伦线圈包括初级电感线圈和次级电感线圈；

所述初级电感线圈的第一抽头连接所述第一端口，所述初级电感线圈的第二抽头连接所述第二端口；

所述次级电感线圈的第一抽头连接所述第三端口，所述次级电感线圈的第二抽头连接所述第四端口；

所述初级电感线圈采用多圈金属走线绕成方形，在所述初级电感线圈中心通过下层走线抽头引出；所述次级电感线圈在所述初级电感线圈之间的缝隙中盘绕，在所述次级电感线圈中心通过下层走线抽头引出。

9.如权利要求8所述的低交调混频器，其特征在于，所述巴伦线圈还包括第二电容；

所述第二电容的第一端连接所述初级电感线圈的第一抽头；

所述第二电容的第二端连接所述初级电感线圈的第二抽头。

10.如权利要求1所述的低交调混频器，其特征在于，所述谐振单元包括串联谐振网络或并联谐振网络。

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