CN115621142A - 测量图的配置方法及装置 - Google Patents

测量图的配置方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115621142A
CN115621142A CN202110792151.5A CN202110792151A CN115621142A CN 115621142 A CN115621142 A CN 115621142A CN 202110792151 A CN202110792151 A CN 202110792151A CN 115621142 A CN115621142 A CN 115621142A
Authority
CN
China
Prior art keywords
marks
detection result
target detection
detection
detection marks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110792151.5A
Other languages
English (en)
Inventor
黄仁洲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202110792151.5A priority Critical patent/CN115621142A/zh
Priority to PCT/CN2021/120357 priority patent/WO2023284120A1/zh
Priority to US17/673,258 priority patent/US20230013886A1/en
Publication of CN115621142A publication Critical patent/CN115621142A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本申请提供一种测量图的配置方法及装置，根据预设规则从初始测量位置中选择目标检测标记得到测量图，所确定的测量图既能够满足测量的全面性、又能够减少量测量。

Description

测量图的配置方法及装置
技术领域
本申请实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测量图的配置方法及装置。
背景技术
为了对晶圆上不同层的套刻精度进行测量，可以通过设计全图(Full Map)的测量图，根据测量图量测晶圆上所有曝光区域内的所有检测标记，但全图的量测会耗费大量量测机台时间，造成产能下降。或者，还可以在晶圆表面的多个曝光区域内的不同候选测量位置随机选择一部分检测标记作为测量图，但所选择的测量位置不能覆盖所有的多个曝光区域，影响套刻精度测量的全面性。
因此，如何确定够满足测量的全面性、又能够减少量测量的测量图，是本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种测量图的配置方法及装置，用于确定对晶圆的套刻精度进行测量时所使用的测量图，使得测量图既能够满足测量的全面性、又能够减少量测量。
本申请实施例第一方面提供一种测量图的配置方法，包括：提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果；利用预设规则设定第二预设数量的所述初始检测标记作为目标检测标记，所述第二预设数量小于所述第一预设数量；根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配；根据所述目标检测标记设置测量图。
在其中一个实施例中，所述待检测晶圆包括多个重复的曝光单元；所述初始检测标记位于所述曝光单元内，且位于不同所述曝光单元中的所述初始检测标记的位置一一对应相同。
在其中一个实施例中，所述预设规则包括：位于不同所述曝光单元内相同位置的所述目标测标记的数量之和相同；或者，位于不同所述曝光单元内任意两个位置的所述目标检测标记的数量之和相差第一数量阈值。
在其中一个实施例中，所述预设规则还包括：存在所述目标检测标记的所述曝光单元中，任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相同；或者，存在所述目标检测标记的所述曝光单元中，任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相差第二数量阈值。
在其中一个实施例中，所述预设规则还包括：所述目标检测标记包括所述曝光单元内距离最长的两个所述初始检测标记。
在其中一个实施例中，所述预设规则还包括：所述目标检测标记包括所述曝光单元中形成三角形面积最大的三个所述初始检测标记。
在其中一个实施例中，所述根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得且所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配的步骤，还包括：当所述第二检测结果不与所述第一检测结果相匹配时，重新按照所述预设规则重新设置目标检测标记的数量和/或位置。
在其中一个实施例中，所述提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果，包括：根据所述待检测晶圆上的所有所述初始检测标记获取第一检测结果。
在其中一个实施例中，所述根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配，包括：根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相差0～1nm。
本申请实施例第二方面提供一种测量图的配置装置，可用于执行如本申请第一方面提供的测量图的配置方法，该装置包括：第一检测结果获取模块，用于提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果；确定模块，用于利用预设规则设定第二预设数量的所述初始检测标记作为目标检测标记，所述第二预设数量小于所述第一预设数量；第二检测结果获取模块，根据所述目标检测标记获取第二检测结果；匹配模块，用于使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配；设置模块，用于根据所述目标检测标记设置测量图。
在其中一个实施例中，所述待检测晶圆包括多个重复的曝光单元；所述初始检测标记位于所述曝光单元内，且位于不同所述曝光单元中的所述初始检测标记的位置一一对应相同。
在其中一个实施例中，所述预设规则包括：位于不同所述曝光单元内相同位置的所述目标测标记的数量之和相同；或者，位于不同所述曝光单元内任意两个位置的所述目标检测标记的数量之和相差第一数量阈值。
在其中一个实施例中，所述预设规则还包括：任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相同；或者，任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相差第二数量阈值。
在其中一个实施例中，所述预设规则还包括：所述目标检测标记包括所述曝光单元内距离最长的两个所述初始检测标记。
在其中一个实施例中，所述预设规则还包括：所述目标检测标记包括所述曝光单元中形成三角形面积最大的三个所述初始检测标记。
在其中一个实施例中，所述确定模块还用于，当所述匹配模块确定第二检测结果不与所述第一检测结果相匹配时，重新按照所述预设规则重新设置目标检测标记的数量和/或位置。
在其中一个实施例中，所述第一检测结果获取模块具体用于，根据所述待检测晶圆上的所有所述初始检测标记获取第一检测结果。
在其中一个实施例中，所述匹配模块具体用于，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相差0～1nm。
本申请实施例提供的测量图的配置方法及装置，根据预设规则从初始测量位置中选择目标检测标记得到测量图，与全图测量图相比检测标记的数量更少，能够减少在对晶圆进行套刻精度检测时所需的量测量、提高套刻精度的测量效率，同时，由于所选取的目标检测标记也能够在晶圆上较均匀、分散的排列，能够较好的代表全图测量图的量测结果。本申请实施例所确定的对晶圆的套刻精度进行测量时所使用的测量图，既能够满足测量的全面性、又能够减少量测量，提高量测设备产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的测量图的配置方法的流程图；
图2为本申请一实施例提供的第一预设数量的初始检测标记的测量图；
图3为本申请一实施例提供的一种预设规则的示意图；
图4为本申请又一实施例提供的一种预设规则的示意图；
图5为本申请另一实施例提供的一种预设规则的示意图；
图6为本申请实施例提供的测量图的示意图；
图7为本申请另一实施例提供的测量图的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本申请实施例提供一种测量图的配置方法及装置，用于确定对晶圆的套刻精度进行测量时所使用的测量图，使得测量图既能够满足测量的全面性、又能够减少量测量，提高量测设备产能。下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
图1为本申请一实施例提供的测量图的配置方法的流程图，如图1所示的测量图的配置方法包括：
S101：提供待检测晶圆，并根据待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果。
示例的，图2为本申请一实施例提供的第一预设数量的初始检测标记的测量图。为了对待检测晶圆10的套刻精度进行全面准确的检测，可以选择待检测晶圆10上所有初始检测标记201进行量测。例如，在图2所示的测量图中，待检测晶圆10上包括多个重复的曝光单元20，每个曝光单元20中形成的初始检测标记的位置一一对应相同，均在其四个顶点、上边中点、下边中点以及中部等位置设置有共16个初始检测标记。例如，可以在光掩模版上设计16个初始检测标记，分别对应曝光单元20上的16个初始检测标记。利用光掩模版图对待曝光的晶圆进行曝光得到待检测晶圆，在待检测晶圆上形成多个重复的曝光单元20，且位于不同曝光单元20中的16个初始检测标记的位置一一对应相同。
第一预设数量的初始检测标记可以包括位于待检测晶圆10边缘区域的曝光单元20位于待检测晶圆10上的初始检测标记201以及位于待检测晶圆10内部区域的曝光单元20中的所有的初始待检测标记201。位于待检测晶圆10边缘区域的曝光单元20可以理解为与待检测晶圆10的边缘相交的曝光单元，位于待检测晶圆10边缘区域的曝光单元20只有部分区域位于待检测晶圆10上；位于待检测晶圆10内部区域的曝光单元20可以理解为曝光单元20的全部区域位于待检测晶圆10上。
在其他示例中，第一预设数量的初始检测标记201可以仅包括位于待检测晶圆10内部区域的曝光单元20中的所有的初始待检测标记201。
示例的，可以使用量测机台根据第一预设数量的初始检测标记的测量图进行套刻精度量测，获取第一检测结果。第一检测结果可以作为后续所确定的测量图的匹配信息。
S102：利用预设规则设定第二预设数量的初始检测标记作为目标检测标记，其中，第二预设数量小于第一预设数量。
示例的，在S102中，可以从如图2所示的全图测量图的初始检测标记中，利用预设规则选择部分初始检测标记作为目标检测标记，以数量较少的初始检测标记进行后续的检测。
在一些实施例中，本申请实施例提供的预设规则至少包括如下四个规则(规则一-规则四)中的一个或者多个，其中，当预设规则同时包括多个规则时，应理解为同时满足多个规则。下面分别对四个规则进行说明：
规则一：位于不同曝光单元内相同位置处的目标测量标记的数量之和相同，或者；位于不同曝光单元内，任意两个位置的目标检测标记的数量之和相差第一数量阈值。
示例的，图3为本申请一实施例提供的一种预设规则的示意图。待检测晶圆10对应的多个曝光单元20中，选择5个初始检测位置的初始检测标记作为目标检测标记，分别位于标号为①、②、③和④的曝光单元20中，其中，5个初始检测位置分别位于曝光单元20的左上角A、右上角B、右下角C、左下角D和中部位置E。位于不同曝光单元内相同位置处的目标测量标记的数量之和可以理解为目标检测标记位于曝光单元相同位置处的数量。如图3所示，位于不同曝光单元20内A位置的目标检测标记只有标号为①的曝光单元20中，因此位于不同曝光单元20内A位置的目标检测标记之和为1；位于不同曝光单元20内B位置的目标检测标记只有标号为②的曝光单元20中，因此位于不同曝光单元20内B位置的目标检测标记之和为1；位于不同曝光单元20内C位置的目标检测标记只有标号为③的曝光单元20中，因此位于不同曝光单元20内C位置的目标检测标记之和为1；位于不同曝光单元20内D位置的目标检测标记只有标号为③的曝光单元20中，因此位于不同曝光单元20内D位置的目标检测标记之和为1；位于不同曝光单元20内E位置的目标检测标记只有标号为④的曝光单元20中，因此位于不同曝光单元20内E位置的目标检测标记之和为1。位于不同曝光单元内A位置的目标测量标记的数量之和、位于不同曝光单元内B位置的目标测量标记的数量之和、位于不同曝光单元内C位置的目标测量标记的数量之和、位于不同曝光单元内D位置的目标测量标记的数量之和以及位于不同曝光单元内E位置的目标测量标记的数量之和均为1。
示例的，当标号为①的曝光单元中确定了左上角的初始检测标记A为目标检测标记，将初始检测标记A对应的数量计数A0加1，当标号为②的曝光单元中确定了右上角的初始检测标记B为目标检测标记，将初始检测B对应的数量技术B0加1，……，以此类推，当确定所有多个曝光单元中作为目标检测标记的第二预设数量的初始检测标记后，可以得到每个位置的目标检测标记的数量之和，记为A0、B0、C0、D0和E0，因此，为了得到更加均衡的测量图，规则一要求上述每个位置的数量之和A0、B0、C0、D0和E0相等，例如均为10；或者，要求上述每个位置的数量之和A0、B0、C0、D0和E0之间相差小于第一数量阈值，例如，A0＝10、B0＝12、C0＝10、D0＝10和E0＝11，之间的最大差值为2，小于第一数量阈值3。
在一些实施例中，可以通过第一权值对上述规则一进行表征，例如，当确定不同位置的数量之和A0、B0、C0、D0和E0之间相差大于或等于第一数量阈值时，得到的第一权值为0，随后将按照规则一调整所选取的初始检测标记作为目标检测标记，直到A0、B0、C0、D0和E0之间相差小于第一数量阈值时，得到的第一权值为1，则确定所选择的目标检测标记满足规则一。
规则二：存在目标检测标记的曝光单元中，每个曝光单元内所确定的目标检测标记的数量应相同或相近，使得多个曝光单元中任意两个曝光单元内的目标检测标记的数量之和相同，或者，使得多个曝光单元中任意两个曝光单元内的目标检测标记的数量之和相差第二数量阈值。
同样以图3所示的示例进行说明，其中，从多个曝光单元20中确定第二预设数量的初始检测标记作为目标检测标记时，标号为①的曝光单元将左上角的1个初始检测标记作为目标检测标记，则将该标号为①的曝光单元的数量记为①-1，标号为③的曝光单元将左下角和右下角的2个初始检测标记作为目标检测标记，则将该标号为③的曝光单元的数量记为③-2，以此类推，当确定所有多个曝光单元中作为目标检测标记的全部第二预设数量个初始检测标记后，可以得到每个曝光单元中的目标检测标记的数量：1、1、2、1……。则根据规则二，要求上述每个曝光单元中目标检测标记的数量相同，例如均为1，或者，要求上述每个曝光单元中目标检测标记的数量相近，最大值2和最小值1之差小于第二数量阈值2。
在一些实施例中，可以通过第二权值对上述规则二进行表征，例如，当确定多个曝光单元内目标检测标记的数量不完全相同且相差大于或等于第二数量阈值时，得到的权值为0，随后将按照规则二调整所选取的初始检测标记作为目标检测标记，直到多个曝光单元内目标检测标记的数量相同或者相差小于第二数量阈值时，得到的权值为1，则确定所选择的目标检测标记满足规则二。
规则三：目标检测标记包括曝光单元内距离最长的两个初始检测标记。
以图4作为示例进行说明，图4为本申请又一实施例提供的一种预设规则的示意图，其中，图4中以任一个曝光单元作为示例，在该曝光单元中假设选取的目标检测标记的数量大于2，则目标检测标记应该从距离最长的两个初始检测标记中进行选取。例如，假设图4中每个曝光单元内包括A-E共5个初始检测标记，则在图4中左侧示出的若将初始检测标记D和E作为目标检测标记，其距离为L1，在图4中右侧示出的若将初始检测标记B和D作为目标检测标记，其距离为L2(由于曝光单元为矩形，初始检测标记A和C的距离也为L2)，可以看出图4中右侧的两个初始检测标记是曝光单元内距离最大的，因此当曝光单元内包括至少2个目标检测标记时，目标检测标记应包括距离最大的两个初始检测标记B和D(或者A和C)。
规则四：目标检测标记包括曝光单元中，形成三角形面积最大的三个初始检测标记。
以图5作为示例进行说明，图5为本申请另一实施例提供的一种预设规则的示意图，其中，图5中以任一个曝光单元作为示例，在该曝光单元中假设选取的目标检测标记的数量大于3时，则目标检测标记应该从形成三角形面积最大的三个初始检测标记中进行选取。例如，假设图5中每个曝光单元内包括A-E共5个初始检测标记，则在图5中左侧示出的若将初始检测标记A、D和E作为目标检测标记，其三角形面积小于，在图5中右侧示出的若将初始检测标记A、C和D作为目标检测标记的三角形面积，可以看出图5中右侧的三个初始检测标记是曝光单元内能够形成三角形的面积最大的，因此当曝光单元内包括至少3个目标检测标记时，目标检测标记应包括形成三角形面积最大的3个初始检测标记A、C和D。
图6为本申请实施例提供的测量图的示意图，其中，示出了其中部分曝光单元，可以看出，每个曝光单元中均包括相似数量的目标检测标记，同时，多个曝光单元中相同位置的目标测量标记的数量相同或相近、且包括距离最大的两个目标测量标记，使得所确定的目标检测标记不会较为集中在晶圆或曝光单元中的部分区域内，而是尽可能实现均匀、分散的排列，从而能够更加全面地确定待检测晶圆的套刻精度。
S103：根据S102中所获取的目标检测标记，获取待检测晶圆的第二检测结果，使得第二检测结果与第一检测结果相匹配。
在一些实施例中，检测结果包括量测得到的所有目标检测标记的套刻精度的平均值、所有目标检测标记的套刻精度的方差或所有目标检测标记的套刻精度的平均值和3倍方差之和(M3S)等参数。套刻精度可以包括X方向或Y方向的偏移值。示例性地，S101中根据初始检测标记得到的第一检测结果包括：X方向的平均值：0.02、Y方向的平均值：0.05、X方向的方差1.5、Y方向的方差1.5、X方向的M3S参数：4.52和Y方向的M3S参数：4.55。而S103中根据目标检测标记所得到的第二检测结果包括：X方向的均值：0.02、Y方向的均值：0.02、X方向的方差1.3、Y方向的方差1.4、X方向的M3S参数：3.92和Y方向的M3S参数：4.22。
当得到第一检测结果和第二检测结果后，如果第一检测结果和第二检测结果之间每一项参数的绝对值之差在0-1nm的范围之内，则确定第一检测结果和第二检测结果相匹配，可以执行后续步骤。而当第二检测结果和第二检测结果之间存在任一项参数的绝对值之差大于1nm时，则确定第一检测结果和第二检测结果不匹配，需要重新执行S102，从而重新获得目标检测标记。其中，在重新执行S102时，可以重新设置目标检测标记的数量和/或位置，例如，将目标检测单元的数量从200调整到300等，随后再根据执行S102确定出目标检测标记。
在其他示例中，如果第一检测结果和第二检测结果之间任一或多个参数匹配时，也可以确定第一检测结果和第二检测结果相匹配，可以执行后续步骤。例如，如果第一检测结果和第二检测结果之间的M3S的绝对值之差在0-1nm的范围之内，则确定第一检测结果和第二检测结果相匹配，可以执行后续步骤。
S104：根据目标检测标记设置测量图。
示例的，当S103中确定的根据目标检测标记得到的第二检测结果，与S101中通过全图测量图所得到的第一检测结果之间相匹配，说明使用目标检测标记在对待检测晶圆进行套刻精度检测时，可以实现与全图测量图进行套刻精度检测时相近的测量结果，因此可以对后续晶圆进行套刻精度检测时使用S102中所确定的目标检测标记作为测量图。
通过本申请实施例所设置的测量图是根据目标检测标记所设置的，与全图测量图相比检测标记的数量更少，能够减少在对晶圆进行套刻精度检测时所需的量测量、提高套刻精度的测量效率，同时，由于所选取的目标检测标记能够较均匀、分散的分布在晶圆或曝光单元内，能够同时更加全面地测量晶圆的套刻精度。因此，本申请实施例所确定的对晶圆的套刻精度进行测量时所使用的测量图，既能够满足测量的全面性、又能够减少量测量，提高提高套刻精度的测量效率。
在一些实施例中，图7为本申请另一实施例提供的测量图的示意图，图7示出了通过本申请实施例提供的测量图配置方法得到的目标检测标记组成的测量图，可以看出，图7所示的测量图和图2所示的测量图相比，能够减少在对晶圆进行套刻精度检测时所需的量测量、提高套刻精度的测量效率，还能够同时更加全面地测量晶圆的套刻精度。
在前述实施例中，对本申请实施例提供的测量图的配置方法进行了介绍，而为了实现上述本申请实施例提供的方法中的各功能，可以通过执行主体的电子设备来实现上述各功能，例如，可以包括硬件结构和/或软件模块，以硬件结构、软件模块、或硬件结构加软件模块的形式来实现上述各功能。上述各功能中的某个功能以硬件结构、软件模块、还是硬件结构加软件模块的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。
本申请实施例还提供一种测量图的配置装置包括：第一检测结果获取模块、确定模块、第二检测结果获取模块、匹配模块和设置模块，其中，第一检测结果获取模块用于提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果；确定模块用于利用预设规则设定第二预设数量的所述初始检测标记作为目标检测标记，所述第二预设数量小于所述第一预设数量；第二检测结果获取模块用于根据所述目标检测标记获取第二检测结果；匹配模块用于使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配；设置模块用于根据所述目标检测标记设置测量图。测量图的配置装置中的各模块分别执行的上述步骤的具体原理及实现方式可参考本申请前述实施例中的测量图的配置方法，不再赘述。
需要说明的是，应理解以上装置的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述装置的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述装置的存储器中，由上述装置的某一个处理元件调用并执行以上确定模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里所述的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。
例如，以上这些模块可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个特定集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)，或，一个或多个微处理器(digital signal processor，DSP)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调度程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如中央处理器(centralprocessing unit，CPU)或其它可以调用程序代码的处理器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上系统(system-on-a-chip，SOC)的形式实现。
在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘solid state disk(SSD))等。
本申还提供一种电子设备，包括：处理器以及存储器；其中，存储器中存储有计算机程序，当处理器执行计算机程序时，处理器可用于执行如本申请前述实施例中任一的测量图的配置方法。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被执行时可用于执行如本申请前述实施例中任一的测量图的配置方法。
本申请实施例还提供一种运行指令的芯片，所述芯片用于执行如本申请前述任一实施例中由电子设备所执行的测量图的配置方法。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (16)

1.一种测量图的配置方法，其特征在于，包括：
提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果；
利用预设规则设定第二预设数量的所述初始检测标记作为目标检测标记，所述第二预设数量小于所述第一预设数量；
根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配；
根据所述目标检测标记设置测量图。
2.根据权利要求1所述的配置方法，其特征在于，
所述待检测晶圆包括多个重复的曝光单元；
所述初始检测标记位于所述曝光单元内，且位于不同所述曝光单元中的所述初始检测标记的位置一一对应相同。
3.根据权利要求2所述的配置方法，其特征在于，所述预设规则包括：
位于不同所述曝光单元内相同位置的所述目标测标记的数量之和相同；
或者，位于不同所述曝光单元内任意两个位置的所述目标检测标记的数量之和相差第一数量阈值。
4.根据权利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述预设规则还包括：
存在所述目标检测标记的所述曝光单元中，任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相同；
或者，存在所述目标检测标记的所述曝光单元中，任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相差第二数量阈值。
5.根据权利要求3或4所述的配置方法，其特征在于，所述预设规则还包括：
所述目标检测标记包括所述曝光单元内距离最长的两个所述初始检测标记。
6.根据权利要求3-5任一项所述的配置方法，其特征在于，所述预设规则还包括：
所述目标检测标记包括所述曝光单元中形成三角形面积最大的三个所述初始检测标记。
7.根据权利要求1-6任一项所述的配置方法，其特征在于，所述根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得且所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配的步骤，还包括：
当所述第二检测结果不与所述第一检测结果相匹配时，重新按照所述预设规则重新设置目标检测标记的数量和/或位置。
8.根据权利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果，包括：
根据所述待检测晶圆上的所有所述初始检测标记获取第一检测结果。
9.根据权利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配，包括：
根据所述目标检测标记获取第二检测结果，使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相差0～1nm。
10.一种测量图的配置装置，其特征在于，包括：
第一检测结果获取模块，用于提供待检测晶圆，根据所述待检测晶圆上第一预设数量的初始检测标记获取第一检测结果；
确定模块，用于利用预设规则设定第二预设数量的所述初始检测标记作为目标检测标记，所述第二预设数量小于所述第一预设数量；
第二检测结果获取模块，根据所述目标检测标记获取第二检测结果；
匹配模块，用于使得所述第二检测结果与所述第一检测结果相匹配；
设置模块，用于根据所述目标检测标记设置测量图。
11.根据权利要求10所述的配置装置，其特征在于，
所述待检测晶圆包括多个重复的曝光单元；
所述初始检测标记位于所述曝光单元内，且位于不同所述曝光单元中的所述初始检测标记的位置一一对应相同。
12.根据权利要求11所述的配置装置，其特征在于，所述预设规则包括：
位于不同所述曝光单元内相同位置的所述目标测标记的数量之和相同；
或者，位于不同所述曝光单元内任意两个位置的所述目标检测标记的数量之和相差第一数量阈值。
13.根据权利要求12所述的配置装置，其特征在于，所述预设规则还包括：
任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相同；
或者，任意两个所述曝光单元内的所述目标检测标记的数量之和相差第二数量阈值。
14.根据权利要求12或13所述的配置装置，其特征在于，所述预设规则还包括：
所述目标检测标记包括所述曝光单元内距离最长的两个所述初始检测标记。
15.根据权利要求12-14任一项所述的配置装置，其特征在于，所述预设规则还包括：
所述目标检测标记包括所述曝光单元中形成三角形面积最大的三个所述初始检测标记。
16.根据权利要求10-15任一项所述的配置装置，其特征在于，
所述确定模块还用于，当所述匹配模块确定第二检测结果不与所述第一检测结果相匹配时，重新按照所述预设规则重新设置目标检测标记的数量和/或位置。
CN202110792151.5A 2021-07-13 2021-07-13 测量图的配置方法及装置 Pending CN115621142A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110792151.5A CN115621142A (zh) 2021-07-13 2021-07-13 测量图的配置方法及装置
PCT/CN2021/120357 WO2023284120A1 (zh) 2021-07-13 2021-09-24 测量图的配置方法及装置
US17/673,258 US20230013886A1 (en) 2021-07-13 2022-02-16 Measurement map configuration method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110792151.5A CN115621142A (zh) 2021-07-13 2021-07-13 测量图的配置方法及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115621142A true CN115621142A (zh) 2023-01-17

Family

ID=84855959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110792151.5A Pending CN115621142A (zh) 2021-07-13 2021-07-13 测量图的配置方法及装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115621142A (zh)
WO (1) WO2023284120A1 (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101452217B (zh) * 2007-12-04 2011-07-06 南亚科技股份有限公司 曝光方法
US11775728B2 (en) * 2018-12-19 2023-10-03 Asml Netherlands B.V. Methods for sample scheme generation and optimization

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023284120A1 (zh) 2023-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100541898B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US9547745B1 (en) System and method for discovering unknown problematic patterns in chip design layout for semiconductor manufacturing
CN105279302A (zh) 生成方法和系统、校准方法及工艺控制和成品率管理方法
CN111158210A (zh) 光掩模的光学邻近校正方法及光掩模、半导体的制造方法
US20120198404A1 (en) Defect inspection supporting apparatus and defect inspection supporting method
CN115685694A (zh) 套刻误差的修正方法及装置、晶圆的对准检测方法及装置
WO2013177208A1 (en) Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill
US20120005635A1 (en) Method of forming photomask, computer-readable recording medium storing programmed instructions for executing the method, and mask imaging system
CN114492294A (zh) 用于电路设计的确定测试覆盖率的方法及信息处理系统
CN107561875B (zh) 一种套刻误差量测和问题评估的方法
JP4778685B2 (ja) 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
KR102385664B1 (ko) 설계 임계성 분석이 증대된 프로세스 윈도우 검정 샘플링
CN115621142A (zh) 测量图的配置方法及装置
US9299135B2 (en) Detection of weak points of a mask
US20230013886A1 (en) Measurement map configuration method and apparatus
CN118035735A (zh) 基于深度学习的居中套刻键标的系统及其方法
CN114089607B (zh) 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法
CN115808849A (zh) 掩模版的图形精度的确定方法以及确定装置
CN108053397A (zh) 一种采用支持向量机检测光刻薄弱点的方法
WO2017213997A1 (en) Electrically relevant placement of metrology targets using design analysis
CN114241048B (zh) 特征尺寸一致性分析方法及装置、计算机可读存储介质
US10095826B2 (en) Feed-forward for silicon inspections (DFM2CFM : design to silicon) and feed-back for weakpoint predictor decks (CFM2DFM : silicon to design) guided by marker classification, sampling, and higher dimensional analysis
CN118073222B (zh) 晶圆测试方法、装置、计算机设备及存储介质
CN112556653B (zh) 半导体制造工艺中的图案量测方法、电子设备和存储介质
CN115840338A (zh) 晶圆的检测方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination