CN115606094A - 多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置 - Google Patents

多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置 Download PDF

Info

Publication number
CN115606094A
CN115606094A CN202080100846.6A CN202080100846A CN115606094A CN 115606094 A CN115606094 A CN 115606094A CN 202080100846 A CN202080100846 A CN 202080100846A CN 115606094 A CN115606094 A CN 115606094A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
envelope
amplifier
auxiliary
mixer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080100846.6A
Other languages
English (en)
Inventor
克里斯蒂安·埃尔加德
斯文·马特森
斯蒂芬·安德森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Publication of CN115606094A publication Critical patent/CN115606094A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • H03F1/0227Continuous control by using a signal derived from the input signal using supply converters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0266Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B1/0483Transmitters with multiple parallel paths
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/102A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B2001/0408Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

公开了一种发射机和多尔蒂功率放大器,其被配置用于多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置。根据一个方面,提供了一种具有主信号路径中的主放大器和辅助信号路径中的辅助放大器的发射机。辅助放大器被配置为仅在发射机的输入信号的包络超过功率阈值时被激活。发射机还包括辅助信号路径中的至少一个组件,该至少一个组件被配置为在辅助放大器被解激活时解激活,该至少一个组件包括前置功率放大器、混频器和本地振荡器缓冲器中的至少一个。

Description

多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置
技术领域
本发明涉及无线通信,尤其涉及多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置。
背景技术
许多无线电系统,例如符合第三代合作伙伴计划(3GPP)颁布的第四代(4G,也称为长期演进(LTE))和第五代(5G,也称为新无线电(NR))标准的无线电系统,使用具有高峰均比(PAR)的调制信号,其缺点是在平均输出功率下整体效率较低,尤其是对于功率放大器。存在以提高发送具有高PAR的调制信号时的整体效率为目标的方法。多尔蒂功率放大器(DPA)采用的一种基本方法是使用负载调制,以在平均输出功率下实现更高的功率附加效率(PAE)。
图1是标准DPA10a的框图。通常以同相信号和正交相位信号的形式存在的基带数据(可由DAC12从数字形式转换为模拟形式)由滤波器14进行滤波。滤波后的基带数据被馈送到混频器16,混频器16将滤波后的基带数据与经由LO-缓冲器18馈送到混频器16的本地振荡器(LO)信号混频。混频器16向前置功率放大器(PPA)20提供上变频信号,该前置功率放大器放大来自混频器16的信号。放大的上变频信号被馈送到功分器22,功分器22将放大的上变频信号分到主路径和辅助路径中。主放大器24在主路径中,而辅助放大器26在辅助路径中。输入到辅助放大器26的信号被阻抗28a相移90+n*360度(其中n是整数)。相移可以通过λ/4传输线实现,其中λ是所输入信号的频率的波长。主放大器24的输出也被阻抗28b相移90+m*360度(其中m是整数)。相移后的信号被输入到辅助放大器26,辅助放大器26放大该信号。当辅助放大器放大其输入信号时,它通过阻抗28b的阻抗反转在主放大器的输出处生成负载调制,阻抗28b可以是λ/4传输线。辅助放大器26的输出与来自阻抗28b的信号合并,并馈送到负载30。
如图1所示,标准DPA 10a使用两个功率放大器(PA)(主功率放大器和辅助功率放大器),由功分器和用于辅助输入的90度相移器驱动。生成90度相移的已知技术是使用两个混频器,相移后的本地振荡器(LO)信号去往该两个混频器之一,如图2所示。在图2中,对于DPA 10b,滤波后的基带信号被分到主路径和辅助路径中。在主路径中,滤波后的基带信号由混频器16a与来自LO-缓冲器18a的LO信号混频,而在辅助路径中,滤波后的基带信号由混频器16b与来自LO-缓冲器18b的LO信号混频。混频器16a和16b的输出分别被馈送到前置功率放大器20a和20b。
在某些情况下,图2所示的架构比图1所示的架构具有明显的优势。这些优势包括:在更宽的频率范围内轻松实现90度相移,功分器中没有路由功率损耗,并且无需实现消耗宝贵芯片面积的λ/4传输线之一。在拆分混频器16和/或前置功率放大器(PPA)20时的另一个假设是:由于每个混频器16和/或PPA 20只需要传递一半的输出功率,因此可以使每个混频器16和/或PPA 20消耗更少的功率。
因为DPA使用负载调制来跟踪调制后的输出信号的包络,因此它被用于在所发送的信号的输出功率降低时提高效率。然而,即使包络下降,PA之前的组件的功耗也保持不变,这降低了发射机的整体效率。对于具有许多天线的系统来说,这是一个问题,其中每个PA的输出功率和效率都较低,尤其是在非常高的频率下。
发明内容
一些实施例有利地提供发射机和多尔蒂放大器,用于多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置。
在一些实施例中,辅助放大器之前的组件(即,如图2所示的辅助路径)的功耗是通过关断这些组件以获得低输出功率来降低的。辅助信号路径中的前面组件的功耗可通过利用例如基带(BB)包络信号控制它们各自的偏置电平来降低。
根据一个方面,提供了一种具有主信号路径中的主放大器和辅助信号路径中的辅助放大器的发射机。辅助放大器被配置为仅在输入到发射机的输入信号的包络超过发射机所包括的功率阈值时被激活。发射机还包括辅助信号路径中的至少一个组件,该至少一个组件被配置为在辅助放大器被解激活时解激活,该至少一个组件包括前置功率放大器、混频器和本地振荡器缓冲器中的至少一个。
根据该方面,在一些实施例中,发射机包括比较器,其被配置为将包络信号与包络阈值进行比较,以及偏置电流控制器,其用于在包络信号不超过包络阈值时调整至少一个组件的偏置电流,以解激活该至少一个组件。在一些实施例中,调整偏置电流包括:关于包络信号逐渐减小或增大偏置电流。在一些实施例中,发射机还包括数模转换器(DAC),其被配置为在辅助放大器关断时被解激活。在一些实施例中,DAC被配置为生成包络信号。在一些实施例中,辅助信号路径中的混频器接收输入信号并接收包络信号,以提供自适应偏置来控制混频器。在一些实施例中,混频器的输出被输入到也接收包络信号的前置功率放大器。在一些实施例中,发射机还包括
被配置为接收包络信号的本地振荡器缓冲器。在一些实施例中,前置功率放大器接收包络信号,包络信号用于调整前置功率放大器的增益,该调整跟踪包络信号。在一些实施例中,响应于包络信号超过前置功率放大器、混频器和本地振荡器缓冲器中的每一个的不同包络阈值,前置功率放大器、混频器和本地振荡器缓冲器被各自分别关断。
根据另一方面,提供了一种多尔蒂放大器。多尔蒂放大器包括主信号路径中的主放大器,主信号路径被配置为接收输入信号。多尔蒂放大器还包括辅助信号路径中的辅助放大器,辅助信号路径具有包括包络检测器和混频器在内的组件,包络检测器被配置为检测输入信号的包络以生成包络信号,混频器被配置为将输入信号与本地振荡器信号进行混频,该混频至少部分地基于由包络信号提供的自适应偏置。
根据这个方面,包络检测器包括数模转换器(DAC)。在一些实施例中,混频器被配置为接收包络信号以自适应地偏置混频器。在一些实施例中,混频器的输出被输入到也接收包络信号的前置功率放大器。在一些实施例中,辅助信号路径中的组件包括被配置为接收包络信号的前置功率放大器,包络信号用于调整前置功率放大器的增益,该调整跟踪包络信号。在一些实施例中,多尔蒂放大器还包括偏置电流控制器,其被配置为调整辅助信号路径中的至少一个组件的偏置电流,以在包络信号不超过包络阈值时解激活辅助信号路径中的组件。在一些实施例中,调整偏置电流包括:关于包络信号逐渐减小或增大偏置电流。在一些实施例中,响应于包络信号超过辅助信号路径中的组件中的每个组件的不同包络阈值,辅助信号路径中的每个组件被分别解激活。
根据又一方面,多尔蒂放大器包括:滤波器,被配置为接收和滤波将由多尔蒂放大器放大的输入信号以生成滤波后的输入信号;以及分路器电路,将滤波后的输入信号分到主信号路径和辅助信号路径中。在主信号路径中,第一混频器被配置为将滤波后的输入信号与本地振荡器信号混频以生成第一混频器输出信号。第一前置功率放大器被配置为接收并放大第一混频器输出信号以生成主放大器输入信号。多尔蒂放大器还包括主放大器,并且在辅助路径中,第二混频器被配置为将滤波后的输入信号与本地振荡器信号混频以生成第二混频器输出信号,第二混频器由输入信号的包络来激活和解激活。第二前置功率放大器被配置为接收并放大第二混频器输出信号以生成辅助放大器输入信号,第二前置功率放大器由辅助放大器输入信号的包络来激活和解激活。多尔蒂放大器还包括辅助放大器。在一些实施例中,多尔蒂放大器还包括:本地振荡器缓冲器,被配置为缓冲本地振荡器信号,本地振荡器缓冲器由放大器输入信号的包络来激活和解激活。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参考以下详细描述,将更容易理解对本实施例以及其所伴随的优点和特征的更完整的理解,其中:
图1是发射机内的已知多尔蒂放大器的框图;
图2是发射机内的备选已知多尔蒂放大器的框图;
图3是基带包络的曲线图;
图4是辅助路径可被关断的最大时间的上限的示例的曲线图;
图5是根据本文阐述的原理构造的发射机的示例性实现的框图;
图6是根据本文阐述的原理构造的备选发射机的示例性实现的框图;
图7是基带包络检测器的示意图;以及
图8示出了根据本文公开的原理的多尔蒂放大器的实现的性能。
具体实施方式
在详细描述示例性实施例之前,应当注意,实施例主要在于与多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置相关的装置组件和处理步骤的组合。因此,在附图中通过常规符号适当地表示了组件,仅示出了与理解实施例相关的那些特定细节,以便不会使本公开与对于受益于本文描述的本领域普通技术人员而言显而易见的细节相混淆。
本文中所使用的关系术语(如“第一”和“第二”,“顶”和“底”等)可以仅用于将一个实体或元件与另一实体或元件进行区分,而不一定要求或暗示这些实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
一些实施例提供了多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置。
图3示出了基带包络的示例。在图3的示例中,基带包络在71%的时间内低于RMS+1dB电平。当调制信号的包络线较低时,DPA中的辅助放大器被有效地关断。这意味着还可以通过关断辅助路径中的组件来节省电力。当辅助放大器接通时,辅助路径中的组件应当始终接通,即保证在辅助放大器接通时其输入信号存在。这意味着辅助路径中的组件应当以低于辅助功率放大器的功率电平接通。电平越低,这些组件可关断的时间越短。因此,较低的接通电平会降低功耗。理想情况下,对称DPA以最大Pout-6dB接通。使用该设置给出了辅助路径可被关断的最大时间的上限,如图4所示。
当使用对称DPA时,为接通或关断辅助路径添加任意选择的3dB裕度,在47%处给出了-2dB的均方根(RMS)电平,如图4所示。这意味着如图2所示的辅助路径中的PPA、混频器和LO-缓冲器可以在47%的时间被关断。
图5和图6是示出了根据本文的公开构建的两个示例DPA发射机架构32a(图5)和32b(图6)的图。这些架构提供了控制辅助路径中的一个或多个组件(混频器16b、LO-缓冲器18b和PPA 20b)的偏置电流的能力,如图5和图6所示。混频器16b、LO-缓冲器18b和PPA 20b可以分别是许多已知(或将要开发的)混频器、LO-缓冲器和PPA中的任何一种,但是当包络信号下降到一个或多个阈值以下(例如通过添加如下所述的比较器)时,它们被单独修改或作为一组的一部分修改或作为一组全部被修改,以被解激活(即断电)。
术语“包络信号”用于表征可以基于勾勒信号极值的平滑曲线的信号。对于复信号,正极值和负极值的包络信号可能不同。包络信号可以通过已知方法或待开发的方法所生成。这种用于生成包络信号的方法可以包括整流或平方。也可以使用几个非线性操作来导出包络信号。此外,包络不必是信号瞬时幅度的线性映射;单调映射可能就足够了。例如,取输入信号的平方会产生跟踪瞬时信号功率的包络。由于平方是平滑且单调的映射,因此信号的平方可以用作包络信号的表示。还可以对包络信号进行滤波,以抑制不需要的频谱分量或增强包络的某些部分。因此,如本文所用,术语“包络信号”包括由任何已知方法或待开发的方法生成的包络信号。术语“包络”是指勾勒输入信号的极值的曲线。
在图5的示例中,使用近似函数
Figure BDA0003938811410000061
的包络检测器34从基带输入信号生成包络信号。包络检测器34的输出被馈送到缓冲器36,缓冲器36将包络信号分发给辅助路径中要被控制的组件。图7中示出了基带包络检测器34的一种可能实现。图7的包络检测器34电路包括晶体管40和42,接收I基带信号和Q基带信号的晶体管40生成近似函数
Figure BDA0003938811410000062
有许多可能的方法可以降低组件的功耗,但一种直接的方法是使用比较器,并且当包络信号低于某个阈值电平时,输入到混频器16b的来自缓冲器36的偏置电流可以被关断。对高于阈值电平的包络电平,可以将偏置设置为接通。另一种解决方案包括关于包络信号逐渐减小或增大偏置电流。在图6的示例中,通过专用包络数模转换器(DAC)38直接从数字基带接收包络信号。与生成IQ输入信号的DAC相比,专用包络DAC 38的规范可以用更少的比特来构建。
偏置信号的上升和下降时间将会取决于包络信号的带宽。慢速偏置网络需要到辅助功率放大器接通阈值的更多的裕度,因此会限制节能潜力。这可以通过沿信号路径添加时间延迟来部分补偿,其中时间延迟可以通过电线、全通滤波器和其他已知技术来实现。可以使用偏置响应速度调整偏置阈值以优化性能
仿真结果
使用用于主路径和辅助路径生成90度相位差的单独混频器16a和16b实现了基于在22GHz操作的DPA发射机架构32a和32b的22nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺的示意设计。辅助放大器26在低于最大输出功率约6dB时接通,并且辅助路径被配置为在低于最大输出功率9dB时接通,即,如上所述使用3dB裕度进行配置。包络检测器34被设计为在基带输入信号下操作,从而生成控制辅助路径何时接通或关断的输出信号。出于演示目的,所有辅助组件,包括组件16b、18b和20b,都以相同的包络电平接通。但是,可以将辅助组件配置为以各自的电平接通,从而最大限度地降低功耗。为简单起见,LO-缓冲器18b在一次仿真中不受包络信号的控制。
仿真结果如图8所示。参照图8,基于DPA发射机32a、32b的仿真发射机在辅助路径中的组件上使用和不使用自适应偏置的情况下生成接近相同的输出信号。对于此特定示例,PPA(1.2伏电源)和混频器(0.8伏电源)在关断时可节省60毫瓦(mW)+75mW=135mW。然后这些数字应乘以时间平均值47%,即正交频分复用(OFDM)信号低于最大输出功率(Pout)-9dB阈值,从而平均功率节省为63mW。
这种基于DPA发射机32a、32b的特定发射机在Pavg(7dB回退)处具有87mW(19.4dBm)的仿真输出功率,功率附加效率(PAE)为33%,使得DPA的功耗为264mW。在Pavg处的总发射机PAE为14.8%,使得整个发射机链的功耗为588mW。从上面的计算可以看出,使用所提出的技术所节省的平均功率将为135mW*47%=63mW,其应该与在Pavg处的588mW的发射功率消耗相比来设置。
当使用两个单独的混频器在DPA的输入端处生成90度相移时,当辅助放大器26有效关断时,DPA的辅助放大器之前的组件(PPA 20、混频器16b和LO-缓冲器18b)中的至少一个针对输出功率电平被关断。这可以节省功率并提高较低输出功率的整体发射机效率。包络检测器34、38输出的调制OFDM信号的包络幅度用于控制何时关断辅助路径中的组件。可以关闭包括混频器16b、LO-缓冲器18b和PPA 20b在内的任何一个或多个辅助组件,以优化功耗而不恶化想要的输出信号。
根据一个方面,提供了一种DPA发射机32a、32b,其具有主信号路径中的主放大器24和辅助信号路径中的辅助放大器26。辅助放大器26被配置为仅当输入到DPA发射机32a、32b的输入信号的包络超过功率阈值时才被激活。DPA发射机32a、32b还包括辅助信号路径中的至少一个组件,该至少一个组件被配置为在辅助放大器26被解激活时被解激活,该至少一个组件包括前置功率放大器20b、混频器16b和本地振荡器缓冲器18b中的至少一个。
根据该方面,在一些实施例中,DPA发射机32a、32b包括比较器,其被配置为将包络信号与包络阈值进行比较,以及偏置电流控制器,其用于在包络信号不超过包络阈值时调整至少一个组件的偏置电流,以解激活该至少一个组件。比较器和偏置电流控制器作用于来自缓冲器36的信号以控制到混频器16b的偏置电流。在一些实施例中,调整偏置电流包括:关于包络信号逐渐减小或增大偏置电流。在一些实施例中,DPA发射机32a、32b还包括数模转换器DAC 38,其被配置为在辅助放大器26关断时被解激活。在一些实施例中,包络DAC38被配置为生成包络信号。在一些实施例中,辅助信号路径中的混频器16b接收输入信号并接收包络信号,以提供自适应偏置来控制混频器16b。在一些实施例中,混频器16b的输出被输入到也接收包络信号的前置功率放大器20b。在一些实施例中,DPA发射机32a、32b还包括被配置为接收包络信号的本地振荡器缓冲器18b。在一些实施例中,前置功率放大器20b接收包络信号,包络信号用于调整前置功率放大器20b的增益,该调整跟踪包络信号。在一些实施例中,响应于包络信号超过前置功率放大器20b、混频器16b和本地振荡器缓冲器18b中的每一个的不同包络阈值,前置功率放大器20b、混频器16b和本地振荡器缓冲器18b被各自分别关断。
根据另一方面,提供了一种多尔蒂放大器32a、32b。多尔蒂放大器32a、32b包括主信号路径中的主放大器24,主信号路径被配置为接收输入信号。多尔蒂放大器32a、32b还包括辅助信号路径中的辅助放大器26,辅助信号路径具有包括包络检测器34、38和混频器16b在内的组件,包络检测器34、38被配置为检测输入信号的包络以生成包络信号,混频器16b被配置为将输入信号与本地振荡器信号进行混频,该混频至少部分地基于由包络信号提供的自适应偏置。
根据这个方面,包络检测器34、38包括数模转换器(DAC)。在一些实施例中,混频器16b被配置为接收包络信号以自适应地偏置混频器16b。在一些实施例中,混频器16b的输出被输入到也接收包络信号的前置功率放大器20b。在一些实施例中,辅助信号路径中的组件包括被配置为接收包络信号的前置功率放大器20b,包络信号用于调整前置功率放大器20b的增益,该调整跟踪包络信号。在一些实施例中,多尔蒂放大器32a、32b还包括缓冲器36内的偏置电流控制器,偏置电流控制器被配置为调整辅助信号路径中的至少一个组件的偏置电流,以在包络信号不超过包络阈值时解激活辅助信号路径中的组件。在一些实施例中,调整偏置电流包括:关于包络信号逐渐减小或增大偏置电流。在一些实施例中,响应于包络信号超过辅助信号路径中的组件中的每个组件的不同包络阈值,辅助信号路径中的每个组件被分别解激活。
根据又一方面,多尔蒂放大器32a、32b包括:滤波器,被配置为接收和滤波将由多尔蒂放大器32a、32b放大的输入信号以生成滤波后的输入信号;以及分路器电路,将滤波后的输入信号分到主信号路径和辅助信号路径中。在主信号路径中,第一混频器16a被配置为将滤波后的输入信号与本地振荡器信号混频以生成第一混频器输出信号。第一前置功率放大器20a被配置为接收并放大第一混频器输出信号以生成主放大器输入信号。多尔蒂放大器32a、32b还包括主放大器24,并且在辅助路径中,第二混频器16b被配置为将滤波后的输入信号与本地振荡器信号混频以生成第二混频器输出信号,第二混频器由主放大器输入信号的包络来激活和解激活。第二前置功率放大器20b被配置为接收并放大第二混频器输出信号以生成辅助放大器输入信号,第二前置功率放大器由辅助放大器输入信号的包络来激活和解激活。多尔蒂放大器32a、32b还包括辅助放大器26。在一些实施例中,多尔蒂放大器还包括:本地振荡器缓冲器18a、18b,被配置为缓冲本地振荡器信号,本地振荡器缓冲器由放大器输入信号的包络来激活和解激活。
结合以上描述和附图,本文公开了许多不同实施例。将理解的是,逐字地描述和说明这些实施例的每个组合和子组合将会过度重复和混淆。因此,可以用任意方式和/或组合来组合全部实施例,并且包括附图的本说明书将被解释以构建本文所描述的实施例的全部组合和子组合以及制造和使用它们的方式和过程的完整书面说明,并且将支持要求任意这种组合或子组合的权益。
本文使用的缩写如下:
缩写说明
DPA 多尔蒂功率放大器
LO-Buffer 本地振荡器缓冲器
OFDM 正交频分复用
PA 功率放大器
PPA 前置功率放大器
Psat 饱和输出功率
本领域技术人员将认识到,本文描述的实施例不限于以上已经具体示出和描述的内容。另外,除非在上面相反地提及,否则应该注意的是,所有附图都不是按比例绘制的。在不偏离所附权利要求的范围的情况下,鉴于上述教导的各种修改和变化是可能的。

Claims (20)

1.一种发射机(32a,32b),具有主信号路径中的主放大器(24)以及辅助信号路径中的辅助放大器(26),所述辅助放大器(26)被配置为仅在输入到所述发射机(32a,32b)的输入信号的包络超过功率阈值时被激活,所述发射机(32a,32b)包括:所述辅助信号路径中的至少一个组件,所述至少一个组件被配置为在所述辅助放大器(26)被解激活时被解激活,所述至少一个组件包括前置功率放大器(20b)、混频器(16b)和本地振荡器缓冲器(18b)中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的发射机(32a,32b),还包括:
比较器,被配置为将包络信号与包络阈值进行比较;以及
偏置电流控制器,用于在所述包络信号不超过所述包络阈值时调整所述至少一个组件的偏置电流,以解激活所述至少一个组件。
3.根据权利要求2所述的发射机(32a,32b),其中,调整所述偏置电流包括关于所述包络信号逐渐减小或增大所述偏置电流。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发射机(32a,32b),还包括:数模转换器DAC(38),被配置为在所述辅助放大器(26)关断时被解激活。
5.根据权利要求4所述的发射机(32a,32b),其中,所述DAC(38)被配置为生成所述包络信号。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发射机(32a,32b),其中,所述辅助信号路径中的所述混频器(16b)接收所述输入信号并接收所述包络信号,以提供自适应偏置来控制所述混频器(16b)。
7.根据权利要求6所述的发射机(32a,32b),其中,所述混频器(16b)的输出被输入到也接收所述包络信号的所述前置功率放大器(20b)。
8.根据权利要求6和7中任一项所述的发射机(32a,32b),还包括被配置为接收所述包络信号的本地振荡器缓冲器(18b)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的发射机(32a,32b),其中,所述前置功率放大器(20)接收所述包络信号,所述包络信号用于调整前置功率放大器(20)的增益,所述调整跟踪所述包络信号。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发射机(32a,32b),其中,响应于所述包络信号超过所述前置功率放大器(20)、混频器(16b)和本地振荡器缓冲器中的每一个的不同包络阈值,所述前置功率放大器(20)、所述混频器(16b)和所述本地振荡器缓冲器(36)被各自分别关断。
11.一种多尔蒂放大器(32a,32b),包括:
主信号路径中的主放大器(24),所述主信号路径被配置为接收输入信号;以及
辅助信号路径中的辅助放大器(26),所述辅助信号路径具有包括包络检测器(34,38)和混频器(16b)在内的组件,所述包络检测器(34,38)被配置为检测所述输入信号的包络以生成包络信号,所述混频器(16b)被配置为将所述输入信号与本地振荡器信号进行混频,所述混频至少部分地基于由所述包络信号提供的自适应偏置。
12.根据权利要求11所述的多尔蒂放大器(32a,32b),其中,所述包络检测器(38)包括数模转换器DAC。
13.根据权利要求11和12中任一项所述的多尔蒂放大器(32a,32b),其中,所述混频器(16b)被配置为接收所述包络信号以自适应地偏置所述混频器(16b)。
14.根据权利要求13所述的多尔蒂放大器(32a,32b),其中,所述混频器(16b)的输出被输入到也接收所述包络信号的前置功率放大器(20)。
15.根据权利要求11至13中任一项所述的多尔蒂放大器(32a,32b),其中,所述辅助信号路径中的所述组件包括被配置为接收所述包络信号的前置功率放大器(20b),所述包络信号用于调整所述前置功率放大器(20)的增益,所述调整跟踪所述包络信号。
16.根据权利要求11至14中任一项所述的多尔蒂放大器(32a,32b),还包括偏置电流控制器,被配置为调整所述辅助信号路径中的至少一个组件的偏置电流,以在所述包络信号不超过所述包络阈值时解激活所述辅助信号路径中的所述组件。
17.根据权利要求15所述的多尔蒂放大器(32a,32b),其中,调整所述偏置电流包括关于所述包络信号逐渐减小或增大所述偏置电流。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的多尔蒂放大器(32a,32b),其中,响应于所述包络信号超过所述辅助信号路径中的每一个组件的不同包络阈值,所述辅助信号路径中的每一个组件被分别解激活。
19.一种多尔蒂放大器(32a,32b),包括:
滤波器(14),被配置为接收和滤波将由所述多尔蒂放大器(32a、32b)放大的输入信号以生成滤波后的输入信号;
分路器电路,用于将所述滤波后的输入信号分到主信号路径和辅助信号路径中;
在所述主信号路径中:
第一混频器(16a),被配置为将所述滤波后的输入信号与本地振荡器信号混频以生成第一混频器(16a)输出信号;
第一前置功率放大器(20b),被配置为接收并放大所述第一混频器输出信号以生成主放大器(24)输入信号;以及
主放大器(24);以及
在所述辅助信号路径中;
第二混频器(16b),被配置为将所述滤波后的输入信号与本地振荡器信号混频以生成第二混频器输出信号,所述第二混频器(16b)由所述主放大器(24)输入信号的包络来激活和解激活;
第二前置功率放大器(20b),被配置为接收并放大所述第二混频器输出信号以生成辅助放大器(26)输入信号,所述第二前置功率放大器(20b)由所述辅助放大器(26)输入信号的包络来激活和解激活;以及
辅助放大器(26)。
20.根据权利要求19所述的多尔蒂放大器(32a,32b),还包括:本地振荡器缓冲器(18b),被配置为缓冲本地振荡器信号,所述本地振荡器缓冲器(18b)由前置功率放大器(20b)输入信号的包络来激活和解激活。
CN202080100846.6A 2020-05-14 2020-05-14 多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置 Pending CN115606094A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2020/063479 WO2021228396A1 (en) 2020-05-14 2020-05-14 Envelope controlled biasing of an auxiliary transmitter of a doherty power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115606094A true CN115606094A (zh) 2023-01-13

Family

ID=70738565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080100846.6A Pending CN115606094A (zh) 2020-05-14 2020-05-14 多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230179150A1 (zh)
EP (1) EP4150758A1 (zh)
CN (1) CN115606094A (zh)
WO (1) WO2021228396A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024054801A1 (en) * 2022-09-07 2024-03-14 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for doherty power amplifier systems

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079597A (ko) * 2003-03-08 2004-09-16 학교법인 포항공과대학교 적응 바이어스 제어 기술을 이용한 초고주파 도허티증폭장치
KR100756041B1 (ko) * 2005-06-27 2007-09-07 삼성전자주식회사 믹서를 이용한 도허티 증폭장치 및 송신기
US10187137B2 (en) * 2016-04-06 2019-01-22 Qualcomm Incorporated High power user equipment (HPUE) using coherently combined power amplifiers
US10148228B2 (en) * 2016-12-20 2018-12-04 Nxp Usa, Inc. RF power amplifier bias modulation with programmable stages
US10978999B2 (en) * 2018-06-11 2021-04-13 Qorvo Us, Inc. Doherty radio frequency amplifier circuitry

Also Published As

Publication number Publication date
US20230179150A1 (en) 2023-06-08
EP4150758A1 (en) 2023-03-22
WO2021228396A1 (en) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6982593B2 (en) Switching amplifier architecture
JP3841416B2 (ja) 送信装置、送信出力制御方法、および無線通信装置
US8081935B2 (en) Multiple-mode modulator to process baseband signals
EP2858236B1 (en) Power amplifiers with signal conditioning
US7560984B2 (en) Transmitter
CN110661495A (zh) 包络跟踪放大器电路
US7496333B2 (en) Transmission circuit and communication apparatus employing the same
US7688156B2 (en) Polar modulation transmission circuit and communication device
US7330071B1 (en) High efficiency radio frequency power amplifier having an extended dynamic range
US20100233977A1 (en) Multi-mode radio transmitters and a method of their operation
US20100015932A1 (en) Signal decomposition methods and apparatus for multi-mode transmitters
Aref et al. Efficient amplification of signals with high PAPR using a novel multilevel LINC transmitter architecture
JP2006311485A (ja) 無線送信機および増幅器
US8054878B2 (en) Apparatus and method for amplifying signal power in a communication system
KR101104143B1 (ko) 무선 통신 시스템에서 신호의 송신 장치 및 방법
US8145148B2 (en) Transmitter and communication apparatus
US10938358B2 (en) Digital power amplifier
KR102075813B1 (ko) 증폭기 어셈블리
Darraji et al. RF/DSP codesign methodology of enhanced Doherty amplifiers
CN115606094A (zh) 多尔蒂功率放大器的辅助发射机的包络控制偏置
US20150222230A1 (en) Output power tuning using pulse position and pulse width control in a pulse position, pulse width modulation amplifier
Tajima et al. Improved efficiency in outphasing power amplifier by mixing outphasing and amplitude modulation
WO2016071888A1 (en) An amplifier system for amplifying an rf signal
US20230085041A1 (en) Amplifier and amplification method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 40085724

Country of ref document: HK