CN115598870A - 电光调制器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种电光调制器及其制造方法，该电光调制器包括：多模干涉波导；输入波导；输出波导；第一相移波导；第一光反射结构；第二相移波导；第二光反射结构；平板区；覆盖层；以及电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，其中，所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。本申请能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。

Description

电光调制器及其制造方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电光调制器及其制造方法。

背景技术

硅基电光调制器目前常见的是基于载流子色散效应来实现调制功能，其根据光学结构目前主流可以分为马赫曾德尔干涉型调制器(Mach-Zehnder Interference，MZI)，微环谐振腔型(Micro Ring Resonant,MRR)调制器，以及迈克尔逊干涉型(MichelsonInterference，MI)结构调制器。其中，针对迈克尔逊干涉型结构调制器的研究和开发较少。

迈克尔逊干涉型调制器的工作原理大致为：当一束光耦合到入射波导中时，通过2×2MMI(MMI：多模干涉器)将入射光分成两部分，分别进入上下两个相移臂，在相移末端通过反射结构反射，然后原路返回到2×2MMI中，并从输出端输出。

迈克尔逊干涉型调制器通过引入反射结构，使得光在相移臂的同一位置通过两次，从而缩短相移臂的尺寸，能够大幅提高调制器器件的调制效率，在缩短尺寸方面与大工艺容差方面有着极大的发展潜力。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请的发明人发现，迈克尔逊干涉型调制器的直线型相移臂仍然较长，并且，在相移臂的两侧配置的电极的长度也较长，所以，调制器的尺寸较大，而且器件的带宽也具有进一步提升的空间。

本申请提供一种电光调制器及其制造方法，将迈克尔逊干涉型调制器的相移臂设置成折叠的结构，从而能够降低调制器的尺寸，并且提高调制器的带宽。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种电光调制器，所述电光调制器包括：

多模干涉波导；

输入波导，其与所述多模干涉波导的第一端连接，沿所述基板的横向的第一方向延伸；

输出波导，其与所述多模干涉波导的第一端连接，与所述输入波导平行；

第一相移波导，其起始端与所述多模干涉波导的第二端连接；

第一光反射结构，其连接于所述第一相移波导的末端；

第二相移波导，其起始端与所述多模干涉波导的第二端连接；

第二光反射结构，其连接于所述第二相移波导的末端；

平板区，其与所述第一相移波导和所述第二相移波导连接，并且，所述平板区的厚度低于所述第一相移波导和所述第二相移波导的厚度；

覆盖层，其覆盖所述多模干涉波导、所述输入波导、所述输出波导、所述第一相移波导、所述第二相移波导和所述平板区；以及

电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，

其中，

所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：

两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及

连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述连接部沿曲线方向延伸。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述曲线为半圆弧状。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述电极包括第一电极(S)、第二电极(G)和第三电极(D)，

所述第一电极设置在所述第二相移波导的沿第二方向的一侧(下侧)，

所述第二电极设置在所述第一相移波导的沿第二方向的另一侧(上侧)，

所述第三电极设置在所述第一相移波导和所述第二相移波导之间，

所述第一电极用于连接高频信号，所述第二电极用于连接地电位，所述第三电极用于连接直流电压。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述电极包括：

针对所述第一相移波导设置的第一电极(S)和第二电极(G)；以及，

针对所述第二相移波导设置的第一电极(S)和第二电极(G)，

其中，

从所述第一相移波导和所述第二相移波导之间的位置起，沿着所述第二方向朝向所述第一相移波导的方向上，针对所述第一相移波导设置的第二电极(G)和第一电极(S)隔着各所述直线延伸部交替分布；和/或

从所述第一相移波导和所述第二相移波导之间的位置起，沿着所述第二方向朝向所述第二相移波导的方向上，针对所述第二相移波导设置的第二电极(G)和第一电极(S)隔着各所述直线延伸部交替分布，

针对所述第一相移波导设置的第一电极(S)和针对所述第二相移波导设置的第一电极(S)都用于连接高频信号，

针对所述第一相移波导设置的第二电极(G)和针对所述第二相移波导设置的第二电极(G)都用于连接地电位。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种电光调制器的制造方法，该方法用于制造前述实施例的各方面之一所述的电光调制器，所述制造方法包括：

在基板上形成多模干涉波导、输入波导、输出波导、第一相移波导、第一光反射结构、第二相移波导、第二光反射结构以及平板区；

对所述第一相移波导和所述第二相移波导的第一区域进行第一类型掺杂；

对所述平板区中与所述第一区域连接的第一接触区域进行第一类型重掺杂，其中，进行所述第一类型重掺杂的掺杂浓度高于进行所述第一类型掺杂的掺杂浓度；

对所述第一相移波导和所述第二相移波导的第二区域进行第二类型掺杂；

对所述平板区中与所述第二区域连接的第二接触区域进行第二类型重掺杂，其中，进行所述第二类型重掺杂的掺杂浓度高于进行所述第二类型掺杂的掺杂浓度；

形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖所述多模干涉波导、所述输入波导、所述输出波导、所述第一相移波导、所述第二相移波导和所述平板区；以及

形成电极，所述电极设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触。

本申请的有益效果在于：将迈克尔逊干涉型调制器的相移臂设置成折叠的结构，从而能够降低调制器的尺寸，并且提高调制器的带宽。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是实施例1的电光调制器的一个示意图

图2是沿图1的A1-A1方向的剖面示意图

图3是实施例1的电光调制器的另一个示意图

图4是沿图3的A2-A2方向的剖面示意图

图5是实施例2的制造方法的一个示意图。

具体实施方式

参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。

实施例1

本申请实施例1提供一种电光调制器。

图1是实施例1的电光调制器的一个示意图。

如图1所示，电光调制器1包括：多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第一光反射结构50、第二相移波导60、第二光反射结构70、平板区80、覆盖层90以及电极100。

电光调制器1可以设置于基板。该基板可以是半导体制造领域中常用的晶圆，例如硅晶圆、绝缘体上的硅(SOI:Silicon On Insulator)晶圆、锗硅晶圆、锗晶圆或氮化镓晶圆、碳化硅(SiC)晶圆等，也可以是石英、蓝宝石、玻璃等绝缘性晶圆。另外，在基板的表面上可以进一步具有半导体器件、微机电系统(MEMS)器件所需的各种薄膜以及各种构造。本实施例对此并不限制。

在本申请下面的描述中，都以基板为SOI晶圆为例进行说明。多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第一光反射结构50、第二相移波导60、第二光反射结构70和平板区80，都是通过对SOI晶圆的顶层硅进行加工而形成的，其中，多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第一光反射结构50、第二相移波导60和第二光反射结构70可以是顶层硅中具有第一厚度的部分，平板区80可以是顶层硅中具有第二厚度的部分，第一厚度大于第二厚度。

在本申请中，基板的横向是指平行于基板的表面的方向，例如，图1中与纸面平行的方向。在基板的横向上，第一方向D1和第二方向D2相互垂直。此外，第一厚度和第二的厚度，是指相应的结构在垂直于基板的表面的方向的尺寸。

如图1所示，多模干涉波导10可以是矩形波导，其延伸方向可以平行于第一方向D1。

输入波导20与多模干涉波导10的第一端连接，沿基板的横向的第一方向D1延伸。

输出波导30与多模干涉波导10的第一端连接，与输入波导20平行。

第一相移波导40的起始端与多模干涉波导10的第二端连接。

第一光反射结构50连接于第一相移波导40的末端。第一光反射结构50例如可以是一维光子晶体反射结构，由此，能够降低电光调制器的尺寸。

第二相移波导60的起始端与多模干涉波导10的第二端连接。

第二光反射结构70连接于第二相移波导60的末端。第二光反射结构70例如可以是一维光子晶体反射结构，由此，能够降低电光调制器的尺寸。

平板区80与第一相移波导40和第二相移波导60连接，并且，平板区80的厚度(即，第二厚度)低于第一相移波导40和第二相移波导60的厚度(即，第一厚度)。例如，平板区80相对于第一相移波导40和第二相移波导60朝向SOI晶圆的埋氧层下凹。

覆盖层90覆盖多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第二相移波导60和平板区80。此外，覆盖层90还可以覆盖第一光反射结构50和第二光反射结构70。覆盖层90的材料可以是氧化硅，例如二氧化硅。

电极100设置于覆盖层90的表面，并且，电机100贯穿覆盖层90而与覆盖层90下方的平板区80电接触。

本申请的电光调制器1形成为迈克尔逊干涉型调制器。在电光调制器1中，当光耦合到输入波导20中时，通过多模干涉波导10将入射光分成两部分，分别进入第一相移波导40和第二相移波导60，在第一相移波导40和第二相移波导60的末端受到第一光反射结构50和第二光反射结构70的反射，然后沿着第一相移波导40和第二相移波导60原路返回到多模干涉波导10中，并从输出波导30输出。第一相移波导40和第二相移波导60都具有PN结的结构，PN结的结面垂直于第二方向D2，通过电极100施加电压，能够改变PN结中载流子的浓度，从而调整第一相移波导40和第二相移波导60的折射率，由此，第一相移波导40和第二相移波导60传输的光的相位能够被改变，从而对光进行调制。

在本申请中，第一相移波导40和第二相移波导60中的至少一者为折叠结构。折叠结构包括：两个以上的直线延伸部201，以及连接部202。

在折叠结构中，各直线延伸部201与第一方向D1平行，并且，该两个以上的直线延伸部201沿第二方向D2分布；连接部202连接在第二方向D2上相邻的两个直线延伸部201的端部之间。

根据本申请的实施例，将迈克尔逊干涉型调制器的至少一个相移波导设置成折叠的结构，从而能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。

在图1中，各折叠结构具有两个直线延伸部201和一个连接部202，但是，本申请可以不限于此，例如，直线延伸部201的数量可以是3个或4个以上，连接部202的数量比直线延伸部201的数量少1。

在图1中，第一相移波导40和第二相移波导60都是折叠结构，但是，本申请不限于此，例如，第一相移波导40和第二相移波导60中的一者是折叠结构，而另一者是直线型结构。

本申请下面的说明中，将以第一相移波导40和第二相移波导60都是折叠结构为例进行说明。

如图1所示，连接部202可以沿曲线方向延伸，该曲线可以朝向直线延伸部201的被连接的端部外侧凸出，即，该曲线沿着光传播的方向凸出，由此，减少连接部202中光的泄露损耗。例如，该曲线为半圆弧状。

如图1所示，电极100包括：针对第一相移波导40设置的第一电极S和第二电极G；针对第二相移波导60设置的第一电极S和第二电极G。

其中，针对第一相移波导40设置的第一电极S和针对第二相移波导60设置的第一电极S都用于连接高频信号，例如，射频(RF)信号；针对第一相移波导40设置的第二电极G和针对第二相移波导60设置的第二电极G都用于连接地电位。

如图1所示，从第一相移波导40和第二相移波导60之间的位置起，在沿着第二方向D2朝向第一相移波导40的方向上，针对第一相移波导40设置的第二电极G和第一电极S隔着各直线延伸部201交替分布。

如图1所示，从第一相移波导40和第二相移波导60之间的位置起，沿着第二方向D2朝向第二相移波导60的方向上，针对第二相移波导60设置的第二电极G和第一电极S隔着各直线延伸部201交替分布。

在图1所示的电极的布置结构中，电极的设置可以较短，例如，第一电极S或第二电极G可以和直线延伸部201的长度相近，此外，位于两个直线延伸部201之间的第一电极S(或第二电极G)可以被该两个直线延伸部201公用，因此，不必按照第一相移波导40或第二相移波导60各自的总长度来设置第一电极S和第二电极G的长度。由此，缩短的电极长度能够增大电光调制器的带宽。

此外，如果第一相移波导40或第二相移波导60是直线结构而不是折叠结构，那么针对第一相移波导40或第二相移波导60设置的第二电极G和第一电极S可以隔着该直线结构而设置。

在图1所示的电极的布置结构中，可以对电光调制器1进行差分驱动方式。

图2是沿图1的A1-A1方向的剖面示意图。图2示出了电光调制器1的第一相移波导40、第二相移波导60、平板区80、覆盖层90以及电极100。其中，第一相移波导40、第二相移波导60和平板区80中相应区域的掺杂类型和掺杂浓度如图2所示。

此外，图2还示出了作为基板的SOI晶圆的顶层硅900、埋氧层800和衬底硅700。

图3是实施例1的电光调制器的另一个示意图。图2与图1的区别在于：电极设置方式不同。

如图3所示，电光调制器1a的电极100a包括：第一电极S、第二电极G和第三电极D。

第一电极S设置在第二相移波导60的沿第二方向D2的一侧，例如，图2中的下侧。

第二电极G设置在第一相移波导40的沿第二方向D2的另一侧，例如，图2中的上侧。

第三电极D设置在第一相移波导40和第二相移波导60之间。

在图3中，第一电极S用于连接高频信号，例如射频信号；第二电极G用于连接地电位；第三电极D用于连接直流电压，从而为电光调制器1a提供直流偏压。

在图3所示的电极的布置结构中，可以对电光调制器1a进行单驱动推挽驱动方式，由此，可以消除减小器件的啁啾(chirp)效应，并且增大器件的高频带宽相应。

此外，对于图3与图1中相同的部件，不再进行重复说明。

图4是沿图3的A2-A2方向的剖面示意图。图4示出了电光调制器1a的第一相移波导40、第二相移波导60、平板区80、覆盖层90以及电极100a。其中，第一相移波导40、第二相移波导60和平板区80中相应区域的掺杂类型和掺杂浓度如图4所示。如图4所示，从左到右，各区域的掺杂类型和掺杂浓度依次是：P++、P、N、N++(未接触，中间空开)、P++、P、N、N++、N、P、P++(未接触，中间空开)、N++、N、P、P++。此外，金属400沉积使得P++、N++直接欧姆接触，金属400例如是铝。

实施例2

实施例2提供一种电光调制器的制造方法。该控制方法用于制造实施例1所述的电光调制器1或1a。

图5是该制造方法的一个示意图。如图5所示，该制造方法包括：

操作501、在基板上形成图1所示的多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第一光反射结构50、第二相移波导60、第二光反射结构70以及平板区80，例如，在操作501中，基板是SOI晶圆，通过对SOI晶圆的顶层硅进行刻蚀，形成上述结构；

操作502、对第一相移波导40和第二相移波导60的第一区域进行第一类型掺杂，其中，第一类型掺杂例如是P型掺杂，第一区域例如是图2或图4中被示为P型掺杂的区域；

操作503、对平板区80中与第一区域连接的第一接触区域进行第一类型重掺杂，其中，进行第一类型重掺杂的掺杂浓度高于进行第一类型掺杂的掺杂浓度，例如，第一类型重掺杂为P++掺杂，第一接触区域例如是图2或图4中被示为P++型掺杂的区域；

操作504、对第一相移波导40和第二相移波导60的第二区域进行第二类型掺杂，其中，第二类型掺杂例如是N型掺杂，第二区域例如是图2或图4中被示为N型掺杂的区域；

操作505、对平板区80中与第二区域连接的第二接触区域进行第二类型重掺杂，其中，进行第二类型重掺杂的掺杂浓度高于进行第二类型掺杂的掺杂浓度，例如，第二类型重掺杂为N++掺杂，第二接触区域例如是图2或图4中被示为N++型掺杂的区域；

操作506、形成覆盖膜90，覆盖膜覆盖多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第一光反射结构50、第二相移波导60、第二光反射结构70以及平板区80，例如，在操作506中，采用PECVD沉积一层二氧化硅(SiO₂)层作为覆盖层90，该覆盖层90能够作为波导结构上包层；以及

操作507、形成电极100或100a，电极100或100a设置于覆盖层90表面，并贯穿覆盖层90而与平板区80电接触；例如，在操作507中，可以对覆盖层90进行通孔刻蚀，从而露出平板区80中的第一接触区域和第二接触区域，然后，在通孔中沉积铝电极以作为电极100或100a。

在本实施例中，多模干涉波导10、输入波导20、输出波导30、第一相移波导40、第一光反射结构50、第二相移波导60、第二光反射结构70、平板区80以及电极100或100a的结构可以参考实施例1，本实施例不再重复说明。

根据本申请的实施例，能够制造迈克尔逊干涉型电光调制器，该电光调制器的至少一个相移波导设置成折叠的结构，从而能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。

以上结合具体的实施方式对本申请进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本申请保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本申请的精神和原理对本申请做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本申请的范围内。

Claims (10)

1.一种电光调制器，其设置于基板，其特征在于，所述电光调制器包括：

多模干涉波导；

输入波导，其与所述多模干涉波导的第一端连接，沿所述基板的横向的第一方向延伸；

输出波导，其与所述多模干涉波导的第一端连接，与所述输入波导平行；

第一相移波导，其起始端与所述多模干涉波导的第二端连接；

第一光反射结构，其连接于所述第一相移波导的末端；

第二相移波导，其起始端与所述多模干涉波导的第二端连接；

第二光反射结构，其连接于所述第二相移波导的末端；

平板区，其与所述第一相移波导和所述第二相移波导连接，并且，所述平板区的厚度低于所述第一相移波导和所述第二相移波导的厚度；

覆盖层，其覆盖所述多模干涉波导、所述输入波导、所述输出波导、所述第一相移波导、所述第二相移波导和所述平板区；以及

电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，

其中，

所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：

两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及

连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。

2.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，

所述连接部沿曲线方向延伸。

3.如权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，

所述曲线为半圆弧状。

4.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，

所述电极包括第一电极、第二电极和第三电极，

所述第一电极设置在所述第二相移波导的沿第二方向的一侧，

所述第二电极设置在所述第一相移波导的沿第二方向的另一侧，

所述第三电极设置在所述第一相移波导和所述第二相移波导之间，

所述第一电极用于连接高频信号，所述第二电极用于连接地电位，所述第三电极用于连接直流电压。

5.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，

所述电极包括：

针对所述第一相移波导设置的第一电极和第二电极；以及，

针对所述第二相移波导设置的第一电极和第二电极，

其中，

从所述第一相移波导和所述第二相移波导之间的位置起，沿着所述第二方向朝向所述第一相移波导的方向上，针对所述第一相移波导设置的第二电极和第一电极隔着各所述直线延伸部交替分布；和/或

从所述第一相移波导和所述第二相移波导之间的位置起，沿着所述第二方向朝向所述第二相移波导的方向上，针对所述第二相移波导设置的第二电极和第一电极隔着各所述直线延伸部交替分布，

针对所述第一相移波导设置的第一电极和针对所述第二相移波导设置的第一电极都用于连接高频信号，

针对所述第一相移波导设置的第二电极和针对所述第二相移波导设置的第二电极都用于连接地电位。

6.一种电光调制器的制造方法，所述电光调制器设置于基板，其特征在于，所述制造方法包括：

在所述基板上形成多模干涉波导、输入波导、输出波导、第一相移波导、第一光反射结构、第二相移波导、第二光反射结构以及平板区；

对所述第一相移波导和所述第二相移波导的第一区域进行第一类型掺杂；

对所述平板区中与所述第一区域连接的第一接触区域进行第一类型重掺杂，其中，进行所述第一类型重掺杂的掺杂浓度高于进行所述第一类型掺杂的掺杂浓度；

对所述第一相移波导和所述第二相移波导的第二区域进行第二类型掺杂；

对所述平板区中与所述第二区域连接的第二接触区域进行第二类型重掺杂，其中，进行所述第二类型重掺杂的掺杂浓度高于进行所述第二类型掺杂的掺杂浓度；

形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖所述多模干涉波导、所述输入波导、所述输出波导、所述第一相移波导、所述第二相移波导和所述平板区；以及

形成电极，所述电极设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，

其中，

所述输入波导与所述多模干涉波导的第一端连接，沿所述基板的横向的第一方向延伸，

所述输出波导与所述多模干涉波导的第一端连接，与所述输入波导平行，

所述第一相移波导的起始端与所述多模干涉波导的第二端连接，

所述第一光反射结构连接于所述第一相移波导的末端，

所述第二相移波导的起始端与所述多模干涉波导的第二端连接，

所述第二光反射结构连接于所述第二相移波导的末端，

所述平板区与所述第一相移波导和所述第二相移波导连接，并且，所述平板区的厚度低于所述第一相移波导和所述第二相移波导的厚度，

所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：

两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及

连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

所述连接部沿曲线方向延伸。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

所述曲线为半圆弧状。

9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

所述电极包括第一电极、第二电极和第三电极，

所述第一电极设置在所述第二相移波导的沿第二方向的一侧，

所述第二电极设置在所述第一相移波导的沿第二方向的另一侧，

所述第三电极设置在所述第一相移波导和所述第二相移波导之间，

所述第一电极用于连接高频信号，所述第二电极用于连接地电位，所述第三电极用于连接直流电压。

10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

所述电极包括：

针对所述第一相移波导设置的第一电极和第二电极；以及，

针对所述第二相移波导设置的第一电极和第二电极，

其中，

从所述第一相移波导和所述第二相移波导之间的位置起，沿着所述第二方向朝向所述第一相移波导的方向上，针对所述第一相移波导设置的第二电极和第一电极隔着各所述直线延伸部交替分布；和/或

从所述第一相移波导和所述第二相移波导之间的位置起，沿着所述第二方向朝向所述第二相移波导的方向上，针对所述第二相移波导设置的第二电极和第一电极隔着各所述直线延伸部交替分布，

针对所述第一相移波导设置的第一电极和针对所述第二相移波导设置的第一电极都用于连接高频信号，

针对所述第一相移波导设置的第二电极和针对所述第二相移波导设置的第二电极都用于连接地电位。

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