CN115579600A - 一种介质波导滤波器的电容耦合结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种介质波导滤波器的电容耦合结构，涉及滤波器的领域，解决了因负耦合孔过深在烧结后易变形的技术问题。电容耦合结构设置在其中两个相邻的谐振器的调试孔的连线中点上；电容耦合结构包括位于介质波导滤波器本体上表面的第一盲孔和其下表面的第二盲孔，第一盲孔和第二盲孔形成负耦合孔；第一盲孔和第二盲孔的深度之和大于调试孔的深度，且小于介质波导滤波器本体的上表面和下表面之间的间距；第一盲孔与第二盲孔同轴布置。本发明提升了滤波器的矩形系数、抑制特性及设计的灵活性；并且上下对称结构负耦合孔可使干压时粉料具备较好的流动性，介质波导滤波器本体各部分密度均匀，避免烧结过程中负耦合孔易变形的问题。

Description

一种介质波导滤波器的电容耦合结构

技术领域

本发明涉及滤波器，更具体地说，它涉及一种介质波导滤波器的电容耦合结构。

背景技术

在移动通信领域，随着技术的发展，对于系统内滤波器的选频性能和小型化要求不断提高，新型高介电常数粉料实现的介质波导滤波器可满足高性能、小型化、低成本要求。

根据移动通信系统基站端大功率微波滤波器的带外选频要求，一般在设计滤波器时需要加入传输零点。而由于介质滤波器的粉料和结构受限，在实现容性交叉耦合时，相较于金属滤波器更为困难。专利号201380046875.9公布了一种介质滤波器，在两个谐振器连接位置中心上表面设置单向负耦合孔，其孔深为所处位置相连接的两个谐振器的调试孔的深度的两倍或多于两倍。该滤波器在生胚压制成型过程中，由于负耦合孔孔深与其他调谐孔深相差达到两倍以上，导致负耦合孔在烧结后易出现变形的现象，为此需要对现有技术进行改进。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种介质波导滤波器的电容耦合结构，解决了因负耦合孔过深在烧结后易变形的问题。

本发明的技术方案是在于：一种介质波导滤波器的电容耦合结构，所述的电容耦合结构设置在两个相邻的调试孔之间；所述电容耦合结构包括位于介质波导滤波器本体上表面的第一盲孔和位于介质波导滤波器本体下表面的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔形成负耦合孔；所述第一盲孔和第二盲孔的深度之和大于调试孔的深度，且小于所述介质波导滤波器本体的上表面和下表面之间的间距；所述第一盲孔与第二盲孔同轴布置。

所述第一盲孔的深度和第二盲孔的深度之和是调试孔的两倍以上。

所述调试孔的深度大于或等于第一盲孔的深度。

所述调试孔的深度与第一盲孔的深度差为调试孔深度的0-5%。

所述第一盲孔的底部和第二盲孔的底部均设有金属导电屏蔽层。

有益效果

本发明的优点在于：通过在相邻的两个调试孔之间的介质波导滤波器本体的上表面和下表面均设置一盲孔，且两个盲孔同轴布置，从而形成上下结构的负耦合孔。上下结构的负耦合孔避免了现有技术中负耦合孔过深而导致介质波导滤波器本体在烧结过程中易变形的问题。并且，由上下结构的两个盲孔形成负耦合孔在滤波器的通带低端形成传输零点，提升了滤波器的矩形系数，提高了滤波器的抑制特性，从而提高滤波器的设计灵活性。

附图说明

图1为本发明的介质波导滤波器本体的上表面的结构示意图；

图2为本发明的介质波导滤波器本体的下表面的结构示意图；

图3为本发明的介质波导滤波器本体的电容耦合结构的示意图；

图4为本发明的滤波器的频率响应曲线图。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明作进一步的描述，但不构成对本发明的任何限制，任何人在本发明权利要求范围所做的有限次的修改，仍在本发明的权利要求范围内。

本发明的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，电容耦合结构设置在其中两个相邻的谐振器的调试孔2的连线中点上。本实施例的介质波导滤波器本体1为实心的固态介电粉料，且该固态介电粉料为陶瓷。介质波导滤波器本体1为矩形状。介质波导滤波器本体1上设有六个谐振器。谐振器通过贯通槽5进行分隔，每个谐振器上均设有一个调试孔2。即介质波导滤波器本体1上设有六个调试孔2，分别为第一调试孔21、第二调试孔22、第三调试孔23、第四调试孔24、第五调试孔25和第六调试孔26。位于介质波导滤波器本体1一端的相邻的两个谐振器上的调试孔2的连线中点上设有电容耦合结构。如图1所示，第一调试孔21和第二调试孔22的连线中点上设有电容耦合结构。

参阅图2和图3，电容耦合结构包括位于介质波导滤波器本体1上表面的第一盲孔3和位于介质波导滤波器本体1下表面的第二盲孔4，且第一盲孔3的底部和第二盲孔4的底部均设有金属导电屏蔽层7。并且介质波导滤波器本体1的表面也覆盖有金属导电屏蔽层7。

金属导电屏蔽层7可以为金属化银层。可以通过对介质波导滤波器本体1表面进行电镀、烧结、溅射等方法形成金属导电屏蔽层7。

第一盲孔3和第二盲孔4的深度之和大于调试孔2的深度，且小于介质波导滤波器本体1的上表面和下表面之间的间距；第一盲孔3与第二盲孔4同轴布置。上下布置的第一盲孔3和第二盲孔4形成了上下结构的负耦合孔。上下结构的负耦合孔避免了现有技术中负耦合孔过深而导致介质波导滤波器本体在烧结过程中易变形的问题。此外，上下结构的负耦合孔，在介质波导滤波器本体1的通带低端形成传输零点，如图4所示。其不仅提升了滤波器的矩形系数，同时也提高了滤波器的抑制特性，从而提高滤波器的设计灵活性。

其中，第一盲孔3的深度和第二盲孔4的深度之和是调试孔2的两倍以上，使包含第一调试孔21的谐振器或包含第二调试孔22的谐振器的谐振频率相对于其两侧的谐振器的谐振频率低，从而使包含第一调试孔21的谐振器和包含第二调试孔22的谐振器之间形成电容耦合。

调试孔2的深度大于或等于第一盲孔3的深度。优选的，谐振器的安装深度与第一盲孔3的深度差为谐振器的安装深度的0-5%。即第一盲孔3的深度与调试孔2的深度相当，从而使得第一盲孔2的深度与调试孔2的深度较为均匀，使介质波导滤波器本体1在成型时，粉料在模具中流动性好，压制出的生胚密度更加均匀，有效的减少了烧结过程中负耦合孔底部局部变形问题。

以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。

Claims (5)

1.一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述的电容耦合结构设置在两个相邻的调试孔（2）之间；包括位于介质波导滤波器本体（1）上表面的第一盲孔（3）和位于介质波导滤波器本体（1）下表面的第二盲孔（4），所述第一盲孔（3）和第二盲孔（4）形成负耦合孔；所述第一盲孔（3）和第二盲孔（4）的深度之和大于调试孔（2）的深度，且小于所述介质波导滤波器本体（1）的上表面和下表面之间的间距；所述第一盲孔（3）与第二盲孔（4）同轴布置。

2.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔（3）的深度和第二盲孔（4）的深度之和是调试孔（2）的两倍以上。

3.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述调试孔（2）的深度大于或等于第一盲孔（3）的深度。

4.根据权利要求3所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述调试孔（2）的深度与第一盲孔（3）的深度差为调试孔（2）深度的0-5%。

5.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔（3）的底部和第二盲孔（4）的底部均设有金属导电屏蔽层（7）。

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