CN115548235A - 光取出膜、发光器组件和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了光取出膜、发光器组件和显示装置。光取出膜包括：至少一个第一光取出材料层，所述第一光取出材料层的折射率为a；至少两个第二光取出材料层，所述第二光取出材料层的折射率为b；至少两个第三光取出材料层，所述第三光取出材料层的折射率为c；其中，a＞b＞c，且任意相邻的两个光取出材料层的折射率不同。由此，光取出膜由多种不同折射率的膜层适配形成，可以有效改善发光器件的发光效率，从而使得发光器件具有更好的发光效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及光取出膜、发光器组件和显示装置。
背景技术
有机电致发光(OLED)器件包括发光层和在发光层两侧的一对电极，当在两个电极之间施加电场时，电子由阴极注入，空穴由阳极注入，在发光层中电子和空穴重新结合形成激发态，当激发态返回到基态时产生的能量发射光。
然而，目前的有机电致发光器件的发光效率较低，使用寿命较短，有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种光取出膜，所述光取出膜包括：至少一个第一光取出材料层，所述第一光取出材料层的折射率为a；至少两个第二光取出材料层，所述第二光取出材料层的折射率为b；至少两个第三光取出材料层，所述第三光取出材料层的折射率为c；其中，a＞b＞c，且任意相邻的两个光取出材料层的折射率不同。由此，光取出膜由多种不同折射率的膜层适配形成，可以有效改善发光器件的发光效率，从而使得发光器件具有更好的发光效果。
根据本发明的实施例，a≥2.0，1.65≤b≤1.95，1.3≤c≤1.65，各个光取出材料层的折射率设置在上述范围内，有利于进一步提高光取出膜的性能，从而更有利于改善发光器件的发光效率。
根据本发明的实施例，所述光取出膜包括依次层叠设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层为所述第一光取出材料层，所述第三子层和所述第五子层均为所述第二光取出材料层，所述第二子层和所述第四子层均为所述第三光取出材料层。由此，光取出膜由上述五个子层形成，相邻膜层的折射率不同，可以使得更多的光线能够由发光器件射出，从而能够更有效地提高发光器件的发光效率。
根据本发明的实施例，形成第一光取出材料层的材料包括结构式为式(1)和式(2)的化合物中的至少之一，
其中，A为亚苯基、亚联苯基、亚多联苯基、亚芴基及其衍生物；L1、L2、L3和L4各自独立地为直接键合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基或者取代或未取代的C2～C50的亚杂芳基；Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C1～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基，并且，Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的至少之一的结构式包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)，
Y为C、O、N、NR3或S；R1、R2和R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C15的环结构形成的C2～C50的杂芳基。
根据本发明的实施例，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4不包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元的芳杂环或C5～C60的六元的芳杂环。
根据本发明的实施例，形成第二光取出材料层的材料为选自第一主族、第二主族、第三主族、第四主族的元素中的至少一种与选自第五主族、第六主族的元素中的至少一种组成的无机化合物。
根据本发明的实施例，形成所述第二子层的材料包括Mg、Cu、Ag、Ni、Pd、Ba、Au、Nb、Mg-Ag合金、Li-Al合金、Au-Pt合金、Au-Pd合金、Pd-Ag合金、Pt-Pd合金、氧化镁、氧化铝、氧化铍、氧化硼、氧化鎘、氧化锂、氧化钙、氧化硅、氮氧化硅、氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化钙、氟化锶、氟化钠、氟化铝、氟化镁、氟化钡、氟化镱、氟化钇、氟化镨、氟化钆、氟化镧、氟化钕、氟化铈、碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铯、碘化镁、碘化钙、碘化铍、碘化锶、碘化钡、硫化铋、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化铬中的至少之一，或者，形成所述第二子层的材料包括结构式为式(7)、式(8)、式(9)的化合物中的至少之一，
其中，r1、r2、r3、r4、r5为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基；L0为直接键合、可取代的亚苯基或者C3～C15的杂环结构。
根据本发明的实施例，形成所述第四子层的材料包括丙烯酸酯类化合物、达旦黄、喹酞酮和吡唑啉酮类衍生物中的至少之一；所述第四子层是将液态的有机材料通过狭缝涂布、喷墨打印、丝网印刷、旋涂、喷涂方式中的至少之一涂布后干燥成膜得到的。由此，第四子层具有合适的折射率，与其他子层的折射率匹配，有利于提高发光器件的发光效率；并且，第四子层可以起到平坦层的作用，能够改善无机层之间粗糙度过大的问题，有效降低粗糙界面对出光的不良影响，从而进一步提高发光器件的发光效率。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种发光器组件，所述发光器组件包括：阳极；发光层，所述发光层设置在所述阳极的一侧；阴极，所述阴极设置在所述发光层远离所述阳极的一侧；前面所述的光取出膜，所述光取出膜设置在所述阴极远离所述阳极的一侧。由此，该发光器组件具有前面所述的光取出膜所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该发光器组件具有较高的发光效率。
根据本发明的实施例，所述光取出膜包括依次层叠设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层为第一光取出材料层，所述第三子层和所述第五子层均为第二光取出材料层，所述第二子层和所述第四子层均为第三光取出材料层，其中，所述第一子层靠近所述阴极设置，且所述第三子层、所述第四子层和所述第五子层构成所述发光器组件的封装薄膜。由此，该发光器组件的部分膜层可以起到封装薄膜的作用，不需要另外制作封装薄膜，即可有效阻隔外界水氧，避免水氧对发光器件造成不良影响，从而使得发光器组件具有较长的使用寿命。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置，所述显示装置包括前面所述的发光器组件，由此，该显示装置具有前面所述的发光器组件所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有良好的发光效率和较长的使用寿命。
附图说明
图1显示了根据本发明一个实施例的光取出膜的结构示意图；
图2显示了根据本发明一个实施例的发光器组件的结构示意图；
图3显示了根据本发明另一个实施例的发光器组件的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
目前的OLED器件的发光效率较低，而且，由于OLED器件中存在对于水汽和氧气极为敏感的有机层材料，外界水氧侵入会造成OLED器件寿命显著缩短甚至失效。
为了至少在一定程度在解决上述技术问题中的至少之一，在本发明的一方面，本发明提出了一种光取出膜。根据本发明的一些实施例，光取出膜包括：至少一个第一光取出材料层，所述第一光取出材料层的折射率为a；至少两个第二光取出材料层，所述第二光取出材料层的折射率为b；至少两个第三光取出材料层，所述第三光取出材料层的折射率为c；其中，a＞b＞c，且任意相邻的两个光取出材料层的折射率不同。通过设置多个不同折射率的材料层，相邻的材料层的折射率不同，可以有效避免在光取出膜的各层结构中形成类似光波导(光纤中光线在光纤内部不断反射)的效应，使更多的光线可以从发光器件中射出，进而提高发光器件的发光效率。
根据本发明的一些实施例，a＞b＞c，其中，a≥2.0，例如，a可以为2.05、2.1、2.2、2.3、2.4等；1.65≤b≤1.95，例如，b可以为1.65、1.7、1.75、1.8、1.85、1.9、1.95等；1.3≤c≤1.65，例如，c可以为1.3、1.35、1.4、1.45、1.5、1.55、1.6、1.65等，由此，第一光取出材料层、第二光取出材料层和第三光取出材料层的折射率具有一定的差异，在层叠上述各层结构之后，能够更好地调节光线的方向，使更多的光线由发光器件中射出，从而更有利于提高发光器件的发光效率。
根据本发明的一些具体实施例，光取出膜可以由五个膜层形成，参考图1，光取出膜100可以包括依次层叠设置的第一子层110、第二子层120、第三子层130、第四子层140和第五子层150，其中，第一子层110为第一光取出材料层，第三子层130和第五子层150均为第二光取出材料层，第二子层120和第四子层140均为第三光取出材料层。由此，上述光取出膜由高折射率层、低折射率层、中折射率层、低折射率层和中折射率层依次层叠而成，可以很好地调节光线的方向，能够使得更多光线由发光器件射出，从而有效提高发光器件的发光效率。
根据本发明的一些实施例，形成第一光取出材料层的材料可以包括结构式为式(1)和式(2)的化合物中的至少之一，
根据本发明的实施例，A可以为亚苯基、亚联苯基、亚多联苯基、亚芴基及其衍生物。
根据本发明的实施例，L1、L2、L3和L4各自独立地为直接键合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基或者取代或未取代的C2～C50的亚杂芳基。需要说明的是，直接键合即是指L1、L2、L3或L4为化学键，以式(1)中的L1为直接键合为例进行说明，式(1)中N与Ar1直接键合。
根据本发明的实施例，Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C1～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基，并且，Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的至少之一的结构式包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)，
根据本发明的一些实施例，Y可以为C、O、N、NR3或S。
根据本发明的一些实施例，R1、R2和R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C15的环结构形成的C2～C50的杂芳基。
根据本发明的一些具体实施例，式(3)具体可以为式(3-1)、式(3-2)或者式(3-3)，
根据本发明的一些具体实施例，式(4)具体可以为式(4-1)、式(4-2)或者式(4-3)，
根据本发明的一些实施例，R3可以为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C15的环结构形成的C2～C50的杂芳基。
根据本发明的一些实施例，Ar包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4不包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)时，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4可以各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元的芳杂环或C5～C60的六元的芳杂环。
根据本发明的一些具体实施例，形成第一光取出材料层的材料可以包括结构式为式(1-1)～式(1-6)和式(2-1)～式(2-4)的化合物中的至少之一：
根据本发明的一些实施例，形成第二光取出材料层的材料为选自第一主族、第二主族、第三主族、第四主族的元素中的至少一种与选自第五主族、第六主族的元素中的至少一种组成的无机化合物。由此，上述材料形成的第二光取出材料层不仅可以提高发光器件的发光效率，还可以有效阻隔外界的水氧，使外界的水氧无法渗透至发光器件的内部，从而有效延长发光器件的使用寿命。根据本发明的一些具体实施例，形成第二光取出材料层的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化铝和氧化镁中的至少之一，由此，更有利于提高发光器件的发光效率并延长发光器件的使用寿命。
本发明中，形成第二子层的材料可以为无机材料，也可以为有机材料。
根据本发明的一些实施例，形成第二子层的材料可以为无机材料，可以包括Mg、Cu、Ag、Ni、Pd、Ba、Au、Nb、Mg-Ag合金、Li-Al合金、Au-Pt合金、Au-Pd合金、Pd-Ag合金、Pt-Pd合金、氧化镁、氧化铝、氧化铍、氧化硼、氧化鎘、氧化锂、氧化钙、氧化硅、氮氧化硅、氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化钙、氟化锶、氟化钠、氟化铝、氟化镁、氟化钡、氟化镱、氟化钇、氟化镨、氟化钆、氟化镧、氟化钕、氟化铈、碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铯、碘化镁、碘化钙、碘化铍、碘化锶、碘化钡、硫化铋、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化铬中的至少之一。
根据本发明的另一些实施例，形成第二子层的材料可以为有机材料，可以包括结构式为式(7)、式(8)、式(9)的化合物中的至少之一。
其中，r1、r2、r3、r4、r5为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基；L0为直接键合、可取代的亚苯基或者C3～C15的杂环结构。
根据本发明的一些具体实施例，形成第二子层的材料可以包括结构式为式(7-1)～式(7-7)、式(8-1)～式(8-8)、式(9-1)～式(9-13)的化合物中的至少之一：
根据本发明的一些实施例，形成第四子层140的材料可以包括丙烯酸酯类化合物、达旦黄、喹酞酮和吡唑啉酮类衍生物中的至少之一。根据本发明的一些具体实施例，第四子层可以由丙烯酸酯类化合物、达旦黄、喹酞酮或吡唑啉酮类衍生物形成。
根据本发明的一些实施例，第四子层140是将液态的有机材料(包括丙烯酸酯类化合物、达旦黄、喹酞酮和吡唑啉酮类衍生物等中的至少之一)通过狭缝涂布、喷墨打印、丝网印刷、旋涂、喷涂方式中的至少之一涂布后干燥成膜得到的，液态的有机材料具有较好的流平性，可以对第三子层的薄膜进行平坦化，从而避免粗糙表面可能会造成的发光效率降低的问题，有利于进一步提高发光器件的发光效率。
根据本发明的一些具体实施例，光取出膜包括依次层叠设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层为第一光取出材料层，第一子层的材料的结构式为式(10)、式(10-a)或式(10-b)；第二子层和第四子层均为第三光取出材料层，第二子层的材料的结构式为式(11)、式(9-3)或式(7-5)，第四子层的材料为丙烯酸酯类化合物；第三子层和第五子层均为第二光取出材料层，第三子层的材料为氮氧化硅，第五子层的材料为氮化硅。
光取出膜采用五层结构，依次层叠高折射率层(a≥2.0)、低折射率层(1.3≤c≤1.65)、中折射率层(1.65≤b≤1.95)、低折射率层(1.3≤c≤1.65)和中折射率层(1.65≤b≤1.95)，能够大幅度提高发光器件发光功能层的出光效率，从而提高发光器件的发光效率；第三子层和第五子层采用无机材料，可以保证外界的水氧无法渗透至发光器件内部，从而有利于延长发光器件的使用寿命；第四子层可以改善无机层之间粗糙度过大的问题，有效降低粗糙界面对发光效率的不良影响。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种发光器组件。根据本发明的实施例，参考图2，发光器组件可以包括阳极200、发光层300、阴极400以及前面所述的光取出膜100，其中，发光层300设置在阳极200的一侧，阴极400设置在发光层300远离阳极200的一侧，光取出膜100设置在阴极400远离阳极200的一侧。由此，发光器组件具有前面所述的光取出膜所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，发光器组件具有较高的发光效率，有利于提升用户的体验效果。
根据本发明的一些实施例，参考图3，发光器组件进一步包括空穴注入层10、电子注入层60，空穴注入层10设置在阳极200和发光层300之间，电子注入层60设置在发光层300和阴极400之间。根据本发明的一些实施例，参考图3，发光器组件可以进一步包括空穴传输层20、电子阻挡层30、空穴阻挡层40、电子传输层50，空穴传输层20设置在阳极200和发光层300之间，电子阻挡层30设置在阳极200和发光层300之间，空穴阻挡层40设置在发光层300和阴极400之间，电子传输层50设置在发光层300和阴极400之间。由此，发光器组件具有更快的电子传输速率和空穴传输速率，从而有利于进一步提高发光器组件的发光效率。需要说明的是，空穴注入层10、电子注入层60、空穴传输层20、电子阻挡层30、空穴阻挡层40、电子传输层50可以根据实际需要进行设置和选择，可以仅设置其中的一层结构，也可以设置其中的两层或更多层结构。
根据本发明的一些具体实施例，参考图3，发光器组件可以包括依次层叠设置的阳极200、空穴注入层10、空穴传输层20、电子阻挡层30、发光层300、空穴阻挡层40、电子传输层50、电子注入层60、阴极400和光取出膜100。
根据本发明的实施例，形成空穴注入层10的材料可选自但不限于无机的氧化物、强吸电子体系的掺杂物，例如六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷(F4TCNQ)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷等。其中，F4TCNQ的结构式如式(12)所示：
根据本发明的实施例，形成空穴传输层20的材料、形成电子阻挡层30的材料各自独立地选自但不限于具有空穴传输特性的芳胺类以及二甲基芴或者咔唑材料及其衍生物等。根据本发明的一些实施例，形成空穴传输层的材料可以为m-MTDATA，即4,4’,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺，m-MTDATA的结构式如式(13)所示；形成电子阻挡层的材料可以为CBP，即4,4’-二(9-咔唑)联苯，CBP的结构式如式(14)所示：
根据本发明的实施例，形成发光层300的材料可以选自但不限于蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料。根据本发明的一些实施例，红光与绿光采用的发光材料可以为磷光材料，磷光材料的内量子效率极限是100％；蓝光采用的发光材料可以为荧光材料，理论上荧光材料的内量子效率极限是25％。发光材料也可以以外量子效率来表示其发光效率，外量子效率是指有机层中生成的光输出至有机发光器件以外的发光效率，一般发光器件的外量子效率约为内量子效率的20％～30％。
根据本发明的一些实施例，蓝色发光材料可选自但不限于芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、胺衍生物等。
根据本发明的一些实施例，形成发光层的材料可以包括BH(主体材料)和BD(客体掺杂材料)，主体材料BH的结构式如式(15)所示，客体掺杂材料BD的结构式如式(16)所示：
根据本发明的实施例，形成空穴阻挡层40的材料、形成电子传输层50的材料各自独立地为芳族杂环化合物，可选自但不限于苯并咪唑、三嗪、嘧啶、吡啶、吡嗪、喹喔啉、喹啉、二唑、二氮杂磷杂环戊二烯、氧化膦、芳族酮、内酰胺、硼烷的化合物及其衍生物中的任意一种或两种及两种以上的组合。
根据本发明的一些实施例，形成空穴阻挡层的材料可以为TPBi，TPBi即1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，TPBi的结构式如式(17)所示：
根据本发明的一些实施例，形成电子传输层的材料可以为BCP，BCP即2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉，BCP的结构式如式(18)所示：
根据本发明的实施例，形成电子注入层60的材料可以为碱金属或其他金属、碱金属的化合物或其他金属的化合物等，例如LiF、Yb及其化合物、Mg及其化合物、Ca及其化合物等。
根据本发明的实施例，参考图3，光取出膜100包括依次层叠设置的第一子层110、第二子层120、第三子层130、第四子层140和第五子层150，第一子层110为第一光取出材料层，第三子层130和第五子层150均为第二光取出材料层，第二子层120和第四子层140均为第三光取出材料层，其中，第一子层110靠近阴极400设置，且第三子层130、第四子层140和第五子层150构成发光器组件的封装薄膜。发明人发现，阴极通常为金属材料，阴极表面的自由电子可能与光波产生电磁作用，而这种作用不利于光线射出，本发明中，第一子层具有较高的折射率，第一子层靠近阴极设置可以有效弱化上述电磁作用，避免电磁作用对光线射出造成不良影响，从而提高发光器组件的发光效率；多个不同折射率的子层层叠设置，可以使更多的光线射出，从而有效提高发光器组件的发光效率；第三子层、第四子层以及第五子层还可以起到封装薄膜的作用，有效避免外界水氧渗透至发光器组件内部，从而延长发光器组件的使用寿命；第四子层可以起到平坦化的作用，能够有效改善无机层之间粗糙度较大的问题，降低甚至避免粗糙界面对发光效率的不良影响。
根据本发明的一些实施例，可以采用真空蒸镀的方法在阳极的一侧形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极等膜层结构，得到发光器组件。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，显示装置包括前面所述的发光器组件，由此，该显示装置具有前面所述的发光器组件所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有较高的发光效率，有利于提高该显示装置的显示效果。
根据本发明的实施例，上述显示装置的具体种类没有特殊的要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择，比如可以为手机、iPad、笔记本等显示装置。本领域技术人员可以理解，该显示装置除了前面所述的发光器组件之外，还具有常规显示装置所必备的结构和部件，以手机为例，除了前面所述的发光器组件之外，还包括电池后盖、中框、触控面板、音频模组、主板等必备的结构和部件。
下面通过具体的实施例对本发明进行说明，本领域技术人员能够理解的是，下面的具体实施例仅仅是为了说明的目的，而不以任何方式限制本发明的范围。另外，在下面的实施例中，除非特别说明，所采用的材料和设备均是市售可得的。如果在后面的实施例中，未对具体的处理条件和处理方法进行明确描述，则可以采用本领域中公知的条件和方法进行处理。
实施例1
发光器组件的结构可参考图3，其中，阳极的材质为ITO(氧化铟锡)；空穴注入层的材质为m-MTDATA:F4TCNQ，以空穴注入层的总质量为基础，F4TCNQ的质量含量为3wt％，空穴注入层的厚度为10nm；空穴传输层的材质为m-MTDATA，厚度为110nm；电子阻挡层的材质为CBP，厚度为5nm；发光层的材质为BH:BD，以发光层的总质量为基础，BD的质量含量为5wt％，发光层的厚度为20nm；空穴阻挡层的材质为TPBi，厚度为5nm；电子传输层的材质为BCP:Liq，其中，BCP与Liq(8-羟基喹啉锂)的质量比为1：1，电子传输层的厚度为30nm；电子注入层的材质为Yb(镱)，厚度为1nm；阴极的材质为镁银合金，阴极的厚度为13nm。
光取出膜的第一子层靠近阴极设置，第一子层的材质的结构式为式(10)，厚度为50nm；第二子层的材质的结构式为式(11)，厚度为50nm；第三子层的材质为氮氧化硅，厚度为30nm；第四子层的材质为丙烯酸酯类化合物，厚度为30nm；第五子层的材质为氮化硅，厚度为30nm。
实施例2
与实施例1所不同的是，第一子层的材质的结构式为式(10-a)，第二子层的材质的结构式为式(9-3)。
实施例3
与实施例1所不同的是，第一子层的材质的结构式为式(10-b)，第二子层的材质的结构式为式(7-5)。
对比例1
与实施例1所不同的是，光取出膜的材质的结构式为式(10)，厚度为50nm，在光取出膜远离阴极的一侧设置封装薄膜，封装薄膜的厚度为140nm。
测试实施例和对比例中的发光器组件的电压、外量子效率、寿命(LT95，发光器组件的亮度衰减到初始亮度的95％所需要的时间)，并将测试结果记录于表1中，需要说明的是，表1中的测试数据均进行了归一化处理，即是说，将对比例1的电压、外量子效率、寿命均记为100％，实施例的测试数据相应处理。
表1各实施例和对比例的测试数据
| 样品名称 | 电压 | EQE(外量子效率) | 寿命(LT95@1000nit) |
| 实施例1 | 100％ | 112％ | 108％ |
| 实施例2 | 99％ | 108％ | 112％ |
| 实施例3 | 99％ | 110％ | 107％ |
| 对比例1 | 100％ | 100％ | 100％ |
由表1可知，与对比例1中仅采用单层膜层的光取出膜的技术方案相比，实施例1～实施例3采用本发明的光取出膜，可以使得发光器组件的外量子效率提高8％～12％，寿命提高7％～12％，并且，不需要另外设置封装薄膜，可以减少工艺步骤，从而提高产品的良率。通过上述实验可知，本发明提出的光取出膜用于发光器组件中，可以显著提高发光器组件的发光效率，并且，可以有效延长发光器组件的使用寿命。
文中术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”、“一些实施例”、“另一些实施例”或“一些具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (11)
1.一种光取出膜，其特征在于，包括：
至少一个第一光取出材料层，所述第一光取出材料层的折射率为a；
至少两个第二光取出材料层，所述第二光取出材料层的折射率为b；
至少两个第三光取出材料层，所述第三光取出材料层的折射率为c；
其中，a＞b＞c，且任意相邻的两个光取出材料层的折射率不同。
2.根据权利要求1所述的光取出膜，其特征在于，a≥2.0，1.65≤b≤1.95，1.3≤c≤1.65。
3.根据权利要求1或2所述的光取出膜，其特征在于，所述光取出膜包括依次层叠设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层为所述第一光取出材料层，所述第三子层和所述第五子层均为所述第二光取出材料层，所述第二子层和所述第四子层均为所述第三光取出材料层。
4.根据权利要求1或2所述的光取出膜，其特征在于，形成第一光取出材料层的材料包括结构式为式(1)和式(2)的化合物中的至少之一，
其中，A为亚苯基、亚联苯基、亚多联苯基、亚芴基及其衍生物；
L1、L2、L3和L4各自独立地为直接键合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基或者取代或未取代的C2～C50的亚杂芳基；
Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C1～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基，并且，Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的至少之一的结构式包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)，
Y为C、O、N、NR3或S；
R1、R2和R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C15的环结构形成的C2～C50的杂芳基。
5.根据权利要求4所述的光取出膜，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4不包括式(3)、式(4)、式(5)或式(6)，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地为C6～C60的芳基、C10～C60的稠和芳基、C5～C60的五元的芳杂环或C5～C60的六元的芳杂环。
6.根据权利要求1或2所述的光取出膜，其特征在于，形成第二光取出材料层的材料为选自第一主族、第二主族、第三主族、第四主族的元素中的至少一种与选自第五主族、第六主族的元素中的至少一种组成的无机化合物。
7.根据权利要求3所述的光取出膜，其特征在于，形成所述第二子层的材料包括Mg、Cu、Ag、Ni、Pd、Ba、Au、Nb、Mg-Ag合金、Li-Al合金、Au-Pt合金、Au-Pd合金、Pd-Ag合金、Pt-Pd合金、氧化镁、氧化铝、氧化铍、氧化硼、氧化鎘、氧化锂、氧化钙、氧化硅、氮氧化硅、氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化钙、氟化锶、氟化钠、氟化铝、氟化镁、氟化钡、氟化镱、氟化钇、氟化镨、氟化钆、氟化镧、氟化钕、氟化铈、碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铯、碘化镁、碘化钙、碘化铍、碘化锶、碘化钡、硫化铋、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化铬中的至少之一，
或者，形成所述第二子层的材料包括结构式为式(7)、式(8)、式(9)的化合物中的至少之一，
其中，r1、r2、r3、r4、r5为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C6～C50的芳基或者由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基；
L0为直接键合、可取代的亚苯基或者C3～C15的杂环结构。
8.根据权利要求3所述的光取出膜，其特征在于，形成所述第四子层的材料包括丙烯酸酯类化合物、达旦黄、喹酞酮和吡唑啉酮类衍生物中的至少之一；
所述第四子层是将液态的有机材料通过狭缝涂布、喷墨打印、丝网印刷、旋涂、喷涂方式中的至少之一涂布后干燥成膜得到的。
9.一种发光器组件，其特征在于，包括：
阳极；
发光层，所述发光层设置在所述阳极的一侧；
阴极，所述阴极设置在所述发光层远离所述阳极的一侧；
权利要求1～8中任一项所述的光取出膜，所述光取出膜设置在所述阴极远离所述阳极的一侧。
10.根据权利要求9所述的发光器组件，其特征在于，所述光取出膜包括依次层叠设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层为第一光取出材料层，所述第三子层和所述第五子层均为第二光取出材料层，所述第二子层和所述第四子层均为第三光取出材料层，其中，所述第一子层靠近所述阴极设置，且所述第三子层、所述第四子层和所述第五子层构成所述发光器组件的封装薄膜。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9或10所述的发光器组件。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |