CN115529730A - 一种半金属化槽孔结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半金属化槽孔结构及其制作方法,本发明通过在高多层板的特定位置进行槽孔加工,然后对槽孔金属化后再进行控深锣,控深锣必须钻穿可钻穿层,不伤及不可钻穿层,然后通过沉铜电镀,实现直通槽孔和阶梯槽孔同时金属化,在金属化的T型槽孔的大槽孔面进行二次阶梯锣,实现二次锣非金属化槽,二次阶梯锣的尺寸大小较器件长、宽大0.2mm以下;深度与器件等高,契合元器件安装实现高导热,半金属化槽孔与内层电地层导通的双阶梯T型槽孔类PCB产品。
Description
技术领域:
本发明属于PCB板制作领域,尤其涉及一种半金属化槽孔结构及其制作方法。
背景技术:
为了防止电磁辐射和干扰噪音,PCB板制作时会进行埋铜块操作,例如发明专利CN113660784 A公开一种PCB内置导电胶的加工方法及检验方法,而这种方式需要通过埋置导电胶的方式与T型元器件紧固黏贴,以使得T型元器件与PCB板的铜面导通,但是导电胶材料一般采用银、铜浆和树脂混合物制作而成,不仅价格昂贵且需要低温保存,加工后的膨胀系数与内层铜差异导致耐热性差,还存在粘度差、定位对位难操作等特点导致局部尺寸精度控制差。这导致T型元器件在后期统一出现脱胶,接触不良等问题
此外,埋置导电胶技术不仅对材料要求高,对加工设计有很大影响。而且也需要机械控深钻孔,受到控深设备精度能力,一般为±50um的能力,必须要保证不可钻穿层到临层的介质层(导电胶层)厚度≥控深深度*2倍以上,受到导电油墨(胶)半固态加工难度大,高度越高可能需要多次叠加。实际埋导电胶效率低下且成本高。
因此需要对现有的工艺进行改进。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种半金属化槽孔结构及其制作方法,本发明通过采用传统的印制电路板加工技术,经过优化设计和工艺流程方法实现高精度、高可靠的阶梯半金属化槽孔制作。
为解决上述问题,本发明的技术方案是:
一种半金属化槽孔结构的制作方法,包括以下步骤:
步骤一、依次进行开料-内层线路-压合-钻通孔;其中,压合后,两个含导体线路的芯板通过半固化片120压合粘结在一起;
步骤二、锣PTH槽;
步骤三、对PTH槽进行第一次控深锣,形成一次控深锣槽孔,一次控深锣槽孔与PTH槽的槽孔同心设置且一次控深锣槽孔直径大于PTH槽的槽孔的直径,形成T形槽孔;一次控深锣槽孔的深度达到半固化片120的中部;
步骤四、PTH电镀;
步骤五、依次进行外层线路-阻焊-字符;
步骤六、二次控深锣,锣除第一次控深锣的锣孔侧壁上部的金属层,形成非导通孔;
步骤七、依次进行表面处理-锣板-电测-FQC-FQA,得到含有半金属化槽孔结构的PCB板。
进一步的改进,两个含导体线路分别为第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112;第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112通过半固化片120压合粘结在一起,且第一含导体线路的芯板111处于第二含导体线路的芯板112上方,其中,设第一含导体线路的芯板111顶部的铜层为L1层,底部的铜层为L2层,第二含导体线路的芯板112顶部的铜层为L3层,底部的铜层为L4层,步骤三中,第一次控深锣时穿过L2层并不可钻穿层L3层。
进一步的改进,所述步骤三中,进行第一次控深锣时,形成平地锣槽,槽刀底部锯齿状深度>25um,保证锣底粗糙度Rz≥25um。
进一步的改进,所述步骤六中,二次控深锣时,控深锣深度处于L1层-L2层之间,且若L1层-L2层之间的厚度为h1mm,则控深锣深度的深度为h1-0.1mm。
进一步的改进,所述步骤六中,二次控深锣时,深锣的尺寸大小较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。
进一步的改进,安装的双T型器件的拐角位置设置有缩减的过度带。
一种半金属化槽孔结构,包括PCB板结构,PCB板结构第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112;第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112通过半固化片120压合粘结在一起,且第一含导体线路的芯板111处于第二含导体线路的芯板112上方,其中,第一含导体线路的芯板111顶部的铜层为L1层,底部的铜层为L2层,第二含导体线路的芯板112顶部的铜层为L3层,底部的铜层为L4层;PCB板结构上成形有双T型槽;双T型槽的上部为NPTH槽孔320,下部为PTH槽孔310,其中NPTH槽孔320处于L2层上方;PTH槽孔310的内壁为PTH金属化铜层311,PTH金属化铜层311将L2层、L3层和L4层导通。
进一步的改进,所述双T型槽内焊接固定有双T型器件,双T型槽较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm以下。
进一步的改进,所述双T型槽处于半固化片120处的水平表面为粗糙面。
进一步的改进,所述粗糙面的粗糙度Rz≥25um。
本发明的优点:
本发明可以快速制作高精度的半金属化阶梯槽孔,为高效导热的T型器件提供良好的传热分布和屏蔽作用。
附图说明:
图1为锣PTH槽的示意图;
图2为第一次控深锣的示意图;
图3为槽孔孔壁金属化的示意图;
图4为二次阶梯控深锣的示意图;
图5为成品示意图;
图6为双T型器件安装到半金属化槽孔结构的结构示意图。
其中,111-第一含导体线路的芯板;112-第二含导体线路的芯板;113-待机械控深锣的区域;120-半固化片;310-PTH槽孔;311-PTH金属化铜层;320-NPTH槽孔;400-双T型器件的第一T型结构;401-双T型器件的第二T型结构;PTH即金属化,NPTH即非金属化。
具体实施方式:
其现有技术的中的工作流程:开料-内层线路-开槽孔-嵌铜块-套导电胶-压合--PTH电镀-外层线路-阻焊-字符-控深锣—激光锣板-表面处理-锣板-电测-FQC-FQA。需要埋置导电胶和预开槽孔,导致压合操作不便。
本发明的方法是:
开料-内层线路-压合-钻孔-锣PTH槽-第一次控深锣-PTH电镀-外层线路-阻焊-字符-二次控深锣—表面处理-锣板-电测-FQC-FQA。
进一步说:
1.锣PTH槽,需要贯穿整个板。
2.第一次控深锣,锣板深度,需要钻穿须钻穿L2层,不伤及不可钻穿L3层;控深锣的外型尺寸与器件长、宽轮廓等大或单边小0.1mm。
3.选择平地锣槽,槽刀底部锯齿状深度>25um,保证锣底粗糙度Rz≥25um,保证后续沉铜的附着力。
4.再进行沉铜电镀,实现直通槽孔、一次控深锣槽孔都实现金属化,与内层电地层铜层(L2层、L3层)导通。
5.制作完成外层图形和阻焊后,再进行二次机械控深锣,控深锣深度小于L1-L2层之间的厚度(h1),一般设定在h1-0.1mm。
6.进一步描述,二次机械控深锣的尺寸大小较长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。
7.该器件同步设置,在T型大小头拐角位置增加缩减的过度带,保证在双T型槽孔位置可以安装牢靠。
因此其不需要埋置导电胶和预开槽孔,不会出现压合操作不便的问题。此外最后的成品中阶梯槽的PTH段与内层铜层(L2层、L3层)形成整体,从而可以实现屏蔽功能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半金属化槽孔结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、依次进行开料-内层线路-压合-钻通孔;其中,压合后,两个含导体线路的芯板通过半固化片(120)压合粘结在一起;
步骤二、锣PTH槽;
步骤三、对PTH槽进行第一次控深锣,形成一次控深锣槽孔,一次控深锣槽孔与PTH槽的槽孔同心设置且一次控深锣槽孔直径大于PTH槽的槽孔的直径,形成T形槽孔;一次控深锣槽孔的深度达到半固化片(120)的中部;
步骤四、PTH电镀;
步骤五、依次进行外层线路-阻焊-字符;
步骤六、二次控深锣,锣除第一次控深锣的锣孔侧壁上部的金属层,形成非导通孔;
步骤七、依次进行表面处理-锣板-电测-FQC-FQA,得到含有半金属化槽孔结构的PCB板。
2.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构的制作方法,其特征在于,两个含导体线路分别为第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112);第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)通过半固化片(120)压合粘结在一起,且第一含导体线路的芯板(111)处于第二含导体线路的芯板(112)上方,其中,设第一含导体线路的芯板(111)顶部的铜层为L1层,底部的铜层为L2层,第二含导体线路的芯板(112)顶部的铜层为L3层,底部的铜层为L4层,步骤三中,第一次控深锣时穿过L2层并不可钻穿层L3层。
3.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构的制作方法,其特征在于,所述步骤三中,进行第一次控深锣时,形成平地锣槽,槽刀底部锯齿状深度>25um,保证锣底粗糙度Rz≥25um。
4.如权利要求2所述的半金属化槽孔结构的制作方法,其特征在于,所述步骤六中,二次控深锣时,控深锣深度处于L1层-L2层之间,且若L1层-L2层之间的厚度为h1mm,则控深锣深度的深度为h1-0.1mm。
5.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构及其制作方法,其特征在于,所述步骤六中,二次控深锣时,深锣的尺寸大小较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。
6.如权利要求5所述的半金属化槽孔结构的制作方法,其特征在于,安装的双T型器件的拐角位置设置有缩减的过度带。
7.一种半金属化槽孔结构,其特征在于,包括PCB板结构,PCB板结构第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112);第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)通过半固化片(120)压合粘结在一起,且第一含导体线路的芯板(111)处于第二含导体线路的芯板(112)上方,其中,第一含导体线路的芯板(111)顶部的铜层为L1层,底部的铜层为L2层,第二含导体线路的芯板(112)顶部的铜层为L3层,底部的铜层为L4层;PCB板结构上成形有双T型槽;双T型槽的上部为NPTH槽孔(320),下部为PTH槽孔(310),其中NPTH槽孔(320)处于L2层上方;PTH槽孔(310)的内壁为PTH金属化铜层(311),PTH金属化铜层(311)将L2层、L3层和L4层导通。
8.如权利要求7所述的半金属化槽孔结构,其特征在于,所述双T型槽内焊接固定有双T型器件,双T型槽较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm以下。
9.如权利要求7所述的半金属化槽孔结构,其特征在于,所述双T型槽处于半固化片(120)处的水平表面为粗糙面。
10.如权利要求9所述的半金属化槽孔结构,其特征在于,所述粗糙面的粗糙度Rz≥25um。
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