CN115529730A - 一种半金属化槽孔结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半金属化槽孔结构及其制作方法，本发明通过在高多层板的特定位置进行槽孔加工，然后对槽孔金属化后再进行控深锣，控深锣必须钻穿可钻穿层，不伤及不可钻穿层，然后通过沉铜电镀，实现直通槽孔和阶梯槽孔同时金属化，在金属化的T型槽孔的大槽孔面进行二次阶梯锣，实现二次锣非金属化槽，二次阶梯锣的尺寸大小较器件长、宽大0.2mm以下；深度与器件等高，契合元器件安装实现高导热，半金属化槽孔与内层电地层导通的双阶梯T型槽孔类PCB产品。

Description

一种半金属化槽孔结构及其制作方法

技术领域：

本发明属于PCB板制作领域，尤其涉及一种半金属化槽孔结构及其制作方法。

背景技术：

为了防止电磁辐射和干扰噪音，PCB板制作时会进行埋铜块操作，例如发明专利CN113660784 A公开一种PCB内置导电胶的加工方法及检验方法，而这种方式需要通过埋置导电胶的方式与T型元器件紧固黏贴，以使得T型元器件与PCB板的铜面导通，但是导电胶材料一般采用银、铜浆和树脂混合物制作而成，不仅价格昂贵且需要低温保存，加工后的膨胀系数与内层铜差异导致耐热性差，还存在粘度差、定位对位难操作等特点导致局部尺寸精度控制差。这导致T型元器件在后期统一出现脱胶，接触不良等问题

此外，埋置导电胶技术不仅对材料要求高，对加工设计有很大影响。而且也需要机械控深钻孔，受到控深设备精度能力，一般为±50um的能力，必须要保证不可钻穿层到临层的介质层(导电胶层)厚度≥控深深度*2倍以上，受到导电油墨(胶)半固态加工难度大，高度越高可能需要多次叠加。实际埋导电胶效率低下且成本高。

因此需要对现有的工艺进行改进。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种半金属化槽孔结构及其制作方法，本发明通过采用传统的印制电路板加工技术，经过优化设计和工艺流程方法实现高精度、高可靠的阶梯半金属化槽孔制作。

为解决上述问题，本发明的技术方案是：

一种半金属化槽孔结构的制作方法，包括以下步骤：

步骤一、依次进行开料-内层线路-压合-钻通孔；其中，压合后，两个含导体线路的芯板通过半固化片120压合粘结在一起；

步骤二、锣PTH槽；

步骤三、对PTH槽进行第一次控深锣，形成一次控深锣槽孔，一次控深锣槽孔与PTH槽的槽孔同心设置且一次控深锣槽孔直径大于PTH槽的槽孔的直径，形成T形槽孔；一次控深锣槽孔的深度达到半固化片120的中部；

步骤四、PTH电镀；

步骤五、依次进行外层线路-阻焊-字符；

步骤六、二次控深锣，锣除第一次控深锣的锣孔侧壁上部的金属层，形成非导通孔；

步骤七、依次进行表面处理-锣板-电测-FQC-FQA，得到含有半金属化槽孔结构的PCB板。

进一步的改进，两个含导体线路分别为第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112；第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112通过半固化片120压合粘结在一起，且第一含导体线路的芯板111处于第二含导体线路的芯板112上方，其中，设第一含导体线路的芯板111顶部的铜层为L1层，底部的铜层为L2层，第二含导体线路的芯板112顶部的铜层为L3层，底部的铜层为L4层，步骤三中，第一次控深锣时穿过L2层并不可钻穿层L3层。

进一步的改进，所述步骤三中，进行第一次控深锣时，形成平地锣槽，槽刀底部锯齿状深度＞25um，保证锣底粗糙度Rz≥25um。

进一步的改进，所述步骤六中，二次控深锣时，控深锣深度处于L1层-L2层之间，且若L1层-L2层之间的厚度为h1mm，则控深锣深度的深度为h1-0.1mm。

进一步的改进，所述步骤六中，二次控深锣时，深锣的尺寸大小较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。

进一步的改进，安装的双T型器件的拐角位置设置有缩减的过度带。

一种半金属化槽孔结构，包括PCB板结构，PCB板结构第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112；第一含导体线路的芯板111和第二含导体线路的芯板112通过半固化片120压合粘结在一起，且第一含导体线路的芯板111处于第二含导体线路的芯板112上方，其中，第一含导体线路的芯板111顶部的铜层为L1层，底部的铜层为L2层，第二含导体线路的芯板112顶部的铜层为L3层，底部的铜层为L4层；PCB板结构上成形有双T型槽；双T型槽的上部为NPTH槽孔320，下部为PTH槽孔310，其中NPTH槽孔320处于L2层上方；PTH槽孔310的内壁为PTH金属化铜层311，PTH金属化铜层311将L2层、L3层和L4层导通。

进一步的改进，所述双T型槽内焊接固定有双T型器件，双T型槽较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm以下。

进一步的改进，所述双T型槽处于半固化片120处的水平表面为粗糙面。

进一步的改进，所述粗糙面的粗糙度Rz≥25um。

本发明的优点：

本发明可以快速制作高精度的半金属化阶梯槽孔，为高效导热的T型器件提供良好的传热分布和屏蔽作用。

附图说明：

图1为锣PTH槽的示意图；

图2为第一次控深锣的示意图；

图3为槽孔孔壁金属化的示意图；

图4为二次阶梯控深锣的示意图；

图5为成品示意图；

图6为双T型器件安装到半金属化槽孔结构的结构示意图。

其中，111-第一含导体线路的芯板；112-第二含导体线路的芯板；113-待机械控深锣的区域；120-半固化片；310-PTH槽孔；311-PTH金属化铜层；320-NPTH槽孔；400-双T型器件的第一T型结构；401-双T型器件的第二T型结构；PTH即金属化，NPTH即非金属化。

具体实施方式：

其现有技术的中的工作流程：开料-内层线路-开槽孔-嵌铜块-套导电胶-压合--PTH电镀-外层线路-阻焊-字符-控深锣—激光锣板-表面处理-锣板-电测-FQC-FQA。需要埋置导电胶和预开槽孔，导致压合操作不便。

本发明的方法是：

开料-内层线路-压合-钻孔-锣PTH槽-第一次控深锣-PTH电镀-外层线路-阻焊-字符-二次控深锣—表面处理-锣板-电测-FQC-FQA。

进一步说：

1.锣PTH槽，需要贯穿整个板。

2.第一次控深锣，锣板深度，需要钻穿须钻穿L2层，不伤及不可钻穿L3层；控深锣的外型尺寸与器件长、宽轮廓等大或单边小0.1mm。

3.选择平地锣槽，槽刀底部锯齿状深度＞25um，保证锣底粗糙度Rz≥25um，保证后续沉铜的附着力。

4.再进行沉铜电镀，实现直通槽孔、一次控深锣槽孔都实现金属化，与内层电地层铜层(L2层、L3层)导通。

5.制作完成外层图形和阻焊后，再进行二次机械控深锣，控深锣深度小于L1-L2层之间的厚度(h1)，一般设定在h1-0.1mm。

6.进一步描述，二次机械控深锣的尺寸大小较长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。

7.该器件同步设置，在T型大小头拐角位置增加缩减的过度带，保证在双T型槽孔位置可以安装牢靠。

因此其不需要埋置导电胶和预开槽孔，不会出现压合操作不便的问题。此外最后的成品中阶梯槽的PTH段与内层铜层(L2层、L3层)形成整体，从而可以实现屏蔽功能。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、依次进行开料-内层线路-压合-钻通孔；其中，压合后，两个含导体线路的芯板通过半固化片(120)压合粘结在一起；

步骤二、锣PTH槽；

步骤三、对PTH槽进行第一次控深锣，形成一次控深锣槽孔，一次控深锣槽孔与PTH槽的槽孔同心设置且一次控深锣槽孔直径大于PTH槽的槽孔的直径，形成T形槽孔；一次控深锣槽孔的深度达到半固化片(120)的中部；

步骤四、PTH电镀；

步骤五、依次进行外层线路-阻焊-字符；

步骤六、二次控深锣，锣除第一次控深锣的锣孔侧壁上部的金属层，形成非导通孔；

步骤七、依次进行表面处理-锣板-电测-FQC-FQA，得到含有半金属化槽孔结构的PCB板。

2.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，两个含导体线路分别为第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)；第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)通过半固化片(120)压合粘结在一起，且第一含导体线路的芯板(111)处于第二含导体线路的芯板(112)上方，其中，设第一含导体线路的芯板(111)顶部的铜层为L1层，底部的铜层为L2层，第二含导体线路的芯板(112)顶部的铜层为L3层，底部的铜层为L4层，步骤三中，第一次控深锣时穿过L2层并不可钻穿层L3层。

3.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，所述步骤三中，进行第一次控深锣时，形成平地锣槽，槽刀底部锯齿状深度＞25um，保证锣底粗糙度Rz≥25um。

4.如权利要求2所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，所述步骤六中，二次控深锣时，控深锣深度处于L1层-L2层之间，且若L1层-L2层之间的厚度为h1mm，则控深锣深度的深度为h1-0.1mm。

5.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构及其制作方法，其特征在于，所述步骤六中，二次控深锣时，深锣的尺寸大小较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。

6.如权利要求5所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，安装的双T型器件的拐角位置设置有缩减的过度带。

7.一种半金属化槽孔结构，其特征在于，包括PCB板结构，PCB板结构第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)；第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)通过半固化片(120)压合粘结在一起，且第一含导体线路的芯板(111)处于第二含导体线路的芯板(112)上方，其中，第一含导体线路的芯板(111)顶部的铜层为L1层，底部的铜层为L2层，第二含导体线路的芯板(112)顶部的铜层为L3层，底部的铜层为L4层；PCB板结构上成形有双T型槽；双T型槽的上部为NPTH槽孔(320)，下部为PTH槽孔(310)，其中NPTH槽孔(320)处于L2层上方；PTH槽孔(310)的内壁为PTH金属化铜层(311)，PTH金属化铜层(311)将L2层、L3层和L4层导通。

8.如权利要求7所述的半金属化槽孔结构，其特征在于，所述双T型槽内焊接固定有双T型器件，双T型槽较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm以下。

9.如权利要求7所述的半金属化槽孔结构，其特征在于，所述双T型槽处于半固化片(120)处的水平表面为粗糙面。

10.如权利要求9所述的半金属化槽孔结构，其特征在于，所述粗糙面的粗糙度Rz≥25um。

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