CN115512733A - 一种存储器的数据存储方法、装置、存储器和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种存储器的数据存储方法、装置、存储器和存储介质，属于存储器技术领域。所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区的第一工作温度范围大于所述第二存储区的第二工作温度范围；获取所述存储器第一时刻的温度值；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于所述第二工作温度范围之内的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第二工作温度范围之内的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据；能够减小对目标存储器的进行数据写入时，由于目标存储器的温度所引起的数据损坏的风险。

Description

一种存储器的数据存储方法、装置、存储器和存储介质

技术领域

本申请属于存储器技术领域，具体涉及一种存储器的数据存储方法、装置和目标存储器。

背景技术

四层存储单元(Quad-Level Cell，QLC)QLC是与非(Not AND，NAND)存储器技术，相比使用的三层存储单元(Trinary-Level Cell，TLC)即3bit/cell)技术，其单位存储单元内所能存储的bit(位)数增多，具有更高的存储密度，更低的成本优势，所以QLC的应用越来越广泛。但是，由于QLC的存储单元内有更多的电压状态，整体电压值分布更高，不同电压状态位的间隔更窄，温度变化会使电压状态位更容易漂移并交织在一起，导致存储的数据被损坏，不能被正常的读取，所以QLC对温度会更加的敏感，可靠性比TLC更低。当前主要应用在固态硬盘(Solid State Disk，SSD)作冷数据存储，还未在移动设备上应用。对于某些待写的数据在搬入QLC时的温度与它被读取时的温度差超过某个温度阈值，将会出现数据损坏的风险。

在先技术中，对于QLC，存在读写温差要求，比如高温时向QLC写入数据，低温时读取QLC中的数据，然后还读写之间的温度差，还必须在温度阈值内。

发明人在研究过程中发现，由于读写温度差的现在，使得QLC只能应用在特定温度环境下的设备中，在可能会经历较大的温差环境的设备中，向QLC写数据时存在掉数据的风险。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种目标存储器的数据存储方法、装置和目标存储器，能够减小对目标存储器的进行数据写入时，由于目标存储器的温度所引起的数据损坏的风险。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储器的数据存储方法，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与大于等于所述第三温度值的第四温度值之间；所述第一温度值小于所述第二温度值，所述第四温度值大于等于所述第三温度值；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值；，所述方法包括：

获取所述存储器的第一时刻温度值；

在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

第二方面，本申请实施例提供了一种存储器的数据存储装置，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与大于等于所述第三温度值的第四温度值之间；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值，包括：

温度值获取模块，用于获取所述存储器的第一时刻温度值；

禁止写入模块，用于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

允许写入模块，用于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区的中暂存的待写数据。

第三方面，本申请实施例提供了一种存储器，所述存储器包括控制器、第一存储区、第二存储区，温度传感器；

所述控制器用于获取所述温度传感器检测的所述存储器的第一时刻温度值；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；以及在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。

第五方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第三方面所述的存储器。

在本申请实施例中，由于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。即，在存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，才向第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据，由于存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间，因此，第二存储区的温度也处于第三温度值与第四温度值之间，而在第三温度值与第四温度值之间时，第二存储区中的数据损坏的风险减小，因此，在第三温度值与第四温度值之间向第二存储区存数据，能够减小对第二存储区的进行数据写入时，由于第二存储区的温度所引起的数据损坏的风险，从而可以使存储器在更大温度范围内工作，扩大存储器的应用场景。并且，由于写入的数据保证了正确性，那么从第二存储区读取数据的过程，可以降低对工作温度的要求，放宽限制读取数据的温度范围，甚至可以不对读取数据的温度范围做限制，进一步突破上述存储器的温度限制，扩大存储器的应用场景。

附图说明

图1为一些实施例中TLC运行状态和QLC运行状态下电压状态位的分布示意图；

图2为一些实施例中一种QLC操作系统的组成结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种存储器的数据存储方法的实现流程示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种存储器的数据存储方法的实现流程示意图；

图5为本申请实施例提供的还一种存储器的数据存储方法的实现流程示意图；

图6为本申请实施例提供的一种QLC操作系统的组成结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种控制器进行温度判断的判断流程示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种控制器进行温度判断的判断流程示意图；图9是本申请实施例提供的一种存储器的数据存储装置的组成结构示意图；

图10为本申请实施例提供的一种存储器的组成结构示意图；

图11为实现本申请实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是至少两个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体地实施例及其应用场景对本申请实施例提供的图像处理方法进行详细地说明。

图1为一些实施例中TLC运行状态和QLC运行状态下电压状态位的分布示意图，如图1所示，波形101表示TLC运行状态下电压状态位的分布情况；波形102表示QLC运行状态下电压状态位的分布情况；可以看出，波形101中相邻两个电压状态位之间的间隔为ΔV1；波形102中相邻两个电压状态之间的间隔为ΔV2；显然ΔV1大于Δ于然。

相关技术中，在对QLC存储器正常的读写操作中，待写数据会经过单层存储单元(Single-Level Cell，SLC)或TLC，在写入完成后待写数据会在QLC存储器空闲或Host发起垃圾回收时，将待写入数据搬入QLC中。这里，Host表示存储器所在电子设备的处理器。

同时，由于QLC对温度比较敏感，因此，相关技术中，需要QLC制成的存储器(QLCNAND存储器)在使用时读写的温度差(指写入与读取时的温度差，如高温写入低温读取，或低温写入高温读取)，不能超过温度阈值T℃(例如，T＝70)。如此，造成QLC NAND存储器在使用上很多的限制，但TLC NAND存储器则不存在这个问题。

进一步地，QLCNAND(QLCNAND flash memory，QLC闪存)的读写温度差的要求使得当前QLCNAND存储器只能应用在特定温度环境下的设备，当应用到移动设备或自动设备等产品上时，可能会经历较大的温差环境，此时就会存在掉数据的风险，因此这一缺陷，将影响QLCNAND存储器在移动设备或自动设备上的应用。

为提升QLCNAND存储器的性能，避免对QLCNAND存储器进行直接操作，QLC NAND存储器中会含有单层存储单元(Single-Level Cell，SLC)和TLC中的至少一种，其中，SLC中1bit(位)/cell(存储单元)/TLC(3bit/cell)的Buffer缓存，SLC/TLC的工作温度范围很大，在实际应用中SLC/TLC对数据的读写操作没有相关温度差的要求。

图2为一些实施例中一种QLC操作系统的组成结构示意图，如图2所示，Host处理器201为与QLC 214搭配使用的外部处理器，待写入QLC 214的数据可以由Host存储器201写入；通用闪存存储(Universal Flash Storage，UFS)21是当前应用在移动终端上的一种主流存储产品；UFS 21包括控制器211、SLC 212、TLC 213、QLC 214；

其中，控制器211包括静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)缓存(buffer)2110；SRAM缓存2110是UFS 21的控制器211中含有的一个缓存区，拥有极高的读写速度和擦写寿命，所有读写的数据都会先进入SRAM缓存2110。

可以理解的是，Host处理器201可以向UFS 21发送数据正常写入的指令Normal W或数据快速写入的指令Turbo W。

这里，Turbo W是UFS 21的控制器211中含有的一种快速写入的功能，打开此功能后，所有写入的数据都会先存入SLC 212区域，然后再视情况搬入QLC 214中。因为SLC 212的读写性能会远高于QLC 214，所以含QLC 214的存储器通过SLC 212转存数据会带来性能的大幅提升。

Normal W是数据正常写入，不经过SLC 212区域，直接写入TLC 213区域，此时性能会比直接写入SLC 212区域时低很多。

在本申请实施例中，在正常的读写操作中，数据会经过SLC 212或TLC213，在写入完成后数据会在存储器空闲或Host处理器201发起垃圾回收时，数据会搬入QLC 214中。

数据写入过程：Host处理器201→SRAM缓存2110→SLC 212或TLC213→QLC 214；

数据读取过程：QLC 214→SRAM缓存2110→Host处理器201。

此时如果某块数据在搬入QLC 214时的温度与它被读取时的温度差超过Delta T℃，就会出现数据错误的风险。

图2中，TW(Turbo W)迁移(Migration)表示数据从SLC 212区域搬入QLC 214区域。且在存储器空闲或Host处理器201发起垃圾回收时会执行。

TLC->QLC迁移表示数据从TLC 213区域搬入QLC 214区域。存储器空闲或Host处理器201发起垃圾回收时会执行。

基于上述技术问题，发明人在研究过程中发现，SLC和TLC本身具有能够存储数据的缓存，可以对SLC和/或TCL中的待写数据写入QLC的时机进行控制，因此，本申请实施例提供了一种存储器的数据存储方法，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与大于等于所述第三温度值的第四温度值之间；所述第一温度值小于所述第二温度值，所述第四温度值大于等于所述第三温度值；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值；；

可以理解的是，第一温度值与第二温度值之间对应的温度范围为第一温度范围；第三温度值与第四温度值之间对应的温度范围为第二温度范围。

如图3所示，该方法包括以下步骤：

步骤S301：获取所述存储器第一时刻的温度值；

这里，该方法可以应用于存储器中的控制器，存储器中的控制器可以用于接收外部处理器的数据写入或读出指令，响应数据写入或读出指令控制目标存储器的数据写入或读出。外部处理器可以是Host处理器；写入指令可以是TurboW或NormalW。

在一些可能的实施方式中，存储器可以是指包含QLC的存储器；

在一种可能的实施方式中，第一存储区为SLC或TLC；所述二存储区为QLC。可以理解的是，存储器中可以设置温度传感器，通过温度传感器反应存储器的温度值。

在一种实施方式中，获取所述存储器第一时刻的温度值，可以是存储器中的温度传感器实时监测存储器的温度值，并将第一时刻存储器的温度值输出给控制器，控制器实时接收第一时刻存储器的温度值。可以理解，该第一时刻是电子设备通过温度传感器获取到温度值的时刻，或者是该第一时刻是电子设备通过温度传感器获取到温度值的时刻加上预设间隔后的时刻，该预设间隔可以根据需求设置，比如1秒，本申请实施例不对其加以限制。

步骤S302：在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

可以理解的是，第三温度值与第四温度值之间对应的第二温度值范围可以为第二存储区掉数据风险低于阈值的工作温度范围，其可以是根据存储器中所包含的第二存储区的实际工作温度范围确定的。针对存储器中所包含的不同存储区可以确定不同的温度值范围。其中，第二存储区可以是QLC，当然，也可以为其他对温度敏感的存储器。

在一些实施方式中，确定所述存储器触发预设转移条件，可以包括：接收到第一预设指令；和/或，确认所述存储器处于空闲状态。

这里，第一预设指令可以是外部处理器发出的数据搬入指令或垃圾回收指令，例如，第一指令可以是TW(Turbo W)Migration指令或TLC->QLC Migration指令。

这里，对于不同的第一指令，存储器工作在不同的工作模式。例如，对于第一指令TurboW，存储器工作在快速写入模式。在一种可能的实施方式中，在确定所述存储器触发预设转移条件，且在温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据。此时，待写数据可以存入SLC或者TLC。

其中，所述存储器触发预设转移条件，可以是存储器的控制器接收到第一预设指令和/或确定存储器处于空闲状态。

步骤S303：在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据；

在一些可能的实施方式中，在获取存储器的温度值之后存在以下两种情况：

情况一：根据存储器的温度值与第二工作温度范围(第三温度值与第四温度值之间)，确定第二存储区的写入权限；在确定存储器触发预设转移条件，且在所述写入权限为禁止写入的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在所述写入权限为允许写入的情况下，向所述第二子存储区转移所述第一存储区的中暂存的待写数据。

这里，根据存储器的温度值与第二工作温度范围，确定第二存储区的写入权限的实现方式可以是：在温度值处于第二工作温度范围内的情况下，确定写入权限为允许写入；在温度值处于第二工作温度范围之外的情况下，确定写入权限为禁止写入。

情况二：在确定存储器触发预设转移条件的情况下，获取第一时刻所述存储器的温度值；

在所述温度值不处于第二工作温度范围内的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

在所述温度值处于第二工作温度范围内的情况下，将所述第一存储区的中的待写数据转移到所述第二存储区进行存储。

可以看出，上述两种情况下，只要存储器的温度值不处于第二工作温度范围内，都禁止向第二存储区写入数据；在存储器的温度值处于第二工作温度范围内，且确定触发预设转移条件的情况下，则允许将所述第一存储区的中的待写数据转移到所述第二存储区进行存储。

在本申请实施例中，由于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。即，在存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，才向第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据，由于存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间，因此，第二存储区的温度也处于第三温度值与第四温度值之间，而在第三温度值与第四温度值之间时，第二存储区中的数据损坏的风险减小，因此，在第三温度值与第四温度值之间向第二存储区存数据，能够减小对第二存储区的进行数据写入时，由于第二存储区的温度所引起的数据损坏的风险，从而可以使存储器在更大温度范围内工作，扩大存储器的应用场景。并且，由于写入的数据保证了正确性，那么从第二存储区读取数据的过程，可以降低对工作温度的要求，放宽限制读取数据的温度范围，甚至可以不对读取数据的温度范围做限制，进一步突破上述存储器的温度限制，扩大存储器的应用场景。

图4为本申请实施例提供的另一种存储器的数据存储方法的实现流程示意图，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与大于等于所述第三温度值的第四温度值之间；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值；如图4所示，该方法包括以下步骤：

步骤S401：获取所述存储器第一时刻的温度值；

步骤S402：获取存储区类型与工作温度范围的对应关系，以及所述第二存储区的类型；

可以理解的是，不同的存储区类型可以对应不同的温度差DeltaT要求和不同的读写可操作温度要求；因此，可以根据可操作温度要求和温度差DeltaT要求确定温度值范围。

例如，在Delta T＝70℃，QLC的读写可操作温度要求Tc＝-25～85℃，温度值范围可以是Ta至Tb；其中，Ta＝15℃；Tb＝45℃。

在一种可能的实施方式中，可以预先建立的存储区类型与工作温度范围的对应关系；其中，存储区类型与工作温度范围的对应关系可以参见下表1：

表1

如表1所示，类型1的存储器可以是QLC；类型2或类型3的存储器可以是除QLC之外的对温度敏感的其他高存储密度的存储器，这里不对类型2或类型3进行具体限定。

在一种可能的实施方式中，获取存储区类型与工作温度范围的对应关系，可以是获取预先建立的存储区类型与工作温度范围的对应关系。

步骤S403：从所述对应关系中确定所述第二存储区的类型对应的工作温度范围为第三温度值与第四温度值之间；

可以理解的是，第二存储区的类型可以是表1中的类型1至类型3中的任意一种，在第二存储区的类型为类型2、温度差要求为65℃、读写可操作温度要求为-25℃～85℃的情况下，目标温度值范围为20℃～40℃，对应地，第三温度值为20℃，第四温度值为40℃。

可以理解的是，步骤S401可以在步骤S403之后执行。只要步骤S402和S403的先后顺序不变；且S401、S402、S403均在S404之前执行即可。

步骤S404：在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

步骤S405：获取所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的持续时长；

在一些可能的实施方式中，可以通过计时器从确定存储器的温度值不处于第二工作温度范围的时刻开始计时，直至获取到的存储器的温度值处于第二工作温度范围的时刻结束计时，从而可以得到所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的持续时长。

步骤S406：在所述持续时长大于等于预设时长，且所述第一存储区在第一时刻的容量占比大于等于预设容量占比的情况下，发出第一提示；所述第一提示用于通知用户改变所述存储器所处的环境温度。

可以理解的是，预设时长可以是根据存储器的温度要求所确定的时长；例如，预设时长可以是30秒或1分钟。预设能量占比可以是根据风险等级要求所确定的；例如，预设能量占比可以是80％或大于等于70％的任意占比。

在本发明实施例中，控制器发到QLC的待写数据先暂存到QLC中，控制器发到TLC的待写数据先暂存到TLC中。那么本发明实施例还可以判断QLC和/或TLC在第一时刻的容量占比，如果第一时刻的容量占比大于等于预设容量占比，就向host发出第一提示，host处理器在根据第一提示，通知显示屏显示告警信息，以提醒用户尽快将包括目标存储器的移动设备放入合适的温度环境中，在存储器温度降到第三温度值与第四温度值之间后，将QLC和或TLC中的待写数据存入QLC。

当然，还可以判断QLC和/或TLC已占用容量，如果已占用容量大于等于预设已占用容量阈值，且温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的持续时长大于等于预设时长时，发出上述第一提示。还可以判断QLC和/或TLC剩余容量，如果已占用容量小于或等于预设剩余容量阈值，且温度值不处于所述第二工作温度范围的持续时长大于等于预设时长时，发出上述第一提示。

在实际应用中，在第一存储区包括至少两个存储区的情况下，可以先判断其中一个第一存储区的第一时刻的容量占比是否大于等于预设容量占比，如果大于，控制器对于存储目的为该第一时刻的容量占比是否大于等于预设容量占比的第一存储区的后续待写数据，将该待写数据存入其他容量占比小于预设容量占比的第一存储区。然后直到所有第一存储区的第一时刻的容量占比都大于等于预设容量占比后，且存储器第一时刻的温度值不处于所述第二工作温度范围的持续时长大于等于预设时长时，发出上述第一提示。

在一种可能的实施方式中，第一提示可以用于提醒用户尽快将包括目标存储器的移动设备放入合适的温度环境中。

步骤S407：在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

在本申请实施例中，通过获取存储区类型与工作温度范围的对应关系和所述第二存储区的类型；从所述对应关系中确定所述第二存储区的类型对应的工作温度范围为第三温度值与第四温度值之间对应的第二工作温度范围。如此，可以对于不同类型的第二存储区确定对应的第二工作温度范围，确定的第二工作温度范围更符合第二存储区的实际情况；

通过获取所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的持续时长，在所述持续时长大于等于预设时长，且所述第一存储区的第一时刻的容量占比大于等于预设容量占比的情况下，发出第一提示，以通知用户改变所述存储器所处的环境温度，如此，用户可以根据提示信息实时改变存储器所处的环境温度，减小对存储器的进行数据写入时，由于存储器的温度所引起的数据损坏的风险。

图5为本申请实施例提供的还一种存储器的数据存储方法的实现流程示意图，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与大于等于所述第三温度值的第四温度值之间；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值；所述第一存储区包括单层存储单元和/或三层存储单元；所述第二存储区包括四层存储单元；如图5所示，该方法包括以下步骤：

步骤S501：在接收到第二预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述单层存储单元；

可以理解的是，第二预设指令可以是存储器的外部处理器发出的TurboW对应的指令。在一些可能的实施方式中，在接收到第二预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述单层存储单元，可以使在接收到TurboW对应的指令的情况下，响应TurboW对应的指令将TurboW中包含的待写数据写入SLC。

步骤S502：在接收到第三预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述三层存储单元；

可以理解的是，第三预设指令可以是存储器的外部处理器发出的NormalW对应的指令。

在一些可能的实施方式中，在接收到第二预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述单层存储单元，可以使在接收到NormalW对应的指令的情况下，响应NormalW对应的指令将NormalW中包含的待写入数据写入TLC。

步骤S503：获取所述存储器第一时刻的温度值；

步骤S504：在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之内的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

步骤S505：控制与所述存储器对应的温度调整装置，调整所述存储器的温度，使得所述存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间；

可以理解的是，在第三温度值与第四温度值之间的温度范围对应第二温度范围的情况下，在所述温度值不处于所述第二工作温度范围内的情况下，分为两种情况：

第一种情况下，存储器的温度值小于第二工作温度范围内的每一工作温度值，即，存储器的温度值小于第二工作温度范围；

第二种情况下，存储器的温度值大于第二工作温度范围内的每一工作温度值，即，存储器的温度值大于第二工作温度范围。

在一些可能的实施方式中，可以在存储器的温度值小于第二工作温度范围的情况下，通过存储器的温度调整装置增加存储器的温度，使得所述存储器的温度值增加至第二工作温度范围内。

在一种实施方式中，存储器的温度调整装置可以包括加热装置，例如，存储器的温度调整装置可以包括发热电阻；通过控制发热电阻的工作时长和停止时间来增加存储器的温度。

在另一些可能的实施方式中，可以在存储器的温度值大于第二工作温度范围的情况下，通过存储器的温度调整装置减小存储器的温度，使得所述存储器的温度值减小至第二工作温度范围内。

在一种实施方式中，存储器的温度调整装置可以包括冷却装置或散热装置，例如，散热装置可以是风扇；通过控制风扇的工作时长、风速来减小存储器的温度。

步骤S506：在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

在本申请实施例中，通过在接收到第二预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述单层存储单元；在接收到第三预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述三层存储单元，以便于在存储器触发预设转移条件或在确定所述存储器触发预设转移条件的情况下，将待写数据从所述第一存储区搬入所述第二存储区；

通过在所述温度值不处于所述第二工作温度范围内的情况下，控制与所述存储器对应的温度调整装置，调整所述存储器的温度，使得所述存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间(第二工作温度范围)内，从而减小对存储器的进行数据写入时，由于存储器的温度所引起的数据损坏的风险。

在一些实施例中，可以动态监控QLC在第一时刻的操作温度，设定一套合适的QLC温度写入控制机制，在QLC的第一时刻的操作温度不合适时，将数据暂时保存在SLC/TLC缓存中，不直接存人QLC，待环境温度改变到合适温度，QLC的第一时刻的操作温度合适的情况下，再将数据写入QLC中。

如果在SLC/TLC空间快存满时，环境温度还未达到合适范围，则提醒用户将设备暂时放入合适的温度环境中。

在包括QLC的移动设备的实际使用场景中，如手机，在使用时不可能会一直处于某一个温度环境中，如寒冷夜晚环境下，手机从室外放用户口袋中或进入温度适宜的室内，或在室内充电时，此时就可以利用环境温度改变的契机，完成相关数据搬入QLC的动作。

图6为本申请实施例提供的一种QLC操作系统的组成结构示意图，如图6所示，Host处理器601、UFS 61、控制器611、SLC 612、TLC 613、QLC614、SRAM缓存6110分别对应图2中的Host处理器201、UFS 21、控制器211、SLC 212、TLC 213、QLC 214、SRAM缓存2110；和图2相比，QLC操作系统还包括温度传感器62。

这里，温度传感器62用于感应QLC 214的温度值；在数据从SLC612或TLC613搬入QLC614前，控制器可以读取温度传感器62的温度值数据，然后按照下图7进行温度判断，根据温度判断结果对TLC到QLC的传输链路和SLC到QLC的传输链路进行控制，而不再一直按照图2所示的方案在存储器空闲或Host处理器201发起垃圾回收时就执行搬移动作，将数据从SLC 212或TLC 213搬入QLC 214。其中，该温度传感器可以靠近QLC614设置，可以更准确的测量QLC的温度。

当数据写入SLC 612或TLC 613中，暂时先不搬入QLC 614，此时可以读取器件(对应存储器)内部温度传感器的数据，依据温度判断是否将数据搬入QLC 614。

为了更清楚的描述判断过程，步骤301之后，控制器的温度判断步骤包括：

步骤S701：获取温度传感器的当前温度值，得到T；

这里，步骤S701可以是器件内部的控制器通过温度传感器对QLC进行温度监控，得到第一时刻的温度值T。

步骤S702：判断T是否在Ta至Tb之间，若是，进入步骤S703；若否，进入步骤S704；

可以理解的是，Ta至Tb的取值与QLC温度差要求Delta T相对应。

步骤S703：允许数据搬移，可以执行步骤303；

可以理解的是，在T处于Ta至Tb之间的情况下允许数据搬移，在允许数据搬移的情况下，且存储器空闲或主机(Host处理器)发起垃圾回收的情况下就将数据搬入QLC中。

步骤S704：禁止数据搬移，可以执行步骤302。

这里，在T不处于Ta至Tb之间的情况下禁止数据搬移，在禁止数据搬移的情况下，即使在存储器空闲或主机(Host处理器)发起垃圾回收的情况下，数据也暂时不允许搬入QLC中，而是暂存在TLC和/或SLC中。

可以理解的是，如果包括QLC的移动设备所处的环境温度变化到合适温度(Ta和Tb之间)时，则开启数据搬入QLC的动作。

在另一些可能的实施方式中，在步骤702之后，还可以包括：

在所述第一存储区在第一时刻的容量占比大于等于预设容量占比的情况下，发出第一提示；所述第一提示用于通知用户改变所述存储器所处的环境温度。

结合前述Ta和Tb的例子当TLC容量即将使用完成时(可设定一个容量占比触发值如TLC的容量占比为80％)，提醒用户尽快将包括QLC的移动设备放入合适的温度环境中；具体地，该判断过程可以参见图8；如图8所示，判断过程包括以下步骤：

步骤S801：获取温度传感器的当前温度值，得到T；

步骤S802：判断T是否在Ta至Tb之间；如果不在，在进入步骤S803；如果在，则可以按照正常存储路径执行，即在存储器空闲或收到垃圾回收指令时将TCL和/或SLC中的数据搬移至QLC中。TCL和/或SLC则删除自身存储的数据中已经搬移完毕的数据。

步骤S803：第一存储区的缓存已符合预设条件；

这里，缓存已符合预设条件可以是SLC或TLC的容量占比大于等于预设占比的情况，比如预设占比为80％。

步骤S804：发出第一提示。

在一种实施方式中，可以是发出第一提示，以提示用户尽快将包括QLC的移动设备放入合适的温度环境中。这里的提示信息可以是通过响铃的方式进行提醒，也可以是语音方式或震动的方式等。

可以理解的是，在提醒用户尽快将包括QLC的移动设备放入合适的温度环境中之后，用户在将包括QLC的移动设备放入合适的温度环境中，QLC的温度合适的情况下，则开启数据搬入QLC的动作。

本申请实施例中，在Delta T＝70℃，QLC存储器的读写可操作温度要求Tc＝-25至85℃，对应地Ta＝15℃、Tb＝45℃。则在此温度范围内(Ta至Tb)的写入操作皆可按正常流程写入QLC，因为在温度范围内的写入数据，只要读取时温度在-25至85℃范围内，都不会超出DeltaT＝70℃的要求。超过此范围的写入温度，则暂时不搬入QLC，动态监控QLC温度变化，条件合适时再写入QLC。

不同QLC存储器供应商对DeltaT的要求不一样，可依据DeltaT的具体值，设定合理的Ta和Tb判断值。

在本申请实施例中，通过引入合适的算法和判断机制，在不增加其他硬件保护器件，不损坏寿命及可靠性的情况下，使包括QLC的存储器的读写操作不再受之前温度差要求的限制，有效增加了包括QLC地存储器的应用范围，提升其对数据的保护能力。

基于前述的实施例，本申请实施例提供一种存储器的数据存储装置，该装置包括所包括的各单元、以及各单元所包括的各模块，可以通过存储器中的控制器来实现；当然也可通过具体的逻辑电路实现；在实施的过程中，存储器中的控制器可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、微处理器(Microprocessor Unit，MPU)、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)或现场可编程门阵列(Field Programmable GateArray，FPGA)等。

本申请实施例中以存储器的数据存储装置执行存储器的数据存储方法为例，说明本申请实施例提供的存储器的数据存储装置。

图9是本申请实施例提供的一种存储器的数据存储装置的组成结构示意图，存储器包括第一存储区和第二存储区，第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；第二存储区工作在第三温度值与大于等于第三温度值的第四温度值之间；第一温度值小于等于第三温度值；第二温度值大于等于第四温度值；如图9所示，所述存储器的数据存储装置900包括：

温度值获取模块901，用于获取所述存储器第一时刻的温度值；

禁止写入模块902，用于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

允许写入模块903，用于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区的中暂存的待写数据。

在一些实施方式中，所述存储器的数据存储装置900还包括：

时长获取模块，用于获取所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的持续时长；

提示模块，用于在所述持续时长大于等于预设时长，且所述第一存储区在第一时刻的容量占比大于等于预设容量占比的情况下，发出第一提示；所述第一提示用于通知用户改变所述存储器所处的环境温度。

在一些实施方式中，所述存储器的数据存储装置900还包括：第二工作温度范围确定模块，用于获取存储区类型与工作温度范围之间的对应关系，以及所述第二存储区的类型；从所述对应关系中确定所述第二存储区的类型对应的工作温度范围为第三温度值与第四温度值之间。

在一些实施方式中，所述存储器的数据存储装置900还包括：存储器温度调整模块，用于在所述温度值不处于所述第三温度值与第四温度值之间的情况下，控制与所述存储器对应的温度调整装置，调整所述存储器的温度，使得所述存储器的温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间。

在一些实施方式中，所述第一存储区包括单层存储单元和/或三层存储单元；所述第二存储区包括四层存储单元；存储器的数据存储装置900还包括：暂存模块，用于在接收到第二预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述单层存储单元；在接收到第三预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述三层存储单元。

本申请实施例提供的存储器的数据存储装置900能够实现图3至图5的方法实施例实现的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。

在本申请实施例中，由于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。即，在存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，才向第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据，由于存储器的温度值处于第三温度值与第四温度值之间，因此，第二存储区的温度也处于第三温度值与第四温度值之间，而在第三温度值与第四温度值之间时，第二存储区中的数据损坏的风险减小，因此，在第三温度值与第四温度值之间向第二存储区存数据，能够减小对第二存储区的进行数据写入时，由于第二存储区的温度所引起的数据损坏的风险，从而可以使存储器在更大温度范围内工作，扩大存储器的应用场景。并且，由于写入的数据保证了正确性，那么从第二存储区读取数据的过程，可以降低对工作温度的要求，放宽限制读取数据的温度范围，甚至可以不对读取数据的温度范围做限制，进一步突破上述存储器的温度限制，扩大存储器的应用场景。

另外，在本实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并非作为独立的产品进行销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中，基于这样的理解，本实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或processor(处理器)执行本实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccessMemory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

一般来讲，本实施例中的一种存储器的数据存储方法对应的计算机程序指令可以被存储在光盘，硬盘，U盘等存储介质上，当存储介质中的与一种存储器的数据存储方法对应的计算机程序指令被一电子设备读取或被执行时，实现前述实施例的任意一种存储器的数据存储方法。

图10为本申请实施例提供的一种存储器的组成结构示意图，如图10所示，该存储器100包括：控制器1001、第一存储区1002、第二存储区1003，温度传感器1004；

所述控制器1001用于获取所述温度传感器1003检测的所述存储器100第一时刻的温度值；在确定所述存储器100触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区1003写入数据；以及在所述存储器100的存储参数达到存储转移触发条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区1003转移所述第一存储区1002中暂存的待写数据。

在一些实施方式中，存储器100还包括：温度调整装置1005；

温度调整装置1005，用于响应于温度控制信号调整所述存储器100的温度，使得所述存储器100的温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间；

对应地，所述控制器1001，用于在所述温度值不处于所述第二工作温度范围内的情况下，根据所述温度值与所述第二工作温度范围(第三温度值与第四温度值之间)的大小关系，生成所述温度控制信号。

本申请实施例中的存储器的数据存储装置可以是电子设备，也可以是电子设备中的部件，例如集成电路或芯片。该电子设备可以是终端，也可以为除终端之外的其他设备。示例性的，电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、移动上网装置(Mobile Internet Device，MID)、增强现实(augmented reality，AR)/虚拟现实(virtual reality，VR)设备、机器人、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobilepersonal computer，UMPC)、上网本或者个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等，还可以为服务器、网络附属存储器(Network Attached Storage，NAS)、个人计算机(personal computer，PC)、电视机(television，TV)、柜员机或者自助机等，本申请实施例不作具体限定。

本申请实施例中的存储器的数据存储装置可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓(Android)操作系统，可以为ios操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本申请实施例不作具体限定。

基于前述实施例相同的技术构思，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括存储器和处理器；其中，存储器对应图10中的存储器100，存储器用于存储计算机程序和数据；处理器，用于执行所述存储器中存储的计算机程序，以实现前述实施例的任意一种存储器的数据存储方法。

在实际应用中，上述存储器可以向处理器提供指令和数据。上述处理器可以为专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、DSP、可编程逻辑器件(Programmable Logic Device，PLD)、FPGA、CPU、控制器、微控制器、微处理器中的至少一种。

图11为实现本申请实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。

该电子设备110包括但不限于：射频单元1101、网络模块1102、音频输出单元1103、输入单元1104、传感器1105、显示单元1106、用户输入单元1107、接口单元1108、存储器1109、以及处理器1110等部件。

本领域技术人员可以理解，电子设备110还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理系统与处理器1110逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图11中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。

所述存储器1109包括控制器1001、第一存储区1002、第二存储区1003、温度传感器1004。

其中，控制器1001，用于获取所述存储器第一时刻的温度值；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

综上，本申请实施例提供的一种存储器的数据存储方法，包括，获取所述存储器第一时刻温度值；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

本申请可以在存储器的第一时刻温度值处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，才向第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据，因此，能够减小对第二存储区的进行数据写入时，由于第二存储区的温度所引起的数据损坏的风险。

应理解的是，本申请实施例中，输入单元1104可以包括图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)1104’和麦克风1104”，图形处理器1104’对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元1106可包括显示面板1106’，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板1106’。用户输入单元1107包括触控面板1107’以及其他输入设备1107”中的至少一种。触控面板1107’，也称为触摸屏。触控面板1107’可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备1107”可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。

存储器1109可用于存储软件程序以及各种数据。存储器1109可主要包括工作在第一工作温度范围的第一存储区和工作于第二工作温度范围的第二存储区，其中，第一存储区包括SLC和TLC；第二存储区包括QLC等。此外，存储器1109可以包括易失性存储器或非易失性存储器，或者，存储器1109可以包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)，静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate SDRAM，DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch link DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM，DRRAM)。本申请实施例中的存储器1109包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

处理器1110可包括一个或至少两个处理单元；可选地，处理器1110集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理涉及操作系统、用户界面和应用程序等的操作，调制解调处理器主要处理无线通信信号，如基带处理器。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器1110中。

本申请实施例另提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现上述目标存储器的数据存储方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为系统级芯片、系统芯片、芯片系统或片上系统芯片等。

本申请实施例提供一种计算机程序产品，该程序产品被存储在存储介质中，该程序产品被至少一个处理器执行以实现如上述目标存储器的数据存储方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以计算机软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种存储器的数据存储方法，其特征在于，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与第四温度值之间；所述第一温度值小于所述第二温度值，所述第四温度值大于等于所述第三温度值；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值；所述方法包括：

获取所述存储器的温度值；

在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

获取所述温度值不处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的持续时长；

在所述持续时长大于等于预设时长，且所述第一存储区在第一时刻的容量占比大于等于预设容量占比的情况下，发出第一提示；所述第一提示用于通知用户改变所述存储器所处的环境温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一存储区在当前时刻的容量占比大于等于预设容量占比的情况下，发出第一提示；所述第一提示用于通知用户改变所述存储器所处的环境温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

获取存储区类型与工作温度范围之间的对应关系，以及所述第二存储区的类型；

从所述对应关系中确定所述第二存储区的类型对应的工作温度范围为所述第三温度值与所述第四温度值之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述存储器触发预设转移条件，包括：

接收到第一预设指令；

和/或，确认所述存储器处于空闲状态。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述温度值不处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，控制与所述存储器对应的温度调整装置，调整所述存储器的温度，使得所述存储器的温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间。

7.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述第一存储区包括单层存储单元和/或三层存储单元；所述第二存储区包括四层存储单元；所述方法还包括：

在接收到第二预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述单层存储单元；

在接收到第三预设指令的情况下，将外部的待写数据暂存至所述三层存储单元。

8.一种存储器的数据存储装置，其特征在于，所述存储器包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区工作在第一温度值与第二温度值之间；所述第二存储区工作在第三温度值与大于等于所述第三温度值的第四温度值之间；所述第一温度值小于等于所述第三温度值；所述第二温度值大于等于所述第四温度值，包括：

温度值获取模块，用于获取所述存储器第一时刻的温度值；

禁止写入模块，用于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；

允许写入模块，用于在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区的中暂存的待写数据。

9.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括控制器、第一存储区、第二存储区，温度传感器；

所述控制器用于获取所述温度传感器检测的所述存储器的第一时刻温度值；在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值不处于第三温度值与第四温度值之间的情况下，禁止向所述第二存储区写入数据；以及在确定所述存储器触发预设转移条件，且在所述温度值处于所述第三温度值与所述第四温度值之间的情况下，向所述第二存储区转移所述第一存储区中暂存的待写数据。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的存储器。

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