CN115509394A - 电子装置和制造该电子装置的方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种电子装置和制造该电子装置的方法。该电子装置包括显示面板以及设置在显示面板上的输入传感器，其中，输入传感器被构造为感测外部输入，输入传感器包括：第一感测电极，包括第一网格线；以及第二感测电极，包括与第一网格线绝缘的第二网格线和与第一网格线叠置的桥接图案，其中，第一网格线包括多个金属层，第一网格线包括与桥接图案叠置的第一部分和不与桥接图案叠置的第二部分，其中，第一部分包括最外金属层，最外金属层包括与第二部分的最外金属层的材料不同的材料，其中，第一部分的最外金属层和第二部分的最外金属层与电子装置的显示表面相邻。

Description

电子装置和制造该电子装置的方法

本申请要求于2021年6月7日提交的第10-2021-0073214号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电子装置和制造该电子装置的方法。更具体地，本公开涉及一种包括输入传感器的电子装置以及一种制造该电子装置的方法。

背景技术

显示装置是用于以视觉形式呈现信息的输出装置。各种显示装置应用于诸如电视、移动电话、平板计算机、导航单元和游戏单元的多媒体电子装置。电子装置可以包括感测外部输入的输入传感器，从而允许用户容易且直观地输入信息或命令。

输入传感器可以感测由用户的身体产生的触摸或压力。输入传感器也可以感测来自有源笔的触摸输入。

发明内容

本公开提供了一种通过防止传感器断开而具有提高的可靠性的电子装置。

本公开提供了一种制造具有提高的可靠性的电子装置的方法。

本公开的实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括显示面板以及设置在显示面板上的输入传感器，其中，输入传感器被构造为感测外部输入，输入传感器包括：第一感测电极，包括第一网格线；以及第二感测电极，包括与第一网格线绝缘的第二网格线和与第一网格线叠置的桥接图案，其中，第一网格线包括多个金属层，第一网格线包括与桥接图案叠置的第一部分和不与桥接图案叠置的第二部分，其中，第一部分包括最外金属层，最外金属层包括与第二部分的最外金属层的材料不同的材料，并且其中，第一部分的最外金属层和第二部分的最外金属层与电子装置的显示表面相邻。

第一网格线包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，第一部分的最外金属层与第二金属层对应，并且第二部分的最外金属层与第三金属层对应。

第一金属层包括与第三金属层的材料相同的材料。

第二金属层包括与第一金属层和第三金属层的材料不同的材料。

第二金属层包括金、银、铜、铂、铝或它们的合金。

第三金属层比第一金属层和第二金属层薄。

第一网格线与第二网格线设置在同一层。

输入传感器还包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层设置在第一网格线与桥接图案之间，第一绝缘层包括与第一部分叠置的第一孔，并且第二绝缘层覆盖第一孔。

第二网格线包括与桥接图案叠置的第一线和第二线，并且第一线和第二线彼此间隔开且第一部分置于第一线与第二线之间。

第一绝缘层还包括与第一线叠置的第二孔和与第二线叠置的第三孔，第二绝缘层还包括与第二孔叠置的第一接触孔和与第三孔叠置的第二接触孔。

第二绝缘层还包括第一接触孔和第二接触孔，第一孔与第一线和第二线中的每个叠置，并且第一接触孔与第一孔和第一线中的每者叠置，第二接触孔与第一孔和第二线中的每者叠置。

第二孔具有等于第三孔的尺寸的尺寸。

第二孔具有与第三孔的尺寸不同的尺寸。

第一接触孔设置为多个，并且多个第一接触孔与第二孔叠置。

第一接触孔和第二孔中的每个设置为多个，并且多个第一接触孔分别与多个第二孔对应。

本公开的实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括显示面板以及设置在显示面板上的输入传感器，其中，输入传感器被构造为感测外部输入，输入传感器包括：第一感测电极，包括第一网格线；第二感测电极，包括与第一网格线绝缘的第二网格线和与第一网格线叠置的桥接图案；第一绝缘层，设置在第一感测电极与桥接图案之间并且包括第一孔；以及第二绝缘层，设置在第一感测电极与桥接图案之间并且包括第一接触孔，其中，桥接图案经由第一接触孔连接到第二网格线，其中，第一孔与桥接图案或第一网格线叠置。

第一孔在第一方向上延伸，并且具有比桥接图案的在第一方向上的宽度大的宽度。

第一网格线包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，并且第三金属层不与第一孔叠置。

本公开的实施例提供了一种制造电子装置的方法，所述方法包括以下步骤：在显示面板上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一导电层；使第一导电层图案化以形成第一网格线和第二网格线；在第一网格线和第二网格线上形成第一无机层；穿过第一无机层形成第一孔以使第一网格线的第一部分暴露，并且穿过第一无机层形成第二孔以使第二网格线的第二部分暴露；去除第一部分的第三金属层和第二部分的第三金属层；在第一无机层上形成第二无机层；穿过第二无机层形成第一接触孔以使第二部分暴露；以及在第二无机层上形成桥接图案以覆盖第一接触孔。

在形成第一孔和第二孔的步骤中同时去除第一部分的第三金属层和第二部分的第三金属层。

本公开的实施例提供了一种输入传感器，该输入传感器包括：基体层；第一感测电极，设置在基体层上；第二感测电极，与第一感测电极交叉；以及桥接图案，电连接到第二感测电极中的两个，其中，第一感测电极中的至少一个包括第一部分和第二部分，第一部分被桥接图案叠置并且包括第一金属层和第二金属层，第二部分不被桥接图案叠置并且包括第一金属层和第二金属层以及第三金属层。

输入传感器还包括设置在第一部分与桥接图案之间的绝缘层。

第二感测电极包括第一金属层和第二金属层，其中，第二感测电极的第二金属层与桥接图案接触。

第二感测电极还包括第三金属层，并且第二感测电极的第三金属层被绝缘层叠置。

第二金属层和第三金属层包括彼此不同的材料。

根据以上，防止了输入传感器的电极被腐蚀、损坏和断开。另外，防止在第二金属层中出现小丘。因此，提高了输入传感器的可靠性。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开的以上和其他特征将变得容易明显，其中：

图1是示出根据本公开的实施例的电子装置的透视图；

图2是示出根据本公开的实施例的电子装置的分解透视图；

图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的电子装置的剖视图；

图4是示出根据本公开的实施例的电子装置的操作的框图；

图5是示出图4中所示的输入装置的框图；

图6是示出根据本公开的实施例的显示模块的剖视图；

图7是示出根据本公开的实施例的输入传感器的平面图；

图8A、图8B和图8C是示出根据本公开的实施例的输入传感器的操作的视图；

图9A是示出根据本公开的实施例的输入传感器的平面图；

图9B是示出根据本公开的实施例的图9A中所示的单元感测区域的平面图；

图10A、图10B、图10C和图10D是示出根据本公开的实施例的输入传感器的放大平面图；

图11A、图11B、图11C和图11D是示出根据本公开的实施例的输入传感器的剖视图；

图12A、图12B和图12C是示出根据本公开的实施例的输入传感器的放大平面图；

图13是示出根据本公开的实施例的输入传感器的剖视图；

图14是示出根据本公开的实施例的制造电子装置的方法的流程图；

图15A、图15B和图15C是示出根据本公开的实施例的电子装置的制造方法的剖视图；

图16A、图16B和图16C是示出根据本公开的实施例的电子装置的制造方法的剖视图；

图17A、图17B和图17C是示出根据本公开的实施例的电子装置的制造方法的剖视图；以及

图18是示出根据本公开的实施例的电子装置的制造方法的剖视图。

具体实施方式

本公开可以以许多不同的形式进行各种修改和实现，因此将在图中例示并且在下文中详细描述具体实施例。然而，本公开不应限于具体公开的形式，并且应被解释为包括在本公开的精神和范围内包括的所有修改、等同物或替换。

在本公开中，将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接或直接结合到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。

同样的标记可以始终表示同样的元件。在图中，为了技术内容的有效描述，可以夸大组件的厚度、比例和尺寸。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项中的任何组合和所有组合。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。如这里使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确说明。

为了易于描述，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。

还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式的意义进行解释，除非这里明确地这样定义。

在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。

图1是示出根据本公开的实施例的电子装置ED的透视图。图2是示出根据本公开的实施例的电子装置ED的分解透视图。图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的电子装置ED的剖视图。

电子装置ED可以响应于电信号而被激活。电子装置ED可以应用于本公开的各种实施例。作为示例，电子装置ED可以应用于诸如电视机、室外广告牌等的大型电子产品以及诸如移动电话、平板计算机、汽车导航单元、游戏单元等的中小型电子产品，但其不应限于此或由此限制。电子装置ED也可以应用于其他电子装置。

参照图1，电子装置ED可以通过显示表面IS朝向第三方向DR3显示图像IM，该显示表面IS基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面。第三方向DR3可以基本上平行于显示表面IS的法线方向。通过其显示图像IM的显示表面IS可以与电子装置ED的前表面对应。图像IM可以包括静止图像以及视频。图1示出了作为图像IM的代表性示例的时钟小组件和应用图标。

在本实施例中，可以相对于显示图像IM所沿的方向来描述每个构件的前(或上)表面和后(或下)表面。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可以基本上平行于第三方向DR3。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的间隔距离可以与电子装置ED的构件(或单元)的厚度对应。

由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向彼此相对，并且可以在其他方向上改变。在下文中，在以下描述中，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以被分配相同的附图标记。

图1示出了作为代表性示例的包括平坦的显示表面IS的电子装置ED。然而，电子装置ED的显示表面IS的形状不应限于此或由此限制，并且显示表面IS可以具有弯曲或三维形状。

电子装置ED可以是刚性的或柔性的。柔性的电子装置ED可以是可折叠电子装置或其一部分弯曲的可弯曲电子装置。

电子装置ED可以感测从外部施加到其的外部输入。外部输入包括从电子装置ED的外部提供的各种形式的输入。根据本公开的实施例，电子装置ED可以感测从外部施加到其的用户US的第一输入TC1。用户US的第一输入TC1可以是各种形式(诸如光、热、压力等或其组合)的外部输入中的一者。作为示例，用户US的第一输入TC1可以由用户身体的一部分提供。

在本实施例中，用户US的第一输入TC1可以是通过用户US的手触摸电子装置ED的前表面而产生的触摸输入，然而，这仅仅是一个示例。用户US的第一输入TC1可以包括引起电容变化的任何或所有输入，并且不应被特别限制。根据电子装置ED的结构，电子装置ED可以感测施加到电子装置ED的侧表面或后表面的用户US的第一输入TC1以及施加到电子装置ED的前表面的用户US的第一输入TC1。

另外，电子装置ED可以感测从外部施加到其的第二输入TC2。第二输入TC2可以包括由除了用户US的手之外的输入装置AP(例如，手写笔、有源笔、触摸笔、电子笔等)产生的输入。在下文中，第二输入TC2将被描述为由有源笔提供的输入。

电子装置ED的前表面可以包括透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是通过其显示图像IM的区域。用户可以通过透射区域TA观看图像IM。在本实施例中，透射区域TA可以具有带有圆形顶点的四边形形状，然而，这仅仅是一个示例。透射区域TA可以具有各种形状，并且不应被特别限制。

边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。因此，透射区域TA可以具有由边框区域BZA界定的形状。然而，这仅仅是一个示例，并且边框区域BZA可以设置为仅与透射区域TA的一侧相邻，或者可以被省略。

参照图1和图2，电子装置ED可以包括显示模块DM、窗WM和壳体EDC。显示模块DM可以包括显示面板DP和输入传感器ISP。

根据本公开的实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，然而，其不应被特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和/或量子棒。在下文中，将描述有机发光显示面板作为显示面板DP的代表性示例。

输入传感器ISP可以感测从电子装置ED的外部施加到其的外部输入。输入传感器ISP可以获得外部输入(例如，第一输入TC1和第二输入TC2)的坐标信息。稍后将详细描述输入传感器ISP。

输入传感器ISP可以设置在显示面板DP上。图3A和图3B示出了根据本公开的各种实施例的电子装置ED的组件的堆叠结构。

参照图3A，输入传感器ISP可以直接设置在显示面板DP上。在本公开的实施例中，其中一个层、组件、构件等通过连续工艺而不使用单独的粘合层或粘合构件形成在另一层、组件、构件等上的结构将被称为“直接设置”。例如，表述“输入传感器ISP直接设置在显示面板DP上”意味着在形成显示面板DP之后通过连续工艺而不采用单独的粘合层将输入传感器ISP形成在显示面板DP的基体表面上。

参照图3B，内粘合层I_AF可以设置在输入传感器ISP与显示面板DP之间。在这种情况下，输入传感器ISP可以不通过连续工艺形成在显示面板DP上，而是输入传感器ISP可以在通过单独的工艺被制造之后通过内粘合层I_AF固定到显示面板DP的上表面。

显示模块DM可以响应于电信号而显示图像IM，并且可以发送/接收关于外部输入的信息。显示模块DM可以包括有效区域AA和外围区域NAA。可以通过有效区域AA显示图像IM，并且可以在有效区域AA中感测外部输入。外围区域NAA可以与有效区域AA相邻。外围区域NAA可以围绕有效区域AA，然而，这仅仅是一个示例，外围区域NAA可以具有各种形状。

有效区域AA和外围区域NAA可以分别与上述透射区域TA和边框区域BZA对应。在以下描述中，表述“区域/部分与另一区域/部分对应”可以意味着“区域/部分与另一区域/部分叠置”，但是该表述不应限于意味着“区域/部分与另一区域/部分具有相同的面积和/或相同的形状”。

显示模块DM还可以包括主电路板MCB、柔性电路膜FCB和驱动芯片DIC。可以省略主电路板MCB、柔性电路膜FCB和驱动芯片DIC中的一个或更多个。

主电路板MCB可以连接到柔性电路膜FCB，并且可以电连接到显示面板DP。主电路板MCB可以包括多个驱动元件。驱动元件可以包括驱动显示面板DP的电路部。主电路板MCB可以通过连接件电连接到电子装置ED的其他电子模块。

柔性电路膜FCB可以连接到显示面板DP，以将显示面板DP电连接到主电路板MCB。驱动芯片DIC可以安装在柔性电路膜FCB上。柔性电路膜FCB可以弯曲以使连接到柔性电路膜FCB的主电路板MCB面对显示面板DP的后表面。换言之，可以折叠柔性电路膜FCB，使得主电路板MCB设置在显示面板DP的下面。图2示出了一个柔性电路膜FCB；然而，柔性电路膜FCB的数量不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，柔性电路膜FCB可以设置为多个，并且柔性电路膜FCB可以连接到显示面板DP。

驱动芯片DIC可以包括驱动显示面板DP的像素的驱动元件(例如，数据驱动电路)。图2示出了其中驱动芯片DIC安装在柔性电路膜FCB上的结构，然而，本公开不应限于此或由此限制。例如，驱动芯片DIC可以直接安装在显示面板DP上。在这种情况下，显示面板DP的一部分可以弯曲，并且显示面板DP的其上安装有驱动芯片DIC的部分可以与显示面板DP的后表面叠置。换言之，显示面板DP的该部分可以像上述柔性电路膜FCB一样弯曲。

输入传感器ISP可以通过柔性电路膜FCB电连接到主电路板MCB，然而，其不应限于此或由此限制。显示模块DM还可以包括单独的柔性电路膜，以将输入传感器ISP电连接到主电路板MCB。

窗WM可以设置在显示模块DM上。窗WM可以透射从显示面板DP发射的图像，并且用户US可以通过窗WM观看到图像。窗WM可以保护电子装置ED的内部组件免受外部冲击。作为示例，窗WM可以保护设置在窗WM下面的显示面板DP和输入传感器ISP。

参照图3A，窗WM可以包括基体层WTM和光阻挡图案WBM。图3B中的窗WM被示意性地示出，而没有将基体层WTM与光阻挡图案WBM区分开。

基体层WTM可以包括光学透明材料。基体层WTM可以包括玻璃基底和合成树脂膜中的至少一个。基体层WTM可以具有单层或多层结构。作为示例，具有多层结构的基体层WTM可以包括通过粘合剂彼此附着的两个或更多个合成树脂膜。

光阻挡图案WBM可以设置在基体层WTM上以与基体层WTM部分叠置。光阻挡图案WBM可以设置在基体层WTM的后表面上。其中设置有光阻挡图案WBM的区域可以基本上与电子装置ED的边框区域BZA对应。其中未设置光阻挡图案WBM的区域可以与电子装置ED的透射区域TA对应。

光阻挡图案WBM可以包括具有预定颜色的材料。作为示例，光阻挡图案WBM可以包括有色有机层。光阻挡图案WBM可以具有单层或多层结构。具有多层结构的光阻挡图案WBM可以包括彩色层和非彩色光阻挡层(特别地，黑色光阻挡层)。可以通过沉积、印刷或涂覆工艺形成光阻挡图案WBM。

窗WM还可以包括设置在基体层WTM的前表面上的功能涂层。功能涂层可以包括抗指纹层、抗反射层和硬涂层中的至少一个。

窗WM可以通过粘合层AF结合到显示模块DM。粘合层AF可以包括透明粘合剂，诸如光学透明粘合剂(OCA)膜、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合剂(PSA)膜，然而，其不应限于此或由此限制。粘合层AF可以包括普通粘合剂。

电子装置ED还可以包括设置在窗WM与显示模块DM之间的抗反射层。抗反射层可以降低从窗WM的上方入射到其的外部光的反射率。

根据本公开的实施例，抗反射层可以包括延迟器和偏振器中的至少一个。延迟器可以是膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以是膜型或液晶涂层型。膜型偏振器可以包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂层型偏振器可以包括以预定取向排列的液晶。延迟器和偏振器可以实现为一个偏振膜。

根据本公开的实施例，抗反射层可以包括滤色器。滤色器可以直接设置在输入传感器ISP和显示面板DP上。可以通过考虑包括在显示面板DP中的像素的布置和发光颜色来布置滤色器。

根据本公开的实施例，抗反射层可以包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可以包括设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，因此，可以降低外部光的反射率。

壳体EDC可以结合到窗WM以形成电子装置ED的外观。壳体EDC可以保护容纳在壳体EDC中的组件。壳体EDC可以吸收从外部施加到其的冲击，并且可以防止外来物质和湿气进入容纳在壳体EDC中的显示模块DM。壳体EDC可以以通过结合多个容纳构件而获得的形式设置。

电子装置ED还可以包括：电子模块，包括驱动显示模块DM的各种功能模块；电源模块，供应电子装置ED的整体操作所需的电力；以及支架，结合到显示模块DM和/或壳体EDC以划分电子装置ED的内部空间。

图4是示出根据本公开的实施例的电子装置ED的操作的框图。图5是示出图4中所示的输入装置AP的框图。

参照图4和图5，电子装置ED还可以包括主控制器200和传感器控制器100。传感器控制器100可以连接到输入传感器ISP，主控制器200可以控制显示面板DP的驱动和传感器控制器100的驱动。换言之，主控制器200可以连接到显示面板DP和传感器控制器100。作为示例，主控制器200和传感器控制器100可以安装在主电路板MCB(参照图2)上，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，传感器控制器100可以内置在驱动芯片DIC(参照图2)中。

输入传感器ISP可以包括感测电极。稍后将详细描述输入传感器ISP的构造。传感器控制器100可以连接到输入传感器ISP的感测电极。传感器控制器100可以以第一模式操作输入传感器ISP以感测第一输入TC1，并且可以以第二模式操作输入传感器ISP以感测第二输入TC2。传感器控制器100可以响应于从主控制器200提供的控制信号指示输入传感器ISP改变模式。

如图5中所示，输入装置AP还可以包括外壳11、导电头12、通信模块13、输入控制器14和电源模块15，然而，这仅仅是一个示例，输入装置AP的构造不应限于此或由此限制。

外壳11可以具有笔形状，并且可以在其中设置有容纳空间。导电头12可以从外壳11的容纳空间向外突出。导电头12可以是输入装置AP的与电子装置ED直接接触的部分。

通信模块13可以包括发送电路13a和接收电路13b。发送电路13a可以将下行链路信号发送到传感器控制器100。下行链路信号可以包括输入装置AP的位置、输入装置AP的斜率、状态信息等。当输入装置AP与输入传感器ISP接触时，传感器控制器100可以经由输入传感器ISP接收下行链路信号。例如，下行链路信号可以经由导电头12从发送电路13a行进到传感器控制器100。

接收电路13b可以从传感器控制器100接收上行链路信号。上行链路信号可以包括面板信息、协议版本信息等。传感器控制器100可以将上行链路信号提供给输入传感器ISP，并且输入装置AP可以通过与输入传感器ISP接触来接收上行链路信号。例如，上行链路信号可以经由导电头12从传感器控制器100行进到接收电路13b。

输入控制器14可以被构造为根据具体程序操作。发送电路13a接收从输入控制器14提供的信号并且将接收到的信号调制为可以由输入传感器ISP感测的信号，并且接收电路13b将经由输入传感器ISP施加到其的信号调制为可以由输入控制器14处理的信号。电源模块15可以向输入装置AP的每个组件供应电力。

图6是示出根据本公开的实施例的显示模块DM的剖视图。

参照图6，显示模块DM可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的输入传感器ISP。显示面板DP可以包括基体基底BS、电路层DP_CL、发光元件层DP_ED和封装层TFE。

基体基底BS可以提供其上设置有电路层DP_CL的基体表面。基体基底BS可以包括玻璃基底、金属基底、聚合物基底或有机/无机复合材料基底。基体基底BS可以具有单层或多层结构。作为示例，基体基底BS可以具有包括合成树脂层和设置在合成树脂层之间的至少一个无机层的结构。

合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂、苝类树脂和聚酰亚胺类树脂中的至少一种。

至少一个无机层可以形成在基体基底BS的上表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多层。无机层可以形成阻挡层和/或缓冲层。在本实施例中，缓冲层BFL可以设置在基体基底BS上。

电路层DP_CL可以设置在基体基底BS上。电路层DP_CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。可以通过涂覆或沉积工艺在基体基底BS上形成绝缘层、半导体层和导电层。然后，可以通过若干光刻工艺选择性地使绝缘层、半导体层和导电层图案化。在图案化工艺完成之后，可以形成包括在电路层DP_CL中的半导体图案、导电图案和信号线。

缓冲层BFL可以增大基体基底BS与半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。根据本公开的实施例，缓冲层BFL可以包括彼此交替堆叠的氧化硅层和氮化硅层。

半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。图6仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案可以进一步设置在基体基底BS的其他区域中。半导体图案可以包括多晶硅，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。

半导体图案可以根据其是否被掺杂或者其是掺杂有N型掺杂剂还是P型掺杂剂而具有不同的电性质。半导体图案可以包括具有高导电性的第一区域和具有低导电性的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或以比第一区域的浓度低的浓度掺杂的区域。

第一区域可以具有比第二区域的导电性大的导电性，并且可以用作电极或信号线。第二区域可以与晶体管的有源区(或沟道区)对应。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，半导体图案的其他部分可以分别是晶体管的源区和漏区。

半导体图案可以以特定规则遍及像素布置。像素中的每个可以具有包括多个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，并且像素的等效电路可以以各种方式进行改变。图6示出了包括在像素中的一个晶体管TR和发光元件EMD。

晶体管TR的源区SR、有源区CHR和漏区DR可以由半导体图案形成。源区SR和漏区DR可以在剖面中从有源区CHR在彼此相反的方向上延伸。换言之，有源区CHR可以设置在源区SR与漏区DR之间。形成电路层DP_CL的信号线SCL可以与半导体图案设置在同一层。信号线SCL可以在平面中电连接到晶体管TR。

电路层DP_CL可以包括多个绝缘层。图6示出了包括在电路层DP_CL中的栅极绝缘层IL1、层间绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第四绝缘层IL4、第五绝缘层IL5和第六绝缘层IL6。栅极绝缘层IL1、层间绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第四绝缘层IL4、第五绝缘层IL5和第六绝缘层IL6可以顺序堆叠。栅极绝缘层IL1至第六绝缘层IL6中的每个可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

栅极绝缘层IL1可以设置在缓冲层BFL上。栅极绝缘层IL1可以公共地与像素叠置，并且可以覆盖半导体图案。

晶体管TR的栅极GE可以设置在栅极绝缘层IL1上。栅极GE可以是金属图案的一部分。栅极GE可以与有源区CHR叠置。栅极GE可以在掺杂半导体图案的工艺中用作掩模。

层间绝缘层IL2可以设置在栅极绝缘层IL1上，并且可以覆盖栅极GE。层间绝缘层IL2可以公共地与像素叠置。第三绝缘层IL3可以设置在层间绝缘层IL2上。

第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层IL3上。第一连接电极CNE1可以经由穿过栅极绝缘层IL1、层间绝缘层IL2和第三绝缘层IL3设置的第一通道孔CNT1连接到信号线SCL。

第四绝缘层IL4可以设置在第三绝缘层IL3上。第五绝缘层IL5可以设置在第四绝缘层IL4上。在本实施例中，第四绝缘层IL4可以包括无机层，第五绝缘层IL5可以包括有机层。

第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层IL5上。第二连接电极CNE2可以经由穿过第四绝缘层IL4和第五绝缘层IL5设置的第二通道孔CNT2连接到第一连接电极CNE1。第一通道孔CNT1和第二通道孔CNT2可以彼此叠置。

第六绝缘层IL6可以设置在第五绝缘层IL5上，并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层IL6可以包括有机层。

发光元件层DP_ED可以设置在电路层DP_CL上。发光元件层DP_ED可以包括发光元件EMD和像素限定层IL7。例如，发光元件层DP_ED可以包括有机发光材料、量子点、量子棒、微发光二极管(LED)或纳米LED。发光元件EMD可以包括第一电极AE、发光层EL和第二电极CE。

第一电极AE可以设置在第六绝缘层IL6上。第一电极AE可以经由穿过第六绝缘层IL6设置的第三通道孔CNT3连接到第二连接电极CNE2。第三通道孔CNT3可以与第二通道孔CNT2叠置。

像素限定层IL7可以设置在第六绝缘层IL6上，并且可以覆盖第一电极AE的一部分。可以穿过像素限定层IL7设置开口OP以使第一电极AE的至少一部分暴露。在本实施例中，发光区域PXA可以与第一电极AE的通过开口OP暴露的部分对应。像素限定层IL7可以与非发光区域NPXA对应。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。

发光层EL可以设置在第一电极AE上。发光层EL可以设置在开口OP中。在开口OP中，发光层EL可以夹在第一电极AE与第二电极CE之间。发光层EL可以在被划分为多个部分之后形成在像素中的每个中。当发光层EL在被划分为多个部分之后形成在像素中的每个中时，发光层EL中的每个可以发射具有蓝色、红色和绿色中的至少一种的光，然而，其不应限于此或由此限制。发光层EL可以遍及像素公共地设置。在这种情况下，发光层EL可以提供蓝光或白光。

第二电极CE可以设置在发光层EL上。第二电极CE可以具有一体形状，并且可以遍及像素公共地设置。可以将共电压施加到第二电极CE，并且第二电极CE可以被称为共电极。

空穴控制层可以设置在第一电极AE与发光层EL之间，并且电子控制层可以设置在发光层EL与第二电极CE之间。空穴控制层可以包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一者。电子控制层可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一者。空穴控制层和电子控制层可以公共地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。空穴控制层和电子控制层可以使用开口掩模形成。

封装层TFE可以设置在发光元件层DP_ED上。根据本公开的实施例，封装层TFE可以包括顺序堆叠的至少一个无机层和至少一个有机层。作为示例，封装层TFE可以具有包括多个无机层和设置在无机层之间的有机层的结构。无机层可以保护发光元件层DP_ED免受湿气和氧的影响，并且有机层可以保护发光元件层DP_ED免受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以包括丙烯酸类有机层。然而，用于无机层和有机层的材料不应限于此或由此限制。

根据本公开的实施例，封装层TFE也可以以封装基底的形式设置。封装基底可以通过密封构件设置在发光元件层DP_ED上。封装基底可以包括玻璃基底。

输入传感器ISP可以通过连续工艺形成在显示面板DP上。输入传感器ISP可以包括多个绝缘层和多个导电层。输入传感器ISP可以与封装层TFE的上表面直接接触。

图7是示出根据本公开的实施例的输入传感器ISP的平面图。图8A是示出输入传感器ISP在第一模式下的操作的视图。图8B和图8C是示出输入传感器ISP在第二模式下的操作的视图。

参照图7，输入传感器ISP可以包括感测区域SA和非感测区域NSA。感测区域SA可以响应于电信号而被激活。感测区域SA可以是其中感测输入的区域。非感测区域NSA可以围绕感测区域SA。感测区域SA和非感测区域NSA可以分别与图2中所示的显示模块DM的有效区域AA和外围区域NAA对应。

输入传感器ISP可以包括基体层IIL1、多个第一感测电极SE1_1至SE1_n、多个第二感测电极SE2_1至SE2_m、多条第一感测线SL1_1至SL1_n以及多条第二感测线SL2_1至SL2_m。第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m可以设置在基体层IIL1的感测区域SA中。第一感测线SL1_1至SL1_n和第二感测线SL2_1至SL2_m可以设置在非感测区域NSA中。

基体层IIL1可以包括无机层或有机层。作为示例，基体层IIL1的无机层可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。基体层IIL1的有机层可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂和酰亚胺类树脂中的至少一种，然而，用于基体层IIL1的材料不应限于此或由此限制。基体层IIL1可以具有单层结构或多层结构。

第一感测电极SE1_1至SE1_n的数量可以是n，第二感测电极SE2_1至SE2_m的数量可以是m。在本实施例中，n和m中的每个是等于或大于1的自然数，并且不应被特别限制。

第一感测电极SE1_1至SE1_n中的每个可以具有条形状，并且可以在第一方向DR1上延伸。第一感测电极SE1_1至SE1_n可以在第二方向DR2上布置，并且可以彼此间隔开。第一感测电极SE1_1至SE1_n可以在第二方向DR2上具有基本上恒定的电极宽度。第一感测电极SE1_1至SE1_n之间的间隔在第二方向DR2上可以是恒定的。

第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个可以具有条形状，并且可以在第二方向DR2上延伸。第二感测电极SE2_1至SE2_m可以在第一方向DR1上布置，并且可以彼此间隔开。第二感测电极SE2_1至SE2_m可以在第一方向DR1上具有基本上恒定的电极宽度。第二感测电极SE2_1至SE2_m之间的间隔在第一方向DR1上可以是恒定的。

第一感测电极SE1_1至SE1_n可以与第二感测电极SE2_1至SE2_m电绝缘，并且当在平面中观看时可以与第二感测电极SE2_1至SE2_m交叉。换言之，第一感测电极SE1_1至SE1_n可以与第二感测电极SE2_1至SE2_m叠置。第一感测电极SE1_1至SE1_n与第二感测电极SE2_1至SE2_m交叉的区域可以被称为电极交叉区域CA。第一感测电极SE1_1至SE1_n不与第二感测电极SE2_1至SE2_m交叉的区域可以被定义为非交叉区域NCA。换言之，非交叉区域NCA可以与第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m不叠置的区域对应。

第一感测线SL1_1至SL1_n可以分别电连接到第一感测电极SE1_1至SE1_n的一侧，并且第二感测线SL2_1至SL2_m可以分别电连接到第二感测电极SE2_1至SE2_m的一侧。根据本公开的实施例，输入传感器ISP还可以包括：多条第三感测线SL3_1至SL3_n，电连接到第一感测电极SE1_1至SE1_n的另一侧；然而，输入传感器ISP不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，可以省略第三感测线SL3_1至SL3_n。

第一感测电极SE1_1至SE1_n可以经由第一感测线SL1_1至SL1_n电连接到传感器控制器100(参照图4)，并且第二感测电极SE2_1至SE2_m可以经由第二感测线SL2_1至SL2_m电连接到传感器控制器100(参照图4)。第一感测线SL1_1至SL1_n和第二感测线SL2_1至SL2_m可以经由垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)连接到图2的柔性电路膜FCB。

输入传感器ISP可以以第一模式或以第二模式操作，在第一模式下，输入传感器ISP基于第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m之间的电容变化获得关于第一输入TC1(参照图4)的信息，在第二模式下，输入传感器ISP基于第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个的电容变化获得关于第二输入TC2(参照图4)的信息。

为了便于说明，图8A至图8C示意性地示出了第一感测电极SE1_1至SE1_n之中的两个第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1至SE2_m之中的两个第二感测电极SE2_1和SE2_2，具体地，图8A至图8C中所示的两个第一感测电极SE1_1和SE1_2以及两个第二感测电极SE2_1和SE2_2所处的区域对应于图7中所示的区域A1。参照图8A至图8C基于两个第一感测电极SE1_1和SE1_2以及两个第二感测电极SE2_1和SE2_2描述的感测电极的操作方法可以同样适用于n个第一感测电极SE1_1至SE1_n和m个第二感测电极SE2_1至SE2_m中的其余第一感测电极和第二感测电极。

在第一模式(图8A中的模式1)下，第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的一者可以作为发送电极操作，并且第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的另一者可以作为接收电极操作。

作为示例，参照图8A，在第一模式下，第一感测电极SE1_1和SE1_2可以作为发送电极操作，第二感测电极SE2_1和SE2_2可以作为接收电极操作。在第一模式下，传感器控制器100可以感测第一感测电极SE1_1和SE1_2与第二感测电极SE2_1和SE2_2之间的电容的变化，以感测外部输入。

在第一模式下，传感器控制器100可以将驱动信号TS1和TS2施加到第一感测电极SE1_1和SE1_2。可以通过第一感测线SL1_1和SL1_2提供驱动信号TS1和TS2。在第一模式下，传感器控制器100可以从第二感测电极SE2_1和SE2_2接收感测信号RS1和RS2。可以通过第二感测线SL2_1和SL2_2接收感测信号RS1和RS2。因此，传感器控制器100可以将驱动信号TS1和TS2同与驱动信号TS1和TS2对应的感测信号RS1和RS2进行比较，并且可以基于驱动信号TS1和TS2与感测信号RS1和RS2之间的变化来产生第一输入TC1被提供到其的位置的坐标值。

当如图4中所示输入装置AP接近输入传感器ISP时，输入传感器ISP可以进入第二模式(图8B和图8C中的模式2)以感测图8B和图8C中所示的第二输入TC2。输入装置AP(参照图4)可以通过输入传感器ISP向传感器控制器100发送数据以及从传感器控制器100接收数据。第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的全部可以在第二模式下用作发送电极或接收电极。

作为示例，参照图8B，在第二模式下，第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以用作发送电极，以将从传感器控制器100提供的上行链路信号TSa、TSb、TSc和TSd提供给输入装置AP(参照图4)。上行链路信号TSa、TSb、TSc和TSd经由第一感测线SL1_1和SL1_2以及第二感测线SL2_1和SL2_2发送。参照图8C，在第二模式下，第一感测电极SE1_1和SE1_2以及第二感测电极SE2_1和SE2_2中的每个可以用作接收电极，以将从输入装置AP(参照图4)提供的下行链路信号RSa、RSb、RSc和RSd提供给传感器控制器100。下行链路信号RSa、RSb、RSc和RSd经由第一感测线SL1_1和SL1_2以及第二感测线SL2_1和SL2_2发送。

当第一感测电极SE1_1至SE1_n和第二感测电极SE2_1至SE2_m中的每个以条形状设置时，即使输入装置AP(参照图4)移动，第一感测电极SE1_1至SE1_n与第二感测电极SE2_1至SE2_m之间的电容的变化也可以基本上均匀地保持。因此，尽管第二输入TC2(参照图4)移动，但是可以在第二模式下精确地感测第二输入TC2(参照图4)的移动。换言之，当如通过使用输入装置AP(参照图4)书写字母或绘制图片的情况下以线形状提供第二输入TC2(参照图4)时，可以防止第二输入TC2(参照图4)由于互电容的变化而失真，因此，可以改善第二输入TC2(参照图4)的线性度。

图9A是基于区域示意性地示出图7的输入传感器ISP的平面图。图9B是示出图9A中所示的一个单元感测区域UA的放大平面图。

参照图9A，感测区域SA可以包括以矩阵形式布置的多个单元感测区域UA。单元感测区域UA可以按行、列(例如，矩阵形式)布置。如图9A中所示，输入传感器ISP的整个感测区域SA可以仅设置有单元感测区域UA，然而，其不应限于此或由此限制。作为示例，输入传感器ISP可以包括彼此区分的第一感测区域和第二感测区域。第一感测区域可以包括单元感测区域UA，第二感测区域可以包括与第一感测区域的单元感测区域UA不同的单元感测区域。

图9B示出了设置在一个单元感测区域UA中的一个第一感测电极SE1和一个第二感测电极SE2。根据本公开的实施例，输入传感器ISP还可以包括虚设电极DE。虚设电极DE可以与第一感测电极SE1和第二感测电极SE2电绝缘。虚设电极DE可以设置在第一感测电极SE1与第二感测电极SE2之间，以防止其中设置有第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的区域与其中未设置第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的区域之间的可视性差异，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，可以省略虚设电极DE。

第一感测电极SE1和第二感测电极SE2中的每个可以具有网格结构。第一感测电极SE1和第二感测电极SE2中的每个可以包括多个网格图案以具有网格结构。包括在第一感测电极SE1中的网格图案可以被称为第一网格图案。包括在第二感测电极SE2中的网格图案可以被称为第二网格图案。

第一网格图案和第二网格图案中的每个可以包括多条网格线。网格线可以包括在第一交叉方向EDR1上延伸的第一组的线和在第二交叉方向EDR2上延伸的第二组的线。第一交叉方向EDR1和第二交叉方向EDR2中的每个可以与第一方向DR1和第二方向DR2交叉。第一交叉方向EDR1与第二交叉方向EDR2之间的夹角可以等于或小于约90度。

第一网格图案可以包括第一组的线之中的一些线ML1-a和第二组的线之中的一些线ML1-b。在第一组的线和第二组的线之中，形成第一网格图案的线ML1-a和ML1-b可以被称为第一网格线ML1。

第二网格图案可以包括第一组的线之中的其他线ML2-a和第二组的线之中的其他线ML2-b。在第一组的线和第二组的线之中，形成第二网格图案的线ML2-a和ML2-b可以被称为第二网格线ML2。

第一网格线ML1和第二网格线ML2中的每个可以包括导电材料。作为示例，第一网格线ML1和第二网格线ML2中的每个可以包括金属材料。

第一网格线ML1和第二网格线ML2中的每个可以包括多个金属层。第一网格线ML1的第一部分的最外金属层可以包括与第一网格线ML1的第二部分的最外金属层的材料不同的材料。第二网格线ML2的第三部分的最外金属层可以包括与第二网格线ML2的第四部分的最外金属层的材料不同的材料。第一网格线ML1的第一部分和第二网格线ML2的第三部分中的每个的最外金属层可以与稍后将描述的桥接图案BRP(参照图10D)相邻。

第一网格线ML1和第二网格线ML2中的每个可以具有多层结构。作为示例，第一网格线ML1的第一部分可以具有两个金属层结构，第一网格线ML1的第二部分可以具有三个金属层结构。类似地，第二网格线ML2的第三部分可以具有两个金属层结构，第二网格线ML2的第四部分可以具有三个金属层结构。这将参照附图进行详细描述。

第一网格线ML1和第二网格线ML2可以设置在同一层并且可以彼此电绝缘。作为示例，第一网格线ML1和第二网格线ML2可以设置在输入传感器ISP的基体层IIL1的上表面上。第一感测电极SE1的第一网格线ML1和第二感测电极SE2的第二网格线ML2可以通过形成包括彼此连接的第一组的线和第二组的线的网格图案并且将第一组的线和第二组的线的一些线断开以使第一感测电极SE1与第二感测电极SE2绝缘来形成。第一组的线和第二组的线之中的一些线被断开的点可以与稍后描述的线交叉区域LCA对应。

线交叉区域LCA可以形成在每个电极交叉区域CA中。每个线交叉区域LCA可以是其中包括第一网格线ML1的在一个方向上延伸的一部分以及彼此间隔开且第一网格线ML1的这一部分置于其间的第二网格线ML2的区域。在这种情况下，设置在同一层并且彼此间隔开的第二网格线ML2可以经由稍后描述的桥接图案BRP彼此电连接。然而，线交叉区域LCA不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，线交叉区域LCA可以是其中包括第二网格线ML2的在一个方向上延伸的一部分以及彼此间隔开且第二网格线ML2的这一部分置于其间的第一网格线ML1的区域。在这种情况下，桥接图案BRP可以将设置在同一层并且彼此间隔开的第一网格线ML1电连接。

设置在图9B中所示的单元感测区域UA中的第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的形状仅仅是一个示例，并且本公开的输入传感器ISP不应限于此或由此限制。换言之，第一感测电极SE1和第二感测电极SE2可以被设计为具有各种形状。

图10A至图10D是对应于图9B中所示的线交叉区域LCA之中的一个线交叉区域LCA来示出输入传感器的放大平面图。图10A示出了第一网格线ML1的与线交叉区域LCA对应的部分和第二网格线ML2的与线交叉区域LCA对应的部分。

参照图10A，第一感测电极SE1和第二感测电极SE2可以设置在基体层IIL1上。在线交叉区域LCA中，第一感测电极SE1可以包括在第一交叉方向EDR1上延伸的第一网格线ML1。例如，第一网格线ML1可以从线交叉区域LCA的一个角延伸到线交叉区域LCA的另一个角。在线交叉区域LCA中，第二感测电极SE2可以包括在与第一交叉方向EDR1交叉的第二交叉方向EDR2上延伸的第二网格线ML2。在线交叉区域LCA中，第二网格线ML2可以包括在第二交叉方向EDR2上的第一线ML2a和第二线ML2b，第一线ML2a和第二线ML2b彼此间隔开且第一网格线ML1置于第一线ML2a与第二线ML2b之间。在第一线ML2a与第一网格线ML1之间沿着第二交叉方向EDR2可以存在空间，并且在第二线ML2b与第一网格线ML1之间沿着第二交叉方向EDR2可以存在空间。

图9B中所示的线交叉区域LCA中的每个可以与如图10A中所示的其中包括彼此间隔开的第二网格线ML2且第一网格线ML1置于其间的区域对应，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，线交叉区域LCA中的一些区域可以与其中包括彼此间隔开的第一网格线ML1且第二网格线ML2置于其间的区域对应，或者所有线交叉区域LCA可以与其中包括彼此间隔开的第一网格线ML1且第二网格线ML2置于其间的区域对应。

图10B示出了设置在图10A中所示的线交叉区域LCA的第一网格线ML1和第二网格线ML2上的第一绝缘层ILF1。为了便于解释，图10B中也示出了第一网格线ML1和第二网格线ML2的被第一绝缘层ILF1覆盖的部分。

第一绝缘层ILF1可以包括无机材料。作为示例，第一绝缘层ILF1可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。然而，用于第一绝缘层ILF1的材料不应限于此或由此限制。

参照图10B，第一绝缘层ILF1可以设置有第一孔HO1，第一网格线ML1的一部分通过第一孔HO1暴露。第一孔HO1可以穿过第一绝缘层ILF1。当在平面中观看时，第一孔HO1可以具有在第一网格线ML1延伸所沿的方向上延伸的形状，然而，第一孔HO1的形状不应被特别限制。

第一绝缘层ILF1还可以设置有第二孔HO2和第三孔HO3，第二网格线ML2的第一线ML2a的一部分通过第二孔HO2暴露，第二线ML2b的一部分通过第三孔HO3暴露。第二孔HO2和第三孔HO3可以穿过第一绝缘层ILF1。当在平面中观看时，第二孔HO2和第三孔HO3可以彼此间隔开，且第一孔HO1置于第二孔HO2与第三孔HO3之间。如图10B中所示，第二孔HO2和第三孔HO3可以在第二交叉方向EDR2上彼此间隔开，且第一孔HO1置于第二孔HO2与第三孔HO3之间。

在一个线交叉区域LCA中，可以设置多个第二孔HO2。第二孔HO2可以在第一线ML2a的延伸方向上布置。类似地，可以在一个线交叉区域LCA中设置多个第三孔HO3，并且第三孔HO3可以在第二线ML2b的延伸方向上布置。

第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置并且通过第一孔HO1暴露的部分可以被称为第一部分ML1-1，第一网格线ML1的不与第一孔HO1叠置的部分可以被称为第二部分ML1-2。第一孔HO1的在第二交叉方向EDR2上的第一宽度W1可以等于或大于第一网格线ML1的宽度。如图10B中所示，通过第一孔HO1暴露的第一部分ML1-1的宽度可以等于第一网格线ML1的宽度。换言之，在第一交叉方向EDR1上延伸的第一网格线ML1的两侧的部分可以与第一孔HO1叠置。

第一部分ML1-1和第二部分ML1-2中的每个可以包括多个金属层。第一部分ML1-1的最外金属层可以包括与第二部分ML1-2的最外金属层的材料不同的材料。第一部分ML1-1的最外金属层可以包括具有相对低电阻的金属材料。第二部分ML1-2的最外金属层可以包括具有耐腐蚀性的金属材料。

第二网格线ML2的第一线ML2a的与第二孔HO2叠置并且通过第二孔HO2暴露的部分可以被称为第三部分ML2a-1，第二网格线ML2的第一线ML2a的不与第二孔HO2叠置的部分可以被称为第四部分ML2a-2。第二网格线ML2的第二线ML2b的与第三孔HO3叠置并且通过第三孔HO3暴露的部分可以被称为第五部分ML2b-1，第二网格线ML2的第二线ML2b的不与第三孔HO3叠置的部分可以被定义为第六部分ML2b-2。

第三部分ML2a-1、第四部分ML2a-2、第五部分ML2b-1和第六部分ML2b-2中的每个可以包括金属层。

第三部分ML2a-1和第五部分ML2b-1的最外金属层可以包括彼此基本上相同的材料。包括在第三部分ML2a-1和第五部分ML2b-1的最外金属层中的材料可以与第一部分ML1-1的最外金属层的材料相同。第三部分ML2a-1和第五部分ML2b-1的最外金属层可以包括具有相对低电阻的金属材料。

第四部分ML2a-2和第六部分ML2b-2的最外金属层可以包括彼此相同的材料。包括在第四部分ML2a-2和第六部分ML2b-2的最外金属层中的材料可以与第二部分ML1-2的最外金属层的材料基本上相同。第四部分ML2a-2和第六部分ML2b-2的最外金属层可以包括具有耐腐蚀性的金属材料。

如图10B中所示，通过第二孔HO2暴露的第三部分ML2a-1的宽度和第四部分ML2a-2的宽度可以等于第二网格线ML2的宽度。另外，通过第三孔HO3暴露的第五部分ML2b-1的宽度和第六部分ML2b-2的宽度可以等于第二网格线ML2的宽度。

图10C示出了在线交叉区域LCA中设置在图10B的第一绝缘层ILF1上的第二绝缘层ILF2。为了便于解释，图10C中也示出了第一网格线ML1和第二网格线ML2的被第二绝缘层ILF2覆盖的部分。

第二绝缘层ILF2可以包括无机材料。作为示例，第二绝缘层ILF2可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种，然而，用于第二绝缘层ILF2的材料不应限于此或由此限制。第二绝缘层ILF2可以包括与第一绝缘层ILF1的材料相同的材料，或者可以包括与第一绝缘层ILF1的材料不同的材料。

第二绝缘层ILF2可以覆盖第一孔HO1。第二绝缘层ILF2可以与第一部分ML1-1接触。换言之，第二绝缘层ILF2可以覆盖第一网格线ML1的通过第一孔HO1暴露的第一部分ML1-1。因此，第二绝缘层ILF2可以使第一网格线ML1与形成在第一部分ML1-1上的桥接图案BRP(参照图10D)电绝缘。

第二绝缘层ILF2可以设置有第一接触孔CO1和第二接触孔CO2，第二网格线ML2的第一线ML2a的一部分通过第一接触孔CO1暴露，第二网格线ML2的第二线ML2b的一部分通过第二接触孔CO2暴露。第一接触孔CO1和第二接触孔CO2可以穿过第二绝缘层ILF2。

第一接触孔CO1可以形成为与第二孔HO2对应，第二接触孔CO2可以形成为与第三孔HO3对应。换言之，第一接触孔CO1可以与第二孔HO2叠置，第二接触孔CO2可以与第三孔HO3叠置。第一接触孔CO1可以与第一线ML2a的第三部分ML2a-1叠置。第二接触孔CO2可以与第二线ML2b的第五部分ML2b-1叠置。

第一接触孔CO1和第二接触孔CO2可以不与第一网格线ML1叠置。换言之，当在平面中观看时，第一接触孔CO1和第二接触孔CO2可以彼此间隔开，且第一网格线ML1置于第一接触孔CO1与第二接触孔CO2之间。

当在平面中观看时，第一接触孔CO1的尺寸可以等于或小于第二孔HO2的尺寸。当在平面中观看时，第二接触孔CO2的尺寸可以等于或小于第三孔HO3的尺寸。然而，本实施例不应限于此或由此限制。

在多个第二孔HO2形成在一个线交叉区域LCA中的情况下，第一接触孔CO1也可以设置为多个，并且第一接触孔CO1可以分别与第二孔HO2对应，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，具有比一个第二孔HO2的尺寸大的尺寸的第一接触孔CO1可以与多个第二孔HO2叠置，或者均具有比第二孔HO2的尺寸小的尺寸的第一接触孔CO1可以与一个第二孔HO2叠置。

在多个第三孔HO3形成在一个线交叉区域LCA中的情况下，第二接触孔CO2也可以设置为多个，并且第二接触孔CO2可以分别与第三孔HO3对应，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，具有比一个第三孔HO3的尺寸大的尺寸的第二接触孔CO2可以与多个第三孔HO3叠置，或者均具有比第三孔HO3的尺寸小的尺寸的第二接触孔CO2可以与一个第三孔HO3叠置。

图10D示出了在线交叉区域LCA中设置在图10C的第二绝缘层ILF2上的桥接图案BRP。为了便于解释，图10D中也示出了第一网格线ML1和第二网格线ML2的被第二绝缘层ILF2和桥接图案BRP覆盖的部分。

桥接图案BRP可以在线交叉区域LCA中设置在第二绝缘层ILF2上。桥接图案BRP可以覆盖第一接触孔CO1和第二接触孔CO2。桥接图案BRP可以连接到通过第一接触孔CO1暴露的第一线ML2a和通过第二接触孔CO2暴露的第二线ML2b，以将第一线ML2a电连接到第二线ML2b。因此，桥接图案BRP可以将被第一网格线ML1物理断开的第二网格线ML2电连接。

当在平面中观看时，桥接图案BRP可以与第一网格线ML1的一部分叠置。例如，当在平面中观看时，桥接图案BRP可以与第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1叠置。在平面中与第一部分ML1-1叠置的桥接图案BRP可以在厚度方向上与第一网格线ML1的第一部分ML1-1间隔开，且第二绝缘层ILF2置于桥接图案BRP与第一网格线ML1的第一部分ML1-1之间。

当在平面中观看时，第一孔HO1可以具有在一个方向上延伸的形状。参照图10D，第一孔HO1可以在第一交叉方向EDR1上延伸，并且可以在第一交叉方向EDR1上具有第二宽度W2。第一孔HO1的第二宽度W2可以大于与第一孔HO1叠置的桥接图案BRP的宽度W3。因此，桥接图案BRP可以在不断开的情况下将第二网格线ML2电连接，并且可以提高输入传感器ISP的可靠性。

桥接图案BRP可以包括导电材料。桥接图案BRP可以包括透明导电材料。作为示例，桥接图案BRP可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(ITZO)等的透明导电氧化物。另外，桥接图案BRP可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。

图10D示出了一个桥接图案BRP，然而，输入传感器ISP可以包括多个桥接图案BRP，桥接图案BRP可以被设置为分别与线交叉区域LCA对应。

图11A至图11D是沿着图10D的线I-I'、线II-II'、线III-III'和线IV-IV'截取的剖视图，以示出输入传感器ISP。

图11A是沿着图10D的线I-I'截取的剖视图，以示出输入传感器ISP。图11A示出了第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1的剖面。

第一网格线ML1的第一部分ML1-1可以包括第一金属层MT1和第二金属层MT2。第一金属层MT1和第二金属层MT2可以在第三方向DR3上顺序堆叠。

第一金属层MT1可以包括与包括在第二金属层MT2中的材料不同的材料。第一金属层MT1可以包括具有耐腐蚀性的金属材料。作为示例，第一金属层MT1可以包括钼、钛及其合金中的至少一种，然而，用于第一金属层MT1的材料不应限于此或由此限制。

第一金属层MT1可以设置在第二金属层MT2与基体层IIL1之间，并且可以保护第二金属层MT2。第一金属层MT1可以直接接触第二金属层MT2。第一金属层MT1可以防止第二金属层MT2由于在工艺期间产生的划痕而被损坏，并且可以防止第二金属层MT2由于湿气渗透而被腐蚀。

第二金属层MT2可以设置在第一金属层MT1上。第二金属层MT2可以包括具有低电阻的金属材料，并且输入传感器ISP的导电性可以通过第二金属层MT2增加。作为示例，第二金属层MT2可以包括金、银、铜、铝、铂及其合金中的至少一种，然而，用于第二金属层MT2的材料不应限于此或由此限制。

第一绝缘层ILF1可以设置在基体层IIL1上。第一网格线ML1的第一部分ML1-1可以通过穿过第一绝缘层ILF1的第一孔HO1暴露。

第二绝缘层ILF2可以设置在第一绝缘层ILF1上。第二绝缘层ILF2可以覆盖通过第一孔HO1暴露的第一部分ML1-1。例如，第二绝缘层ILF2可以直接接触第一孔HO1中的第一部分ML1-1。第二绝缘层ILF2可以在第三方向DR3上设置在桥接图案BRP与第一部分ML1-1之间，并且可以使第一网格线ML1与桥接图案BRP电绝缘。

桥接图案BRP可以设置在第二绝缘层ILF2上。桥接图案BRP可以与第一网格线ML1的第一部分ML1-1叠置。与桥接图案BRP叠置的第一部分ML1-1可以具有两个金属层结构。因此，可以防止桥接图案BRP的与第一网格线ML1叠置的部分断开，并且可以提高输入传感器ISP的可靠性。这将在稍后详细描述。

图11B是沿着图10D的线II-II'截取的剖视图，以示出输入传感器ISP。图11B示出了第二网格线ML2的第二线ML2b的与第三孔HO3和第二接触孔CO2叠置的第五部分ML2b-1的剖面。关于参照图11B描述的第二线ML2b的第五部分ML2b-1的细节可以同样适用于第一线ML2a的第三部分ML2a-1。

第二线ML2b的第五部分ML2b-1可以包括第一金属层MT1和第二金属层MT2。第一线ML2a的第三部分ML2a-1也可以包括顺序堆叠的第一金属层MT1和第二金属层MT2。关于第一金属层MT1和第二金属层MT2的细节与参照图11A描述的细节相同。

第一绝缘层ILF1和第二绝缘层ILF2可以顺序堆叠在基体层IIL1上。第二线ML2b的第五部分ML2b-1可以通过穿过第一绝缘层ILF1形成的第三孔HO3暴露。穿过第二绝缘层ILF2形成的第二接触孔CO2可以与第三孔HO3叠置，并且第五部分ML2b-1可以通过第二接触孔CO2暴露。如图11B中所示，第二接触孔CO2小于第三孔HO3。

桥接图案BRP可以设置在第二绝缘层ILF2上。桥接图案BRP可以与第二线ML2b的第五部分ML2b-1叠置，并且可以电连接到第五部分ML2b-1。连接到第五部分ML2b-1的桥接图案BRP也可以电连接到第一线ML2a的第三部分ML2a-1。因此，桥接图案BRP可以将第一线ML2a电连接到与第一线ML2a间隔开的第二线ML2b。与桥接图案BRP叠置的第五部分ML2b-1可以具有两个金属层结构。因此，可以防止桥接图案BRP的该部分的断开，并且可以提高输入传感器ISP的可靠性。

图11C是沿着图10D的线III-III'截取的剖视图，以示出输入传感器ISP。图11C示出了第一网格线ML1的第一部分ML1-1、第一线ML2a和第二线ML2b的剖面。

参照图11C，第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1可以包括第一金属层MT1和第二金属层MT2。关于第一金属层MT1和第二金属层MT2的细节与参照图11A描述的细节相同。

第一线ML2a的与第二孔HO2和第一接触孔CO1叠置的第三部分ML2a-1可以包括第一金属层MT1和第二金属层MT2。第一线ML2a的不与第二孔HO2和第一接触孔CO1叠置的第四部分ML2a-2可以包括第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3。例如，第三金属层MT3可以堆叠在第二金属层MT2上。因此，第二网格线ML2的以一体形状形成的第一线ML2a可以根据其区域而具有不同的多层结构。例如，第一线ML2a的与第二孔HO2叠置的部分可以具有两个金属层结构，第一线ML2a的不与第二孔HO2叠置的其他部分可以具有三个金属层结构。

第二线ML2b的与第三孔HO3和第二接触孔CO2叠置的第五部分ML2b-1可以包括第一金属层MT1和第二金属层MT2，不与第三孔HO3和第二接触孔CO2叠置的第六部分ML2b-2可以包括第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3。因此，类似于第一线ML2a，第二网格线ML2的以一体形状形成的第二线ML2b可以根据其区域而具有不同的多层结构。

第三金属层MT3可以包括与第一金属层MT1的材料相同的材料。因此，可以简化沉积金属层的工艺。作为示例，第三金属层MT3可以包括钼、钛及其合金中的至少一种，然而，用于第三金属层MT3的材料不应限于此或由此限制。

第三金属层MT3可以设置在第二金属层MT2上，并且可以防止在第二金属层MT2中出现小丘(hillock)。如这里使用的术语“小丘”可以指示其中第二金属层MT2的一部分由于渗入第二金属层MT2的外来物质或者在形成第二金属层MT2的工艺中的压应力而向上突出的现象。第三金属层MT3可以防止在第二金属层MT2中出现小丘，因此，可以提高输入传感器ISP的可靠性。

第三金属层MT3可以具有比第一金属层MT1的厚度和第二金属层MT2的厚度小的厚度。因此，第三金属层MT3可以不显著增大输入传感器ISP的电阻。第三金属层MT3可以定位在第二金属层MT2与第一绝缘层ILF1之间。

第一绝缘层ILF1和第二绝缘层ILF2可以顺序堆叠在基体层IIL1上。穿过第一绝缘层ILF1形成的第一孔HO1、第二孔HO2和第三孔HO3可以暴露第一网格线ML1的第一部分ML1-1的第二金属层MT2和第二网格线ML2的部分(例如，第三部分ML2a-1和第五部分ML2b-1)的第二金属层MT2。第一绝缘层ILF1可以覆盖第三金属层MT3。

第二绝缘层ILF2可以覆盖第一部分ML1-1的第二金属层MT2。穿过第二绝缘层ILF2形成的第一接触孔CO1和第二接触孔CO2可以分别与第二孔HO2和第三孔HO3叠置。因此，可以暴露第三部分ML2a-1和第五部分ML2b-1的第二金属层MT2。

桥接图案BRP可以设置在第二绝缘层ILF2上以与第一线ML2a的第三部分ML2a-1和第二线ML2b的第五部分ML2b-1叠置。换言之，桥接图案BRP可以与第一线ML2a的第三部分ML2a-1和第二线ML2b的第五部分ML2b-1直接接触。桥接图案BRP可以将彼此间隔开且第一网格线ML1置于其间的第二网格线ML2电连接，并且可以通过第二绝缘层ILF2与第一网格线ML1电绝缘。因此，与一个桥接图案BRP叠置的第一网格线ML1和第二网格线ML2可以彼此电绝缘。

图11D是沿着线IV-IV'截取的剖视图，以示出输入传感器ISP。图11D示出了第一网格线ML1的剖面。

参照图11D，第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1可以包括第一金属层MT1和第二金属层MT2。第一网格线ML1的不与第一孔HO1叠置的第二部分ML1-2可以包括第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3。因此，以一体形状形成的第一网格线ML1可以根据其区域而具有不同的多层结构。例如，第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1可以具有两个金属层结构，并且第一网格线ML1的不与第一孔HO1叠置的第二部分ML1-2可以具有三个金属层结构。关于第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3的细节与参照图11A至图11C描述的细节相同。

第一绝缘层ILF1和第二绝缘层ILF2可以顺序堆叠在基体层IIL1上。第一绝缘层ILF1可以覆盖第二部分ML1-2的第三金属层MT3。第一部分ML1-1的第二金属层MT2可以通过穿过第一绝缘层ILF1形成的第一孔HO1暴露。第二绝缘层ILF2可以覆盖第一网格线ML1。例如，第二绝缘层ILF2可以与通过第一孔HO1暴露的第一部分ML1-1的第二金属层MT2直接接触。

桥接图案BRP可以设置在第二绝缘层ILF2上以与第一网格线ML1的具有两个金属层结构的第一部分ML1-1叠置。由于第一网格线ML1的与桥接图案BRP叠置的部分具有双层结构，因此可以防止桥接图案BRP的断开，并且可以提高输入传感器ISP的可靠性。

可以通过顺序沉积第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3并且蚀刻第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3来形成第一网格线ML1和第二网格线ML2。具有彼此不同材料的第二金属层MT2和第三金属层MT3可以在相同的蚀刻条件下具有不同的蚀刻速率。因此，会在第三金属层MT3中形成在水平方向上比第二金属层MT2更向外突出的尖端部分。因此，设置为与第三金属层MT3的尖端部分叠置的桥接图案BRP会被尖端部分断开。

根据本公开的实施例，第一孔HO1可以穿过第一绝缘层ILF1形成，以与其中设置有桥接图案BRP的区域和第一网格线ML1的部分叠置。第一孔HO1可以通过蚀刻第一绝缘层ILF1的工艺形成。在蚀刻第一孔HO1的工艺中，第一网格线ML1的第三金属层MT3的一部分可以与第一绝缘层ILF1一起被蚀刻。因此，可以去除第一网格线ML1的第三金属层MT3的与其中形成有桥接图案BRP的区域叠置的部分，并且可以防止由第三金属层MT3的尖端部分引起的桥接图案BRP的断开。因此，可以提高输入传感器ISP的可靠性。

本公开的实施例提供了一种电子装置ED，该电子装置ED包括显示面板DP以及设置在显示面板DP上的输入传感器ISP，其中，输入传感器ISP被构造为感测外部输入，输入传感器ISP包括：第一感测电极SE1，包括多条第一网格线ML1；以及第二感测电极SE2，包括与第一网格线ML1绝缘的多条第二网格线ML2和与第一网格线ML1叠置的桥接图案BRP，其中，第一网格线ML1包括多个金属层MT1-MT2，第一网格线ML1包括与桥接图案BRP叠置的第一部分ML1-1和不与桥接图案BRP叠置的第二部分ML1-2，其中，第一部分ML1-1包括最外金属层MT2，最外金属层MT2包括与第二部分ML1-2的最外金属层MT3的材料不同的材料，其中，第一部分和第二部分(ML1-1和ML1-2)的最外层(MT2和MT3)与电子装置ED的显示表面IS相邻。

图12A至图12C是对应于一个线交叉区域LCA来示出输入传感器的放大平面图。图13是沿着图12C的线V-V'截取的剖视图，以示出输入传感器ISP。图12A至图12C示出了以各种形状形成在一个线交叉区域LCA中的第一孔HO1、第二孔HO2和第三孔HO3。图12A至图12C中所示的本公开的实施例具有与上述输入传感器ISP的构造基本上相同的构造。在下文中，将集中描述与上述输入传感器ISP的构造不同的构造。

参照图12A，第一孔HO1、第二孔HO2和第三孔HO3可以彼此连接以设置为一个大孔(在下文中，称为第四孔HO4)。第四孔HO4可以与第一网格线ML1的一部分以及第二网格线ML2的第一线ML2a和第二线ML2b中的每个的一部分叠置。

第一网格线ML1的与第四孔HO4叠置的部分可以被称为第一部分ML1-1，第一网格线ML1的不与第四孔HO4叠置的部分可以被称为第二部分ML1-2。第一线ML2a的与第四孔HO4叠置的部分可以被称为第三部分ML2a-1，第一线ML2a的不与第四孔HO4叠置的部分可以被称为第四部分ML2a-2。第二线ML2b的与第四孔HO4叠置的部分可以被称为第五部分ML2b-1，第二线ML2b的不与第四孔HO4叠置的部分可以被称为第六部分ML2b-2。

与第四孔HO4叠置的第一部分ML1-1可以具有两个金属层结构，不与第四孔HO4叠置的第二部分ML1-2可以具有三个金属层结构。第一线ML2a的与第四孔HO4叠置的第三部分ML2a-1和第二线ML2b的与第四孔HO4叠置的第五部分ML2b-1可以具有两个金属层结构，第一线ML2a的不与第四孔HO4叠置的第四部分ML2a-2和第二线ML2b的不与第四孔HO4叠置的第六部分ML2b-2可以具有三个金属层结构。

当在平面中观看时，第四孔HO4的尺寸可以大于桥接图案BRP的尺寸。由于第四孔HO4形成为具有比桥接图案BRP的尺寸大的尺寸，因此可以有效地防止在与第一网格线ML1叠置的区域中发生的桥接图案BRP的断开。

穿过第二绝缘层ILF2形成的第一接触孔CO1和第二接触孔CO2可以具有与图10D中所示的接触孔的形状基本上相同的形状。当在一个线交叉区域LCA的平面中观看时，第一接触孔CO1和第二接触孔CO2中的每个可以设置为多个，并且第一接触孔CO1和第二接触孔CO2可以与一个第四孔HO4叠置。第一接触孔CO1中的每个可以与第一线ML2a的第三部分ML2a-1的一部分叠置，第二接触孔CO2中的每个可以与第二线ML2b的第五部分ML2b-1的一部分叠置，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，第一接触孔CO1和第二接触孔CO2中的每个可以在一个线交叉区域LCA中设置为单个孔，并且一个第一接触孔CO1和一个第二接触孔CO2可以与第四孔HO4叠置。

桥接图案BRP可以连接到通过第四孔HO4、第一接触孔CO1和第二接触孔CO2暴露的第三部分ML2a-1的部分和第五部分ML2b-1的部分中的每个，并且桥接图案BRP可以将第一线ML2a电连接到与第一线ML2a间隔开的第二线ML2b。

参照图12B，第一孔HO1可以具有与图10D中所示的第一孔HO1的形状基本上相同的形状。第二孔HO2可以设置为多个，并且第二孔HO2可以设置为与一个线交叉区域LCA对应。第三孔HO3可以设置为单个孔，并且一个第三孔HO3可以设置为与一个线交叉区域LCA对应。

当在平面中观看时，一个第二孔HO2可以具有比第三孔HO3的尺寸小的尺寸。第二孔HO2的尺寸的总和可以与第三孔HO3的尺寸基本上相同或相似。另外，第二孔HO2的尺寸的总和可以小于第三孔HO3的尺寸。根据本公开的实施例，具有相对小的面积的孔可以设置为比具有相对大的面积的孔更大的数量。然而，图12B的输入传感器仅仅是一个示例，并且不应限于此或由此限制。

第一接触孔CO1可以设置为多个以与第二孔HO2对应，并且第一接触孔CO1可以分别与第二孔HO2叠置。一个第二接触孔CO2可以设置为与一个第三孔HO3对应，并且一个第二接触孔CO2可以与一个第三孔HO3叠置，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，第二接触孔CO2可以设置为多个，并且第二接触孔CO2中的每个可以与一个第三孔HO3叠置。

参照图12C，第一孔HO1可以具有与图10D中所示的第一孔HO1的形状基本上相同的形状。第二孔HO2和第三孔HO3中的每个可以设置为多个以与一个线交叉区域LCA对应。

在第二孔HO2之中，最靠近第一网格线ML1形成的第二孔HO2可以与第一线ML2a的端部E1叠置，并且在第三孔HO3之中，最靠近第一网格线ML1形成的第三孔HO3可以与第二线ML2b的端部E2叠置。换言之，第一线ML2a的端部E1可以通过第一绝缘层ILF1的第二孔HO2暴露，第二线ML2b的端部E2可以通过第三孔HO3暴露。另外，最靠近第一网格线ML1形成的第二孔HO2可以延伸超过第一线ML2a的端部E1，最靠近第一网格线ML1形成的第三孔HO3可以延伸超过第二线ML2b的端部E2。

第二绝缘层ILF2的第一接触孔CO1可以设置为多个，并且第一接触孔CO1可以分别与第二孔HO2对应。在第一接触孔CO1之中，最靠近第一网格线ML1的第一接触孔CO1可以与第二孔HO2叠置以使第一线ML2a的端部E1暴露。类似地，第二绝缘层ILF2的第二接触孔CO2可以设置为多个，并且第二接触孔CO2可以分别与第三孔HO3叠置。在第二接触孔CO2之中，最靠近第一网格线ML1的第二接触孔CO2可以与第三孔HO3叠置以使第二线ML2b的端部E2暴露。在这种情况下，第一接触孔CO1可以延伸超过第一线ML2a的端部E1，第二接触孔CO2可以延伸超过第二线ML2b的端部E2。

参照图13，第一线ML2a的端部E1可以在第二交叉方向EDR2上与第二线ML2b的端部E2间隔开，且第一网格线ML1置于第一线ML2a的端部E1与第二线ML2b的端部E2之间。第一线ML2a的端部E1可以与第一线ML2a的第一金属层MT1和第二金属层MT2的端部对应，并且第二线ML2b的端部E2可以与第二线ML2b的第一金属层MT1和第二金属层MT2的端部对应。

第一线ML2a的通过第二孔HO2和第一接触孔CO1暴露的端部E1可以与桥接图案BRP接触。第二线ML2b的通过第三孔HO3和第二接触孔CO2暴露的端部E2可以与桥接图案BRP接触。第一线ML2a和第二线ML2b可以通过桥接图案BRP彼此电连接，然而，其不应限于此或由此限制。如图11C中所示，第一线ML2a和第二线ML2b的端部可以与第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3的端部对应，并且可以被第一绝缘层ILF1覆盖。

图14是示出根据本公开的实施例的制造包括显示面板和输入传感器的电子装置的方法的流程图。关于上述组件的细节将应用于通过图14的方法制造的电子装置，在下文中，将参照附图描述制造方法的每个工艺。

参照图14，电子装置的制造方法可以包括提供显示面板(S00)、形成第一网格线和第二网格线(S10)、形成第一绝缘层(S20)、去除第三金属层(S30)、形成第二绝缘层(S40)以及形成桥接图案(S50)。

形成第一网格线和第二网格线(S10)可以包括形成第一导电层(S11)和使第一导电层图案化(S12)。第一导电层可以包括多个金属层。作为示例，可以经由溅射方法通过顺序沉积第一金属层至第三金属层来形成第一导电层。

可以在第一导电层上设置掩模，并且可以使第一导电层图案化以形成第一网格线和与第一网格线电绝缘的第二网格线。第一网格线可以形成上述第一感测电极，第二网格线可以形成上述第二感测电极。

形成第一绝缘层(S20)可以包括在第一网格线和第二网格线上形成第一无机层(S21)以及形成第一网格线和第二网格线的部分通过其暴露的孔(S22)。可以通过沉积无机材料以覆盖第一网格线和第二网格线来形成第一无机层。

可以将孔形成为对应于与在后续工艺中形成的桥接图案叠置的区域，并且形成为使第一网格线的部分和第二网格线的部分暴露。可以通过蚀刻第一无机层的一部分以穿透第一无机层来形成孔。穿过其形成孔的第一无机层可以与第一绝缘层对应。孔可以与第一孔至第三孔对应。

去除第三金属层(S30)可以与去除网格线的第三金属层的与第一绝缘层的孔对应的部分的工艺对应。可以与蚀刻第一无机层以形成孔基本上同时执行去除第三金属层(S30)。换言之，在蚀刻第一无机层中，可以将第三金属层与第一无机层一起蚀刻。因此，可以在与穿过第一无机层形成的孔叠置的区域中蚀刻第三金属层，因此，可以暴露设置在第三金属层下面的第二金属层的部分，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，去除第三金属层(S30)可以包括：在蚀刻第一无机层之后，在与第一无机层的蚀刻条件不同的蚀刻条件下蚀刻第三金属层的部分。

可以在其中形成有桥接图案的区域中通过去除第三金属层(S30)来去除第一网格线和第二网格线的第三金属层的部分。在形成网格线的工艺中，会在第三金属层中形成比第二金属层更向外突出的尖端部分。然而，可以在其中形成有桥接图案的区域中通过去除第三金属层(S30)来去除第三金属层的尖端结构，并且可以防止桥接图案的断开。

形成第二绝缘层(S40)可以包括在第一绝缘层上形成第二无机层(S41)以及形成接触孔(S42)。可以通过在穿过其形成孔的第一绝缘层上沉积无机材料来形成第二无机层。第二无机层可以与通过孔暴露的第一网格线和第二网格线接触。

可以将接触孔形成为使网格线的通过在后续工艺中形成的桥接图案彼此电连接的部分暴露。作为示例，桥接图案可以用于将彼此电绝缘的第二网格线连接，并且可以将接触孔形成为对应于第一绝缘层的孔之中的与第二网格线叠置形成的孔。穿过其形成接触孔的第二无机层可以与第二绝缘层对应。接触孔可以与第一接触孔和第二接触孔对应。

形成桥接图案(S50)可以包括在第二绝缘层上沉积导电材料以形成桥接图案。可以通过在其中形成有桥接图案的区域中选择性地沉积导电材料来形成桥接图案，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，可以通过在第二绝缘层上完全沉积第二导电层并且使第二导电层图案化来形成桥接图案。

图15A至图18是示出电子装置的制造方法的工艺的剖视图。图15A至图18中所示的剖视图示出了与图11C中所示的剖面对应的制造方法的工艺。

图15A至图18仅示意性地示出了在每个制造工艺中形成在显示模块DM(参照图6)的显示面板DP(参照图6)上的输入传感器ISP的剖面。图15A至图18中所示的基体层IIL1可以是直接设置在显示面板DP(参照图6)的上表面上的层，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，输入传感器ISP可以在通过图15A至图18中所示的工艺单独制造之后通过粘合构件附着到显示面板DP的上表面。

图15A至图15C示出了示出形成第一网格线ML1和第二网格线ML2(S10)的剖视图。图15A中所示的工艺可以与形成第一导电层COL(S11)对应。

参照图15A，可以通过在基体层IIL1的前表面上顺序沉积第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3来形成第一导电层COL。换言之，第一导电层COL可以包括第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3。可以通过诸如溅射工艺的工艺来沉积第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3中的每个。

第一金属层MT1和第三金属层MT3可以包括彼此相同的金属材料。作为示例，第一金属层MT1和第三金属层MT3可以包括具有耐腐蚀性的金属材料。第二金属层MT2可以包括与包括在第一金属层MT1中的金属材料不同的金属材料。作为示例，第二金属层MT2可以包括具有低电阻的金属材料。

第二金属层MT2可以增加输入传感器ISP的导电性。第一金属层MT1可以防止第二金属层MT2被腐蚀和/或损坏。第三金属层MT3可以防止在第二金属层MT2中出现小丘。关于第一金属层MT1、第二金属层MT2和第三金属层MT3的描述与上述的描述相同。

图15B中所示的工艺可以与使第一导电层COL图案化(S12)对应。参照图15B，可以在第一导电层COL上设置第一掩模PM1以蚀刻第一导电层COL。可以在第一掩模PM1中形成蚀刻第一导电层COL的蚀刻区域PMO-1。第一掩模PM1可以设置有穿过其的开口，以与蚀刻区域PMO-1对应。可以通过光刻工艺、湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺来蚀刻第一导电层COL。

图15C示出了通过形成第一网格线ML1和第二网格线ML2(S10)而形成的第一网格线ML1和第二网格线ML2的剖面。参照图15C，可以在与图15B中所示的第一掩模PM1的蚀刻区域PMO-1对应的区域中蚀刻第一导电层COL，并且可以在与其中蚀刻第一导电层COL的区域叠置的区域中使基体层IIL1的上表面暴露。因此，可以形成设置在同一层并且彼此电绝缘的第一网格线ML1和第二网格线ML2。第一网格线ML1和第二网格线ML2可以分别与形成图9B的第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的网格线对应。

图16A至图16C是示出形成第一绝缘层ILF1(S20)的剖视图。图16A中所示的工艺可以与形成第一无机层P-ILF1(S21)对应。图16B中所示的工艺可以与蚀刻第一无机层P-ILF1(S22)对应。图16C可以与在形成孔HO1、HO2和HO3之后的第一绝缘层ILF1的剖面对应。

参照图16A，可以通过沉积工艺在第一网格线ML1和第二网格线ML2上形成第一无机层P-ILF1。可以将第一无机层P-ILF1形成为覆盖第一网格线ML1和第二网格线ML2的整个区域。第一无机层P-ILF1可以与第一网格线ML1和第二网格线ML2的第三金属层MT3接触。第一无机层P-ILF1也可以与第一网格线ML1和第二网格线ML2之间的基体层IIL1接触。

第一无机层P-ILF1可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种，然而，用于第一无机层P-ILF1的材料不应限于此或由此限制。

参照图16B，可以在第一无机层P-ILF1上设置第二掩模PM2以蚀刻第一无机层P-ILF1。可以在第二掩模PM2中设置蚀刻区域PMO-2a、PMO-2b和PMO-2c，以与蚀刻第一无机层P-ILF1的区域对应。第二掩模PM2可以设置有穿过其的开口，以与蚀刻区域PMO-2a、PMO-2b和PMO-2c对应。可以通过光刻工艺或干蚀刻工艺蚀刻第一无机层P-ILF1。

设置在第二掩模PM2中的蚀刻区域PMO-2a、PMO-2b和PMO-2c可以包括第一蚀刻区域PMO-2a、第二蚀刻区域PMO-2b和第三蚀刻区域PMO-2c。第一蚀刻区域PMO-2a可以与第一网格线ML1叠置，并且可以与第一网格线ML1的同稍后形成的桥接图案BRP叠置的部分叠置。第二蚀刻区域PMO-2b和第三蚀刻区域PMO-2c可以与第二网格线ML2叠置。第二蚀刻区域PMO-2b和第三蚀刻区域PMO-2c可以分别与第二网格线ML2之中的彼此间隔开并且彼此电绝缘的线叠置。被第二蚀刻区域PMO-2b和第三蚀刻区域PMO-2c叠置的线可以与第一线ML2a和第二线ML2b对应。

参照图16C，可以在第二掩模PM2的第一蚀刻区域至第三蚀刻区域PMO-2a、PMO-2b和PMO-2c中蚀刻第一无机层P-ILF1。经蚀刻的第一无机层P-ILF1可以与第一绝缘层ILF1对应。当对应于第二掩模PM2的第一蚀刻区域PMO-2a而去除第一无机层P-ILF1的部分时，可以形成第一孔HO1。第一孔HO1可以使第一网格线ML1的一部分(在下文中，称为第一部分ML1-1)暴露。

可以在蚀刻第一无机层P-ILF1时蚀刻第三金属层MT3。换言之，当形成第一孔HO1时，可以蚀刻第一部分ML1-1的与第一孔HO1叠置的第三金属层MT3。因此，第一网格线ML1的与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1可以具有两个金属层结构。不与第一孔HO1叠置的第三金属层MT3的部分(例如，图11D的第二部分ML1-2)可以被第一绝缘层ILF1覆盖而不被蚀刻，并因此可以具有三个金属层结构。

当蚀刻第一无机层P-ILF1的部分以与第二掩模PM2的第二蚀刻区域PMO-2b对应时，可以形成第二孔HO2。第二网格线ML2的部分(在下文中，称为第一线ML2a的第三部分ML2a-1)可以通过第二孔HO2暴露。

在形成第二孔HO2的情况下，可以蚀刻与第二孔HO2叠置的第三部分ML2a-1的第三金属层MT3。因此，第一线ML2a的与第二孔HO2叠置的第三部分ML2a-1可以具有两个金属层结构，第一线ML2a的不与第二孔HO2叠置的第四部分ML2a-2可以具有三个金属层结构。换言之，第四部分ML2a-2的第三金属层MT3可以被第一绝缘层ILF1覆盖。

当蚀刻第一无机层P-ILF1的部分以与第二掩模PM2的第三蚀刻区域PMO-2c对应时，可以形成第三孔HO3。第二网格线ML2的部分(在下文中，称为第二线ML2b的第五部分ML2b-1)可以通过第三孔HO3暴露。

类似于形成第二孔HO2，可以在形成第三孔HO3中蚀刻与第三孔HO3叠置的第五部分ML2b-1的第三金属层MT3。因此，第二线ML2b的与第三孔HO3叠置的第五部分ML2b-1可以具有两个金属层结构，第二线ML2b的不与第三孔HO3叠置的第六部分ML2b-2可以具有三个金属层结构。

第一绝缘层ILF1可以与穿过其形成第一孔HO1、第二孔HO2和第三孔HO3的第一无机层P-ILF1对应。第一网格线ML1和第二网格线ML2的部分可以通过第一绝缘层ILF1暴露。在形成第一绝缘层ILF1的工艺中，可以在与桥接图案BRP叠置的区域中蚀刻第一网格线ML1和第二网格线ML2的第三金属层MT3的部分，并且可以防止桥接图案BRP的断开。

图17A至图17C是示出形成第二绝缘层ILF2(S40)的剖视图。图17A中所示的工艺可以与形成第二无机层P-ILF2(S41)对应。图17B中所示的工艺可以与蚀刻第二无机层P-ILF2(S42)对应。图17C示出了网格线ML1和ML2的其中第一接触孔CO1和第二接触孔CO2穿过第二绝缘层ILF2而设置并且第三金属层MT3的部分被去除的剖面。

参照图17A，可以通过沉积工艺在第一绝缘层ILF1上形成第二无机层P-ILF2。可以将第二无机层P-ILF2形成为完全覆盖第一绝缘层ILF1。第二无机层P-ILF2可以与第一网格线ML1和第二网格线ML2的通过第一绝缘层ILF1的第一孔HO1、第二孔HO2和第三孔HO3暴露的部分接触。

第二无机层P-ILF2可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。第二无机层P-ILF2可以包括与第一绝缘层ILF1的材料相同的材料，然而，用于第二无机层P-ILF2的材料不应限于此或由此限制。可以在与第一无机层P-ILF1的条件相同的条件下沉积第二无机层P-ILF2，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，第二无机层P-ILF2可以包括与第一无机层P-ILF1的材料相同的材料，但是可以在不同的沉积条件下沉积。

参照图17B，可以将第三掩模PM3设置在第二无机层P-ILF2上以蚀刻第二无机层P-ILF2。第三掩模PM3可以设置有蚀刻区域PMO-3a和PMO-3b。可以在与蚀刻区域PMO-3a和PMO-3b对应的区域中蚀刻第二无机层P-ILF2。第三掩模PM3可以设置有穿过其的开口，以与蚀刻区域PMO-3a和PMO-3b对应。可以通过光刻工艺或干蚀刻工艺蚀刻第二无机层P-ILF2。

第三掩模PM3中的蚀刻区域PMO-3a和PMO-3b可以包括第四蚀刻区域PMO-3a和第五蚀刻区域PMO-3b。第四蚀刻区域PMO-3a可以与第二孔HO2对应，第五蚀刻区域PMO-3b可以与第三孔HO3对应。换言之，第四蚀刻区域PMO-3a可以与第二孔HO2叠置，第五蚀刻区域PMO-3b可以与第三孔HO3叠置。

第一网格线ML1可以不与第三掩模PM3的第四蚀刻区域PMO-3a和第五蚀刻区域PMO-3b叠置。换言之，设置在第一网格线ML1上的第二无机层P-ILF2可以不被蚀刻并且可以覆盖第一网格线ML1，因此，第一网格线ML1可以与稍后形成的桥接图案BRP绝缘。

参照图17C，可以蚀刻第二无机层P-ILF2以与第三掩模PM3的第四蚀刻区域PMO-3a和第五蚀刻区域PMO-3b对应。当蚀刻第二无机层P-ILF2的部分以与第三掩模PM3的第四蚀刻区域PMO-3a对应时，可以形成第一接触孔CO1。第一接触孔CO1可以与第二孔HO2叠置，并且第一线ML2a的第三部分ML2a-1可以通过第一接触孔CO1暴露。

当蚀刻第二无机层P-ILF2的部分以与第三掩模PM3的第五蚀刻区域PMO-3b对应时，可以形成第二接触孔CO2。第二接触孔CO2可以与第三孔HO3叠置，并且第二线ML2b的第五部分ML2b-1可以通过第二接触孔CO2暴露。

第二绝缘层ILF2可以与穿过其形成第一接触孔CO1和第二接触孔CO2的第二无机层P-ILF2对应。第二绝缘层ILF2可以覆盖第一网格线ML1的通过第一孔HO1暴露的第一部分ML1-1。第一部分ML1-1的第二金属层MT2可以与第二绝缘层ILF2接触。

图18是示出形成桥接图案BRP(S50)的剖视图。可以在第二绝缘层ILF2上形成桥接图案BRP。桥接图案BRP可以包括导电材料。作为示例，桥接图案BRP可以包括透明导电材料。关于桥接图案BRP的描述与上述的描述相同。

桥接图案BRP可以覆盖第二绝缘层ILF2的第一接触孔CO1和第二接触孔CO2。可以通过在第二绝缘层ILF2上选择性地沉积导电材料以覆盖第一接触孔CO1和第二接触孔CO2来形成桥接图案BRP，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，可以通过在第二绝缘层ILF2之上沉积用于桥接图案BRP的第二导电层并且使用诸如光刻工艺的蚀刻工艺使第二导电层图案化来形成桥接图案BRP。

桥接图案BRP可以经由第一接触孔CO1连接到第一线ML2a，可以经由第二接触孔CO2连接到第二线ML2b，并且可以将第一线ML2a电连接到与第一线ML2a物理间隔开的第二线ML2b。将第二网格线ML2的绝缘部分电连接的桥接图案BRP可以形成第二感测电极SE2。

桥接图案BRP可以与第一网格线ML1电绝缘。桥接图案BRP可以在厚度方向上与第一网格线ML1间隔开，且第二绝缘层ILF2置于桥接图案BRP与第一网格线ML1之间，并且第一网格线ML1可以因第二绝缘层ILF2而不经由桥接图案BRP电连接到第二网格线ML2。例如，第一网格线ML1的在厚度方向上与第一孔HO1叠置的第一部分ML1-1可以与桥接图案BRP间隔开，且第二绝缘层ILF2置于第一部分ML1-1与桥接图案BRP之间，并且第一网格线ML1的不与第一孔HO1叠置的第二部分ML1-2(参照图11D)可以与桥接图案BRP间隔开，且第一绝缘层ILF1和第二绝缘层ILF2置于第二部分ML1-2与桥接图案BRP之间。

在本实施例中，桥接图案BRP被示出为将第二网格线ML2电连接，然而，其不应限于此或由此限制。根据本公开的实施例，桥接图案BRP可以将第一网格线ML1的绝缘部分彼此电连接。根据本公开的实施例，电子装置ED可以包括多个桥接图案BRP，桥接图案BRP中的一些桥接图案可以将第一网格线ML1的绝缘部分彼此电连接，并且其他桥接图案可以将第二网格线ML2的绝缘部分彼此电连接。

根据本公开的实施例，输入传感器的网格线可以在与桥接图案叠置的区域中具有两个金属层结构，并且可以在不与桥接图案叠置的区域中具有三个金属层结构。因此，可以防止桥接图案的断开，并且可以提高输入传感器的可靠性。

根据本公开的实施例，电子装置的制造方法可以在穿过设置在网格线上的无机层形成孔的工艺中蚀刻网格线的最外金属层的部分。换言之，可以蚀刻形成有桥接图案的区域中的网格线的最外金属层的部分，因此，可以防止桥接图案的断开。因此，可以通过电子装置的制造方法来制造包括具有提高的可靠性的输入传感器的电子装置。

尽管已经描述了本公开的实施例，但是本领域普通技术人员理解的是，可以在如要求保护的本公开的精神和范围内对其进行各种改变和修改。

因此，公开的主题不应限于这里描述的任何单个实施例。

Claims (17)

1.一种电子装置，所述电子装置包括：

显示面板；以及

输入传感器，设置在所述显示面板上，其中，所述输入传感器被构造为感测外部输入，所述输入传感器包括：第一感测电极，包括第一网格线；以及第二感测电极，包括与所述第一网格线绝缘的第二网格线和与所述第一网格线叠置的桥接图案，其中，所述第一网格线包括多个金属层，所述第一网格线包括与所述桥接图案叠置的第一部分和不与所述桥接图案叠置的第二部分，其中，所述第一部分包括最外金属层，所述最外金属层包括与所述第二部分的最外金属层的材料不同的材料，并且其中，所述第一部分的所述最外金属层和所述第二部分的所述最外金属层与所述电子装置的显示表面相邻。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一网格线包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一部分的所述最外金属层与所述第二金属层对应，并且所述第二部分的所述最外金属层与所述第三金属层对应。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一金属层包括与所述第三金属层的材料相同的材料。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第二金属层包括与所述第一金属层和所述第三金属层的材料不同的材料。

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第二金属层包括金、银、铜、铂、铝或它们的合金。

6.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第三金属层比所述第一金属层和所述第二金属层薄。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一网格线与所述第二网格线设置在同一层。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述输入传感器还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置在所述第一网格线与所述桥接图案之间，所述第一绝缘层包括与所述第一部分叠置的第一孔，并且所述第二绝缘层覆盖所述第一孔。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述第二网格线包括与所述桥接图案叠置的第一线和第二线，并且所述第一线和所述第二线彼此间隔开且所述第一部分置于所述第一线与所述第二线之间。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第一绝缘层还包括与所述第一线叠置的第二孔和与所述第二线叠置的第三孔，并且所述第二绝缘层还包括与所述第二孔叠置的第一接触孔和与所述第三孔叠置的第二接触孔。

11.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第二绝缘层还包括第一接触孔和第二接触孔，并且

其中，所述第一孔与所述第一线和所述第二线中的每条叠置，并且所述第一接触孔与所述第一孔和所述第一线中的每者叠置，并且所述第二接触孔与所述第一孔和所述第二线中的每者叠置。

12.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述第二孔具有等于所述第三孔的尺寸的尺寸。

13.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述第二孔具有与所述第三孔的尺寸不同的尺寸。

14.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述第一接触孔设置为多个，并且所述多个第一接触孔与所述第二孔叠置。

15.根据权利要求10所述的电子装置，其中，所述第一接触孔和所述第二孔中的每个设置为多个，并且所述多个第一接触孔分别与所述多个第二孔对应。

16.一种制造电子装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在显示面板上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一导电层；

使所述第一导电层图案化以形成第一网格线和第二网格线；

在所述第一网格线和所述第二网格线上形成第一无机层；

穿过所述第一无机层形成第一孔以使所述第一网格线的第一部分暴露，并且穿过所述第一无机层形成第二孔以使所述第二网格线的第二部分暴露；

去除所述第一部分的所述第三金属层和所述第二部分的所述第三金属层；

在所述第一无机层上形成第二无机层；

穿过所述第二无机层形成第一接触孔以使所述第二部分暴露；以及

在所述第二无机层上形成桥接图案以覆盖所述第一接触孔。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述第一孔和所述第二孔的步骤中同时去除所述第一部分的所述第三金属层和所述第二部分的所述第三金属层。

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