CN115497992A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN115497992A CN202210990429.4A CN202210990429A CN115497992A CN 115497992 A CN115497992 A CN 115497992A CN 202210990429 A CN202210990429 A CN 202210990429A CN 115497992 A CN115497992 A CN 115497992A
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胡靖源
张晓星
武凡靖
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制作方法，显示面板包括阳极层、牺牲层、像素定义层和发光功能层。所述牺牲层位于阳极层上，像素定义层覆盖所述牺牲层和所述阳极层，牺牲层在对应所述发光区开口的位置形成有凹槽，发光功能层位于所述凹槽和所述发光区开口中。这样在进行曝光显影形成发光区开口后可以去除发光区开口处的牺牲层形成凹槽，因此可以保证发光区开口处的阳极层上无像素定义层残留，解决发光功能层无法铺展的问题。

Description

一种显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
目前量产的喷墨打印产品均采用有机光阻作为像素定义层，常用的有机光阻为负性光阻。通过曝光显影定义出像素定义层中的发光区开口后，在发光区开口中容易产生微小的像素定义层残留。
由于像素定义层材料的疏水特性，后续通过发光区开口在阳极层打印发光功能层时，残留在阳极层上的像素定义层会导致打印材料无法铺展，进而造成各种缺陷和影响产品良率。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，旨在保证发光区开口处的阳极层上无像素定义层残留，解决发光功能层无法铺展的问题。
一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板至少包括：
基板；
阳极层，位于所述基板上；
像素定义层，覆盖所述牺牲层和所述阳极层，所述像素定义层定义出发光区开口，所述牺牲层在对应所述发光区开口的位置形成有凹槽；
发光功能层，位于所述凹槽和所述发光区开口中。
在一些实施例中，所述牺牲层包括两性金属、两性氧化物或两性金属的合金其中至少之一。
在一些实施例中，所述牺牲层为铝、锌、氧化铝、氧化锌或铝锌合金。
在一些实施例中，所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层与所述发光区开口对应，所述第二牺牲层位于所述像素定义层和所述阳极层之间，且所述第一牺牲层的厚度小于所述第二牺牲层的厚度。
在一些实施例中，所述凹槽的深度等于所述牺牲层的厚度，所述发光功能层与所述阳极层连接。
在一些实施例中，所述阳极层还包括：
第一透明电极；
反射层，位于所述第一透明电极上；
第二透明电极，位于所述反射层上。
在一些实施例中，所述显示面板包括薄膜晶体管区和电容区，所述显示面板还包括：
第一金属层，位于所述基板上，所述第一金属层包括位于所述电容区的第一电极；
半导体层，位于所述第一金属层上，所述半导体层包括位于所述电容区的第二电极；
第二金属层，位于所述半导体层上，所述第二金属层包括位于所述电容区的第三电极；
其中，所述第二电极设置在所述第一电极的上方，所述第三电极设置在所述第二电极的上方。
另一方面，本申请提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法至少包括：
提供基板；
在所述基板上形成阳极层；
在所述阳极层上形成牺牲层；
形成覆盖所述牺牲层和所述阳极层的初始像素定义层；
对所述初始像素定义层进行曝光和显影，以定义出所述发光区开口形成像素定义层，并对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行刻蚀形成凹槽；
在所述凹槽和所述发光区开口中形成发光功能层。
在一些实施例中，所述对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行刻蚀形成凹槽的步骤，包括：
对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行部分刻蚀，使得所述凹槽的深度小于所述牺牲层的厚度；
其中，所述发光功能层与所述阳极层之间具有部分所述牺牲层。
在一些实施例中，所述对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行刻蚀形成凹槽的步骤，包括：
对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行全部刻蚀，使得所述凹槽的深度等于所述牺牲层的厚度；
其中，所述发光功能层与所述阳极层连接。
本申请的有益效果是：提供一种显示面板及其制作方法，包括阳极层、牺牲层、像素定义层和发光功能层。所述牺牲层位于阳极层上，像素定义层覆盖所述牺牲层和所述阳极层，牺牲层在对应所述发光区开口的位置形成有凹槽，发光功能层位于所述凹槽和所述发光区开口中。这样在进行曝光显影形成发光区开口的工艺中可以同时去除发光区开口处的牺牲层形成凹槽，因此可以保证发光区开口处的阳极层上无像素定义层残留，解决发光功能层无法铺展的问题，还能节省工艺制程成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2是本申请另一实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3是图2中A处的放大结构示意图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图；
图5a-5h是本申请实施例提供的显示面板在制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语″第一″、″第二″仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有″第一″、″第二″的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，″多个″的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之″上″或之″下″可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征″之上″、″上方″和″上面″包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征″之下″、″下方″和″下面″包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。该显示面板100可以应用于有机发光二极管显示装置(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。
该显示面板100至少包括阳极层10、牺牲层11、像素定义层12和发光功能层13。所述牺牲层11位于阳极层10上，所述像素定义层12覆盖所述牺牲层11和所述阳极层10。其中，所述像素定义层12定义出发光区开口121，牺牲层11在对应所述发光区开口121的位置形成有凹槽111，发光功能层13位于所述凹槽111和所述发光区开口121中。
在一些实施例中，阳极层10可以包括第一透明电极101、位于所述第一透明电极101上的反射层102和位于所述反射层102上的第二透明电极103。第一透明电极101和第二透明电极103的材料可以为氧化铟锡(ITO)，也可以为其他透明导电膜，例如氧化铟锌(IZO)。反射层102的材料可以为银、铝或者铝合金。
在一些实施例中，牺牲层11可以包括两性金属(例如铝、锌)、两性氧化物(例如氧化铝、氧化锌)或两性金属的合金(例如铝合金、锌合金)其中至少之一。
在一些实施例中，发光功能层13可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。该显示面板100还可以包括位于发光功能层13和像素定义层12上的阴极层(图中未示出)。
如图1所示，像素定义层12中形成有暴露所述阳极层10的发光区开口121，牺牲层11在对应所述发光区开口121的位置形成有凹槽111。其中凹槽111与发光区开口121连通，且凹槽111的底面积等于发光区开口121的底面积。所述凹槽111在垂直膜层厚度方向的深度等于牺牲层11的厚度，也就是说暴露于发光区开口121的牺牲层11被全部去除，以露出下层的第二透明电极103。
在一些实施例中，该显示面板100还可以包括基板20、第一金属层21、缓冲层22、半导体层23、栅绝缘层24、栅极层25、层间介质层26和第二金属层27。显示面板100可以包括显示区和绑定区C，所述显示区包括薄膜晶体管区A和电容区B，所述电容区B位于所述薄膜晶体管区A和所述绑定区C之间。其中，第一金属层21包括位于所述薄膜晶体管区A的遮光层211和位于所述电容区B的第一电极212。所述半导体层23包括位于所述薄膜晶体管区A的有源层231和位于所述电容区B的第二电极232，所述第二电极232对应设置在第一电极212的上方。所述有源层231可以包括沟道区2311，位于沟道区2311两侧的源极接触区2312、漏极接触区2313，第二电极232可以是导体化的半导体层。所述第二金属层27包括位于所述薄膜晶体管区A的源极271和漏极272，位于所述电容区B的第三电极273，以及位于所述绑定区C的绑定结构274，所述第三电极273对应第二电极232的上方。第一电极212和第三电极273可以串联，使得第一电极212与第二电极232形成一个存储电容，且第三电极273与第二电极232形成一个存储电容，进而第一电极212、第二电极232和第三电极273可以形成双电容以提高存储容量。
其中，所述第一金属层21位于所述基板20上，所述缓冲层22位于所述基板20上且覆盖所述第一金属层21，所述半导体层23位于所述缓冲层22上。所述栅绝缘层24位于半导体层23上，具体位于有源层231上，所述栅极层25位于所述栅绝缘层24上，所述层间介质层26位于所述缓冲层22上且覆盖所述栅极层25、栅绝缘层24和半导体层23。所述第二金属层27位于所述层间介质层26上，其中源极271通过第一过孔与源极接触区2312连接，漏极272通过第二过孔与漏极接触区2313连接，源极271还通过第三过孔与下方的遮光层211连接。
基板20可以包括刚性基板(如玻璃)和柔性基板(如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等)其中之一或其组合。第一金属层21包括但不限于Mo、Ti、Cu、Mn或其合金，钼铝钼的叠层结构(Mo/Al/Mo)，钼钛铜的叠层结构(Mo/Ti/Cu)。缓冲层22可以为由SiOx、SiNx、SiNO中的一种制备而成的单层结构，或者由SiNx/SiOx制备而成的叠层结构。半导体层23可以为金属氧化物半导体层(例如IGZO、IZTO、IGZTO等)或者非晶硅，其中源极接触区2312、漏极接触区2313和第二电极232的材料可以是N型离子掺杂的氧化物半导体层或N型离子掺杂的非晶硅。栅绝缘层24的材料可为SiOx，SiNx，Al2O3/SiNx/SiOx，SiOx/SiNx/SiOx等。栅极层25的材料可以包括Mo、Ti、Cu或Mo/Al或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。层间介质层26可以采用无机材料制备而成，该无机材料为SiOx、SiNx、SiNO中的一种。第二金属层27的材料可以为Mo或Al/Mo或Mo/Al/Mo或Mo/Cu或/MoTi/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。
在一些实施例中，该显示面板100还可以包括钝化层28和位于所述钝化层28上的平坦层29。钝化层28所采用的材料可为SiOx，SiNx，Al2O3/SiNx/SiOx，SiOx/SiNx/SiOx等，平坦层29和像素定义层12的材料都可以为有机材料。其中，所述钝化层28位于所述层间介质层26上，且所述钝化层28形成有暴露所述源极271的第一开口281和暴露所述绑定结构274的第二开口282。所述平坦层29位于薄膜晶体管区A和电容区B，所述像素定义层12位于所述平坦层29上，也位于薄膜晶体管区A和电容区B。
该显示面板100还可以包括位于所述第一开口281中的第一连接层2810和位于所述第二开口282中的第二连接层2820。所述平坦层29中形成有暴露所述第一连接层2810的第三开口291，所述阳极层10形成在所述第三开口291中和平坦层29的表面，进而通过所述第一连接层2810与所述源极271连接。所述第二连接层2820与绑定结构274连接，第二连接层2820可以与膜上芯片(Chip On Film，COF)绑定。
请参阅图2和图3，图2是本申请另一实施例提供的显示面板的结构示意图，图3是图2中A处的放大结构示意图。为了便于理解和简要说明，本实施例与上述实施相同的结构使用相同的标号，且相同的结构不再赘述。
在本实施例中提供的显示面板200中，牺牲层11a中形成的凹槽111a的深度小于牺牲层11a的厚度，也就是说暴露于发光区开口121的牺牲层11a只去除了表面的一部分，因此发光功能层13a与阳极层10(或第二透明电极103)之间还具有部分牺牲层11a。为了使后续发光功能层13a能更好地进行喷墨打印，对剩余部分牺牲层11a的表面的平坦度要求较高。为了避免牺牲层11a对透光率的影响，牺牲层11a的材料优选为透明的。
由于牺牲层11a中形成有凹槽111a，且牺牲层11a中形成的凹槽111a的深度小于牺牲层11a的厚度，因此所述牺牲层11a可以包括第一牺牲层11aa和第二牺牲层11ab，所述第一牺牲层11aa与所述发光区开口121对应(或位于发光功能层13与阳极层10之间)，所述第二牺牲层11ab位于所述像素定义层12和所述阳极层10之间，且所述第一牺牲层11aa的厚度小于所述第二牺牲层11ab的厚度。
本申请实施例提供的显示面板，包括阳极层10、牺牲层、像素定义层12和发光功能层。所述牺牲层位于阳极层10上，像素定义层12覆盖所述牺牲层和所述阳极层10。这样在进行曝光显影形成发光区开口121的工艺中可以同时去除发光区开口121处的牺牲层形成凹槽，而且凹槽的深度可以小于或等于牺牲层的厚度，即暴露于发光区开口121的牺牲层可以在完全去除或只去除表面一部分。因此可以保证发光区开口121处的阳极层10上无像素定义层12残留，解决位于凹槽和发光区开口121中的发光功能层无法铺展的问题，提升产品良率，还能节省工艺制程成本。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。请同时参阅图5a-5h，图5a-5h是本申请实施例提供的显示面板在制作过程中的结构示意图。本实施例以制作上述显示面板100和200为例，对该显示面板的制作方法进行说明，该制作方法包括以下步骤S1-S5。
请参见图4中的步骤S1和图5a-5e。
步骤S1：形成阳极层10。
如图5a所示，1)先在基板20上沉积第一金属层21，再在第一金属层21上沉积缓冲层22。接着在缓冲层22上沉积初始半导体层，对所述初始半导体层进行图案化形成位于薄膜晶体管区A的第一初始半导体层和位于电容区B的第二初始半导体层。
2)在第一初始半导体层、第二初始半导体层和缓冲层22上依次沉积初始栅绝缘层和初始栅极层。利用一道光罩，先刻蚀形成位于第一初始半导体层上的栅极层25，再利用栅极层25为自对准，蚀刻初始栅绝缘层。因此只有栅极层25下方才有初始栅绝缘层存在而形成栅绝缘层24，其他地方的初始栅绝缘层均被刻蚀掉。
3)对第一初始半导体层和第二初始半导体层进行整面的N型离子注入，对于上方没有栅绝缘层24保护的第一初始半导体层，处理后电阻明显降低形成源极接触区2312和漏极接触区2313。栅绝缘层24下方的第一初始半导体层没有被处理到，保持半导体特性而形成沟道区2311，源极接触区2312、漏极接触区2313和沟道区2311形成有源层231。第二初始半导体层经过处理形成第二电极232，有源层231和第二电极232形成半导体层23。
4)采用沉积工艺形成覆盖栅极层25、栅绝缘层24和半导体层23的层间介质层26，利用一道光罩在缓冲层22中刻蚀出接触孔，再利用一道光罩在层间介质层26中刻蚀出接触孔，从而在层间介质层26中形成有分别暴露所述源极接触区2312和漏极接触区2313的第一过孔和第二过孔，所述层间介质层26和缓冲层22中形成有暴露遮光层211的第三过孔。
5)最后在层间介质层26上沉积一层金属，然后进行图案化形成第二金属层27，其中源极271通过所述第一过孔与源极接触区2312连接，漏极272通过第二过孔与漏极接触区2313连接，源极271还通过第三过孔与遮光层211连接。
如图5b所示，先在层间介质层26和第二金属层27上沉积钝化层28，再进行图案化形成暴露所述源极271的第一开口281和暴露所述绑定结构274的第二开口282。
如图5c所示，在第一开口281、第二开口282和钝化层28上沉积连接层，然后进行图案化刻蚀形成位于所述第一开口281中的第一连接层2810和位于所述第二开口282中的第二连接层2820。
如图5d所示，采用沉积工艺和图案化刻蚀工艺形成平坦层29，所述平坦层29位于薄膜晶体管区A和电容区B，且所述平坦层29中形成有暴露所述第一连接层2810的第三开口291。其中，平坦层29可以采用一层或两层膜层。
如图5e所示，在第三开口291和平坦层29上沉积阳极层10，之后进行图案化刻蚀工艺，阳极层10可以包括依次沉积的第一透明电极101、反射层102和第二透明电极103。
请参见图4中的步骤S2和图5e。
步骤S2：在所述阳极层10上形成牺牲层11。
在沉积阳极层10的步骤之后，在阳极层10上沉积牺牲层11，然后与阳极层10一起进行图案化刻蚀工艺。其中牺牲层11可以包括两性金属(例如铝、锌)、两性氧化物(例如氧化铝、氧化锌)或两性金属的合金(例如铝合金、锌合金)其中至少之一。可以采用一些无机酸，使所述图案化刻蚀工艺能够对阳极层10和牺牲层11都进行刻蚀。
请参见图4中的步骤S3和图5f。
步骤S3：形成覆盖所述牺牲层11和所述阳极层10的初始像素定义层120。
具体的，采用沉积工艺在钝化层28、平坦层29、和牺牲层11上沉积初始像素定义层120。
请参见图4中的步骤S4和图5g-5h。
步骤S4：对所述初始像素定义层120进行曝光和显影，以定义出所述发光区开口121形成像素定义层12，并对暴露于所述发光区开口121的牺牲层11进行刻蚀形成凹槽111。
初始像素定义层120可以采用有机光阻材料，因此可以对初始像素定义层120采用光刻工艺进行图案化。具体的，利用一道光罩，对初始像素定义层120进行曝光和显影，采用的显影液可以为强碱性的2.38％四甲基氢氧化铵(TMAH)。显影液可以同时与初始像素定义层120和牺牲层11反应，因此形成发光区开口121后会去除一部分或者所有的牺牲层11形成凹槽111。牺牲层11被完全去除的结构如图5g所示，其中凹槽111的深度等于牺牲层11的厚度，则后续形成的发光功能层13与阳极层10直接连接(参见图1)。去除表面一部分牺牲层11a后的结构如图5h所示，其中凹槽111a的深度小于牺牲层11a的厚度，则后续形成的发光功能层13a与阳极层10之间具有部分牺牲层11a(参见图2)。
请参见图4中的步骤S5和图1-2。
步骤S5：在所述凹槽111/111a和所述发光区开口121中形成发光功能层13/13a。
发光功能层13/13a可以包括从下至上依次形成的空穴注入层，空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。其中空穴注入层，空穴传输层、发光层可以采用喷墨打印制程。电子传输层和电子注入层可以采用蒸镀制程或溅射制程。形成发光功能层13/13a后的结构如图1和图2所示，图1中发光功能层13与阳极层10中的第二透明电极103连接，图2中的发光功能层13a与第二透明电极103之间具有部分牺牲层11a。
由于对初始像素定义层120进行曝光显影后容易产生微小的残留，且初始像素定义层120具有疏水特性，后续在打印发光功能层(例如空穴注入层，空穴传输层、发光层)时会导致打印材料无法铺展，进而会造成暗点或发光不均等缺陷，影响产品良率。本申请实施例在阳极层10上增设牺牲层11/11a，初始像素定义层120即使发生残留也是位于牺牲层11/11a上，所述牺牲层11/11a在初始像素定义层120的显影过程中可以被去除。不论是暴露于发光区开口121的所有牺牲层11被去除，还是暴露于发光区开口121的部分牺牲层11a被去除，都可以将残留在牺牲层11/11a上的初始像素定义层120完全去除，后续打印发光功能层13/13a时就不会受到残留物的影响，因此可以避免打印材料无法铺展的问题，提高产品良率，还能节省工艺制程成本。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板至少包括：
基板；
阳极层，位于所述基板上；
牺牲层，位于所述阳极层上；
像素定义层，覆盖所述牺牲层和所述阳极层，所述像素定义层定义出发光区开口，所述牺牲层在对应所述发光区开口的位置形成有凹槽；
发光功能层，位于所述凹槽和所述发光区开口中。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述牺牲层包括两性金属、两性氧化物或两性金属的合金其中至少之一。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述牺牲层为铝、锌、氧化铝、氧化锌或铝锌合金。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层与所述发光区开口对应，所述第二牺牲层位于所述像素定义层和所述阳极层之间，且所述第一牺牲层的厚度小于所述第二牺牲层的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述牺牲层的厚度，所述发光功能层与所述阳极层连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层包括：
第一透明电极；
反射层，位于所述第一透明电极上；
第二透明电极，位于所述反射层上。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管区和电容区，所述显示面板还包括：
第一金属层，位于所述基板上，所述第一金属层包括位于所述电容区的第一电极；
半导体层，位于所述第一金属层上，所述半导体层包括位于所述电容区的第二电极；
第二金属层，位于所述半导体层上，所述第二金属层包括位于所述电容区的第三电极；
其中，所述第二电极设置在所述第一电极的上方，所述第三电极设置在所述第二电极的上方。
8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：
提供基板；
在所述基板上形成阳极层；
在所述阳极层上形成牺牲层；
形成覆盖所述牺牲层和所述阳极层的初始像素定义层；
对所述初始像素定义层进行曝光和显影，以定义出所述发光区开口形成像素定义层，并对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行刻蚀形成凹槽；
在所述凹槽和所述发光区开口中形成发光功能层。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行刻蚀形成凹槽的步骤，包括：
对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行部分刻蚀，使得所述凹槽的深度小于所述牺牲层的厚度；
其中，所述发光功能层与所述阳极层之间具有部分所述牺牲层。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行刻蚀形成凹槽的步骤，包括：
对暴露于所述发光区开口的牺牲层进行全部刻蚀，使得所述凹槽的深度等于所述牺牲层的厚度；
其中，所述发光功能层与所述阳极层连接。
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