CN115440773A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115440773A CN115440773A CN202210624933.2A CN202210624933A CN115440773A CN 115440773 A CN115440773 A CN 115440773A CN 202210624933 A CN202210624933 A CN 202210624933A CN 115440773 A CN115440773 A CN 115440773A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- region
- display device
- insulating base
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 517
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 94
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 83
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 241000592718 Ibla Species 0.000 description 14
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 102100035647 BRISC and BRCA1-A complex member 1 Human genes 0.000 description 13
- 101000874547 Homo sapiens BRISC and BRCA1-A complex member 1 Proteins 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 101100278884 Arabidopsis thaliana E2FD gene Proteins 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 8
- 102100032449 EGF-like repeat and discoidin I-like domain-containing protein 3 Human genes 0.000 description 7
- 101001016381 Homo sapiens EGF-like repeat and discoidin I-like domain-containing protein 3 Proteins 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- 101100278886 Arabidopsis thaliana E2FF gene Proteins 0.000 description 4
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000008001 rakum palm Nutrition 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100170173 Caenorhabditis elegans del-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 1
- 101710123669 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710186856 Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及显示装置。该显示装置包括:窗口;显示模块,布置在窗口之下;以及保护带,布置在显示模块的后表面上并且保护显示模块。保护带包括:绝缘基底层,包括第一区域和第二区域;粘合层,布置在绝缘基底层与显示模块的后表面之间、第二区域中;以及台阶层,布置在绝缘基底层上、第一区域中。相对于显示模块的中心区域,保护带的端部比窗口的端部定外在更外侧,并且台阶层和绝缘基底层彼此不一体地形成。
Description
技术领域
本文描述的实施例涉及一种显示装置和一种用于制造使用该显示装置的电子装置的方法,并且更具体地,涉及一种用于减少产品组装工艺中的缺陷的显示装置和一种用于制造使用该显示装置的电子装置的方法。
背景技术
已经开发了诸如智能电话、平板计算机、笔记本计算机和智能电视等的电子装置。电子装置包括用于提供信息的显示装置。除了显示装置之外,电子装置进一步包括各种电子模块。
电子装置通过组装显示装置和电子模块来制造。此时,电子模块使用电子装置的外壳和支架彼此协作定位。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景技术,并且因此,它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据一个或多个发明构思构造的装置能够在电子装置的制造期间保护显示装置。
实施例提供了一种能够在产品组装工艺中保护显示模块的显示装置和一种用于制造使用该显示装置的电子装置的方法。
本发明构思的另外的特征将在以下描述中阐述,并且部分地将从该描述中显而易见,或者可以通过本发明构思的实践来习得。
根据实施例,一种显示装置,包括:窗口;显示模块,布置在窗口之下;以及保护带,布置在显示模块的后表面上并且保护显示模块。
保护带包括:绝缘基底层,包括第一区域和第二区域;粘合层,布置在绝缘基底层与显示模块的后表面之间、第二区域中;以及台阶层,布置在绝缘基底层上、第一区域中。
保护带的端部位于窗口的端部的外侧,并且台阶层和绝缘基底层彼此不一体地形成。
根据实施例,一种显示装置,包括:窗口;显示模块,布置在窗口之下;以及保护带,布置在显示模块的后表面上并且保护显示模块。
保护带包括:绝缘基底层,包括第一区域和第二区域;粘合层,布置在绝缘基底层上、第一区域和第二区域中;覆盖层,布置在粘合层上、第一区域中;台阶层,布置在覆盖层上;以及子粘合层,布置在台阶层与覆盖层之间。
保护带的端部位于窗口的端部的外侧。
根据实施例,一种用于制造电子装置的方法,包括:制备显示装置,显示装置包括窗口、布置在窗口之下的显示模块以及布置在显示模块的后表面上并且保护显示模块的保护带;将保护带从显示装置中去除;以及将显示模块与电子装置的部件结合。
保护带的端部位于窗口的端部的外侧,并且保护带包括:绝缘基底层,包括第一区域和第二区域;粘合层,布置在绝缘基底层与显示模块的后表面之间、第二区域中;台阶层,布置在绝缘基底层上、第一区域中;以及子粘合层,布置在台阶层与绝缘基底层之间。
将理解的是,前面的一般性描述和以下详细描述两者都是说明性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解、并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示本发明的实施例,并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1A是根据本发明的原理构造的、根据实施例的电子装置的透视图。
图1B是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图1C是沿着图1B中的线I-I'截取的截面图。
图2是根据实施例的显示面板的平面图。
图3是根据实施例的输入感测层的平面图。
图4A是根据实施例的显示装置的后视图。
图4B是图4A中所图示的保护带的平面图。
图5是沿着图4A中的线III-III'截取的截面图。
图6是根据实施例的保护带的平面图。
图7是采用图6中所图示的保护带的显示装置的截面图。
图8是根据实施例的保护带的平面图。
图9是采用图8中所图示的保护带的显示装置的截面图。
图10是根据实施例的保护带的平面图。
图11是采用图10中所图示的保护带的显示装置的截面图。
图12A是根据实施例的显示装置的后视图。
图12B是图12A中所图示的保护带的平面图。
图12C是沿着图12A中的线IV-IV'截取的截面图。
图13A是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图13B是图13A中所图示的显示装置的后视图。
图13C是沿着图13B中的线V-V'截取的截面图。
图14A是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图14B是图14A中所图示的显示装置的后视图。
图14C是沿着图14B中的线VI-VI'截取的截面图。
图15A是根据实施例的显示装置的后视图。
图15B是图15A中所图示的保护带的平面图。
图16是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图17是根据实施例的显示装置的后视图。
图18是沿着图17中的线VII-VII'截取的截面图。
图19是根据实施例的显示装置的截面图。
图20是根据实施例的显示面板的平面图。
图21是根据实施例的保护带的平面图。
图22是采用图21中所图示的保护带的显示装置的后视图。
图23是沿着图22中的线VIII-VIII'截取的截面图。
图24是沿着图16中的线II-II'截取的显示面板和输入感测层的截面图。
图25是图示根据实施例的用于制造电子装置的方法的流程图。
具体实施方式
在以下描述中,为了解释的目的,阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施例或实现方式的全面理解。如本文所使用的“实施例”和“实现方式”是可互换的词,其是采用本文所公开的发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例。然而,显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或多个等同设置的情况下来实践各种实施例。在其他实例中,以框图形式示出了众所周知的结构和装置,以便避免不必要地模糊各种实施例。进一步,各种实施例可以是不同的,但不必是排他的。例如,在不脱离本发明构思的情况下,可以在另一实施例中使用或实现实施例的具体形状、配置和特性。
除非另外指定,否则所图示的实施例要理解为提供可以在实践中实现本发明构思的一些方式的变化细节的特征。因此,除非另外指定,否则在不脱离本发明构思的情况下,各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中,被单独称为或被统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新设置。
通常提供附图中对交叉影线和/或阴影的使用以阐明邻近元件之间的边界。因此,除非指定,否则交叉影线或阴影的存在或缺失不传达或指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所图示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步,在附图中,为了清楚和/或描述性的目的,可能夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时,可以不同于所述顺序而执行具体工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外,相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时,它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到另一元件或层,或者可以存在居间的元件或层。然而,当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时,不存在居间的元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或不具有居间的元件的物理的、电的和/或流体的连接。进一步,DR1轴,DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴),并且可以以更宽泛的意义解释。例如,DR1轴,DR2轴和DR3轴可以彼此垂直,或者可以代表彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z,或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如例如,XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的,术语“和/或”包括关联的列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“下方”、“下面”、“之下”、“下部”、“上面”、“上部”、“之上”、“较高的”和“侧面”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性的目的,并且从而用于描述如附图中所图示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外,空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件将随后被定向在其他元件或特征“上面”。因此,说明性术语“下面”可以涵盖上面和下面的定向两者。此外,设备可以另外定向(例如,旋转90度或按照其他定向),并且因此,相应地解释本文所使用的空间相对描述符。
本文所使用的术语用于描述特定实施例的目的,而不旨在限制。如本文所使用的,单数形式“一”、和“该(所述)”旨在也包括复数形式,除非上下文另外明确指示。而且,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在,但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还要注意的是,如本文所使用的,术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语,并且因此,被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的在测量、计算和/或提供的数值中的固有偏差。
本文参考作为理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图和/或分解图示来描述各种实施例。因此,预期了由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此,本文所公开的示例性实施例不必被解释为限于区域的特定图示形状,而是要包括例如由制造导致的形状偏差。这样,附图中所图示的区域可以本质上是示意性的,并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的真实形状,并且因此,不必旨在限制。
除非另外限定,否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中所限定的那些术语应被解释为具有与在相关领域上下文中它们的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于正式的意义解释,除非本文明确地如此限定。
在下文中,将参考附图描述根据实施例的显示面板。
图1A是根据实施例的电子装置的透视图。图1B是根据实施例的显示装置的分解透视图。图1C是沿着图1B中的线I-I'截取的截面图。
参考图1A至图1C,可以取决于电信号来激活电子装置ED。电子装置ED可以包括各种实施例。例如,电子装置ED可以是诸如智能手表、平板计算机、笔记本计算机、计算机或智能电视等的电子装置。
电子装置ED可以在平行于第一方向DR1和第二方向DR2的显示表面IS上、在第三方向DR3上显示图像IM。其上显示图像IM的显示表面IS可以与电子装置ED的前表面相对应。图像IM可以包括静止图像和动态图像。
在本实施例中,构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)相对于显示图像IM的第三方向DR3被限定。构件中的每一个的前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对,并且前表面的法线方向和后表面的法线方向可以平行于第三方向DR3。
电子装置ED的前表面与后表面之间的、在第三方向DR3上的间隔距离可以与电子装置ED在第三方向DR3上的厚度相对应。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以是相对概念,并且可以被改变为不同的方向。
电子装置ED可以感测从外面施加的外部输入。外部输入可以包括从电子装置ED外面提供的各种形式的输入。例如,外部输入不仅可以包括用户的身体的一部分(例如,用户的手)在电子装置ED上的触摸,而且可以包括由接近电子装置ED或者与电子装置ED间隔开预定距离的输入工具或用户的身体的一部分施加的外部输入(例如,悬停输入)。此外,外部输入可以具有诸如力、压力、温度和光等的各种形式。
电子装置ED的前表面可以被划分成透光区域TA和边框区域BZA。透光区域TA可以是其上显示图像IM的区域。用户通过透光区域TA观看图像IM。在本实施例中,以具有圆角的四边形形状图示透光区域TA。然而,这是说明性的,并且透光区域TA可以具有各种形状并且不限于任何一个实施例。
边框区域BZA与透光区域TA邻近。边框区域BZA可以具有预定的颜色。边框区域BZA可以围绕透光区域TA。因此,透光区域TA的形状可以基本上被边框区域BZA限定。然而,这是说明性的,并且边框区域BZA可以仅与透光区域TA的一侧邻近布置,或者可以在本实施例的一些实现方式中被省略。根据本公开的实施例的电子装置ED可以包括各种实施例并且不限于任何一个实施例。
电子装置ED可以包括显示装置DD和外壳EDC。显示装置DD可以包括窗口WM、显示模块DM、抗反射膜RPP、覆盖面板CVP和保护带PTa。显示模块DM可以包括显示面板DP和输入感测层ISP。
窗口WM可以由能够通过其输出图像的透明材料形成。例如,窗口WM可以由玻璃、蓝宝石或塑料等形成。尽管窗口WM被图示为单层,但是窗口WM不限于此并且可以包括多个层。显示装置DD的上述边框区域BZA可以通过基本上在窗口WM的一个区域上印刷具有预定颜色的材料来形成。在本公开的实施例中,窗口WM可以包括用于限定边框区域BZA的遮光图案WBM。遮光图案WBM可以是有色有机膜,并且可以通过例如涂布方法来形成。
根据实施例的显示面板DP可以是发射显示面板,但是不具体限于此。例如,显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包含有机发光材料,而无机发光显示面板的发射层可以包含无机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包含量子点和量子棒等。在下文中,显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。
输入感测层ISP可以直接布置在显示面板DP上。根据实施例,输入感测层ISP可以通过连续工艺形成在显示面板DP上。也就是说,当输入感测层ISP直接布置在显示面板DP上时,粘合膜不布置在输入感测层ISP与显示面板DP之间。
显示面板DP生成图像IM,并且输入感测层ISP获得外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息。
抗反射膜RPP降低从窗口WM上面入射的外部光的反射率。根据实施例的抗反射膜RPP可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂层型,并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂层型。膜型偏振器可以包括可拉伸合成树脂膜,并且液晶涂层型偏振器可以包括以预定设置排列的液晶。相位延迟器和偏振器可以用一个偏振膜来实现。抗反射膜RPP可以进一步包括布置在偏振膜的顶部或底部的保护膜。
抗反射膜RPP可以布置在输入感测层ISP之上。也就是说,抗反射膜RPP可以布置在输入感测层ISP与窗口WM之间。输入感测层ISP、抗反射膜RPP和窗口WM可以通过粘合膜结合在一起。第一粘合膜AF1布置在输入感测层ISP与抗反射膜RPP之间,并且第二粘合膜AF2布置在抗反射膜RPP与窗口WM之间。因此,抗反射膜RPP通过第一粘合膜AF1结合到输入感测层ISP,并且窗口WM通过第二粘合膜AF2结合到抗反射膜RPP。
在实施例中,第一粘合膜AF1和第二粘合膜AF2可以各自包括光学透明粘合剂(OCA)膜。然而,第一粘合膜AF1和第二粘合膜AF2可以不限于此而包括通用粘合剂或粘性物质。例如,第一粘合膜AF1和第二粘合膜AF2可以各自包含压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)。除了抗反射膜RPP之外,用于执行不同功能的功能层(例如,保护层)可以额外地布置在显示模块DM与窗口WM之间。
显示模块DM可以取决于电信号来显示图像,并且可以传输/接收关于外部输入的信息。显示模块DM可以被有源区域AA和外围区域NAA限定。有源区域AA可以被限定为输出由显示模块DM提供的图像的区域。
外围区域NAA与有源区域AA邻近。例如,外围区域NAA可以围绕有源区域AA。然而,这是说明性的,并且外围区域NAA可以以各种形状被限定并且不限于任何一个实施例。根据实施例,显示模块DM的有源区域AA可以与透光区域TA的至少一部分相对应。
显示模块DM可以进一步包括柔性电路膜FCB和驱动芯片DIC。柔性电路膜FCB可以与显示面板DP电连接。柔性电路膜FCB可以通过接合工艺结合到显示面板DP的外围区域NAA。驱动芯片DIC可以安装在柔性电路膜FCB上,并且可以与显示面板DP电连接。驱动芯片DIC可以包括用于驱动显示面板DP的像素的驱动电路(例如,数据驱动电路)。图1B图示了其中驱动芯片DIC安装在柔性电路膜FCB上的结构。然而,本公开不限于此。例如,驱动芯片DIC可以安装在显示面板DP的外围区域NAA中。
显示模块DM可以进一步包括安装在柔性电路膜FCB上的多个驱动元件DEL。多个驱动元件DEL可以包括用于将从外面输入的信号转换成驱动芯片DIC所需的信号或驱动显示面板DP所需的信号的电路单元。柔性电路膜FCB可以被弯曲并且布置在显示面板DP之下。
覆盖面板CVP布置在显示面板DP的后表面上。布置在显示面板DP的后表面上的覆盖面板CVP可以提高显示装置DD的抗冲击性。覆盖面板CVP可以通过粘合膜固定到显示面板DP的后表面。粘合膜可以是压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)。柔性电路膜FCB可以布置在覆盖面板CVP的后表面上。
保护带PTa布置在显示面板DP之下。具体地,保护带PTa可以布置在覆盖面板CVP的后表面上并且可以覆盖柔性电路膜FCB。保护带PTa可以具有四边形的带状。然而,保护带PTa的形状不限于此。保护带PTa可以以具有足以覆盖柔性电路膜FCB的尺寸的各种形状实现。
保护带PTa包括绝缘基底层IBL、粘合层ALa和台阶层SDL。绝缘基底层IBL可以包含绝缘材料。绝缘材料可以是合成树脂膜,并且可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PAI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚碳酸酯(PC)中的至少一种。绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2(参考图4B)。粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL上、第二区域A2中。具体地,粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL与显示模块DM的后表面之间。
台阶层SDL布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1中。台阶层SDL和绝缘基底层IBL彼此不一体地形成。保护带PTa可以进一步包括布置在台阶层SDL与绝缘基底层IBL之间的子粘合层SAL。台阶层SDL可以通过子粘合层SAL固定到绝缘基底层IBL。下面将参考图4A至图21详细地描述保护带PTa。
外壳EDC容纳显示装置DD。外壳EDC可以与窗口WM结合并且可以限定显示装置DD的外部。外壳EDC通过吸收从外面施加的冲击并且防止异物/湿气渗入显示装置DD中而保护容纳在其中的部件。在实施例中,外壳EDC可以以其中结合多个接收构件的形式实现。
在显示装置DD容纳在外壳EDC中之前,保护带PTa可以被从显示装置DD中去除。因此,窗口WM、抗反射膜RPP、显示模块DM和覆盖面板CVP可以容纳在外壳EDC中。
图2是根据实施例的显示面板的平面图,并且图3是根据实施例的输入感测层的平面图。
参考图2和图3,显示面板DP可以包括驱动电路GDC、多条信号线SGL和多个像素PX。显示面板DP可以进一步包括布置在外围区域NAA中的焊盘PLD。焊盘PLD包括与多条信号线SGL中的对应的信号线SGL连接的像素焊盘D-PD。
像素PX布置在有源区域AA中。像素PX中的每一个包括发光元件114(参考图24)以及连接到其的像素驱动电路。发光元件114可以包括有机发光二极管。驱动电路GDC、信号线SGL、焊盘PLD和像素驱动电路可以被包括在图24中所图示的电路元件层120中。
驱动电路GDC可以包括栅驱动电路。栅驱动电路生成多个栅信号(在下文中,被称为栅信号),并且将栅信号顺序地输出到要在下面描述的多条栅线GL(在下文中,被称为栅线)。栅驱动电路可以将另一控制信号额外地输出到像素驱动电路。
信号线SGL包括栅线GL、数据线DL、电源线PL和控制信号线CSL。栅线GL中的一条连接到像素PX中的对应的一个像素PX,并且数据线DL中的一条连接到像素PX中的对应的一个像素PX。电源线PL连接到像素PX。控制信号线CSL可以将控制信号供应到栅驱动电路。信号线SGL与有源区域AA和外围区域NAA重叠。
柔性电路膜FCB(图1B中所图示)连接到其的焊盘PLD可以包括用于将柔性电路膜FCB电连接到显示面板DP的像素焊盘D-PD和用于将柔性电路膜FCB电连接到输入感测层ISP的输入焊盘I-PD。像素焊盘D-PD和输入焊盘I-PD可以通过从电路元件层120中包括的绝缘层暴露布置在电路元件层120中的互连布线中的一些而被提供。
像素焊盘D-PD通过信号线SGL连接到对应的像素PX。此外,驱动电路GDC可以连接到像素焊盘D-PD中的一个像素焊盘D-PD。
参考图3,根据实施例的输入感测层ISP可以包括第一感测电极IE1-1至IE1-5、连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二感测电极IE2-1至IE2-4和连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。在实施例中,输入感测层ISP可以包括连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第三信号线SL2-5至SL2-8。在这种情况下,第二信号线SL2-1至SL2-4中的每一条可以连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4中的对应的一个第二感测电极的一个端部,并且第三信号线SL2-5至SL2-8中的每一条可以连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4中的对应的一个第二感测电极的相对端部。
第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4交叉。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4彼此绝缘以形成互电容。第一感测电极IE1-1至IE1-5在第二方向DR2上排列并且在第一方向DR1上延伸。第二感测电极IE2-1至IE2-4在第一方向DR1上排列并且在第二方向DR2上延伸。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每一个包括布置在有源区域AA中的第一感测器部分SP1和第一连接部分CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每一个包括布置在有源区域AA中的第二感测器部分SP2和第二连接部分CP2。第一感测器部分SP1当中布置在第一感测电极的相对端部处的两个第一感测器部分可以比布置在第一感测电极的中心处的第一感测器部分具有更小的尺寸。例如,两个第一感测器部分可以是布置在第一感测电极的中心处的第一感测器部分的尺寸的一半。第二感测器部分SP2当中布置在第二感测电极的相对端部处的两个第二感测器部分可以比布置在第二感测电极的中心处的第二感测器部分具有更小的尺寸。例如,两个第二感测器部分可以是布置在第二感测电极的中心处的第二感测器部分的尺寸的一半。
尽管图3图示了根据一个实施例的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4,但是其形状不限于此。在实施例中,第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有其中感测器部分和连接部分彼此不被区分开的形状(例如,条形)。在图3中,第一感测器部分SP1和第二感测器部分SP2被图示为具有菱形形状。然而,第一感测器部分SP1和第二感测器部分SP2可以不限于此而具有不同的多边形形状。
在一个第一感测电极中,第一感测器部分SP1沿着第一方向DR1排列,并且在一个第二感测电极中,第二感测器部分SP2沿着第二方向DR2排列。第一连接部分CP1中的每一个连接彼此邻近的第一感测器部分SP1,并且第二连接部分CP2中的每一个连接彼此邻近的第二感测器部分SP2。
第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有网格形式。由于第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有网格形式,因此可以减小与显示面板DP(参考图2)的电极的寄生电容。
具有网格形式的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以包含能够经受低温工艺的银、铝、铜、铬、镍或钛等,但是不限于此。即使输入感测层ISP通过连续工艺形成,也可以防止对发光元件114(参考图24)的损坏。
第一信号线SL1-1至SL1-5中的每一条连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5中的对应的一个第一感测电极的一个端部。在实施例中,输入感测层ISP可以进一步包括信号线,信号线中的每一条连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5中的对应的一个第一感测电极的相对端部。
第一信号线SL1-1至SL1-5、第二信号线SL2-1至SL2-4和第三信号线SL2-5至SL2-8可以布置在外围区域NAA中。焊盘PLD可以包括从第一信号线SL1-1至SL1-5的端部、第二信号线SL2-1至SL2-4的端部和第三信号线SL2-5至SL2-8的端部延伸并且布置在外围区域NAA中的输入焊盘I-PD。
图4A是根据实施例的显示装置的后视图。图4B是图4A中所图示的保护带的平面图。图5是沿着图4A中的线III-III'截取的截面图。
参考图4A至图5,覆盖面板CVP布置在显示面板DP的后表面上。覆盖面板CVP包括减震层CH和保护层PF。
覆盖面板CVP可以包括保护层PF和减震层CH。保护层PF可以是聚酰亚胺(PI)膜。减震层CH可以布置在显示面板DP的后表面上并且可以提高显示装置DD的抗冲击性。减震层CH可以布置在显示面板DP与保护层PF之间。
这是说明性的,并且减震层CH和保护层PF中的至少一个可以在本实施例的一些实现方式中被省略。此外,除了减震层CH和保护层PF之外,另一功能层(例如,热辐射层)可以被添加到覆盖面板CVP,或者用于结合减震层CH和保护层PF的粘合层可以被添加到覆盖面板CVP。
柔性电路膜FCB可以通过接合工艺结合到显示面板DP的外围区域NAA。驱动芯片DIC可以安装在柔性电路膜FCB上。柔性电路膜FCB的一侧被弯曲以围绕显示面板DP的侧表面,并且柔性电路膜FCB的相对侧布置在覆盖面板CVP的后表面上。在这种情况下,驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以布置在覆盖面板CVP的后表面上。
保护带PTa可以布置在覆盖面板CVP的后表面上并且可以覆盖柔性电路膜FCB。保护带PTa可以具有四边形的带状。然而,保护带PTa的形状不限于此。保护带PTa可以以具有足以覆盖柔性电路膜FCB的尺寸的各种形状实现。
保护带PTa包括绝缘基底层IBL、粘合层ALa、台阶层SDL和子粘合层SAL。绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。
粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL上、第二区域A2中。具体地,粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL与覆盖面板CVP之间、第二区域A2中。粘合层ALa被布置为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠。
台阶层SDL布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1中。台阶层SDL可以在第二方向DR2上具有第一宽度Wa。在实施例中,台阶层SDL可以在平面上布置在不与驱动芯片DIC和驱动元件DEL重叠的位置处。因此,可以防止冲击通过台阶层SDL传输到驱动芯片DIC和驱动元件DEL以对驱动芯片DIC和驱动元件DEL造成损坏。
台阶层SDL和绝缘基底层IBL彼此不一体地形成。也就是说,子粘合层SAL布置在台阶层SDL与绝缘基底层IBL之间。然而,台阶层SDL和绝缘基底层IBL可以包含相同的材料。例如,台阶层SDL和绝缘基底层IBL可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PAI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚碳酸酯(PC)中的至少一种。
子粘合层SAL可以包含与粘合层ALa相同的材料。子粘合层SAL和粘合层ALa可以包含压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)。
台阶层SDL的厚度与子粘合层SAL的厚度的总和(在下文中,被称为台阶部分的厚度t1)可以大于驱动芯片DIC和驱动元件DEL当中具有最大厚度的部分的厚度。因此,台阶层SDL的上表面可以与柔性电路膜FCB的上表面接触,但是驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以不与绝缘基底层IBL的上表面接触。因此,可以防止驱动芯片DIC和驱动元件DEL由于与保护带PTa的接触或摩擦而损坏。在实施例中,台阶部分的厚度t1可以在从大约1mm至大约1.5mm的范围内。
台阶层SDL的厚度可以大于或等于绝缘基底层IBL的厚度。当驱动芯片DIC和驱动元件DEL是厚的时,可以调整台阶层SDL的厚度或子粘合层SAL的厚度以确保台阶部分的厚度t1。
保护带PTa的端部可以位于窗口WM的端部的外侧。保护带PTa的端部与窗口WM的端部之间的间隙(在下文中,被称为第一间隙d1)可以在从大约1mm至大约2mm的范围内。
由于保护带PTa的端部位于窗口WM的端部的外侧(也就是说,保护带PTa的端部比窗口WM的端部更远离显示装置的中心定位),因此保护带PTa可以保护柔性电路膜FCB的弯曲部分。窗口WM的端部可以位于柔性电路膜FCB的弯曲部分的外侧。当保护带PTa的端部与柔性电路膜FCB的弯曲部分之间的间隙被限定为第二间隙d2时,第二间隙d2可以大于第一间隙d1。由于确保了保护带PTa的端部与窗口WM的端部之间的间隙d1和保护带PTa的端部与柔性电路膜FCB的弯曲部分之间的间隙d2,因此可以在传送显示装置DD以制造电子装置ED(参考图1A)的过程中,保护柔性电路膜FCB的弯曲部分。
无论柔性电路膜FCB的形状和位置如何,保护带PTa都可以具有标准化的形状。也就是说,保护带PTa可以共同地用于不同类型的显示装置DD。因此,可以减少制造保护带PTa所花费的时间和制造成本。
图6是根据实施例的保护带的平面图,并且图7是采用图6中所图示的保护带的显示装置的截面图。在图6和图7中所图示的部件当中,与图4A至图5中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图6和图7,保护带PTb包括绝缘基底层IBL、粘合层ALb、覆盖层CVL、台阶层SDL和子粘合层SAL。绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。
粘合层ALb布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1和第二区域A2中。也就是说,粘合层ALb形成在绝缘基底层IBL的整个上表面上。在这种情况下,粘合层ALb可以在平面上布置为与柔性电路膜FCB重叠。
覆盖层CVL布置在粘合层ALb上、第一区域A1中。覆盖层CVL可以包含绝缘材料。覆盖层CVL可以与绝缘基底层IBL和台阶层SDL包含相同的材料。例如,覆盖层CVL可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PAI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚碳酸酯(PC)中的至少一种。
台阶层SDL布置在覆盖层CVL之上。在实施例中,台阶层SDL可以在平面上布置在不与驱动芯片DIC和驱动元件DEL重叠的位置处。因此,可以防止冲击通过台阶层SDL传输到驱动芯片DIC和驱动元件DEL以对驱动芯片DIC和驱动元件DEL造成损坏。
台阶层SDL和覆盖层CVL彼此不一体地形成。也就是说,子粘合层SAL布置在台阶层SDL与覆盖层CVL之间。
台阶层SDL的厚度与子粘合层SAL的厚度的总和(在下文中,被称为台阶部分的厚度t1)可以大于驱动芯片DIC和驱动元件DEL当中具有最大厚度的部分的厚度。因此,台阶层SDL的上表面可以与柔性电路膜FCB的上表面接触,但是驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以不与绝缘基底层IBL的上表面接触。因此,可以防止驱动芯片DIC和驱动元件DEL由于与保护带PTb的接触或摩擦而损坏。在实施例中,台阶部分的厚度t1可以在从大约1mm至大约1.5mm的范围内。
台阶层SDL的厚度可以大于或等于绝缘基底层IBL的厚度或覆盖层CVL的厚度。当驱动芯片DIC和驱动元件DEL是厚的时,可以调整台阶层SDL的厚度或子粘合层SAL的厚度以确保台阶部分的厚度t1。
保护带PTb的端部可以位于窗口WM的端部的外侧。保护带PTb的端部与窗口WM的端部之间的间隙(在下文中,被称为第一间隙d1)可以在从大约1mm至大约2mm的范围内。
由于保护带PTb的端部位于窗口WM的端部的外侧,因此保护带PTb可以保护柔性电路膜FCB的弯曲部分。窗口WM的端部可以位于柔性电路膜FCB的弯曲部分的外侧。当保护带PTb的端部与柔性电路膜FCB的弯曲部分之间的间隙被限定为第二间隙d2时,第二间隙d2可以大于第一间隙d1。
在实施例中,保护带PTb在第一区域A1中的厚度(在下文中,被称为第一厚度t2)可以大于保护带PTb在第二区域A2中的厚度(在下文中,被称为第二厚度t3)。
图8是根据实施例的保护带的平面图,并且图9是采用图8中所图示的保护带的显示装置的截面图。在图8和图9中所图示的部件当中,与图6和图7中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图8和图9,保护带PTc包括绝缘基底层IBL、粘合层ALb、覆盖层CVL、第一台阶层SDLa、第二台阶层SDLb、第一子粘合层SALa和第二子粘合层SALb。
绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。
粘合层ALb布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1和第二区域A2中。也就是说,粘合层ALb形成在绝缘基底层IBL的整个上表面上。
覆盖层CVL布置在粘合层ALb上、第一区域A1中。覆盖层CVL可以与绝缘基底层IBL包含相同的绝缘材料。
第一台阶层SDLa布置在覆盖层CVL之上。在实施例中,第一台阶层SDLa可以在平面上布置在不与驱动芯片DIC和驱动元件DEL重叠的位置处。第一台阶层SDLa和覆盖层CVL彼此不一体地形成。也就是说,第一子粘合层SALa布置在第一台阶层SDLa与覆盖层CVL之间。因此,第一台阶层SDLa可以通过第一子粘合层SALa结合到覆盖层CVL的上表面。
第二台阶层SDLb布置在第一台阶层SDLa之上。第二子粘合层SALb布置在第一台阶层SDLa与第二台阶层SDLb之间。因此,第二台阶层SDLb可以通过第二子粘合层SALb结合到第一台阶层SDLa的上表面。
在实施例中,第二台阶层SDLb在第二方向DR2上的宽度W1可以小于或等于第一台阶层SDLa在第二方向DR2上的宽度W2。第二台阶层SDLb在第三方向DR3上的厚度可以等于或不同于第一台阶层SDLa在第三方向DR3上的厚度。
第一台阶层SDLa的厚度和第二台阶层SDLb的厚度与第一子粘合层SALa的厚度和第二子粘合层SALb的厚度的总和(在下文中,被称为台阶部分的厚度t1a)可以大于驱动芯片DIC和驱动元件DEL当中具有最大厚度的部分的厚度。因此,第二台阶层SDLb的上表面可以与柔性电路膜FCB的上表面接触,但是驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以不与绝缘基底层IBL的上表面接触。因此,可以防止驱动芯片DIC和驱动元件DEL由于与保护带PTc的接触或摩擦而损坏。在实施例中,台阶部分的厚度t1a可以在从大约1mm至大约1.5mm的范围内。
可以调整第一台阶层SDLa的厚度和第二台阶层SDLb的厚度或者第一子粘合层SALa的厚度和第二子粘合层SALb的厚度以确保台阶部分的期望厚度t1a。可替代地,可以调整台阶部分中提供的台阶层和子粘合层的数量以确保台阶部分的期望厚度t1a。
图10是根据实施例的保护带的平面图,并且图11是采用图10中所图示的保护带的显示装置的截面图。在图10和图11中所图示的部件当中,与图6和图7中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图10和图11,保护带PTd包括绝缘基底层IBL、粘合层ALb、覆盖层CVL、台阶层SDL、虚设台阶层SDLc、子粘合层SAL和虚设子粘合层SALc。
绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。
粘合层ALb布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1和第二区域A2中。也就是说,粘合层ALb形成在绝缘基底层IBL的整个上表面上。
覆盖层CVL布置在粘合层ALb上、第一区域A1中。覆盖层CVL可以与绝缘基底层IBL包含相同的绝缘材料。
台阶层SDL布置在覆盖层CVL之上。在实施例中,台阶层SDL可以在平面上布置在不与驱动芯片DIC和驱动元件DEL重叠的位置处。台阶层SDL和覆盖层CVL彼此不一体地形成。也就是说,子粘合层SAL布置在台阶层SDL与覆盖层CVL之间。因此,台阶层SDL可以通过子粘合层SAL结合到覆盖层CVL的上表面。
虚设台阶层SDLc布置为比台阶层SDL更靠近柔性电路膜FCB的弯曲部分。虚设子粘合层SALc布置在覆盖层CVL与虚设台阶层SDLc之间。虚设台阶层SDLc可以通过虚设子粘合层SALc结合到覆盖层CVL的上表面。在实施例中,虚设台阶层SDLc在第二方向DR2上的宽度W4可以小于或等于台阶层SDL在第二方向DR2上的宽度W3。
台阶层SDL的厚度与子粘合层SAL的厚度的总和(在下文中,被称为台阶部分的厚度t1)可以大于驱动芯片DIC和驱动元件DEL当中具有最大厚度的部分的厚度。因此,台阶层SDL的上表面可以与柔性电路膜FCB的上表面接触,但是驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以不与绝缘基底层IBL的上表面接触。虚设台阶层SDLc的厚度与虚设子粘合层SALc的厚度的总和(在下文中,被称为虚设台阶部分的厚度t4)可以小于或等于台阶部分的厚度t1。因此,台阶层SDL的上表面可以与柔性电路膜FCB的上表面接触,但是虚设台阶层SDLc的上表面可以与柔性电路膜FCB的上表面接触或者可以不与柔性电路膜FCB的上表面接触。
图12A是根据实施例的显示装置的后视图。图12B是图12A中所图示的保护带的平面图。图12C是沿着图12A中的线IV-IV'截取的截面图。在图12A至图12C中所图示的部件当中,与图4A至图5中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图12A至图12C,保护带PTe包括绝缘基底层IBLa、粘合层ALa、台阶层SDL和子粘合层SAL。绝缘基底层IBLa可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。
绝缘基底层IBLa可以包括形成在第一区域A1中的第一开口OP1和第二开口OP2。柔性电路膜FCB可以包括相对于柔性电路膜FCB的平行于第二方向DR2的中心线CL布置在第一侧(例如,右侧)的第一驱动元件DEL1和布置在第二侧(例如,左侧)的第二驱动元件DEL2。绝缘基底层IBLa的第一开口OP1穿过绝缘基底层IBLa形成在与第一驱动元件DEL1相对应的位置处。绝缘基底层IBLa的第二开口OP2穿过绝缘基底层IBLa形成在与第二驱动元件DEL2相对应的位置处。
因此,在保护带PTe结合到覆盖面板CVP的后表面和柔性电路膜FCB之后,可以通过绝缘基底层IBLa的第一开口OP1暴露第一驱动元件DEL1,并且可以通过绝缘基底层IBLa的第二开口OP2暴露第二驱动元件DEL2。
尽管图12A至图12C图示了其中两个开口OP1和OP2形成在绝缘基底层IBLa中的结构,但是本公开不限于此。例如,第一开口OP1和第二开口OP2可以彼此连接以形成一个开口。此外,可以取决于第一驱动元件DEL1和第二驱动元件DEL2的设置来调整第一开口OP1和第二开口OP2的位置、形状和数量。
绝缘基底层IBLa可以进一步包括形成在第一区域A1中的第一对齐孔A_OP1和第二对齐孔A_OP2。第一对齐孔A_OP1可以相对于中心线CL布置在第一侧,并且第二对齐孔A_OP2可以相对于中心线CL布置在第二侧。
由于通过第一对齐孔A_OP1和第二对齐孔A_OP2可以看见布置在保护带PTe之下的柔性电路膜FCB,因此当结合到覆盖面板CVP时,保护带PTe可以被容易地与柔性电路膜FCB对齐。因此,在将保护带PTe结合到覆盖面板CVP的过程中,可以防止保护带PTe与柔性电路膜FCB之间的偏移。可以在柔性电路膜FCB上额外地提供对齐标记以与第一对齐孔A_OP1和第二对齐孔A_OP2相对应。
粘合层ALa布置在绝缘基底层IBLa上、第二区域A2中。具体地,粘合层ALa布置在绝缘基底层IBLa与覆盖面板CVP之间、第二区域A2中。粘合层ALa布置为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠。
台阶层SDL布置在绝缘基底层IBLa之上、第一区域A1中。台阶层SDL可以与第一开口OP1和第二开口OP2间隔开。在实施例中,台阶层SDL可以在平面上布置在不与驱动芯片DIC以及第一驱动元件DEL1和第二驱动元件DEL2重叠的位置处。子粘合层SAL布置在台阶层SDL与绝缘基底层IBLa之间。因此,台阶层SDL可以通过子粘合层SAL结合到绝缘基底层IBLa的上表面。
台阶层SDL的厚度与子粘合层SAL的厚度的总和(也就是说,台阶部分的厚度t1)可以小于粘合层ALa的厚度ta。
图13A是根据实施例的显示装置的分解透视图。图13B是图13A中所图示的显示装置的后视图。图13C是沿着图13B中的线V-V'截取的截面图。在图13A至图13C中所图示的部件当中,与图1B、图4A和图5中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图13A至图13C,保护带PTf包括绝缘基底层IBL、粘合层ALa、台阶层SDLd和子粘合层SALd。绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。
粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL上、第二区域A2中。具体地,粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL与覆盖面板CVP之间、第二区域A2中。粘合层ALa布置为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠。
台阶层SDLd布置在绝缘基底层IBL之上、第一区域A1中。台阶层SDLd可以在第二方向DR2上具有第二宽度Wb。台阶层SDLd的第二宽度Wb可以大于图4B中所图示的台阶层SDL的第一宽度Wa。在实施例中,台阶层SDLd的端部表面和绝缘基底层IBL的端部表面可以布置在同一条线上。然而,本公开不限于此。可替代地,台阶层SDLd的端部表面可以位于绝缘基底层IBL的端部表面的内侧。
如图13B中所图示,台阶层SDLd可以在平面上被提供在与驱动芯片DIC重叠的位置处。
子粘合层SALd布置在台阶层SDLd与绝缘基底层IBL之间。因此,台阶层SDLd可以通过子粘合层SALd结合到绝缘基底层IBL的上表面。台阶层SDLd的厚度与子粘合层SALd的厚度的总和(也就是说,台阶部分的厚度t1b)可以小于粘合层ALa的厚度ta。
图14A是根据实施例的显示装置的分解透视图。图14B是图14A中所图示的显示装置的后视图。图14C是沿着图14B中的线VI-VI'截取的截面图。在图14A至图14C中所图示的部件当中,与图12A至图12C中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图14A至图14C,保护带PTg包括绝缘基底层IBLb、粘合层ALc、台阶层SDL和子粘合层SAL。绝缘基底层IBLb可以包括第一区域A1和第二区域A2a。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2a可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。在实施例中,柔性电路膜FCB的平行于第二方向DR2的中心线CL可以穿过第二区域A2a。
图14B中所图示的第二区域A2a的面积可以小于图4B中所图示的第二区域A2的面积。考虑到粘合力或成本,可以对第二区域A2a的位置、面积和形状进行各种修改,使得第二区域A2a不与柔性电路膜FCB重叠。
保护带PTg可以进一步包括凹入地形成在绝缘基底层IBLb的端部表面上的第一凹槽GV1。第一凹槽GV1为了在显示装置DD的制造中方便附接保护带PTg的工艺而形成,但是可以在本实施例的一些实现方式中被省略。可以对第一凹槽GV1的位置和形状以及第一凹槽GV1的数量进行各种修改而不限于此。
图15A是根据实施例的显示装置的后视图,并且图15B是图15A中所图示的保护带的平面图。在图15A和图15B中所图示的部件当中,与图14A至图14C中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图15A和图15B,保护带PTh包括绝缘基底层IBLc、粘合层ALd和台阶层SDL。绝缘基底层IBLc可以包括第一区域A1和第二区域A2b。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCB重叠的区域,并且第二区域A2b可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCB重叠的区域。在实施例中,第二区域A2b可以布置在柔性电路膜FCB的平行于第二方向DR2的中心线CL的一侧。
图15B中所图示的第二区域A2b的面积可以小于图4B中所图示的第二区域A2的面积。考虑到粘合力或成本,可以对第二区域A2b的位置、面积和形状进行各种修改,使得第二区域A2b不与柔性电路膜FCB重叠。
保护带PTh可以进一步包括凹入地形成在绝缘基底层IBLc的端部表面上的第二凹槽GV2和第三凹槽GV3。第二凹槽GV2和第三凹槽GV3为了在显示装置DD的制造中方便附接保护带PTh的工艺而形成,但是可以在本实施例的一些实现方式中被省略。可以对第二凹槽GV2和第三凹槽GV3的位置、数量和形状进行各种修改而不限于此。
图16是根据实施例的显示装置的分解透视图。图17是根据实施例的显示装置的后视图。图18是沿着图17中的线VII-VII'截取的截面图。在图16至图18中所图示的部件当中,与图1B和图4A至图5中所图示的部件相同的部件将被分配相同的附图标记,并且为了便于解释这些图,将省略关于其具体描述。
参考图16至图18,显示装置DDa可以包括窗口WM、显示模块DMa、抗反射膜RPP、覆盖面板CVP和保护带PTa。显示模块DMa可以包括显示面板DPa和输入感测层ISPa。
显示模块DMa可以被有源区域AA和外围区域NAA限定。有源区域AA可以被限定为输出由显示面板DPa提供的图像的区域。外围区域NAA与有源区域AA邻近。
显示面板DPa可以包括在第二方向DR2上排列的第一非弯曲区域NBA1、弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2。第一非弯曲区域NBA1可以是与显示表面IS相对应的区域。弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2可以被包括在外围区域NAA中。弯曲区域BA可以是被绕弯曲轴弯曲的弯曲区域,并且第一非弯曲区域NBA1和第二非弯曲区域NBA2可以是不被弯曲的区域。在实施例中,弯曲轴可以平行于第一方向DR1。弯曲区域BA在第一方向DR1上的长度和第二非弯曲区域NBA2在第一方向DR1上的长度可以小于或等于第一非弯曲区域NBA1在第一方向DR1上的长度。在弯曲轴的方向上具有小的长度的区域可以被更容易地弯曲。
显示面板DPa可以与柔性电路膜FCBa电连接。柔性电路膜FCBa可以通过接合工艺结合到显示面板DPa的第二非弯曲区域NBA2。驱动芯片DIC可以安装在显示面板DPa的第二非弯曲区域NBA2上并且可以与柔性电路膜FCBa电连接。柔性电路膜FCBa可以布置在显示面板DPa的后表面之下。
显示模块DMa可以进一步包括安装在柔性电路膜FCBa上的多个驱动元件DEL。多个驱动元件DEL可以包括用于将从外部输入的信号转换成驱动芯片DIC所需的信号或驱动显示面板DPa所需的信号的电路单元。
覆盖面板CVP布置在显示面板DPa的后表面上。布置在显示面板DPa的后表面上的覆盖面板CVP可以提高显示装置DDa的抗冲击性。覆盖面板CVP可以通过粘合膜固定到显示面板DPa的后表面。
保护带PTa布置在显示面板DPa之下。具体地,保护带PTa可以布置在覆盖面板CVP的后表面上,并且可以覆盖显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2。保护带PTa可以具有四边形的带状。然而,保护带PTa的形状不限于此。保护带PTa可以以具有足以覆盖柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2的尺寸的各种形状实现。
保护带PTa包括绝缘基底层IBL、粘合层ALa和台阶层SDL。绝缘基底层IBL可以包含绝缘材料。绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠的区域,并且第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠的区域。
粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL上、第二区域A2中。具体地,粘合层ALa布置在绝缘基底层IBL与覆盖面板CVP之间、第二区域A2中。粘合层ALa布置为在平面上不与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠。
台阶层SDL布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1中。在实施例中,台阶层SDL可以在平面上布置为与柔性电路膜FCBa重叠,并且可以在平面上不与显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠。台阶层SDL和绝缘基底层IBL彼此不一体地形成。保护带PTa可以进一步包括布置在台阶层SDL与绝缘基底层IBL之间的子粘合层SAL。台阶层SDL可以通过子粘合层SAL固定到绝缘基底层IBL。
台阶层SDL的厚度与子粘合层SAL的厚度的总和(在下文中,被称为台阶部分的厚度t1)可以大于驱动芯片DIC和驱动元件DEL当中具有最大厚度的部分的厚度。因此,台阶层SDL的上表面可以与柔性电路膜FCBa的上表面接触,但是驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以不与绝缘基底层IBL的上表面接触。因此,可以防止驱动芯片DIC和驱动元件DEL由于与保护带PTa的接触或摩擦而损坏。在实施例中,台阶部分的厚度t1可以在从大约1mm至大约1.5mm的范围内。
台阶层SDL的厚度可以大于或等于绝缘基底层IBL的厚度。当驱动芯片DIC和驱动元件DEL是厚的时,可以调整台阶层SDL的厚度或子粘合层SAL的厚度以确保台阶部分的厚度t1。
保护带PTa的端部可以位于窗口WM的端部的外侧。保护带PTa的端部与窗口WM的端部之间的间隙(在下文中,被称为第一间隙d1)可以在从大约1mm至大约2mm的范围内。
由于保护带PTa的端部位于窗口WM的端部的外侧,因此保护带PTa可以保护显示面板DPa的弯曲区域BA。窗口WM的端部可以位于显示面板DPa的弯曲区域BA的外侧。当保护带PTa的端部与显示面板DPa的弯曲区域BA之间的间隙被限定为第三间隙d3时,第三间隙d3可以大于第一间隙d1。
由于确保了保护带PTa的端部与窗口WM的端部之间的间隙d1和保护带PTa的端部与显示面板DPa的弯曲区域BA之间的间隙d3,因此可以在传送显示装置DDa以制造电子装置ED(参考图1A)的过程中,稳定地保护显示面板DPa的弯曲区域BA。
无论显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2的形状、柔性电路膜FCBa的形状及其位置如何,保护带PTa都可以具有标准化的形状。也就是说,保护带PTa可以共同地用于不同类型的显示装置DDa。因此,可以减少制造保护带PTa所花费的时间和制造成本。
图19是根据实施例的显示装置的截面图。
参考图19,保护带PTb包括绝缘基底层IBL、粘合层ALb、覆盖层CVL、台阶层SDL和子粘合层SAL。绝缘基底层IBL可以包括第一区域A1和第二区域A2。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠的区域。第二区域A2可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠的区域。
粘合层ALb布置在绝缘基底层IBL上、第一区域A1和第二区域A2中。也就是说,粘合层ALb形成在绝缘基底层IBL的整个上表面上。在这种情况下,粘合层ALb可以在平面上布置为与柔性电路膜FCBa重叠。
覆盖层CVL布置在粘合层ALb上、第一区域A1中。覆盖层CVL可以包含绝缘材料。
台阶层SDL布置在覆盖层CVL之上。在实施例中,台阶层SDL可以在平面上布置在不与驱动芯片DIC和驱动元件DEL重叠的位置处。因此,可以防止冲击通过台阶层SDL传输到驱动芯片DIC和驱动元件DEL以对驱动芯片DIC和驱动元件DEL造成损坏。
台阶层SDL和覆盖层CVL彼此不一体地形成。也就是说,子粘合层SAL布置在台阶层SDL与覆盖层CVL之间。
台阶层SDL的厚度与子粘合层SAL的厚度的总和(在下文中,被称为台阶部分的厚度t1)可以大于驱动芯片DIC和驱动元件DEL当中具有最大厚度的部分的厚度。因此,台阶层SDL的上表面可以与柔性电路膜FCBa的上表面接触,但是驱动芯片DIC和驱动元件DEL可以不与绝缘基底层IBL的上表面接触。因此,可以防止驱动芯片DIC和驱动元件DEL由于与保护带PTb的接触或摩擦而损坏。在实施例中,台阶部分的厚度t1可以在从大约1mm至大约1.5mm的范围内。
台阶层SDL的厚度可以大于或等于绝缘基底层IBL的厚度或覆盖层CVL的厚度。当驱动芯片DIC和驱动元件DEL是厚的时,可以调整台阶层SDL的厚度或子粘合层SAL的厚度以确保台阶部分的厚度t1。
保护带PTb的端部可以位于窗口WM的端部的外侧。保护带PTb的端部与窗口WM的端部之间的间隙(在下文中,被称为第一间隙d1)可以在从大约1mm至大约2mm的范围内。
由于保护带PTb的端部位于窗口WM的端部的外侧,因此保护带PTb可以保护显示面板DPa的弯曲区域BA。窗口WM的端部可以位于显示面板DPa的弯曲区域BA的外侧。当保护带PTb的端部与显示面板DPa的弯曲区域BA之间的间隙被限定为第三间隙d3时,第三间隙d3可以大于第一间隙d1。
保护带PTb在第一区域A1中的厚度t2可以大于保护带PTb在第二区域A2中的厚度t3。
图20是根据实施例的显示面板的平面图。
参考图20,根据实施例的显示面板DPa可以被划分成第一非弯曲区域NBA1、弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2。图20中所图示的显示面板DPa的第一非弯曲区域NBA1、弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2与以上参考图16描述的显示模块DMa的第一非弯曲区域NBA1、弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2相对应。本文所使用的表述“区域/部分与另一区域/部分相对应”表示区域/部分彼此重叠并且不限于具有相同的面积。
根据实施例的显示面板DPa可以包括布置像素PX的有源区域AA以及与有源区域AA邻近的外围区域NAA。有源区域AA和外围区域NAA与上面参考图16描述的有源区域AA和外围区域NAA相对应。有源区域AA与在第一非弯曲区NBA1中布置像素PX的区域相对应,并且外围区域NAA包括弯曲区域BA、第二非弯曲区域NBA2和第一非弯曲区域NBA1的除了布置像素PX的区域之外的其余部分。
显示面板DPa可以包括外围区域NAA中的扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和驱动芯片DIC。驱动芯片DIC可以是数据驱动器。
显示面板DPa可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发射线EL1至ELm、第一控制线CSL1、第二控制线CSL2、电源线PL和多个焊盘PD。这里,“m”和“n”是除零之外的自然数。像素PX可以连接到扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn和发射线EL1至ELm。
扫描线SL1至SLm可以在第一方向DR1上延伸,并且可以连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第二方向DR2上延伸,并且可以通过弯曲区域BA从第一非弯曲区域NBA1到第二非弯曲区域NBA2布置。数据线DL1至DLn可以连接到第二非弯曲区域NBA2中的驱动芯片DIC。发射线EL1至ELm可以在第一方向DR1上延伸,并且可以连接到发射驱动器EDV。
电源线PL可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分。在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分可以布置在不同的层上。电源线PL可以将参考电压提供到像素PX。
显示面板DPa可以进一步包括将电源线PL和驱动芯片DIC连接的电源连接线PCL。电源连接线PCL可以通过弯曲区域BA从第一非弯曲区域NBA1延伸到第二非弯曲区域NBA2。电源连接线PCL可以布置在数据线DL1至DLn之间、弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2中。尽管三条电源连接线PCL被图示为布置在数据线DL1至DLn之间在第一方向DR1上排列,但是电源连接线PCL的数量和位置不限于此。
第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动器SDV,并且可以通过弯曲区域BA从第一非弯曲区域NBA1延伸到第二非弯曲区域NBA2。第二控制线CSL2可以连接到发射驱动器EDV,并且可以通过弯曲区域BA从第一非弯曲区域NBA1延伸到第二非弯曲区域NBA2。第一控制线CSL1可以与数据线DL1至DLn当中的第一数据线DL1邻近布置,并且第二控制线CSL2可以与数据线DL1至DLn当中的第n数据线DLn邻近布置。
焊盘PD可以与第二非弯曲区域NBA2的端部邻近布置。驱动芯片DIC、电源线PL、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以连接到焊盘PD。柔性电路膜FCBa可以与显示面板DPa的第二非弯曲区域NBA2的端部重叠,并且可以布置在显示面板DPa上。柔性电路膜FCBa可以包括与焊盘PD相对应的焊盘,并且可以通过各向异性导电粘合层电连接到焊盘PD。
与输入感测层ISPa连接的感测连接布线可以额外地布置在弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2中。在弯曲区域BA中,感测连接布线可以布置在数据线DL1至DLn之间。
图21是根据实施例的保护带的平面图。图22是采用图21中所图示的保护带的显示装置的后视图。图23是沿着图22中的线VIII-VIII'截取的截面图。
参考图21至图23,保护带PTi包括绝缘基底层IBLd、粘合层ALe和台阶层SDL。绝缘基底层IBLd可以包括第一区域A1和第二区域A2c。这里,第一区域A1可以被限定为在平面上与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠的区域。第二区域A2c可以被限定为在平面上不与柔性电路膜FCBa以及显示面板DPa的弯曲区域BA和第二非弯曲区域NBA2重叠的区域。
图21中所图示的第二区域A2c的面积可以小于图17中所图示的第二区域A2的面积。考虑到粘合力或成本,可以对第二区域A2c的位置、面积和形状进行各种修改,使得第二区域A2c不与柔性电路膜FCBa重叠。
绝缘基底层IBLd可以包括形成在第一区域A1中的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。柔性电路膜FCBa可以包括相对于柔性电路膜FCBa的平行于第二方向DR2的中心线CL布置在第一侧(例如,右侧)的第一驱动元件DEL1和布置在第二侧(例如,左侧)的第二驱动元件DEL2。柔性电路膜FCBa可以进一步包括布置在中心线CL与第一驱动元件DEL1之间的第三驱动元件DEL3。
第一开口OP1在与第一驱动元件DEL1相对应的位置处穿过绝缘基底层IBLd形成。第二开口OP2在与第二驱动元件DEL2相对应的位置处穿过绝缘基底层IBLd形成。第三开口OP3在与第三驱动元件DEL3相对应的位置处穿过绝缘基底层IBLd形成。
因此,当保护带PTi结合到柔性电路膜FCBa和覆盖面板CVP的后表面时,可以通过绝缘基底层IBLd的第一开口OP1暴露第一驱动元件DEL1,并且可以通过绝缘基底层IBLd的第二开口OP2暴露第二驱动元件DEL2。可以通过绝缘基底层IBLd的第三开口OP3暴露第三驱动元件DEL3。
尽管图21和图22图示了其中三个开口OP1、OP2和OP3形成在绝缘基底层IBLd中的结构,但是本公开不限于此。例如,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以连接在一起以形成一个开口。此外,可以取决于第一驱动元件DEL1、第二驱动元件DEL2和第三驱动元件DEL3的设置来调整第一开口OP1至第三开口OP3的位置、形状和数量。
绝缘基底层IBLd可以进一步包括形成在第一区域A1中的第一对齐孔A_OP1和第二对齐孔A_OP2。第一对齐孔A_OP1可以相对于中心线CL布置在第一侧,并且第二对齐孔A_OP2可以相对于中心线CL布置在第二侧。
由于通过第一对齐孔A_OP1和第二对齐孔A_OP2可以看见布置在保护带PTi之下的柔性电路膜FCBa,因此当结合到覆盖面板CVP时,保护带PTi可以被容易地与柔性电路膜FCBa对齐。因此,在将保护带PTi结合到覆盖面板CVP的过程中,可以防止保护带PTi与柔性电路膜FCBa之间的偏移。可以在柔性电路膜FCBa上额外地提供对齐标记以与第一对齐孔A_OP1和第二对齐孔A_OP2相对应。
保护带PTi进一步包括第一数据开口D_OP1、第二数据开口D_OP2和第三数据开口D_OP3,第一数据开口D_OP1、第二数据开口D_OP2和第三数据开口D_OP3中的每一个与布置在显示面板DPa的第二非弯曲区域NBA2中的数据线DL1至DLn中的一些重叠。第一数据开口D_OP1至第三数据开口D_OP3穿过绝缘基底层IBLd形成。可以提供第一数据开口D_OP1至第三数据开口D_OP3以防止保护带PTi按压布置在显示面板DPa的第二非弯曲区域NBA2中的数据线DL1至DLn并且由于冲击而在数据线DL1至DLn中存在裂缝的问题。也就是说,保护带PTi可以在与数据线DL1至DLn重叠的位置处被部分地开口,并且因此,可以防止由于与保护带PTi接触而对数据线DL1至DLn施加的冲击。
第一数据开口D_OP1至第三数据开口D_OP3的数量和位置不限于此,并且可以取决于数据线DL1至DLn的设置来改变。
保护带PTi可以进一步包括凹入地形成在绝缘基底层IBLd的端部表面上的第四凹槽GV4。第四凹槽GV4为了在显示装置DDa的制造中方便附接保护带PTi的工艺而形成,但是可以在本实施例的一些实现方式中被省略。在实施例中,第四凹槽GV4可以与布置在显示面板DPa的第二非弯曲区域NBA2中的数据线DL1至DLn中的一些重叠。因此,第四凹槽GV4可以防止由于与保护带PTi接触而对数据线DL1至DLn施加冲击。可以对第四凹槽GV4的位置和形状以及第四凹槽GV4的数量进行各种修改而不限于此。
图24是沿着图16中的线II-II'截取的显示面板和输入感测层的截面图。
参考图24,显示面板DPa可以包括多个绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线等。绝缘层、半导体层和导电层通过涂布或沉积等形成。之后,绝缘层、半导体层和导电层可以通过光刻选择性地进行图案化。电路元件层120和显示元件层130中包括的半导体图案、导电图案和信号线等通过上述方法形成在基底层110上。可以形成用于覆盖显示元件层130的封装层140。
基底层110可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包含热固性树脂。基底层110可以具有多层结构。例如,基底层110可以具有包括合成树脂层、粘合层和合成树脂层的三层结构。具体地,合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层,并且其材料不受具体限制。合成树脂层可以包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。另外,基底层110可以包括玻璃基板或有机/无机复合基板等。
至少一个无机层形成在基底层110的上表面上。无机层可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以包括多个层。多个无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层。在本实施例中,显示面板DPa被图示为包括缓冲层BFL。
缓冲层BFL可以提高基底层110与半导体图案之间的接合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以一个接一个交替堆叠。
半导体图案布置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包含多晶硅。然而,半导体图案可以不限于此而包含非晶硅或氧化物半导体。
如图24中所图示,第一晶体管111的第一半导体图案和第二晶体管112的第二半导体图案布置在缓冲层BFL上。第一半导体图案包括第一源极SA1、第一沟道CH1和第一漏极DA1,并且第二半导体图案包括第二源极SA2、第二沟道CH2和第二漏极DA2。第一沟道CH1布置在第一源极SA1与第一漏极DA1之间,并且第二沟道CH2布置在第二源极SA2与第二漏极DA2之间。作为信号线SGL(图2中所图示)中的一条的连接信号线SCL的一部分被图示在图24中。尽管没有单独图示,但是连接信号线SCL可以在平面上连接到第二晶体管112的第二漏极DA2。
第一绝缘层10布置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10覆盖多个半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在本实施例中,第一绝缘层10可以是氧化硅的单层。不仅第一绝缘层10,而且下面将描述的电路元件层120的绝缘层,可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包含上述材料中的至少一种。
第一晶体管111的第一栅极GE1和第二晶体管112的第二栅极GE2布置在第一绝缘层10上。第一栅极GE1和第二栅极GE2分别与第一沟道CH1和第二沟道CH2重叠。
第二绝缘层20可以布置在第一绝缘层10上并且可以覆盖第一栅极GE1和第二栅极GE2。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。在本实施例中,第二绝缘层20可以是氧化硅的单层。
上电极UE可以布置在第二绝缘层20上。上电极UE可以与第二晶体管112的第二栅极GE2重叠。第二栅极GE2的一部分以及与第二栅极GE2重叠的上电极UE可以形成电容器。
第三绝缘层30可以布置在第二绝缘层20上并且可以覆盖上电极UE。在本实施例中,第三绝缘层30可以是氧化硅的单层。第一连接电极CNE1可以布置在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30形成的第一接触孔CNT-1而连接到连接信号线SCL。
第四绝缘层40可以布置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是氧化硅的单层。第五绝缘层50可以布置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。第二连接电极CNE2可以布置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50形成的第二接触孔CNT-2而连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60可以布置在第五绝缘层50上,并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。第一电极AE布置在第六绝缘层60上。第一电极AE通过穿过第六绝缘层60形成的第三接触孔CNT-3而连接到第二连接电极CNE2。开口70-OP被限定在像素限定膜70中。像素限定膜70的开口70-OP暴露第一电极AE的至少一部分。
有源区域AA(参考图1B)可以包括发射区域PXA以及与发射区域PXA邻近的非发射区域NPXA。非发射区域NPXA可以围绕发射区域PXA。在本实施例中,发射区域PXA中的每一个被限定为与第一电极AE的通过开口70-OP暴露的部分区域相对应。
空穴控制层HCL可以共同地布置在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层,并且可以进一步包括空穴注入层。发射层EML可以布置在空穴控制层HCL上。发射层EML可以布置在与开口70-OP相对应的区域中。也就是说,发射层EML可以单独形成在发射区域PXA中的每一个中。
电子控制层ECL可以布置在发射层EML上。电子控制层ECL可以包括电子传输层,并且可以进一步包括电子注入层。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以通过使用开放掩模共同地形成在发射区域PXA中。第二电极CE可以布置在电子控制层ECL上。第二电极CE具有一体的形状并且共同地布置在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。
封盖层80可以布置在第二电极CE上并且可以与第二电极CE接触。封盖层80可以包含有机材料。封盖层80可以保护第二电极CE免受后续工艺(例如,溅射工艺)的影响,并且可以提高发光元件114的发光效率。封盖层80可以比下面将描述的第一无机层91具有更高的折射率。封盖层80可以在本实施例的一些实现方式中被省略。
封装层140可以布置在显示元件层130上。封装层140可以包括第一无机层91、有机层92和第二无机层93。第一无机层91和第二无机层93保护显示元件层130免受湿气/氧气的影响,并且有机层92保护显示元件层130免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。第一无机层91和第二无机层93可以是氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层中的任何一种。在实施例中,第一无机层91和第二无机层93可以包括氧化钛层或氧化铝层等。有机层92可以包括但不限于丙烯酸酯类有机层。
输入感测层ISPa可以包括基底绝缘层151、第一感测导电层152、第一感测绝缘层153、第二感测导电层154和第二感测绝缘层155。输入感测层ISPa可以在形成显示面板DPa之后,通过连续工艺形成。然而,本公开不限于此。
基底绝缘层151可以直接布置在显示面板DPa上。例如,基底绝缘层151可以与第二无机层93直接接触。基底绝缘层151可以具有单层结构或多层结构。可替代地,基底绝缘层151可以在本实施例的一些实现方式中被省略。在另一情况下,基底绝缘层151可以形成在单独的基底层上,并且基底层可以通过粘合构件与显示面板DPa结合。
第一感测导电层152和第二感测导电层154中的每一个可以具有单层结构,或者可以具有沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包含钼、银、钛、铜、铝及其合金。透明导电层可以包含诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌锡(IZTO)等的透明导电氧化物。另外,透明导电层可以包含诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等。
具有多层结构的导电层可以包括多个金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一感测导电层152和第二感测导电层154中的每一个可以包括构成感测电极的图案。输入感测层ISPa可以通过感测电极之间的互电容的变化来获得关于外部输入的信息。
第一感测绝缘层153可以布置在第一感测导电层152与第二感测导电层154之间,并且可以覆盖第一感测导电层152。第二感测导电层154的部分可以通过穿过第一感测绝缘层153形成的接触孔而与第一感测导电层152的部分电连接。第二感测绝缘层155可以布置在第一感测绝缘层153上并且可以覆盖第二感测导电层154。
第一感测绝缘层153和第二感测绝缘层155中的至少一个可以包括无机膜。无机膜可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
第一感测绝缘层153和第二感测绝缘层155中的至少一个可以包括有机膜。有机膜可以包含丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
图25是图示根据实施例的用于制造电子装置的方法的流程图。附图标记参考图1A至图24。
首先,制备显示装置DD或DDa(步骤S10)。显示装置DD或DDa可以是上面参考图1A至图24描述的显示装置DD或DDa。显示装置DD或DDa包括窗口WM、显示模块DM或DMa以及保护带PTa、PTb、PTc、PTd、PTe、PTf、PTg、PTh或PTi。因此,显示装置DD或DDa的制备可以包括将保护带PTa、PTb、PTc、PTd、PTe、PTf、PTg、PTh或PTi附接到显示模块DM或DMa的后表面。
在传送显示装置DD或DDa的同时,显示模块DM或DMa可以被保护带PTa、PTb、PTc、PTd、PTe、PTf、PTg、PTh或PTi保护,并且因此,可以在没有缺陷的情况下被提供。
接下来,保护带PTa、PTb、PTc、PTd、PTe、PTf、PTg、PTh或PTi被从显示装置DD或DDa中去除(步骤S20)。
随后,显示模块DM或DMa与电子装置ED的部件结合(步骤S30)。电子装置ED的部件可以包括与显示模块DM或DMa物理地结合的外壳EDC(图1B中所图示)。
当电子装置ED的部件和显示模块DM或DMa物理地结合时,可以使用粘合构件和附加结构。
根据本文描述的实施例,显示装置可以包括用于保护显示模块的保护带,并且因此,可以在电子装置的制造中稳定地保护显示模块。
另外,保护带可以被制造为具有标准化的形状,并且相应地,可以共同地用于不同类型的显示装置。因此,可以减少制造保护带所花费的时间和制造成本。
尽管本文已经描述了某些实施例和实现方式,但是根据本说明书,其他实施例和实现方式将是显而易见的。因此,本发明构思不限于这些实施例,而是限于所附权利要求书的更宽范围以及对于本领域普通技术人员将是显而易见的各种明显的修改和等同设置。
Claims (26)
1.一种显示装置,包括:
窗口;
显示模块,布置在所述窗口之下;以及
保护带,布置在所述显示模块的后表面上并且被配置为保护所述显示模块,
其中,所述保护带包括:
绝缘基底层,包括第一区域和第二区域;
粘合层,布置在所述绝缘基底层与所述显示模块的所述后表面之间、所述第二区域中;以及
台阶层,布置在所述绝缘基底层上、所述第一区域中,
其中,相对于所述显示模块的中心区域,所述保护带的端部比所述窗口的端部定位在更外侧,并且
其中,所述台阶层和所述绝缘基底层彼此不一体地形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示模块包括:
显示面板;以及
柔性电路膜,连接到所述显示面板的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述柔性电路膜被弯曲并且布置在所述显示面板的后表面上,
其中,所述绝缘基底层的所述第一区域与所述柔性电路膜重叠,并且
其中,所述绝缘基底层的所述第二区域不与所述柔性电路膜重叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述粘合层布置在所述绝缘基底层上、所述第二区域中,并且不与所述柔性电路膜重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述台阶层不与所述粘合层重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述保护带进一步包括:
子粘合层,布置在所述台阶层与所述绝缘基底层之间并且被配置为将所述台阶层结合到所述绝缘基底层。
7.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述粘合层布置在所述绝缘基底层上、所述第一区域和所述第二区域中,并且与所述柔性电路膜重叠。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述保护带进一步包括布置在所述粘合层上、所述第一区域中的覆盖层。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述台阶层布置在所述覆盖层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述保护带进一步包括:
子粘合层,布置在所述台阶层与所述覆盖层之间并且被配置为将所述台阶层固定到所述覆盖层。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述台阶层的厚度与所述子粘合层的厚度的总和在从1mm到1.5mm的范围内。
12.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述保护带的所述端部与所述窗口的所述端部之间的第一间隙在从1mm至2mm的范围内。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述保护带的所述端部与所述柔性电路膜的弯曲部分之间的第二间隙大于所述第一间隙。
14.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示面板包括在第二方向上排列的第一非弯曲区域、弯曲区域和第二非弯曲区域,所述第二方向与在第一方向上延伸的弯曲轴交叉,并且
其中,所述柔性电路膜结合到所述第二非弯曲区域。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述绝缘基底层的所述第一区域与所述弯曲区域、所述第二非弯曲区域和所述柔性电路膜重叠,并且
其中,所述绝缘基底层的所述第二区域不与所述弯曲区域、所述第二非弯曲区域和所述柔性电路膜重叠。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述保护带的所述端部与所述窗口的所述端部之间的第一间隙在从1mm至2mm的范围内。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述保护带的所述端部与所述显示面板的所述弯曲区域之间的第三间隙大于所述第一间隙。
18.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述显示面板包括:
多个像素,布置在所述第一非弯曲区域中;以及
多条数据线,连接到所述多个像素,并且
其中,所述多条数据线从所述第一非弯曲区域延伸,并且经由所述弯曲区域布置到所述第二非弯曲区域。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述保护带进一步包括:
至少一个数据开口,穿过所述绝缘基底层形成并且被配置为与布置在所述第二非弯曲区域中的所述多条数据线中的一些数据线重叠。
20.根据权利要求19所述的显示装置,其中,所述保护带进一步包括:
凹槽,凹入地形成在所述绝缘基底层的端部表面上并且被配置为与布置在所述第二非弯曲区域中的所述多条数据线中的一些数据线重叠。
21.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述显示模块进一步包括安装在所述第二非弯曲区域上的驱动芯片。
22.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示模块进一步包括安装在所述柔性电路膜上的多个驱动元件,并且
其中,所述绝缘基底层包括穿过所述绝缘基底层形成并且被配置为暴露所述驱动元件的至少一个开口。
23.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述绝缘基底层包括用于所述柔性电路膜和所述保护带的对齐的至少一个对齐孔,所述至少一个对齐孔穿过所述绝缘基底层形成。
24.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绝缘基底层包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚碳酸酯中的至少一种。
25.根据权利要求24所述的显示装置,其中,所述台阶层与所述绝缘基底层包含相同的材料。
26.根据权利要求1至25中任一项所述的显示装置,其中,所述保护带在所述第一区域中比在所述第二区域中具有更大的厚度。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20210072965 | 2021-06-04 | ||
KR10-2021-0072965 | 2021-06-04 | ||
KR10-2021-0108782 | 2021-08-18 | ||
KR1020210108782A KR20220165167A (ko) | 2021-06-04 | 2021-08-18 | 표시 장치 및 이를 이용한 전자장치 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115440773A true CN115440773A (zh) | 2022-12-06 |
Family
ID=84240802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210624933.2A Pending CN115440773A (zh) | 2021-06-04 | 2022-06-02 | 显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220393136A1 (zh) |
CN (1) | CN115440773A (zh) |
-
2022
- 2022-04-05 US US17/713,238 patent/US20220393136A1/en active Pending
- 2022-06-02 CN CN202210624933.2A patent/CN115440773A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220393136A1 (en) | 2022-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11301071B2 (en) | Display device | |
EP3623918B1 (en) | Display devices | |
EP4177719A1 (en) | Display device | |
KR102405117B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
EP3819983A1 (en) | Electronic device | |
US11209874B2 (en) | Display device | |
US11502280B2 (en) | Display device | |
CN112447928A (zh) | 显示装置 | |
EP3916528A1 (en) | Display device | |
US20220109028A1 (en) | Display device | |
CN115440773A (zh) | 显示装置 | |
KR20210090754A (ko) | 표시장치 | |
US20230016234A1 (en) | Display device | |
KR20220165167A (ko) | 표시 장치 및 이를 이용한 전자장치 제조방법 | |
KR20200031001A (ko) | 표시장치 | |
US20240184408A1 (en) | Display device | |
US11934619B2 (en) | Display device and method for manufacturing same | |
US20230057306A1 (en) | Display device | |
KR20230036599A (ko) | 표시장치 및 이를 이용한 전자장치 제조방법 | |
KR20230010150A (ko) | 표시 장치 | |
CN117423717A (zh) | 显示装置和制造该显示装置的方法 | |
KR20220144429A (ko) | 표시장치 | |
CN115776833A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |