CN115437061B - 一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备 - Google Patents

一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备 Download PDF

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Abstract

本说明书公开了一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备。该光栅耦合器包括：波导层以及埋氧层，埋氧层设置在波导层下方，埋氧层中设置有第一反射装置，波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端，第二波导中设置有第二反射装置；第一波导用于引导目标光线射入光栅，第一反射装置用于将光栅垂直向下衍射的光线反射给光栅，第二反射装置用于将透过光栅的光线反射给光栅，光栅用于将目标光线、第一反射装置反射的光线以及第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射。

Description

一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备
技术领域
本说明书涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备。
背景技术
光栅耦合器作为一种重要的光耦合器件，在诸如通信、计算、传感、成像等领域得到了广泛的应用，光栅耦合器可以利用光栅的衍射效应进行耦合，对于不同阶数的衍射，由于光的衍射方向不同，因此可以通过光栅耦合器将光耦合到其他方向的器件中。
然而，目前的光栅耦合器只能衍射出高斯光束，并且最终衍射出的光线的光照强度分布十分不均匀，无法应用在诸如生物成像、激光加工等对光强分布要求较高的领域中。
因此，如何使经过衍射的光线更加均匀，满足一些对光强分布要求较高的场景的需要，是一个亟待解决的问题。
发明内容
本说明书提供一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备，以部分的解决现有技术存在的上述问题。
本说明书采用下述技术方案：
本说明书提供了一种光栅耦合器，包括：波导层以及埋氧层；
所述埋氧层设置在所述波导层下方，所述埋氧层中设置有第一反射装置；
所述波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，所述第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端，所述第二波导中设置有第二反射装置；
所述第一波导用于引导目标光线射入所述光栅；
所述第一反射装置用于将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，所述第二反射装置用于将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，所述光栅用于将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射。
可选地，所述光栅耦合器包括：上包层和底层；
所述上包层为透明结构，设置在所述波导层上方，用于将所述光栅垂直向上衍射的光线透过所述上包层输入指定器件；
所述底层设置在所述埋氧层下方，所述底层的材料包括：硅。
可选地，所述第二反射装置反射面的面积不小于所述光栅的栅区的面积。
可选地，所述光栅中每个刻痕对应的刻蚀深度、占空比以及刻蚀周期相同。
本说明书提供了一种光栅耦合器的仿真制造方法，在仿真环境中制造出的光栅耦合器中设置有：波导层以及埋氧层，所述埋氧层设置在所述波导层下方，所述埋氧层中设置有第一反射装置，所述波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，包括：
在仿真环境中，将目标光线输入所述光栅耦合器，通过所述第一波导引导所述目标光线射入所述光栅，以及，通过所述第二波导中设置的第二反射装置，将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，通过所述第一反射装置，将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，以使所述光栅将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，得到衍射光线；
监测所述衍射光线所生成的电场对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位；
根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距目标离，作为第二目标距离；
根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，对上述光栅耦合器进行仿真制造。
可选地，根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距目标离，作为第二目标距离，具体包括：
确定所述电场强度的最大值和最小值之间的偏差，作为第一偏差，以及，确定所述相位的最大值和最小值之间的偏差，作为第二偏差；
以最小化所述第一偏差和第二偏差的乘积为目标，对所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的距离进行调整，以确定所述第一目标距离，以及，对所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距离进行调整，以确定所述第二目标距离。
可选地，根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，确定所述光栅耦合器的制造参数，具体包括：
以最小化所述第二偏差为目标，对所述光栅中每个刻痕对应的刻蚀参数进行调整，得到目标刻蚀参数；
根据所述第一目标距离、所述第二目标距离以及所述目标刻蚀参数，对所述光栅耦合器进行仿真制造。
本说明书提供了一种光栅耦合器的仿真制造装置，包括：
输入模块，在仿真环境中，将目标光线输入所述光栅耦合器，通过所述第一波导引导所述目标光线射入所述光栅，以及，通过所述第二波导中设置的第二反射装置，将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，通过所述第一反射装置，将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，以使所述光栅将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，得到衍射光线；
监测模块，监测所述衍射光线所生成的电场对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位；
确定模块，根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距目标离，作为第二目标距离；
仿真模块，根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，对上述光栅耦合器进行仿真制造。
本说明书提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述光栅耦合器的仿真制造方法。
本说明书提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述光栅耦合器的仿真制造方法。
本说明书采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本说明书提供的光栅耦合器包括：波导层以及埋氧层，埋氧层设置在波导层下方，埋氧层中设置有第一反射装置，波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端，第二波导中设置有第二反射装置，第一波导用于引导目标光线射入光栅，第一反射装置用于将光栅垂直向下衍射的光线反射给光栅，第二反射装置用于将透过光栅的光线反射给光栅，光栅用于将目标光线、第一反射装置反射的光线以及第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射。
从上述方法可以看出，本说明书提供的光栅耦合器能够通过两个方向的反射装置将溢出的光线反射回光栅，以使光栅重新对反射回的光线进行衍射，而目前传统的光栅耦合器所衍射出的光线的光照强度会由中心向四周减弱，相比于传统的光栅耦合器，本说明书提供的光栅耦合器能够使衍射出的光线更加均匀，从而能够适用于对光强分布要求较高的领域。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本说明书的进一步理解，构成本说明书的一部分，本说明书的示意性实施例及其说明用于解释本说明书，并不构成对本说明书的不当限定。在附图中：
图1为本说明书中提供的一种光栅耦合器示意图；
图2为本说明书中提供的一种光栅耦合器的仿真制造方法的流程示意图；
图3为本说明书中提供的一种第一偏差和第二偏差的乘积与第一反射装置和光栅的栅区之间距离的对应关系示意图；
图4为本说明书中提供的一种第一偏差和第二偏差的乘积与第二反射装置和光栅的栅区之间距离的对应关系示意图；
图5为本说明书中提供的一种电场强度分布曲线示意图；
图6为本说明书中提供的一种衍射光线相位分布曲线示意图；
图7为本说明书中提供的一种光栅耦合器的仿真制造装置示意图；
图8为本说明书中提供的一种对应于图2的电子设备示意图。
具体实施方式
为使本说明书的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本说明书具体实施例及相应的附图对本说明书技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本说明书一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本说明书中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本说明书保护的范围。
以下结合附图，详细说明本说明书各实施例提供的技术方案。
图1为本说明书中提供的一种光栅耦合器示意图，该光栅耦合器包括：上包层、波导层、埋氧层以及底层。
其中，上包层覆盖在波导层上方，其材料可以为透明的二氧化硅（
Figure 698681DEST_PATH_IMAGE001
），从而为 波导层提供保护（如防止波导层的材料被氧化）。由波导层衍射出的光线可以透过上包层输 入下游的指定器件（如光纤、成像器件等）。
波导层包括：光栅（图1波导层中的齿状部分即为该光栅的栅区）、第一波导以及第二波导。
第一波导与第二波导分别连接在光栅的栅区两端（图1波导层中光栅的栅区左侧设置有第一波导，光栅的栅区右侧设置有第二波导），第一波导用于引导输入的目标光线射入光栅。在本说明书中，该目标光线可以是基模模式的光源所发射出的高斯光线。
第二波导中设置有第二反射装置，第二反射装置用于将透过光栅没有被其衍射的光线重新反射给光栅。需要说明的是，该反射装置反射面的面积要大于光栅透光面的面积，以保证将所有透过光栅的光线发射给光栅。
第二反射装置与光栅的栅区之间的第二标准距离D2可以设置为0.53μm，该第二标准距离的确定方法将在下文进行详细的描述，本说明书在此处不做过多赘述。
另外，波导层的材料可以为硅或氮化硅，当然，也可以为其他半导体材料，本说明书对此不做具体限定。
埋氧层位于波导层下方，其材料可以与上包层的材料相同（即
Figure 84663DEST_PATH_IMAGE002
），埋氧层中设 置有第一反射装置，第一反射装置用于将光栅垂直向下衍射的光线重新反射回光栅，该反 射装置反射面的面积大于或等于光栅的栅区的面积，以保证将光栅垂直向下衍射的所有光 线重新反射给光栅。
这样一来，当第一波导引导目标光线射入光栅后，光栅能够将该目标光线、第一反射装置反射的光线以及第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，并透过上包层输入下游器件。
另外，第二反射装置与光栅之间的距离D1可以设置为0.7μm，该第二标准距离的确定方法将在下文进行详细的描述，本说明书在此处不做过多赘述。
由于金属反射镜的反射谱宽较大，反射性能更为优越，因此本说明书中的第一反射装置和第二反射装置可以为金属反射镜，当然，也可以为其他材质的反射镜，本说明书对此不做具体限定。
另外，为了保证光栅衍射出的均匀的光线，光栅中的每个刻痕对应的刻蚀深度、占空比以及刻蚀周期可以是相同的。在本说明书中，每个刻痕对应的刻蚀深度可以为70nm，每个刻痕的刻蚀周期可以为0.57μm，每个刻痕的占空比可以为0.5。关于每个刻痕的刻蚀深度、刻蚀周期以及占空比的确定过程将在下文进行详细描述，在此处不做过多赘述。
另外，该光栅耦合器还包含有底层，该底层的材质可以为硅，用于将光栅耦合器连接在相应的元器件上（如电路板）。
图2为本说明书中提供的一种光栅耦合器的仿真制造方法的流程示意图，包括以下步骤：
S201：在仿真环境中，将目标光线输入所述光栅耦合器，通过所述第一波导引导所述目标光线射入所述光栅，以及，通过所述第二波导中设置的第二反射装置，将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，通过所述第一反射装置，将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，以使所述光栅将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，得到衍射光线。
在制造光栅耦合器之前，需要先在仿真环境中对该光栅耦合器进行仿真制造，以及对其制造参数进行确定，从而使实际制造出的光栅耦合器所衍射出的光线更加均匀，达到最佳的衍射效果。因此，需要在仿真环境中对该光栅耦合器进行仿真制造。
其中，本说明书中用于执行光栅耦合器参数的确定方法的执行主体可以为仿真系统的服务器，当然，也可以为仿真软件的客户端或者仿真系统本身，为了便于描述，本说明书仅以服务器为例，对本说明书提供的光栅耦合器的仿真制造方法进行说明。
在本说明书中，服务器可以通过时域有限差分(Finite Difference TimeDomainmethod， FDTD)的方法在仿真环境中建立光栅耦合器模型，服务器可以将仿真光线的波长为1550nm，上包层的厚度设置为3μm，波导层的厚度设置为220nm，埋氧层的厚度设置为3μm，以及将光光栅中每个刻痕的刻蚀深度设置为70nm，刻蚀周期数设置为15。
S202：监测所述衍射光线所生成的电场对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位；
服务器可以在距离光栅的栅区正上方2.5μm处设置功率监视器，基模模式光源发射的目标光线从光栅耦合器的左侧输入，在第一波导的引导下射入光栅。
此时服务器可以在仿真环境中，通过上述功率监视器对光栅衍射出的衍射光线所生成电场的电场强度A（x）以及相位B（x）进行监测，并计算电场强度的最大值与最小值之间的第一偏差ΔA,计算相位的最大值与最小值之间的第二偏差ΔB。
S203：根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距目标离，作为第二目标距离。
S204：根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，对所述光栅耦合器进行仿真制造。
在实际应用中，衍射光线所生成的电场的电场强度变化越小，以及相位变化越小，则输出的衍射光线越均匀，因此服务器可以在仿真环境中对第一反射装置与光栅的栅区之间的距离进行调整，使得第一偏差和第二偏差的乘积ΔA*ΔB最小，从而确定出ΔA*ΔB取得最小值时，第一反射装置与光栅的栅区之间的第一目标距离，ΔA*ΔB的取值与第一反射装置与光栅的栅区之间的距离D1之间的对应关系如图3所示。
图3为本说明书中提供的一种第一偏差和第二偏差的乘积与第一反射装置和光栅的栅区之间距离的对应关系示意图。
从图中可知，ΔA*ΔB最小时D1的值为0.7μm，说明当第一反射装置和光栅的栅区之间距离为0.7μm时光栅衍射出的衍射光线更加均匀，因此可以确定第一目标距离为0.7μm。
此外，服务器还可以在仿真环境中对第二反射装置与光栅的栅区之间的距离进行调整，使得ΔA*ΔB最小，从而确定出ΔA*ΔB取得最小值时，第二反射装置与光栅的栅区之间的第二目标距离，ΔA*ΔB的取值与第二反射装置与光栅的栅区之间的距离D2之间的对应关系如图4所示。
图4为本说明书中提供的一种第一偏差和第二偏差的乘积与第二反射装置和光栅的栅区之间距离的对应关系示意图。
从图中可知，ΔA*ΔB最小时D2的值为0.53μm，说明当第二反射装置和光栅的栅区之间距离为0.53μm时光栅衍射出的衍射光线更加均匀，因此可以确定第二目标距离为0.53μm。
另外，服务器还可以在仿真环境中对光栅中每个刻痕对应的刻蚀参数进行调整，从而使相位的最大值与最小值之间的第二偏差ΔB最小。其中，该刻蚀参数可以包括：光栅的刻蚀深度、占空比以及周期中的至少一种。
经过仿真可以获得，ΔB最小时的光栅耦合器中光栅的周期以及占空比分别为0.57μm以及0.5。
在本说明书中，服务器可以先在仿真环境中对光栅中每个刻痕对应的刻蚀参数进行调整，从而得到ΔB取得最小值时的刻蚀参数，而后在该刻蚀参数的基础上进一步的分别对D2和D1进行调整，以确定出第二目标距离和第一目标距离。
当然，也可以先分别对D2和D1进行调整，而后在确定出的第二目标距离和第一目标距离的基础上，再对光栅中每个刻痕对应的刻蚀参数进行调整。
确定出上述刻蚀参数、第一目标距离以及第二目标距离后，服务器即可确定出本说明书提供的光栅耦合器的制造参数，并根据该制造参数对光栅耦合器进行仿真制造。
此外，服务器还可以将通过仿真获得的上述制造参数输入制造设备（如3D打印机等），以使制造设备根据上述制造参数对光栅耦合器进行制造。
从上述方法可以看出，本说明书中的光栅耦合器能够通过两个方向的反射装置将溢出的光线反射回光栅，以使光栅重新对反射回的光线进行衍射，而目前传统的光栅耦合器所衍射出的光线的光照强度会由中心向四周减弱，相比于传统的光栅耦合器，本说明书提供的光栅耦合器能够将输入的高斯光线衍射为更加均匀的准均匀光线，能够适用于诸如生物成像、激光加工等对光线的均匀程度要求严格的领域。
并且，不同于传统光栅耦合器实现的高斯型电场强度分布，所述准均匀光本说明书提供的光栅耦合器仿真所得输出电场强度在x=1μm至x=8μm区域具有相对均匀的强度分布，利用平顶光束理论模型中的超高斯光束进行拟合，拟合公式可以表示为：
Figure 800420DEST_PATH_IMAGE003
其中a,b,c,d为待定系数，在本方案中可以分别为0.25，4e-6，4.9e-6，6。拟合后的电场强度分布曲线如图5所示。
图5为本说明书中提供的一种电场强度分布曲线示意图。
其中，拟合结果显示拟合所得标准差（RMSE）为0.03，输出的衍射光线所生成电场的强度分布具有较好的平顶特性，输出的衍射光线更加均匀。
另外，对于衍射光线的相位分布如图6所示。
图6为本说明书中提供的一种衍射光线相位分布曲线示意图。
从该图中可以看出，输出的衍射光线对应的相位分布具有较好的平顶特性，输出的衍射光线更加均匀。
以上为本说明书的一个或多个实施光栅耦合器的仿真制造方法，基于同样的思路，本说明书还提供了相应的仿真制造装置，如图7所示。
图7为本说明书中提供的一种光栅耦合器的仿真制造装置示意图，包括：
输入模块701，在仿真环境中，将目标光线输入所述光栅耦合器，通过所述第一波导引导所述目标光线射入所述光栅，以及，通过所述第二波导中设置的第二反射装置，将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，通过所述第一反射装置，将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，以使所述光栅将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，得到衍射光线；
监测模块702，监测所述衍射光线所生成的电场对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位；
确定模块703，根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距目标离，作为第二目标距离；
仿真模块704，根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，对上述光栅耦合器进行仿真制造。
可选地，所述确定模块703具体用于，确定所述电场强度的最大值和最小值之间的偏差，作为第一偏差，以及，确定所述相位的最大值和最小值之间的偏差，作为第二偏差；以最小化所述第一偏差和第二偏差的乘积为目标，对所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的距离进行调整，以确定所述第一目标距离，以及，对所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距离进行调整，以确定所述第二目标距离。
可选地，所述仿真模块704具体用于，以最小化所述第二偏差为目标，对所述光栅中每个刻痕对应的刻蚀参数进行调整，得到目标刻蚀参数；根据所述第一目标距离、所述第二目标距离以及所述目标刻蚀参数，对所述光栅耦合器进行仿真制造。
本说明书还提供了一种计算机可读存储介质，该存储介质存储有计算机程序，计算机程序可用于执行上述图2提供的一种光栅耦合器的仿真制造方法。
本说明书还提供了图8所示的一种对应于图2的电子设备的示意结构图。如图8所述，在硬件层面，该电子设备包括处理器、内部总线、网络接口、内存以及非易失性存储器，当然还可能包括其他业务所需要的硬件。处理器从非易失性存储器中读取对应的计算机程序到内存中然后运行，以实现上述图2所述的光栅耦合器的仿真制造方法。当然，除了软件实现方式之外，本说明书并不排除其他实现方式，比如逻辑器件抑或软硬件结合的方式等等，也就是说以下处理流程的执行主体并不限定于各个逻辑单元，也可以是硬件或逻辑器件。
在本说明书中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本说明书的实施例而已，并不用于限制本说明书。对于本领域技术人员来说，本说明书可以有各种更改和变化。凡在本说明书的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本说明书的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种光栅耦合器，其特征在于，所述光栅耦合器包括：波导层以及埋氧层；
所述埋氧层设置在所述波导层下方，所述埋氧层中设置有第一反射装置；
所述波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，所述第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端，所述第二波导中设置有第二反射装置；
所述第一波导用于引导目标光线射入所述光栅；
所述第一反射装置用于将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，所述第二反射装置用于将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，所述光栅用于将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，其中，所述第一反射装置与所述栅区之间的距离为第一目标距离，所述第二反射装置与所述栅区之间的距离为第二目标距离，所述第一目标距离以及所述第二目标距离是在仿真环境中对所述光栅耦合器进行仿真制造时，根据所述光栅耦合器输出的衍射光线对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位进行确定的。
2.如权利要求1所述的光栅耦合器，其特征在于，所述光栅耦合器包括：上包层和底层；
所述上包层为透明结构，设置在所述波导层上方，用于将所述光栅垂直向上衍射的光线透过所述上包层输入指定器件；
所述底层设置在所述埋氧层下方，所述底层的材料包括：硅。
3.如权利要求1所述的光栅耦合器，其特征在于，所述第二反射装置反射面的面积不小于所述光栅的栅区的面积。
4.如权利要求1所述的光栅耦合器，其特征在于，所述光栅中每个刻痕对应的刻蚀深度、占空比以及刻蚀周期相同。
5.一种光栅耦合器的仿真制造方法，其特征在于，在仿真环境中制造出的光栅耦合器中设置有波导层以及埋氧层，所述埋氧层设置在所述波导层下方，所述埋氧层中设置有第一反射装置，所述波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，包括：
在仿真环境中，将目标光线输入所述光栅耦合器，通过所述第一波导引导所述目标光线射入所述光栅，以及，通过所述第二波导中设置的第二反射装置，将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，通过所述第一反射装置，将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，以使所述光栅将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，得到衍射光线；
监测所述衍射光线所生成的电场对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位；
根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第二目标距离；
根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，对上述权利要求1~4任一项所述的光栅耦合器进行仿真制造。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第二目标距离，具体包括：
确定所述电场强度的最大值和最小值之间的偏差，作为第一偏差，以及，确定所述相位的最大值和最小值之间的偏差，作为第二偏差；
以最小化所述第一偏差和第二偏差的乘积为目标，对所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的距离进行调整，以确定所述第一目标距离，以及，对所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的距离进行调整，以确定所述第二目标距离。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，确定所述光栅耦合器的制造参数，具体包括：
以最小化所述第二偏差为目标，对所述光栅中每个刻痕对应的刻蚀参数进行调整，得到目标刻蚀参数；
根据所述第一目标距离、所述第二目标距离以及所述目标刻蚀参数，对所述光栅耦合器进行仿真制造。
8.一种光栅耦合器的仿真制造装置，其特征在于，包括：
输入模块，在仿真环境中，将目标光线输入所述光栅耦合器，通过所述第一波导引导所述目标光线射入所述光栅，以及，通过所述第二波导中设置的第二反射装置，将透过所述光栅的光线反射给所述光栅，通过所述第一反射装置，将所述光栅垂直向下衍射的光线反射给所述光栅，以使所述光栅将所述目标光线、所述第一反射装置反射的光线以及所述第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射，得到衍射光线；
监测模块，监测所述衍射光线所生成的电场对应的电场强度以及所述衍射光线对应的相位；
确定模块，根据所述相位以及所述电场强度，确定所述第一反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第一目标距离，以及所述第二反射装置与所述光栅的栅区之间的目标距离，作为第二目标距离；
仿真模块，根据所述第一目标距离以及所述第二目标距离，对上述权利要求1~4任一项所述的光栅耦合器进行仿真制造。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述权利要求5~7任一项所述的方法。
10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现上述权利要求5~7任一项所述的方法。
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