CN115436778B - 一种芯片测试装置、测试系统及测试方法 - Google Patents

Abstract

一种芯片测试装置、测试系统及测试方法，芯片测试装置包括：电磁铁模组，包括多个倾斜磁极以及直接或间接绕设于所述倾斜磁极上的线圈，用于通过所述倾斜磁极对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场；磁探头，用于获取所述芯片测试位置的磁场信息；电探针，用于与所述待测芯片电连接，获取所述待测芯片的电性能反馈信息。本发明可以消除电磁铁磁滞的影响，克服因磁滞的存在导致计算难度大的问题，能够准确还原出芯片测试位置的磁场，从而可以准确地找出不合格产品，提高产品良率。

Description

一种芯片测试装置、测试系统及测试方法

技术领域

本发明属于半导体测试技术领域，尤其涉及一种芯片测试装置、测试系统及测试方法。

背景技术

由于制备工艺的原因，磁性芯片晶圆(wafer)在制备过程中容易引入各种缺陷，使得分布在晶圆上的裸片(Die)存在一些残次品。为提高出厂良品率，降低后续封测成本，一般需要对制作完成的晶圆进行性能测试，以提前将残次品剔除。

在对磁性芯片晶圆性能测试过程中，一般需要施加磁场。电磁铁是常用的磁场施加装置，但由于电磁铁本身存在磁滞，使得电磁铁上绕着的线圈的电流与实际磁场存在偏差，较难得到准确的磁场信息。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测量准确度高的芯片测试装置、测试系统及测试方法。

为了实现上述目的，本发明采取如下的技术解决方案：

一种芯片测试装置，包括：电磁铁模组，包括多个倾斜磁极以及直接或间接绕设于所述倾斜磁极上的线圈，用于通过所述倾斜磁极对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场；磁探头，用于获取所述芯片测试位置的磁场信息；电探针，用于与所述待测芯片电连接，获取所述待测芯片的电性能反馈信息。

如上所述的芯片测试装置，可选的，所述倾斜磁极的延伸方向和所述线圈的轴向倾斜相交，所述倾斜磁极的第一端延伸至所述线圈的下方，所述倾斜磁极的第二端向下向所述芯片测试位置延伸。

如上所述的芯片测试装置，可选的，所述电磁铁模组包括偶数个对称布置的倾斜磁极，各所述倾斜磁极的第二端均指向所述芯片测试位置的中心位置，且所述倾斜磁极的第二端之间形成有间隙结构；所述磁探头和所述芯片测试位置分别位于所述间隙结构的上下两侧；所述磁探头所检测的磁场值与所述芯片测试位置的磁场值呈线性关系。

如上所述的芯片测试装置，可选的，所述电磁铁模组包括4个所述倾斜磁极及4个线圈，4个所述线圈分别位于一正方形的四个角处；所述倾斜磁极向所述正方形的中心延伸。

如上所述的芯片测试装置，可选的，沿X轴方向排列的所述线圈中的电流方向相反，且沿Y轴方向排列的所述线圈中的电流方向相同时，所述磁场为X轴方向磁场；沿X轴方向排列的所述线圈中的电流方向相同，且沿Y轴方向排列的所述线圈中的电流方向相反时，所述磁场为Y轴方向磁场；所述线圈中的电流方向都相同时，所述磁场为Z轴方向磁场。

如上所述的芯片测试装置，可选的，所述芯片测试装置还包括：探针卡，所述电探针设置所述探针卡上，所述探针卡位于所述倾斜磁极和所述芯片测试位置之间，所述探针卡上设置有供所述倾斜磁极的第二端穿过的通孔；所述磁探头设置于所述探针卡上。

如上所述的芯片测试装置，可选的，所述芯片测试装置还包括承载所述电磁铁模组的支撑单元，所述支撑单元包括：顶板，所述线圈及所述倾斜磁极设置于所述顶板上；底板，所述底板上具有供所述倾斜磁极贯穿的贯穿口；连接所述顶板和所述底板的支撑柱；所述探针卡与所述底板相连。

本发明还提供了一种芯片测试系统，包括前述芯片测试装置以及放置待测芯片的芯片承载装置。

由以上技术方案可知，本发明的测试装置使用电磁铁对晶圆施加磁场，并在测试过程中可以通过磁探头实时测量电磁铁所产生的磁场，而不是通过电磁铁线圈中电流和磁场的关系来计算该磁场值，以消除电磁铁磁滞的影响，克服因磁滞的存在导致计算难度大的问题，能够准确还原出芯片测试位置的磁场，可用于磁传感器芯片等磁性芯片晶圆的测试。

本发明还提供了一种芯片测试方法，采用前述芯片测试装置，包括以下步骤：

获取磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系；

将待测芯片移动至芯片测试位置，使所述电探针与待测芯片电接触；

对位于所述芯片测试位置的待测芯片施加磁场，通过磁探头及所述对应关系确定所述芯片测试位置的磁场信息，通过电探针获取待测芯片的电性能反馈信息。

如上所述的芯片测试方法，可选的，获取磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系的步骤如下：

在芯片测试位置放置磁检测单元；

通过磁探头获取磁探头在线圈中通入不同电流时所检测的第一磁场信息；

通过磁检测单元获取磁检测单元在线圈中通入不同电流时所检测的第二磁场信息；

依据所述第一磁场信息与所述第二磁场信息，确定磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系。

由以上技术方案可知，本发明的测试方法使用电磁铁对晶圆施加磁场进行测试过程中使用磁探头实时测量电磁铁所产生的磁场，并根据磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系获取芯片测试位置的磁场值，而不是通过电磁铁线圈中电流和磁场的关系来计算该磁场值，以此消除电磁铁磁滞的影响，克服因磁滞的存在导致计算难度大的问题，能够准确还原出芯片测试位置的磁场。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例测试装置的结构示意图；

图2为本发明实施例测试装置的剖视图；

图3为本发明实施例测试装置的分解结构示意图。

图4为本发明实施例探针卡和电磁铁模组装配在一起的结构示意图；

图5为本发明实施例探针卡和电磁铁模组装配在一起的侧视图；

图6为本发明实施例探针卡和电磁铁模组装配在一起的仰视图；

图7为本发明实施例一种情况下电磁铁各线圈中的电流方向图；

图8为按照图7所示电流方向所产生的磁场示意图；

图9为本发明实施例另一种情况下电磁铁各线圈中的电流方向图；

图10为按照图9所示电流方向所产生的磁场示意图；

图11为本发明实施例又一种情况下电磁铁各线圈中的电流方向图；

图12为按照图11所示电流方向所产生的磁场示意图；

图13为本发明实施例测试装置测试时的原理框图；

图14为本发明实施例测试装置测试时的步骤流程图；

图15为本发明实施例芯片测试位置和磁探头位置的示意图；

图16为本发明实施例芯片测试位置和磁探头位置的磁场曲线图；

图17为本发明实施例芯片测试位置和磁探头位置的磁场值对应关系图；

以下结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细地说明。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的附图会不依一般比例做局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。需要说明的是，附图采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、清晰地辅助说明本发明实施例的目的。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量；术语“正”、“反”、“底”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

传统的用于磁传感器芯片等磁性芯片晶圆测试的测试装置使用永磁体来对晶圆施加磁场，但这种方式所能获取的磁滞特性参数不完整。后来在测试装置中使用电磁铁替代永磁体对晶圆施加磁场。理论上电磁铁线圈中的电流和磁场呈线性关系，因此可通过改变电流来控制电磁铁所产生的磁场，从而测试时能够获得被测样品的完整磁滞回线。但由于电磁铁本身存在磁滞，实际应用中电流和磁场并不是严格的线性关系，通过电流和磁场间的线性关系来计算磁场较难得到准确的磁场信息。

本发明通过在磁极尖端附近设置磁探头，测试过程中，通过磁探头检测磁场信息，并根据磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息间的对应关系，来确定芯片测试位置的磁场，以解决因电磁铁本身存在磁滞而导致的磁场检测不准确的问题。

参照图1、图2和图3，本实施例的芯片测试装置包括电磁铁模组1、探针卡2、电磁铁模组外壳3及磁探头(未图示)，电磁铁模组1用于通过倾斜磁极对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场；磁探头用于获取芯片测试位置的磁场信息；电探针用于与待测芯片电连接，获取待测芯片的电性能反馈信息。电磁铁模组1和探针卡2设置于电磁铁模组外壳3上，测试时将晶圆放置于电磁铁模组外壳3的下方。

需要说明的是，电磁铁模组外壳3起到固定电磁组模组1和探针卡2的作用，在一些实施例中可以省去，探针卡2可直接与电磁铁模组1连接。测试的晶圆可以是1个或多个。通常情况下，一个晶圆上形成有多个芯片，通过切割后可以得到独立的芯片。本发明在对晶圆进行测试时，实际上是对晶圆上的各个芯片进行测试，以剔除不合格的芯片残次品。测试时，晶圆上的待测芯片位于芯片测试位置。

在一些实施例中，可以设置用于放置晶圆100的样品承载台(未图示)，样品承载台可在竖直方向上移动，从而带着位于其上的晶圆100靠近或离开探针卡2。探针卡2上设置有可与样品承载台上的晶圆100相接触的电探针(未图示)；测试时，探针卡2上的电探针和晶圆100上的触点，如引脚、焊盘等电连接，获取待测芯片的电流、电压或电阻等电性能反馈信息。

结合图1至图6，本实施例的电磁铁模组1包括支撑单元1-1、倾斜磁极1-2及线圈1-3。电磁铁模组1通过倾斜磁极1-2对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场。支撑单元1-1用于承载电磁铁模组1，倾斜磁极1-2及线圈1-3安装于支撑单元1-1上，本实施例的支撑单元1-1包括底板1-1a、支撑柱1-1b及顶板1-1c，支撑柱1-1b用于连接顶板1-1c和底板1-1a。线圈1-3和倾斜磁极1-2通过螺纹紧固件安装在顶板1-1c上，顶板1-1c通过螺纹紧固件和支撑柱1-1b相固定，线圈1-3被固定在底板1-1a和顶板1-1c之间。本实施例的底板1-1a和顶板1-1c均可呈回字形结构，倾斜磁极1-2穿过回字形结构的底板1-1a上的贯穿口，倾斜向下延伸。倾斜磁极1-2有多个，线圈1-3的数量和倾斜磁极1-2的数量相对应，线圈1-3可直接或间接绕设于倾斜磁极1-2上。为了增强磁场，本实施例在线圈1-3内设置了柱形的磁芯(未图示)，磁芯可采用DT4、铁氧体等导磁材料制备，线圈1-3绕在磁芯外围。倾斜磁极1-2的第一端与磁芯相连，第二端(磁极的尖端)斜向下向芯片测试位)延伸。倾斜磁极1-2也可采用DT4、铁氧体等导磁材料制备。在一些实施例中倾斜磁极1-2和磁芯可为一体成型结构。本实施例的倾斜磁极1-2从线圈1-3(磁芯)的底部斜向下延伸，倾斜磁极1-2的延伸方向和线圈1-3的轴向倾斜相交，倾斜磁极1-2的第一端延伸至线圈1-3的下方，第二端向下延伸向芯片测试位置。电磁铁模组1包括偶数个对称布置的倾斜磁极1-2。本实施例的电磁铁模组1具有4个中心对称布置的线圈1-3，每一个线圈1-3的磁芯均与一个磁极1-2相连，4个磁极1-2同样以中心对称的形式布置，4个磁极1-2的第二端间隔相对，并指向芯片测试位置的中心位置，倾斜磁极1-2的第二端之间形成间隙结构。

本实施例的探针卡2设置于电磁铁模组1的下方，探针卡2上设置有用于和晶圆上的触点相接触的电探针(未图示)，电探针设置于探针卡2上的探针固定部2-1上。在探针卡2上设置有供倾斜磁极1-2的第二端穿过的通孔2-2，斜向下延伸的倾斜磁极1-2的第二端可穿过探针卡2上的通孔，向下伸出于探针卡2下方，如伸出于探针卡2下方1～2mm。本实施例的通孔2-2为一对V形孔，两个V型孔底部相对且对称布置，4个磁极1-2的自由端分别从两个V形孔穿过，探针固定部2-1位于V形孔底部。在其他的实施例中，通孔2-2也可以是一个X形孔，或者4个条形孔等，可以根据需求相应变化，这里不对通孔的形状进行限制。

电探针的位置可根据晶圆上触点的位置相应设置。本实施例2的探针卡2和底板1-1a相固定，可选的，在底板1-1a的底部设置有探针卡固定部1-1d，探针卡2通过螺纹紧固件安装于探针卡固定部1-1d上，可通过使用不同高度的探针卡固定部1-1d来调节探针卡2和底板1-1a之间的距离。磁探头位于倾斜磁极1-2的第二端附近，用于检测其所在位置的磁场，并进一步获取芯片测试位置的磁场信息。由于磁极尖端，也就是磁极的第二端的磁场强度最强，为了准确获得磁场信息，因此优选将磁探头设置于倾斜磁极1-2的第二端位置附近，磁探头的具体位置可根据需求相应设置，在此不作限定。本实施例的磁探头固定在探针卡2上。在其他的实施例中，磁探头也可以通过和支撑单元1-1相固定的支架安装于磁极1-2的自由端附近。本实施例的磁探头和芯片测试位置分别位于磁极第二端间的间隙结构的上下两侧，但在空间允许的情况下，磁探头也可以和芯片测试位置位于间隙结构的同侧。

本实施例对测试装置的结构进行了优化，将探针卡设置于电磁铁模块的下方，探针卡位于倾斜磁极和芯片测试位置之间，并在探针卡上设置通孔，配合斜向下设置的磁极，测试时，磁极的第二端可穿过探针卡上的通孔，缩短了磁极与晶圆间的距离，相比于采用水平延伸的磁极，水平磁极不利于缩短磁极的第二端和晶圆间的距离，测试时只能采用增大电流的方式来增大磁场，即增加了功耗，而且对电源功率要求较高，提高了成本，本实施例缩短了磁极与晶圆间的距离，无需通过增大电流来增加磁场强度，降低了成本。

本实施例的电磁铁模组外壳3设置有一向下凹陷的凹槽3a，电磁铁模组1和探针卡2设置于凹槽3a内，通过螺纹紧固件和电磁铁模组外壳3相固定。凹槽3a的底部设置有一长条形的镂空3b，探针卡2上的电探针可穿过该镂空3b，和样品承载台上的晶圆100相接触。测试时，将晶圆100放置于电磁铁模组外壳3下方进行测试。本实施例的倾斜磁极1-2的第二端和电磁铁模组外壳3的底面位于同一水平高度，由此可以尽量缩减磁极和晶圆间的距离，在不加大驱动电流/电压的情况下，增大测试时晶圆处的磁场，同时也有利于实现待圆移送到芯片测试位置的自动化操作，磁极不会碰伤晶圆。

通过改变线圈中的电流方向，可对晶圆施加不同轴向的磁场。本实施例的4个线圈以中心对称的方式设置，4个线圈分别位于一正方形的四个角处，倾斜磁极向正方形的中心延伸，延伸方向为正方形的对角线方向。以图7所示方向为例，当四个线圈中，在横向(Y轴方向)上排列的两个线圈的电流方向相同，在纵向(X轴方向)上排列的两个线圈的电流方向相反时，可以得到如图8所示的X轴方向磁场。以图9所示方向为例，当四个线圈中，在横向(Y轴方向)上排列的两个线圈的电流方向相反，在纵向(X轴方向)上排列的两个线圈的电流方向相同时，可以得到如图10所示的Y轴方向磁场。以图11所示方向为例，当四个线圈中的电流方向都相同时，可以得到如图12所示的Z轴方向磁场。

下面结合图13、图14和图15对本发明测试装置的测试原理及方法进行说明。本发明在磁极第二端附近设置磁探头，磁探头用于在测试过程中检测磁探头所在位置(图15中的point2处)的磁场，以间接获取芯片测试位置的磁场。磁探头可采用基于TMR单元的磁传感器，也可以采用高斯计等。优选采用TMR磁传感器，精度高、磁场探测范围大，且本身无磁滞，有利于提高测试准确度。高斯计探头体积较大，安装较为困难。

以测试磁传感器芯片为例，测试时晶圆位于倾斜磁极第二端的下方，如图15中的point1所在位置处。如图13所示，外部的测试机与测试装置电连接，测试机为测试装置供电，并控制测试装置对晶圆进行测试，采集并记录磁探头以及晶圆上磁传感器芯片(磁性芯片)的输出。测试机的驱动模块用于驱动电磁铁产生相应的磁场，磁探头检测自身所在位置处电磁铁产生的磁场，测试机的采集模块采集磁探头的输出以及晶圆上磁传感器芯片的输出。测试机的控制模块用于控制驱动模块、采集模块及样品承载台的动作。

如图14所示，测试开始后，测试机向样品承载台发送信号，通知样品承载台将晶圆送至探针卡下方，将磁传感芯片(待测芯片)移动至芯片测试位置，使电探针与磁传感芯片电接触；然后判断探针和晶圆(磁传感器芯片的触点)是否接触，如果是，则根据设定值输出电磁铁驱动电压/电流，使电磁铁产生磁场，对位于芯片测试位置的磁传感芯片施加磁场；然后采集磁探头的输出，并获取对应的磁场检测值，即通过磁探头获取其所在位置的磁场值等磁场信息；通过电探针获取磁传感芯片的电性能反馈信息，采集并记录晶圆上磁传感芯片的输出，为了保证测试的准确性，测试机应在采集磁探头的输出后延迟小于1ms的时间内采集晶圆上磁传感芯片的输出；当晶圆上所有的磁传感器芯片均完成采集后，根据磁探头检测获得的磁场值等磁场信息，以及磁探头所在位置的磁场值(磁探头所在位置的磁场值即为磁探头所检测的磁场信息)和芯片测试位置的磁场值的线性对应关系，计算出芯片测试位置的磁场值。然后再根据计算得到的芯片测试位置的磁场值和晶圆上磁传感器芯片的输出，计算待测芯片(样品)的磁滞参数，根据计算得到的磁滞参数即可判断芯片是否合格。比如，可以通过线性对应关系计算出芯片测试位置的磁场值后，以计算得到的值芯片测试位置的磁场值作为横坐标，以被测芯片的输出作为纵坐标作图，取两根曲线的Y轴差值最大值，再除最大输出得到磁滞参数。根据磁场值计算磁滞参数是本领域的公知常识，有不同的方法，不是发明的创新之处，在此不做赘述。

当线圈中电流的大小改变时，point1(芯片测试位置)和point2(磁探头所在位置)两个位置处的磁场也会相应改变，如图16所示。线圈中通入不同电流的情况下这两个位置的磁场大小具有如图17所示的线性对应关系。该线性对应关系(磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系)可以在正式测试前，通过设置在这两个位置的磁探头等磁检测单元检测出的不同电流下的磁场值(磁场信息)拟合得到。以图15所示位置为例，在线圈中通入不同的电流，通过位于point2位置处和point1位置处的磁探头分别获取point2位置处的磁场值(第一磁场信息)和point1位置处的磁场值(第二磁场信息)，依据两个位置测得的磁场值确定磁探头所检测的磁场值与芯片测试位置的磁场值的线性对应关系，得到这两个位置的磁场值对应关系后，在测试过程中，只要根据point2位置处的磁探头得到的磁场值，就可以计算出point1位置处的磁场值，然后根据计算得到的point1位置处的磁场值和位于point2位置处的晶圆上磁传感芯片的输出值，计算样品的磁滞参数，如果计算得到的磁滞参数在阈值范围内，即认为是合格品，否则为不良品，从而实现对待测芯片的测试。

使用本发明的芯片测试装置进行芯片测试的步骤如下：

获取磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系；

将待测芯片移动至芯片测试位置，使电探针与待测芯片电接触；

对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场，通过磁探头及磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系确定芯片测试位置的磁场信息，通过电探针获取待测芯片的电性能反馈信息。

具体可通过以下步骤获取磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系：

在芯片测试位置放置磁探头、磁传感器等磁检测单元；

通过磁探头获取磁探头在线圈中通入不同电流时所检测的第一磁场信息；

通过磁检测单元获取磁检测单元在线圈中通入不同电流时所检测的第二磁场信息；

依据第一磁场信息与第二磁场信息，确定磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系。

本发明在测试过程中使用磁探头实时测量电磁铁所产生的磁场，然后根据磁探头所在位置的磁场值和芯片测试位置的磁场值之间的对应关系(亦即磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系)计算芯片测试位置的磁场值，和现有技术通过电磁铁线圈中电流和磁场的关系来计算磁场值的方式相比，可以消除电磁铁磁滞的影响，准确还原出芯片测试位置的磁场，从而可以准确地找出不合格产品，提高产品良率。此外，本实施例将探针卡设置于电磁铁模块的下方，并在探针卡上设置通孔，配合斜向下设置的磁极，测试时，磁极的第二端可穿过探针卡上的通孔，缩短了磁极与晶圆间的距离，无需通过增大电流来增加磁场强度，降低了成本。

本发明还提供了一种芯片测试系统，包括芯片测试装置以及放置待测芯片的芯片承载装置。芯片测试系统所带来的技术效果和前述芯片测试装置的技术效果相同或类似，具体参照芯片测试装置实施例。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽范围。

Claims (5)

1.一种芯片测试装置，其特征在于，包括：

电磁铁模组，包括多个倾斜磁极以及直接或间接绕设于所述倾斜磁极上的线圈，用于通过所述倾斜磁极对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场；所述倾斜磁极的延伸方向和所述线圈的轴向倾斜相交，所述倾斜磁极的第一端延伸至所述线圈的下方，所述倾斜磁极的第二端向下向所述芯片测试位置延伸；

磁探头，用于获取所述芯片测试位置的磁场信息；所述磁探头所检测的磁场值与所述芯片测试位置的磁场值呈线性关系；

电探针，用于与所述待测芯片电连接，获取所述待测芯片的电性能反馈信息；

探针卡，所述电探针设置所述探针卡上，所述探针卡位于所述倾斜磁极和所述芯片测试位置之间，所述探针卡上设置有供所述倾斜磁极的第二端穿过的通孔；所述磁探头设置于所述探针卡上；

其中，所述电磁铁模组包括4个所述倾斜磁极及4个线圈，4个所述线圈分别位于一正方形的四个角处；所述倾斜磁极向所述正方形的中心延伸；各所述倾斜磁极的第二端均指向所述芯片测试位置的中心位置，且所述倾斜磁极的第二端之间形成有间隙结构；所述磁探头和所述芯片测试位置分别位于所述间隙结构的上下两侧；

沿X轴方向排列的所述线圈中的电流方向相反，且沿Y轴方向排列的所述线圈中的电流方向相同时，所述磁场为X轴方向磁场；

沿X轴方向排列的所述线圈中的电流方向相同，且沿Y轴方向排列的所述线圈中的电流方向相反时，所述磁场为Y轴方向磁场；

所述线圈中的电流方向都相同时，所述磁场为Z轴方向磁场。

2.如权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括承载所述电磁铁模组的支撑单元，所述支撑单元包括：

顶板，所述线圈及所述倾斜磁极设置于所述顶板上；

底板，所述底板上具有供所述倾斜磁极贯穿的贯穿口；

连接所述顶板和所述底板的支撑柱；

所述探针卡与所述底板相连。

3.一种芯片测试系统，其特征在于，包括权利要求1或2所述的芯片测试装置以及放置待测芯片的芯片承载装置。

4.一种芯片测试方法，其特征在于，采用权利要求1或2所述的芯片测试装置，包括以下步骤：

获取磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系；

将待测芯片移动至芯片测试位置，使所述电探针与待测芯片电接触；

对位于所述芯片测试位置的待测芯片施加磁场，通过磁探头及所述对应关系确定所述芯片测试位置的磁场信息，通过电探针获取待测芯片的电性能反馈信息。

5.如权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于：

获取磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系的步骤如下：

在芯片测试位置放置磁检测单元；

通过磁探头获取磁探头在线圈中通入不同电流时所检测的第一磁场信息；

通过磁检测单元获取磁检测单元在线圈中通入不同电流时所检测的第二磁场信息；

依据所述第一磁场信息与所述第二磁场信息，确定磁探头所检测的磁场信息与芯片测试位置的磁场信息的对应关系。