CN115436771B - 一种结温测量电路及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种结温测量电路及系统，用于测量待测器件的结温，结温测量电路至少包括：钳位模块用于对结温测量电路的工作电压进行钳位控制，并对结温测量电路进行过流保护；限流模块用于对结温测量电路进行限流；第一电源用于给结温测量电路隔离供电；第一保护模块对第一电源进行保护；第二保护模块用于对钳位模块的第二端的进行稳压保护；第二电源用于给钳位模块供电；第三保护模块用于对钳位模块的第三端的电压进行保护。通过测量钳位模块的第二端与待测器件的第一测量点在测量脉冲结束时的电压，第一时间测量待测器件的结温，测量结果精确可靠。结构简单，操作简捷，具有广泛的适用性。

Description

一种结温测量电路及系统

技术领域

本发明涉及一种半导体设计与应用技术领域，特别是涉及一种结温测量电路及系统。

背景技术

在功率器件测试中，用结温测量来表征功率器件内部的热阻性能。常规稳态结温测量只代表了稳态条件下的热阻表现，这种情况的器件结温与芯片尺寸以及封装类型有关，而与功率器件内部结构关系不大。而瞬态结温与器件内部结构设置有关，瞬态结温测量对功率器件是否具备耐高温特性起举足轻重的作用，但是瞬态结温测量困难，测量结果精确度欠缺，这是因为在高能脉冲经过功率器件后，器件内部的热量迅速发散到周边，从而导致测量到的结温不是第一时间期望得到的瞬态结温，而是一个短时间内的平均结温，因此，现有的测量系统的响应速度制约了结温测量的准确性。

理论上，当给功率器件发射脉冲能量时，对功率器件测量结温是最理想的情况，但这种情况往往很难实现，因为脉冲能量通常伴随高电压及大电流，需要等待脉冲能量结束后再进行结温测量，因此，在脉冲能量结束的第一时间进行结温测量，时间间隔越短，测量的结果越准确。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种结温测量电路及系统，用于解决现有技术中结温测量系统响应速度过慢制约结温测量结果准确性的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种结温测量电路，所述结温测量电路至少包括：钳位模块、第一保护模块、第二保护模块、第三保护模块、限流模块、第一电源及第二电源，其中：

所述钳位模块的第一端与待测器件的第二测量点连接，用于对所述结温测量电路的工作电压进行钳位控制，并对所述结温测量电路进行过流保护；

所述限流模块与与所述钳位模块的第二端连接，用于对所述结温测量电路进行限流；

所述第一电源与所述限流模块连接，用于给所述结温测量电路隔离供电，在待测器件的测量脉冲结束时，通过测量所述第一电源给待测器件提供的电流表征待测器件的电压，获得待测器件的结温，其中，所述第一电源与所述限流模块的连接点接参考地；

所述第一保护模块连接于待测器件的第一测量点与所述限流模块之间，对所述第一电源进行保护；

所述第二保护模块连接于所述钳位模块的第二端与第三端之间，用于对所述钳位模块的第二端的进行稳压保护；

所述第二电源与所述钳位模块的第三端连接，用于给所述钳位模块供电；

所述第三保护模块连接与所述钳位模块的第三端与参考地之间，用于对所述钳位模块的第三端的电压进行保护。

可选地，所述钳位模块为碳化硅功率管，所述钳位模块的第一端为碳化硅功率管的漏极，第二端为碳化硅功率管的源极，第三端为碳化硅功率管的栅极，其中，所述碳化硅功率管的耐压阈值大于等于600V。

可选地，所述限流模块为第一电阻，所述第一电阻的阻值为1K欧姆。

可选地，所述第一电源包括5V直流电源与第一电容，其中，所述第一电容连接于5V直流电源与参考地之间，对5V直流电源的输出电压进行滤波。

可选地，所述第一保护模块包括第一二极管与第二电阻，其中，所述第一二极管的负极与第一测量点连接；所述第二电阻与所述第一二极管的正极连接，其中，所述第二电阻的阻值为1欧姆。

可选地，所述第二保护模块包括第二二极管，其中，所述第二二极管的负极与所述钳位模块的第二端连接，正极接参考地。

可选地，所述第三保护模块包括第三二极管及第二电容，其中，所述第三二极管的负极与所述钳位模块的第三端连接，正极接参考地；所述第二电容与所述第三二极管并联。

可选地，所述第二电源包括12V直流电源。

可选地，所述结温测量电路还包括第三电阻及第四电阻，其中，所述第三电阻连接于第二测量点与所述钳位模块的第一端之间，用于对所述结温测量电路进行过载保护，其中，所述第三电阻的阻值为10欧姆；所述第四电阻连接于所述第二电源与所述钳位模块的第三端之间，用于对所述第二电源进行保护，其中，所述第四电阻的阻值为100欧姆。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种结温测量系统，所述结温测量系统至少包括：待测器件、测量设备及所述结温测量电路，其中：

所述结温测量电路连接于所述待测器件的第一测量点与第二测量点之间，对所述待测器件进行结温测量；

所述测量设备连接于所述待测器件的第一测量点与所述结温测量电路之间，通过测量所述结温测量电路中的电压，获取所述待测器件的结温。

可选地，所述待测器件为功率管或二极管；所述测量设备为示波器或频谱仪。

如上所述，本发明的一种结温测量电路及系统，具有以下有益效果：

1)本发明的结温测量电路及系统，能够在待测器件的测量脉冲结束时，通过测量钳位模块的第二端与待测器件的第一测量点在测量脉冲结束时的电压，第一时间测量待测器件的结温，测量结果精确可靠。

2)本发明的结温测量电路及系统，结构简单，操作简捷，具有广泛的适用性。

附图说明

图1显示为本发明的结温测量电路示意图。

图2显示为本发明的结温测量系统结构示意图。

附图标记说明

1 结温测量电路

11 钳位模块

12 第一电源

13 第一保护模块

14 第二保护模块

15 第三保护模块

16 第二电源

17 限流模块

2 待测器件

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1及图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，本实施例提供一种结温测量电路1，用于测量待测器件的结温，所述结温测量电路1至少包括：钳位模块11、第一保护模块13、第二保护模块14、第三保护模块15、限流模块17、第一电源12及第二电源16，其中：

如图1所示，钳位模块11的第一端与待测器件的第二测量点J2连接，用于对所述结温测量电路1的工作电压进行钳位控制，并对所述结温测量电路1进行过流保护。

具体地，作为示例，如图1所示，钳位模块11为碳化硅功率管Q1，钳位模块11的第一端为碳化硅功率管Q1的漏极，第二端为碳化硅功率管Q1的源极，第三端为碳化硅功率管Q1的栅极，其中，碳化硅功率管Q1的耐压阈值大于等于600V。需要说明的是，碳化硅是由碳元素和硅元素组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。碳原子和硅原子不同的结合方式使碳化硅具有多种晶格结构，例如4H、6H、3C等。进一步地，晶格表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格，又称为晶架，晶体内部的原子按照一定的几何规律进行排列，把原子看成一个球体，利用假想的线条，将晶体中各原子的中心线连接起来，形成一个空间格子，用于描述原子在晶体中规则排列方式的空间集合图形成为晶格。

选择碳原子(也可以选择硅原子)形成最紧密的堆积层，叫做A层。这时候会有两种位置放置下一层硅原子，上三角形的B位置或者下三角形的C位置。如果硅原子填在B位置上，就把下一层叫做B层；如果填在C位置上，就把下一层叫做C层。因此，晶格结构为4H的碳化硅，对应的ABAC型；晶圆结构为6H的碳化硅，对应的ABCACB型；晶圆结构为3C的碳化硅，对应的ABC型。

作为示例，晶格结构为4H的碳化硅具有较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，4H的碳化硅常被用来做功率器件。碳化硅器件相较于硅器件具有三方面的优势：①降低电能转换过程中的能量损耗；②更容易实现小型化；③更耐高温和高于。根据应用可知，碳化硅元件的绝缘击穿电压比硅元件的绝缘击穿电压高10倍以上，碳化硅功率管通常可耐600V～数千V的高压，跟硅元件相比，碳化硅元件可提高杂质浓度，使膜厚的漂移层变薄，而高耐压器元件的电阻成分大多是漂移层的电阻，而阻值又与漂移层的厚度呈正比例关系，因为碳化硅的漂移层较薄，所以可以制作单位面积的导通电阻非常低的耐高压元件。理论上，如果耐压相同，与硅元件相比，碳化硅的单位面积漂移层可低至1/300，甚至更低。又因为碳化硅的带隙是硅的3倍，因此碳化硅能够在更高温度下工作，随着封装技术的发展，碳化硅的工作温度能够达到200℃以上。

在本实施例中，钳位模块11采用碳化硅功率管Q1，即使第一测量点J1与第二测量点J2之间施加600V以上的电压，例如施加1000V或3300V或6600V，甚至超过6600V的电压，碳化硅功率管的栅极的驱动电压仍然被钳位在十几V，例如12V，碳化硅功率管Q1导通阈值约为3V，则碳化硅功率管Q1的源极电压为9V，即钳位模块11第二端的电压为9V，通过第一时间测量钳位模块11第二端与第一测量点J1在测量脉冲结束时的电压，进而得到待测器件的结温。

需要补充说明的是，钳位模块11采用碳化硅功率管Q1，利用了碳化硅功率管本身SOA性能强的特点，SOA为Safe operating area的缩写，即安全工作区，是由电压与电流的坐标点形成的一个二维区域，器件正常工作时的电压和电流都不会超过安全工作区，简单地讲，只要器件工作在安全工作区就是安全的，超出安全工作区就存在危险。碳化硅功率管Q1的SOA性能强，能够在测量脉冲下，尤其是高能测量脉冲下(第一测量点J1与第二测量点J2之间的电压超过600V)仍然保证碳化硅功率管Q1是安全的，从而保证结温测量电路1是安全的，因为结温测量的电流通常只有几个毫安，最大不会超过几十个毫安，而碳化硅功率管Q1最大可以导通500毫安的电流，因此，结温测量的使用场景在安全工作区的范围之内，这是进行结温测量的前提。

需要进一步补充说明的是，钳位模块11包括但不限于碳化硅功率管，只要能对结温测量电路1的工作电压进行钳位控制，并对结温测量电路1进行过流保护，任意钳位模块11的设置均适用，并不以本实施例为限。

如图1所示，限流模块17与与钳位模块11的第二端连接，用于对所述结温测量电路进行限流。

具体地，作为示例，如图1所示，限流模块17为第一电阻R1，第一电阻R1的阻值为1K欧姆。需要说明的是，钳位模块11的第二端电压，即碳化硅功率管Q1的源极电压为9V，如果第一电阻R1的阻值为1K欧姆，则钳位模块11的电流为9毫安，当测量脉冲结束时，结温测量电路1在第一电源12中5V直流电源的作用下，电流从第一测量点J1经过待测器件的体二极管到达第二测量点J2，然后经过碳化硅功率管Q1、第一电阻R1回到参考地GND，此时的待测器件的体二极管正向导通的压降约0.7V，回路电流为4.3毫安，由于碳化硅功率管Q1的导通电阻很小，因此，测量器件J3两端的压降即是待测器件的体二极管正向导通的压降。在测量脉冲进行时与结束时，结温测量电路1一直在工作，电流没有中断，当测量脉冲结束时，通过表征测量器件J3两端的压降，第一时间获得待测器件的结温，在这个过程中，由于没有切换时间，因此结温可靠性与准确性均得到保证。进一步地，体二极管的导通电流由5V直流电源与限流模块17决定，所以调整限流模块17中第一电阻R1的阻值，可以改变导通电流的大小，也能影响到体二极管导通压降信号的稳定时间，这是因为但凡二极管都存在结电容，结电容充放电平衡时间和导通电流有关，当第一电阻R1的阻值越小，导通电流越大，结电容充放电平衡时间越短，但是需要考虑钳位模块11中碳化硅功率管Q1能否承受导通电流，在本实施例中，碳化硅功率管Q1的最大可以达到500毫安，因此，可以适当调整第一电阻R1的阻值，以缩短结电容充放电平衡时间。需要进一步说明的是，限流模块17包括但不限于第一电阻，第一电阻的阻值包括但不限于1K欧姆，只要能结温测量电路1进行限流，任意限流模块17、第一电阻R1的设置均适用，并不以本实施例为限。

如图1所示，第一电源12与钳位模块11的第二端连接，用于给结温测量电路1隔离供电，并在待测器件的测量脉冲结束时，通过测量第一电源12给待测器件提供的电流表征待测器件的电压，获得待测器件的结温，其中，第一电源12与限流模块17的连接点接参考地。

具体地，如图1所示，第一电源12包括5V直流电源与第一电容C1，其中，第一电容C1连接于5V直流电源与参考地GND之间，对5V直流电源的输出电压进行滤波。需要说明的是，5V直流电源属于隔离电源，用于给结温测量电路1供电，同时5V直流电源所产生的电流回路与测量脉冲无关，且能安全地度过测量脉冲，尤其是高能测量脉冲的冲击，当测量脉冲结束后，由5V直流电源所提供的电流回路能够被测量器件J3第一时间捕获，通过测量器件J3获得待测器件的结温，其中，测量器件J3连接在钳位模块11的第二端与第一测量点J1之间，对结温测量电路1进行表征。

需要说明的是，测量器件J3两端连接点的压降是待测器件的体二极管正向导通的压降，测量器件J3是体二极管压降的输出端，测量器件J3的第一端连接第一测量点J1，而第一测量点J1为体二极管的阳极，第二端连接钳位模块11的第二端，当第一测量点J1与第二测量点J2之间的电压超过600V以上，比如达到了上千V，甚至更高的电压时，测量器件J3两端的电压也不会超过10V，如果测量器件J3直接从第一测量点J1与第二测量点J2进行测量，就会在测量脉冲进行时承受超过600V，甚至更高的电压，而体二极管的压降小于0.7V，从超过600V的压降突变到0.7V，测量器件J3的测量探头存在反应时间，并且测量探头必须是高压探头。而测量器件J3想要测量0.7V及其以下的体二极管压降，采用高压探头是无法实现的，这是因为高压探头测量小信号时误差极大，噪声超过了信号本身，因此测量器件J3必须使用低压探头，而第一测量点J1与钳位模块11的第二端的电压不超过10V，因此低压探头完全胜任。

如图1所示，第一保护模块13连接于待测器件的第一测量点J1与钳位模块11的第二端之间，对第一电源12进行保护。

具体地，作为示例，如图1所示，第一保护模块13包括第一二极管D1与第二电阻R2，其中，第一二极管D1的负极与第一测量点J1连接；第二电阻R2与第一二极管D1的正极连接，其中，第二电阻R2的阻值为1欧姆。需要说明的是，第一二极管D1为第一电源12的反向二极管，第一电容C1起到滤除5V直流电源的输出波纹和噪声的作用，并且第一电容C1提供额外的电能用于减小电流动态变化时电压突变的幅度，第一电容C1可以承受一定程度的反向电压(针对5V直流电源的输出端而言)，但需要第一二极管D1对第一电容C1进行进一步的补充，减小电流动态变化时电压突变的幅度，而第一二极管D1的耐流值应大于等于5V直流电源的最大输出电流。1欧姆电阻在电路中经常用来测量，例如，当需要测一个电路的电流时，1欧姆电阻两端的电压即是电路的电流，同时1欧姆电阻还具有抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。需要进一步说明的是，第一保护模块13的设置方式包括但不限于第一二极管D1与第二电阻R2，只要能对第一电源12进行保护，任意第一保护模块13的设置形式均适用，并不以本实施例为限。如图1所示，第二保护模块14连接于钳位模块11的第二端与第三端之间，用于对钳位模块11的第二端的进行稳压保护；第三保护模块15连接与钳位模块11的第三端与参考地GND之间，用于对钳位模块11的第三端的电压进行保护；第二电源16与钳位模块11的第三端连接，用于给钳位模块11供电。

具体地，作为示例，如图1所示，第二保护模块14包括第二二极管D2，其中，第二二极管D2的负极与钳位模块11的第二端连接，正极接参考地GND；第二电源16包括12V直流电源，其中，12V直流电源与5V直流电源共负极；第三保护模块15包括第三二极管D3及第二电容C2，其中，第三二极管D3的负极与钳位模块11的第三端连接，正极接参考地GND；第二电容C2与第三二极管D3并联。需要说明的是，第二二极管D2的作用在于：防止第二测量点J2、第一测量点J1的电压突变时，由于寄生电容将突变电压耦合至钳位模块11的第二端(即碳化硅功率管Q1的源极)，导致钳位模块11的第二端的电压突变。第二电容C2及第三二极管D3的作用在于：对钳位模块11的第三端的电位进行稳定，防止第二测量点J2、第一测量点J1的电压突变时，由于寄生电容将突变电压耦合至钳位模块11的第三端(即碳化硅功率管Q1的栅极)，导致钳位模块11的第三端的电压突变。12V直流电源属于隔离电源，用于给钳位模块11供电，也就是给碳化硅功率管Q1供电，在测量脉冲工作期间，由于限流模块17和碳化硅功率管Q1的栅极电压恒定，碳化硅功率管Q1的栅极电压为12V，碳化硅功率管Q1的导通阈值通常为3V左右，则碳化硅功率管Q1的源极电压为9V，在限流模块17中第一电阻R1的作用下，通过第一电阻R1的电流为9毫安，又因为第一电阻R1与碳化硅功率管Q1串联，通过碳化硅功率管Q1的电流也为9毫安；当测量脉冲结束时，由于第一电源12一直给结温测量电路1供电，此时通过碳化硅功率管Q1的电流为4.3毫安，因此测量器件J3通过对比测量脉冲结束时的电压变化，第一时间得到待测器件的结温，因为时间间隔极短，所以测量的结果十分精确。

具体地，作为示例，如图1所示，结温测量电路1还包括第三电阻R3及第四电阻R4，其中，第三电阻R3连接于第二测量点J2与钳位模块11的第一端之间，用于对结温测量电路1进行过载保护，其中，第三电阻R3的阻值为10欧姆；第四电阻R4连接于第二电源16与钳位模块11的第三端之间，用于对第二电源16进行保护，其中，第四电阻R4的阻值为100欧姆。需要说明的是，第三电阻R3是对碳化硅功率管Q1起保护作用，功能类似保险丝，对碳化硅功率管Q1的保护起到补充作用，由于碳化硅功率管Q1已经有第二保护模块14、第三保护模块15对其进行保护，在安全性等级要求低的应用场景中，也可以不设置第三电阻R3。第四电阻R4用于对对第二电源16中12V隔离电源进行保护，功能也类似保险丝，在安全性等级要求低的应用场景中，也可以不设置第四电阻R4。

需要进一步说明的是，第二保护模块14的设置包括但不限于第二二极管D2；第三保护模块15的设置包括但不限于第三二极管D3及第二电容C2，只要能对钳位模块11进行保护，任意第二保护模块14、第三保护模块15的设置均适用，并不以本实施例为限。

如图2所示，本实施例还提供一种结温测量系统，所述结温测量系统包括：待测器件2、测量设备J3及本实施例所提供的结温测量电路1，其中：

如图2所示，结温测量电路1连接于待测器件2的第一测量点J1与第二测量点J2之间，对待测器件2进行结温测量。

具体地，作为示例，如图1及图2所示，待测器件2为功率管或二极管，当待测器件2为功率管Q2时，功率管Q2的源极接第一测量点J1，漏极接第二测量点J2，即功率管Q2的寄生二极管的导通方向与钳位模块11中碳化硅功率管Q1的寄生二极管的导通方向相同，通过接入测量脉冲进行结温测量，具体的测量操作在这里就不一一赘述；当待测器件2为二极管时，二极管的正极接第一测量点J1，负极接第二测量点J2，即二极管的导通方向与钳位模块11中碳化硅功率管Q1的寄生二极管的导通方向相同，通过接入测量脉冲进行结温测量，具体的测量操作在这里就不一一赘述。

如图2所示，测量设备J3连接于待测器件2的第一测量点J1与结温测量电路1之间，通过测量结温测量电路1中的电压，获取待测器件2的结温。需要说明的是，通过对结温测量电路1在测量脉冲进行中和结束时的电流变化进行测量，在测量脉冲结束的第一时间得到待测器件2的结温。

具体地，作为示例，如图1及图2所示，测量设备J3为示波器，需要说明的是，测量设备J3与第一测量点J1连接的一端为待测器件2的体二极管的正极，与钳位模块11中碳化硅功率管Q1的源极连接的另一端为待测器件2的体二极管的负极，即使第一测量点J1与第二测量点J2之间的信号超过600V，甚至上千V，甚至更高的电压时，测量设备J3两端的电压也不会超过10V，即能第一时间测量待测器件2的结温，又能对测量设备J3的测量探头起到安全防护，具有广泛的应用价值。需要进一步说明的是，测量设备J3包括但不限于示波器或频谱仪，只要能够在测量脉冲进行中和结束时的电流变化进行测量，在测量脉冲结束的第一时间得到待测器件2的结温，任意测量设备J3均适用，并不以本实施例为限。

综上所述，本发明的一种结温测量电路及系统，用于测量待测器件的结温，所述结温测量电路至少包括：钳位模块、第一保护模块、第二保护模块、第三保护模块、限流模块、第一电源及第二电源，其中：所述钳位模块的第一端与待测器件的第二测量点连接，用于对所述结温测量电路的工作电压进行钳位控制，并对所述结温测量电路进行过流保护；所述限流模块与与所述钳位模块的第二端连接，用于对所述结温测量电路进行限流；所述第一电源与所述限流模块连接，用于给所述结温测量电路提供隔离供电，在待测器件的测量脉冲结束时，通过测量所述第一电源给待测器件提供的电流，获得待测器件的结温，其中，所述第一电源与所述限流模块的连接点接参考地；所述第一保护模块连接于待测器件的第一测量点与所述限流模块之间，对所述第一电源进行保护；所述第二保护模块与所述钳位模块的第二端连接，用于对所述钳位模块的第二端的进行稳压保护；所述第二电源与所述钳位模块的第三端连接，用于给所述钳位模块供电；所述第三保护模块连接与所述钳位模块的第三端与参考地之间，用于对所述钳位模块的第三端的电压进行保护。本发明的结温测量电路及系统，能够在待测器件的测量脉冲结束时，通过测量钳位模块的第二端与待测器件的第一测量点在测量脉冲结束时的电压，第一时间测量待测器件的结温，测量结果精确可靠。本发明的结温测量电路及系统，结构简单，操作简捷，具有广泛的适用性。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种结温测量电路，用于测量待测器件的结温，其特征在于，所述结温测量电路至少包括：钳位模块、第一保护模块、第二保护模块、第三保护模块、限流模块、第一电源及第二电源，其中：

所述钳位模块的第一端与待测器件的第二测量点连接，用于对所述结温测量电路的工作电压进行钳位控制，并对所述结温测量电路进行过流保护，其中，所述钳位模块为碳化硅功率管，所述钳位模块的第一端为碳化硅功率管的漏极，第二端为碳化硅功率管的源极，第三端为碳化硅功率管的栅极，其中，所述碳化硅功率管的耐压阈值大于等于600V；

所述限流模块与所述钳位模块的第二端连接，用于对所述结温测量电路进行限流；

所述第一电源与所述限流模块连接，用于给所述结温测量电路隔离供电，在待测器件的测量脉冲结束时，通过测量所述第一电源给待测器件提供的电流表征待测器件两端的压降，获得待测器件的结温，其中，所述第一电源与所述限流模块的连接点接参考地；

所述第一保护模块连接于待测器件的第一测量点与所述限流模块之间，对所述第一电源进行保护；

所述第二保护模块与所述钳位模块的第二端连接，用于对所述钳位模块的第二端的进行稳压保护；

所述第二电源与所述钳位模块的第三端连接，用于给所述钳位模块供电；

所述第三保护模块连接与所述钳位模块的第三端与参考地之间，用于对所述钳位模块的第三端的电压进行保护。

2.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述限流模块为第一电阻，所述第一电阻的阻值为1K欧姆。

3.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述第一电源包括5V直流电源与第一电容，其中，所述第一电容连接于5V直流电源与参考地之间，对5V直流电源的输出电压进行滤波。

4.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述第一保护模块包括第一二极管与第二电阻，其中，所述第一二极管的负极与第一测量点连接；所述第二电阻与所述第一二极管的正极连接，其中，所述第二电阻的阻值为1欧姆。

5.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述第二保护模块包括第二二极管，其中，所述第二二极管的负极与所述钳位模块的第二端连接，正极接参考地。

6.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述第三保护模块包括第三二极管及第二电容，其中，所述第三二极管的负极与所述钳位模块的第三端连接，正极接参考地；

所述第二电容与所述第三二极管并联。

7.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述第二电源包括12V直流电源。

8.根据权利要求1所述的结温测量电路，其特征在于：所述结温测量电路还包括第三电阻及第四电阻，其中，所述第三电阻连接于第二测量点与所述钳位模块的第一端之间，用于对所述结温测量电路进行过载保护，其中，所述第三电阻的阻值为10欧姆；所述第四电阻连接于所述第二电源与所述钳位模块的第三端之间，用于对所述第二电源进行保护，其中，所述第四电阻的阻值为100欧姆。

9.一种结温测量系统，其特征在于：所述结温测量系统至少包括：待测器件、测量设备及如权利要求1-8任意一项所述的结温测量电路，其中：

所述结温测量电路连接于所述待测器件的第一测量点与第二测量点之间，对所述待测器件进行结温测量；

所述测量设备连接于所述待测器件的第一测量点与所述结温测量电路之间，通过测量所述结温测量电路中的电压，获取所述待测器件的结温。

10.根据权利要求9所述的结温测量系统，其特征在于：所述待测器件为功率管或二极管；

所述测量设备为示波器。

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