CN115395780A - 开关模式电源（smps） - Google Patents

Abstract

本公开涉及开关模式电源(SMPS)。在一个实施例中，开关电源包括电压斜坡发生器，该电压斜坡发生器包括至少一个输出电容器，其中该发生器被配置为使得输出电容器在第一操作模式的第一操作周期期间具有第一值，并且在第一操作模式的后续操作周期期间具有第二值。

Description

开关模式电源(SMPS)

相关申请的交叉引用

本申请是2021年5月20日提交的名为“Alimentation à découpage”的法国专利申请号“FR2105281”的翻译，并要求该申请的优先权，该申请在法律允许的最大范围内通过引用结合于此。

技术领域

本公开总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及开关模式电源(SMPS)类型的电压转换器及其操作。更具体地，本公开涉及包括电压发生器的开关模式电源。

背景技术

在开关模式电源类型的电压转换器中，通过切换开关切断转换器电源电压，以便在包括电感元件和电容元件的组件中实现能量积累阶段，以及将存储在该组件中的能量恢复到连接到转换器输出端的负载的阶段。

开关模式电源类型的电压转换器可以例如在所谓的连续导通模式(CCM)(诸如脉宽调制类型，即PWM，或脉冲频率调制类型，即PFM)下操作。例如，电压转换器也可以在所谓的脉冲跳跃模式(PSK)下操作。

从一个模式到另一模式的转换可能会有问题。确实，这种转变可能导致转换器输出端的电压降。

发明内容

一个实施例解决了已知开关模式电源类型的电压转换器的所有或一些缺点。

一个实施例提供了一种开关电源，该开关电源包括电压斜坡发生器，该发生器被配置为使得电压斜坡发生器的输出电容器在第一操作模式的第一操作周期期间具有第一值，并且在第一操作模式的后续操作周期期间具有第二值。

另一实施例提供了一种用于控制开关电源的方法，该开关电源包括电压斜坡发生器，其中电压斜坡发生器的输出电容器在第一操作模式的第一操作周期期间具有第一值，并且在第一操作模式的后续操作周期期间具有第二值。

根据一个实施例，发生器包括第一电容器和至少一个第二电容器，第一电容器和第二电容器耦接在发生器的输出节点与参考电压施加节点之间，在该输出节点生成电压斜坡，至少一个第二电容器与开关串联耦接在输出节点与参考电压施加节点之间，该开关被配置为在第一操作模式的第一操作周期期间闭合，并且在第一操作模式的剩余操作周期期间断开。

根据一个实施例，第一电容器与开关串联耦接在输出节点与参考电压施加节点之间。

根据一个实施例，电压斜坡发生器包括至少两个第二电容器。

根据一个实施例，与第二电容器串联耦接的开关中的至少一些由不同的控制信号控制。

根据一个实施例，第一操作模式是连续导通模式。

根据一个实施例，电源包括用于控制第一操作模式的第二电路，该第二电路包括：第一比较器，被配置为比较电源输出电压和设定点电压；以及第二比较器，被配置为比较第一比较器输出与由电压斜坡发生器生成的电压斜坡，该第二比较器被配置为向第一电路提供输出信号。

根据一个实施例，电源包括第二操作模式，称为脉冲抑制模式。

根据一个实施例，电源包括用于控制第二操作模式的第三电路，该第三电路包括：第三比较器，被配置为比较由电压斜坡发生器生成的电压斜坡和设定点电压，该第三比较器被配置为向第一电路提供第二输出信号。

根据一个实施例，电源包括串联耦接在电源电压施加节点与参考电压施加节点之间的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管通过内部节点相互耦接，第一晶体管和第二晶体管由用于生成第一晶体管和第二晶体管的控制信号的第一电路控制。

根据一个实施例，电压斜坡发生器包括：-电阻器，与第一晶体管串联耦接在电源电压施加节点与参考电压施加节点之间；-第二晶体管和第三晶体管，串联耦接在电源电压施加节点与参考电压施加节点之间；-第四晶体管，耦接在电源电压施加节点与输出节点之间，第二晶体管和第四晶体管是电流镜耦接的；以及运算放大器，运算放大器的一个输入端耦接到耦接电阻器和第一晶体管的节点，并且运算放大器的另一输入端耦接到用于施加基本上等于电源电压的一半的电压的节点，运算放大器的输出端耦接到第一晶体管和第三晶体管的控制端。

附图说明

前述特征和优点以及其他将在以下参考所附附图以说明而不是限制的方式给出的特定实施例的描述中详细描述，其中：

图1示出了电压转换器的一个实施例；

图2示出电压斜坡发生器的一个实施例；以及

图3是示出图2的实施例的操作的一组时序图。

具体实施例

在不同的图中，相同的特征已由相同的参考指定。具体地，在各种实施例中公共的结构和/或功能特征可以具有相同的参考并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。

为了清楚起见，仅详细说明和描述了对理解本文所描述的实施例有用的操作和元件。

除非另有说明，否则当引用连接在一起的两个元件时，这意味着没有除导体以外的任何中间元件的直接连接，而当引用耦接在一起的两个元件时，这意味着这两个元件可以连接，或者它们可以经由一个或多个其他元件耦接。

在以下公开中，除非另有指示，否则当引用绝对位置限定符，诸如术语“在…前面”、“在…背面”、“在…顶部”、“在…底部”、“在…左”、“在…右”等，或相对位置限定符，诸如术语“在…上”、“在…下”、“更高”、“更低”等，或方位限定符，诸如“水平”、“垂直”等时，引用图中所示的方位。

除非另有说明，否则表述“约”、“大约”、“基本上”和“按…顺序”表示在10％内，并且优选在5％内。

图1示出了电压转换器10的一个实施例。转换器10是诸如开关电源的DC/DC转换器，或者是将DC电源电压转换为DC输出电压的开关电源类型的DC/DC转换器。

转换器10被配置为提供DC输出电压VOUT。该转换器包括电压VOUT在其处可用的输出节点12。

转换器10设置有DC电源电压VDD。然后，转换器10连接在连接到电压VDD的第一导电轨或节点14与连接到参考电位GND(诸如接地)的第二导电轨或节点16之间。

转换器10被配置为提供基本上等于设定点值的电压VOUT。为此，转换器10在输入节点18处接收DC设定点电压VREF，例如以电位GND为参考，其值被示出为表示电压VOUT的设定点值，优选地等于电压VOUT的设定点值。在该示例中，电压VOUT、VDD和VREF为正。

在该示例中，转换器10是降压或“降压”类型的转换器，即，电压VOUT的设定点值小于电压VDD的值。换句话说，电压VOUT的值小于电压VDD的值。

转换器10包括第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管20，优选地P沟道MOS晶体管(PMOS)。MOS晶体管20连接在轨道14与施加电压VLX的内部节点22之间。换句话说，晶体管20的第一导电端子(诸如其源极)连接到轨道14，而晶体管20的第二导电端子(诸如其漏极)连接到节点22。

转换器10还包括第二MOS晶体管24，优选地N沟道MOS晶体管(NMOS)。晶体管24连接在节点22与轨道16之间。换句话说，晶体管24的第一导电端子(诸如其源极)连接到轨道16，而晶体管24的第二导电端子(诸如其漏极)连接到节点22。

因此，晶体管20和24串联连接在轨道14与16之间，并且在内部节点22处相互连接。

转换器10包括电感元件或电感器26。电感器26连接在节点22与节点12之间。

转换器10包括连接在节点12与轨道16之间的电容器30。例如，该电容器的范围为2.2μF至20μF或更大。该电容器起到滤波器的作用。换句话说，该转换器电容器使得有可能平滑存在于节点12上的电流并存储由转换器提供给节点12的能量。

在操作中，未示出的负载连接在节点12与轨道16之间，以便由电压VOUT供电。

转换器10包括控制电路28。电路28被配置为控制转换器10的操作，以便调节电压VOUT，使得电压VOUT的值例如等于设定点值VREF。

转换器10包括两种操作模式，同步操作模式和异步操作模式。

第一操作模式被称为脉宽调制(PFM)类型的连续导通模式(CCM)，例如脉冲频率调制(PFM)类型的连续导通模式，其中每个转换器操作周期包括能量在电感器26和电容器30中积累的阶段，然后是连接到转换器的负载的能量恢复的阶段。在能量积累的阶段期间，通过电感元件26的电流增加。在能量恢复的阶段期间，通过电感元件26的电流减小。该操作模式是同步模式，例如由二进制时钟信号CLK以2.4MHz的频率同步。例如，这样的操作模式被认为是转换器的正常操作模式。

第二操作模式被称为“脉冲跳频”(Pulse-Skipping，PSK)。在该操作模式中，例如，晶体管24保持关断，并且当输出电压VOUT低于参考电压(诸如设定点电压VREF)时，晶体管20导通。因此，当输出电压低于设定点电压VREF时，实现能量积累阶段。例如，当负载汲取的电流较低时，实现这样的操作模式。该操作模式是异步操作模式。

控制电路28包括生成晶体管20和24的控制信号的电路32，诸如状态机。因此，电路32包括耦接、优选连接到晶体管20的控制端的输出端，在该输出端提供用于晶体管20的控制信号。电路32还包括耦接、优选连接到晶体管24的控制端的输出端，在该输出端提供晶体管24的控制信号。

电路32还包括耦接到针对第一操作模式的控制电路34的输入端，电路32接收信号PWM，该信号PWM根据输出电压VOUT与设定点电压VREF之间的差确定在第一操作模式中能量积累或释放阶段的振幅或频率。因此，例如，电路32在第一操作模式中使用PWM信号，而在第二操作模式期间不使用PWM信号。

电路34包括比较器36，例如被配置为比较输出电压VOUT与设定点电压VREF。比较器36包括一个输入端，优选地非反相输入端，该输入端耦接、优选连接到电压VREF的施加节点18。比较器36还包括一个输入端，优选地反相输入端，该输入端耦接、优选连接到节点12。比较器36包括输出端，在该输出端提供表示电压VOUT与设定点电压VREF之间的差的信号。

电路34包括另一比较器38。比较器38包括一个输入端，优选地非反相输入端，该输入端耦接、优选连接到比较器36的输出端。比较器38还包括另一输入端，优选地反相输入端，该输入端耦接、优选连接到电压VREF的施加节点39。比较器38包括提供PWM信号的输出端。比较器的输出端耦接、优选连接到电路32的输入端中的一个。

电路32还包括耦接到电路40的输入端。电路40被配置为控制第二操作模式。电路32在该输入端接收表示输出电压VOUT与设定点电压VREF之间的差的PSK信号。根据PSK信号，电路32确定在第二操作模式期间能量积累阶段的开始。换句话说，对于当输出电压低于设定点电压VREF时获得的PSK信号的第一值，晶体管20导通，以便允许电容器30充电和晶体管24关断。对于PSK信号的第二值，晶体管20关断，并且晶体管24导通。因此，例如，PSK信号由电路32在第二操作模式中使用，而在第一操作模式期间不使用。

电路40包括比较器42，例如被配置为比较输出电压VOUT与设定点电压VREF。比较器40包括一个输入端，优选为反相输入端，该输入端耦接、优选连接到电压VREF施加节点18。比较器40还包括一个输入端，优选为非反相输入端，该输入端耦接、优选连接到节点12。比较器40包括输出端，在该输出端提供表示电压VOUT与设定点电压VREF之间的差的信号。

电路34包括另一比较器44。比较器44包括一个输入端，优选地非反相输入端，该输入端耦接、优选连接到电压斜坡VRAMP的施加节点39。比较器44还包括另一输入端，优选地反相输入端，该输入端耦接、优选连接到设定点电压VREF的施加节点18。比较器44包括耦接、优选连接到比较器42的输出端的控制输入端。比较器44包括输出端，在该输出端处，PSK信号被提供用于比较器42的输出信号的值。比较器输出端耦接、优选连接到电路32的输入端中的一个。

因此，当转换器10处于第一操作模式时，电路32考虑PWM信号以确定晶体管20和24的控制信号，而不考虑PSK信号。当转换器10处于第二操作模式时，电路32考虑PSK信号以确定晶体管20和24的控制信号，而不考虑PWM信号。

例如，电路28包括比较器46。比较器46包括：第一输入端，优选地非反相输入端，该输入端耦接、优选连接到电压GND的施加节点16；以及第二输入端，优选地反相输入端，该输入端耦接、优选连接到节点22。比较器46包括输出端，该输出端耦接、优选连接到电路32的提供表示节点22上的电压VLX与节点16上的电压之间的差的信号。换句话说，比较器向电路32提供表示电压符号VLX的信号。如果转换器在第一操作模式下操作，并且比较器在时钟周期结束时确定电压VLX大于电压GND，则电路32使转换器进入第二操作模式。

例如，电路28包括用于生成时钟信号CLK的电路48。因此，电路28包括耦接、优选连接到电路32的输出端，在该电路32提供信号CLK。

电路48包括耦接、优选连接到电路32的输入端，在该电路32上提供表示转换器操作模式的信号MODE。例如，当转换器10在第一操作模式下操作时，信号MODE呈现第一值，而当转换器10在第二操作模式下操作时，信号MODE呈现第二值。因此，当转换器从第一操作模式改变到第二操作模式时，即，当比较器46确定电压VLX大于电压GND时，信号MODE呈现第二值。例如，当负载汲取的电流显著增加时，信号MODE呈现第一值。

电路28还包括用于生成电压斜坡VRAMP的电路50(RAMP GEN)。电路50优选地接收电源电压VDD和参考电压GND。因此，电路50包括耦接、优选连接到节点14的输入端和耦接、优选连接到节点16的输入端。电路50还接收控制信号，诸如信号MODE。因此，电路50包括耦接、优选连接到控制信号施加节点的输入端。电路50还包括在其上生成电压斜坡VRAMP的输出端。该输出耦接、优选连接到节点39。

发生器50使得其输出电容，即耦接在生成电压斜坡VRAMP的电压斜坡发生器的输出端与参考节点之间的总电容器电容，在第一操作模式的第一操作周期期间大于其在第一操作模式的后续操作周期期间的输出电容。

电压斜坡发生器50包括至少两个电容器，优选地耦接在发生器输出节点与参考节点之间，其中至少一个电容器与开关串联耦接在节点68与节点16之间。其中所述开关被配置为在第一操作周期期间，即在第一能量积累阶段和第一能量释放阶段期间，在从第二操作模式转换到第一操作模式之后闭合，并且在第一操作模式的剩余操作周期期间断开。

在从第二操作模式转换到第一操作模式期间，可能存在负载汲取大量能量的时间段。在第二操作模式中，在周期结束时通过电感器的电流为零的情况下，电容器30在此期间迅速放电，这可能导致供应负载的电压显著下降。

图2示出了电压斜坡发生器50的一个实施例。

发生器50包括串联在电源电压VDD的施加节点14与参考电压GND的施加节点16之间的电阻器52和晶体管54，诸如NMOS晶体管。更具体地，电阻器52耦接在节点14与节点56之间。晶体管54耦接在节点56与节点16之间。更具体地，电阻器52的一个端子耦接、优选连接到节点14，而电阻器52的另一端子耦接、优选连接到节点56。晶体管54的一个端子(诸如导电端子，即漏极或源极)耦接、优选连接到节点56，而另一端子(诸如另一导电端子)耦接、优选连接到节点16。

发生器50包括串联在电源电压VDD的施加节点14与参考电压GND的施加节点16之间的诸如PMOS晶体管的晶体管58和诸如NMOS晶体管的晶体管60。更具体地，晶体管58耦接在节点14与节点62之间。晶体管60耦接在节点62与节点16之间。更具体地，晶体管58的一个端子(诸如导电端子，即漏极或源极)耦接、优选连接到节点14，而另一端子(诸如另一导电端子)耦接、优选连接到节点62。晶体管60的一个端子(诸如导电端子，即漏极或源极)耦接、优选连接到节点62，而另一端子(诸如另一导电端子)耦接、优选连接到节点16。

发生器50包括串联在电源电压VDD的施加节点14与参考电压GND的施加节点16之间的诸如PMOS晶体管的晶体管64和电容器66。更具体地，晶体管64耦接在节点14与节点68之间。电容器66耦接在节点68与节点16之间。更具体地，晶体管64的一个端子(诸如导电端子，即漏极或源极)耦接、优选连接到节点14，而另一端子(诸如另一导电端子)耦接、优选连接到节点68。电容器66的一个端子耦接、优选连接到节点68，而另一端子耦接、优选连接到节点16。例如，诸如晶体管的开关70与电容器66并联耦接。因此，开关耦接在节点68与16之间，优选地耦接在电容器66的端子之间。具体地，开关70的一个端子耦接、优选连接到节点68，而开关70的另一端子耦接、优选连接到节点16。例如，开关70的一个端子耦接、优选连接到电容器66的一个端子，而开关70的另一端子耦接、优选连接到电容器66的另一端子。例如，开关70由表示晶体管20(图1)的状态的信号控制。例如，当晶体管20导通时开关70断开，当晶体管20关断时开关70闭合。例如，当转换器在第一操作模式下操作时，开关70由PWM信号(图1)控制，当转换器在第二操作模式下操作时，开关70由PSK信号控制。

晶体管54和60由相同的控制信号控制。换句话说，晶体管54和60的控制端相互耦接、优选地相互连接。

晶体管58和64作为电流镜耦接。晶体管58和64由相同的控制信号控制。换句话说，晶体管58和64的控制端相互耦接、优选地相互连接。此外，晶体管58和64的控制端耦接、优选连接到节点62。例如，晶体管58和64的控制端耦接、优选连接到晶体管58的源极。

发生器50还包括运算放大器72。运算放大器72由电源电压VDD供电。运算放大器因此通过输入端耦接、优选连接到节点14。

运算放大器72包括反相输入端(-)，该反相输入端接收基本上等于电源电压VDD的一半的电压VDD/2。电压VDD/2例如由未示出的电路(诸如由未示出的分压器)从电源电压VDD生成。运算放大器72包括耦接、优选连接到节点56的非反相输入端(+)。运算放大器72包括生成用于晶体管54和60的控制信号的输出端。因此，运算放大器72的输出端耦接、优选连接到晶体管54和60的控制端。

发生器50包括与开关74串联耦接在节点68与节点16之间的电容器73。因此，电容器73和开关74与电容器66并联耦接。

电压斜坡VRAMP在节点68处生成，节点68因此是发生器50的输出节点。因此，节点68通过至少两个电容器耦接到节点16，其中至少一个电容器与开关串联耦接在节点68与节点16之间。

开关74由信号P控制。因此，开关74包括耦接、优选连接到信号P施加节点的控制端。开关74被配置为在从第二操作模式切换到第一操作模式之后，在第一操作周期期间，即在第一能量积累阶段和第一能量释放阶段期间闭合。开关74被配置为在第一操作模式的剩余操作周期期间断开。换句话说，开关74被配置为仅在第一操作周期期间，当转换器处于第一操作模式时，优选地当转换器从第二操作模式移动到第一操作模式时闭合。闭合开关74增加电压斜坡发生器的输出容量，并且因此增加对应于第一操作模式的第一操作周期的斜坡增长的持续时间。

在第二操作模式期间，开关74例如断开。因此，除了第一操作周期之外，第二操作模式期间的能量积累阶段的持续时间基本上等于第一操作模式期间的能量积累阶段的持续时间。

在一个变体方案中，开关74例如在第二操作模式期间闭合。因此，除了第一操作周期之外，电压斜坡VRAMP在第二操作模式期间具有与在第一操作模式期间不同的斜率。因此，除了第一操作周期之外，第二操作模式期间的能量积累阶段的持续时间不同于第一操作模式期间的能量积累阶段的持续时间。

图3是示出图2的实施例的操作的一组时序图。具体地，在图3中：

由曲线80示出由负载汲取的电流；

由曲线82示出在电压斜坡发生器50是关于图2描述的情况下流过电感器26的电流；

由曲线84示出在电压斜坡发生器50仅包括耦接在输出节点与参考节点之间的电容器的情况下流过电感26的电流；

在电压斜坡发生器50仅包括一个耦接在输出节点与参考节点之间的电容器的情况下，由曲线86示出晶体管20的控制信号，并且由曲线88示出晶体管24的控制信号；

在电压斜坡发生器50是关于图2所描述的情况下，由曲线90示出晶体管20的控制信号，并且由曲线92示出晶体管24的控制信号；

由曲线94示出设定点电压VREF；

由曲线96示出在电压斜坡发生器50是关于图2描述的情况下的输出电压VOUT；

由曲线98示出在电压斜坡发生器50仅包括连接在输出节点与参考节点之间的电容器的情况下的输出电压VOUT；

由曲线100示出在电压斜坡发生器50仅包括连接在输出节点与参考节点之间的电容器的情况下的信号MODE；以及

由曲线102示出在电压斜坡发生器50是结合图2描述的情况下的信号MODE。

图3示出了从第二操作模式(即PSK类型的操作模式)到第一操作模式(即CCM类型的操作模式)的转换。

转换器的操作包括：

中间阶段，在此期间通过电感器的电流(曲线82或84)基本上为零，并且在此期间晶体管20和24被阻塞，其对应于晶体管20的控制信号的高值(曲线86或90)和晶体管24的控制信号的低值(曲线88或92)；

能量积累阶段，在此期间通过电感器的电流(曲线82或84)增加，并且在此期间晶体管24被阻塞而晶体管20导通，其对应于晶体管20的控制信号的低值(曲线86或90)和晶体管24的控制信号的低值(曲线88或92)；以及

能量恢复阶段，在此期间通过电感器的电流(曲线82或84)增加，并且在此期间晶体管20被阻塞并且晶体管24导通，其对应于晶体管20的控制信号的高值(曲线86或90)和晶体管24的控制信号的高值(曲线88或92)。

在瞬间t0，负载汲取的电流增加。这导致输出电压VOUT下降。当电压VOUT低于设定值VREF时，转换器进入第二操作模式PSK的操作周期。

在操作周期结束时，即，当通过电感器26的电流在至少能量积累阶段和能量恢复阶段之后返回到零时(对于电压斜坡发生器50仅包括耦接在输出节点与参考节点之间的电容器的情况的瞬时t1和对于电压斜坡发生器50是关于图2描述的情况的瞬时t2)，信号MODE从第一值改变到第二值，以便指示到第一操作模式的转换。

在通过第一操作模式之后，以这样的方式连接操作周期，使得通过电感器的电流增加，直到其具有基本上等于负载汲取的电流的平均值。

在电压斜坡发生器是结合图2描述的情况下，在第一操作周期期间，电压斜坡发生器的输出电容器大于在第一操作模式的其余操作周期期间电压斜坡发生器的输出电容器。因此，功率获取阶段的持续时间在第一操作模式的第一操作周期中比在其余操作周期中长。因此，通过电感器26的电流更快地达到由负载汲取的电流值。在图3所示的示例中，曲线82在第一个操作周期中超过曲线80。

因此，图2的实施例，并且具体地电容器73，更快地实现期望的电流值。从曲线96和98可以观察到，在输出电压VOUT处由操作模式的改变引起的电压降在曲线96的情况下比在曲线98的情况下小。

有利的是，在第一操作模式的第一操作周期之后断开降低电压斜坡发生器的输出电容器，从而不增加功耗，并且不将输出电压VOUT增加到超过设定点电压VREF。

在变体中，电容器66(图2)可以通过开关耦接到节点68。例如，电容器73的电容可以大于电容器66的电容。例如，输出发生器电容在第一操作模式的第一操作周期期间对应于电容器73，并且在第一操作模式的其他操作周期期间对应于电容器66。因此，在第一操作模式的第一周期期间，开关74例如闭合，并且耦接在电容器66与输出节点之间的开关例如断开，并且在第一操作模式的其余操作周期期间反之亦然。

在变体中，发生器50可以包括耦接在输出节点与参考节点之间的两个以上电容器。例如，除了电容器66之外，发生器50可以包括至少两个电容器，至少两个电容器中的每一个通过开关耦接在输出节点与参考节点之间。选择开关的断开或闭合状态，使得发生器50在第一操作模式的第一操作周期期间的输出电容大于其在第一操作模式的剩余操作周期期间的输出电容。以这种方式，发生器输出电容可以根据各种准则来选择，诸如根据所汲取的电流值或根据负载来选择。因此，至少一些开关的控制信号可以是不同的。

已经描述了不同实施例和变体。本领域技术人员将理解，可以组合这些实施例的某些特征，并且本领域技术人员将容易想到其他变体。

最后，基于上文提供的功能描述，本文所描述的实施例和变体的实际实现在本领域技术人员的能力内。

Claims (20)

1.一种开关电源，包括：

电压斜坡发生器，包括至少一个输出电容器；

其中所述发生器被配置为使得所述输出电容器在第一操作模式的第一操作周期期间具有第一值，并且在所述第一操作模式的后续操作周期期间具有第二值。

2.根据权利要求1所述的电源，

其中所述至少一个输出电容器包括第一电容器和至少一个第二电容器；

其中所述第一电容器、以及所述第二电容器耦接在参考电压节点与所述发生器的输出节点之间；

其中至少一个所述第二电容器与开关串联耦接在所述输出节点与所述参考电压节点之间；

其中所述开关被配置为在所述第一操作模式的所述第一操作周期期间闭合，并且在所述第一操作模式的剩余操作周期期间断开，并且

其中所述输出节点被配置为提供电压斜坡。

3.根据权利要求2所述的电源，其中所述发生器包括至少两个第二电容器。

4.根据权利要求3所述的电源，其中与所述第二电容器串联耦接的至少一些开关能够由不同的控制信号控制。

5.根据权利要求2所述的电源，其中所述第一电容器与开关串联耦接在所述输出节点与所述参考电压节点之间。

6.根据权利要求1所述的电源，其中所述第一操作模式是连续导通模式。

7.根据权利要求1所述的电源，还包括：

第二电路，被配置用于控制所述第一操作模式；

其中所述第二电路包括：第一比较器，被配置为比较电源输出电压与设定点电压；以及第二比较器，被配置为比较第一比较器输出与由所述电压斜坡发生器提供的电压斜坡，并且

其中所述第二比较器被配置为向第一电路提供输出信号。

8.根据权利要求7所述的电源，其中所述电源被配置为在第二操作模式下操作，所述第二操作模式是脉冲抑制模式。

9.根据权利要求8所述的电源，

其中所述电源包括：第三控制电路，被配置为控制所述第二操作模式；

其中所述第三控制电路包括：第三比较器，被配置为比较由所述电压斜坡发生器生成的所述电压斜坡与所述设定点电压，并且

其中所述第三比较器被配置为向所述第一电路提供第二输出信号。

10.根据权利要求1所述的电源，还包括：

第一晶体管和第二晶体管，串联耦接在电源电压节点节点与参考电压节点之间；

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管通过内部节点相互耦接，并且

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管由第一电路控制，所述第一电路被配置为生成用于所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制信号。

11.根据权利要求1所述的电源，其中所述电压斜坡发生器包括：

电阻器，与第一晶体管串联连接在电源电压节点与参考电压节点之间；

第二晶体管和第三晶体管，串联耦接在所述电源电压节点与所述参考电压节点之间；

第四晶体管，耦接在所述电源电压节点与输出节点之间，所述第二晶体管和所述第四晶体管作为电流镜连接；以及

运算放大器，所述运算放大器的一个输入端耦接连接到耦接所述电阻器和所述第一晶体管的节点，并且所述运算放大器的另一输入端耦接到用于施加基本上等于电源电压的一半的电压的节点，所述运算放大器的输出端耦接到所述第一晶体管和所述第三晶体管的控制端。

12.一种用于控制包括电压斜坡发生器的开关电源的方法，所述方法包括：

在第一操作模式的第一操作周期期间，在所述电压斜坡发生器的至少一个电容器处提供第一值；以及

在所述第一操作模式的后续操作周期期间，在所述至少一个电容器处提供第二值。

13.根据权利要求12所述的方法，其中至少一个输出电容器包括第一电容器和至少一个第二电容器，其中所述第一电容器和第二电容器耦接在参考电压节点与所述发生器的输出节点之间，并且其中所述至少一个第二电容器与开关串联耦接在所述输出节点与所述参考电压节点之间，所述方法还包括：

由所述输出节点提供电压斜坡，

其中所述开关在所述第一操作模式的所述第一操作周期期间闭合，并且在所述第一操作模式的剩余操作周期期间断开。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述发生器包括至少两个第二电容器。

15.根据权利要求14所述的方法，其中与所述第二电容器串联耦接的至少一些开关能够由不同的控制信号控制。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一电容器与开关串联耦接在所述输出节点与所述参考电压节点之间。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一操作模式是连续导通模式。

18.根据权利要求12所述的方法，还包括：

由所述开关电源的第二电路通过以下步骤控制所述第一操作模式：

由所述第二电路的第一比较器比较电源输出电压与设定点电压；

由所述第二电路的第二比较器比较第一比较器输出与由所述电压斜坡发生器提供的电压斜坡；以及

由所述第二比较器向第一电路提供输出信号。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：

在第二操作模式下操作所述电源，所述第二操作模式是脉冲抑制模式。

20.根据权利要求19所述的方法，

由所述电源的第三控制电路通过以下步骤控制所述第二操作模式：

由所述第三控制电路的第三比较器比较由所述电压斜坡发生器生成的电压斜坡与所述设定点电压，以及

由所述第三比较器向所述第一电路提供第二输出信号。

Images