CN115362630A - 谐振子和谐振装置 - Google Patents
谐振子和谐振装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115362630A CN115362630A CN202080099047.1A CN202080099047A CN115362630A CN 115362630 A CN115362630 A CN 115362630A CN 202080099047 A CN202080099047 A CN 202080099047A CN 115362630 A CN115362630 A CN 115362630A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vibrating
- arm
- wiring
- resonator
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 241001089723 Metaphycus omega Species 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 scandium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
- H03H2009/02456—Parasitic elements or effects, e.g. parasitic capacitive coupling between input and output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
具备:振动部,其具有基部和多个振动臂,上述基部具有前端和与上述前端相向的后端,上述多个振动臂的固定端与基部的前端连接并且向离开前端的方向延伸,多个振动臂包括至少一个第1振动臂和位于包括至少一个第1振动臂的第1振动臂组的与长边方向交叉方向的两侧的一对第2振动臂;保持部,其设置于振动部四周的至少局部;以及保持臂,其一端与基部连接,并且另一端与保持部连接,多个振动部具有:压电膜、以及之间隔着压电膜而相向设置的下部电极和上部电极,将一对第2振动臂各自的上部电极相互连结的连结布线设置于基部和保持臂中至少一者的区域。
Description
技术领域
本发明涉及谐振子和谐振装置。
背景技术
在电子设备中,作为用于实现计时功能的设备,使用压电振子等谐振子。伴随着电子设备的小型化,谐振子也要求小型化,使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术而制造的谐振子(以下,也称为“MEMS振子”)受到关注。
例如,专利文献1记载有如下结构:在具有4个振动臂的振子中,使位于内侧的两个振动臂与位于外侧的两个振动臂反相屈曲振动。
专利文献1:日本特许第6292229号公报
然而,在现有技术中,针对用于对多个振动臂中的屈曲振动的相位进行控制的布线的引绕没有进行研究。
发明内容
本发明是鉴于这样的状况而完成的,目的在于提供通过简化布线的引绕而能够减少布线中的电容并使振动特性稳定的谐振子和谐振装置。
本发明的一方面所涉及的谐振子具备:振动部,其具有基部和多个振动臂,上述基部具有前端和与前端相向的后端,上述多个振动臂的固定端与基部的前端连接并且向离开前端的方向延伸,多个振动臂包括至少一个第1振动臂和位于包括至少一个第1振动臂的第1振动臂组的与长边方向交叉的方向的两侧的一对第2振动臂;保持部,其设置于振动部四周的至少局部;以及保持臂,其一端与基部连接,并且另一端与保持部连接,多个振动部具有:压电膜以及之间隔着压电膜而相向设置的下部电极和上部电极,将一对第2振动臂各自的上部电极相互连结的连结布线设置于基部和保持臂中至少一者的区域。
根据本发明,通过简化布线的引绕,能够减少布线处的电容而使振动特性稳定。
附图说明
图1是概略地示出本发明的第1实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。
图2是概略地示出本发明的第1实施方式所涉及的谐振装置的构造的分解立体图。
图3是取下了上侧基板的本发明的第1实施方式所涉及的谐振子的俯视图。
图4是沿着图3的AA′线的剖视图。
图5是沿着图3的BB′线的剖视图。
图6是取下了上侧基板的本发明的第2实施方式所涉及的谐振子的俯视图。
图7是沿着图7的AA′线的剖视图。
图8是取下了上侧基板的本发明的第3实施方式所涉及的谐振子的俯视图。
图9是取下了上侧基板的本发明的第4实施方式所涉及的谐振子的俯视图。
图10是取下了上侧基板的本发明的第5实施方式所涉及的谐振子的俯视图。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下,参照附图对本发明的第1实施方式进行说明。图1是概略地示出本发明的第1实施方式所涉及的谐振装置1的外观的立体图。此外,图2是概略地示出本发明的第1实施方式所涉及的谐振装置1的构造的分解立体图。
该谐振装置1具备谐振子10、上盖30、下盖20。上盖30和下盖20设置为隔着谐振子10而相互相向。即,谐振装置1构成为下盖20、谐振子10、上盖30依次层叠。
此外,通过将谐振子10与下盖20接合,并且将谐振子10与上盖30接合,从而将谐振子10密封。由此,形成有谐振子10的振动空间。谐振子10、下盖20和上盖30分别使用Si基板而形成。而且,谐振子10、下盖20和上盖30的Si基板彼此相互接合。谐振子10和下盖20也可以使用SOI基板而形成。
谐振子10是使用MEMS技术而制造的MEMS谐振子。另外,在本实施方式中,以谐振子10使用硅基板而形成的情况作为例子进行说明。以下,对谐振装置1的各结构详细地进行说明。
(1.上盖30)
上盖30沿着XY平面以平板状扩张,在其背面形成有例如具有矩形状的开口的凹部31。凹部31由侧壁33围起,形成谐振子10振动的空间亦即振动空间的局部。
(2.下盖20)
下盖20具有:沿着XY平面而设置的矩形平板状的底板22;以及从底板22的周缘部沿Z轴方向(即,下盖20与谐振子10的层叠方向)延伸的侧壁23。在下盖20上,且在与谐振子10相向的面上,形成有由底板22的表面和侧壁23的内表面形成的凹部21。凹部21形成谐振子10的振动空间的局部。通过上述的上盖30和下盖20,将该振动空间气密地密封,维持真空状态。也可以在该振动空间填充有例如不活泼气体等气体。
(3.谐振子10)
图3是概略地示出本实施方式所涉及的谐振子10的构造的俯视图。使用图3对本实施方式所涉及的谐振子10的各结构进行说明。谐振子10具备振动部120、保持部140、保持臂111、112、布线191、192、连结布线193。
(a)振动部120
振动部120具有:沿着图3的正交坐标系中的XY平面而扩张的矩形的轮廓。振动部120设置于保持部140的内侧,在振动部120与保持部140之间以预定间隔形成有空间。图3的例子中,振动部120具有基部130和4个振动臂135A~135D(也集中称为“振动臂135”)。另外,振动臂的数量不限定于4个,例如也可以设定为3个以上的任意数量。在本实施方式中,各振动臂135与基部130一体地形成。
基部130具有:Y轴方向上的前端的面131A(以下,也称为“前端131A”)和Y轴方向上的后端的面131B(以下,也称为“后端131B”)。前端131A与后端131B设置为相互相向。
基部130的前端131A与振动臂135连接。基部130的后端131B与保持臂111、112连接。另外,图3的例子中,在俯视时,基部130具有大致长方形的形状,但不局限于此,相对于沿着长边131a的垂直平分线规定的假想平面P以大致面对称形成即可。基部130例如也可以是长边131b比长边131a短的梯形、以长边131a作为直径的半圆的形状。此外,长边131a、131b、短边131c、131d不限定于直线,也可以是曲线。
基部130的Y轴方向上的前端131A与后端131B之间的最长距离例如为40μm左右。此外,基部130的X轴方向上的侧端彼此的最长距离例如为285μm左右。基部130的尺寸是一例,不限定于本实施方式所示的数值。这点上针对其他部位的尺寸也相同。
振动臂135沿Y轴方向延伸,并具有相同的大小。振动臂135在基部130与保持部140之间与Y轴方向平行地设置,一端与基部130的前端131A连接而成为固定端,另一端成为开放端。此外,振动臂135在X轴方向上以预定间隔并列设置。另外,振动臂135例如X轴方向的宽度为50μm左右,例如Y轴方向的长度为420μm左右。
振动臂135的开放端具有重物部G。与振动臂135的其他部位相比,重物部G的X轴方向的宽度相对宽。重物部G例如X轴方向的宽度为70μm左右。重物部G通过相同的工艺而与振动臂135一体形成。形成有重物部G。由此,振动臂135的每单位长度的重量为,开放端侧比固定端侧重。因此,振动臂135的开放端具有重物部G,从而能够使振动臂135的上下方向的振幅变大。
在本实施方式的振动部120中,在X轴方向上,在外侧配置有两个振动臂135A、135D,在内侧配置有两个振动臂135B、135C。将X轴方向上的振动臂135B与135C的间隔W1设定得大于X轴方向上外侧的振动臂135A、135D(第1振动臂的一例)和与该外侧的振动臂135A、135D邻接的内侧的振动臂135B、135C(第2振动臂的一例)之间的间隔W2。间隔W1例如为30μ左右,间隔W2例如为25μm左右。通过将间隔W2设定得小于间隔W1,改善振动特性。此外,为了能够使谐振装置1小型化,也可以将间隔W1设定得小于间隔W2,也可以以等间隔设定。
(b)保持部140
保持部140沿着XY平面以矩形的框状形成。在俯视时,保持部140设置为沿着XY平面而包围振动部120的外侧。另外,保持部140设置于振动部120四周的至少局部即可,不限定于框状的形状。例如,保持部140保持振动部120,以能够与上盖30和下盖20接合的程度设置于振动部120四周即可。
在本实施方式中,保持部140由一体形成的棱柱形状的框体140a~140d构成。如图3所示,框体140a与振动臂135的开放端相向,长边方向沿着X轴设置。框体140b与基部130的后端131B相向,长边方向沿着X轴设置。框体140c与基部130的侧端(短边131c)和振动臂135A相向,长边方向沿着Y轴设置。框体140c的两端分别与框体140a、140b的一端连接。框体140d与基部130的侧端和振动臂135D相向,长边方向沿着Y轴设置。框体140d的两端分别与框体140a、140b的另一端连接。
(c)保持臂111、112
保持臂111和保持臂112设置于保持部140的内侧,将基部130的后端131B与框体140c、140d连接。如图3所示,相对于沿着基部130的X轴方向的中心线并与YZ平面平行地规定的假想平面P,保持臂111与保持臂112大致面对称地形成。
保持臂111具有臂111a、111b、111c。对于保持臂111而言,一端与基部130的后端131B连接,并从该处起朝向框体140b延伸。而且,保持臂111向朝向框体140c的方向(即,X轴方向)屈曲,然后向朝向框体140a的方向(即,Y轴方向)屈曲,再次向朝向框体140c的方向(即,X轴方向)屈曲,另一端与框体140c连接。
臂111a的一端与基部130的后端131B连接。臂111a的另一端在其侧面与臂111b的一端连接。臂111a为例如在X轴方向上规定的宽度为20μm左右,在Y轴方向上规定的长度为40μm左右。
臂111b设置为长边方向与X轴方向平行。对于臂111b而言,一端与臂111a的另一端处与框体140c相向一侧的侧面连接,从该处起与臂111a大致垂直地即在X轴方向上延伸。此外,臂111b的另一端与臂111c的一端处于振动部120相向一侧的侧面连接。臂111b为例如在Y轴方向上规定的宽度为20μm左右,在X轴方向上规定的长度为75μm左右。
臂111c设置为长边方向与Y轴方向平行。臂111c的一端在其侧面与臂111b的另一端连接,另一端与框体140c连接。臂111c为例如在X轴方向上规定的宽度为20μm左右,在Y轴方向上规定的长度为140μm左右。
这样,保持臂111构成为,在臂111a处与基部130连接,在臂111a与臂111b之间的连接部位和臂111b与臂111c之间的连接部位处屈曲之后,向保持部140连接。
保持臂112具有臂112a、112b、112c。对于保持臂112而言,一端与基部130的后端131B连接,并且另一端与框体140d连接。保持臂112从基部130的后端131B朝向框体140b延伸,并向朝向框体140d的方向(即,X轴方向)屈曲。并且,保持臂112向朝向框体140a的方向(即,Y轴方向)屈曲,再次向朝向框体140d的方向(即,X轴方向)屈曲,从而与框体140d连接。
另外,臂112a、112b、112c的结构分别是与臂111a、111b、111c对称的结构,因此,省略详细的说明。
(d)布线191、192
布线191、192形成于在谐振子10的表面暴露的压电薄膜F3上。布线191、192是用于使形成在谐振子10的压电薄膜F3上的金属层E2与交流电源连接的布线。
图3所示的例子中,金属层E2包括第1区域E2A、第2区域E2B、第3区域E2C。第1区域E2A从X轴方向上外侧的振动臂135A的末端延伸到基部130的后端131B,并朝向与振动臂135A邻接的内侧的振动臂135B屈曲。第2区域E2B从X轴方向上外侧的振动臂135D的末端延伸到基部130的后端131B,并朝向与振动臂135D邻接的内侧的振动臂135C屈曲。第3区域E2C从与振动臂135A、135D邻接的内侧的振动臂135B、135C各自的末端延伸到基部130的后端131B,并在基部130处连接。在第1区域E2A与第3区域E2C之间夹设有间隙,在第3区域E2C中的与第1区域E2A邻接的端面上形成有用于引绕布线191的凹部194。同样,在第2区域E2B与第3区域E2C之间夹设有间隙。
布线191从金属层E2的第1区域E2A向框体140d的方向延伸,从该处起向框体140b的方向屈曲,向保持臂111延伸。并且,布线191在保持臂111上,沿着保持臂111延伸至框体140c,在保持臂111与框体140c之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
布线192从金属层E2的第3区域E2C向框体140b的方向延伸,并向保持臂112延伸。并且,布线192在保持臂112上沿着保持臂112延伸至框体140d,在保持臂111与框体140d之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,并向谐振子10的外部引出。
(e)连结布线193
连结布线193将X轴方向上外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2相互连结。图3所示的例子中,连结布线193在基部130处以以直线状使第1区域E2A和第2区域E2B在它们之间隔着第3区域E2C的方式连结。在这种情况下,在与外侧的振动臂135A、135D邻接的内侧的振动臂135B、135C的金属层E2(第3区域E2C)层叠有绝缘层S,在所层叠的绝缘层S上设置有连结布线193。
(4.层叠构造)
使用图4对谐振子10的层叠构造进行说明。图4是示意性地表示图3的AA′截面和谐振子10的电连接方式的概略图。
在谐振子10中,保持部140、基部130、振动臂135、保持臂111、112通过相同的工艺而一体地形成。在谐振子10中,首先,在Si(硅)基板F2之上层叠有金属层E1(第2电极的一例)。而且,在金属层E1之上覆盖金属层E1而层叠有压电薄膜F3(压电膜的一例),并且在压电薄膜F3的表面(上表面的一例)上层叠有金属层E2(第1电极的一例)的第1区域E2A、第2区域E2B和第3区域E2C。此外,也能够通过使用成为电阻体的简并了的硅基板,Si基板F2本身兼作金属层E1,来省略金属层E1。并且,在金属层E2的第3区域E2C的表面上层叠有绝缘层S。在绝缘层S的表面上层叠有连结布线193。
Si基板F2例如由厚度6μm左右的简并了的n型Si半导体形成,作为n型掺杂剂,能够包含P(磷)、As(砷)、Sb(锑)等。用于Si基板F2的简并了的Si的电阻值例如不足1.6mΩ·cm,更优选为1.2mΩ·cm以下。而且,在Si基板F2的下表面形成有氧化硅(例如SiO 2)层(温度特性修正层)F21。由此,能够提高温度特性。
金属层E1、E2例如使用厚度0.1~0.2μm左右的Mo(钼)、铝(Al)等而形成。金属层E1、E2通过蚀刻等而形成为所希望的形状。
金属层E1形成为例如在振动部120上作为下部电极发挥功能。此外,金属层E1形成为,在保持臂111、112、保持部140上,作为用于在设置于谐振子10的外部的交流电源连接下部电极的布线发挥功能。
金属层E2形成为,在振动部120上,作为上部电极发挥功能。此外,金属层E2形成为,在保持臂111、112、保持部140上,作为用于在设置于谐振子10的外部的电路上连接上部电极的布线发挥功能。
另外,在从交流电源向下部布线或上部布线进行连接时,也可以使用在上盖30的外表面上形成电极(外部电极的一例)且该电极将电路与下部布线或上部布线连接的结构,或者使用在上盖30内形成导通孔,在该导通孔的内部填充导电性材料而设置布线,且该布线将交流电源与下部布线或上部布线连接的结构。
绝缘层S夹设于金属层E2的第1区域E2A与第3区域E2C之间和金属层E2的第2区域E2B与第3区域E2C之间,并将它们之间电绝缘。
连结布线193将金属层E2的第1区域E2A与第2区域E2B之间连接。连结布线193在确保了金属层E2的第1区域E2A与第3区域E2C之间和金属层E2的第2区域E2B与第3区域E2C之间的绝缘的状态下,将金属层E2的第1区域E2A与第2区域E2B之间电连接。
压电薄膜F3是将被施加的电压转换为振动的压电膜,例如能够以AlN(氮化铝)等氮化物、氧化物作为主成分。具体而言,压电薄膜F3能够由ScAlN(钪氮化铝)形成。ScAlN是将氮化铝中的铝的一部分置换为钪而得到的材料。此外,压电薄膜F3例如具有1μm的厚度,但也能够使用0.2μm~2μm左右。
压电薄膜F3根据通过金属层E1、E2施加于压电薄膜F3的电场而在XY平面的面内方向即Y轴方向上伸缩。因该压电薄膜F3的伸缩,振动臂135使其开放端朝向下盖20和上盖30的内表面位移,以面外的屈曲振动模式进行振动。
(5.谐振子的功能)
参照图5对谐振子10的功能进行说明。在本实施方式中,施加于外侧的振动臂135A、135D的电场的相位与施加于内侧的振动臂135B、135C的电场的相位被设定为互为相反相位。由此,外侧的振动臂135A、135D与内侧的振动臂135B、135C相互向相反方向位移。例如,若外侧的振动臂135A、135D使开放端朝向上盖30的内表面位移,则内侧的振动臂135B、135C使开放端朝向下盖20的内表面位移。
由此,在本实施方式所涉及的谐振子10中,相反相位振动时,即为振动臂135A与振动臂135B绕在图5所示的振动臂135A与振动臂135B之间与Y轴平行地延伸的中心轴线r1向上下相反方向振动。此外,振动臂135C与振动臂135D绕在振动臂135C与振动臂135D之间与Y轴平行地延伸的中心轴线r2向上下相反方向振动。由此,在中心轴线r1、r2上产生相互相反方向的转矩,在基部130产生屈曲振动。
在本实施方式所涉及的谐振子10中,外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2在基部130处通过连结布线193连结。因此,例如,与使将外侧的振动臂135A、135D相互连结的连结布线在保持部140等处迂回而引绕这种情况相比,连结布线193的布线距离变短,抑制连结布线193的寄生电容。由此,能够使由谐振子10的振荡电路产生的振荡稳定。此外,也能够使连结布线193的布线距离变短,从而有助于谐振子10的小型化。
[第2实施方式]
在第2实施方式以下,省略针对与第1实施方式共用的事项的叙述,仅针对不同点进行说明。特别是,针对基于相同的结构的相同的作用效果,没有按每个实施方式依次提及。
图6是概略地示出本实施方式所涉及的谐振子10的构造的一例的俯视图。以下,以本实施方式所涉及的谐振子10的详细结构中的与第1实施方式的不同点为中心进行说明。本实施方式所涉及的谐振子10在针对第1实施方式中说明的连结布线193而外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2在基部130处通过连结布线193连结这点上共用,但连结布线193的周边结构与第1实施方式不同。
具体而言,如图7所示,在本实施方式所涉及的谐振子10中,在连结布线193的表面上层叠有绝缘层SA。绝缘层SA抑制连结布线193的表面向外部暴露。另外,在图6的俯视图中,为了方便说明,省略图7的绝缘层SA的记载。
在本实施方式所涉及的谐振子10中,连结布线193的表面被绝缘层SA层叠,从而不易在连结布线193上附着有异物,能够抑制在连结布线193处产生电短路(短路)。
[第3实施方式]
图8是概略地示出本实施方式所涉及的谐振子10的构造的一例的俯视图。以下,以本实施方式所涉及的谐振子10的详细结构中的与第1实施方式的不同点为中心进行说明。对于本实施方式所涉及的谐振子10而言,第1实施方式中说明的连结布线193的周边结构与第1实施方式不同。
(a)保持臂113
在本实施方式中,对于保持臂113而言,一端与框体140c连接,从该处起朝向框体140b延伸。然后,保持臂113向朝向框体140d的方向(X轴方向)屈曲而延伸,从该处起向朝向框体140a的方向(Y轴方向)屈曲,另一端与框体140d连接。保持臂113在沿X轴方向延伸的部分中经由一个连接部195而与基部130的后端131B连接。
(b)布线191、191A、192
图8所示的例子中,布线191从金属层E2的第1区域E2A向框体140d的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195而向保持臂113延伸。并且,布线191在保持臂113上,沿着保持臂113延伸至框体140c,在保持臂113与框体140c之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
布线191A从金属层E2的第2区域E2B向框体140c的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195而延伸至保持臂113。
布线192从金属层E2的第3区域E2C向框体140c的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195而向保持臂113延伸。并且,布线192在保持臂113上沿着保持臂113延伸至框体140d,在保持臂111与框体140d之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
(c)连结布线193
连结布线193将从X轴方向上外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2延伸出来的布线191、191A相互连结。图8所示的例子中,连结布线193在保持臂113处以直线状使布线191和布线191A以它们之间隔着布线192连结。在这种情况下,在布线192上层叠有绝缘层,在所层叠的绝缘层上形成有连结布线193。
对于本实施方式所涉及的谐振子10而言,将外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2连结的连结布线193设置于保持臂113。由此,在振幅小的部位设置有连结布线193,因此,能够使谐振子10的振动特性稳定。
[第4实施方式]
图9是概略地示出本实施方式所涉及的谐振子10的构造的一例的俯视图。以下,以本实施方式所涉及的谐振子10的详细结构中的与第1实施方式的不同点为中心进行说明。对于本实施方式所涉及的谐振子10而言,第1实施方式中说明的连结布线190的周边结构与第1实施方式不同。
(a)保持臂113
在本实施方式中,对于保持臂113而言,一端与框体140c连接,从该处起朝向框体140b延伸。而且,保持臂113向朝向框体140d的方向(X轴方向)屈曲而延伸,从该处起向朝向框体140a的方向(Y轴方向)屈曲,另一端与框体140d连接。保持臂113在沿X轴方向延伸的部分处经由两个连接部195A、195B而与基部130的后端131B连接。
(b)布线191、191A、192
图9所示的例子中,布线191从金属层E2的第1区域E2A向框体140d的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195A而向保持臂113延伸。并且,布线191在保持臂113上沿着保持臂113延伸至框体140c,在保持臂113与框体140c之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
布线191A从金属层E2的第2区域E2B向框体140c的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195B而延伸至保持臂113。
布线192从金属层E2的第3区域E2C向框体140c的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195B而向保持臂113延伸。并且,布线192在保持臂113上沿着保持臂113延伸至框体140d,在保持臂111与框体140d之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
(c)连结布线193
连结布线193将从X轴方向上外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2延伸出来的布线191、191A相互连结。图9所示的例子中,连结布线193在保持臂113处以直线状使布线191和布线191A以它们之间隔着布线192的方式连结。在这种情况下,在布线192上层叠有绝缘层,在所层叠的绝缘层上设置有连结布线193。此外,连结布线193设置于与两个连接部195A、195B邻接的位置。与两个连接部15A、195B邻接的位置例如是比保持臂113中沿X轴方向延伸的部分的在Y轴方向上的中心位置靠基部130侧的位置。
对于本实施方式所涉及的谐振子10而言,连结布线193设置有与两个连接部195A、195B邻接的位置。由此,能够使将基部130与保持臂113连接的连接部195A、195B的强度增大。
[第5实施方式]
图10是概略地示出本实施方式所涉及的谐振子10的构造的一例的俯视图。以下,以本实施方式所涉及的谐振子10的详细结构中的与第1实施方式的不同点为中心进行说明。对于本实施方式所涉及的谐振子10而言,第1实施方式中说明的连结布线190的周边结构与第1实施方式不同。
(a)保持臂113
在本实施方式中,对于保持臂113而言,一端与框体140c连接,从该处起朝向框体140b延伸。而且,保持臂113向朝向框体140d的方向(X轴方向)屈曲而延伸,从该处起向朝向框体140a的方向(Y轴方向)屈曲,另一端与框体140d连接。保持臂113在沿X轴方向延伸的部分处经由三个连接部195A、195B、195C而与基部130的后端131B连接。
(b)布线191、191A、192
图10所示的例子中,布线191从金属层E2的第1区域E2A向框体140d的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195A而向保持臂113延伸。并且,布线191在保持臂113上沿着保持臂113延伸至框体140c,在保持臂113与框体140c之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
布线191A从金属层E2的第2区域E2B向框体140c的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195C而延伸至保持臂113。
布线192从金属层E2的第3区域E2C向框体140c的方向延伸,从该处起向框体140b屈曲,穿过连接部195B而向保持臂113延伸。并且,布线192在保持臂113上沿着保持臂113延伸至框体140d,在保持臂111与框体140d之间的连接部处屈曲,向框体140b的方向延伸,向谐振子10的外部引出。
(c)连结布线193
连结布线193将从X轴方向上外侧的振动臂135A、135D各自的金属层E2延伸出来的布线191、191A相互连结。图10所示的例子中,连结布线193在保持臂113处以直线状使布线191和布线191A以它们之间隔着布线192的方式连结。在这种情况下,在布线192上层叠有绝缘层,在所层叠的绝缘层上设置有连结布线193。此外,连结布线193设置于与3个连接部195A、195B、195C邻接的位置。与3个以上连接部15A、195B邻接的位置例如是比保持臂113中沿X轴方向延伸的部分的在Y轴方向上的中心位置靠基部130侧的位置。
对于本实施方式所涉及的谐振子10而言,连结布线193设置于与3个连接部195A、195B、195C邻接的位置。由此,能够使将基部130与保持臂113连接的连接部195A、195B、195C的强度增大。
此外,本实施方式所涉及的谐振装置1具备:上述的谐振子10;上盖30和下盖20,它们之间隔着谐振子10而相互相向设置;以及外部电极。本实施方式所涉及的谐振装置1能够抑制电荷在形成在振动部120上的保护膜235带电这种情况,因此,能够防止因振动部120所带电的电荷引起的谐振频率的变动。
以下,附记本发明的实施方式的一部分或全部,并对其效果进行说明。另外,本发明不限定于以下的附记。
根据本发明的一方式,提供一种谐振子,具备:振动部,其具有基部和多个振动臂,上述基部具有前端和与前端相向的后端,多个振动臂的固定端与基部的前端连接,并且多个振动臂向离开前端的方向延伸,多个振动臂包括至少一个第1振动臂和位于包括至少一个第1振动臂的第1振动臂组的与长边方向交叉方向的两侧的一对第2振动臂;保持部,其设置于振动部四周的至少局部;以及保持臂,其一端与基部连接,并且另一端与保持部连接,多个振动部具有:压电膜、以及之间隔着压电膜而相向设置的下部电极和上部电极,将一对第2振动臂各自的上部电极相互连结的连结布线设置于基部和保持臂中至少一者的区域。
作为一方式,在至少一个第1振动臂中的上部电极上层叠有绝缘层,在所层叠的绝缘层上设置有连结布线。
作为一方式,提供一种谐振子,保持臂包括与基部连接的两个连接部,在与多个振动臂的长边方向交叉的方向上,连结布线设置于与两个连接部重叠的位置。
作为一方式,提供一种谐振子,保持臂包括与基部连接的3个以上连接部,在与多个振动臂的长边方向交叉的方向上,连结布线设置于与3个以上连接部重叠的位置。
作为一方式,提供一种谐振装置,具备:前述的任一个谐振子;上盖和下盖,它们之间隔着谐振子而相互相向设置;以及外部电极,其对一对电极施加电压。
如以上说明那样,根据本发明的一方式,通过简化布线的引绕,能够减少布线处的电容而使振动特性稳定。
另外,以上说明的实施方式是为了容易理解本发明的,不是用于限定地解释本发明。本发明可不脱离其主旨地进行变更/改进,并且本发明也包括其等同物。即,本领域技术人员对各实施方式适当地施加设计变更所得到的方式,只要具备本发明的特征,则也包含于本发明的范围。例如,各实施方式所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、大小等不限定于例示的内容,能够适当地变更。此外,各实施方式所具备的各要素只要在技术上可能则能够组合,将这些组合的方式只要包含本发明的特征则包含于本发明的范围。
附图标记说明
10...谐振子;30...上盖;20...下盖;140...保持部;140a~d...框体;111、112...保持臂;120...振动部;130...基部;135A~D...振动臂;F2...Si基板;191、191A、192...布线;193...连结布线。
Claims (5)
1.一种谐振子,其特征在于,具备:
振动部,其具有基部和多个振动臂,所述基部具有前端和与所述前端相向的后端,所述多个振动臂的固定端与所述基部的所述前端连接,并且向离开所述前端的方向延伸,所述多个振动臂包括至少一个第1振动臂和位于包括所述至少一个第1振动臂的第1振动臂组的与长边方向交叉方向的两侧的一对第2振动臂;
保持部,其设置于所述振动部四周的至少局部;以及
保持臂,其一端与所述基部连接,并且另一端与所述保持部连接,
所述多个振动部具有:压电膜、以及之间隔着所述压电膜而相向设置的下部电极和上部电极,
将所述一对第2振动臂各自的所述上部电极相互连结的连结布线设置于所述基部和所述保持臂中至少一者的区域。
2.根据权利要求1所述的谐振子,其特征在于,
在所述至少一个第1振动臂中的所述上部电极上层叠有绝缘层,在所述所层叠的绝缘层上设置有所述连结布线。
3.根据权利要求1或2所述的谐振子,其特征在于,
所述保持臂包括与所述基部连接的两个连接部,
所述连结布线设置于与所述两个连接部邻接的位置。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的谐振子,其特征在于,
所述保持臂包括与所述基部连接的3个以上连接部,
所述连结布线设置于与所述3个以上连接部邻接的位置。
5.一种谐振装置,其特征在于,具备:
权利要求1~4中任一项所述的谐振子;
上盖和下盖,它们之间隔着所述谐振子而相互相向设置;以及
外部电极,其对所述一对电极施加电压。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-076309 | 2020-04-22 | ||
JP2020076309 | 2020-04-22 | ||
PCT/JP2020/042802 WO2021215036A1 (ja) | 2020-04-22 | 2020-11-17 | 共振子および共振装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115362630A true CN115362630A (zh) | 2022-11-18 |
Family
ID=78270466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080099047.1A Pending CN115362630A (zh) | 2020-04-22 | 2020-11-17 | 谐振子和谐振装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230018209A1 (zh) |
JP (1) | JP7400955B2 (zh) |
CN (1) | CN115362630A (zh) |
WO (1) | WO2021215036A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112567629A (zh) * | 2018-09-03 | 2021-03-26 | 株式会社村田制作所 | 谐振子以及具备该谐振子的谐振装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012105044A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Seiko Epson Corp | 振動デバイスおよび電子機器 |
JP2015041785A (ja) | 2013-08-20 | 2015-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体 |
JP2015186019A (ja) | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 日本電波工業株式会社 | 振動子、振動子の製造方法及び電子部品 |
JP5822186B2 (ja) | 2014-09-29 | 2015-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子、発振器、および電子機器 |
CN108141195B (zh) | 2015-10-13 | 2021-08-17 | 株式会社村田制作所 | 谐振子以及谐振装置 |
JP6742601B2 (ja) | 2016-06-01 | 2020-08-19 | 株式会社村田製作所 | 共振子及び共振装置 |
WO2020044634A1 (ja) | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社村田製作所 | 共振装置 |
JP6813058B2 (ja) | 2019-07-03 | 2021-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子の製造方法 |
-
2020
- 2020-11-17 CN CN202080099047.1A patent/CN115362630A/zh active Pending
- 2020-11-17 JP JP2022516835A patent/JP7400955B2/ja active Active
- 2020-11-17 WO PCT/JP2020/042802 patent/WO2021215036A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-09-14 US US17/944,594 patent/US20230018209A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7400955B2 (ja) | 2023-12-19 |
WO2021215036A1 (ja) | 2021-10-28 |
JPWO2021215036A1 (zh) | 2021-10-28 |
US20230018209A1 (en) | 2023-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107925398B (zh) | 谐振子和谐振装置 | |
CN109478876B (zh) | 谐振器和谐振装置 | |
CN107431472B (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
CN109155615B (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
CN107534432B (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
CN108141197B (zh) | 谐振子和谐振装置 | |
US10879873B2 (en) | Resonator and resonance device | |
CN108141195B (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
CN107431476B (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
US11283422B2 (en) | Resonance device | |
CN112740550B (zh) | 谐振装置 | |
CN115362630A (zh) | 谐振子和谐振装置 | |
CN111095796B (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
CN112640302A (zh) | 谐振子和具备谐振子的谐振装置 | |
CN111133677B (zh) | 谐振器以及谐振装置 | |
CN110771036B (zh) | 谐振器以及谐振装置 | |
CN115428336A (zh) | 谐振器以及谐振装置 | |
CN117730482A (zh) | 谐振子以及谐振装置 | |
CN115398802A (zh) | 谐振子以及谐振装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |