CN115346865A - 一种图像传感器晶圆的切割方法 - Google Patents

一种图像传感器晶圆的切割方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115346865A
CN115346865A CN202211028574.0A CN202211028574A CN115346865A CN 115346865 A CN115346865 A CN 115346865A CN 202211028574 A CN202211028574 A CN 202211028574A CN 115346865 A CN115346865 A CN 115346865A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
image sensor
sensor wafer
laser
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211028574.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李媛媛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Yuehai Integrated Technology Co ltd
Original Assignee
Guangdong Yuehai Integrated Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Yuehai Integrated Technology Co ltd filed Critical Guangdong Yuehai Integrated Technology Co ltd
Priority to CN202211028574.0A priority Critical patent/CN115346865A/zh
Publication of CN115346865A publication Critical patent/CN115346865A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法包括利用激光束沿标记线对图像传感器晶圆上的玻璃基板进行激光切割，形成切割线，再沿所述切割线进行裂片得到单颗芯片的步骤；所述切割方法将激光切割和机械裂片相结合，具有效率高、精度高和灵活性高的优势，且采用所述切割方法切割得到的单颗芯片良率较高，进而有效降低了制造成本，为图像传感器晶圆的切割提供了一种新的方法。

Description

一种图像传感器晶圆的切割方法
技术领域
本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体涉及一种图像传感器晶圆的切割方法。
背景技术
图像传感器是一种能够感受光学图像信息并将其转换成可用输出信号的传感器。图像传感器可以提高人眼的视觉范围，使人们看到肉眼无法看到的微观世界和宏观世界，在文化、体育、生产、生活和科学研究中均起到了非常重要的作用。
对于图像传感器来说，传统的封装采取分立式封装方式，这种封装方式需要对每颗芯片进行单独的封装。随着安装于各种电子产品中的相机数量不断增多，每年对于图像传感器的需求达到数十亿颗之多，分立式封装的产能低、良率低、成本高的缺点已经无法适应这种增长，在这种背景下，一种适用于大规模量产的封装方式被开发出来，即晶圆级封装。
不同于分立式封装，晶圆级封装将未分割开的图像传感器芯片晶圆和晶圆级玻璃相贴附，形成新的晶圆，再进行整体封装，封装时，将一整片图像传感器芯片贴附于一整片光学玻璃盖片上，并使图像传感器芯片的感光面朝向玻璃面，以玻璃盖片为光入射窗口，芯片四周利用聚合物绝缘胶与玻璃盖片粘合，并使芯片感光面与玻璃盖片之间存在一定间隙，以防止芯片感光面受到损伤；芯片的另一面与分立式封装不同的是，通常在贴附好后整片进行重新分布电路，而形成有重分布电路，再利用聚合物绝缘胶进行封装，利用丝网印刷等方法制作好焊料球，便于后续电路的外部连接，封装完毕后将晶圆重新切割成单颗(获得多个相互分割的图像传感器芯片单体)。这种封装方式产能大、良率高、封装尺寸小，逐步成为主流的封装方式。
进而对于晶圆整体封装后的切割工艺成为研究重点，目前传统的切割工艺普遍利用高速转动的金刚石刀轮将图像传感器芯片(包括玻璃盖片、重分布电路、密封聚合物绝缘层以及焊料球等)切割成单独的芯片。
CN103377977A提供了一种基板的切割方法，在为了保护晶圆表面而贴附保护带并进行切割的工序中，为了得到在芯片侧面上无残胶、并且使贴附的保护带在切割中不从晶圆剥离、并且成品率和生产率优异的切割方法，在将具有能量射线固化型粘合剂层的表面保护粘合带贴合到基材的一个面而对半导体晶圆集成电路形成面进行表面保护并切割的工序中，在预先对晶圆内周部照射能量射线使该能量射线固化型粘合剂层固化、不对晶圆外周部照射能量射线从而能量射线固化型粘合剂层未固化的状态下进行切割。但是，在图像传感器晶圆封装过程中产品切割槽内覆盖着大量的保护胶和玻璃材质，给切割工艺带来诸多问题，上述机械切割方案容易对产品造成材料崩边、侧裂、切偏、砂轮刀片断裂等异常现象，进而导致产品良率的降低、成本增加；且机械切割方案需求的物料多，例如：砂轮刀片、特定的UV膜、D.I水、PCW、CO2等，同时还具有切割效率产出低的不足，从而导致设备需求量大及生产区域空间面积增大，最终制造成本的增加，阻碍了图像传感器晶圆的进一步发展。
因此，开发一种效率高、良率高且成本低的图像传感器晶圆的切割方法，已经成为了目前急需解决的技术问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法具有高效率、高精度和高灵活性的优势，且采用所述切割方法切割得到的单颗芯片的良率高，进而有效降低了制造成本，为图像传感器晶圆的切割提供了一种新的方法。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法包括：利用激光束沿图像传感器晶圆的玻璃基板上的标记线进行激光切割，形成切割线，再沿所述切割线进行裂片，完成所述图像传感器晶圆的切割，得到单颗图像传感器芯片。
本发明提供的图像传感器晶圆的整体结构示意图和局部放大结构示意图分别如图1和图2所示，其中，包括晶圆1，单颗芯片1-1和切割道1-2；本发明提供的切割方法需要事先在图像传感器晶圆的玻璃基板上根据实际芯片的位置在切割道上画出标记线，然后采用激光束按照标记线对玻璃基板进行激光切割，并且激光切割后会在玻璃基板上产生切割线，玻璃基板不会直接裂开，这时候需要沿所述切割线进行裂片，裂片的时候玻璃基板面朝下，硅基板面朝上，裂片结束后即可得到单颗芯片。
本发明提供的切割方法利用激光束的高效率、高精度和高灵活性的特点，将晶圆上的玻璃基板进行了改质，然后使用劈裂设备沿对切割线进行劈裂，具有加工方案简单、无污染、有助于减少后续处理的加工环节的优点，还具有节约设备、物料等优势，有助于提高生产效率和产品良率。
优选地，所述激光切割前还包括去除玻璃基板上保护胶带的步骤。
优选地，所述标记线的宽度为60～80μm，例如62μm、64μm、66μm、68μm、70μm、72μm、74μm、76μm或78μm，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地，所述激光切割通过皮秒激光器进行。
优选地，所述皮秒激光器中激光束的波长为1064nm。
优选地，所述激光束的功率为25～40W，27W、29W、31W、33W、35W、37W、38W、39W或40W，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地，所述激光束的移动速率为60～150mm/s，例如70mm/s、80mm/s、90mm/s、100mm/s、110mm/s、120mm/s、130mm/s、140mm/s或150mm/s等，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地，所述裂片的压力为1～4kg/cm2，例如1.5kg/cm2、2kg/cm2、2.5kg/cm2、3kg/cm2、3.5kg/cm2或4kg/cm2，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
优选地，所述裂片在劈裂机上进行。
优选地，所述裂片结束后还包括在扩膜设备中扩膜的步骤。
作为本发明的优选技术方案，所述切割方法包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，在相邻两个芯片之间的做标记，形成标记线；
(2)利用皮秒激光器中的激光束对经步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板沿标记线进行激光切割，所述激光束的功率为25～40W，波长为1064nm、移动速率为60～150mm/s；
(3)利用劈裂机对经过步骤(2)处理后的图像传感器晶圆进行裂片，所述裂片的压力为1～4kg/cm2；
(4)对经过步骤(3)处理后的图像传感器晶圆进行扩膜，完成所述图像传感器晶圆的切割，得到单颗图像传感器芯片。
第二方面，本发明提供一种图像传感器芯片，所述图像传感器芯片经如第一方面所述的切割方法切割后得到。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的图像传感器晶圆的切割方法包括利用激光沿标记线对图像传感器晶圆上的玻璃基板进行激光切割，形成切割线，再所述沿切割线进行裂片得到单颗芯片的步骤；所述切割方法将激光切割和机械裂片相结合，具有效率高、精度高和灵活性高的优势，且采用所述切割方法切割得到的单颗芯片良率较高，进而有效降低了制造成本；且进一步通过控制激光切割所用激光束的功率以及移动速率，可以使切割得到的单颗芯片的良率达到99.2～99.8％，切割效率可以达到14～24min/pcs，为图像传感器晶圆的切割提供了一种新的方法。
附图说明
图1为本发明提供的图像传感器晶圆的整体结构示意图；
图2为本发明提供的图像传感器晶圆的局部放大结构示意图；
其中，1-晶圆，1-1-单颗芯片，1-2-切割道。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法具体包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，按照芯片的排列画出切割线；
(2)将经过步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝上，采用皮秒激光器中沿事前画好的切割线对玻璃基板进行激光切割，皮秒激光器中激光束的功率为30W，波长为1064nm、切割的移动速率为100mm/s；
(3)将经过步骤(2)激光切割的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下置于劈裂机上，在3kg/cm2的压力下进行劈裂；
(4)将经过步骤(3)劈裂处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下在扩膜设备中进行扩膜，即可得到单颗的芯片。
实施例2
一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法具体包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，按照芯片的排列画出切割线；
(2)将经过步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝上，采用皮秒激光器中沿事前画好的切割线对玻璃基板进行激光切割，皮秒激光器中激光束的功率为25W，波长为1064nm、切割的移动速率为80mm/s；
(3)将经过步骤(2)激光切割的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下置于劈裂机上，在1kg/cm2的压力下进行劈裂；
(4)将经过步骤(3)劈裂处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下在扩膜设备中进行扩膜，即可得到单颗的芯片。
实施例3
一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法具体包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，按照芯片的排列画出切割线；
(2)将经过步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝上，采用皮秒激光器中沿事前画好的切割线对玻璃基板进行激光切割，皮秒激光器中激光束的功率为40W，波长为1064nm、切割的移动速率为150mm/s；
(3)将经过步骤(2)激光切割的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下置于劈裂机上，在4kg/cm2的压力下进行劈裂；
(4)将经过步骤(3)劈裂处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下在扩膜设备中进行扩膜，即可得到单颗的芯片。
实施例4～7
一种图像传感器晶圆的切割方法，其与实施例1的区别仅在于，步骤(2)中激光束的移动速率分别为50mm/s、60mm/s、150mm/s和200mm/s，其他条件、参数和步骤均与实施例1相同。
实施例8～11
一种图像传感器晶圆的切割方法，其与实施例1的区别仅在于，步骤(2)中激光束的功率分别为20W、30W、40W和50W，其他条件、参数和步骤均与实施例1相同。
实施例12
一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法具体包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，按照芯片的排列画出切割线；
(2)将经过步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝上，采用皮秒激光器中沿事前画好的切割线对玻璃基板进行激光切割，皮秒激光器中激光束的功率为30W，波长为1064nm、切割的移动速率为100mm/s；
(3)将经过步骤(2)激光切割的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下置于劈裂机上，在3kg/cm2的压力下进行劈裂，得到单颗的芯片。。
对比例1
一种图像传感器晶圆的切割方法，所述切割方法具体包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，按照芯片的排列画出切割线；
(2)将经过步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板面朝下，采用砂轮刀片沿事前画好的切割线对玻璃基板进行切割，得到单颗芯片。
性能测试：
(1)良率和效率：将8inch的图像传感器晶圆进行激光切割，通过AOI检验设备判别切割后的全部4037ea芯片的外观是否达到良品要求，然后按照良率＝良数/检验总数×100％计算良率，并记录切割效率。
按照上述测试方法对实施例1～12和对比例1提供的切割方法进行测试，测试结果如表1所示：
表1
Figure BDA0003816567550000081
Figure BDA0003816567550000091
根据表1数据可以看出：本发明提供的切割方法得到的单颗芯片的良率较高且切割效率较高，能够兼具高切割效率和切割质量；且通过进一步限定激光束的移动速率为60～150mm/s以及激光束的功率为25～40W，可以进一步提升切割的良率和效率，具体而言，良率可以达到99.2～99.8％，效率可以达到14～24min/pcs。
通过实施例1和对比例1的数据比较可以发现，采用传统的砂轮刀片进行切割，得到的单颗芯片的良率仅为96％，且切割效率很低。
再比较实施例1和实施例4～7的数据可以发现，激光束的移动速率偏低(实施例4)，会导致切割效率降低的同时还会影响切割得到的单颗芯片的良率；而激光束的移动速率偏高(实施例7)，则会导致切割得到的单颗芯片的良率大幅度降低。
再进一步比较实施例1和实施例8～11的数据可以发现，激光束的功率偏低(实施例8)，会导致切割效率降低，同时导致切割得到的单颗芯片的良率下降；而激光束的功率偏高(实施例11)同样会导致切割得到的单颗芯片的良率大幅度降低。
最后比较实施例1和实施例12的数据比较可以发现，激光切割结束后没有进行扩膜同样会导致得到的单颗芯片的良率下降。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明一种图像传感器晶圆的切割方法，但本发明并不局限于上述工艺步骤，即不意味着本发明必须依赖上述工艺步骤才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种图像传感器晶圆的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括：利用激光束沿图像传感器晶圆的玻璃基板上的标记线进行激光切割，形成切割线，再沿所述切割线进行裂片，完成所述图像传感器晶圆的切割，得到单颗图像传感器芯片。
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述激光切割前还包括去除玻璃基板上保护胶带的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，所述标记线的宽度为60～80μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的切割方法，其特征在于，所述激光切割通过皮秒激光器进行。
5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述皮秒激光器中激光束的波长为1064nm；
优选地，所述激光束的功率为25～40W。
6.根据权利要求4或5所述的切割方法，其特征在于，所述激光束的移动速率为60～150mm/s。
7.根据权利要求1～6任一项所述的切割方法，其特征在于，所述裂片的压力为1～4kg/cm2；
优选地，所述裂片在劈裂机上进行。
8.根据权利要求1～7任一项所述的切割方法，其特征在于，所述裂片结束后还包括在扩膜设备中扩膜的步骤。
9.根据权利要求1～8任一项所述的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括如下步骤：
(1)去除图像传感器晶圆中玻璃基板上的保护胶带，在相邻两个芯片之间的做标记，形成标记线；
(2)利用皮秒激光器中的激光束对经步骤(1)处理后的图像传感器晶圆的玻璃基板沿标记线进行激光切割，所述激光束的功率为25～40W，波长为1064nm，移动速率为60～150mm/s；
(3)利用劈裂机对经过步骤(2)处理后的图像传感器晶圆进行裂片，所述裂片的压力为1～4kg/cm2；
(4)对经过步骤(3)处理后的图像传感器晶圆进行扩膜，完成所述图像传感器晶圆的切割，得到单颗图像传感器芯片。
10.一种图像传感器芯片，其特征在于，所述图像传感器芯片经如权利要求1～9任一项所述的切割方法切割后得到。
CN202211028574.0A 2022-08-25 2022-08-25 一种图像传感器晶圆的切割方法 Pending CN115346865A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211028574.0A CN115346865A (zh) 2022-08-25 2022-08-25 一种图像传感器晶圆的切割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211028574.0A CN115346865A (zh) 2022-08-25 2022-08-25 一种图像传感器晶圆的切割方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115346865A true CN115346865A (zh) 2022-11-15

Family

ID=83954190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211028574.0A Pending CN115346865A (zh) 2022-08-25 2022-08-25 一种图像传感器晶圆的切割方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115346865A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100248451A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Electro Sceintific Industries, Inc. Method for Laser Singulation of Chip Scale Packages on Glass Substrates
CN102583991A (zh) * 2012-03-12 2012-07-18 深圳光韵达光电科技股份有限公司 一种激光切割玻璃的方法
CN103358032A (zh) * 2013-07-31 2013-10-23 江阴长电先进封装有限公司 一种cis产品的圆片级划片方法
CN103839956A (zh) * 2014-01-29 2014-06-04 苏州兰叶光电科技有限公司 采用晶圆级封装方式的图像传感器芯片晶圆的切割方法
CN209811487U (zh) * 2019-04-18 2019-12-20 上海精骊电子技术有限公司 一种全面屏异形切割的激光切割装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100248451A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Electro Sceintific Industries, Inc. Method for Laser Singulation of Chip Scale Packages on Glass Substrates
CN102583991A (zh) * 2012-03-12 2012-07-18 深圳光韵达光电科技股份有限公司 一种激光切割玻璃的方法
CN103358032A (zh) * 2013-07-31 2013-10-23 江阴长电先进封装有限公司 一种cis产品的圆片级划片方法
CN103839956A (zh) * 2014-01-29 2014-06-04 苏州兰叶光电科技有限公司 采用晶圆级封装方式的图像传感器芯片晶圆的切割方法
CN209811487U (zh) * 2019-04-18 2019-12-20 上海精骊电子技术有限公司 一种全面屏异形切割的激光切割装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101026126B (zh) 半导体芯片制造方法
US6541730B2 (en) Method and apparatus for cutting a non-metal substrate by using a laser beam
Lei et al. Die singulation technologies for advanced packaging: A critical review
US9779993B2 (en) Wafer processing method including attaching a protective tape to a front side of a functional layer to prevent debris adhesion
US9034731B2 (en) Integrated, integrated circuit singulation system
US20060009008A1 (en) Method for the laser processing of a wafer
JP2005116844A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20060113454A (ko) 판 형상체 절단방법 및 레이저 가공장치
CN109559983B (zh) 晶圆的切割方法
TWI657540B (zh) 具有晶圓級底部塡料之晶圓的隱形切割
CN111029301B (zh) 一种碳化硅基晶圆的加工方法
JP2005032903A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN103358032A (zh) 一种cis产品的圆片级划片方法
US10049934B2 (en) Wafer processing method
KR100825798B1 (ko) 다이싱 방법
CN109909608A (zh) 晶圆加工方法及装置
CN111900081B (zh) 一种硅基led芯片的切割方法
US20070155055A1 (en) Method of dicing wafer and die
CN104668782A (zh) 半导体晶片的激光切割方法
CN110379771A (zh) 晶圆分离方法
CN115346865A (zh) 一种图像传感器晶圆的切割方法
JP2006156456A (ja) フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
CN107214419A (zh) 一种激光加工晶圆的方法及装置
JP4553878B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN115274424A (zh) 半导体晶片切割工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination