CN115344433B - 数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质 - Google Patents
数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质 Download PDFInfo
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Abstract
本申请公开了一种数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质,包括读取失效数据所在数据块中的页数据;对所述页数据进行第一硬解码处理;在存在所述页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据;根据所述待重读页数据的比特信息和所述待重读页数据的码字信息,确定是否对所述待重读页数据进行软解码处理。根据本申请的技术方案,能够充分利用重读、硬解码和设置有触发条件的软解码,从而实现数据的恢复,能够减少软解码失败导致的解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
Description
技术领域
本申请涉及数据恢复技术领域,尤其是一种数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质。
背景技术
NAND Flash是现如今广泛使用的存储器,NAND Flash存储器以存储电荷的形式来表示数据。目前,一般通过低密度校验(LDPC,Low-density Parity-check)纠错算法恢复NAND Flash存储器丢失的数据。然而,相关技术中通过重读降低错误比特数量或者通过对数据进行软解码的方式进行数据恢复的方式,一般先尝试所有的重读,如果数据仍然纠错失败,再进入预定义的软解码处理流程,这种方案读延迟较大,导致数据恢复效率低。
发明内容
本申请实施例提供了一种数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质,能够充分利用重读、硬解码和设置有触发条件的软解码,从而实现数据的恢复,能够减少软解码失败导致的解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
第一方面,本申请实施例提供了一种数据恢复方法,应用于NAND Flash存储器,包括:
读取失效数据所在数据块中的页数据;
对所述页数据进行第一硬解码处理;
在存在所述页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据;
根据所述待重读页数据的比特信息和所述待重读页数据的码字信息,确定是否对所述待重读页数据进行软解码处理。
根据本申请的数据恢复方法,至少具有以下有益效果:应用于NAND Flash存储器,包括:读取失效数据所在数据块中的页数据;对所述页数据进行第一硬解码处理;在存在所述页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据;根据所述待重读页数据的比特信息和所述待重读页数据的码字信息,确定是否对所述待重读页数据进行软解码处理。根据本申请的技术方案,能够充分利用重读、硬解码和设置有触发条件的软解码,从而实现数据的恢复,能够减少软解码失败导致的解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
根据本申请的一些实施例,所述根据所述待重读页数据的比特信息和所述待重读页数据的码字信息,确定是否对所述待重读页数据进行软解码处理,包括;
获取所述待重读页数据中比特值为1的目标占比值;
获取所述待重读页数据中的码字信息;
在所述目标占比值与50%之间的偏移值小于预设的偏移值阈值,并且,所述待重读页数据中存在码字恢复成功的情况下,确定对所述待重读页数据进行软解码处理。
根据本申请的一些实施例,所述确定对所述待重读页数据进行软解码处理,包括:
根据所述待重读页数据调整重读的电压偏移;
根据所述电压偏移读取所述待重读页数据并进行软解码处理。
根据本申请的一些实施例,所述方法还包括:
在所述目标占比值与50%之间的偏移值大于或等于预设的偏移值阈值,或者,所述待重读页数据中不存在码字解码成功的情况下,确定不对所述待重读页数据进行软解码处理。
根据本申请的一些实施例,在所述确定不对所述待重读页数据进行软解码处理之后,还包括:
更新重读的电压偏移,重读所述待重读页数据;
对所述待重读页数据进行第二硬解码处理。
根据本申请的一些实施例,在所述确定对所述待重读页数据进行软解码处理之后,还包括:
在所述待重读页数据恢复失败的情况下,更新重读的电压偏移,重读所述待重读页数据;
对所述待重读页数据进行第三硬解码处理。
根据本申请的一些实施例,在所述重读恢复失败的待重读页数据之后,还包括:
对所述待重读页数据进行第四硬解码处理;
在所述待重读页数据恢复成功的情况下,确定不对所述待重读页数据进行软解码处理
第三方面,本申请实施例还提供了一种数据恢复装置,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的数据恢复方法。
第四方面,本申请实施例还提供了一种固态硬盘,包括第三方面的数据恢复装置。
第五方面,本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质,存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于执行如上所述的数据恢复方法。
附图说明
图1是本申请一个实施例提供的数据恢复方法的流程图;
图2是图1中步骤S140的具体方法的流程图;
图3是图2中步骤S230的具体方法的流程图;
图4是本申请另一个实施例提供的数据恢复方法的流程图;
图5是本申请又一个实施例提供的数据恢复方法的流程图;
图6是本申请再一个实施例提供的数据恢复方法的流程图;
图7是本申请另一个实施例提供的数据恢复装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
另外,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
低密度校验(LDPC,Low-density Parity-check)纠错算法是一种高效的数据纠错算法,广泛的应用于与通信、存储相关的各行各业。在NAND Flash存储器中,LDPC纠错算法提供了硬解码(hard decode)和软解码(soft decode)两大类数据恢复的解码方案。硬解码流程不需要比特(bit)位的概率信息,解码速度较快,但解码能力比软解码弱;软解码需要从NAND Flash存储器进行多次采样,并且需要得到bit位的概率信息,解码速度慢,但解码能力比硬解码强。如何将硬解码和软解码二者的优势结合起来,即能尽可能保证NANDFlash数据安全性,又能快速恢复数据是数据恢复策略研究的重点。本发明提出一种高效的数据恢复方法,能充分利用重读(read retry)、硬解码和软解码各自的优势,从而更加快速、高效,提高对数据恢复的纠错能力。
NAND Flash是现如今广泛使用的存储器,具有速度快,非易失等优良特性。NANDFlash存储器内部以存储电荷的形式来表示数据,在实际使用过程中,各种内外部条件的变化会导致存储电荷数量的变化。然而,这种变化会导致相邻阈值电压状态会发生交叠,读电压无法正确判断单元(cell)状态,进而导致错误比特出现。当错误bit数到达一定的数量,从而超过纠错模块的纠错能力,就会导致NAND Flash存储器无法恢复写入数据,造成数据丢失。
具体地,NAND Flash 存储器的每个cell中存储电荷数量可能分成不同的等级,这些等级可以编码成不同的数据。当内外部环境变化时,cell中的电荷也会发生变化,电荷数量的变化会导致cell 对应编码数据变化,进而导致bit 翻转。当bit 翻转数量超过纠错模块的纠错能力时,就会发生数据错误。导致cell 中电荷变化的因素很多,典型的场景有数据保持(data retention),读干扰(read disturb),高低温(corss_temp)等。
现有的方法中,主要有两种方法解决上述因素导致的数据失效问题:
1.读电压调整,即重读(read retry)。通过调整读电压,使错误bit数降低,当错误bit数降低到解码范围以内,就可以成功纠正数据。
2.LDPC纠错算法的软解码。
从流程上讲,一般先尝试所有的重读,如果数据仍然纠错失败,再进入预定义的软解流程进行解码。这种方案采用遍历的方法,对所有可能纠错的方法一一遍历,虽然能保障数据安全性,但读延迟较大。
现有技术缺点在于读延迟大,容易造成超时。一般对于TLC NAND Flash存储器而言,重读可能多达数十组。走完整个重读流程时间过长,不能满足时间要求。软解码的有效率高,但一旦软解流程解码失败,造成的时间消耗也非常大,也不能满足纠错时间要求。
造成读延迟过大的原因是过多的无效重读,无法确定进入软解码的时机。本发明提供一种判断条件,当满足这种条件时,进入软解码,从而能以较大的概率纠正数据,退出读流程,减少读延迟,达到提高数据恢复的效率的目的。
本申请提供了一种数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质,包括读取失效数据所在数据块中的页数据;对所述页数据进行第一硬解码处理;在存在所述页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据;根据所述待重读页数据的比特信息和所述待重读页数据的码字信息,确定是否对所述待重读页数据进行软解码处理。根据本申请的技术方案,能够充分利用重读、硬解码和设置有触发条件的软解码,从而实现数据的恢复,能够减少软解码失败导致的解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
下面结合附图,对本申请实施例作进一步阐述。
如图1所示,图1是本申请一个实施例提供的数据恢复方法的流程图,该数据恢复方法应用于NAND Flash存储器,可以包括但不限于有步骤S110、步骤S120、步骤S130和步骤S140。
步骤S110:读取失效数据所在数据块中的页数据。
本步骤中,失效数据指的是NAND Flash存储器中的失效数据,读取失效数据所在数据块中的页数据指的是通过默认读(default read)的方式对页数据进行读取。读取失效数据所在数据块中的页数据是为了便于后续步骤中对页数据进行处理以达到恢复数据的目的。
步骤S120:对页数据进行第一硬解码处理。
本步骤中,第一硬解码处理指的是相关技术中LDPC纠错算法对应的硬解码处理,对页数据进行第一硬解码处理,从而能够达到对数据进行恢复的目的。
本申请另一个实施例中,对页数据进行第一硬解码处理后,如果页数据恢复成功,则已经达到数据恢复的目的,可以直接退出数据恢复方法,由于硬解码延迟较低,从而能够达到提高数据恢复的效率的目的。
步骤S130:在存在页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据。
本步骤中,待重读页数据指的是恢复失败的页数据,重读(read retry)指的是相关技术中的任意形式的重读操作,例如设置偏移电压的重读。在存在页数据恢复失败的情况下,表征经过第一硬解码处理后的页数据存在解码失败的情况,所以,重读恢复失败的待重读页数据,从而能够达到对页数据进行恢复的目的。
步骤S140:根据待重读页数据的比特信息和待重读页数据的码字信息,确定是否对待重读页数据进行软解码处理。
本步骤中,比特(bit)信息指的是相关技术中的页数据对应的比特信息,码字(code word)信息指的是与页数据对应的相关技术中的码字信息,根据待重读页数据的比特信息和待重读页数据的码字信息,确定是否对待重读页数据进行软解码处理,从而能够在对待重读页数据进行软解码之前设置对应的条件,减少软解码失败导致恢复时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
本申请另一个实施例中,页数据的比特值可以是0或者1,页数据的码字为LDPC纠错算法的编解码的基本单位,根据待重读页数据的比特信息和待重读页数据的码字信息,确定是否对待重读页数据进行软解码处理,从而能够减少软解码失败导致恢复时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S110至步骤S140的数据恢复方法,读取失效数据所在数据块中的页数据;对页数据进行第一硬解码处理;在存在页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据;根据待重读页数据的比特信息和待重读页数据的码字信息,确定是否对待重读页数据进行软解码处理,根据本申请实施例的方案,能够充分利用重读、硬解码和设置有触发条件的软解码,从而实现数据的恢复,能够减少软解码失败导致的解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的效率的目的。
在一实施例中,如图2所示,对数据恢复方法进行进一步的说明,步骤S140还可以包括但不限于有步骤S210、步骤S220和步骤S230。
步骤S210:获取待重读页数据中比特值为1的目标占比值。
本步骤中,待重读页数据指的是经过第一硬解码处理后恢复失败的页数据,目标占比值指的是待重读页数据中比特值为1的数量与待重读页数据中比特总数之间的比例值,在一个可选的实施方式中,当目标占比值为50%,表征待重读页数据中比特值为1的数量占总的比特数量的50%。获取待重读页数据中比特值为1的目标占比值是为了便于后续步骤中确定是否需要对待重读页数据进行软解码处理。
步骤S220:获取待重读页数据中的码字信息。
本步骤中,待重读页数据中的码字信息能够表征经过第一硬解码处理之后的待重读页数据中是否存在部分被解码成功。获取待重读页数据中的码字信息为了便于后续步骤中确定是否需要对待重读页数据进行软解码处理。
步骤S230:在目标占比值与50%之间的偏移值小于预设的偏移值阈值,并且,待重读页数据中存在码字恢复成功的情况下,确定对待重读页数据进行软解码处理。
本步骤中,预设的偏移值阈值指的是预先设置的任意的偏移值阈值,在此不做具体限定,在一个可选的实施方式中,可以为页数据对应的码字设置有状态码用于记录待重读页数据在经过第一硬解码处理之后码字是否解码成功。在目标占比值与50%之间的偏移值小于预设的偏移值阈值,并且,待重读页数据中存在码字恢复成功的情况下,确定对待重读页数据进行软解码处理,从而在页数据经过第一硬解码处理后恢复失败的情况下,充分利用重读以及软解码能力强的优势来对恢复失败的页数据进行解码以达到数据恢复的目的,提高了数据恢复的可靠性。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S210至步骤S230的数据恢复方法,获取待重读页数据中比特值为1的目标占比值;获取待重读页数据中的码字信息;在目标占比值与50%之间的偏移值小于预设的偏移值阈值,并且,待重读页数据中存在码字恢复成功的情况下,确定对待重读页数据进行软解码处理,根据本申请实施例的方案,充分利用重读以及软解码能力强的优势来对恢复失败的页数据进行解码以达到数据恢复的目的,达到提高数据恢复的可靠性的目的。
在一实施例中,如图3所示,对数据恢复方法进行进一步的说明,步骤S230还可以包括但不限于有步骤S310、步骤S320。
步骤S310:根据待重读页数据调整重读的电压偏移。
本步骤中,重读可以是偏移电压的重读,根据待重读页数据调整重读的电压偏移,即是说,将当前重读电压偏移为与重读页数据对应的最佳电压偏移,从而能够达到便于后续步骤中对待重读页数据进行软解码处理的目的。
步骤S320:根据电压偏移读取待重读页数据并进行软解码处理。
本步骤中,软解码处理指的是与相关技术中LDPC纠错算法对应的任意软解码处理,由于软解码处理需要从NAND Flash存储器中多次采样以及需要得到比特(bit)位的概率信息,根据电压偏移读取待重读页数据并进行软解码处理,利用重读结合软解码的方式,提高了对待重读页数据的进行软解码的速度,从而达到提高数据恢复的效率的目的。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S310至步骤S320的数据恢复方法,根据待重读页数据调整重读的电压偏移;根据电压偏移读取待重读页数据并进行软解码处理,根据本申请实施例的方案,重读指的是偏移电压的重读,利用重读结合软解码的方式,提高了对待重读页数据的进行软解码的速度,从而达到提高数据恢复的效率的目的。
在一实施例中,对数据恢复方法进行进一步的说明,该方法还可以包括但不限于有步骤S410。
步骤S410:在目标占比值与50%之间的偏移值大于或等于预设的偏移值阈值,或者,待重读页数据中不存在码字解码成功的情况下,确定不对待重读页数据进行软解码处理。
本步骤中,50%指的是具体的数值,预设的偏移值阈值指的是预先设置的任意的偏移值阈值,在此不做具体限定,在一个可选的实施方式中,可以为页数据对应的码字设置有状态码用于记录待重读页数据在经过第一硬解码处理之后码字是否解码成功。在目标占比值与50%之间的偏移值大于或等于预设的偏移值阈值,或者,待重读页数据中不存在码字解码成功的情况下,确定不对待重读页数据进行软解码处理,即是说,在页数据经过第一硬解码处理后恢复失败,并且待重读页数据不符合预设的条件的情况下,确定不对待重读页数据进行软解码处理,从而减少软解码处理不成功导致解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S410的数据恢复方法,在目标占比值与50%之间的偏移值大于或等于预设的偏移值阈值,或者,待重读页数据中不存在码字解码成功的情况下,确定不对待重读页数据进行软解码处理,根据本申请实施例的方案,能够减少软解码处理不成功导致解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
在一实施例中,如图4所示,对数据恢复方法进行进一步的说明,在步骤S410之后还可以包括但不限于有步骤S510和步骤S520。
步骤S510:更新重读的电压偏移,重读待重读页数据。
本步骤中,重读指的是相关技术中的设置偏移电压的重读,由于确定不对待重读页数据进行软解码处理,更新重读的电压偏移,重读待重读页数据,从而便于后续步骤中对待重读页数据进行第二硬解码处理。
本申请另一个实施例中,由于待重读页数据是确定不进行软解码处理的待重读页数据,即是说,待重读页数据不符合本申请设定的条件,即该待重读页数据的目标占比值与50%之间的偏移值大于或者等于预设的偏移值阈值,或者,该待重读页数据中不存在码字恢复成功,所以,只是结合重读对该页数据进行第一硬解码处理以及第二硬解码处理,从而对页数据进行解码,减少不符合软解码处理的页数据进行软解码导致解码时间过长的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
步骤S520:对待重读页数据进行第二硬解码处理。
本步骤中,第二硬解码处理指的是与相关技术中LDPC纠错算法对应的任意硬解码处理,待重读页数据指的是经过第一硬解码处理后恢复失败的页数据,对待重读页数据进行第二硬解码处理,即是说,再次对待重读页数据进行硬解码处理,从而能够减少第一硬解码处理时受到其他因素影响导致页数据恢复失败的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
本申请另一个实施例中,由于待重读页数据经过了两次重读,待重读页数据对应的比特数量降低,在待重读页数据对应的比特数量降低至能够解码恢复的情况下,再次对待重读页数据进行第二硬解码处理,则能够使得待重读页数据恢复成功,从而达到提高数据恢复的有效性的目的。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S510至步骤S520的数据恢复方法,更新重读的电压偏移,重读待重读页数据;对待重读页数据进行第二硬解码处理,根据本申请实施例的方案,充分结合硬解码处理、重读以及软解码处理的技术手段,能够减少第一硬解码处理时受到其他因素影响导致页数据恢复失败的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
值得注意的是,硬解码处理不需要比特(bit)位的概率信息,解码速度快,因此,在页数据恢复失败的情况下,再次对页数据进行重读以及硬解码处理,能够减少其他因素例如第一硬解码处理程序出错导致的解码失败的情况,并且,不会过多地降低数据恢复的效率,达到提高数据恢复的有效性的目的。
在一实施例中,如图5所示,对数据恢复方法进行进一步的说明,在步骤S230之后还可以包括但不限于有步骤S610、步骤S620。
步骤S610:在待重读页数据恢复失败的情况下,更新重读的电压偏移,重读待重读页数据。
本步骤中,重读指的是相关技术中的设置偏移电压的重读,由于确定对待重读页数据进行软解码处理,在待重读页数据恢复失败的情况下,更新重读的电压偏移,重读待重读页数据,从而便于后续步骤中对待重读页数据进行第三硬解码处理。
本申请另一个实施例中,由于待重读页数据是确定进行软解码处理的待重读页数据,即是说,待重读页数据符合本申请设定的条件,即该待重读页数据对应的目标占比值与50%之间的偏移值小于预设的偏移值阈值,并且,该待重读页数据中存在码字恢复成功,所以,结合重读对该页数据进行第一硬解码处理以及软解码处理之后,再对该页数据进行第三硬解码处理,从而对该待重读页数据进行解码,达到提高数据恢复的有效性的目的。
步骤S620:对待重读页数据进行第三硬解码处理。
本步骤中,第二硬解码处理指的是与相关技术中LDPC纠错算法对应的任意硬解码处理,待重读页数据指的是经过第一硬解码处理后恢复失败的页数据,对待重读页数据进行第二硬解码处理,即是说,再次对待重读页数据进行硬解码处理,从而能够减少第一硬解码处理时受到其他因素影响导致页数据恢复失败的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S610至步骤S620的数据恢复方法,在待重读页数据恢复失败的情况下,更新重读的电压偏移,重读待重读页数据;对待重读页数据进行第三硬解码处理,根据本申请实施例的方案,充分结合硬解码处理、重读以及软解码处理的技术手段,能够减少第一硬解码处理时受到其他因素影响导致页数据恢复失败的情况,达到提高数据恢复的有效性的目的。
在一实施例中,如图6所示,对数据恢复方法进行进一步的说明,在步骤S130之后还可以包括但不限于有步骤S710、步骤S720。
步骤S710:对待重读页数据进行第四硬解码处理。
本步骤中,待重读页数据指的是经过第一硬解码处理后恢复失败的页数据,在重读恢复失败的待重读页数据之后,对待重读页数据进行第四硬解码处理,即是说,页数据在第一硬解码处理后恢复失败,则对页数据进行重读以及第四硬解码处理。
步骤S720:在待重读页数据恢复成功的情况下,确定不对待重读页数据进行软解码处理。
本步骤中,在待重读页数据恢复成功的情况下,表征经过第四硬解码处理后待重读页数据恢复成功,则确定不对待重读页数据进行软解码处理,即是说,该待重读页数据经过两次硬解码处理以及一次重读处理后恢复成功,则不需要经过软解码处理,由于硬解码处理的解码速度快,所以,能够达到提高数据恢复的效率的目的。
本实施例中,通过采用包括有上述步骤S710至步骤S720的数据恢复方法,对待重读页数据进行第二硬解码处理;在待重读页数据恢复成功的情况下,确定不对待重读页数据进行软解码处理,根据本申请实施例的方案,待重读页数据经过两次硬解码处理以及一次重读处理后恢复成功,则不需要经过软解码处理,由于硬解码处理的解码速度快,能够达到提高数据恢复的效率的目的。
另外,参照图7,本申请的一个实施例还提供了一种数据恢复装置1000,该数据恢复装置1000包括:存储器1002、处理器1001及存储在存储器1002上并可在处理器1001上运行的计算机程序。
处理器1001和存储器1002可以通过总线或者其他方式连接。
存储器1002作为一种非暂态计算机可读存储介质,可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外,存储器1002可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非暂态存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件,具体地,存储器还可以是NAND Flash存储器。在一些实施方式中,存储器1002可选包括相对于处理器1001远程设置的存储器1002,这些远程存储器可以通过网络连接至该处理器1001。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
实现上述实施例的数据恢复方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器1002中,当被处理器1001执行时,执行上述实施例中的数据恢复方法,例如,执行以上描述的图1中的方法步骤S110至S140、图2中的方法步骤S210至S230、图3中的方法步骤S310至S320、方法步骤S410、图4中的方法步骤S510至S520、图5中的方法步骤S610至S620、图6中的方法步骤S710至S720。
并且,本申请的一个实施例还提供了一种固态硬盘,固态硬盘中设置有上述的数据恢复装置。
需要说明的是,本实施例中的数据恢复装置与上述的数据恢复装置相同,两者属于相同的发明构思,因此两者具有相同的实现原理以及有益效果,此处不再详述。
此外,本申请的一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,该计算机可执行指令被一个处理器或控制器执行,例如,被上述装置实施例中的一个处理器执行,可使得上述处理器执行上述实施例中的数据恢复方法,例如,执行以上描述的图1中的方法步骤S110至S140、图2中的方法步骤S210至S230、图3中的方法步骤S310至S320、方法步骤S410、图4中的方法步骤S510至S520、图5中的方法步骤S610至S620、图6中的方法步骤S710至S720。
本领域普通技术人员可以理解,上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器,如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件,或者被实施为硬件,或者被实施为集成电路,如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上,计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的,术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外,本领域普通技术人员公知的是,通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据,并且可包括任何信息递送介质。
Claims (8)
1.一种数据恢复方法,应用于NAND Flash存储器,其特征在于,包括:
读取失效数据所在数据块中的页数据;
对所述页数据进行第一硬解码处理;
在存在所述页数据恢复失败的情况下,重读恢复失败的待重读页数据;
获取所述待重读页数据中比特值为1的目标占比值;
获取所述待重读页数据中的码字信息;
在所述目标占比值与50%之间的偏移值小于预设的偏移值阈值,并且,所述待重读页数据中存在码字恢复成功的情况下,确定对所述待重读页数据进行软解码处理;
在所述待重读页数据恢复失败的情况下,更新重读的电压偏移,重读所述待重读页数据;
对所述待重读页数据进行第三硬解码处理。
2.根据权利要求1所述的数据恢复方法,其特征在于,所述确定对所述待重读页数据进行软解码处理,包括:
根据所述待重读页数据调整重读的电压偏移;
根据所述电压偏移读取所述待重读页数据并进行软解码处理。
3.根据权利要求1所述的数据恢复方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述目标占比值与50%之间的偏移值大于或等于预设的偏移值阈值,或者,所述待重读页数据中不存在码字解码成功的情况下,确定不对所述待重读页数据进行软解码处理。
4.根据权利要求3所述的数据恢复方法,其特征在于,在所述确定不对所述待重读页数据进行软解码处理之后,还包括:
更新重读的电压偏移,重读所述待重读页数据;
对所述待重读页数据进行第二硬解码处理。
5.根据权利要求1所述的数据恢复方法,其特征在于,在所述重读恢复失败的待重读页数据之后,还包括:
对所述待重读页数据进行第四硬解码处理;
在所述待重读页数据恢复成功的情况下,确定不对所述待重读页数据进行软解码处理。
6.一种数据恢复装置,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任意一项所述的数据恢复方法。
7.一种固态硬盘,其特征在于,设置有如权利要求6所述的数据恢复装置。
8.一种计算机可读存储介质,存储有计算机可执行指令,其特征在于,所述计算机可执行指令用于执行权利要求1至5任意一项所述的数据恢复方法。
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