CN115332375A - 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 - Google Patents
一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115332375A CN115332375A CN202210941018.6A CN202210941018A CN115332375A CN 115332375 A CN115332375 A CN 115332375A CN 202210941018 A CN202210941018 A CN 202210941018A CN 115332375 A CN115332375 A CN 115332375A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heterojunction
- light
- dimensional
- voltage
- incident light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 transition metal chalcogenide Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tungsten Chemical compound [Se]=[W]=[Se] ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- USWJSZNKYVUTIE-UHFFFAOYSA-N bis(sulfanylidene)rhenium Chemical compound S=[Re]=S USWJSZNKYVUTIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
Description
技术领域
本发明属于光电探测领域，特别提供一种可以实现光波长信息和光强度信息同时探测的微型光谱仪芯片。
背景技术
光谱仪是现代社会科学研究与工程生产中对材料进行分析、对物质进行鉴别所必备的核心装备之一；同时，光谱识别功能的实现也使得光谱成像技术被成功应用于日常生活与国防军事当中。目前的光谱识别功能的实现，主要依赖于光学分光设备(如色散装置、窄带透射装置、光学干涉仪装置)与不能进行光波长信息识别的探测器(阵列)组合而成。但是，上述的集成装备都面临大体积、高重量、高成本的问题，尤其是随着探测波段的红移，成本也在不断的增加。
为了满足日益增长的应用场景需求，光谱仪的小型、微型化备受关注。近年来，已有微电子机械系统技术(MEMS)等微纳光学加工的手段来实现光谱仪的小型化的研究，但是，由于极限加工精细度、MEMS转动角度、色散光学物理客观规律等限制因素的存在，装备的特征尺寸、检测精度和光谱范围会受到一定的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于二维材料异质结的微型光谱仪芯片，该器件核心特征尺寸小于10μm，具有红外光谱信息识别能力。
本发明技术方案如下：一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片，包括栅极电极即衬底(4)、栅极介电层(3)、光敏区、源漏电极、其特征在于，栅极电极上为一层栅极介电层，光敏区材料位于栅极介电层上，光敏区材料是由两层不同二维材料即不同的过渡金属硫族化合物层上下叠加构成的异质结；源漏电极分别对应与上述两层二维材料接触；
栅极电极即衬底为Si，栅极介电层(3)为SiO2层。
进一步的，所述两种二维材料为过渡金属硫族化合物；
光敏区的两层不同二维材料形成的异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；
进一步的，所述第Ⅱ类能带结构的光响应截止波长由异质结系统中最小的跃迁能级决定，该能级的导带底和价带顶分别位于两种材料中；进一步的，所述最小的跃迁能级大于0eV且小于构成该异质结的任意一种二维材料的禁带宽度；记一种材料(6)的最小导带ECmin、最大价带EVmax，另一种材料(7)的最小导带E’Cmin、最大价带E’Vmax，则E’Vmax介于ECmin、EVmax之间，ECmin介于E’Cmin、E’Vmax之间，则异质结系统中最小的跃迁能量△E(8)＝|E’Vmax-ECmin|。
进一步的，所述光谱仪芯片特征尺寸即二维材料对应二维方向的尺寸小于等于10μm。
采用上述芯片实现光波长信息和光强度同时探测的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)做不同栅极电压条件下器件的光谱响应特性作为器件本身特性的标定值
针对不同波长的光做分别做光谱响应特性，即首先获得每一种波长的光的光响应特性：对应源漏电极电压不变，变化栅极电压，栅极电压至少变化3个值以上，以便产生对应的3组以上的光谱响应特性；对不同的入射光进行光谱响应特性的检测，并作为器件本身响应特性的标定值图R(Vg,λ)，R表示响应度，Vg表示栅极电压，λ表示入射波长；
优选得到的标定值图为：同一栅极电压为一条曲线，有多少个变化栅极电压对应为多少条曲线；
(2)对待测的未知的入射光进行光波长信息和光强度信息探测
对待测的未知的入射光采用与步骤(1)同一芯片、同一源漏电极电压不变，以及相同的栅极电压变化，进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合步骤(1)的标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。
进一步的，步骤(1)所述入射光是单色光或/和复色光；
变化的栅极电压能够对所述第Ⅱ类能带异质结系统进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值Iph，(Iph表示光电流)。等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。
进一步的，所述光谱信息的还原采用最小二乘的数学思想解如下数学关系来实现，即F(λ)＝M(R,Iph)，其中F(λ)表示未知的入射光谱，包含波长与强度，M表示非线性函数关系，R表示前文所述标定的光响应度，Iph表示前文所述光电流；
本发明的有益效果为：本发明利用二维材料异质结基于最小跃迁能级实现光响应并且该光响应截止特性可以受外电场调控的独特优点，并结合众所周知的最小二乘算法，可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。同时，该器件的加工工艺与现有的基础微纳加工工艺相兼容，极大的降低了成本，可解决光谱仪微型化发展所面临的物理瓶颈问题，有利于推进新一代便携式多维度光信息识别设备的发展。
附图说明
图1是本发明实施例一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片的器件结构示意图；
图2是所述第Ⅱ类异质结能带结构示意图；
图3实施例所述具体材料选取的能带示意图；
图4是不同栅电极电压调控下，所述光敏区异质结对应不同光的光谱响应截止波长的变化图(横坐标对应不同入射光的光能量，纵坐标器件的归一化光响应度)；
图5是本发明实施例一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片在其工作波段内对未知波长入射光的还原数据图；
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开地示例性实施例。虽然附图中显示了本公开地示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述地实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开地范围完整的传达给本领域的技术人员。
实施例1
如图1所示，为一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片的器件结构示意图，自下而上的器件组成分别为衬底(4),栅极介电层(3)，第一种二维材料(1)，第二种二维材料(2)，源漏金属电极(5)。
如图2所示，两种二维材料构成的第Ⅱ类异质结能带结构，可以打破材料本身带隙的限制，使得器件的光谱响应范围扩展到异质结能带最小跃迁能级大小所对应的波长，根据这一特点，通过能带工程设计，选取合适的材料组合确定工作波长；同时，异质结的能带对准是由两种材料的费米能级位置确定的，因此，通过栅极电场改变材料费米能级的位置就可以调整异质结的能带结构，改变异质结最小跃迁能级的能量大小。
具体地，针对短波红外光谱探测，所述第一种二维材料为单层二硒化钨，第二层二维材料为单层二硫化铼，异质结最小层间跃迁能级约为0.9～1eV；
具体地，所述衬底为重掺杂的单晶硅，厚度为400～500μm，作用是支撑及导电作用；
具体地，所述栅极介电材料为二氧化硅，厚度为285nm；
具体地，所述金属电极为钛金电极，厚度分别为10nm/80nm；
具体地，所述一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片的制备步骤流程如下：
通过机械剥离块体二硒化钨的方法，在PDMS上剥离单层二硒化钨，并转移到洁净的硅/二氧化硅对应的衬底/上表面；
通过机械剥离块体二硫化铼的方法，在PDMS上剥离单层二硫化铼，并转移到上述单层二硒化钨的上表面；
通过紫外曝光光刻技术刻画任意形状的电极图案，源漏电极分别与上述单层二硒化钨、二硫化铼接触；
通过电子束蒸发镀膜的办法进行电极沉积。
如图4所示，实施例所述栅电极电压数值变化范围在-17V到-28V区间内，共取12个电压值，器件的响应光谱截止波长从～1100nm变化至～1500nm；这也意味着，在上述栅电压调控下，器件产生了12组不同的光谱响应特性作为器件本身特性的标定值R(Vg,λ)；
如图5所示，为了验证本发明所述的一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片的光谱信息(即光波长和光强度)识别的功能，在未知波长入射光(本实施例采用已知的射光波长分别为1220nm,1310nm,1410nm的光进行测量验证)的照射下，利用实施例器件进行光电响应的电信号采集，在-17V到-28V范围内依次改变栅极电压并记录每个电压下的电流值Iph，利用最小二乘的办法解F(λ)＝M(R,Iph)，进行光谱信息还原，得到入射光波长分别为1220nm,1310nm,1410nm，与实施例所设定实验条件相吻合。
具体地，所述最小二乘法具体为附加扰动的岭回归的数学办法；
具体地，所述的岭回归模型依据的矩阵乘法公式为Ab＝C,其中A为如图3所示标定的电场调控下的器件响应度矩阵R(Vg,λ)，b为未知入射光谱矩阵F[λ]，C为所述未知波长入射光照射下器件在不同栅电压下产生的光电流值矩阵Iph。
本发明未尽事宜为公知技术。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片，其特征在于，包括栅极电极即衬底(4)、栅极介电层(3)、光敏区、源漏电极，栅极电极上为一层栅极介电层，光敏区材料位于栅极介电层上，光敏区材料是由两层不同二维材料即不同的过渡金属硫族化合物层上下叠加构成的异质结；源漏电极分别对应与上述两层二维材料接触；
所述两种二维材料为过渡金属硫族化合物；光敏区的两层不同二维材料形成的异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；
所述第Ⅱ类能带结构的光响应截止波长由异质结系统中最小的跃迁能级决定，该能级的导带底和价带顶分别位于两种材料中。
2.按照权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片，其特征在于，最小的跃迁能级大于0eV且小于构成该异质结的任意一种二维材料的禁带宽度；记一种材料(6)的最小导带ECmin、最大价带EVmax，另一种材料(7)的最小导带E’Cmin、最大价带E’Vmax，则E’Vmax介于ECmin、EVmax之间，ECmin介于E’Cmin、E’Vmax之间，则异质结系统中最小的跃迁能量△E(8)＝|E’Vmax-ECmin|。
3.按照权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片，其特征在于，栅极电极即衬底为Si，栅极介电层(3)为SiO2层。
4.按照权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片，其特征在于，所述光谱仪芯片特征尺寸即二维材料对应二维方向的尺寸小于等于10μm。
5.采用权利要求1-4任一项所述的芯片实现光波长信息和光强度同时探测的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)做不同栅极电压条件下器件的光谱响应特性作为器件本身特性的标定值
针对不同波长的光做分别做光谱响应特性，即首先获得每一种波长的光的光响应特性：对应源漏电极电压不变，变化栅极电压，栅极电压至少变化3个值以上，以便产生对应的3组以上的光谱响应特性；对不同的入射光进行光谱响应特性的检测，并作为器件本身响应特性的标定值图R(Vg,λ)，R表示响应度，Vg表示栅极电压，λ表示入射波长；
(2)对待测的未知的入射光进行光波长信息和光强度信息探测
对待测的未知的入射光采用与步骤(1)同一芯片、同一源漏电极电压不变，以及相同的栅极电压变化，进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合步骤(1)的标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。
6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)得到的标定值图为：同一栅极电压为一条曲线，有多少个变化栅极电压对应为多少条曲线。
7.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述入射光是单色光或/和复色光。
8.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，变化的栅极电压能够对所述第Ⅱ类能带异质结系统进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值Iph，等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。
9.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，光谱信息的还原采用最小二乘的数学思想解如下数学关系来实现，即F(λ)＝M(R,Iph)，其中F(λ)表示未知的入射光谱，包含波长与强度，M表示非线性函数关系，R表示标定的光响应度，Iph表示光电流。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210941018.6A CN115332375A (zh) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210941018.6A CN115332375A (zh) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115332375A true CN115332375A (zh) | 2022-11-11 |
Family
ID=83922323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210941018.6A Pending CN115332375A (zh) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115332375A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117560976A (zh) * | 2024-01-10 | 2024-02-13 | 苏州大学 | 一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器 |
-
2022
- 2022-08-04 CN CN202210941018.6A patent/CN115332375A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117560976A (zh) * | 2024-01-10 | 2024-02-13 | 苏州大学 | 一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器 |
| CN117560976B (zh) * | 2024-01-10 | 2024-03-26 | 苏州大学 | 一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hossain et al. | Non-resonant metal-oxide metasurfaces for efficient perovskite solar cells | |
| US10957811B2 (en) | Ultra-broad spectrum detector integrated with functions of two-dimensional semiconductor and ferroelectric material | |
| CN103117316A (zh) | 基于超材料结构的石墨烯晶体管、光探测器及其应用 | |
| US20240047494A1 (en) | Micro spectrum chip based on units of random shapes | |
| CN112018139B (zh) | 光谱芯片中的微纳结构阵列的生成方法 | |
| CN115332375A (zh) | 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法 | |
| Bose et al. | A morphological and electronic study of ultrathin rear passivated Cu (In, Ga) Se2 solar cells | |
| WO2018228277A1 (zh) | 光电探测结构及其制作方法、光电探测器 | |
| Shiran Chaharsoughi et al. | Hybrid plasmonic and pyroelectric harvesting of light fluctuations | |
| CN109920863A (zh) | 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法 | |
| Wang et al. | Spectrum reconstruction with filter-free photodetectors based on graded-band-gap perovskite quantum dot heterojunctions | |
| Gong et al. | Bioinspired artificial visual system based on 2D WSe2 synapse array | |
| Fu et al. | A simple-structured perovskite wavelength sensor for full-color imaging application | |
| Huang et al. | Two-terminal self-rectifying optoelectronic synaptic devices with largest-dynamic-range updates | |
| TW201505200A (zh) | 光敏裝置的製造方法 | |
| US20220344381A1 (en) | Micro spectrum chip based on units of different shapes | |
| CN107658362A (zh) | 基于黑磷的p‑n光电检测器 | |
| US20210280732A1 (en) | Solar-Energy Apparatus, Methods, and Applications | |
| WO2022033353A1 (zh) | 基于不同形状单元的微型光谱芯片以及其中的微纳结构阵列的生成方法 | |
| CN116520468A (zh) | 一种基于微结构阵列的截止滤光片及其制备方法 | |
| Fu et al. | A UV to NIR Si Wavelength Sensor With Simple Geometry and Good Resolution | |
| CN112859225B (zh) | 中红外集成双通道滤光片的制备方法 | |
| CN110808294B (zh) | 二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器 | |
| Semchenko et al. | Characteristics of nanocomposite sol-gel films on black silicon surface | |
| JP2018530793A (ja) | 共振ナノ／マイクロ粒子を利用した光学検出器及びフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |