CN115315168B - 一种噪声抑制电源电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种噪声抑制电源电路，涉及电源技术领域。电路包括：前级电源模块，线性稳压模块，滤波模块，缓冲模块，射频模块。前级输出端口与稳压第一端口电性连接，前级接地端口接地，稳压第二端口与滤波第一端口电性连接，稳压第三端口接地，滤波第二端口与缓冲第一端口电性连接，滤波第三端口接地，缓冲第二端口与射频电压输入端口电性连接，缓冲第三端口接地。经过线性稳压模块、滤波模块等模块将输入至射频模块的噪声功率降低至本发明实施例利用放大、滤波，把开关输出的噪声在射频端输入前端进行了大幅削弱，稳定射频模块工作状态，接收信号免受外来干扰；同时，也能有效防止外部突然的高频噪声或干扰导致射频接收异常或信号接收不完整。
Description
技术领域
本发明涉及电源技术领域，特别涉及一种噪声抑制电源电路。
背景技术
随着科学技术的不断发展，电子产品逐渐普及到社会生活的各个领域，推动了各行各业的快速发展，丰富了人民群众的日常生活。随着人民群众生活水平的日益提高，大众健康意识的不断增强，人们在享受电子产品给生活带来便利的同时，更加关注电子产品的辐射是否满足要求，辐射对小孩、孕妇有多大的危害，是否会干扰其他通信设备、电视、其他电气的接收，是否会影响其他产品的正常工作，是否会造成电子仪器和设备的失效甚至损坏等超出电子产品本身功能的问题。工程师在关注电子产品性能的同时，还需要考虑电子产品的辐射指标是否满足要求。以作为互联网行业基础核心设施的服务器来说，大多直接采用直流电压为射频模块供电的方式，但是由于电源输出电压本身的纹波、噪声干扰等问题，使射频模块存在电磁干扰问题，影响产品的性能，和电磁辐射指标。因此，亟需一种噪声抑制电源电路，为射频模块提供高质量的电源电压，从能量交换的角度，提高射频模块的性能指标和电磁辐射指标。
发明内容
为了解决现有技术中，电子产品射频模块电磁干扰较大的问题，本发明实施例提供一种噪声抑制电源电路，降低射频模块输入电压的噪声，从电源角度以克服现有技术中射频模块输入电压纹波大，噪声大的问题。
为了解决上述的一个或多个技术问题，本发明采用的技术方案如下：
提供一种噪声抑制电源电路，用于为射频电路提供低纹波、低噪声的输出电压，电路包括：
前级电源模块，线性稳压模块，滤波模块，缓冲模块，射频模块；
前级电源模块包括：前级输出端口，前级接地端口；
线性稳压模块包括稳压第一端口，稳压第二端口，稳压第三端口；
滤波模块包括滤波第一端口，滤波第二端口，滤波第三端口；
缓冲模块包括缓冲第一端口，缓冲第二端口，缓冲第三端口；
射频模块包括射频电压输入端口；
前级输出端口与稳压第一端口电性连接，前级接地端口接地，稳压第二端口与滤波第一端口电性连接，稳压第三端口接地，滤波第二端口与缓冲第一端口电性连接，滤波第三端口接地，缓冲第二端口与射频电压输入端口电性连接，缓冲第三端口接地。
进一步地，线性稳压模块还包括：低压差线性稳压器，第一补偿网络，第一反馈网络；
低压差线性稳压器包括：线性稳压第一端口，线性稳压第二端口，线性稳压第三端口，线性稳压第四端口；
第一补偿网络包括：第一补偿网络第一端口，第一补偿网络第二端口；
第一反馈网络包括：第一反馈网络第一端口，第一反馈网络第二端口，第一反馈网络第三端口；
线性稳压第一端口作为稳压第一端口，线性稳压第二端口作为稳压第二端口，线性稳压第二端口还与第一补偿网络第一端口电性连接，第一补偿网络第二端口与线性稳压第三端口电性连接，线性稳压第二端口还与第一反馈网络第一端口电性连接，第一反馈网络第二端口与线性稳压第四端口电性连接，第一反馈网络第三端口接地。
进一步地，低压差线性稳压器包括：误差放大器，第一晶体管；
误差放大器包括：误差第一端口，误差第二端口，误差第三端口，误差第四端口，误差第五端口；
第一晶体管包括：第一晶体管第一端口，第一晶体管第二端口，第一晶体管第三端口；
误差第一端口，误差第四端口，第一晶体管第二端口电性连接后作为线性稳压第一端口，接收前级输出端口的输出电压，误差第三端口与第一晶体管第一端口电性连接，第一晶体管第三端口作为线性稳压第二端口。
进一步地，第一反馈网络包括：第二电阻，第三电阻；
第二电阻的一端作为第一反馈网络第一端口的与第一晶体管第三端口电性连接，第二电阻的另一端所谓第一反馈网络第二端口与误差第二端口和第三电阻的一端电性连接，第三电阻的另一端作为第一反馈网络第三端口与误差第五端口电性连接后作为稳压第三端口接地。
进一步地，第一补偿网络包括：第一电阻，第一电容；
第一电阻的一端作为第一补偿网络第一端口与第一晶体管第三端口电性连接，第一电阻的另一端与第一电容的一端电性连接，第一电容的另一端作为第一补偿网络第二端口与误差第三端口电性。
进一步地，滤波模块为RC滤波网络。
进一步地，缓冲模块包括：运算放大器，第二晶体管；
运算放大器包括：运放第一端口，运放第二端口，运放第三端口，运放第四端口，运放第五端口；
第二晶体管包括：第二晶体管第一端口，第二晶体管第二端口，第二晶体管第三端口；
运放第一端口作为缓冲第一端口，运放第二端口与第二晶体管第三端口电性连接后作为缓冲第二端口，运放第三端口与第二晶体管第一端口电性连接，运放第四端口与第二晶体管第二端口电性连接后与稳压第一端口电性连接，运放第五端口作为缓冲第三端口。
进一步地，前级电源模块包括：开关电源芯片，第二补偿网络，第二反馈网络，二极管，第三电容，第四电容；
第二补偿网络包括：第二补偿网络第一端口，第二补偿网络第二端口；
第二反馈网络包括：第二反馈网络第一端口，第二反馈网络第二端口，第二反馈网络第三端口；
第三电容的一端与开关电源芯片的电压输入管脚电性连接，第四电容的一端与开关电源芯片的电压输入管脚电性连接，第三电容另一端与第四电容的另一端电性连接后接地；开关电源芯片的使能管脚用于接收使能信号；
二极管的阳极与开关电源芯片的电压输出管脚电性连接，二极管的阴极作为前级输出端口，二极管的阴极还与第二反馈网络第一端口电性连接，第二反馈网络第二端口与开关电源芯片的反馈管脚电性连接，第二反馈网络第三端口与开关电源芯片的接地管脚电性连接后接地；
二极管的阴极还与第二补偿网络第一端口电性连接，第二补偿网络第二关口与二极管的阳极电性连接。
进一步地，第二补偿网络包括：第二电容，第四电阻；
第四电阻的一端作为第二补偿网络第二端口与二极管的阳极电性连接，第四电阻的另一端与第二电容的一端电性连接，第二电容的另一端作为第二补偿网络第一端口与二极管的阴极电性连接。
进一步地，第二反馈网络包括：第五电阻，第六电阻；
第五电阻的一端作为第二反馈网络第一端口与二极管的阴极电性连接，第五电阻的另一端作为第二反馈网络第二端口与第六电阻电性连接，第六电阻的另一端作为第二反馈网络第三端口接地。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
1.本发明实施例利用放大、滤波，把开关输出的噪声在射频端输入前端进行了大幅削弱，稳定射频模块工作状态，接收信号免受外来干扰；
2.防止外部突然的高频噪声或干扰导致射频接收异常或信号接收不完整。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种噪声抑制电源电路模块示意图；
图2是本发明实施例提供的线性稳压模块示意图；
图3是本发明实施例提供的线性稳压模块电路示意图；
图4是本发明实施例提供的缓冲模块电路示意图；
图5是本发明实施例提供的前级电源模块电路示意图；
图6是本发明实施例提供的一种噪声抑制电源电路示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。说明书附图中的编号，仅表示对各个功能部件或模块的区分，不表示部件或模块之间的逻辑关系。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
下面，将参照附图详细描述根据本公开的各个实施例。需要注意的是，在附图中，将相同的附图标记赋予基本上具有相同或类似结构和功能的组成部分，并且将省略关于它们的重复描述。
针对现有技术中，电子产品射频模块电磁干扰较大的问题。本发明实施例公开一种噪声抑制电源电路，降低射频模块输入电压的噪声，从电源角度以克服现有技术中射频模块输入电压纹波大，噪声大的问题。
如图1所示，提供一种噪声抑制电源电路包括：
前级电源模块1，线性稳压模块2，滤波模块3，缓冲模块4，射频模块5；
前级电源模块1包括：前级输出端口11，前级接地端口12；
线性稳压模块2包括稳压第一端口21，稳压第二端口22，稳压第三端口23；
滤波模块3包括滤波第一端口31，滤波第二端口32，滤波第三端口33；
缓冲模块4包括缓冲第一端口41，缓冲第二端口42，缓冲第三端口43；
射频模块5包括射频电压输入端口51。
前级输出端口11与稳压第一端口21电性连接，前级接地端口12接地，稳压第二端口22与滤波第一端口31电性连接，稳压第三端口23接地，滤波第二端口32与缓冲第一端口41电性连接，滤波第三端口33接地，缓冲第二端口42与射频电压输入端口51电性连接，缓冲第三端口43接地。
具体地，线性稳压模块2还包括：低压差线性稳压器201，第一补偿网络202，第一反馈网络203，如图2所示。
低压差线性稳压器201包括：线性稳压第一端口2011，线性稳压第二端口2012，线性稳压第三端口2013，线性稳压第四端口2014；
第一补偿网络202包括：第一补偿网络第一端口2021，第一补偿网络第二端口2022；
第一反馈网络203包括：第一反馈网络第一端口2031，第一反馈网络第二端口2032，第一反馈网络第三端口2033；
线性稳压第一端口2011作为稳压第一端口21，线性稳压第二端口2012作为稳压第二端口22，线性稳压第二端口2012还与第一补偿网络第一端口2021电性连接，第一补偿网络第二端口2022与线性稳压第三端口电性连接，线性稳压第二端口2012还与第一反馈网络第一端口2031电性连接，第一反馈网络第二端口2032与线性稳压第四端口2014电性连接，第一反馈网络第三端口接地。
具体地，如图3所示，低压差线性稳压器201包括：误差放大器EA，第一晶体管T1。
误差放大器EA包括：误差第一端口EA1，误差第二端口EA2，误差第三端口EA3，误差第四端口EA4，误差第五端口EA5；
第一晶体管T1包括：第一晶体管第一端口T11，第一晶体管第二端口T12，第一晶体管第三端口T13。
误差第一端口EA1，误差第四端口EA4，第一晶体管第二端口T12(d)电性连接后作为线性稳压第一端口2011，接收前级输出端口11的输出电压，误差第三端口EA3与第一晶体管第一端口T11(g)电性连接，第一晶体管第三端口T13(s)作为线性稳压第二端口2012。
在其中一种实施方式中，误差第一端口EA1为同相输入端，误差第二端口EA2为反向输入端，第一晶体管T1为N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第一晶体管第一端口为栅极，第一晶体管第二端口为漏极，第一晶体管第三端口为源极。
在另一种实施方式中，误差第一端口EA1为反相输入端，误差第二端口EA2为同向输入端，第一晶体管T1为P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第一晶体管第一端口为栅极，第一晶体管第二端口为源极，第一晶体管第三端口为漏极。
第一反馈网络203包括：第二电阻R2，第三电阻R3；
第二电阻R2的一端作为第一反馈网络第一端口2031的与第一晶体管第三端口T13电性连接，第二电阻R2的另一端所谓第一反馈网络第二端口2032与误差第二端口EA2和第三电阻R3的一端电性连接，第三电阻R3的另一端作为第一反馈网络第三端口2033与误差第五端口EA5电性连接后作为稳压第三端口23接地。
第一补偿网络202包括：第一电阻R1，第一电容C1；
第一电阻R1的一端作为第一补偿网络第一端口2021与第一晶体管第三端口T13电性连接，第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端电性连接，第一电容C1的另一端作为第一补偿网络第二端口2022与误差第三端口EA3电性。
从误差第一端口EA1输入的电压为Vout1，从误差第三端口EA3输出的输出电压为Ur，则Ur可由下式表示：
Ur＝Av·(Vout1-Ur·β)
其中，Av为误差放大器开环放大增益，β为反馈系数。
化简可得：
滤波模块3为RC滤波网络，其截止频率为：
稳压第一端口21输入电压Vout1的噪声功率为：R2，R3的噪声功率分别为：/>由于R2，R3构成反馈电路，总噪声功率为：
计算某一频率范围内(1kHz-500kHz)的噪声可得：
其中，Ui表示滤波第一端口31电压，经过低通滤波后，高频噪声被有效滤除：
其中，Uo表示滤波第二端口32电压。
缓冲模块4包括：运算放大器AMP，第二晶体管T2，如图4所示。
运算放大器AMP包括：运放第一端口AMP1，运放第二端口AMP2，运放第三端口AMP3，运放第四端口AMP4，运放第五端口AMP5；
第二晶体管T2包括：第二晶体管第一端口T21，第二晶体管第二端口T22，第二晶体管第三端口T23；
运放第一端口AMP1作为缓冲第一端口41，运放第二端口AMP2与第二晶体管第三端口T23电性连接后作为缓冲第二端口42，运放第三端口AMP3与第二晶体管第一端口T21电性连接，运放第四端口AMP4与第二晶体管第二端口T22电性连接后与稳压第一端口21电性连接，运放第五端口AMP5作为缓冲第三端口43。
在一种实施方式中，运放第一端口AMP1为同相输入端，运放第二端口AMP2为反相输入端，第二晶体管T2为N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第二晶体管第一端口为栅极，第二晶体管第二端口漏极，第二晶体管第三端口为源极；
在另一种实施方式中，运放第一端口AMP1为反相输入端，运放第二端口AMP2为同相输入端，第二晶体管T2为P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第二晶体管第一端口为栅极，第二晶体管第二端口源极，第二晶体管第三端口为漏极。
运算放大器AMP的噪声密度为：经过运算放大器AMP后，输入至射频模块5的输入电压Uout的噪声功率为：
其中，Uout表示由缓冲第二端口42输出，由射频电压输入端口51输入至射频模块5的噪声电压。
经过线性稳压模块2的电压调节和滤波模块3滤波后，电压整体噪声功率明显下降。
如图5所示，前级电源模块1包括：开关电源芯片101，第二补偿网络102，第二反馈网络103，二极管D，第三电容C3，第四电容C4。
第二补偿网络102包括：第二补偿网络第一端口1021，第二补偿网络第二端口1022；
第二反馈网络103包括：第二反馈网络第一端口1031，第二反馈网络第二端口1032，第二反馈网络第三端口1033；
第三电容C3的一端与开关电源芯片101的电压输入管脚IN+电性连接，第四电容C4的一端与开关电源芯片101的电压输入管脚IN+电性连接，第三电容C3的另一端与第四电容C4的另一端电性连接后接地；开关电源芯片101的使能管脚EN用于接收使能信号；
二极管D的阳极与开关电源芯片101的电压输出管脚OUT电性连接，二极管D的阴极作为前级输出端口11，二极管D的阴极还与第二反馈网络第一端口1031电性连接，第二反馈网络第二端口1032与开关电源芯片101的反馈管脚FB电性连接，第二反馈网络第三端口1033与开关电源芯片101的接地管脚电性连接后接地；
二极管D的阴极还与第二补偿网络第一端口1021电性连接，第二补偿网络第二关口1022与二极管D的阳极电性连接。
第二补偿网络102包括：第二电容C2，第四电阻R4；
第四电阻R4的一端作为第二补偿网络第二端口1032与二极管D的阳极电性连接，第四电阻R4的另一端与第二电容C2的一端电性连接，第二电容C2的另一端作为第二补偿网络第一端口1021与二极管D的阴极电性连接。
第二反馈网络103包括：第五电阻R5，第六电阻R6；
第五电阻R5的一端作为第二反馈网络第一端口1031与二极管D的阴极电性连接，第五电阻R5的另一端作为第二反馈网络第二端口1032与第六电阻R6电性连接，第六电阻R6的另一端作为第二反馈网络第三端口1033接地。
电路图全貌如图6所示。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再一一赘述。
实施例
下面结合图1-6详细阐述一种噪声抑制电源电路。
如图1所示，提供一种噪声抑制电源电路包括：
前级电源模块1，线性稳压模块2，滤波模块3，缓冲模块4，射频模块5；
前级电源模块1包括：前级输出端口11，前级接地端口12；
线性稳压模块2包括稳压第一端口21，稳压第二端口22，稳压第三端口23；
滤波模块3包括滤波第一端口31，滤波第二端口32，滤波第三端口33；
缓冲模块4包括缓冲第一端口41，缓冲第二端口42，缓冲第三端口43；
射频模块5包括射频电压输入端口51。
前级输出端口11与稳压第一端口21电性连接，前级接地端口12接地，稳压第二端口22与滤波第一端口31电性连接，稳压第三端口23接地，滤波第二端口32与缓冲第一端口41电性连接，滤波第三端口33接地，缓冲第二端口42与射频电压输入端口51电性连接，缓冲第三端口43接地。
具体地，线性稳压模块2还包括：低压差线性稳压器201，第一补偿网络202，第一反馈网络203，如图2所示。
低压差线性稳压器201包括：线性稳压第一端口2011，线性稳压第二端口2012，线性稳压第三端口2013，线性稳压第四端口2014；
第一补偿网络202包括：第一补偿网络第一端口2021，第一补偿网络第二端口2022；
第一反馈网络203包括：第一反馈网络第一端口2031，第一反馈网络第二端口2032，第一反馈网络第三端口2033；
线性稳压第一端口2011作为稳压第一端口21，线性稳压第二端口2012作为稳压第二端口22，线性稳压第二端口2012还与第一补偿网络第一端口2021电性连接，第一补偿网络第二端口2022与线性稳压第三端口电性连接，线性稳压第二端口2012还与第一反馈网络第一端口2031电性连接，第一反馈网络第二端口2032与线性稳压第四端口2014电性连接，第一反馈网络第三端口接地。
具体地，如图3所示，低压差线性稳压器201包括：误差放大器EA，第一晶体管T1。
误差放大器EA包括：误差第一端口EA1，误差第二端口EA2，误差第三端口EA3，误差第四端口EA4，误差第五端口EA5；
第一晶体管T1包括：第一晶体管第一端口T11，第一晶体管第二端口T12，第一晶体管第三端口T13。
误差第一端口EA1，误差第四端口EA4，第一晶体管第二端口T12(d)电性连接后作为线性稳压第一端口2011，接收前级输出端口11的输出电压，误差第三端口EA3与第一晶体管第一端口T11(g)电性连接，第一晶体管第三端口T13(s)作为线性稳压第二端口2012。
在其中一种实施方式中，误差第一端口EA1为同相输入端，误差第二端口EA2为反向输入端，第一晶体管T1为N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第一晶体管第一端口为栅极，第一晶体管第二端口为漏极，第一晶体管第三端口为源极。
在另一种实施方式中，误差第一端口EA1为反相输入端，误差第二端口EA2为同向输入端，第一晶体管T1为P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第一晶体管第一端口为栅极，第一晶体管第二端口为源极，第一晶体管第三端口为漏极。
第一反馈网络203包括：第二电阻R2，第三电阻R3；
第二电阻R2的一端作为第一反馈网络第一端口2031的与第一晶体管第三端口T13电性连接，第二电阻R2的另一端所谓第一反馈网络第二端口2032与误差第二端口EA2和第三电阻R3的一端电性连接，第三电阻R3的另一端作为第一反馈网络第三端口2033与误差第五端口EA5电性连接后作为稳压第三端口23接地。
第一补偿网络202包括：第一电阻R1，第一电容C1；
第一电阻R1的一端作为第一补偿网络第一端口2021与第一晶体管第三端口T13电性连接，第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端电性连接，第一电容C1的另一端作为第一补偿网络第二端口2022与误差第三端口EA3电性。
从误差第一端口EA1输入的电压为Vout1，从误差第三端口EA3输出的输出电压为Ur，则Ur可由下式表示：
Ur＝Av·(Vout1-Ur·β)
其中，Av为误差放大器开环放大增益，β为反馈系数。
化简可得：
滤波模块3为RC滤波网络，其截止频率为：
稳压第一端口21输入电压Vout1的噪声功率为：R2，R3的噪声功率分别为：/>由于R2，R3构成反馈电路，总噪声功率为：
计算某一频率范围内(1kHz-500kHz)的噪声可得：
其中，Ui表示滤波第一端口31电压，经过低通滤波后，高频噪声被有效滤除：
其中，Uo表示滤波第二端口32电压。
缓冲模块4包括：运算放大器AMP，第二晶体管T2，如图4所示。
运算放大器AMP包括：运放第一端口AMP1，运放第二端口AMP2，运放第三端口AMP3，运放第四端口AMP4，运放第五端口AMP5；
第二晶体管T2包括：第二晶体管第一端口T21，第二晶体管第二端口T22，第二晶体管第三端口T23；
运放第一端口AMP1作为缓冲第一端口41，运放第二端口AMP2与第二晶体管第三端口T23电性连接后作为缓冲第二端口42，运放第三端口AMP3与第二晶体管第一端口T21电性连接，运放第四端口AMP4与第二晶体管第二端口T22电性连接后与稳压第一端口21电性连接，运放第五端口AMP5作为缓冲第三端口43。
在一种实施方式中，运放第一端口AMP1为同相输入端，运放第二端口AMP2为反相输入端，第二晶体管T2为N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第二晶体管第一端口为栅极，第二晶体管第二端口漏极，第二晶体管第三端口为源极；
在另一种实施方式中，运放第一端口AMP1为反相输入端，运放第二端口AMP2为同相输入端，第二晶体管T2为P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管，第二晶体管第一端口为栅极，第二晶体管第二端口源极，第二晶体管第三端口为漏极。
运算放大器AMP的噪声密度为：经过运算放大器AMP后，输入至射频模块5的输入电压Uout的噪声功率为：
其中，Uout表示由缓冲第二端口42输出，由射频电压输入端口51输入至射频模块5的噪声电压。
经过线性稳压模块2的电压调节和滤波模块3滤波后，电压整体噪声功率明显下降。
如图5所示，前级电源模块1包括：开关电源芯片101，第二补偿网络102，第二反馈网络103，二极管D，第三电容C3，第四电容C4。
第二补偿网络102包括：第二补偿网络第一端口1021，第二补偿网络第二端口1022；
第二反馈网络103包括：第二反馈网络第一端口1031，第二反馈网络第二端口1032，第二反馈网络第三端口1033；
第三电容C3的一端与开关电源芯片101的电压输入管脚IN+电性连接，第四电容C4的一端与开关电源芯片101的电压输入管脚IN+电性连接，第三电容C3的另一端与第四电容C4的另一端电性连接后接地；开关电源芯片101的使能管脚EN用于接收使能信号；
二极管D的阳极与开关电源芯片101的电压输出管脚OUT电性连接，二极管D的阴极作为前级输出端口11，二极管D的阴极还与第二反馈网络第一端口1031电性连接，第二反馈网络第二端口1032与开关电源芯片101的反馈管脚FB电性连接，第二反馈网络第三端口1033与开关电源芯片101的接地管脚电性连接后接地；
二极管D的阴极还与第二补偿网络第一端口1021电性连接，第二补偿网络第二关口1022与二极管D的阳极电性连接。
第二补偿网络102包括：第二电容C2，第四电阻R4；
第四电阻R4的一端作为第二补偿网络第二端口1032与二极管D的阳极电性连接，第四电阻R4的另一端与第二电容C2的一端电性连接，第二电容C2的另一端作为第二补偿网络第一端口1021与二极管D的阴极电性连接。
第二反馈网络103包括：第五电阻R5，第六电阻R6；
第五电阻R5的一端作为第二反馈网络第一端口1031与二极管D的阴极电性连接，第五电阻R5的另一端作为第二反馈网络第二端口1032与第六电阻R6电性连接，第六电阻R6的另一端作为第二反馈网络第三端口1033接地。
电路图全貌如图6所示。
特别地，根据本申请的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本申请的实施例包括一种计算机程序产品，其包括装载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信装置从网络上被下载和安装，或者从存储器被安装，或者从ROM被安装。在该计算机程序被外部处理器执行时，执行本申请的实施例的方法中限定的上述功能。
需要说明的是，本申请的实施例的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本申请的实施例中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本申请的实施例中，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：电线、光缆、RF(Radio Frequency,射频)等等，或者上述的任意合适的组合。
上述计算机可读介质可以是上述服务器中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该服务器中。上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被该服务器执行时，使得该服务器：响应于检测到终端的外设模式未激活时，获取终端上应用的帧率；在帧率满足息屏条件时，判断用户是否正在获取终端的屏幕信息；响应于判断结果为用户未获取终端的屏幕信息，控制屏幕进入立即暗淡模式。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本申请的实施例的操作的计算机程序代码，程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java,Smalltalk,C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种噪声抑制电源电路，用于为射频电路提供低纹波、低噪声的输出电压，其特征在于，所述电路包括：
前级电源模块，线性稳压模块，滤波模块，缓冲模块，射频模块；
所述前级电源模块包括：前级输出端口，前级接地端口；
所述线性稳压模块包括稳压第一端口，稳压第二端口，稳压第三端口；
所述滤波模块包括滤波第一端口，滤波第二端口，滤波第三端口；
所述缓冲模块包括缓冲第一端口，缓冲第二端口，缓冲第三端口；
所述射频模块包括射频电压输入端口；
所述前级输出端口与所述稳压第一端口电性连接，所述前级接地端口接地，所述稳压第二端口与所述滤波第一端口电性连接，所述稳压第三端口接地，所述滤波第二端口与所述缓冲第一端口电性连接，所述滤波第三端口接地，所述缓冲第二端口与所述射频电压输入端口电性连接，所述缓冲第三端口接地；
所述线性稳压模块还包括：低压差线性稳压器，第一补偿网络，第一反馈网络；
所述低压差线性稳压器包括：线性稳压第一端口，线性稳压第二端口，线性稳压第三端口，线性稳压第四端口；
所述第一补偿网络包括：第一补偿网络第一端口，第一补偿网络第二端口；
所述第一反馈网络包括：第一反馈网络第一端口，第一反馈网络第二端口，第一反馈网络第三端口；
所述线性稳压第一端口作为所述稳压第一端口，所述线性稳压第二端口作为所述稳压第二端口，所述线性稳压第二端口还与所述第一补偿网络第一端口电性连接，所述第一补偿网络第二端口与所述线性稳压第三端口电性连接，所述线性稳压第二端口还与所述第一反馈网络第一端口电性连接，所述第一反馈网络第二端口与所述线性稳压第四端口电性连接，所述第一反馈网络第三端口接地；
所述低压差线性稳压器包括：误差放大器，第一晶体管；
所述误差放大器包括：误差第一端口，误差第二端口，误差第三端口，误差第四端口，误差第五端口；
所述第一晶体管包括：第一晶体管第一端口，第一晶体管第二端口，第一晶体管第三端口；
所述误差第一端口，所述误差第四端口，所述第一晶体管第二端口电性连接后作为线性稳压第一端口，接收所述前级输出端口的输出电压，所述误差第三端口与所述第一晶体管第一端口电性连接，所述第一晶体管第三端口作为线性稳压第二端口；
所述缓冲模块包括：运算放大器，第二晶体管；
所述运算放大器包括：运放第一端口，运放第二端口，运放第三端口，运放第四端口，运放第五端口；
所述第二晶体管包括：第二晶体管第一端口，第二晶体管第二端口，第二晶体管第三端口；
所述运放第一端口作为所述缓冲第一端口，所述运放第二端口与所述第二晶体管第三端口电性连接后作为所述缓冲第二端口，所述运放第三端口与所述第二晶体管第一端口电性连接，所述运放第四端口与所述第二晶体管第二端口电性连接后与所述稳压第一端口电性连接，所述运放第五端口作为所述缓冲第三端口；
所述误差第一端口输入的电压为Vout1，所述误差第三端口输出的输出电压Ur为：
其中，Av为误差放大器开环放大增益，β为反馈系数；
所述滤波模块为RC滤波网络，其截止频率为：
所述滤波第一端口电压Ui通过计算1kHz-500kHz的噪声得到所述滤波第一端口的噪声功率：
其中，为所述稳压第一端口输入电压Vout1的噪声功率；
经过低通滤波后，所述滤波第二端口电压U0的噪声功率为：
所述运算放大器的噪声密度为输入至所述射频模块的输入电压Uout的噪声功率为：
2.根据权利要求1所述的一种噪声抑制电源电路，其特征在于，所述第一反馈网络包括：第二电阻，第三电阻；
所述第二电阻的一端作为所述第一反馈网络第一端口的与第一晶体管第三端口电性连接，所述第二电阻的另一端所谓所述第一反馈网络第二端口与误差第二端口和所述第三电阻的一端电性连接，所述第三电阻的另一端作为第一反馈网络第三端口与误差第五端口电性连接后作为所述稳压第三端口接地。
3.根据权利要求1所述的一种噪声抑制电源电路，其特征在于，所述第一补偿网络包括：第一电阻，第一电容；
所述第一电阻的一端作为所述第一补偿网络第一端口与第一晶体管第三端口电性连接，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的一端电性连接，所述第一电容的另一端作为所述第一补偿网络第二端口与误差第三端口电性。
4.根据权利要求1所述的一种噪声抑制电源电路，其特征在于，所述前级电源模块包括：开关电源芯片，第二补偿网络，第二反馈网络，二极管，第三电容，第四电容；所述第二补偿网络包括：第二补偿网络第一端口，第二补偿网络第二端口；
所述第二反馈网络包括：第二反馈网络第一端口，第二反馈网络第二端口，第二反馈网络第三端口；
所述第三电容的一端与开关电源芯片的电压输入管脚电性连接，所述第四电容的一端与开关电源芯片的电压输入管脚IN+电性连接，所述第三电容的另一端与所述第四电容的另一端电性连接后接地；开关电源芯片的使能管脚EN用于接收使能信号；
所述二极管的阳极与开关电源芯片的电压输出管脚电性连接，所述二极管的阴极作为前级输出端口，所述二极管的阴极还与所述第二反馈网络第一端口电性连接，所述第二反馈网络第二端口与开关电源芯片的反馈管脚电性连接，所述第二反馈网络第三端口与开关电源芯片的接地管脚电性连接后接地；
所述二极管的阴极还与所述第二补偿网络第一端口电性连接，所述第二补偿网络第二关口与所述二极管的阳极电性连接。
5.根据权利要求4所述的一种噪声抑制电源电路，其特征在于，所述第二补偿网络包括：第二电容，第四电阻；
所述第四电阻的一端作为所述第二补偿网络第二端口与所述二极管的阳极电性连接，所述第四电阻的另一端与所述第二电容的一端电性连接，所述第二电容的另一端作为所述第二补偿网络第一端口与所述二极管的阴极电性连接。
6.根据权利要求4所述的一种噪声抑制电源电路，其特征在于，所述第二反馈网络包括：第五电阻，第六电阻；
所述第五电阻的一端作为所述第二反馈网络第一端口与所述二极管的阴极电性连接，所述第五电阻的另一端作为所述第二反馈网络第二端口与所述第六电阻电性连接，所述第六电阻的另一端作为所述第二反馈网络第三端口接地。
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