CN115313005A - 一种基于多模谐振结构的单腔双频4g/5g基站滤波器 - Google Patents

一种基于多模谐振结构的单腔双频4g/5g基站滤波器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器。该滤波器包括：矩形金属腔体、介质圆柱、多模谐振器结构模块、输入耦合端口、输出耦合端口、输入耦合端口金属探针、输出耦合端口金属探针、输入端口电容耦合金属片和输出端口电容耦合金属片，所述多模谐振器结构模块包括四个相同的多模谐振器结构。本发明通过在单个腔体结构里引入四个多模谐振结构和一个介质谐振器，更容易实现小型化、多频和宽带，通过调整多模结构的长度就能够快速的实现所需要的频率，因此本发明具有简单的模式频率控制的优点。本发明采用介质圆柱加载的腔体滤波器，具有高Q值、高功率容量、高选择性和低插入损耗的性能优点。

Description

一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器
技术领域
本发明涉及基站滤波器设计领域，特别是涉及一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器。
背景技术
随着5G(第五代)移动通信技术的飞速发展，5G基站的部署规模越来越大，意味着5G技术规模化应用的脚步势不可挡。同时，4G网络和5G网络将会出现长期共存的局面。因此，4G和5G多网融合会是未来很长一段时间的发展方向。故能够兼容4G网络和5G网络的基站滤波器设计极其重要。与此同时，由于5G移动通信技术具有大带宽和低时延等要求，所以设计一款能兼容4G/5G网络且能满足5G宽带要求的高性能基站滤波器显得具有重要经济价值。
目前，4G和5G移动通信基站滤波器的设计主要有下面几种：腔体滤波器、介质滤波器和微带滤波器。这三种滤波器类型均可以实现宽带设计。然而，传统实现宽带腔体滤波器的设计手段是多腔级联，这种实现方式具有物理尺寸大、功耗高、成本高和调谐难度大等缺点；同时，复杂的结构和大体积还会造成插损的恶化，导致性能的不稳定；传统实现宽带介质滤波器的设计手段是多个介质滤波器级联，这种实现方式具有调谐难度大、结构复杂和体积大等缺点；传统实现宽带微带滤波器的设计方法是增加滤波器的阶数，这种设计方式具有Q值低、插损大和易辐射等缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，该滤波器具备尺寸小、调谐简单和性能高的特点。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器包括：矩形金属腔体、介质圆柱、多模谐振器结构模块、输入耦合端口、输出耦合端口、输入耦合端口金属探针、输出耦合端口金属探针、输入端口电容耦合金属片和输出端口电容耦合金属片，所述多模谐振器结构模块包括四个相同的多模谐振器结构；
所述介质圆柱垂直放置在所述矩形金属腔体的中心，所述介质圆柱的上表面与所述矩形金属腔体的上表面连接，所述介质圆柱的下表面与所述矩形金属腔体的下表面连接；
四个所述多模谐振器结构以所述介质圆柱的轴线为中心轴呈旋转对称分布，且各相邻的两个所述多模谐振器结构的距离相同，各所述多模谐振器结构均与所述介质圆柱相切；
所述输入耦合端口经所述输入耦合端口金属探针连接到所述输入端口电容耦合金属片的一端，所述输入端口电容耦合金属片的另一端开路；所述输出耦合端口经所述输出耦合端口金属探针连接到所述输出端口电容耦合金属片的一端，所述输出端口电容耦合金属片的另一端开路；
所述输入端口电容耦合金属片和所述输出端口电容耦合金属片分别对应一个多模谐振器结构，所述输入端口电容耦合金属片与对应的多模谐振器结构平行放置，所述输出端口电容耦合金属片与对应的多模谐振器结构平行放置，两个多模谐振器结构相邻。
可选地，所述输入耦合端口为50欧姆阻抗的输入耦合端口，所述输出耦合端口为50欧姆阻抗的输出耦合端口。
可选地，各所述多模谐振器结构均为三阶的阶跃阻抗谐振器，所述阶跃阻抗谐振器包括第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元。
可选地，所述第一谐振单元采用长度为2.3mm，宽度为0.6mm的条状结构；所述第三谐振单元和所述第一谐振单元结构参数相同；第二谐振单元采用长度为4.6mm，宽度为0.1mm的弯折线结构。
可选地，所述输入端口电容耦合金属片长度为8.5mm，宽度为2mm；所述输出端口电容耦合金属片长度为8.5mm，宽度为2mm。
可选地，所述矩形金属腔体的四个侧边均进行倒圆角处理。
可选地，所述矩形金属腔体的体积大小为17mm×17mm×10mm。
可选地，所述介质圆柱的相对介电常数为39，损耗角正切为0.0001，所述介质圆柱的半径为2.9mm，高度为10mm。
可选地，所述介质圆柱采用陶瓷介质材料。
可选地，所述输入端口电容耦合金属片和所述多模谐振器结构之间设置的间距为0.1mm。
可选地，所述多模谐振器结构的等效电路包括三个依次连接的第一电路、第二电路和第三电路，所述第一电路和所述第二电路之间、所述第二电路和所述第三电路之间分别设有一个电感；所述第一电路和所述第二电路中设有一个电容和一个电感，所述第二电路中设有数量相同的电容和电感，所述第二电路中的电容相互并联，所述第二电路中的电感依次串联连接。
可选地，所述多模谐振器结构的材料为铜。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明通过在单个腔体结构里引入四个多模谐振结构和一个介质谐振器，更容易实现小型化、多频和宽带。本发明采用介质圆柱加载的腔体滤波器，具有高介电常数、低损耗角正切的介质块和封闭的矩形腔，具有高Q值、高功率容量、高选择性和低插入损耗的性能优点。本发明通过在腔体中引入多模谐振结构来实现多个模式的频率控制，通过调整多模结构的长度就能够快速的实现所需要的频率，因此本发明具有简单的模式频率控制的优点。本发明提出的一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，能够有效的满足当前4G/5G多网融合小型宽带低损耗基站滤波器的需要，具有广泛的应用前景和重要的经济价值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器示意图；
图2为本发明单个多模谐振器结构示意图；
图3为本发明单个多模谐振器结构的等效电路图；
图4为本发明激励结构示意图；
图5为第一个传输零点频率处(1.71GHz)输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布图；
图6为第二个传输零点频率处(3.36GHz)输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布图；
图7为第三个传输零点频率处(3.39GHz)输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布图；
图8为第四个传输零点频率处(4.46GHz)输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布图；
图9为第五个传输零点频率处(4.82GHz)输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布图；
图10为本发明滤波器的插入损耗(|S21|)与回波损耗(|S11|)的仿真图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，该滤波器具备尺寸小、调谐简单和性能高的特点。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器示意图。如图1所示，一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器包括：矩形金属腔体1、介质圆柱2、多模谐振器结构模块、输入耦合端口3、输出耦合端口4、输入耦合端口金属探针5、输出耦合端口金属探针6、输入端口电容耦合金属片7和输出端口电容耦合金属片8，多模谐振器结构模块包括四个相同的多模谐振器结构。
介质圆柱2垂直放置在矩形金属腔体1的中心，介质圆柱2的上表面与矩形金属腔体1的上表面连接，介质圆柱2的下表面与矩形金属腔体1的下表面连接。四个多模谐振器结构以介质圆柱2的轴线为中心轴呈旋转对称分布，且各相邻的两个多模谐振器结构的距离相同，各多模谐振器结构均与介质圆柱2相切；具体地，多模谐振器结构模块包括第一多模谐振器结构9、第二多模谐振器结构10、第三多模谐振器结构11和第四多模谐振器结构12；第一多模谐振器结构9放置在介质圆柱2的正前方，且与介质圆柱2相切；第二多模谐振器结构10放置在介质圆柱2的正右方，且与介质圆柱2相切；第三多模谐振器结构11放置在介质圆柱2的正后方，且与介质圆柱2相切；第四多模谐振器结构12放置在介质圆柱2的正左方，且与介质圆柱2相切。
输入耦合端口3经输入耦合端口金属探针5连接到输入端口电容耦合金属片7的一端，输入端口电容耦合金属片7的另一端开路；输出耦合端口4经输出耦合端口金属探针6连接到输出端口电容耦合金属片8的一端，输出端口电容耦合金属片8的另一端开路；输入端口电容耦合金属片7和输出端口电容耦合金属片8分别对应一个多模谐振器结构，输入端口电容耦合金属片7与对应的多模谐振器结构平行放置，输出端口电容耦合金属片8与对应的多模谐振器结构平行放置，输入端口电容耦合金属片7和多模谐振器结构之间设置的间距为0.1mm，两个多模谐振器结构相邻。输入耦合端口3为50欧姆阻抗的输入耦合端口，所述输出耦合端口4为50欧姆阻抗的输出耦合端口。
各多模谐振器结构均为三阶的阶跃阻抗谐振器，阶跃阻抗谐振器包括第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元。图2为本发明单个多模谐振器结构示意图。四个多模谐振器结构的尺寸一致，其中对于单个多模谐振器结构具体的结构尺寸为：第一谐振单元R1和第三谐振单元R3结构参数相同，第一谐振单元R1采用长度为2.3mm，宽度为0.6mm的条状结构；第二谐振单元R2采用长度为4.6mm，宽度为0.1mm的弯折线结构。多模谐振器结构的材料为铜。
输入端口电容耦合金属片7长度为8.5mm，宽度为2mm；输出端口电容耦合金属片8长度为8.5mm，宽度为2mm。矩形金属腔体1的四个侧边均进行倒圆角处理。矩形金属腔体1的体积大小为17mm×17mm×10mm。
介质圆柱2的相对介电常数为39，损耗角正切为0.0001，介质圆柱2的半径为2.9mm，高度为10mm。介质圆柱2采用陶瓷介质材料。目的在于：采用高介电常数的介质块可以实现小型化，采用低损耗角正切的介质块可以实现低损耗，中心放置介质块可以起到固定四个多模谐振结构的作用。
在一个矩形金属腔体1中引入四个小型多模谐振器结构，通过调整结构参数，该多模谐振器结构模块可以产生三个谐振点，矩形金属腔体1产生一个谐振点。其中多模谐振器的第二谐振单元的弯折线结构，进一步缩小了物理尺寸，增加了谐振路径。
单个小型多模谐振器结构产生多个谐振点的原理可以从等效电路的角度进行分析。单个小型多模谐振器结构模块是一个三阶的阶跃阻抗谐振器，每一阶谐振单元都可以理解为一个等效电感和等效电容并联，可以产生一个谐振点，因此总共可以产生三个谐振点。图3为本发明单个多模谐振器结构的等效电路图，由图3可以看到：图3中序号1表示第一个谐振单元R1的等效电路，序号2表示第二个谐振单元R2的等效电路，序号3表示第三个谐振单元R3的等效电路。由于均匀传输线在宽度跳变的位置可以等效成一个串联电感，所以在R1和R2的等效电路之间有一个串联电感La，在R2和R3的等效电路之间有一个串联电感Lb。由于均匀传输线在直角的位置可以等效成一个并联电容，所以在R2中有多个并联电容：C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8。其中C0、C9、C10分别为三个谐振单元的等效并联电容。L0、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11为三个谐振单元的等效串联电感。
为了能够成功的激励起所需要的四个模式，本发明提供了一种激励结构。激励结构采用容性耦合激励的方式，这种激励方式完全可以激励起所需要的四个模式。图4为本发明激励结构示意图。输入信号通过50欧姆阻抗的输入耦合端口经输入耦合端口金属探针5连接到输入端口电容耦合金属片7，其中输入端口电容耦合金属片7底端开路，并且与第一多模谐振器结构9平行相对放置；输出信号通过50欧姆阻抗的输出耦合端口经输出耦合端口金属探针6连接到输出端口电容耦合金属片8，其中输出端口电容耦合金属片8底端开路，并且与第二多模谐振器结构10平行相对放置。
为了能够进一步提高滤波器的选择性和带外抑制能力，本发明提供了一种可以产生多个传输零点的多模谐振器结构。四个多模谐振器结构不仅可以在通带范围内产生多个谐振点，而且可以在带外产生多个传输零点。主要原理是：通过调整多模谐振器的结构参数，使得信号的能量扼制在多模谐振器上，即输入能量既不从输入端口反射回去，也不从输出端口耦合出去。这种方法把多模谐振器结构尖端的大损耗转移至了带外，从而产生了多个传输零点，提高了选择性和带外抑制的能力。传输零点产生原理是通过分析输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布得出的。图5、图6、图7、图8、图9为输入输出端口和多模谐振器结构上的电流分布示意图。具体情况可以从附图5、图6、图7、图8、图9看到：输入端口的能量大部分都集中在四个多模谐振器结构上，并且没有从输出端口耦合出来，因此该多模谐振器结构具有扼制能量，产生多个传输零点的作用。
图10为本发明滤波器的插入损耗(|S21|)与回波损耗(|S11|)的仿真图，从图10中可以看出，仿真的滤波器有两个通带，其中第一通带的1dB频率范围为：2280MHz-2410MHz，1dB相对带宽为5.5％；第二通带的1dB频率范围为：3430MHz-3840MHz，1dB相对带宽为11.3％。通带内插入损耗优于1dB，通带范围内输入端口反射系数优于15dB。第一通带左侧有一传输零点，第一通带和第二通带之间有两个传输零点，第二通带右侧有两个传输零点。由此可见，本发明提供的一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器的设计具有小型化、带宽大、低损耗以及多传输零点的良好性能，能够有效的满足当前4G/5G多网融合小型宽带低损耗基站滤波器的需要。
本发明可以为国内通信运营商4G网络中2300MHz-2400MHz频段和5G网络中3430MHz-3600MHz频段提供小型宽带低损耗基站滤波器的设计方案。本发明与现有技术相比，具有下列优点：
1.与传统的腔体滤波器相比，本发明利用单个腔体中多个模式来实现多频和宽带，多个模式可以等效为传统的多个腔体的级联，因此在相同的性能标准下，本发明更容易实现小型化。
2.与微带滤波器相比，本发明采用介质块加载的腔体滤波器，具有高介电常数、低损耗角正切的介质块和封闭的矩形腔，具有高Q值、高功率容量、高选择性和低插入损耗的优点。
3.与传统的微扰型多模谐振器相比，本发明通过在腔体中引入多模谐振结构来实现多个模式的频率控制，通过调整多模结构的长度就能够快速的实现所需要的频率，因此本发明具有简单的模式频率控制的优点。
4.本发明集合了具有高选择性、高功率容量的腔体滤波器和低损耗的介质滤波器以及容易实现小型化宽带的多模谐振器等诸多优势，可以为4G/5G多网融合的小型宽带低损耗的基站滤波器提供设计方案，具有广泛的应用前景。
5.本发明提供了一种多模谐振器结构，通过调整多模谐振器结构的参数，使得该多模谐振器结构不仅可以在带内产生多个谐振点，还可以在带外产生传输零点，把多模谐振器尖端的大损耗转移至了带外，进一步提高了滤波器的选择性和带外抑制能力。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (12)

1.一种基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，包括：矩形金属腔体、介质圆柱、多模谐振器结构模块、输入耦合端口、输出耦合端口、输入耦合端口金属探针、输出耦合端口金属探针、输入端口电容耦合金属片和输出端口电容耦合金属片，所述多模谐振器结构模块包括四个相同的多模谐振器结构；
所述介质圆柱垂直放置在所述矩形金属腔体的中心，所述介质圆柱的上表面与所述矩形金属腔体的上表面连接，所述介质圆柱的下表面与所述矩形金属腔体的下表面连接；
四个所述多模谐振器结构以所述介质圆柱的轴线为中心轴呈旋转对称分布，且各相邻的两个所述多模谐振器结构的距离相同，各所述多模谐振器结构均与所述介质圆柱相切；
所述输入耦合端口经所述输入耦合端口金属探针连接到所述输入端口电容耦合金属片的一端，所述输入端口电容耦合金属片的另一端开路；所述输出耦合端口经所述输出耦合端口金属探针连接到所述输出端口电容耦合金属片的一端，所述输出端口电容耦合金属片的另一端开路；
所述输入端口电容耦合金属片和所述输出端口电容耦合金属片分别对应一个多模谐振器结构，所述输入端口电容耦合金属片与对应的多模谐振器结构平行放置，所述输出端口电容耦合金属片与对应的多模谐振器结构平行放置，两个多模谐振器结构相邻。
2.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述输入耦合端口为50欧姆阻抗的输入耦合端口，所述输出耦合端口为50欧姆阻抗的输出耦合端口。
3.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，各所述多模谐振器结构均为三阶的阶跃阻抗谐振器，所述阶跃阻抗谐振器包括第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元。
4.根据权利要求3所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述第一谐振单元采用长度为2.3mm，宽度为0.6mm的条状结构；所述第三谐振单元和所述第一谐振单元结构参数相同；第二谐振单元采用长度为4.6mm，宽度为0.1mm的弯折线结构。
5.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述输入端口电容耦合金属片长度为8.5mm，宽度为2mm；所述输出端口电容耦合金属片长度为8.5mm，宽度为2mm。
6.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述矩形金属腔体的四个侧边均进行倒圆角处理。
7.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述矩形金属腔体的体积大小为17mm×17mm×10mm。
8.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述介质圆柱的相对介电常数为39，损耗角正切为0.0001，所述介质圆柱的半径为2.9mm，高度为10mm。
9.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述介质圆柱采用陶瓷介质材料。
10.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述输入端口电容耦合金属片和所述多模谐振器结构之间设置的间距为0.1mm。
11.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述多模谐振器结构的等效电路包括三个依次连接的第一电路、第二电路和第三电路，所述第一电路和所述第二电路之间、所述第二电路和所述第三电路之间分别设有一个电感；所述第一电路和所述第二电路中设有一个电容和一个电感，所述第二电路中设有数量相同的电容和电感，所述第二电路中的电容相互并联，所述第二电路中的电感依次串联连接。
12.根据权利要求1所述的基于多模谐振结构的单腔双频4G/5G基站滤波器，其特征在于，所述多模谐振器结构的材料为铜。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100013578A1 (en) * 2008-07-21 2010-01-21 Mohammad Memarian Method of operation and construction of dual-mode filters, quad-mode filters, dual band filters, and diplexer/multiplexer devices using full or half cut dielectric resonators
US20130053104A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter
JP2013168868A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体共振器及びバンドパスフィルタ
US20140347148A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Jorge A. Ruiz-Cruz Method of operation and construction of filters and multiplexers using multi-conductor multi-dielectric combline resonators
CN105070986A (zh) * 2015-07-31 2015-11-18 华南理工大学 基于贴片结构的介质双模带通滤波器
CN206225509U (zh) * 2016-12-02 2017-06-06 华南理工大学 一种新型三模介质带通滤波器
CN214125262U (zh) * 2020-10-31 2021-09-03 华南理工大学 一种基于多重融合结构的双频滤波开关
CN113871824A (zh) * 2021-09-28 2021-12-31 北京邮电大学 基于多模矩形谐振的小型化多频低插损介质滤波器模块
CN215497019U (zh) * 2021-04-27 2022-01-11 广东机电职业技术学院 多模介质滤波器及设备

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100013578A1 (en) * 2008-07-21 2010-01-21 Mohammad Memarian Method of operation and construction of dual-mode filters, quad-mode filters, dual band filters, and diplexer/multiplexer devices using full or half cut dielectric resonators
US20130053104A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter
JP2013168868A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体共振器及びバンドパスフィルタ
US20140347148A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Jorge A. Ruiz-Cruz Method of operation and construction of filters and multiplexers using multi-conductor multi-dielectric combline resonators
CN105070986A (zh) * 2015-07-31 2015-11-18 华南理工大学 基于贴片结构的介质双模带通滤波器
CN206225509U (zh) * 2016-12-02 2017-06-06 华南理工大学 一种新型三模介质带通滤波器
CN214125262U (zh) * 2020-10-31 2021-09-03 华南理工大学 一种基于多重融合结构的双频滤波开关
CN215497019U (zh) * 2021-04-27 2022-01-11 广东机电职业技术学院 多模介质滤波器及设备
CN113871824A (zh) * 2021-09-28 2021-12-31 北京邮电大学 基于多模矩形谐振的小型化多频低插损介质滤波器模块

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SERGEY A.KHODENKOV ET AL: ""Investigation of microwave filters based on multimode resonators"", 《2021 XV INTERNATIONAL SCIENTIFIC-TECHNICAL CONFERENCE ON ACTUAL PROBLEMS OF ELECTRONIC INSTRUMENT ENGINEERING (APEIE)》 *
朱其玉: ""介质多模滤波器的仿真设计"", 《电脑与信息技术》, vol. 25, no. 3, pages 8 - 10 *
李程炎: ""多模介质滤波器的研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, no. 7, pages 135 - 223 *

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