CN115312552A - 图像传感器 - Google Patents

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金振泳
李泰宪
梁至希
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Abstract

一种图像传感器，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，并且半导体衬底中具有第一导电类型的光电转换区，光电转换区在第一表面与第二表面之间延伸。第二导电类型的半导体光电转换器件的二维阵列设置在光电转换区内。设置第一网格状隔离区，第一网格状隔离区从第一表面延伸到光电转换区，并且第一网格状隔离区中具有第一导电材料。设置第二网格状隔离区，第二网格状隔离区从第二表面延伸到光电转换区。设置导电接触区，所述导电接触区(i)从第二表面延伸到所述光电转换区的位于所述半导体光电转换器件的二维阵列之外的部分，并且(ii)电接触所述第一网格状隔离区内的所述第一导电材料的一部分。

Description

图像传感器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年5月7日提交的韩国专利申请No.10-2021-0059509的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及图像传感器，更具体地，涉及具有增强的电特性的图像传感器及其形成方法。
背景技术
图像传感器将光学图像转换成电信号。常用的图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。这些图像传感器具有以二维矩阵布置的多个像素，并且多个像素中的每一个像素都基于由该像素接收的光能来输出图像信号。具体地，多个像素中的每一个像素累积与入射在光电转换器件上的光量相对应的光电荷，并基于累积的光电荷输出像素信号。近来，随着图像传感器集成度提高，每个像素的尺寸已经减小(同时每个像素对应电路的组件尺寸也减小了)。
发明内容
本发明构思提供一种图像传感器，所述图像传感器具有通过使背面接触阵列(BCA)与光电转换区完全绝缘而具有改善的电特性的结构。
根据本发明构思的一方面，提供一种图像传感器，包括衬底，所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面和位于所述衬底内的光电转换区。设置第一隔离区，所述第一隔离区从所述第一表面沿垂直方向布置在所述衬底中。设置第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二表面沿所述垂直方向布置在所述衬底中，并且(在俯视图中)对应于所述第一隔离区。设置光电转换器件，所述光电转换器件在所述光电转换区的中央部分中布置在所述衬底中。设置增强接触区，所述增强接触区(在所述光电转换区的外围部分中)从所述第二表面沿所述垂直方向电连接到所述第一隔离区。另外，在所述光电转换区内，在所述外围部分中所述第一隔离区的宽度大于在所述中央部分中所述第一隔离区的宽度。
根据本发明构思的另一方面，提供一种图像传感器，包括衬底，所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底和位于所述衬底中的光电转换区。设置第一隔离区，所述第一隔离区从所述第一表面沿垂直方向布置在所述衬底中。设置第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二表面沿所述垂直方向布置在所述衬底中(并且在俯视图中可以与相对的所述第一隔离区“成镜像”)。设置光电转换器件，所述光电转换器件在所述光电转换区的中央部分中布置在所述衬底中。并且，接触区设置在所述第二表面上，所述接触区沿所述垂直方向电连接到所述第一隔离区。所述接触区在所述光电转换区的外围部分中延伸。另外，根据本发明构思的一些实施例，在所述外围部分中所述第一隔离区的宽度大于在所述中央部分中所述第一隔离区的宽度。
根据本发明构思的再一方面，图像传感器设置有衬底，所述衬底具有彼此面对的前表面和后表面。还设置有光电转换区和围绕所述光电转换区的焊盘区域。所述光电转换区中设置有第一隔离区。所述第一隔离区从所述前表面沿垂直方向在所述衬底中延伸，在俯视图中具有网格形状，并且包括导电材料膜和围绕所述导电材料膜的绝缘材料膜。在所述光电转换区中还设置有第二隔离区。所述第二隔离区从所述后表面沿所述垂直方向面向所述第一隔离区地在所述衬底中延伸，在所述俯视图中具有网格形状，并且包括绝缘材料膜。设置有接触区，所述接触区(从所述后表面)沿所述垂直方向电连接到所述第一隔离区的所述导电材料膜。光电转换器件布置在所述光电转换区内部，滤色器布置在所述衬底的所述后表面上，并且微透镜布置在所述滤色器上。所述传感器还包括焊盘区域和布置在所述衬底的所述后表面上并且位于所述衬底内部的掩埋焊盘。此外，所述光电转换区包括中央部分和至少部分地围绕所述中央部分的外围部分，在所述外围部分中延伸的所述第二隔离区的宽度大于在所述中央部分中延伸的所述第二隔离区的宽度。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：
图1是根据本发明构思的实施例的图像传感器的像素阵列的电路图；
图2是根据本发明构思的实施例的图像传感器的像素阵列的俯视图；
图3是根据本发明构思的实施例的图像传感器的示意性俯视图；
图4是根据本发明构思的实施例的图像传感器的截面图；
图5至图8是根据本发明构思的另一实施例的图像传感器的图；
图9至图15是根据本发明构思的实施例的制造图像传感器的方法的截面图；
图16是包括多相机模块的电子设备的框图；
图17是图16的相机模块的详细框图；和
图18是根据本发明构思的实施例的图像传感器的配置的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施例。
图1是根据本发明构思的实施例的图像传感器的像素阵列的电路图，并且图2是像素阵列的俯视图。参照图1，以阵列形式示出了包括传输(transfer)晶体管TX和逻辑晶体管(例如，RX、SX和DX)的单位像素PX。可以布置多个单位像素PX。在一些实施例中，多个单位像素PX可以以矩阵形式布置从而定义二维像素阵列。这里，逻辑晶体管可以包括复位晶体管RX、选择晶体管SX和驱动晶体管DX(或源极跟随器晶体管)。复位晶体管RX可以包括复位栅极RG，并且选择晶体管SX可以包括选择栅极SG。另外，传输晶体管TX可以包括传输栅极(也可以称为传输栅电极)TG。
单位像素PX可以包括光电转换器件PD和浮置扩散区FD。光电转换器件PD可以与入射在其上(例如，来自外部)的光量成比例地产生和累积光电荷。光电二极管、光电晶体管、光电门、钉扎光电二极管(PPD)或它们的组合可以用作光电转换器件。传输栅极TG可以将光电转换器件PD产生的光电荷传输到浮置扩散区FD。浮置扩散区FD可以接收和存储(即，累积)由光电转换器件PD产生的光电荷。可以根据在浮置扩散区FD中累积的光电荷的量来控制驱动晶体管DX。
如本领域技术人员将理解的，复位晶体管RX可以定期地复位浮置扩散区FD中累积的光电荷。复位晶体管RX的漏电极可以连接到浮置扩散区FD，并且复位晶体管RX的源电极可以连接到电源电压VDD。因此，当复位晶体管RX导通时，连接到复位晶体管RX的源电极的电源电压VDD可以传输到浮置扩散区FD，并且在浮置扩散区FD中累积的电荷可以被释放(即，浮置扩散区FD可以被复位)。
驱动晶体管DX可以连接到位于单位像素PX外部的电流源(未示出)以用作源极跟随器缓冲放大器，并且放大浮置扩散区FD中的电位变化，并且将放大后的电位变化输出到输出线VOUT。选择晶体管SX可以以行为单位选择多个单位像素PX，并且当选择晶体管SX导通时，电源电压VDD可以传输到驱动晶体管DX的源电极。
参照图2，图像传感器10可以包括布置有多个单位像素PX的器件区域DR和围绕器件区域DR的包括外围电路的焊盘区域PR。在图像传感器10中，多个单位像素PX可以以矩阵形式布置。多个单位像素PX可以各自包括逻辑晶体管。一起参照图1，逻辑晶体管可以包括复位晶体管RX、选择晶体管SX和驱动晶体管DX。复位晶体管RX可以包括复位栅极RG，选择晶体管SX可以包括选择栅极SG，并且传输晶体管TX可以包括传输栅极TG。另外，多个单位像素PX中的每一个单位像素可以包括相应的光电转换器件PD和相应的浮置扩散区FD。光电转换器件PD可以与从外部入射的光量成比例地产生和累积光电荷。
焊盘区域PR被示出为完全围绕器件区域DR，但图像传感器10的这种布局仅仅是示例性的，并且在本发明构思的范围内各种修改是可能的。多个单位像素PX可以在器件区域DR中以行和列布置。另外，焊盘区域PR可以包括掩埋焊盘BP，其电连接到多个单位像素PX和外围电路，并且掩埋焊盘BP可以用作从外部向多个单位像素PX中包括的电路以及外围电路提供电力和信号的连接端子。
图像传感器10可以包括将在下面描述的图像传感器100、200和300的特性。即，根据本发明构思的图像传感器10可以通过具有如下结构来提供清晰的图像信号：在该结构中通过将背面接触阵列(BCA)与光电转换区完全绝缘来改善图像传感器10的电特性。
图3是根据本发明构思的实施例的图像传感器的示意性俯视图，并且图4是图像传感器的截面图。特别地，为了便于说明，图3和图4仅示出了与图像传感器的右上端相对应的部分。参照图3和图4，图像传感器100可以包括衬底110、光电转换区120、正面结构130、支撑衬底140、第一隔离区150、第二隔离区160(包括第二隔离区161和162)、接触区170、第一至第三抗反射层181、182和183、滤色器191、微透镜193和覆盖层195。
衬底110可以包括彼此面对的第一表面110F1和第二表面110F2。第二表面110F2可以为衬底的光接收表面。在一些实施例中，衬底110可以包括IV族半导体材料、III-V族半导体材料或II-VI族半导体材料。IV族半导体材料可以包括例如硅(Si)、锗(Ge)或硅锗(SiGe)。III-V族半导体材料可以包括例如砷化镓(GaAs)、磷酸铟(InP)、磷酸镓(GaP)、砷化铟(InAs)、铟锑(InSb)或砷化铟镓(InGaAs)。II-VI族半导体材料可以包括例如碲化锌(ZnTe)或硫化镉(CdS)。
衬底110可以包括半导体衬底，例如p型硅衬底。例如，在一些实施例中，衬底110可以包括p型体衬底和生长在其上的p型或n型外延层。在一些其他实施例中，衬底110可以包括n型体衬底和生长在其上的p型或n型外延层。或者，在一些实施例中，衬底110可以包括有机塑料衬底。
光电转换区120可以布置在衬底110中。光电转换区120可以将光信号转换为电信号。光电转换区120可以包括形成在衬底110内部的光电转换器件PD。光电转换区120可以为掺杂有导电性与衬底110的导电性相反的杂质的杂质区。光电转换区120可以被分为布置有光电转换器件PD的中央部分CA和未布置光电转换器件PD的外围部分PA。根据实施例，在光电转换区120中，位于中央部分CA中的光电转换器件为有源器件，并且位于外围部分PA中的光电转换器件为虚设器件。每个光电转换器件PD可以与从外部入射的光量成比例地产生和累积光电荷，并且可以使用光电二极管、光电晶体管、光电门、PPD或它们的组合。
传输栅极TG可以布置在衬底110中。传输栅极TG可以从衬底110的第一表面110F1延伸到衬底110中。如图4所示，传输栅极TG可以在衬底110的第一表面110F1与光电转换器件PD之间延伸。此外，传输栅极TG可以与光电转换区120形成PN整流结。传输栅极TG可以是传输晶体管(TX，参见图1)的一部分。例如，被配置为将光电转换区120中产生的光电荷传输到浮置扩散区(FD，参见图1)的传输晶体管(TX，参见图1)、被配置为定期地复位存储在浮置扩散区(FD，参见图1)中的光电荷的复位晶体管(RX，参见图1)、用作源极跟随器缓冲放大器并被配置为根据在浮置扩散区中充电的电荷而缓冲信号的驱动晶体管(DX，参见图1)、以及用作切换和寻址以选择多个单位像素(PX，参见图1)的选择晶体管(SX，参见图1)可以形成在衬底110的第一表面110F1上。
光电转换区120、传输栅极TG、多个晶体管和浮置扩散区可以形成单位像素(PX，参见图1)。多个单位像素(PX，参见图1)可以彼此相邻并且可以二维布置。多个单位像素(PX，参见图1)可以被划分为包括光电转换器件PD的有源像素和不包括光电转换器件PD的虚设像素。
在一些实施例中，包括多个单位像素(PX，参见图1)的像素阵列可以形成为使得宽度和高度中的一者大于另一者。例如，当像素阵列的宽度大于其高度时，水平对齐的背面接触阵列BCA的数目可以大于垂直对齐的背面接触阵列BCA的数目，或者水平对齐的背面接触阵列BCA之间的距离可以大于垂直对齐的背面接触阵列BCA之间的距离。背面接触阵列BCA可以围绕光电转换器件PD。
正面结构130可以布置在衬底110的第一表面110F1上。正面结构130可以包括布线层134和绝缘层136。绝缘层136可以在衬底110的第一表面110F1上与布线层134电隔离。布线层134可以电连接到位于衬底110的第一表面110F1上的晶体管。布线层134可以包括钨、铝、铜、硅化钨、硅化钛、氮化钨、氮化钛、掺杂多晶硅等。绝缘层136可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k材料等的绝缘材料。可选地，支撑衬底140可以布置在正面结构130上。支撑衬底140与正面结构130之间还可以设置粘合构件(未示出)。
第一隔离区150可以从衬底110的第一表面110F1在垂直方向(Z方向)上延伸，并且将一个光电转换器件PD与相邻光电转换器件PD物理隔离且电隔离。在俯视图中，第一隔离区150可以以格状形式(例如方格或网格形状)布置。即，第一隔离区150可以在光电转换器件PD之间延伸。
第一隔离区150可以包括导电层152和围绕导电层152的绝缘衬垫154。导电层152和绝缘衬垫154中的每一者可以从衬底110的第一表面110F1沿垂直方向(Z方向)形成在衬底110内部。绝缘衬垫154可以共形地布置在衬底110与导电层152之间并且将导电层152与衬底110电隔离。在一些实施例中，导电层152可以包括诸如多晶硅或金属的导电材料。绝缘衬垫154可以包括诸如氧化铪、氧化铝、氧化钽等的金属氧化物，并且在这种情况下，绝缘衬垫154可以用作负(-)固定电荷层。根据另一实施例，绝缘衬垫154可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的绝缘材料。
第二隔离区160可以从衬底110的第二表面110F2在垂直方向(Z方向)上延伸，并且将一个光电转换器件PD与相邻光电转换器件PD物理且电隔离。在俯视图中，第二隔离区160可以以格状形式(例如方格或网格形状)布置。即，第二隔离区160可以在光电转换区120之间延伸。在一些实施例中，第二隔离区160可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k材料等的绝缘材料。绝缘材料膜可以形成在深沟槽隔离(DTI)图案的沟槽中。下面将描述第二隔离区160的细节。
接触区170可以形成为(在外围部分PA中)从衬底110的第二表面110F2沿垂直方向(Z方向)电连接到第一隔离区150。该接触区170可以包括诸如钨的金属材料，并且可以有利地形成为接触第一隔离区150的一部分，从而可以提供从电源电压(VDD，参见图1)到第一隔离区150内的导电层152(例如，导电网格/方格)的电路径。如图所示，接触区170的最下表面可以形成为接触第一隔离区150的导电层152。在接触区170中，多个接触可以形成接触阵列，并且接触阵列可以形成在虚设像素中，虚设像素是其中未布置光电转换器件PD的区域。
如上所述，光电转换区120可以被划分为布置有光电转换器件PD(被布置为阵列)且必不可少的中央部分CA和未布置光电转换器件PD的外围部分PA。如图4所示，布置在光电转换区120的中央部分CA中的第二隔离区161的第一宽度W1可以小于布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二隔离区162的第二宽度W2。另外，布置在中央部分CA中的第二隔离区161的第一深度D1可以小于布置在外围部分PA中的第二隔离区162的第二深度D2。因此，布置在中央部分CA中的第二隔离区161可以布置为在垂直方向(Z方向)上与第一隔离区150间隔开第一距离L1。在一些实施例中，第一距离L1可以为大约0.1um至大约0.3um，但不限于此。布置在外围部分PA中的第二隔离区162可以足够深从而接触相对的第一隔离区150。布置在中央部分CA中的第二隔离区161和布置在外围部分PA中的第二隔离区162可以仅尺寸彼此不同，但形成它们的材料可以彼此基本相同。
当在截面中观察时，接触第一隔离区150的第二隔离区162可以布置在接触区170的左侧和右侧。即，接触第一隔离区150的第二隔离区162可以形成为两条或更多条线。当在俯视图中观察时，接触区170可以通过被接触第一隔离区150的第二隔离区162围绕而封闭。
第一抗反射层181可以布置在衬底110的第二表面110F2上。即，第一抗反射层181可以布置在所有光电转换器件PD和第二隔离区160上。在一些实施例中，第一抗反射层181可以包括氧化铝，但不限于此。另外，第二抗反射层182可以布置在第一抗反射层181上。即，第二抗反射层182可以布置在所有光电转换器件PD和第二隔离区160上。在一些实施例中，第二抗反射层182可以包括氧化铪，但不限于此。
阻挡金属层185和围栏(fence)187可以布置在第二抗反射层182上。在一些实施例中，阻挡金属层185可以包括诸如氮化钛的阻挡金属。在俯视图中，围栏187可以与第一隔离区150和第二隔离区160交叠(并且垂直对齐)。即，在俯视图中，围栏187可以在光电转换器件PD之间延伸。在一些实施例中，围栏187可以包括低折射率材料。当围栏187包括具有相对低折射率的低折射率材料时，朝向围栏187入射的光可以被全反射并被导向光电转换器件PD的中央部分。有利地，围栏187可以防止倾斜入射到布置在一个光电转换器件PD上的滤色器191中的光进入布置在相邻光电转换器件PD上的滤色器191，因此，可以显著减少或防止多个单位像素PX之间的串扰。
第三抗反射层183可以布置在第二抗反射层182和围栏187上。即，第三抗反射层183可以覆盖第二抗反射层182和围栏187。具体地，第三抗反射层183可以布置在第二抗反射层182的上表面、围栏187的侧表面和围栏187的上表面上。在一些实施例中，第三抗反射层183可以包括氧化硅，但不限于此。
钝化层189可以布置在第三抗反射层183上。钝化层189可以保护第三抗反射层183、第二抗反射层182和围栏187。在一些实施例中，钝化层189可以包括氧化铝。
多个滤色器191可以布置在钝化层189上并且可以通过围栏187彼此分开。多个滤色器191可以是例如以预定图案(例如，拜耳图案)布置的绿色、蓝色和红色的组合。在一些其他实施例中，多个滤色器191可以是例如青色、品红色和黄色的组合。
微透镜193可以布置在滤色器191和钝化层189上。微透镜193可以布置为对应于光电转换器件PD。微透镜193可以是透明的。例如，微透镜193相对于可见光区域中的光可以具有90％或更高的透射率。微透镜193可以包括例如诸如苯乙烯基树脂、丙烯酸树脂、苯乙烯-丙烯酸共聚物基树脂、硅氧烷基树脂等的材料。微透镜193可以收集入射光，并且收集到的光可以通过滤色器191入射在光电转换区120上。覆盖层195可以布置在微透镜193上。
通常，被配置为使单位像素PX与背面接触阵列BCA绝缘的背面深沟槽隔离BDTI以基本相同的尺寸形成在光电转换区120的中央部分CA和外围部分PA中。在这种情况下，由于制造中的裕度差异，光电转换区120的外围部分PA中的部分背面深沟槽隔离BDTI的深度可能形成为小于设计。因此，在背面接触阵列BCA中产生的漏电流可能泄漏到背面深沟槽隔离BDTI的下部，因此，可能破坏图像传感器100的电特性，并且可能劣化或阻止图像传感器100的操作。
为解决上述问题，在图像传感器100中，布置在光电转换区120的中央部分CA中的第二隔离区161的第一宽度Wl和布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二隔离区162的第二宽度W2被设计成彼此不同，使得背面接触阵列BCA可以与光电转换区120完全绝缘。因此，即使出现制造裕度，背面接触阵列BCA可以被完全绝缘，以提前防止漏电流泄漏到第二隔离区160的下部。
另外，根据本发明构思的图像传感器100能够在单次光掩模操作中实现彼此具有不同尺寸的第二隔离区161和162的制造操作，因此，可以获得具有改进电特性的结构的图像传感器100，甚至不增加制造成本。最终，根据本发明构思的图像传感器100具有以下效果：通过具有改进的电特性的结构可以提供清晰的图像信号，且不增加制造成本。
图5至图8是根据本发明构思的另一实施例的图像传感器的图。特别地，为了便于说明，图5至图8仅示出了与图像传感器的右上端相对应的部分。
形成将在下面描述的图像传感器200和300的大部分部件以及形成这些部件的材料与上面参照图3和图4描述的那些基本相同或相似。因此，为了便于说明，将主要描述与上述图像传感器100的不同之处。
参照图5和图6，图像传感器200可以包括衬底110、光电转换区120、正面结构130、支撑衬底140、第一隔离区150、第二隔离区260(包括第二隔离区261和262)、接触区170、第一至第三抗反射层181、182和183、滤色器191、微透镜193和覆盖层195。
在本实施例的图像传感器200中，光电转换区120可以被划分为布置有光电转换器件PD的中央部分CA和未布置光电转换器件PD的外围部分PA。布置在光电转换区120的中央部分CA中的第二隔离区261的第一宽度W1可以小于布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二隔离区262的第二宽度W2。
另外，布置在中央部分CA中的第二隔离区261的第一深度D1可以小于布置在外围部分PA中的第二隔离区262的第二深度D2。因此，布置在中央部分CA中的第二隔离区261可以布置为在垂直方向(Z方向)上与第一隔离区150间隔开第一距离L1。第一距离L1可以为大约0.1um至大约0.3um，但不限于此。布置在外围部分PA中的第二隔离区262可以被布置为接触第一隔离区150。
布置在中央部分CA中的第二隔离区261和布置在外围部分PA中的第二隔离区262仅在尺寸上彼此不同，但形成它们的材料可以彼此基本相同。
当在截面中观察时，接触第一隔离区150的第二隔离区262可以布置在接触区170的左侧和右侧。另外，接触第一隔离区150的第二隔离区262可以在靠近中央部分CA的一侧(其是接触区170的左侧)形成为多条线。即，接触第一隔离区150的第二隔离区262可以形成为三条或更多条线。当在俯视图中观察时，接触区170可以因被接触第一隔离区150的第二隔离区262围绕而被封闭。
参照图7和图8，图像传感器300可以包括衬底110、光电转换区120、正面结构130、支撑衬底140、第一隔离区350(包括第一隔离区351和352)、第二隔离区160、接触区170、第一至第三抗反射层181、182和183、滤色器191、微透镜193和覆盖层195。
在本实施例的图像传感器300中，光电转换区120可以被划分为布置有光电转换器件PD的中央部分CA和未布置光电转换器件PD的外围部分PA。布置在光电转换区120的中央部分CA中的第一隔离区351的第三宽度W3可以小于布置在光电转换区120的外围部分PA中的第一隔离区352的第四宽度W4。
另外，布置在中央部分CA中的第一隔离区351的第一高度H1可以小于布置在外围部分PA中的第一隔离区352的第二高度H2。因此，布置在中央部分CA中的第一隔离区351可以布置为在垂直方向(Z方向)上与第二隔离区160间隔开第三距离L3。第三距离L3可以为大约0.1um至大约0.3um，但不限于此。布置在外围部分PA中的第一隔离区352可以布置为接触第二隔离区160。
布置在中央部分CA中的第一隔离区351和布置在外围部分PA中的第一隔离区352仅在尺寸上彼此不同，但形成它们的材料可以彼此基本相同。
当在截面中观察时，接触第二隔离区160的第一隔离区352可以布置在接触区170的左侧和右侧。即，接触第二隔离区160的第一隔离区352可以形成为两条或更多条线。当在俯视图中观察时，接触区170可以通过被第二隔离区160和接触第二隔离区160的第一隔离区352围绕而被封闭。
图9至图15是根据本发明构思的实施例的制造图像传感器的方法的截面图。参照图9，制备具有彼此面对的第一表面110F1和第二表面110F2的衬底110。
可以在衬底110的第一表面110F1上形成掩模图案(未示出)，并且可以通过使用掩模图案作为蚀刻掩模从衬底110的第一表面110F1去除衬底110的一部分来形成第一沟槽150T。接着，可以在第一沟槽150T中顺序地形成绝缘衬垫154和导电层152，并且可以通过平坦化操作去除布置在衬底110的第一表面110F1上的绝缘衬垫154的一部分和导电层152的一部分，以在第一沟槽150T中形成第一隔离区150。然后，可以通过离子注入操作从衬底110的第一表面110F1形成包括光电转换器件PD的光电转换区120。例如，光电转换器件PD可以通过掺杂n型杂质形成。
参照图10，可以形成从衬底110的第一表面110F1延伸到衬底110的内部的传输栅极TG。接着，可以在衬底110的第一表面110F1上形成正面结构130。通过重复执行如下操作可以在衬底110上形成布线层134和绝缘层136：在衬底110的第一表面110F1上形成导电层、图案化导电层、和形成绝缘层以覆盖导电层。
然后，可选地，可以通过粘合构件(未示出)将支撑衬底140粘合到正面结构130。参照图11，可以将衬底110翻转，使得衬底110的第二表面110F2面朝上。接着，可以通过诸如化学机械抛光操作或回蚀操作的平坦化操作从衬底110的第二表面110F2去除衬底110的一部分。由于执行了去除操作，因而可以降低衬底110的第二表面110F2的水平高度。
参照图12，可以在衬底110的第二表面110F2上形成第一掩模图案M1。第一掩模图案M1是被配置为形成在衬底110内部限定第二隔离区(图14的160)的第二沟槽(图13的160T)的蚀刻掩模，并且可以通过光刻操作形成第一掩模图案M1。光电转换区120可以被分为布置有光电转换器件PD的中央部分CA和未布置光电转换器件PD的外围部分PA。在第一掩模图案M1中，布置在光电转换区120的中央部分CA中的第一开口P1的第一宽度W1可以形成为小于布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二开口P2的第二宽度W2。
参照图13，第一掩模图案(图12的M1)可以用作蚀刻掩模以去除衬底110的一部分，从而从衬底110的第二表面110F2起沿垂直方向(Z方向)形成第二沟槽160T(包括第二沟槽161T和162T)。接下来，可以使用例如灰化或其他剥离操作去除第一掩模图案(图12的M1)。
布置在光电转换区120的中央部分CA中的第二沟槽161T的第一宽度W1可以小于布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二沟槽162T的第二宽度W2。另外，布置在光电转换区120的中央部分CA中的第二沟槽161T的第一深度D1可以小于布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二沟槽162T的第二深度D2。这可能是使用第一掩模图案(图12的M1)的操作而得到的特性，因此，可以在单个光掩模操作中形成彼此具有不同尺寸的第二沟槽161T和162T。
参照图14，可以形成第二隔离区160(包括第二隔离区161和162)以填充衬底110的第二沟槽(图13的160T)。布置在光电转换区120的中央部分CA中的第二隔离区161和布置在光电转换区120的外围部分PA中的第二隔离区162可以彼此仅尺寸不同，但形成它们的材料可以彼此基本相同。接下来，可以在衬底110的第二表面110F2上形成第一抗反射层181。第一抗反射层181可以包括氧化铝，但不限于此。
参照图15，可以在第一抗反射层181上形成第二抗反射层182。然后，可以形成接触区170。接触区170可以形成为从衬底110的第二表面110F2在垂直方向(Z方向)上电连接到第一隔离区150。接触区170可以包括诸如钨的金属材料。接触区170可以形成为接触第一隔离区150的一部分。
然后，可以在第二抗反射层182上形成阻挡金属层185和围栏187。另外，可以在第二抗反射层182和围栏187上形成第三抗反射层183。另外，可以在第三抗反射层183上形成钝化层189。另外，可以在钝化层189上形成滤色器191，并且滤色器191可以通过围栏187彼此分隔开。
再次参照图4，可以在滤色器191和钝化层189上形成微透镜193。接下来，可以在微透镜193上形成覆盖层195。这样，可以完成根据本发明构思的图像传感器100。
图16是包括多相机模块的电子设备的框图，并且图17是图16的相机模块的详细框图。参照图16，电子设备1000可以包括相机模块组1100、应用处理器1200、电源管理集成电路(PMIC)和外部存储器1400。
相机模块组1100可以包括多个相机模块1100a、1100b和1100c。虽然图16示出了布置三个相机模块1100a、1100b和1100c的实施例，但实施例不限于此。在一些实施例中，相机模块组1100可以被修改为仅包括两个相机模块或n个相机模块(这里，n为大于或等于4的自然数)。
在下文中，将参照图17更详细地描述相机模块1100b的配置，但根据示例实施例，以下描述可以同样适用于其他相机模块1100a和1100c。参照图17，相机模块1100b可以包括棱镜1105、光路折叠元件(OPFE)1110、致动器1130、图像感测装置1140和存储装置1150。棱镜1105可以改变从外部入射的光L的路径，并且包括具有光反射材料的反射表面1107。
在一些实施例中，棱镜1105可以将沿第一方向(X方向)入射的光L的路径改变为沿垂直于第一方向(X方向)的第二方向(Y方向)。另外，棱镜1105可以通过围绕中心轴1106在A方向上旋转具有光反射材料的反射表面1107或在B方向上旋转中心轴1106，将沿第一方向(X方向)入射的光L的路径改变为沿垂直于第一方向(X方向)的第二方向(Y方向)。在这种情况下，OPFE 1110可以在与第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)垂直的第三方向(Z方向)上移动。
在一些实施例中，如图17所示，棱镜1105在A方向上的最大旋转角在正(+)A方向上可以是15°或更小，而在负(-)A方向上可以大于15°，但实施例不限于此。在一些其他实施例中，棱镜1105可以在正(+)或负(-)B方向上移动大约20°、10°与20°之间或15°与20°之间，并且在此，移动角度可以在正(+)或负(-)B方向上以相同角度移动，或移动到在1°范围内几乎相似的角度。在又一些实施例中，棱镜1105可以在平行于中心轴1106的延伸方向的第三方向(例如，Z方向)上移动具有光反射材料的反射表面1107。
OPFE 1110可以包括例如m组光学透镜(这里，m是自然数)。m组透镜可以在第二方向(Y方向)上移动以改变相机模块1100b的光学变焦比。例如，当相机模块1100的基础光学变焦比为Z时，并且当OPFE 1100中包括的m组透镜移动时，相机模块1100b的光学变焦比可以改变为3Z、5Z或大于5Z的光学变焦比。致动器1130可以使OPFE 1100或光学透镜移动到特定位置。例如，为了准确感测，致动器1130可以调整光学透镜的位置，使得图像传感器1142位于光学透镜的焦距处。
图像感测装置1140可以包括图像传感器1142、控制逻辑1144和存储器1146。图像传感器1142可以通过使用通过光学透镜提供的光L来感测感测目标的图像。控制逻辑1144可以控制相机模块1100b的整体操作。例如，控制逻辑1144可以根据通过控制信号线CSLb提供的控制信号来控制相机模块1100b的操作。
存储器1146可以存储操作相机模块1100b所必需的信息，例如校准数据1147。校准数据1147可以包括相机模块1100b通过使用从外部提供的光L生成图像数据所需的信息。校准数据1147可以包括例如关于旋转度数、焦距、光轴等的信息。当以多状态相机(在多状态相机中焦距根据光学透镜的位置而变化)的形式实现相机模块1100b时，校准数据1147可以包括光学透镜的每个位置(或每个状态)的焦距值和自动对焦相关信息。
存储装置1150可以存储通过图像传感器1142感测到的图像数据。存储装置1150可以布置在图像感测装置1140的外部，并且可以与形成图像感测装置1140的传感器芯片堆叠在一起。在一些实施例中，存储装置1150可以实现为电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，但实施例不限于此。
一起参照图16和图17，在一些实施例中，多个相机模块1100a、1100b和1100c可以各自包括致动器1130。因此，多个相机模块1100a、1100b和1100c可以根据包括在其中的致动器1130的操作而包括相同或不同的校准数据1147。在一些实施例中，多个相机模块1100a、1100b和1100c当中的相机模块(例如，1100b)可以是包括棱镜1105和OPFE 1110的折叠透镜型相机模块，而其他相机模块(例如，1100a和1100c)可以是不包括棱镜1105和OPFE1110的垂直相机模块，但实施例不限于此。
在一些实施例中，多个相机模块1100a、1100b和1100c当中的相机模块(例如，1100c)可以是例如通过使用红外线(IR)提取深度信息的垂直深度相机。在这种情况下，应用处理器1200可以生成合并了从深度相机提供的图像数据和从另一相机模块(例如，1100a或1100b)提供的图像数据的三维(3D)深度图像。
在一些实施例中，多个相机模块1100a、1100b和1100c当中的至少两个相机模块(例如，1100a和1100b)可以具有彼此不同的视场。在这种情况下，例如，多个相机模块1100a、1100b和1100c当中的至少两个相机模块(例如，1100a和1100b)可以包括彼此不同的光学透镜，但实施例不限于此。
另外，在一些实施例中，多个相机模块1100a、1100b和1100c的视角可以彼此不同。在这种情况下，多个相机模块1100a、1100b和1100c中包括的光学透镜可以彼此不同，但实施例不限于此。
在一些实施例中，多个相机模块1100a、1100b和1100c可以被布置为彼此物理分隔开。即，图像传感器1142的感测区域不被多个相机模块1100a、1100b和1100c划分和使用，而是图像传感器1142可以独立地设置在多个相机模块1100a、1100b和1100c中的每一者中。
再次参照图16，应用处理器1200可以包括图像处理装置1210、存储器控制器1220和内部存储器1230。应用处理器1200可以与多个相机模块1100a、1100b和1100c分隔开。例如，应用处理器1200和多个相机模块1100a、1100b和1100c可以是彼此分隔开的半导体芯片。
图像处理装置1210可以包括多个子图像处理器1212a、1212b和1212c、图像生成器1214和相机模块控制器1216。图像处理装置1210可以包括数目与多个相机模块1100a、1100b和1100c的数目相对应的多个子图像处理器1212a、1212b和1212c。由相机模块1100a生成的图像数据、由相机模块1100b生成的图像数据和由相机模块1100c生成的图像数据可以通过彼此分隔开的图像信号线ISLa、ISLb和ISLc提供给与其对应的子图像处理器1212a、1212b和1212c。例如，由相机模块1100a生成的图像数据可以通过图像信号线ISLa提供给子图像处理器1212a，由相机模块1100b生成的图像数据可以通过图像信号线ISLb提供给子图像处理器1212b，并且由相机模块1100c生成的图像数据可以通过图像信号线ISLc提供给子图像处理器1212c。这种图像数据传输可以通过使用例如基于移动工业处理器接口(MIPI)的相机串行接口(CSI)来执行，但实施例不限于此。
在一些实施例中，还可以布置对应于多个相机模块的一个子图像处理器。例如，与图16中所示的不同，子图像处理器1212a和子图像处理器1212c可以彼此不分隔开，而是可以集成在一起作为一个子图像处理器，并且从相机模块1100a和1100c提供的图像数据可以由选择元件(例如，多路复用器)选择，然后被提供给集成的子图像处理器。
提供给多个子图像处理器1212a、1212b和1212c中的每一者的图像数据可以被提供给图像生成器1214。图像生成器1214可以根据图像生成信息或模式信号，通过使用从多个子图像处理器1212a、1212b和1212c中的每一者提供的图像数据来生成输出图像。
特别地，图像生成器1214可以根据图像生成信息或模式信号，通过合并从具有彼此不同视角的多个相机模块1100a、1100b和1100c生成的图像数据中的至少一些图像数据来生成输出图像。另外，图像生成器1214可以根据图像生成信息或模式信号，通过选择从具有彼此不同视角的多个相机模块1100a、1100b和1100c生成的图像数据中的任何一者来生成输出图像。
在一些实施例中，图像生成信息可以包括变焦信号或变焦因子。另外，在一些实施例中，模式信号可以是例如基于用户选择的模式的信号。
当图像生成信息是变焦信号(变焦因子)并且多个相机模块1100a、1100b和1100c具有彼此不同的视场(视角)时，图像生成器1214可以根据关于变焦信号的类型执行不同的操作。例如，当变焦信号为第一信号时，可以在合并了从相机模块1100a输出的图像数据和从相机模块1100c输出的图像数据之后，通过使用合并图像数据和在合并时未被使用的从相机模块1100c输出的图像数据来生成输出图像。当变焦信号是不同于第一信号的第二信号时，图像生成器1214可以不执行图像数据的合并，并且可以通过选择从多个相机模块1100a、1100b和1100c中的每一者生成的图像数据中的任何一者来生成输出图像。然而，实施例不限于此，并且可以根据需要修改和实施处理图像数据的方法。
在一些实施例中，图像生成器1214可以从多个子图像处理器1212a、1212b和1212c中的至少一者接收具有彼此不同的曝光时间的多条图像数据，并且对多条图像数据执行高动态范围(HDR)处理来生成具有提高的动态范围的合并图像数据。
相机模块控制器1216可以向多个相机模块1100a、1100b和1100c中的每一者提供控制信号。由相机模块控制器1216生成的控制信号可以通过彼此分隔开的控制信号线CSLa、CSLb和CSLc被提供给多个相机模块1100a、1100b和1100c。
根据包括变焦信号或模式信号的图像生成信息，多个相机模块1100a、1100b和1100c中的任何一者可以被指定为主相机模块(例如，1100b)，而其余相机模块(例如，1100a和1100c)可以被指定为从相机模块。该信息可以被包括在控制信号中，并且可以通过彼此分隔开的控制信号线CSLa、CSLb和CSLc被提供给多个相机模块1100a、1100b和1100c。
作为主相机模块和从相机模块操作的相机模块可以根据变焦因子或操作模式信号而改变。例如，当相机模块1100a的视角大于相机模块1100b的视角，并且变焦因子表示低变焦比时，相机模块1100b可以用作主相机模块，并且相机模块1100a可以用作从相机模块。相反，当变焦因子指示高变焦比时，相机模块1100a可以用作主相机模块，并且相机模块1100b可以用作从相机模块。
在一些实施例中，从相机模块控制器1216提供给多个相机模块1100a、1100b和1100c中的每一者的控制信号可以包括同步使能信号。例如，当相机模块1100b是主相机模块并且相机模块1100a和1100c是从相机模块时，相机模块控制器1216可以向相机模块1100b发送同步使能信号。已经接收到同步使能信号的相机模块1100b可以基于接收到的同步使能信号生成同步信号，并且通过同步信号线SSL将所生成的同步信号提供给相机模块1100a和1100c。相机模块1100b以及相机模块1100a和1100c可以与同步信号同步以向应用处理器1200发送图像数据。
在一些实施例中，从相机模块控制器1216提供给多个相机模块1100a、1100b和1100c的控制信号可以包括根据模式信号的模式信息。基于模式信息，多个相机模块1100a、1100b和1100c可以在与感测速率相关的第一操作模式和第二操作模式下操作。
多个相机模块1100a、1100b和1100c可以在第一操作模式下以第一速率生成图像信号(例如，以第一帧速率生成图像信号)，从而以高于第一速率的第二速率对其进行编码(例如，以高于第一帧速率的第二帧速率对图像信号进行编码)，并向应用处理器1200发送编码后的图像信号。在这种情况下，第二速率可以是第一速率的30倍或更小。
应用处理器1200可以将接收到的图像信号(即，编码后的图像信号)存储在应用处理器1200的内部存储器1230或外部存储器1400中，然后从内部存储器1230或外部存储器1400读取以解码编码后的图像信号，并且显示基于解码后的图像信号生成的图像数据。例如，图像处理装置1210的多个子图像处理器1212a、1212b和1212c中的对应子图像处理器可以执行解码，也可以对解码后的图像信号执行图像处理。
多个相机模块1100a、1100b和1100c可以在第二操作模式下以低于第一速率的第三速率生成图像信号(例如，以低于第一帧速率的第三帧速率生成图像信号)，以向应用处理器1200发送图像信号。提供给应用处理器1200的图像信号可以是未编码的信号。应用处理器1200可以对接收到的图像信号执行图像处理或将图像信号存储在内部存储器1230或外部存储器1400中。
PMIC 1300可以向多个相机模块1100a、1100b和1100c中的每一者供电，例如供应电源电压。例如，在应用处理器1200的控制下，PMIC 1300可以通过电源信号线PSLa向相机模块1100a提供第一功率，通过电源信号线PSLb向相机模块1100b提供第二功率，以及通过电源信号线PSLc向相机模块1100c提供第三功率。
PMIC 1300可以响应于来自应用处理器1200的功率控制信号PCON来产生与多个相机模块1100a、1100b和1100c中的每一者相对应的功率，并且还调整功率的大小。功率控制信号PCON可以包括用于多个相机模块1100a、1100b和1100c的每个操作模式的功率调整信号。例如，操作模式可以包括低功率模式，在这种情况下，功率控制信号PCON可以包括关于在低功率模式下操作的相机模块和设置的功率大小的信息。提供给多个相机模块1100a、1100b和1100c的功率大小可以彼此相同或不同。另外，功率大小可以动态地改变。
图18是根据本发明构思的实施例的图像传感器的配置的框图。参照图18，图像传感器1500可以包括像素阵列1510、控制器1530、行驱动器1520和像素信号处理单元1540。图像传感器1500可以包括所描述的图像传感器100、200和300中的至少一者。
像素阵列1510可以包括二维布置的多个单位像素，并且多个单位像素中的每一者可以包括光电转换器件。光电转换器件可以吸收光以产生光电荷，并且根据所产生的光电荷的电信号(输出电压)可以通过垂直信号线被提供给像素信号处理单元1540。包括在像素阵列1510中的单位像素可以以行为单位一次提供一次输出电压，因此，像素阵列1510中的属于一行的单位像素可以同时被行驱动器1520输出的选择信号激活。属于选定行的单位像素可以根据吸收的光向相应列的输出线提供输出电压。
控制器1530可以控制行驱动器1520使像素阵列1510吸收光以累积光电荷或暂时存储所累积的光电荷，并根据所存储的光电荷将电信号输出到像素阵列1510的外部。另外，控制器1530可以控制像素信号处理单元1540测量由像素阵列1510提供的输出电压。
像素信号处理单元1540可以包括相关双采样器(CDS)1542、模数转换器(ADC)1544和缓冲器1546。CDS 1542可以采样和保持由像素阵列1510提供的输出电压。
CDS 1542可以对特定噪声电平和根据所产生的输出电压的电平进行双采样，以输出与它们之间的差对应的电平。另外，CDS 1542可以接收由斜坡信号发生器1548生成的斜坡信号并将它们进行比较以输出比较结果。
ADC可以将与从CDS 1542接收到的电平对应的模拟信号转换成数字信号。缓冲器1546可以锁存数字信号，并且锁存的信号可以被顺序地输出到图像传感器1500的外部并且被发送到图像处理器(未示出)。
虽然已经参照本发明构思的实施例具体示出和描述了本发明构思，但应当理解的是，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以对本文进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种图像传感器，包括：
衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，并且所述衬底中具有光电转换区；
第一隔离区，所述第一隔离区从所述第一表面朝向所述第二表面延伸到所述光电转换区中；
第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二表面朝向所述第一隔离区延伸到所述光电转换区中；
多个光电转换器件，所述多个光电转换器件位于所述光电转换区的第一部分中；和
接触区，所述接触区从所述第二表面延伸到所述光电转换区的第二部分中，所述第二部分至少部分地围绕所述光电转换区的所述第一部分，所述接触区电连接到所述第一隔离区。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二隔离区在所述光电转换区的所述第二部分内的宽度大于所述第二隔离区在所述光电转换区的所述第一部分内的宽度。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在所述光电转换区的所述第一部分内所述光电转换区在所述第一隔离区与所述第二隔离区之间延伸，但在所述光电转换区的所述第二部分内所述第二隔离区接触所述第一隔离区；并且其中，在所述光电转换区的所述第一部分内所述第一隔离区与所述第二隔离区之间的间隔在从0.1um到0.3um的范围内。
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在所述光电转换区的所述第二部分内从所述第二表面测量的所述第二隔离区的深度大于在所述光电转换区的所述第一部分内从所述第二表面测量的所述第二隔离区的深度。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，当从截面的角度观察所述接触区和所述第二隔离区时，所述接触区在所述光电转换区的所述第二部分内的所述第二隔离区的第一部分与所述光电转换区的所述第二部分内的所述第二隔离区的第二部分之间延伸。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，当从俯视图角度观察时，所述第一隔离区和所述第二隔离区分别具有网格形状。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二隔离区实质上由第一电绝缘材料组成；并且其中，所述第一隔离区包括导电区，所述导电区通过第二电绝缘材料与所述光电转换区分开。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第一隔离区形成在所述衬底的所述第一表面中的第一网格状沟槽中；其中，所述第二电绝缘材料作为衬垫形成在所述第一网格状沟槽的侧壁和底部上；并且其中，所述导电区在所述第二电绝缘材料上延伸从而至少部分地填充所述第一网格状沟槽。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，在所述光电转换区的所述第二部分内所述第二隔离区接触位于所述第一网格状沟槽的一部分内的所述导电区。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括滤色器阵列和微透镜阵列，所述滤色器阵列和所述微透镜阵列与所述光电转换区的所述第一部分相对地在所述衬底的所述第二表面上延伸。
11.一种图像传感器，包括：
衬底，所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，并且包括光电转换区；
第一隔离区，所述第一隔离区从所述第一表面沿垂直方向布置在所述衬底中；
第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二表面沿所述垂直方向布置在所述衬底中，并且对应于所述第一隔离区；
光电转换器件，所述光电转换器件在所述光电转换区的中央部分中布置在所述衬底中；和
接触区，所述接触区在所述光电转换区的外围部分中从所述第二表面沿所述垂直方向电连接到所述第一隔离区，
其中，在所述光电转换区的所述外围部分中所述第一隔离区的宽度大于在所述光电转换区的所述中央部分中所述第一隔离区的宽度。
12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，在所述光电转换区的所述中央部分中所述第一隔离区在垂直方向上与所述第二隔离区间隔开第一距离，并且
在所述光电转换区的所述外围部分中所述第一隔离区接触所述第二隔离区。
13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，在所述光电转换区的所述中央部分中，所述第一隔离区具有第一深度，
在所述光电转换区的所述外围部分中，所述第一隔离区具有第二深度，并且
所述第二深度大于所述第一深度。
14.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，当在俯视图中观察时，所述第一隔离区和所述第二隔离区中的每一者具有网格形状，并且
所述接触区在所述外围部分中因被所述第二隔离区围绕而被封闭。
15.根据权利要求11所述的图像传感器，所述图像传感器还包括布置在所述衬底的所述第二表面上的滤色器和微透镜。
16.一种图像传感器，包括：
衬底，所述衬底具有彼此面对的前表面和后表面，并且包括光电转换区和围绕所述光电转换区的焊盘区域；
第一隔离区，所述第一隔离区位于所述光电转换区中，其中，所述第一隔离区从所述前表面沿垂直方向在所述衬底中延伸，在俯视图中具有网格形状，并且包括导电材料膜和围绕所述导电材料膜的绝缘材料膜；
第二隔离区，所述第二隔离区位于所述光电转换区中，其中，所述第二隔离区从所述后表面沿所述垂直方向面向所述第一隔离区地在所述衬底中延伸，在所述俯视图中具有网格形状，并且包括绝缘材料膜；
接触区，所述接触区从所述后表面沿所述垂直方向电连接到所述第一隔离区的所述导电材料膜；
在所述光电转换区中，光电转换器件布置在所述衬底的内部、滤色器布置在所述衬底的所述后表面上、微透镜布置在所述滤色器上；和
在所述焊盘区域中，掩埋焊盘布置在所述衬底的所述后表面上并且位于所述衬底内部，
其中，所述光电转换区包括中央部分和至少部分地围绕所述中央部分的外围部分，在所述外围部分中所述第二隔离区的宽度大于在所述中央部分中所述第二隔离区的宽度。
17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，在所述光电转换区中，位于所述中央部分中的所述光电转换器件为有源器件，并且
位于所述外围部分中的所述光电转换器件为虚设器件。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，当在俯视图中观察时，所述接触区布置在所述虚设器件所在的区域中，并且
所述接触区因被接触所述第一隔离区的所述第二隔离区围绕而被封闭。
19.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，当在截面中观察时，接触所述第一隔离区的所述第二隔离区在所述光电转换区的所述外围部分中布置在所述接触区的左侧和右侧。
20.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述第一隔离区和所述第二隔离区均包括深沟槽隔离。
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