CN115296736B - 日盲紫外通讯探测器、制备方法及通讯方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种日盲紫外通讯探测器，包括：硅片衬底；多组宽禁带半导体纳米带，设于硅片衬底上，每组数量为2，相互串联且呈90°；各组宽禁带半导体纳米带的设置角度以预设步进增加，设置角度范围为0°～180°；多组金属电极，设于硅片衬底上，每组金属电极包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，接地电极与该组宽禁带半导体纳米带中的另一个的非串联端连接，中位电压电极与该组宽禁带半导体纳米带的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带响应日盲紫外光信号产生的电压信号。本公开还提供了一种日盲紫外通讯探测器制备方法及通讯方法。
Description
技术领域
本公开涉及日盲紫外光通讯技术领域，尤其涉及一种日盲紫外通讯探测器、制备方法及通讯方法。
背景技术
自然界中太阳作为紫外辐射的天然光源，其辐射出来的紫外光通过大气时，波长介于240nm到280nm之间的紫外光被大气中的臭氧层强烈吸收而无法传播到地球表面，从而形成太阳紫外光在近地表面的盲区，人们通常称之为日盲紫外光。日盲紫外光探测(240-280nm)在灭菌监测、高温火焰探测、电晕放电检测以及日盲紫外光通讯领域具有重要的应用。其中，作为新一代非视距(non-line-of-sight，NLOS)无线通讯技术的日盲紫外光通讯，一直以来都备受关注。日盲紫外光通讯依据大气粒子以及悬浮粒子对紫外光的散射进行信息传输，具有抗干扰能力强、保密程度高以及可绕过障碍物实现非视距通讯的优点。如果将偏振态作为光调制信息进行传输，可以拓宽信息维度，丰富的偏振信息可以作为三进制甚至更高进制的信号源，具有灵活性高、传输密度大、抗干扰性强、保密性强的优点。因此，发展偏振调制的日盲紫外光通讯以及日盲紫外偏振光探测在非视距无线光通讯领域具有重要的实用价值。
作为偏振调制的日盲紫外通讯技术，偏振光探测是其中的关键技术。随着材料制备工艺以及微纳加工技术的不断发展，偏振光探测技术也相应地经历了几代技术改革，已从最初的旋转偏振片型发展到目前的微纳器件型。其核心原理都是将偏振特性的选择与光探测功能分离开来，均属于分离型偏振探测技术。为了契合光电领域高度集成化的发展目标，偏振光探测的器件结构应试图从分离型结构向更为简洁的直接型结构发展。近年来，研究者们注意到在元素周期表中关于IV族元素非对称分布的一些层状半导体，如IV-V族、IV-VI族、V-VI族、IV-VII族半导体。该类层状半导体非互补性的外层电子结构导致化学键以及原子排列的复杂度增大，具有庞大的原胞体积和较低的晶体对称性，从而表现出强的面内各向异性，尤其是光响应上的各向异性使其对线偏振光天然敏感，可以实现直接偏振探测，便于高度集成化。β-Ga2O3具有4.5-4.9eV的超宽禁带，对日盲紫外具有高的光响应，同时β-Ga2O3为单斜晶系，属于C2h 3空间群，其晶体对称性元素总和为L2PC，只存在一个二次轴(L2)、一个垂直于二次轴的对称面(P)和对称心(C)，不含有4次轴和6次轴的高对称操作，相较于立方晶系的硅(对称操作为3L44L36L29PC)，单斜晶系的β-Ga2O3具有更高的晶体各向异性。同时β-Ga2O3作为第四代主流半导体能够与现有集成工艺兼容。基于β-Ga2O3较低的晶体对称性、在日盲紫外的高光响应、以及与现有集成工艺兼容的三大优点，可以发展基于此的日盲紫外光探测技术，并开发相应的三进制日盲紫外通讯技术。
公开内容
鉴于上述问题，本公开提供了一种日盲紫外通讯探测器、制备方法及通讯方法，以解决上述问题。
本公开的一个方面提供了一种日盲紫外通讯探测器，包括：硅片衬底，表面附有二氧化硅层；多组宽禁带半导体纳米带，设于所述硅片衬底上，每组宽禁带半导体纳米带的数量为2，相互串联且呈90°，相互配合以接收偏振态为0°、45°和90°的日盲紫外光；各组宽禁带半导体纳米带的设置角度以预设步进增加，所述设置角度范围为0°～180°；多组金属电极，设于所述硅片衬底上，每组金属电极对应连接一组宽禁带半导体纳米带，每组金属电极包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，所述正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，所述接地电极与该组宽禁带半导体纳米带中的另一个的非串联端连接，所述中位电压电极与该组所述宽禁带半导体纳米带的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带响应所述日盲紫外光信号产生的电压信号；多个电极终端，通过金属导电桥与各所述正电压电极、所述中位电压电极和所述接地电极连接；IC插座，背面设有多个针脚，正面设有凹槽；所述针脚和所述电极终端一一对应，通过引线连接；所述硅片衬底设于所述IC插座的凹槽内。
可选地，所述宽禁带半导体纳米带为β型氧化镓纳米带，厚度为10-100nm，宽度为2-5μm，长度为10-20μm。
可选地，所述金属电极、所述金属导电桥以及所述电极终端均为钛和金的双层结构；其中，钛的厚度为5-20nm，金的厚度为50-150nm，所述金属电极的宽度为20-50μm，所述金属导电桥的宽度为5-10μm，所述电极终端的宽度为300-500μm。
可选地，所述宽禁带半导体纳米带与所述金属电极接触为欧姆接触。
可选地，所述宽禁带半导体纳米带为18组，各所述宽禁带半导体纳米带的角度分别为0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°、170°。
可选地，所述日盲紫外光的波长为250-260nm。
本公开的另一个方面提供了一种日盲紫外通讯探测器的制备方法，应用于如第一方面任意一项所述的日盲紫外通讯探测器，包括：在蓝宝石衬底上制备宽禁带半导体纳米带；将宽禁带半导体纳米带干法转移至硅片衬底的二氧化硅层上，并按照预设的设置角度放置，形成多个宽禁带半导体纳米带组；将所述硅片衬底固定在IC插座的凹槽内；在所有宽禁带半导体纳米带组的两端制备金属电极，并制备金属导电桥以及电极终端；将所述电极终端分别引线14至所述IC插座的多个针脚上，完成日盲紫外通讯探测器。
可选地，所述在所有宽禁带半导体纳米带组的两端制备金属电极，并制备金属导电桥以及电极终端包括：在所述硅片衬底、IC插座上旋涂电子束胶；设计电极、导电桥以及电极终端图版，在电子束胶上刻蚀出所述金属电极、所述金属电桥和所述电极终端的金属区域；在所述金属区域上沉积金属材料，得到所述金属电极、所述金属电桥和所述电极终端；清洗电子束胶，并进行退火处理。
本公开的另一个方面提供了一种日盲紫外通讯方法，应用于如第一方面任意一项所述的日盲紫外通讯探测器，包括：将日盲紫外光的偏振态调制为0°、45°和90°，以表示三进制中的0、1和2三种三进制通讯信号；通过日盲紫外通讯探测器探测所述日盲紫外光，以基于所述日盲紫外通讯探测器上的各组宽禁带半导体纳米带获取所述三进制通讯信号，实现三进制日盲紫外通讯。
可选地，所述将日盲紫外光的偏振态调制为0°、45°和90°。包括：通过起偏器将日盲紫外光的偏振态调制成0°；通过控制器高速切换半波片的旋转角度，将所述旋转角度调制为0°、22.5°和45°，实现所述日盲紫外光的偏振态在0°、45°和90°三个偏振态之间切换。
在本公开实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
根据本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器，其基本逻辑单元为两个互相垂直的宽禁带半导体纳米带，对属于日盲区的250-260nm紫外光具有高响应，具有较低的晶体对称性，对偏振角非常敏感，可敏感探测偏振态为0°、45°和90°的三进制通讯信号；该探测器的制备方法涉及到的技术包括化学气相沉积、干法转移技术、电子束曝光、蒸镀技术和退火热处理技术，这些技术现阶段已经较为成熟，因此可实现日盲紫外通讯探测器的量产。
本公开还提供了一种日盲紫外通讯方法，通过对发射端的日盲紫外光进行三种偏振态调制，从而实现三进制中的0、1和2共三种信号；可以实现三进制信号传递，同时接收端通过不同角度分布的探测器同时工作，可实现对入射信号的实时读取，而不需要通过调整探测器的方向去匹配入射光的偏振方向。
附图说明
为了更完整地理解本公开及其优势，现在将参考结合附图的以下描述，其中：
图1示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的示意图；
图2示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的俯视图；
图3示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的局部示意图；
图4示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的局部截面图；
图5示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的基本原理示意图；
图6示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的多组宽禁带半导体纳米带的排列示意图；
图7示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的制备方法示意图；
图8示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯方法示意图；
附图标记：
11-IC插座；12-针脚；13-针脚顶部；14－金属丝；15-IC插座凹槽；16-探测器主体；17-硅片衬底；18-电极终端；19－金属导电桥；20-金属电极；21－宽禁带半导体纳米带；22－二氧化硅层；23－硅层。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
图1～4示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的示意图。
如图1～4所示，本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器，包括探测器主体16和IC插座台11。具体的，日盲紫外通讯探测器包括：硅片衬底17，表面附有二氧化硅层22；多组宽禁带半导体纳米带21，设于硅片衬底17上，每组宽禁带半导体纳米带21的数量为2(参考图5所示的纳米带1和纳米带2)，相互串联且呈90°角，相互配合以接收偏振态为0°、45°和90°的日盲紫外光；各组宽禁带半导体纳米带21的设置角度以预设步进增加(参考图6，后面将进行具体说明)，设置角度范围为0°～180°；多组金属电极20，设于硅片衬底17上，每组金属电极20对应连接一组宽禁带半导体纳米带21，每组金属电极20包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带21中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，接地电极与该组宽禁带半导体纳米带21中的另一个的非串联端连接，中位电压电极与该组宽禁带半导体纳米带21的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带21响应日盲紫外光信号产生的电压信号；多个电极终端18，通过金属导电桥19与各所述正电压电极、所述中位电压电极和所述接地电极连接；IC插座11，背面设有多个针脚12，正面设有凹槽；所述针脚12和所述电极终端18一一对应，通过引线14连接；所述硅片衬底17设于所述IC插座11的凹槽15内。
在本公开的一些实施例中，日盲紫外光波长为250-260nm，通过调制日盲紫外光的偏振态分别为0°、45°和90°，从而实现三进制中的0、1和2共三种信号。
在本公开的一些实施例中，宽禁带半导体纳米带21为β型氧化镓纳米带，厚度为10-100nm，宽度为2-5μm，长度为10-20μm。β相三氧化二镓具有4.5-4.9eV的超宽禁带宽度，对属于日盲区的250-260nm紫外光具有高响应，具有较低的晶体对称性，对偏振角非常敏感，尤其是对带边附近如250-260nm范围内的日盲紫外光具有较强的偏振光响应各向异性。
在本公开的一些实施例中，金属电极20、金属导电桥19以及电极终端18均为钛和金的双层结构；其中，金属钛的厚度为5-20nm，金属金的厚度为50-150nm，正方形金属电极20的宽度为20-50μm，金属导电桥19的宽度为5-10μm，正方形电极终端18的宽度为300-500μm。宽禁带半导体层与金属电极20接触为欧姆接触。
图5示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的基本原理示意图。
如图5所示，具体的，在本公开的其中一个实施例中，纳米带1和纳米带2构成一组宽禁带半导体纳米带21，两者相互垂直，其中，纳米带1的一端设有正电压电极，电压为10V，另一端与纳米带2的一端连接，连接处设有中位电压电极，纳米带2的另一端设有接地电极。当入射光的偏振方向平行于纳米带的长轴时(对应晶体的c轴)，纳米带具有强的光吸收，较多的价带电子跃迁至导带，纳米带变为低阻态；相反，当入射光的偏振方向平行于纳米带的短轴时(对应晶体的b轴)，纳米带具有弱的光吸收，较少的价带电子跃迁至导带，纳米带变为高阻态。当偏振光平行于纳米带1的长轴时，必然平行于另一纳米带2的短轴，因此两组纳米带前者成为低电阻，后者成为高电阻，读取中间电位为高电平(≈10V)；当偏振光平行于纳米带2的长轴时，相反，前者成为高电阻，后者成为低电阻，读取中间电位为低电平(≈0V)；当偏振光与两条纳米带长轴之间夹角为45°时，两条纳米带电阻相等，读取中间电位为中电平(≈5V)。由此，该组纳米带实现了偏振态为0°、45°和90°的三进制日盲紫外通讯信号的接收。
由于日盲紫外通讯偏振光照射在探测器时，共具有0°、45°和90°三种偏振态，而该三个偏振态都是相对发射端的角度，对于接收端，需要将逻辑单元的纳米片1长轴方向与发射端的0°方向匹配一致，可采取旋转单个逻辑单元来匹配角度，也可采取设置多组不同角度排列的逻辑单元匹配角度。
图6示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的多组宽禁带半导体纳米带21的排列示意图。
如图6所示，在本实施例中，日盲紫外通讯探测器上共设置18组宽禁带半导体纳米带21，分别对应18个方向。具体的，如图6所示，各宽禁带半导体纳米带21的角度分别为0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°、170°，其中，将每两条纳米带构成一组，每两组纳米带布局在一起构成一个正方形单元。每组宽禁带半导体纳米带21的设置角度间隔为10°。因此发射端与接收端的匹配角度最大误差为5°，对于高各向异性比的氧化镓偏振探测器，该角度误差不会影响最终的高、中、低电平分辩。
如图2、图6所示，在本实施例中，每两组纳米带共接一个正电压电极，各正电压电极共同桥接于1个正电极终端18上；每两组纳米带还共接一个接地电极，桥接于一个电极终端18上，共9个接地终端；各组纳米带分别连接一个中位电压电极，桥接于一个电极终端18中，共18个中位电压终端。因此，在本实施例中，IC插座11上共需要设置1+9+18＝28个电极终端18。
图7示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯探测器的制备方法示意图。
如图7所示，本公开提供的日盲紫外通讯探测器的制备方法包括步骤S710～S740。
S710，在蓝宝石衬底上制备宽禁带半导体纳米带21。
S720，将宽禁带半导体纳米带21干法转移至硅片衬底17的二氧化硅层22上，并按照预设的设置角度放置，形成多个宽禁带半导体纳米带组。
具体的，选择蓝宝石衬底上大小均匀的36片氧化镓纳米片，通过干法转移的方法依次转移至氧化硅衬底上，36片氧化镓纳米片分别以0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°、170°共18个角度排列成两组分布在二氧化硅层22上。
S730，将硅片衬底17固定在IC插座11的凹槽15内。具体的，可以采用耐高温液体胶将硅片固定在IC插座凹槽15内。
S740，在所有宽禁带半导体纳米带组的两端制备金属电极20，并制备金属导电桥19以及电极终端18。
具体的，包括S741～744。
S741，在硅片衬底17、IC插座11上旋涂电子束胶。
S742，设计电极、导电桥以及电极终端18图版，在电子束胶上刻蚀出金属电极20、金属电桥和电极终端18的金属区域。
S743，在金属区域上沉积金属材料，得到金属电极20、金属电桥和电极终端18。
S744，清洗电子束胶，并进行退火处理。
可选地，刻蚀胶可以包括聚甲基丙烯酸甲酯；上述刻蚀方法可以包括电子束刻蚀方法；上述金属沉积方法可以包括电子束蒸发。
S750，将电极终端18分别引线14至IC插座11的多个针脚12上，完成日盲紫外通讯探测器。可选地，采用铝丝焊机进行引线14。
本公开还提供了一种日盲紫外通讯方法，通过如图1～6所示的日盲紫外通讯探测器实现。
图8示意性示出了本公开实施例提供的一种日盲紫外通讯方法示意图。
如图8所示，在本实施例中，日盲紫外通讯方法包括步骤S810～S820。
S810，将日盲紫外光的偏振态调制为0°、45°和90°，以表示三进制中的0、1和2三种三进制通讯信号。
通过起偏器将日盲紫外光的偏振态调制成0°；通过控制器高速切换半波片的旋转角度，将旋转角度调制为0°、22.5°和45°，实现日盲紫外光的偏振态在0°、45°和90°三个偏振态之间切换。
本实施例中，信号输入即通过控制器实现三种偏振态(0°、45°和90°)的日盲紫外光输出，即代表三进制中的三种信号(0、1和2)。
S820，通过日盲紫外通讯探测器探测日盲紫外光，以基于日盲紫外通讯探测器上的各组宽禁带半导体纳米带21获取三进制通讯信号，实现三进制日盲紫外通讯。
本实施例中，基于如图1～6所示的日盲紫外通讯探测器上分布的宽禁带半导体纳米带组，可以探测具有0°、45°和90°三种偏振态的日盲紫外通讯信号，从而实现基于日盲紫外光的三进制信号通讯。通过不同角度分布的探测器同时工作，可实现对入射信号的实时读取，而不需要通过调整探测器的方向去匹配入射光的偏振方向。
本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合或/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。
尽管已经参照本公开的特定示例性实施例示出并描述了本公开，但是本领域技术人员应该理解，在不背离所附权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开进行形式和细节上的多种改变。因此，本公开的范围不应该限于上述实施例，而是应该不仅由所附权利要求来进行确定，还由所附权利要求的等同物来进行限定。
Claims (10)
1.一种日盲紫外通讯探测器，其特征在于，包括：
硅片衬底(17)，表面附有二氧化硅层(22)；
多组宽禁带半导体纳米带(21)，设于所述硅片衬底(17)上，每组宽禁带半导体纳米带(21)的数量为2，相互串联且呈90°，相互配合以接收偏振态为0°、45°和90°的日盲紫外光；
各组宽禁带半导体纳米带(21)的设置角度以预设步进增加，设置角度范围为0°～180°；
多组金属电极(20)，设于所述硅片衬底(17)上，每组金属电极(20)对应连接一组宽禁带半导体纳米带(21)，每组金属电极(20)包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，所述正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带(21)中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，所述接地电极与该组宽禁带半导体纳米带(21)中的另一个的非串联端连接，所述中位电压电极与该组所述宽禁带半导体纳米带(21)的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带(21)响应所述日盲紫外光信号产生的电压信号；
多个电极终端(18)，通过金属导电桥(19)与各所述正电压电极、所述中位电压电极和所述接地电极连接；
IC插座(11)，背面设有多个针脚(12)，正面设有凹槽(15)；
所述针脚(12)和所述电极终端(18)一一对应，通过引线(14)连接；
所述硅片衬底(17)设于所述IC插座(11)的凹槽(15)内。
2.根据权利要求1所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，所述宽禁带半导体纳米带(21)为β型氧化镓纳米带以及β型氧化镓纳米带的掺杂或者合金产品，厚度为10-100nm，宽度为2-5μm，长度为10-20μm。
3.根据权利要求1所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，所述金属电极(20)、所述金属导电桥(19)以及所述电极终端(18)均为钛和金的双层结构；其中，钛的厚度为5-20nm，金的厚度为50-150nm，所述金属电极(20)的宽度为20-50μm，所述金属导电桥(19)的宽度为5-10μm，所述电极终端(18)的宽度为300-500μm。
4.根据权利要求1所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，所述宽禁带半导体纳米带(21)与所述金属电极(20)接触为欧姆接触。
5.根据权利要求1所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，所述宽禁带半导体纳米带(21)为18组，各所述宽禁带半导体纳米带(21)的角度分别为0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°、170°。
6.根据权利要求1所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，所述日盲紫外光的波长为250-260nm。
7.一种日盲紫外通讯探测器的制备方法，应用于如权利要求1至6任意一项所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，包括：
在蓝宝石衬底上制备宽禁带半导体纳米带(21)；
将宽禁带半导体纳米带(21)干法转移至硅片衬底(17)的二氧化硅层(22)上，并按照预设的设置角度放置，形成多个宽禁带半导体纳米带组；
将所述硅片衬底(17)固定在IC插座(11)的凹槽(15)内；
在所有宽禁带半导体纳米带组的两端制备金属电极(20)，并制备金属导电桥(19)以及电极终端(18)；
将所述电极终端(18)分别引线(14)至所述IC插座(11)的多个针脚(12)上，完成日盲紫外通讯探测器。
8.根据权利要求7所述的日盲紫外通讯探测器的制备方法，其特征在于，所述在所有宽禁带半导体纳米带组的两端制备金属电极(20)，并制备金属导电桥(19)以及电极终端(18)包括：
在所述硅片衬底(17)、IC插座(11)上旋涂电子束胶；
设计电极、导电桥以及电极终端(18)图版，在电子束胶上刻蚀出所述金属电极(20)、所述金属导电桥(19)和所述电极终端(18)的金属区域；
在所述金属区域上沉积金属材料，得到所述金属电极(20)、所述金属导电桥(19)和所述电极终端(18)；
清洗电子束胶，并进行退火处理。
9.一种日盲紫外通讯方法，应用于如权利要求1至6任意一项所述的日盲紫外通讯探测器，其特征在于，包括：
将日盲紫外光的偏振态调制为0°、45°和90°，以表示三进制中的0、1和2三种三进制通讯信号；
通过日盲紫外通讯探测器探测所述日盲紫外光，以基于所述日盲紫外通讯探测器上的各组宽禁带半导体纳米带(21)获取所述三进制通讯信号，实现三进制日盲紫外通讯。
10.根据权利要求9所述的日盲紫外通讯方法，其特征在于，所述将日盲紫外光的偏振态调制为0°、45°和90°包括：
通过起偏器将日盲紫外光的偏振态调制成0°；
通过控制器高速切换半波片的旋转角度，将所述旋转角度调制为0°、22.5°和45°，实现所述日盲紫外光的偏振态在0°、45°和90°三个偏振态之间切换。
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