CN115296384B - 自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 25
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/36—Means for starting or stopping converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J2207/00—Indexing scheme relating to details of circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J2207/50—Charging of capacitors, supercapacitors, ultra-capacitors or double layer capacitors
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- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本申请涉及一种自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法应用于升降压电路,所述方法包括:基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。所述方法具有在不影响升降压转换器效率的前提下,能够实现给自举电容充电的有益效果。
Description
技术领域
本申请涉及电子电路技术领域,特别是涉及一种自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
在四开关buck-boost变换器中,上桥臂开关管的驱动需要用到自举升压电路来实现。图1所示是一种四开关buck-boost变换器电路,即升降压电路,Q1和Q2组成buck桥臂的上下开关管,其驱动信号成互补关系,Q3和Q4组成boost桥臂的上下开关管,其驱动信号成互补关系。当电Q2导通时,Q1关断,输入电压VIN通过肖特基二极管D1向自举电容C1充电,忽略掉二极管压降,此时Vboot1的电压即C1两端的电压为5V;当Q2关断时,控制器发出PWM信号驱动Q1导通,Vboot1则向Q1提供驱动电压,随着Q1导通压降的不断下降,Q1源极电压不断升高,Vboot1电压也不断上升,Q1完全导通时,Q1源极电压抬高到VIN,Vboot1电压被电容C1抬高到Vin+5V,整个过程称为自举升压过程。
四开关buck-boost变换器有三种工作模式:当输出小于输入,电路工作在降压模式(buck模式),Q1、Q2交替导通,Q3一直导通,Q4一直关闭;当输出与输入接近,电路工作在升降压模式(buck-boost模式),一个周期内的前半周Q1、Q2交替导通,后半周Q3、Q4交替导通;当输出大于输入,电路工作在boost模式,Q3、Q4交替导通,Q1一直导通,Q2一直关闭。无论是在buck模式下,还是在boost模式下,都只能实现对四管升降压电路(四管buck-boost电路)中的某一个自举电容的充电。但是,当四管buck-boost电路中任一个自举电容的电亮消耗完毕后,整个四管buck-boost电路就无法工作。
因此,急需要提出一种在不影响升降压转换器效率的前提下,能够实现给自举电容充电的自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够在不影响升降压转换器效率的前提下,能够实现给自举电容充电的自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质。
一方面,提供一种自举电容充电方法,所述方法包括:
步骤A:基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
步骤B:基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
步骤C:基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
在其中一个实施例中,还包括:基于下式,获取所述自举电容的充电周期:
ΔQ=C×ΔU=C×(5-Vplanteau)
其中,N表示自举电容的充电周期数;C表示自举电容的电容值,Vplanteau表示米勒平台电压值;Qg表示导通场效晶体管所需的电量值,ΔQ表示所述自举电容可用于驱动所述场效晶体管的电量,ΔU表示自举电容的电压变化量。
在其中一个实施例中,基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换,包括:当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式。
在其中一个实施例中,若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
在其中一个实施例中,将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式,包括:判断所述升降压电路的当前模式;若所述升降压电路的当前模式为降压模式,则插入预设占空比的升压模式,以将所述降压模式切换至升压模式;若所述升降压电路的当前模式为升压模式,则插入预设占空比的降压模式,以将所述升压模式切换至降压模式。
在其中一个实施例中,所述方法还包括:生成所述预设占空比;所述生成预设占空比,包括:获取导通所述场效晶体管时,导通信号的延时时间和上升时间;获取关断所述场效晶体管时,关断信号的延时时间和下降时间;获取所述导通信号的延时时间和上升时间,及,关断信号的延时时间和下降时间的时间总值;基于所述时间总值,生成所述预设占空比,所述预设占空比大于所述时间总值,所述预设占空比与所述时间总值的差值的绝对值不超过预设阈值。
在其中一个实施例中,所述方法还包括:当所述降压模式切换至升压模式,或,所述升压模式切换至降压模式后,将所述充电周期计数值清零,重新进行充电周期计数。
另一方面,提供了一种自举电容充电装置,所述装置应用于升降压电路,所述装置包括:
获取单元,用于基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
计算单元,用于基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
切换单元,用于基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
再一方面,提供了一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤:
步骤A:基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
步骤B:基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
步骤C:基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
又一方面,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤:
步骤A:基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
步骤B:基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
步骤C:基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
上述自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质,基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。解决了升降压电路在实际应用过程中出现的由于自举电容电量过低而导致的整个电路无法正常工作的技术问题,通过间歇性插入自举充电周期,实现升降压电路降压模式和升压模式的周期性切换,从而保证了在不影响升降压电路工作效率的前提下,实现自举电容的充电,保证升降压电路的正常作业。
附图说明
图1为四开关buck-boost变换器电路的拓扑结构图;
图2为一个实施例中自举电容充电方法的流程示意图;
图3为一个实施例中自举电容充电方法的流程示意图;
图4为一个实施例中自举电容充电装置的结构框图;
图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
本申请提供的自举电容充电方法,如图2所示,所述方法应用于如图1所示的四开关升降压电路,所述方法包括以下步骤:
基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
上述自举电容充电方法中,所述方法通过计算得到的自举电容的充电周期值,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。解决了升降压电路在实际应用过程中出现的由于自举电容电量过低而导致的整个电路无法正常工作的技术问题,通过间歇性插入自举充电周期,实现升降压电路降压模式和升压模式的周期性切换,从而保证了在不影响升降压电路工作效率的前提下,实现自举电容的充电,保证升降压电路的正常作业。
具体地,在电子学领域,米勒效应是指在反相放大电路中,输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用,其等效到输入端的电容值会扩大k+1倍,其中k是该级方法电路电压放大倍数。在场效晶体管中由于电容引起的输出变化的情况,即为米勒平台。
在一个实施例中,基于下式,获取所述自举电容的充电周期:
ΔQ=C×ΔU=C×(5-Vplanteau)
其中,N表示自举电容的充电周期数;C表示自举电容的电容值,Vplanteau表示米勒平台电压值;Qg表示导通场效晶体管所需的电量值,ΔQ表示所述自举电容可用于驱动所述场效晶体管的电量,ΔU表示自举电容的电压变化量。
在一个实施例中,如图3所示,基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换,包括:当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式。
具体地,基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换可以使基于定时器上溢中断函数实现的。即设置一数字控制器,数字控制器对PWM开关(英文全称:Pulse width modulation;中文名称:脉冲带宽调制开关)周期进行计数,获取充电周期计数值,将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式。其中,脉冲带宽调制是一种模拟控制方式,其根据相应载荷的变化来调制场效晶体管基极的偏置,来实现场效晶体管导通时间的改变。
在一个实施例中,若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
在一个实施例中,将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式,包括:判断所述升降压电路的当前模式;若所述升降压电路的当前模式为降压模式,则插入预设占空比的升压模式,以将所述降压模式切换至升压模式;若所述升降压电路的当前模式为升压模式,则插入预设占空比的降压模式,以将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,所述方法还包括:生成所述预设占空比;所述生成预设占空比,包括:获取导通所述场效晶体管时,导通信号的延时时间和上升时间;获取关断所述场效晶体管时,关断信号的延时时间和下降时间;获取所述导通信号的延时时间和上升时间,及,关断信号的延时时间和下降时间的时间总值;基于所述时间总值,生成所述预设占空比,所述预设占空比大于所述时间总值,所述预设占空比与所述时间总值的差值的绝对值不超过预设阈值。
在一个实施例中,所述方法还包括:当所述降压模式切换至升压模式,或,所述升压模式切换至降压模式后,将所述充电周期计数值清零,重新进行充电周期计数。
应该理解的是,虽然图2-3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图2-3中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中,如图4所示,提供了一种自举电容充电装置,包括:获取单元、计算单元和切换单元,其中:
获取单元,用于基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
计算单元,用于基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
切换单元,用于基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
在一个实施例中,所述计算单元,还用于基于下式,获取所述自举电容的充电周期:
ΔQ=C×ΔU=C×(5-Vplanteau)
其中,N表示自举电容的充电周期数;C表示自举电容的电容值,Vplanteau表示米勒平台电压值;Qg表示导通场效晶体管所需的电量值,ΔQ表示所述自举电容可用于驱动所述场效晶体管的电量,ΔU表示自举电容的电压变化量。
在一个实施例中,所述切换单元,还用于基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换,包括:当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,所述装置还包括:监测单元,用于监测所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
在一个实施例中,所述切换单元,还用于将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式,包括:判断所述升降压电路的当前模式;若所述升降压电路的当前模式为降压模式,则插入预设占空比的升压模式,以将所述降压模式切换至升压模式;若所述升降压电路的当前模式为升压模式,则插入预设占空比的降压模式,以将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,所述计算单元,还用于获取导通所述场效晶体管时,导通信号的延时时间和上升时间;获取关断所述场效晶体管时,关断信号的延时时间和下降时间;获取所述导通信号的延时时间和上升时间,及,关断信号的延时时间和下降时间的时间总值;基于所述时间总值,生成所述预设占空比,所述预设占空比大于所述时间总值,所述预设占空比与所述时间总值的差值的绝对值不超过预设阈值。
在一个实施例中,所述计算单元,还用于当所述降压模式切换至升压模式,或,所述升压模式切换至降压模式后,将所述充电周期计数值清零,重新进行充电周期计数。
关于自举电容充电装置的具体限定可以参见上文中对于自举电容充电方法的限定,在此不再赘述。上述自举电容充电装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中,也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中,以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,该计算机设备可以是终端,其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中,该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种自举电容充电方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏,该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层,也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板,还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解,图5中示出的结构,仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图,并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定,具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器执行计算机程序时实现以下步骤:
步骤A:基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
步骤B:基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
步骤C:基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
在一个实施例中,处理器执行计算机程序时还实现以下步骤:
基于下式,获取所述自举电容的充电周期:
ΔQ=C×ΔU=C×(5-Vplanteau)
其中,N表示自举电容的充电周期数;C表示自举电容的电容值,Vplanteau表示米勒平台电压值;Qg表示导通场效晶体管所需的电量值,ΔQ表示所述自举电容可用于驱动所述场效晶体管的电量,ΔU表示自举电容的电压变化量。
在一个实施例中,处理器执行计算机程序时还实现以下步骤:
基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换,包括:当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,处理器执行计算机程序时还实现以下步骤:
若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
在一个实施例中,处理器执行计算机程序时还实现以下步骤:
判断所述升降压电路的当前模式;若所述升降压电路的当前模式为降压模式,则插入预设占空比的升压模式,以将所述降压模式切换至升压模式;若所述升降压电路的当前模式为升压模式,则插入预设占空比的降压模式,以将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,处理器执行计算机程序时还实现以下步骤:
生成所述预设占空比;所述生成预设占空比,包括:获取导通所述场效晶体管时,导通信号的延时时间和上升时间;获取关断所述场效晶体管时,关断信号的延时时间和下降时间;获取所述导通信号的延时时间和上升时间,及,关断信号的延时时间和下降时间的时间总值;基于所述时间总值,生成所述预设占空比,所述预设占空比大于所述时间总值,所述预设占空比与所述时间总值的差值的绝对值不超过预设阈值。
在一个实施例中,处理器执行计算机程序时还实现以下步骤:
当所述降压模式切换至升压模式,或,所述升压模式切换至降压模式后,将所述充电周期计数值清零,重新进行充电周期计数。
在一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现以下步骤:
步骤A:基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
步骤B:基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
步骤C:基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤:
基于下式,获取所述自举电容的充电周期:
ΔQ=C×ΔU=C×(5-Vplanteau)
其中,N表示自举电容的充电周期数;C表示自举电容的电容值,Vplanteau表示米勒平台电压值;Qg表示导通场效晶体管所需的电量值,ΔQ表示所述自举电容可用于驱动所述场效晶体管的电量,ΔU表示自举电容的电压变化量。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤:
当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤:
若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤:
判断所述升降压电路的当前模式;若所述升降压电路的当前模式为降压模式,则插入预设占空比的升压模式,以将所述降压模式切换至升压模式;若所述升降压电路的当前模式为升压模式,则插入预设占空比的降压模式,以将所述升压模式切换至降压模式。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤:
生成所述预设占空比;其中,所述生成预设占空比,包括:获取导通所述场效晶体管时,导通信号的延时时间和上升时间;获取关断所述场效晶体管时,关断信号的延时时间和下降时间;获取所述导通信号的延时时间和上升时间,及,关断信号的延时时间和下降时间的时间总值;基于所述时间总值,生成所述预设占空比,所述预设占空比大于所述时间总值,所述预设占空比与所述时间总值的差值的绝对值不超过预设阈值。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤:
当所述降压模式切换至升压模式,或,所述升压模式切换至降压模式后,将所述充电周期计数值清零,重新进行充电周期计数。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM以多种形式可得,诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种自举电容充电方法,其特征在于,所述方法应用于升降压电路,所述方法包括:
基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电;
其中,基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换,包括:
当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;
将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;
若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式;
其中,若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;
若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;
若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
2.根据权利要求1所述的自举电容充电方法,其特征在于,基于下式,获取所述自举电容的充电周期:
;
其中,N表示自举电容的充电周期数;C表示自举电容的电容值,V planteau 表示米勒平台电压值;Q g 表示导通场效晶体管所需的电量值,表示所述自举电容可用于驱动所述场效晶体管的电量,/>表示自举电容的电压变化量。
3.根据权利要求1所述的自举电容充电方法,其特征在于,将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式,包括:
判断所述升降压电路的当前模式;
若所述升降压电路的当前模式为降压模式,则插入预设占空比的升压模式,以将所述降压模式切换至升压模式;
若所述升降压电路的当前模式为升压模式,则插入预设占空比的降压模式,以将所述升压模式切换至降压模式。
4.根据权利要求3所述的自举电容充电方法,其特征在于,所述方法还包括:生成预设占空比;
所述生成预设占空比,包括:
获取导通所述场效晶体管时,导通信号的延时时间和上升时间;
获取关断所述场效晶体管时,关断信号的延时时间和下降时间;
获取所述导通信号的延时时间和上升时间,及,关断信号的延时时间和下降时间的时间总值;
基于所述时间总值,生成所述预设占空比,所述预设占空比大于所述时间总值,所述预设占空比与所述时间总值的差值的绝对值不超过预设阈值。
5.根据权利要求1~4任一项所述的自举电容充电方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述降压模式切换至升压模式,或,所述升压模式切换至降压模式后,将所述充电周期计数值清零,重新进行充电周期计数。
6.一种自举电容充电装置,其特征在于,所述装置应用于升降压电路,所述装置包括:
获取单元,用于基于所述升降压电路,获取导通场效晶体管所需的电量值、自举电容的电容值及米勒平台电压值;
计算单元,用于基于所述自举电容的电容值、所述场效晶体管所需的电量值、及所述米勒平台电压值,获取所述自举电容的充电周期;
切换单元,用于基于所述自举电容的充电周期,对所述升降压电路进行降压模式与升压模式的周期性切换,以实现自举电容充电;
所述切换单元用于基于所述自举电容的充电周期,将所述降压模式与所述升压模式进行周期性切换,包括:当所述升降压电路开启所述降压模式或所述升压模式时,启动充电周期计数,获取充电周期计数值;将所述充电周期计数值与所述充电周期数进行对比,判断所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数相等,则将所述降压模式切换至升压模式,或,将所述升压模式切换至降压模式;
所述装置还包括:监测单元,用于监测所述充电周期计数值与所述充电周期数是否相等;若所述充电周期计数值与所述充电周期数不相等,则基于所述充电周期计数值与所述充电周期数进行比较;若所述充电周期计数值小于所述充电周期数,则基于当前所述充电周期计数值继续进行充电周期计数;若所述充电周期计数值大于所述充电周期数,则发出告警。
7.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至5中任一项所述方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述方法的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210910614.8A CN115296384B (zh) | 2022-07-29 | 2022-07-29 | 自举电容充电方法、装置、计算机设备和存储介质 |
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CN115296384A CN115296384A (zh) | 2022-11-04 |
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Family
ID=83825618
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN115296384B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117155126B (zh) * | 2023-03-14 | 2024-06-25 | 荣耀终端有限公司 | 终端设备及控制方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108616210A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-10-02 | 成都芯源系统有限公司 | 开关变换器的驱动电路、控制电路及自举电压刷新方法 |
CN110994995A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 深圳芯智汇科技有限公司 | 一种适于四开关升降压变换器的自举驱动电路 |
CN113572352A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-29 | 昂宝电子(上海)有限公司 | 用于升降压变换器的电荷共享自举充电控制系统 |
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