CN115283692A - 一种全等轴晶构件及激光增材制造全等轴晶构件的方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种激光增材制造全等轴晶构件的方法，涉及增材制造领域，包括将基板置于工作台；采用中空锥形激光光束扫描照射基板，并通过中空锥形激光光束的内部向基板同轴输送增材粉末；增材粉末在环形光斑照射下形成的熔池内发生同步熔化并随着环形光斑的离开而凝固，在基板的表面熔覆沉积熔覆层，得到内部具有全等轴晶组织的构件；环形光斑的占空比在0.3～0.9之间。该方法通过调控激光光斑中空的环形光斑，占空比在0.3～0.9，并通过激光光束和增材粉末真正同轴的方式，实现激光增材制造沉积件全等轴晶粒的制备，工艺参数窗口较宽，等轴晶粒尺寸分布均匀，解决传统激光增材制造无法获得全等轴晶组织或需要复杂成形工艺组合的难题。

Description

一种全等轴晶构件及激光增材制造全等轴晶构件的方法

技术领域

本申请涉及增材制造领域，特别是涉及一种全等轴晶构件及激光增材制造全等轴晶构件的方法。

背景技术

增材制造又称3D打印，是一种具有典型数字化特征的从数字化模型到实体的无模具快速近净成形先进制造技术。这项制造技术为具有复杂几何特征的、具有高性能需求有的零部件创新设计、组合制造、修复再制造等领域提供了重要的支撑，尤其适用于小批量定制化生产。激光增材制造技术是目前众多增材制造技术中研究和应用较多的一种工艺手段，在航空航天、模具制造修复中应用较为广泛的一种金属增材制造技术。

通过金属增材制造的宏观晶粒形貌主要为沿沉积方向呈外延生长的柱状晶粒，使得构件表现出明显的力学性能各向异性。晶粒形态等轴化是抑制力学性能各向异性特征的重要手段。目前，在激光增材制造技术中，一般利用实心激光光束在基板上熔覆沉积多个单道单层熔覆层，每一道熔覆层沉积过程中采用不同的沉积参数，然后根据每个熔覆层的熔深等轴晶的高度选出两组沉积参数，利用该两组不同沉积参数交替沉积，使得实心激光光束形成的熔池内的等轴晶粒被部分保留而不被重熔，或者在实心激光沉积过程中通过添加异质形核剂从而得到等轴晶粒的组织。但是，由于在增材制造过程中需要交替使用不同的增材制造参数，导致增材制造过程相对复杂，工艺稳定性差，成形件内部质量不可控，形成的等轴晶粒的尺寸并不均匀，参数改变时等轴晶粒尺寸发生变化，并且对于不同材料交互参数难以确定。此外，外加形核剂会改变原始材料成分，对使用性能的可靠性影响是未知的。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种全等轴晶构件及激光增材制造全等轴晶构件的方法，以简化等轴化材料的增材制造工艺，并解决现有技术难以获得全等轴晶的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请提供一种激光增材制造全等轴晶构件的方法，包括：

将基板置于工作台；

采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板，并通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末；

所述增材粉末在环形光斑照射下形成的熔池内发生同步熔化并随着所述环形光斑的离开而凝固，在所述基板的表面熔覆沉积熔覆层，得到内部具有全等轴晶组织的构件；所述环形光斑的占空比在0.3～0.9 之间。

可选的，所述通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末之前，还包括：

烘干所述增材粉末。

可选的，所述基板为具有等轴晶组织的基板。

可选的，所述将基板置于工作台之前，还包括：

清洁所述基板，以去除所述基板表面的杂质。

可选的，当所述基板的材料为易氧化材质时，所述工作台置于充有惰性气体的箱体内。

可选的，所述箱体内氧气的含量小于1000ppm。

可选的，当所述基板的材料为易开裂材料时，所述采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板之前，还包括：

预热所述基板。

本申请还提供一种全等轴晶构件，所述全等轴晶构件采用上述任一种所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法制得。

本申请所提供的一种激光增材制造全等轴晶构件的方法，包括：将基板置于工作台；采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板，并通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末；所述增材粉末在环形光斑照射下形成的熔池内发生同步熔化并随着所述环形光斑的离开而凝固，在所述基板的表面熔覆沉积熔覆层，得到内部具有全等轴晶组织的构件；所述环形光斑的占空比在0.3～0.9之间。

可见，本申请中方法在将基板置于工作台后，利用中空锥形激光光束扫描照射基板，在基板表面形成环形光斑，环形光斑的占空比在 0.3～0.9之间，激光能量聚集在环形光斑的环形区域内，环形光斑内部的中空区域没有能量输入，当环形光斑在照射区域形成熔池后，由于热传导作用，中空区域也随即发生熔化，整个熔池内温度分布趋于均匀，增材粉末通过与中空锥形激光光束同轴的方式输送至基板并在熔池内熔化，当中空锥形激光光束离开后熔化的增材粉末发生快速凝固，形成具有全等轴晶组织的熔覆层，从而得到具有全等轴晶组织的构件，实现了激光增材制造全等轴晶粒的制备，并且得到的等轴晶粒尺寸分布均匀，无需额外形核剂或者成形过程中频繁调控参数，制造工艺简单，工艺参数窗口较宽，成形过程稳定。

此外，本申请还提供一种全等轴晶构件。

附图说明

为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中利用激光增材制造技术制造等轴晶组织材料的过程示意图；

图2为本申请实施例所提供的一种激光增材制造全等轴晶构件的方法的流程图；

图3(a)为本申请实施例利用激光增材制造技术制造等轴晶组织材料的过程示意图；

图3(b)为本申请实施例中空锥形激光光束在基板上形成的环形光斑的俯视图；

图4为本申请中空锥形激光光束的截面示意图；

图5为本申请由熔覆层制作的金相试样和显微组织观察面的示意图；

图6(a)为现有技术中实心光斑激光沉积得到的试样纵截面(X0Z 面)显微组织形貌的扫描图；

图6(b)为本申请激光增材制造全等轴晶构件的方法沉积得到的单壁墙试样纵截面(X0Z面)显微组织形貌的扫描图；

图6(c)为传统实心光斑激光沉积得到的三维组织特征示意图

图6(d)为本申请激光增材制造方法制得的三维组织的特征示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

等轴晶：晶粒在各方向尺寸相差较小的晶粒叫等轴晶，其性能也近乎各向同性。

目前利用激光增材制造技术制造等轴晶组织材料的过程示意图如图1所示，使用的激光光束为实心激光光束1，增材粉末2的通道位于实心激光光束1的周围，向基板3上表面输送增材粉末2，增材粉末2在实心激光光束1的作用下在基板3上表面形成熔池5，进而在基板3上沉积形成熔覆层4。正如背景技术部分所述，在制造过程中需要在基板3上熔覆沉积多个单道单层熔覆层4，每一道熔覆层4 沉积过程中采用不同的沉积参数，选出两组不同沉积参数交替沉积得到等轴晶粒的材料。由于需要交替使用不同的增材制造参数，导致增材制造过程相对复杂，并且对于不同材料交互参数难以确定。

鉴于此，本申请提供了一种激光增材制造全等轴晶构件的方法，请参考图2，包括：

步骤S101：将基板置于工作台。

需要说明的是，本申请中对基板不做限定，根据需要制造的构件的材料而定。基板可以为TC4钛合金基板、GH4169高温合金基板、 TC21钛合金基板、Ti60合金基板等其他金属材料的基板。

还需要说明的是，本申请对基板内部的晶体组织类型不做限定可自行选择。例如，所述基板为具有等轴晶组织的基板，或者为不具有等轴晶组织的基板。优选地，基板为具有等轴晶组织的基板，此时可以降低形成具有等轴晶组织的熔覆层的难度，即降低形成具有全等轴晶组织的构件的难度。

当基板不易氧化的基板时，例如316L不锈钢基板、304不锈钢基板等，直接将基板置于工作台上，在空气环境下即可沉积熔覆层。当所述基板的材料为易氧化材质时，例如钛合金、铝合金等，所述工作台置于充有惰性气体的箱体内，以避免在制造过程中基板和增材粉末发生氧化。惰性气体包括但不限于氩气、氦气。向箱体内充入惰性气体目的是驱赶箱体内的氧气，优选地，所述箱体内氧气的含量小于 1000ppm，以避免在沉积熔覆层时氧气对熔覆层的不利影响，提升熔覆层的质量。

步骤S102：采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板，并通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末；所述增材粉末在环形光斑照射下形成的熔池内发生同步熔化并随着所述环形光斑的离开而凝固，在所述基板的表面熔覆沉积熔覆层，得到内部具有全等轴晶组织的构件；所述环形光斑的占空比在0.3～0.9之间。

增材粉末根据需要的构件材料种类进行选择，本申请中不做限定，增材粉末与基板的材料相同，例如，可以为TC4钛合金、GH4169 高温合金、TC21钛合金、Ti60合金或者其他材料。

需要强调的是，本申请中得到的构件的组织为全等轴晶组织，等轴晶粒尺寸分布比较均匀。尤其适用于传统激光增材制造晶粒形态等轴化困难的TC4钛合金和GH4169高温合金。

本申请中制造等轴化构件的示意图如图3(a)所示，入射光束经过反射锥镜7进行分光，继而通过环形抛物境反射形成中空锥形激光光束。增材粉末2的输送管道位于中空锥形激光光束6的中间，增材粉末2与中空锥形激光光束6同轴，中空锥形激光光束6在基板3上表面形成的光斑为中空的环形光斑。增材粉末2在环形光斑照射下形成的熔池5内发生同步熔化并随着环形光斑的离开而凝固，形成熔覆层4，图中熔覆层4在基板3上表面的形成方向为由左至右，也即中空锥形激光光束6的光头移动方向和输送管道的移动方向为由左至右；中空的环形光斑的占空比为中空锥形激光光束6在加工平面上内环的直径D1与外环的直径D2的比值，如图3(b)所示。

占空比在0.3～0.9之间，占空比的具体数值可以自行设置，例如，占空比可以为0.3、0.35、0.4、0.5、0.58、0.7、0.8、0.85、0.9等等。

中空锥形激光光束的截面示意图如图4所示，虚线A表示结束实心光斑所在的界限，虚线C表示初始实心光斑所在的界限，虚线B表示最小实心光斑所在的界限，在虚线A和虚线C之间的光斑均为实心光斑，不存在空隙。在增材制造过程中使用的光为虚线A以上的光和虚线C以下的光，优选使用虚线A以上的光。

熔覆层的沉积参数包括但不限于激光功率、扫描速度、抬升量(扫描厚度)、送粉量，本申请中对沉积参数不做具体限定，激光功率可以在2000W～6000W，例如，2000W、2500W、3000W、3500W、4000W、 5000W、5500W、6000W等；扫描速度可以在5mm/s～15mm/s之间，例如，5mm/s、8mm/s、10mm/s、13mm/s、15mm/s等；单层抬升量可以在0.3mm～1mm，例如，0.3mm、0.6mm、0.8mm、0.9mm、1mm 等。

需要说明的是，本申请中对熔覆层的层数不做限定，请视情况而定。例如，熔覆层的层数可以为1层，2层，…，等等。需要指出的是，当沉积完成后需要对材料进行冷却，待冷却到100℃以下后拿下基板。

本申请中方法在将基板置于工作台后，利用中空锥形激光光束扫描照射基板，在基板表面形成环形光斑，环形光斑的占空比在0.3～0.9 之间，激光能量聚集在环形光斑的环形区域内，环形光斑内部的中空区域没有能量输入，当环形光斑在照射区域形成熔池后，由于热传导作用，中空区域也随即发生熔化，整个熔池内温度分布趋于均匀，增材粉末通过与中空锥形激光光束同轴的方式输送至基板并在熔池内熔化，当中空锥形激光光束离开后熔化的增材粉末发生快速凝固，形成具有全等轴晶组织的熔覆层，从而得到具有全等轴晶组织的构件，实现了激光增材制造全等轴晶粒的制备，并且得到的等轴晶粒尺寸分布均匀，无需额外形核剂或者成形过程中频繁调控参数，制造工艺简单，工艺参数窗口较宽，成形过程稳定。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末之前，还包括：

烘干所述增材粉末。

可以将增材粉末置于干燥箱中进行烘干，以去除增材粉末中的水分，避免水分在沉积过程对熔覆层造成不良影响，提升熔覆层的质量。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述将基板置于工作台之前，还包括：

清洁所述基板，以去除所述基板表面的杂质，进而增强熔覆层与基板之间的结合牢固性，同时避免杂质污染构件组成成分。

本申请中对清洁方式不做限定，视情况而定。例如，可以使用酒精、丙酮等溶液进行清洁，或者使用超声波清洁方式等等。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，当所述基板的材料为易开裂材料时，例如Inconel 625，Inconel 738LC高温合金等，所述采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板之前，还包括：

预热所述基板，以降低构件发生开裂的情况，提升构件的良率。

下面以TC4钛合金这种难以在成形构件中获得等轴晶粒的合金为例，对本申请中激光增材制造全等轴晶构件的方法进行阐述。

步骤1、准备激光内送粉增材制造所用TC4钛合金基板，将基板表面用丙酮清洗并喷砂处理，然后将基板连惰性气氛保护箱一同放入加工台上；

步骤2、向保护箱中充入惰性气体氩气，直到氧含量降低到 1000ppm以下；

步骤3、准备激光内送粉增材制造所用增材粉末即TC4钛合金粉末，并在干燥箱中烘干以去除其中的水分，将处理好的TC4钛合金粉末放入送粉器中；

步骤4、设置好送粉器的送粉量和送粉气流(送粉量设置为 5.7g/min，送粉气流为25L/min)以及激光功率、扫描速度、占空比等沉积参数，并通过调整熔覆喷头离焦量依次在TC4钛合金基板不同位置进行单道单层试样的成形实验，在激光光束沉积前和过程中在惰性气氛箱内不断充入氩气，具体激光工艺参数如下表1所示；

步骤5、成形完成后，获取单道单层试样横截面的显微组织金相试样；

步骤6、根据表1选择的不同占空比，使用沉积参数沉积30层，依次循环的方式进行单道多层试样的成形；

步骤7、成形完成后，在惰性气氛保护箱中将试样冷却至100℃以下，将其取出，制作金相试样，得到内部具有等轴晶显微组织形貌的TC4钛合金零件。制作金相试样并观察熔覆层纵截面的显微组织，得到的金相试样和观察面(熔覆层纵截面)41如图5所示。

表1

传统实心光斑激光沉积得到的熔覆层侧表面显微组织形貌和表1中第3组试样的显微组织形貌的对比图如图6(a)和图6(b)所示，沉积方向相同，其中，图6(a)为传统实心光斑激光沉积得到的试样纵截面显微组织形貌图，由图6(a)可知，熔覆层纵截面主要分布为柱状晶组织；图6(b)为本申请激光增材制造全等轴晶构件的方法沉积得到的试样纵截面显微组织形貌图，由图6(b)可知，熔覆层宏观晶粒形貌为全等轴晶组织。传统实心光斑激光沉积得到的三维组织特征和本申请制得的三维组织的特征对比图如图6(c)和图6(d)所示，图6(c)为传统实心光斑激光沉积得到的三维组织特征示意图，由图6(c)可知，三维组织内部主要呈柱状形态，图6(d)为本申请制得的三维组织的特征示意图，由图6(d)可知，本申请中得到的三维组织内部为比较均匀的等轴晶粒。

本申请还提供一种全等轴晶构件，所述全等轴晶构件采用上述任一实施例所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法制得。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

以上对本申请所提供的全等轴晶构件及激光增材制造全等轴晶构件的方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，包括：

将基板置于工作台；

采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板，并通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末；

所述增材粉末在环形光斑照射下形成的熔池内发生同步熔化并随着所述环形光斑的离开而凝固，在所述基板的表面熔覆沉积熔覆层，得到内部具有全等轴晶组织的构件；所述环形光斑的占空比在0.3～0.9之间。

2.如权利要求1所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，所述通过所述中空锥形激光光束的内部向所述基板同轴输送增材粉末之前，还包括：

烘干所述增材粉末。

3.如权利要求1所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，所述基板为具有等轴晶组织的基板。

4.如权利要求1所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，所述将基板置于工作台之前，还包括：

清洁所述基板，以去除所述基板表面的杂质。

5.如权利要求1所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，当所述基板的材料为易氧化材质时，所述工作台置于充有惰性气体的箱体内。

6.如权利要求5所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，所述箱体内氧气的含量小于1000ppm。

7.如权利要求1至6任一项所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法，其特征在于，当所述基板的材料为易开裂材料时，所述采用中空锥形激光光束扫描照射所述基板之前，还包括：

预热所述基板。

8.一种全等轴晶构件，其特征在于，所述全等轴晶构件采用如权利要求1至7任一项所述的激光增材制造全等轴晶构件的方法制得。

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