CN115276630A - 一种延时时间可调的上下电次序控制装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种延时时间可调的上下电次序控制装置，包括一级或多级串联的延时单元以及与延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启，延时单元包括RC延时电路和放电控制电路。其中放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，PNP三极管Q1的发射极与RC延时电路连接，PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC，电阻R3的另一端接GND。本发明具备下电快速复位功能，同时具有可调节下电时延的特性。

Description

一种延时时间可调的上下电次序控制装置

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种延时时间可调的上下电次序控制装置。

背景技术

如今系统的组成越来越复杂，有时需要将不同学科领域不同特性的部件组合在一起才能实现特定功能，各部件之间协同关系也变的越发严密，时常会出现一些兼容性问题，这就需要采取必要措施弥补兼容性方面的不足，以防止设备出现故障而造成损失。在一些电子系统当中，通过控制不同部件上电先后顺序能够有效防止部件损坏，如在以光纤传感技术为基础的入侵检测设备当中，上电初始因部分控制模块或芯片自身特性使激光通路持续数百毫秒开启，出现连续激光打坏后端光电设备造成损失的情况。

现有技术中控制上下电先后顺序已有多种不同的技术方案，如采用分立元件利用电容积分与微分特性实现延时开启或关闭，或者使用专用ASIC芯片实现上下电控制，不同的技术方案各有优缺点和局限性。但是目前已有的技术方案在实现上电延时时，随着延时时间加长，电容容值增大，在下电时负载减小，电容储能难以快速泄放导致下电延缓，难以实现快速复位与重启。

发明内容

本发明的目的在于提供一种延时时间可调的上下电次序控制装置，具备下电快速复位功能，同时具有可调节下电时延的特性。

为实现上述目的，本发明所采取的技术方案为：

一种延时时间可调的上下电次序控制装置，所述延时时间可调的上下电次序控制装置包括一级或多级串联的延时单元以及与所述延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启，所述延时单元包括RC延时电路和放电控制电路，其中：

所述放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述PNP三极管Q1的发射极与所述RC延时电路连接，所述PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，所述PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC，电阻R3的另一端接GND。

以下还提供了若干可选方式，但并不作为对上述总体方案的额外限定，仅仅是进一步的增补或优选，在没有技术或逻辑矛盾的前提下，各可选方式可单独针对上述总体方案进行组合，还可以是多个可选方式之间进行组合。

作为优选，所述开关控制单元连接在任意一级延时单元后，所述开关控制单元与延时单元采用不同供电。

作为优选，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1和逻辑门AND-1；

所述逻辑门AND-1为与门，所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与逻辑门AND-1的输入端连接，所述逻辑门AND-1的输出端作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。

作为优选，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1、电容C2、电阻R6、电阻R7、MOS管MOS1和MOS管MOS2；

所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与MOS2的栅极连接，MOS2的源极接GND，MOS2的漏极通过电阻R7连接至MOS1的栅极，电容C2与电阻R6并联且并联后一端接VCC、另一端接MOS1的栅极，MOS1的源极接VCC，MOS1的漏极输出作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。

作为优选，所述RC延时电路的延时时间计算如下：

式中，t为RC延时电路的延时时间，Ω4为可调电阻R4的阻值，F1为电容C1的容值，Ω5为可调电阻R5的阻值。

作为优选，所述开关控制单元包括继电器Relay1，所述继电器Relay1在RC延时电路输出高电平时触点闭合，施加在继电器Relay1触点上的供电电压输出至受电设备；所述继电器Relay1在RC延时电路输出低电平时触点断开，施加在继电器Relay1触点上的供电电压停止为受电设备供电。

作为优选，所述开关控制单元包括继电器Relay1、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10和二极管D1；

电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与继电器Relay1的线圈一端连接，继电器Relay1的线圈的另一端接VCC，二极管D1的负极接VCC，二极管D1的正极与继电器Relay1的线圈连接电阻R10的一端连接，继电器Relay1的两个触点中一者施加供电电压、另一者连接至受电设备。

作为优选，所述开关控制单元包括MOS管MOS4，所述MOS4在RC延时电路输出高电平时导通，施加在MOS4上的供电电压输出至受电设备；所述MOS4在RC延时电路输出低电平时断开，施加在MOS4上的供电电压停止为受电设备供电。

作为优选，所述开关控制单元包括MOS管MOS4、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10、电容C4和电阻R11；

电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与MOS4的栅极连接，MOS4的源极上施加供电电压，MOS4的漏极连接至受电设备，电容C4与电阻R11并联且并联后一端连接MOS4的栅极、另一端连接MOS4的源极。

本发明提供的延时时间可调的上下电次序控制装置，在上电初始，通过对特定部件延缓上电来切断激光通路，使其他相关部件有足够的时间完成初始化达到可控的运行状态，从而实现保护后级部件的目的，并能在设备断电后，自身会快速恢复到初始化状态，使系统再次上电时仍然能都有效保护设备组成部件。本发明具备下电快速复位功能，同时具有可配置下电时延的特性，很好的解决了现有技术方案存在的问题。与专用ASIC芯片相比，本发明具有更宽的工作电压和延时调整范围。

附图说明

图1为本发明的延时时间可调的上下电次序控制装置的结构示意图；

图2为本发明的延时时间可调的上下电次序控制装置的一个实施例中的电路结构示意图；

图3为本发明的延时时间可调的上下电次序控制装置的另一个实施例中的电路结构示意图；

图4为本发明的多级延时单元和多级开关控制单元的结构示意图；

图5为本发明的延时时间可调的上下电次序控制装置的模块化结构示意图；

图6为本发明的延时时间可调的上下电次序控制装置的一种实际应用示意图；

图7为本发明图6中上下电次序控制装置中的功能模块示意图；

图8为本发明图7中控制装置的状态示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，当组件被称为与另一个组件“连接”时，它可以直接与另一个组件连接或者也可以存在居中的组件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本发明。

为了克服现有技术中上下电次序控制存在延时范围可调性不强、延时越长断电恢复时间越长、断电恢复时间难以调整等问题，本实施例提供一种延时时间可调的上下电次序控制装置。

本实施例的装置在上电初始，通过将后级通路开启电源上电延缓足够长的时间以使系统部分部件有足够的时间完成初始化从而为达到可控的运行状态，达到保护后级部件的目的。并能在设备断电后，自身会快速恢复到初始化状态，从而使得再次上电时持续保护设备组成部件。同时在需要控制部件掉电顺序时，通过参数调整，可以方便实现各路掉电顺序设置及控制。

本实施例装置可扩展性强，可以方便实现时延时间长短调整，以及多路输入延时扩展，并且便于形成通用的固化模块供用户选择以及根据需要组合使用。

具体的，本实施例的延时时间可调的上下电次序控制装置，包括一级或多级串联的延时单元以及与延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启。

如图1所示，为了便于描述，在一个实施例中以一级延时单元为例进行说明，该延时单元后连接开关控制单元形成上下电次序控制装置。

本实施例的延时单元包括RC延时电路和放电控制电路，其中放电控制电路用于在电源关断时，调整延时单元自身的恢复时间快慢。

如图2所示，在一个实施例中延时单元的电路结构如下，图中符号R代表电阻，符号C代表电容，符号AND代表逻辑门与门，Q代表三极管，MOS代表场效应管，符号P为节点标志。

放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述PNP三极管Q1的发射极与所述RC延时电路连接，所述PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，所述PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC(即图中的VCC1)，电阻R3的另一端接GND。

RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1和逻辑门AND-1；逻辑门AND-1为与门，所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与逻辑门AND-1的输入端连接，所述逻辑门AND-1的输出端作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。

本实施例中电阻R1、R4、R5为可调电阻，作用如下说明：

R4、R5：本实施例中电阻R4和R5构成幅度调整，用于设置不同的可输入电压。调整电阻R4大小，可改变延迟时间长短。在电阻R4确定的条件下，调整R5阻值大小，改变输入电压允许范围大小。

R1：调整电阻R1阻值大小，改变电容C1泄放时间长短。

逻辑门AND-1：逻辑门AND-1作为判决整形，根据RC电路输出电压确定输出高电平还是低电平。

延时单元中RC延时电路的延时时间计算如下：

式中，t为RC延时电路的延时时间，Ω4为可调电阻R4的阻值，F1为电容C1的容值，Ω5为可调电阻R5的阻值。

本实施例中开关控制单元包括继电器Relay1，继电器Relay1在RC延时电路输出高电平时触点闭合，施加在继电器Relay1触点上的供电电压(即图中的VCC2)输出至受电设备；所述继电器Relay1在RC延时电路输出低电平时触点断开，施加在继电器Relay1触点上的供电电压停止为受电设备供电。

具体的，如图所示，开关控制单元包括继电器Relay1、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10和二极管D1。

其中电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与继电器Relay1的线圈一端连接，继电器Relay1的线圈的另一端接VCC，二极管D1的负极接VCC，二极管D1的正极与继电器Relay1的线圈连接电阻R10的一端连接，继电器Relay1的两个触点中一者施加供电电压、另一者连接至受电设备。

基于图2所示电路结构，本实施例上下电次序控制装置的一种工作流程如下：

其中电阻R4、电阻R5，电容C1，逻辑门AND-1构成一级延时电路。电阻R5与电阻R4构成分压电路，电阻R5作为输入电压范围调节的设置参数。电阻R4、电阻R5、电容C1、逻辑门AND-1共同决定延时时长，其中电阻R4值大小影响电容C1充电的快慢，进而影响该级延时时长，电阻R4、R5分压决定电容C1充电所能达到的最高电压值，电容C1的实时端电压接入与门AND-1的输入端连接。上电之初电源VCC1通过电阻R4开始对电容C1充电，当电容C1两端电压达到与门AND-1的高电平判决门限时，其输出翻转为高电平，此时通过分压电阻R8、R9驱动MOS管MOS3导通使继电器Relay1闭合，VCC2通过继电器输出到VCC2_OUT为后端受电设备提供电源。

放电控制电路中Q1为PNP三极管，与电阻R1、R2、R3构成下电时电容C1储能的放电控制电路。电源VCC1接入时，通过电阻R2、R3设定电容Q1的基极电压，使其不小于三极管Q1的射极电压(即电容C1的端电压，图2所示P3、P4节点对GND电压)，此条件下三极管Q1处于截止状态。VCC1通过电阻R4持续为电容C1充电。当VCC1下电或者断开，此时电容C1端电压即为三极管Q1射极电压，电阻R4、R2、R3组成分压网络，调节设定处于储能状态的电容C1端电压分配到三极管Q1基极的电压，使其小于三极管Q1射极电压，使得基极与射极两端压差超过三极管Q1开启电压门限，并小于三极管Q1基极与射极PN节最大耐压，三极管Q1处于导通状态，电容C1通过电阻R1泄放其储能，电阻R1阻值大小影响电容C1储能的泄放时长。当电容C1储能持续泄放，当端电压下降到与门AND-1低电平输入门限时，与门AND-1输出翻转由高电平变为低电平，MOS3截止，继电器Relay1断开，VCC2_OUT掉电。

本实施例中为了实现静电浪涌防护，抑制电源瞬态过冲和静电损坏控制装置，在输入端VCC1和GND之间连接瞬态抑制二极管TVS1。

为了提高本发明控制装置的适应性，本发明设计RC延时电路和开关控制单元不限于上述实施例中所示结构，在其他实施例中还可以具有更多的替换方案。如图3所示，在一个实施例中RC延时电路和开关控制单元还有如下设计方案。

其中RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1、电容C2、电阻R6、电阻R7、MOS管MOS1和MOS管MOS2。可调电阻R4的一端接VCC(即图中的VCC1)，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与MOS2的栅极连接，MOS2的源极接GND，MOS2的漏极通过电阻R7连接至MOS1的栅极，电容C2与电阻R6并联且并联后一端接VCC、另一端接MOS1的栅极，MOS1的源极接VCC，MOS1的漏极输出作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。

其中开关控制单元包括MOS管MOS4，所述MOS4在RC延时电路输出高电平时导通，施加在MOS4上的供电电压(即图中的VCC2)输出至受电设备；所述MOS4在RC延时电路输出低电平时断开，施加在MOS4上的供电电压停止为受电设备供电。

具体的开关控制单元包括MOS管MOS4、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10、电容C4和电阻R11；电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与MOS4的栅极连接，MOS4的源极上施加供电电压，MOS4的漏极连接至受电设备，电容C4与电阻R11并联且并联后一端连接MOS4的栅极、另一端连接MOS4的源极。

容易理解的是，本实施例中提供的RC延时电路和开关控制单元可以独立替换图2方案中的对应电路，在此基础上，本发明的控制装置具有多种结构。

为了便于描述，本实施例以图3中的电路结构描述替换方案中控制装置的工作流程如下：

本实施例中采用MOS1、MOS2替代图2中的逻辑门AND-1，采用MOS4替代图2中的继电器Relay1。当电容C1充电达到MOS2的开启门限值时，MOS2导通，MOS1开启，VCC1通过MOS1导通开启MOS3，MOS3导通时，MOS4开启导通，VCC2通过MOS4为后级受电设备供电。

VCC1断开时，电容C1通过三极管Q1放电，当电容C1端电压低于MOS2的开启门限值时，MOS2截止使MOS1恢复至断开状态，MOS3截止，MOS4断开，使后级受电设备与电源VCC2断开。

本发明的上下电次序控制装置与现有延时电路相比，在需要较长延时时长时，即R、C数值较大时，本发明提供快速放电控制电路，在必要时可大幅缩短下电时电容的泄放时间，可使电容两端电压快速下降，避免掉电延时，实现快速下电，同时可通过调整放电控制电路的参数设置控制电容的泄放时间，实现对下电延时时间长短的控制。

本发明与集成IC芯片相比，采用分立元件构成，具有更宽更广更灵活的参数配置及自主控制范围，能够适应更多的应用场景。

本实施例延时单元为一级时，后接开关控制单元构成完整的上下电次序控制装置。当延时单元为多级串联时，开关控制单元可以连接在任意一级延时单元后，且开关控制单元与延时单元采用不同供电。

如图4所示，本发明能够根据不同的应用场景，设置多级延时单元和多级开关控制单元，每级延时单元后可以连接一个开关控制单元，例如图中的一级延时单元后连接开关控制单元1，二级延时单元后连接开关控制单元2等等。当然延时单元后不一定必须连接一个开关控制单元，可以通过多级延时单元的延时作用于一个开关控制单元上，使得本发明具有较强的多路延时扩展性。

本发明应用于上电控制时，通过标准化延时模块级联阶梯式输出延时时长，实现多路延时开启控制功能。在下电时，各级延时单元中有独立的放电控制电路，在需要时可以实现快速下电，亦可以通过调整各延时单元中的放电控制电路的参数设置控制电容的泄放时间，从而控制各受电模块的掉电次序，克服现有技术中难以调整控制掉电顺序的缺陷。

在一个实施例中，为了匹配多级延时单元的选择使用，将本发明的上下电次序控制装置形成固化模块。如图5所示，本发明延时控制模块可采用类似COB封装形式制成标准小型化模组，预留时长配置接口，通过外接配置电容设置延时时长，封装模块预留输入输出对外接口可实现与用户系统对接和扩展需求。可随模组向用户提供参数配置参考表单或使用说明书，不同外置延时时长配置电容容值对应的延时时长。

如图6所示，本发明在以光纤传感技术为基础的入侵检测设备当中的应用如下：

应用目的：系统初始上电时保护光电检测器不被打坏。

实施方法：初始上电关闭AOM，通过关闭AOM驱动器(图6中Driver)电源间接切断光通路一定时间t1。

实施过程：本发明的上下电次序控制装置(简称：控制装置)同时接入VCC1和VCC2两路电源，在电源VCC1开启输出后延迟一段时间t(时间t介于数百毫秒～数秒间)，之后控制装置打开电源VCC2通路输出至VCC2_OUT给AOM驱动器供电，完成Driver上电，驱动器输出脉冲信号控制AOM的开启和关闭。

工作状态转移过程：如图7所示，控制装置内部功能单元，由延时单元控制开关控制单元中的继电器Relay是否导通，从而控制电压VCC2是否输出至VCC2_OUT为Driver供电。期间上下电次序控制装置从初始化状态到上电瞬态从延时t毫秒后的状态如图8所示。

图中Relay为继电器，SW为继电器Relay的开关控制信号，U1、U2为VCC1和VCC2的实际电压值，可以相等也可以不相等。VCC1和VCC2可根据需要控制上下电次序的电源要求设定控制装置参数以适配接入电压要求，Driver为系统配套其他需要控制上下电的功能单元。再次体现旨在说明控制装置状态转移及控制过程。

根据图示可知，在控制装置初始化状态下，VCC1和VCC2电压均为0V，此时继电器Relay的开关控制信号为低电平，继电器Relay断开，通过继电器Relay输出的VCC2_OUT为0V，受电设备Driver不得电；在上电瞬间，VCC1和VCC2电压分别为U1和U2，此时继电器Relay的开关控制信号为低电平，继电器Relay断开，通过继电器Relay输出的VCC2_OUT为0V，受电设备Driver不得电；延时t毫秒后，VCC1和VCC2电压分别为U1和U2，此时继电器Relay的开关控制信号为高电平，继电器Relay闭合，通过继电器Relay输出的VCC2_OUT为U2，受电设备Driver上电。可以看出，本发明可以良好控制受电设备延时上电。

本发明输入电源范围可调，上电延时时长、下电延时时长可调，且有较大的灵活性及可调范围；并且本实施例提供放电控制电路，可以实现下电时电容储能快速泄放，快速下电，并且泄放时间长短可调；本发明可实现模块化构造扩展，实现阶梯式延时时长输出，可根据不同应用场景灵活配置。

本发明已通过两级电路延时功能试验，泄放参数设置为快速泄放模式，两级时延参数设置大约可实现1s延时，经实际点灯试验测试，上电时延时约1s灯亮起，掉电时灯随即熄灭，目测无延迟现象。下电后再快速上电，功能仍然符合设计预期，多次快速反复测试可正常控制灯的亮灭。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述延时时间可调的上下电次序控制装置包括一级或多级串联的延时单元以及与所述延时单元连接的开关控制单元，通过一级或多级延时单元实现对开关控制单元的延时开启，所述延时单元包括RC延时电路和放电控制电路，其中：

所述放电控制电路包括PNP三极管Q1、可调电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述PNP三极管Q1的发射极与所述RC延时电路连接，所述PNP三极管Q1的集电极与可调电阻R1的一端连接，可调电阻R1的另一端接GND，所述PNP三极管Q1的基极分别与电阻R2和电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端接VCC，电阻R3的另一端接GND。

2.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述开关控制单元连接在任意一级延时单元后，所述开关控制单元与延时单元采用不同供电。

3.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1和逻辑门AND-1；

所述逻辑门AND-1为与门，所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与逻辑门AND-1的输入端连接，所述逻辑门AND-1的输出端作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。

4.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述RC延时电路包括可调电阻R4、可调电阻R5、电容C1、电容C2、电阻R6、电阻R7、MOS管MOS1和MOS管MOS2；

所述可调电阻R4的一端接VCC，所述可调电阻R4的另一端分别与可调电阻R5的一端连接、PNP三极管Q1的发射极、电容C1连接，可调电阻R5的另一端接GND，电容C1与可调电阻R5并联，且电容C1与可调电阻R4连接的一端同时与MOS2的栅极连接，MOS2的源极接GND，MOS2的漏极通过电阻R7连接至MOS1的栅极，电容C2与电阻R6并联且并联后一端接VCC、另一端接MOS1的栅极，MOS1的源极接VCC，MOS1的漏极输出作为下一级延时单元的输入或者待控制的开关控制单元的输入。

5.如权利要求3或4所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述RC延时电路的延时时间计算如下：

式中，t为RC延时电路的延时时间，Ω4为可调电阻R4的阻值，F1为电容C1的容值，Ω5为可调电阻R5的阻值。

6.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述开关控制单元包括继电器Relay1，所述继电器Relay1在RC延时电路输出高电平时触点闭合，施加在继电器Relay1触点上的供电电压输出至受电设备；所述继电器Relay1在RC延时电路输出低电平时触点断开，施加在继电器Relay1触点上的供电电压停止为受电设备供电。

7.如权利要求6所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述开关控制单元包括继电器Relay1、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10和二极管D1；

电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与继电器Relay1的线圈一端连接，继电器Relay1的线圈的另一端接VCC，二极管D1的负极接VCC，二极管D1的正极与继电器Relay1的线圈连接电阻R10的一端连接，继电器Relay1的两个触点中一者施加供电电压、另一者连接至受电设备。

8.如权利要求1所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述开关控制单元包括MOS管MOS4，所述MOS4在RC延时电路输出高电平时导通，施加在MOS4上的供电电压输出至受电设备；所述MOS4在RC延时电路输出低电平时断开，施加在MOS4上的供电电压停止为受电设备供电。

9.如权利要求8所述的延时时间可调的上下电次序控制装置，其特征在于，所述开关控制单元包括MOS管MOS4、电容C3、电阻R8、电阻R9、MOS管MOS3、电阻R10、电容C4和电阻R11；

电容C3一端接GND、另一端与所述RC延时电路连接，电阻R9一端接GND、另一端与MOS3的栅极连接，电阻R8分别与电容C3连接RC延时电路的一端、电阻R9连接MOS3的栅极的一端连接，MOS3的源极接GND，MOS3的漏极通过电阻R10与MOS4的栅极连接，MOS4的源极上施加供电电压，MOS4的漏极连接至受电设备，电容C4与电阻R11并联且并联后一端连接MOS4的栅极、另一端连接MOS4的源极。

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