CN110504746B - 一种电源热切换电路和电源热切换方法 - Google Patents

一种电源热切换电路和电源热切换方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种电源热切换电路,用于电源Bn的控制,包括电源开关、电流单向流通控制电路、热切换强制打开电路、MCU使能电路,所述电流单向流通控制电路设置在电源Bn的输出线路上,用于实现电流的单向流动,所述MCU使能电路分别与所述电源开关、热切换强制打开电路连接,所述热切换强制打开电路还与电源Bn连接,所述MCU使能电路根据使能信号EN‑Bn控制所述电源开关的通断;在由本级电源供电时,当本级电源无法正常供电时,本级电源的热切换强制打开电路输出信号Fn给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路打开相应电源的电源开关。本发明可以实现不间断电源供电,兼有故障率低、功耗低和响应速度极快的优点。

Description

一种电源热切换电路和电源热切换方法
技术领域
本发明涉及多电源设备供电系统领域,更具体地说,涉及一种电源热切换电路和电源热切换方法。
背景技术
在现有影视行业中,许多设备如摄像机、监视器、影视灯光等在使用中接入不止一种电源以确保持续工作。根据优先级,不同的电源按顺序只有一种电源在工作。
然而,在最高优先级的电源在工作时突发故障或者被拔除时,其它较低优先级的电源可能无法立即打开,短暂的掉电可能会使设备直接关闭,从而无法达到不间断供电的效果。
中国专利申请一种多路电源输入的切换电路,公开号CN109217459A,公开日2019年1月15日,公开了一种多路电源输入的切换电路,包括检测及控制电路、电池电源控制电路、电池和外部电源,其中检测及控制电路的第一输入端与电池连接、第二输入端与外部电源连接、第一输出端通过电池电源控制电路与后级电路连接;通过检测及控制电路检测并对比电池的输出电压与外部电源的输出电压之间的大小,进而控制电池电源控制电路的工作状态,为后级电路选择电池供电方式或外部电源供电方式。该发明具备功耗低、发热少、电路设计简单等优点,但是该发明的电路设置了内部电池,电源切换是外部电源与内部电池之间的切换,无法实现外部电源的热切换。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的多电源在工作时,正在供电的电源断开后其他电源无法立即打开的问题,本发明提供了一种电源热切换电路,它可以实现正在供电的电源撤除瞬间,不间断接续其他电源供电。
2.技术方案
本发明提供的电源热切换电路,用于电源Bn的控制,包括电源开关、电流单向流通控制电路、热切换强制打开电路、MCU使能电路,所述电流单向流通控制电路设置在电源Bn的输出线路上,用于实现电流的单向流动,所述MCU使能电路分别与所述电源开关、热切换强制打开电路连接,所述热切换强制打开电路还与电源Bn连接,所述MCU使能电路根据使能信号EN-Bn控制所述电源开关的通断;在由电源Bn供电时,当电源Bn无法正常供电,所述热切换强制打开电路向用于控制其他电源的电源热切换电路的MCU使能电路输出信号;在不是由电源Bn供电、电源开关断开时,所述MCU使能电路接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号,打开电源开关。
电流单向流通控制电路用于实现电流的单向流动,避免多路电源同时供电时,出现电压高的电源给电压低的电源充电的情况,避免电流倒灌。本发明利用热切换强制打开电路检测到本级电源是否正常供电,一旦无法正常供电,如电压过低,或者电源被拆除时,热切换强制打开电路输出信号Fn给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路打开相应电源的电源开关,其他电源起到临时供电的作用,实现电源的热切换,避免断电。
更进一步地,所述热切换强制打开电路包括三极管QAn1和三极管QAn2;三极管QAn1的基极接电源Bn,发射极接地,集电极接三极管QAn2的基极;三极管QAn2的发射极接地,基极接使能信号EN-Bn,集电极向用于控制其他电源的电源热切换电路的MCU使能电路输出信号。当电源Bn的电压过低无法有效供电,或者电源Bn被拆除,导致无法正常供电,由于MCU一时来不及反应,使能信号EN-Bn仍然为高电平,此时,三极管QAn1的基极为低电平,集电极为高电平,三极管QAn1截止,三极管QAn2打开,三极管QAn2输出低电平给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路打开相应电源的电源开关;当电源Bn正常供电时,三极管QAn1打开,三极管QAn2截止,输出信号Fn为高阻态。
更进一步地,所述热切换强制打开电路还包括至少一个二极管,二极管的正极分别与MCU使能电路连接,由二极管的负极接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号。来自其他电源的热切换强制打开电路的三极管QAn2的集电极的信号经过二极管后输送给MCU使能电路。
更进一步地,所述MCU使能电路包括NMOS管Qn5、PMOS管Qn4;NMOS管Qn5的源极接地,栅极接使能信号EN-Bn,漏极接PMOS管Qn4的栅极、以及接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号;PMOS管Qn4的漏极接所述电源开关,源极接信号GDrive,信号GDrive由电源Bn升压得到。MCU使能电路的驱动电压为GDrive,为了满足驱动条件,GDrive信号需要比输入电源Bn足够大,所以将电源经过升压处理后连接MCU使能电路进行驱动。使能信号EN-Bn为高电平时,NMOS管Qn5和PMOS管Qn4均打开,由于MCU使能电路的驱动电压GDrive经过升压处理,大于电源电压,电源开关打开。
更进一步地,所述电源开关为MOSFET管Qn2,MOSFET管Qn2的栅极连接PMOS管Qn4的漏极,源极作为输出,接负载,漏极接电源Bn。
更进一步地,还包括快速关断电路,所述快速关断电路包括MOSFET管Qn3,MOSFET管Qn3的栅极接NMOS管Qn5的漏极,漏极接MOSFET管Qn2的栅极,源极接所述电源开关的源极。当任一级的电源MOSFET驱动关闭时,单独靠G-S(栅极-源级)间的泄放电阻可能关闭时间不够短,容易造成MOSFET意外损坏,因此,在G-S泄放电阻处并联一个小信号MOSFET,触发方式即为MCU使能电路使能关闭时,打开小信号MOSFET来快速关闭电源开关MOSFET。
更进一步地,所述热切换强制打开电路包括三极管QAn1、三极管QAn2和n个二极管;三极管QAn1的基极接电源Bn,发射极接地,集电极接三极管QAn2的基极;三极管QAn2的发射极接地,基极接电源Bn的使能信号EN-Bn,集电极向用于控制其他电源的电源热切换电路的MCU使能电路输出信号;二极管的正极分别与NMOS管Qn5的漏极连接,由二极管的负极接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号。
为使得GDrive足够大,当具有多个电源Bn时,各电源Bn的电源热切换电路的PMOS管Qn4的源极接同一个信号GDrive,信号GDrive由各电源Bn中电压最大的电源升压得到。
更进一步地,所述电流单向流通控制电路为二极管、理想二极管电路或防反灌电路。
更进一步地,所述电流单向流通控制电路设置在电源Bn与所述电源开关之间,分别连接电源Bn和电源开关。
更进一步地,所述理想二极管电路包括NMOS管Qn1和理想二极管控制芯片Un,NMOS管Qn1的源极连接电源Bn、理想二极管控制芯片Un的IN引脚,NMOS管Qn1的栅极连接理想二极管控制芯片Un的GATE引脚,NMOS管Qn1的漏极连接所述电源开关、理想二极管控制芯片Un的OUT引脚和VS引脚,理想二极管芯片Un的OFF引脚和GND引脚接地。
本发明还提供一种电源电源热切换方法,当前供电的电源无法正常供电时,所述当前供电的电源对应的热切换强制打开电路检测到无法正常供电,热切换强制打开电路输出信号Fn给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路打开对应电源的电源开关,由其他电源中的一个或多个临时供电,直至所述当前供电的电源恢复正常供电,或者相应电源的MCU使能电路接收到打开电源开关的使能信号,MCU使能电路打开该相应电源的电源开关,由该相应电源供电。
更进一步地,所述当前供电的电源无法正常供电时,由其他电源中电压高的电源临时供电。当正在工作的电源输入因为故障、拔出等原因突然电压降低,热切换强制打开电路触发工作后会打开其他所有通路的电源电路。本发明可以设置理想二极管电路,在理想二极管电路的作用下,根据电压高低临时供电,不会造成所有电源一起供电导致用电设备损坏,电路可靠性高。
更进一步地,MCU使能电路根据使能信号关断电源开关时,快速关断电路打开,使得电源开关的电荷快速泄放,使得电源开关快速关断。当任一级的电源开关被MCU使能电路驱动关闭时,单独靠G-S(栅极-源级)间的泄放电阻可能关闭时间不够短,容易造成电源开关意外损坏。快速关断电路触发触发打开对电源开关电荷快速泄放,进而快速关闭电源开关,快速关断电路响应快,保护电源开关不被击穿,提高电路的稳定性和可靠性。
3.有益效果
相比于现有技术,本发明的优点在于:
在多级电源输入时,能够实现任意热插拔,当电路因为某一级电源突然拔除或者故障输入电压降低无法继续维持供电时,电路的热切换强制打开电路立刻触发短暂打开其他所有级电源,维持设备的正常供电,只要电路中多级电源输入至少剩余一级电源,总输出就能持续不间断。本电路的可靠性高,在MCU使能电路关闭当前级别电源电路时,使用快速关断电路迅速泄放电路开关的栅-源极电容,响应速度极快不易造成电源开关的损坏,快速关断电源开关,提高了电路的可靠性。
附图说明
图1为本发明的多级电源的输入、输出框图;
图2为本发明的热切换强制打开电路的逻辑关系图;
图3为本发明的第一级电源输入电路简图;
图4为本发明的第二级电源输入电路简图;
图5为本发明的第三级电源输入电路简图;
图6为本发明的第n级电源输入电路简图;
图7为本发明的GDrive信号简图;
图8为本发明的热切换强制打开电路中三极管连接图;
图9为本发明的热切换强制打开电路输出信号电路图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体的实施例,对本发明作详细描述。
在影视行业多设备电源供电系统中,摄像机、监视器和灯光等连接多级电源,多级电源根据优先级顺序为设备供电,保证设备的不间断供电。例如根据电池容量供电,优先选取容量低的电池供电,MCU读取电池信息,对各级电池进行比较,选择容量最低的电源,输出使能信号(高电平)给MCU使能电路。如图1所示,有n级电源输入,第一级电源为B1,第二级电源为B2,第三级电源为B3,…,第n级电源为Bn。每一级电源都通过电流单向流通控制电路与电源开关连接,电流单向流通控制电路用于实现电流的单向流动,电流单向流通控制电路可以设置在电源与电源开关之间,也可以设置在电源的输出线路的其他位置,图1中示出的电流单向流通控制电路为理想二极管电路。还包括MCU使能电路、热切换强制打开电路、快速关断电路,MCU使能电路分别连接电源开关、热切换强制打开电路、快速关断电路,快速关断电路也与电源开关连接,图1中示出的快速关断电路为MOSFET管。以电源B1为例,MCU选择电源B1并输出高电平给MCU使能电路,MCU使能电路将电源开关打开,电源B1对外供电,当电源B1被拆除或者出现故障或者电压过低时,电源B1无法正常工作,热切换强制打开电路输出信号F1给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路将相应电源的电源开关打开(虽然MCU并没有输出高电平使能信号给对应电源的MCU使能电路),实现临时供电。在电源B1正常供电的情况下,如果需要电源B1停止供电,MCU输出低电平给MCU使能电路,MCU使能电路关断电源开关,快速关断电路可以实现电源开关的快速关断。
理想二极管起防反灌功能,解决电源顺序供电模式下或不同电量电源同时接入时,高电压电源给低电压电源充电的问题。同时实现单向输入,防止电源反接对用电设备造成损坏,对用电设备进行保护。因为理想二极管电路没有压降,低功耗,本实施例中使用理想二极管电路作为电流单向流通控制电路。电流单向流通控制电路还可以采用二极管或防反灌电路。
如图2所示为热切换强制打开电路的逻辑关系,若当前工作的电源的电压降低,降低至某个阈值以下,短时间由于MCU来不及反应拉低使能信号,触发热切换强制打开电路快速响应并输出信号给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路打开相应电源的MOSFET管,强制打开其他所有电源通路,由其他电源临时供电,在理想二极管的作用下,由电压高的电源临时输出对设备供电,此状态仅临时持续数秒,直至MCU将断开电源的使能电压降为低电平并拉高下一优先级电源通路使能信号。如果当前工作的电源因故障或拔出后很快恢复供电(在MCU响应前),则由该电源继续供电。
如图3至图6所示,电源输入依次为B1,B2,B3,…,Bn,总输出为VOUT。为保证电源的单向输入,电源B1、B2、B3……Bn输入后,需要先经过二极管或者理想二极管电路或者防反灌电路,优选理想二极管电路,该电路的损耗低。理想二极管电路包括NMOS管和理想二极管控制芯片,其中Q11、Q21、Q31、……、Qn1为NMOS管,U1、U2、U3、……、Un为理想二极管控制芯片。电源开关为MOSFET管Q12、Q22、Q32、……、Qn2;MCU使能信号为EN-B1、EN-B2、EN-B3、……、EN-Bn。
以第n级电路为例,如图6所示,理想二极管电路包括NMOS管Qn1、理想二极管控制芯片Un,NMOS管Qn1的源极连接电源Bn、理想二极管控制芯片Un的IN引脚,NMOS管Qn1的栅极连接理想二极管控制芯片Un的GATE引脚,NMOS管Qn1的漏极连接电源开关MOSFET管Qn2的漏极、理想二极管控制芯片Un的OUT引脚和VS引脚,理想二极管芯片Un的OFF引脚和GND引脚接地,理想二极管控制芯片Un的VS引脚和OUT引脚之间连接一个电阻稳流,理想二极管控制芯片Un的VS引脚与GND之间连接电容以便保护电路。MCU使能电路包括NMOS管Qn5、PMOS管Qn4;NMOS管Qn5的源极接地,栅极接使能信号EN-Bn,使能信号由MCU提供,漏极通过电阻Rn3接PMOS管Qn4的栅极,漏极还接其他电源(B1、B2、B3、……、Bn-1)的热切换强制打开电路的输出信号Fn,以及,漏极通过电阻Rn4与快速关断电路连接;PMOS管Qn4的漏极接电源开关MOSFIT管Qn2的栅极,源极通过二极管Dn1A接信号GDrive,二极管Dn1A实现单向导通,信号GDrive由电源Bn升压得到。PMOS管Qn4的栅极和源极之间并联连接一个电阻Rn2和一个双向TVS二极管,电阻Rn2和双向TVS二极管对电路限流,保护电路。快速关断电路包括MOSFET管Qn3,MOSFET管Qn3的栅极通过电阻Rn4接NMOS管Qn5的漏极,漏极接MOSFET管Qn2的栅极,源极接MOSFET管Qn2的源极。MOSFET管Qn2的漏极与源极之间连接电阻Rn5。电源开关MOSFET管Qn2的源极还作为电源Bn的输出接到总输出VOUT。
如图8、9所示,8(a)、9(a)是对应电源B1的热切换强制打开电路,8(b)、9(b)是对应电源B2的热切换强制打开电路,8(c)、9(c)是对应电源B3的热切换强制打开电路,8(d)、9(d)是对应电源Bn的热切换强制打开电路。热切换强制打开电路包括三极管QAn1、三极管QAn2以及n-1个二极管;三极管QAn1的基极通过电阻Rn9、Rn6接电源Bn,电阻Rn9还与电阻Rn7连接,电阻Rn7接地,三极管QAn1的发射极接地,集电极接三极管QAn2的基极;三极管QAn2的发射极接地,基极接电源Bn的使能信号EN-Bn,即MCU提供给MCU使能电路的使能信号;三极管QAn2的集电极输出信号Fn给其他电源(B1、B2、B3、……、Bn-1)的MCU使能电路,如图9(a)、9(b)、9(c)所示,三极管QAn2的集电极输出信号Fn分别通过二极管D3、D9、D6形成信号Force1、Force2、Force3分别接电源B1、B2、B3的MCU使能电路,即接MCU使能电路的NMOS管(Q15、Q25、Q35)的漏极。再以电源Bn为例,说明n-1个二极管如何连接。来自电源B1、B2、……、Bn-1的信号F1、F2、……、Fn-1分别接二极管D10、D11、……、D12的负极,二极管D10、D11、……、D12的正极相互连接后与电源Bn的MCU使能电路连接,即,与MCU使能电路的NMOS管Qn5的漏极连接。
如图7所示,GDrive为电源经过升压处理后的电平信号,用于MCU使能电路的驱动电压。为了满足驱动条件,GDrive信号需要比输入电源Bn足够大。n级电源B1,B2,B3,…,Bn分别与一二极管(D13、D14、D15、D16)正极连接后并联,二极管负极(D13、D14、D15、D16)连接升压模块输入端BIN,经过升压处理输出GDrive,本实施例中选取电源中电压最大的做升压处理。
以第一级电源B1为例说明每级电路的输入和输出关系。EN-B1为MCU使能信号,当MCU使能电路选择连接第一电源B1时,EN-B1为高电平,NMOS管Q15打开,Force1为低电平。GDrive为高电平,在驱动电平GDrive的作用下,PMOS管Q14打开。由于GDrive比B1足够大,电源开关MOSFET管Q12打开,电流流向为B1→VO1+→VOUT;当MCU关闭第一电源B1时,EN-B1变为低电平,NMOS管Q15关断,Force1变为高电平,Q14关断,Q13打开,电源MOSFET开关Q12关闭,Q13让Q12的栅-源级电容Cgs迅速泄放,防止电荷引起开关管的击穿,保证快速关断Q12,保护电源MOSFET开关。其他级电路结构及原理与第一级相同。其他级电源的输入和输出原理与第一级电源B1相同。
下面描述热切换的工作原理。电路中当前工作的电源通路因为故障、拔除等原因电压降低时,MCU的反应速度无法做到瞬间拉高下一优先级电源电路的使能信号。此时我们就需要在MCU反应的这1到2s内续接上其他通路的电源供电。
假设当前工作的电源通路为第一级电源B1,因为电源故障等原因电压降低,即B1电压迅速降低至某个阈值以下,该阈值略高于电源允许输入下限,或者电源被拔除时,短时间内由于MCU来不及反应,EN-B1仍为高电平,热切换强制打开电路中的三极管QA11和QA12快速响应。由于EN-B1为高电平,B1输入三极管QA11的基极的为低电平,热切换打开电路三极管QA11截止,QA12打开,F1拉至低电平,F1在二极管D7、D4、……、D10的作用下,Force2、Force3、……、Forcen拉至低电平,进而第二级电路、第三级电路、……、第n级电路的PMOS管Q24、Q34、……、Qn4打开,驱动对应电源的MOSFET开关Q22、Q32、……、Qn2打开,强制打开其他所有电源电路。在理想二极管电路的作用下,电压高的电源临时供电,此状态仅临时持续数秒,直至MCU将EN-B1变为低电平,以及拉高下一优先级电源电路的MCU使能信号。在当前电源B1正常工作时,热切换强制打开电路中的QA11打开,QA12截止,F1为高阻态,不会触发其他电源的MCU使能电路打开相应的电源开关。当工作电源为其他级电源时,电源热切换原理与所述第一级电源B1等同。
以上示意性地对本发明创造及其实施方式进行了描述,该描述没有限制性,在不背离本发明的精神或者基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。附图中所示的也只是本发明创造的实施方式之一,实际的结构并不局限于此,权利要求中的任何附图标记不应限制所涉及的权利要求。所以,如果本领域的普通技术人员受其启示,在不脱离本创造宗旨的情况下,不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例,均应属于本专利的保护范围。此外,“包括”一词不排除其他元件或步骤,在元件前的“一个”一词不排除包括“多个”该元件。产品权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件通过软件或者硬件来实现。第一,第二等词语用来表示名称,而并不表示任何特定的顺序。

Claims (12)

1.一种电源热切换电路,用于电源Bn的控制,其特征在于:包括电源开关、电流单向流通控制电路、热切换强制打开电路、MCU使能电路,所述电流单向流通控制电路设置在电源Bn的输出线路上,用于实现电流的单向流动,所述MCU使能电路分别与所述电源开关、热切换强制打开电路连接,所述热切换强制打开电路还与电源Bn连接,所述MCU使能电路根据使能信号EN-Bn控制所述电源开关的通断;在由电源Bn供电时,当电源Bn无法正常供电,所述热切换强制打开电路向用于控制其他电源的电源热切换电路的MCU使能电路输出信号;在不是由电源Bn供电、电源开关断开时,所述MCU使能电路接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号,打开电源开关;
所述MCU使能电路包括NMOS管Qn5、PMOS管Qn4;NMOS管Qn5的源极接地,栅极接使能信号EN-Bn,漏极接PMOS管Qn4的栅极、以及接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号;PMOS管Qn4的漏极接所述电源开关,源极接信号GDrive,信号GDrive由电源Bn升压得到;
还包括快速关断电路,所述快速关断电路包括MOSFET管Qn3,MOSFET管Qn3的栅极接NMOS管Qn5的漏极,漏极接MOSFET管Qn2的栅极,源极接所述电源开关的源极。
2.根据权利要求1所述的电源热切换电路,其特征在于:所述热切换强制打开电路包括三极管QAn1和三极管QAn2;三极管QAn1的基极接电源Bn,发射极接地,集电极接三极管QAn2的基极;三极管QAn2的发射极接地,基极接使能信号EN-Bn,集电极向用于控制其他电源的电源热切换电路的MCU使能电路输出信号。
3.根据权利要求2所述的电源热切换电路,其特征在于:所述热切换强制打开电路还包括至少一个二极管,二极管的正极分别与MCU使能电路连接,由二极管的负极接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号。
4.根据权利要求1所述的电源热切换电路,其特征在于:所述电源开关为MOSFET管Qn2,MOSFET管Qn2的栅极连接PMOS管Qn4的漏极,源极作为输出,漏极接电源Bn。
5.根据权利要求4所述的电源热切换电路,其特征在于:所述热切换强制打开电路包括三极管QAn1、三极管QAn2和至少一个二极管;三极管QAn1的基极接电源Bn,发射极接地,集电极接三极管QAn2的基极;三极管QAn2的发射极接地,基极接电源Bn的使能信号EN-Bn,集电极向用于控制其他电源的电源热切换电路的MCU使能电路输出信号;二极管的正极分别与NMOS管Qn5的漏极连接,由二极管的负极接收用于控制其他电源的电源热切换电路的热切换强制打开电路输出的信号。
6.根据权利要求4所述的电源热切换电路,其特征在于:当具有多个电源Bn时,各电源Bn的电源热切换电路的PMOS管Qn4的源极接同一个信号GDrive,信号GDrive由各电源Bn中电压最大的电源升压得到。
7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的电源热切换电路,其特征在于:所述电流单向流通控制电路为二极管、理想二极管电路或防反灌电路。
8.根据权利要求7所述的电源热切换电路,其特征在于:所述电流单向流通控制电路设置在电源Bn与所述电源开关之间,分别连接电源Bn和电源开关。
9.根据权利要求8所述的电源热切换电路,其特征在于:所述理想二极管电路包括NMOS管Qn1和理想二极管控制芯片Un,NMOS管Qn1的源极连接电源Bn、理想二极管控制芯片Un的IN引脚,NMOS管Qn1的栅极连接理想二极管控制芯片Un的GATE引脚,NMOS管Qn1的漏极连接所述电源开关、理想二极管控制芯片Un的OUT引脚和VS引脚,理想二极管芯片Un的OFF引脚和GND引脚接地。
10.一种电源热切换方法,其特征在于:应用于如任意一项权利要求1-9所述的电源热切换电路,在当前供电的电源无法正常供电时,所述当前供电的电源对应的热切换强制打开电路检测到无法正常供电,热切换强制打开电路输出信号Fn给其他电源的MCU使能电路,其他电源的MCU使能电路打开对应电源的电源开关,由其他电源中的一个或多个临时供电,直至所述当前供电的电源恢复正常供电,或者相应电源的MCU使能电路接收到打开电源开关的使能信号,MCU使能电路打开该相应电源的电源开关,由该相应电源供电。
11.根据权利要求10所述的电源热切换方法,其特征在于:所述当前供电的电源无法正常供电时,由其他电源中电压高的电源临时供电。
12.根据权利要求10或11所述的电源热切换方法,其特征在于:MCU使能电路根据使能信号关断电源开关时,快速关断电路打开,使得电源开关的电荷快速泄放,使得电源开关快速关断。
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