CN115274462A - 一种制作Mini基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种制作Mini基板的方法，涉及覆铜陶瓷基板加工领域，旨在解决Mini基板的铜瓷间结合力不够的问题，其技术方案要点是：一种制作Mini基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：将瓷片进行切割，裁剪成4.5inch*4.5inch面积；通过研磨工艺将瓷片厚度减薄至0.15~0.2mm；将铜片经过裁铜机裁成4.3inch*4.3inch面积；进行直接覆铜工艺将铜片与瓷片烧结在一起，完成半成品制作；半成品采用铜蚀刻和皮带研磨工艺对铜片进行减薄处理；采用Tenting图形转移工艺将客户图纸转移到陶瓷基板表面；经过检验和测试工序，即可包装出货。本发明的一种制作Mini基板的方法采用Tenting工艺进行加工，不仅操作简便，而且适用性广，能够满足各类Mini基板客户的需求。

Description

一种制作Mini基板的方法
技术领域
本发明涉及覆铜陶瓷基板的加工方法，更具体地说，它涉及一种制作Mini基板的方法。
背景技术
Mini基板是各类小尺寸封装基板的统称，通常采用不同厚度和种类的陶瓷作为绝缘层，以铜作为主要金属化材料，是连接各个元器件的关键环节，可为元器件提供导通、保护、支撑、散热、组装等功效。
随着近年来电子领域迅猛发展，芯片输入功率越来越高，同时需要对高热量进行较快的传导，避免模块内部温度过高，因此其封装基板要求具有高电绝缘性、高导热性、与芯片匹配的热膨胀系数等特性，因此覆铜陶瓷基板成为了首选。相对于其他金属材料或者树脂材料而言，陶瓷具有耐腐蚀性能好、机械强度高、绝缘性能强、加工工艺简单等特性；此外，根据铜厚和线宽的不同也可以自由的进行工艺匹配。目前较为普及的是以磁控溅射作为种子层，通过Msap工艺实现陶瓷金属化的DPC工艺。该工艺经过几十年的发展，已经较为成熟，各个厂家在磁控溅射层金属的选择上会存在些许差异，但整体工艺流程大同小异，均是通过Msap工艺来制作各类精细线路。但是该工艺客观存在一个技术瓶颈，那就是铜瓷间结合力，尤其是Al2O3基材产品，磁控溅射层很难与陶瓷间形成较强的附着力，在镀铜后，由于铜瓷间CTE的不同，会进一步增加分层的风险，很难满足客户进料检验中的“高温烘烤”测试。
此外，图形电镀后的铜面会受到陶瓷本身表面状态的影响，经常会呈现出凹凸不平的现象，后期很难通过人工修复，因此良率提升受到很大程度的制约。此前也有人考虑过使用DCB直接覆铜技术烧结Mini基板，而后再通过多次铜片减薄工艺将铜片减至磁控溅射层的厚度(数微米)，再在此基础上进行图形电镀，这样就可以彻底解决附着力问题，因为DCB的烧结温度达到了1065℃左右，此时通过共晶液冷却而结合到一起的覆铜基板结合力十分优异，能够经受Mini基板客户任何温度的烘烤测试。但是该工艺所包含的铜减薄流程很难推广使用，原因是，如果采用蚀刻的方法进行，那么就会存在蚀刻均匀性的问题，也就是说有的位置铜厚为10μm，同时有的位置铜厚已经达到0μm，因此铜厚为0μm的位置是无法进行图形电镀的；如果采用研磨的方法，平均每次研磨量是10μm，将产品从100~200μm研磨至10μm以下需要研磨几十次，考虑到两面的铜均需要减薄，次数还要再乘以2，整个流程风险极大，某一次的失误就会导致全盘皆输，这条路也行不通，因此该工艺根本不具备量产可能。此外，DCB产品通用的最小瓷片厚度目前为0.25mm，仅能满足极少数的Mini基板产品需求，且整体尺寸远比Mini基板大很多，为了生产Mini基板会浪费很多的瓷片边缘材料，造成大量成本的浪费，多数的Mini基板客户需求厚度为0.2mm以下的产品，此时如果把瓷片厚度降低到Mini基板需求的0.15~0.2mm左右，目前多数的瓷片厂商最大只能做到3inch*3inch面积，而这个尺寸很难通过后续的蚀刻段和研磨段，基于上述原因，该工艺一直停滞不前。
因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提出了一种采用Tenting工艺生产Mini基板的方法，不仅操作简便，而且适用性广，能够满足各类Mini基板客户的需求。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种制作Mini基板的方法，包括以下步骤：a.将瓷片进行切割，裁剪成4.5inch*4.5inch面积；b.通过研磨工艺将瓷片厚度减薄至0.15~0.2mm；c.将铜片经过裁铜机裁成4.3inch*4.3inch面积；d.进行直接覆铜工艺将两面铜片与瓷片烧结在一起，完成半成品制作；e.半成品采用铜蚀刻和皮带研磨工艺对铜片进行减薄处理；f.采用Tenting图形转移工艺将客户图纸转移到陶瓷基板表面；g.经过检验和测试工序，即可包装出货。
本发明进一步设置为：所述步骤b的研磨工艺包括使用陶瓷刷辊和不织布刷辊进行研磨。
本发明进一步设置为：在步骤d中，铜片经过热氧化炉进行铜片氧化，使铜片表面生成Cu2O。
本发明进一步设置为：所述热氧化炉的炉内温度区间600~800℃，带速170mm/min，整个氧化时间小于2分钟。
本发明进一步设置为：所述热氧化炉内气氛包括氧气和氮气。
本发明进一步设置为：所述铜片表面的Cu2O增重8~12mg。
本发明进一步设置为：所述步骤e中，铜蚀刻工艺采用碱性蚀刻体系，将铜厚减至60μm。
本发明进一步设置为：所述碱性蚀刻体系包括碱性条件下，通过强氧化性的二价络合离子去蚀刻铜，而后生成不具有氧化能力的一价的络合离子，一价的络合离子在氯化铵、氨水、氧气的共同作用下，再生为具有强氧化性的二价络合离子，进行如此循环直至铜厚满足要求。
本发明进一步设置为：所述碱性蚀刻体系还包括采用二流体喷头，二流体喷头分别接有水管和气管，当气体和液体在喷嘴出口端喷出而发生接触时，由于气体喷出的气流速度相对较高，而液体流出的速度相对较低，在两流体之间存在着较大的相对速度，从而产生摩擦力，将料液雾化。
综上所述，本发明具有以下有益效果：采用先切割再研磨的工艺将瓷片的面积裁至4.5inch*4.5inch，同时厚度减薄至客户需求水平，再调整裁铜机，将铜片裁成4.3inch*4.3inch，而后采用直接覆铜工艺将铜片和瓷片烧结在一起，此时半成品就已经制作完成了；接下来，采用碱性蚀刻工艺和皮带研磨工艺对铜片进行减薄处理，最后采用Tenting图形转移工艺将客户图纸转移到陶瓷基板表面，此时再经过正常的检验和测试工序，即可包装出货，这样制作出来的Mini基板能够完全满足检验要求，即直接将产品放在350℃加热平台，维持5分钟，铜片表面无气泡、脱落等不良现象，良品率高。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明进行详细描述。
本发明提出了一种采用Tenting工艺生产Mini基板的方法，不仅操作简便，而且适用性广，能够满足各类Mini基板客户的需求，现概述如下：
首先，需要解决瓷片尺寸问题，使用氧化铝瓷片或者氮化铝瓷片，采用先切割再研磨的工艺将其面积裁至4.5inch*4.5inch，同时厚度减薄至客户需求水平，通常为0.15~0.2mm之间。
再调整裁铜机，将铜片裁成4.3inch*4.3inch，而后采用直接覆铜工艺将铜片和瓷片烧结在一起，此时半成品就已经制作完成了。
接下来，采用铜蚀刻和皮带研磨工艺对铜片进行减薄处理，特别注意，需要严格控制铜面均匀性，避免出现厚铜差异过大情况。
最后，采用Tenting图形转移工艺将客户图纸转移到陶瓷基板表面；此时再经过正常的检验和测试工序，即可包装出货。
工艺包括：a.将瓷片进行切割，裁剪成4.5inch*4.5inch面积；b.通过研磨工艺将瓷片厚度减薄至0.15~0.2mm；c.将铜片经过裁铜机裁成4.3inch*4.3inch面积；d.进行直接覆铜工艺将铜片与瓷片烧结在一起，完成半成品制作；e.半成品采用铜蚀刻和皮带研磨工艺对铜片进行减薄处理；f.采用Tenting图形转移工艺将客户图纸转移到陶瓷基板表面；g.经过检验和测试工序，即可包装出货。
其中步骤b的研磨工艺包括使用陶瓷刷辊和不织布刷辊进行研磨；在步骤d中，铜片经过热氧化炉进行铜片氧化，使铜片表面生成Cu2O；其中热氧化炉的炉内温度区间600~800℃，带速170mm/min，整个氧化时间小于2分钟。氧化炉内气氛包括氧气和氮气，使铜片表面的Cu2O增重8~12mg。
在步骤e中，铜蚀刻采用碱性蚀刻体系 ，一次性将铜厚从127μm减至60μm。可以在碱性条件下，通过强氧化性的二价络合离子去蚀刻铜，而后生成不具有氧化能力的一价的络合离子，一价的络合离子在氯化铵、氨水、氧气的共同作用下，再生为具有强氧化性的二价络合离子，进行如此循环直至铜厚满足要求。
然后经过Tenting工艺，其工艺流程包括贴膜、曝光、显影、蚀刻、去膜；并且其中的蚀刻步骤采用酸性蚀刻体系。
具体的实施工艺步骤举例如下：
先通过瓷片切割工艺将瓷片裁成4.5inch*4.5inch面积，再通过研磨工艺 将瓷片厚度减薄至0.15mm~0.2mm。
再将量产规格最薄的0.127mm厚度铜片裁成4.3inch*4.3inch面积，并经过热氧化炉进行铜片氧化，控制氧化温度曲线和炉内气氛，使铜片表面生成大量 Cu2O，铜片表面的Cu2O增重8~12mg。
然后将上述准备好的铜片和瓷片放入专用治具 ，并将治具和产品一起放入烧结炉，控制烧结温度曲线和炉内气氛，将铜瓷烧结在一起。
并且以同样的方法，将瓷片另一面也和铜片烧结在一起。
此时铜瓷半成品已经完成，瓷片厚度符合客户需求，但铜片偏厚，此时为0.127mm，通常Mini基板产品图形电镀后铜厚约40~60μm，因此接下来需要将铜片减薄。此时为了得到更好的蚀刻均匀性，该流程采用带有二流体功能的碱性蚀刻体系，一次性将铜厚从127μm减至60μm。
具有二流体功能的碱性蚀刻体系包括：采用二流体喷头，二流体喷头分别接有水管和气管，当气体和液体在喷嘴出口端喷出而发生接触时，由于气体喷出的气流速度很高，而液体流出的速度不大，因此在两流体之间存在着很大的相对速度，从而产生相当大的摩擦力，将料液雾化。从而极大的提高了蚀刻均匀性，二流体喷头测试相关参数参考下图：
Figure 79671DEST_PATH_IMAGE001
接下来为了去除蚀刻后铜面印记，同时将进一步提高铜片表面平坦度，将产品进行皮带研磨，由于产品尺寸已经达到了4.5inch*4.5inch，因此可以顺利通过陶瓷刷辊和不织布刷辊的研磨，刷磨后铜片厚度达到了约50μm，且表面较为光亮。
此时将产品按照Tenting工艺流程，进行贴膜、曝光、显影流程，其中为了提高显影效果，采用特定的二流体显影技术，其中包括二流体喷头，二流体喷头参照碱性蚀刻工艺中的二流体喷头。
将显影后产品进行蚀刻去膜处理，考虑到碱性蚀刻液会对干膜造成破坏，故该流程蚀刻采用酸性蚀刻体系。
借助于二流体显影和二流体碱性蚀刻技术，最终产品外观和线路精度同时达到了客户要求，最重要的是，可以轻松通过客户需求的各种温度烘烤测试；DPC行业目前最严的标准是：直接将产品放在350℃加热平台，维持5分钟，铜片表面无气泡、脱落等不良现象。而我们采用直接覆铜工艺的话，由于烧结温度已经达到了近1100℃，因此可以轻松达到350℃的耐热测试从而彻底解决了磁控溅射层与陶瓷结合力较弱的问题，对Mini基板领域未来发展提供了一条新的路径。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种制作Mini基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a． 将瓷片进行切割，裁剪成4.5inch*4.5inch面积；
b．通过研磨工艺将瓷片厚度减薄至0.15~0.2mm；
c． 将铜片经过裁铜机裁成4.3inch*4.3inch面积；
d．进行直接覆铜工艺将铜片与瓷片烧结在一起，完成半成品制作；
e． 半成品采用铜蚀刻和皮带研磨工艺对铜片进行减薄处理；
f． 采用Tenting图形转移工艺将客户图纸转移到陶瓷基板表面；
g．经过检验和测试工序，即可包装出货。
2.根据权利要求1所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述步骤b的研磨工艺包括使用陶瓷刷辊和不织布刷辊进行研磨。
3.根据权利要求1所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：在步骤d中，铜片经过热氧化炉进行铜片氧化，使铜片表面生成Cu2O。
4.根据权利要求3所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述热氧化炉的炉内温度区间600~800℃，带速170mm/min，整个氧化时间小于2分钟。
5.根据权利要求4所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述热氧化炉内气氛包括氧气和氮气。
6.根据权利要求3所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述铜片表面的Cu2O增重8~12mg。
7.根据权利要求1所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述步骤e中，铜蚀刻工艺采用碱性蚀刻体系，将铜厚减至60μm。
8.根据权利要求7所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述碱性蚀刻体系包括碱性条件下，通过强氧化性的二价络合离子去蚀刻铜片，而后生成不具有氧化能力的一价的络合离子，一价的络合离子在氯化铵、氨水、氧气的共同作用下，再生为具有强氧化性的二价络合离子，进行如此循环直至铜厚满足要求。
9.根据权利要求8所述的一种制作Mini基板的方法，其特征在于：所述碱性蚀刻体系还包括采用二流体喷头，二流体喷头分别接有水管和气管，当气体和液体在喷嘴出口端喷出而发生接触时，由于气体喷出的气流速度相对较高，而液体流出的速度相对较低，在两流体之间存在着较大的相对速度，从而产生摩擦力，将料液雾化。
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