CN115249781A - Ovjp系统和升华源 - Google Patents

Abstract

本申请案涉及OVJP系统和升华源。提供了有机蒸气喷射印刷OVJP装置和技术，其使用固体材料升华源提供用于沉积在衬底上的材料。来自载气源的载气夹带来自每一升华源内的所述固体材料的蒸气以用于输送到沉积腔室内的印刷头。所述升华源包括足够长的内部流动路径以实现所述载气中的材料的可接受饱和度。

Description

OVJP系统和升华源

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年4月28日提交的美国专利申请第63/181,019号的优先权权益，其全部内容以引入的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于制造有机发射装置，如有机发光二极管的装置和技术，以及包括其的装置和技术。

背景技术

出于多种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说，有机发射层发光的波长通常可以容易地用适当的掺杂剂调节。

OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。若干OLED材料和配置描述于美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单EML装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。

如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。

如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离衬底较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。

如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。

当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。

关于OLED的更多细节和上文所述的定义可见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

发明内容

根据一个实施例，还提供一种有机发光二极管/装置(OLED)。OLED可以包括阳极、阴极和安置在阳极与阴极之间的有机层。根据一个实施例，有机发光装置并入一或多个选自以下的装置中：消费型产品、电子组件模块和/或照明面板。

根据一个实施例，有机蒸气喷射印刷(OVJP)沉积系统包括：固体材料升华源；印刷头；衬底固持器，其经配置以固持具有最大长度和最大宽度的衬底；以及一个或多个气体传输管线，其将所述固体材料升华源的出口通道连接到所述印刷头；其中所述固体材料升华源与所述印刷头之间穿过所述一个或多个气体传输管线的气体流动路径不超过所述最大长度和所述最大宽度中的最大者的二分之一。固体材料升华源内的内部气体流动路径可以是至少15cm、30cm或更大。升华源与印刷头之间穿过一个或多个气体传输管线的气体流动路径可以不超过最大长度和最大宽度中的最大者的四分之一。系统还可以包括经安置以提供对固体材料升华源的热控制的一个或多个高真空兼容加热器。固体材料升华源可以安置于具有印刷头的常见沉积腔室内。

如本文所公开的固体材料升华源可以包括：多个矩形腔室，其中的每一个包括在所述腔室的第一端处的气体输入通道；在所述腔室的第二端处的气体出口通道，所述第二端距所述第一端横跨所述腔室的长轴；以及在所述气体输入通道和气体出口通道处的快速连接配件；其中多个矩形通道中的每一个能够经由所述快速连接配件连接到所述多个矩形通道中的任一另一个且连接到所述固体材料升华源的气体输入端和气体出口。矩形腔室可经由快速连接配件配置以便以串联和并联配置接收载气。每一腔室可以包括经配置以独立于所述多个腔室中的每一其它腔室加热每一腔室的一个或多个加热器。

如本文所公开的固体材料升华源可以包括：一个或多个材料托盘，其中的每一个包括气体输入通道；气体出口通道；以及挡板，其安置于所述多个气体输入通道与所述多个气体出口通道之间且从所述材料托盘的中心部分延伸到所述材料托盘的外缘；其中所述挡板致使经由所述多个气体输入通道进入的载气在到达所述多个出口气体通道之前绕过所述挡板行进。每一挡板可以从材料托盘的底板延伸到材料托盘的顶板，或到材料托盘的顶板的至少95％的通路。每一材料托盘可以是圆形的，在此情况下，挡板可以跨越相关联材料托盘的完整半径延伸。材料托盘可以包括多个气体输入通道和/或多个气体出口通道。

如本文所公开的固体材料升华源可以包括：垂直源容器，其具有多个腔室，所述多个腔室中的每一个包括气体输入通道；气体出口通道；上部部分；和下部部分，其通过多孔分隔物与所述上部部分分隔开且经配置以固持固体材料源；以及一个或多个挡板；其中所述一个或多个挡板经配置以引导气体在交替方向上循序地通过所述多个腔室中的每一个。所述多个腔室中的最终腔室可以包括细粒子过滤器。所述源可以包括4个腔室，使得所述多个腔室中的第一腔室的所述气体输入通道经配置以从所述升华源外部的源接收气体；所述第一腔室的所述气体出口通道为所述多个腔室中的第二腔室的所述气体输入通道；所述第二腔室的所述气体出口通道为所述多个腔室中的第三腔室的所述气体输入通道；所述第三腔室的所述气体出口通道为所述多个腔室中的第四腔室的所述气体输入通道；以及所述腔室的所述气体出口通道经配置以引导气体离开所述升华源。所述源进一步可以包括安置于所述垂直源容器外部且至少部分地围绕所述垂直源容器的加热护套。所述固体源材料可以安置于所述多个腔室中的每一个的下部部分中。

附图说明

图1展示一种有机发光装置。

图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。

图3A-3B展示常规液体和固体材料源的实例。

图3C展示如在半导体制造工艺中所使用的替代固体材料源的实例。

图4展示如本文所公开的示例OVJP系统的示意图。

图5展示如本文所公开的OVJP升华源的实例。

图6A、6B、6C、6D和6E展示如本文所公开的OVJP升华源的实例的侧视图和俯视图。

图7A和7B展示如本文所公开的OVJP升华源的实例的端部和侧部示意图。

具体实施方式

一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。

最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。

最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。

图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和障壁层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层的性质和功能以及实例材料在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。

可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F₄-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发射和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。

图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可以被称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。

图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本发明的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或更一般来说，混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。

还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。

在本文所公开的一些实施例中，发射层或材料(如图1-2中所示的发射层135和发射层220)分别可以包括量子点。除非明确相反地指示或根据所属领域的技术人员的理解依照情形指示，如本文所公开的“发射层”或“发射材料”可以包括有机发射材料和/或含有量子点或等效结构的发射材料。此类发射层可以仅包括转换由单独发射材料或其它发射体发射的光的量子点材料，或其还可以包括所述单独发射材料或其它发射体，或其本身可以通过施加电流而直接发光。类似地，颜色改变层、滤色片、上转换或下转换层或结构可以包括含有量子点的材料，但此类层可不视为如本文中所公开的“发射层”。一般来说，“发射层”或材料是如下“发射层”或材料：发射初始光，所述初始光可以通过本身在装置内不发射初始光的另一层(如滤色片或其它颜色改变层)改变，还可以基于发射层所发射的初始光而再发射光谱内容不同的改变光。

除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD)(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和OVJD的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。

根据本发明实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。

在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，OLED进一步包含外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离激元模式的能量。外耦合层散射来自表面等离极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离激元模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到OLED的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包括有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包括这些材料的堆叠和/或混合物。

增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、OLED效率改变以及OLED装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的OLED装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种OLED实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的OLED还可包括OLED中常见的任何其它功能层。

增强层可以包含等离激元材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离激元材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离激元材料包括至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包括以下各者中的至少一种：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，“DBR”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离激元材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强OLED性能。

在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，波长大小的特征和亚波长大小的特征具有锐利的边缘。

在一些实施例中，外耦合层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，外耦合层可以由多个纳米粒子构成，并且在其它实施例中，外耦合层由安置在材料上方的多个纳米粒子构成。在这些实施例中，外耦合可以通过至少一种以下方式调节：改变多个纳米粒子的尺寸、改变多个纳米粒子的形状、改变多个纳米粒子的材料、调节材料的厚度、改变材料或安置在多个纳米粒子上的附加层的折射率、改变增强层的厚度和/或改变增强层的材料。装置的多个纳米粒子可由以下至少一个形成：金属、介电材料、半导体材料、金属合金、介电材料的混合物、一或多种材料的堆叠或分层和/或一种类型材料的芯并涂有不同类型材料的壳。在一些实施例中，外耦合层由至少金属纳米粒子构成，其中金属选自由以下组成的群组：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。多个纳米粒子可以具有安置在它们之上的附加层。在一些实施例中，可以使用外耦合层来调整发射的极化。改变外耦合层的尺寸和周期性可以选择优先外耦合到空气的极化类型。在一些实施例中，外耦合层还充当装置的电极。

据信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)可以通过延迟荧光超过25％自旋统计限制。如本文所用，存在两种类型的延迟荧光，即P型延迟荧光和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态消灭(TTA)产生。

另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单重态激发态之间的热粒子数。能够产生E型延迟荧光的化合物必需具有极小的单重态-三重态间隙。热能可以激活由三重态跃迁回到单重态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。TADF的显著特征在于，延迟分量随温度归因于热能增加的升高而增加。如果逆向系间窜越速率足够快速以最小化由三重态的非辐射衰减，则回填充单重激发态的分率可能达到75％。总单重态分率可以是100％，远超过关于电产生的激子的自旋统计限制。

E型延迟荧光特征可以见于激发复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，据信，E型延迟荧光需要发光材料具有小单重态-三重态能隙(ΔES-T)。有机含非金属的供体-受体发光材料可能能够实现这点。这些材料的发射通常以供体-受体电荷转移(CT)型发射为特征。这些供体-受体型化合物中HOMO与LUMO的空间分离通常产生小ΔES-T。这些状态可包括CT状态。通常，通过将电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)与电子受体部分(例如含N六元芳香族环)连接来构建供体-受体发光材料。

根据本发明实施例制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本发明实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含OLED的消费型产品，所述OLED在所公开的OLED中的有机层中包括本公开的化合物。所述消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包括平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本发明制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，如18C到30C，并且更优选在室温下(20-25C)，但可以在这一温度范围外(例如-40C到80C)使用。

本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。

在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括碳纳米管的层。

在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包含RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是照明面板。

在发射区域的一些实施例中，所述发射区域进一步包含主体。

在一些实施例中，所述化合物可以是发射掺杂剂。在一些实施例中，所述化合物可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射。

本文所公开的OLED可以并入到一或多种消费型产品、电子组件模块和照明面板中。有机层可以是发射层，并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。

有机层还可以包括主体。在一些实施例中，两个或更多个主体是优选的。在一些实施例中，所用主体可以是在电荷传输中起很小作用的a)双极、b)电子传输、c)空穴传输或d)宽带隙材料。在一些实施例中，主体可以包括金属络合物。主体可以是无机化合物。

与其它材料的组合

本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的发射掺杂剂可以与多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。

不同材料可以用于本文所公开的不同发射层和非发射层和布置。合适材料的实例公开于美国专利申请公开第2017/0229663号中，所述公开以全文引用的方式并入。

导电性掺杂剂：

电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。

HIL/HTL：

本发明中所用的空穴注入/输送材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/输送材料即可。

EBL：

电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(更接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比，EBL材料具有较高LUMO(更接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。

主体：

本发明的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。

HBL：

空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。

ETL：

电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。

电荷产生层(CGL)

在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。

如先前所公开，有机蒸气喷射印刷(OVJP)系统和技术可用于例如在显示器底板上印刷有机材料的细线，而不使用精细金属荫罩或液体溶剂，以提供OLED和类似装置的各个层或组件。相比之下，用于制造移动电话和膝上型计算机显示器和类似装置的常规技术通常使用蒸发源和精细金属掩模来使沉积图案化。精细金属掩模不适用于制造大面积显示器，因为所述掩模无法以足够的防止下垂的力拉伸。喷墨印刷为用于OLED显示器和相关装置的潜在图案化技术，但使用溶剂以使得墨水严重地降低发光装置的性能。OVJP可用于通过在不使用精细金属掩模的情况下且在使用目前先进技术的OLED材料而不将其溶解于溶剂中的情况下印刷像素-宽度大小和分辨率的线来减少或消除这些问题。

在OVJP中，OLED材料在封闭式容器中加热到较高升华温度，且使用惰性载气通过经加热气体管线输送到印刷头。印刷头含有喷射孔隙，其间距对应于显示器的像素间距。使用标准MEMS制造技术在硅晶片中形成孔隙，且从晶片切割功能OVJP裸片，其孔隙沿着裸片的一个边缘。裸片的孔隙边缘固持在移动显示器底板上方，且对应于像素的线印刷在底板上。

固持有机材料的密封容器被称为固体材料源或固体材料升华源。在室温下，有机材料的蒸气压可忽略。当加热时，蒸气压增加且材料开始升华。为了将升华的有机材料输送到印刷头，使用惰性载气，如氦气、氩气或氮气。载气流动穿过密封容器，穿过经加热气体管线到印刷头，其中材料随后在冷却底板衬底上冷凝。经输送到印刷头的材料的量随升华源的温度、载气流量和升华源的设计而变。

大多数OLED材料在其沉积温度(即，其加热到实现沉积的温度)下为固体，且在不熔融或液化的情况下具有可观的蒸气压。饱和蒸气可易于例如通过使用如图3A中所示的起泡器式安瓿由液体源形成。将液体放置于容器中，所述容器具有从容器的顶部延伸到接近底部的长汲取管和在容器的顶部处的出口管。载气流经汲取管，且在气体离开管进入液体时形成小气泡。气泡随着其上升通过液体而变得饱和具有液体蒸气，且经饱和蒸气从容器流动通过出口管。液体起泡器提供载气中材料的稳定饱和度，因为小气泡具有极大的表面与体积比并且快速饱和。

类似装置通常无法用于获得固体材料的稳定蒸气浓度。如果液体鼓泡器或类似装置装载有固体材料，例如如图3B中所示，初始蒸气浓度较高。然而，在操作一段时间之后，固体中通常会出现通道，例如如310处所展示，这使得载气与固体材料之间的接触面积最小化。小接触面积限制了蒸气变得饱和的程度，并且对来自安瓿的材料通量的控制随时间推移不可预测。

解决这些问题的一种方法为使用固持固体源材料的多个托盘。举例来说，美国专利第6,921,062号描述了一种用于半导体制造的源，其使用气体依序流动通过的多个托盘。每个托盘填充有固体材料且含有用于载气的多个输入管和出口管，如图3C中所示。这些管接近于彼此，且源材料上的气体从输入管到出口管的路径长度较短。尽管其可以避免使液体布置适应使用固体源材料的问题，如图3B中所示，一般来说，这种类型的源不适用于OVJP工艺和材料。内部气体路径长度对于每一对输入/出口孔隙相对较短，因此由每一托盘和每一对孔隙提供的材料的量与其它源布置相比可相对较低。此类源可具有其它缺点，例如不适用于轻质或细粉末或对于长期OVJP使用需要过高的温度。此外，高速率或体积的载气流动可能会在托盘中造成不合需要的湍流和粒子。一般布置还不利于长期使用，因为每一托盘需要拆卸以清洁和再填充，这必须针对每一托盘单独地进行。

本文所公开的实施例提供OVJP系统和源材料容器(或“升华源”)，其提供OVJP技术的经改善性能。与如原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)等其它沉积技术相比，本文中所公开的装置、系统和技术可尤其适合于OVJP。OVJP与其它技术之间的一个差异在于沉积系统的每一部分操作以便维持所要压力、材料状态、气体或其它材料流动等的温度。举例来说，OVJP通常使用200-500C的温度用于源坩埚及源材料容器与印刷头之间的气体运行管线，和0-80C的温度用于待沉积材料的衬底。这与通常在整个沉积系统中使用经加热衬底和温度和压力变化的不同组合的其它沉积技术显著不同。举例来说，ALD和各种CVD工艺通常使用25-150C的气体运行管线温度。在这些温度下，OVJP材料可能将在气体管线内展现很大程度的冷凝。ALD和CVD技术的变化形式还使用高得多的衬底温度，对于ALD通常为25-800C，且对于常规CVD工艺，为600-1200C。一些CVD技术可以使用略微较低的温度，如等离子体增强式CVD(PECVD)，其可在沉积氧化物、氮化物和其它材料用于半导体、光电或类似用途时在200-400C范围内操作，或对于非半导体应用在25-400C范围内操作。对于半导体和光电装置，低压CVD(LPCVD)通常在400-900C范围内操作。甚至在基于CVD的技术可以使用可与OVJP工艺的可接受范围重叠的衬底温度的情况下，装置和系统将不适合OVJP使用，这是归因于沉积系统将热量传递到衬底的可能性，这将损坏衬底上的有机材料和/或防止夹带于载气中的有机材料的恰当沉积。因此，如本文所使用，“OVJP沉积系统”或“OVJP系统”或其它OVJP组件不包括经设计且意图用于ALD、CVD或类似非OVJP工艺的装置和系统。此外，如先前所描述，与其它工艺中使用之温度范围相比，OVJP系统通常在气体传送管线和衬底的不同温度范围和温度范围的组合下操作。因此，如本文所公开的OVJP系统可以与其它沉积系统区分，因为其经配置以在如所公开之OVJP温度范围内操作且能够在所述范围内操作而不损坏系统、衬底或沉积在衬底上的材料。

图4展示根据本文所公开的实施例的示例OVJP系统。所述系统包括具有可控压力的沉积腔室410，在所述沉积腔室内使用一个或多个印刷头412将材料沉积在布置于衬底固持器416上的衬底上。衬底固持器通常将足够大以容纳至多至一些最大边缘尺寸(长度或宽度)和适合于OVJP应用的任何厚度的任何大小的衬底。衬底可以是例如玻璃或塑料，并且可以是柔性的、透明的、半透明的、可卷动的、可折叠的或其组合，或更一般来说，适用于OVJP工艺的任何形式的衬底。载气420的源用于提供通过一个或多个升华源430的载气，所述升华源通常经加热以在载气穿过升华源时引起汽化材料夹带于载气中。在一些实施例中，载气源420、系统中使用的任何固体升华源430中的一些或全部或其任何组合可位于沉积腔室内或沉积腔室外部。一个或多个加热器可以用于提供升华源430的热控制，所述加热器可以安置在升华源或源的任何内部腔室的周围和/或内部。在一些情况下，加热器可为高真空兼容的，例如以允许升华源放置在沉积腔室410内。

载气可以流动穿过固体升华源430的出口与印刷头412的输入端之间的气体传输管线440，其可在本文中被称作“外部”气体流动路径或固体升华源与印刷头之间的气体流动路径。在固体升华源内，气体可沿着完全容纳于固体升华源内的“内部”气体流动路径431行进。如本文所用，相对于相关联容器和/或气体管线的开始与结束之间的直线距离，气体流动路径是指随着载气移动穿过OVJP系统的相关部分而遵循的实际路径。一般来说，期望内部气体流动路径431相对较长以允许载气具有待由印刷头412沉积的材料的较高饱和度。相反地，通常需要固体升华源430与印刷头412之间的外部流动路径440相对较短，以防止气体传输管线内的冷凝且减少避免此类冷凝所需的加热的量。举例来说，对于一些常见衬底大小和有机材料，优选的是，外部流动路径440不超过30cm，并且对于内部气体流动路径，为至少15cm，更优选地至少30cm。

更一般来说，较大衬底可能需要穿过气体传输管线440的外部流动路径较大。因此，还可能需要外部流动路径440不超过最大衬底尺寸的二分之一，或更优选地不超过最大衬底尺寸的四分之一，即，不超过衬底的最大边缘尺寸(长度或宽度)的50％或25％。举例来说，本文中所公开的实施例可以结合常见衬底尺寸使用以下最大外部流动路径(EFP)(或针对最大衬底边缘尺寸的四分之一的流动路径，使用所列最大值的一半)：

为了实现固体升华源、印刷头和如本文所公开的OVJP系统的其它组件的所要布置，可以使用提供载气的较高饱和度和对待沉积在衬底上的OVJP材料的大体上更高效的使用的固体升华源的若干布置中的任一个，从而产生相对于常规OVJP系统和升华源的改善的性能。

图5示出如本文所公开的固体升华源的实施例，其并入有对如美国专利第6,921,062号中所描述的布置的改进。在此实例中，升华源包括可填充有待通过OVJP系统沉积的材料的一个或多个托盘。每个托盘可以包括一个或多个气体输入通道和一个或多个气体出口通道。第一托盘的气体输入通道可以连接到载气源，如图4中的420，并且在所述源中的最终托盘的气体出口通道可以连接到外部气体传送管线，如图4中的440。在内部，先前托盘的气体出口通道可以连接到后续托盘的气体输入通道。气体从最下部托盘循序地流动到顶部托盘且接着离开容器。

在每个托盘中，载气从一个或多个入口孔510流动到托盘中，穿过托盘，并且经由一个或多个出口孔520从托盘中流出。挡板500从每个托盘的中心或接近所述托盘的中心延伸到所述托盘的边缘壁，使在挡板的一侧上的输入管510与在另一侧上的出口管520分离。以此方式，载气在到达出口之前必须在托盘的圆周长度上行进。挡板可以从材料托盘的底板延伸到托盘的顶板或基本上延伸到托盘的顶板，使得无载气或仅最小量的载气可以在挡板上行进以从气体输入端移动到出口通道。优选地，挡板延伸为托盘高度的至少95％、优选地96％、更优选地97％、98％或99％。挡板可以从托盘的中心延伸到外缘，即，沿着托盘的完整半径。在使用非圆形托盘的情况下，挡板可以从托盘的中心或质心延伸到托盘的最远壁、托盘的最近壁或两者之间的任何点。举例来说，如果使用椭圆形托盘，那么挡板可以沿着托盘的完整次半径或完整主半径延伸。除其它影响外，这增加了暴露于载气的接触时间和表面积，由此改进载气的饱和度和系统效率。如图5中所示的托盘的气体流动路径是指从输入端到相关联的出口通道的圆周路径，其中使用多个输入端和出口通道。在单个输入端和单个出口的情况下，气体流动路径是指两个的中心之间的圆周距离。否则，气体流动路径可以确定为每一输入端与每一出口之间的所有最接近的圆周路径的平均值。

图6A-6D展示如本文所公开的垂直OVJP固体升华源的示意性侧视图；图6E展示同一源的俯视图。图6A-6D展示如从每一侧观察的源，其中视图在6A与6B、6B与6C及6C与6D之间围绕源旋转90度。虚线箭头展示气流穿过源的腔室的方向。四个腔室中的每一个包括气体输入通道610、气体出口通道620，以及由如筛、玻璃料等多孔分隔物630分离的上部部分601和下部部分602。第一腔室的气体输入通道可以连接到载气源，且最终腔室的气体出口通道可以连接到外部气体传送管线，如图4中的440。

每一垂直腔室的底部含有待夹带于载气中的固体材料且提供用于载气流动的宽通道。气体依序流动通过腔室1-4，其中各腔室中的挡板经配置以更改从一个腔室到下一个腔室的流动方向。在图6A-6E中展示的实例中，气体从腔室1中的气体输入端向下开始流动，接着在腔室2中向上流动，在腔室3中向下流动且在腔室4中向上流动到最终气体出口。如图6A-6E中所示的固体升华源归因于穿过四个腔室的路径长度相对较长且由多孔分隔物引起的缓慢气体速度从而增加载气流动的面积而为有利的，这提供具有与小横截面气流相比更低速度的气流。腔室可以例如经由围绕源的圆周且在顶部和底部凸缘上缠绕的加热护套而加热。此类设计对于粒状或块状材料可为尤其有利的。在一些实施例中，最终腔室可以包括或自身可以用作粒子阱以允许用于精细粉末。举例来说，最终腔室可以包括细粒过滤器或类似组件以捕获用于去除或再使用的材料。如图6A-6E中所示的升华源可以包括如所示的四个腔室，或任何其它数目个腔室。

图7A和7B展示如本文所公开的OVJP固体升华源的另一实例的端视图和侧视图。所述源包括可以布置在源腔室内的任何数目个腔室710、720、730、740。每一腔室可已配备充满有待经由OVJP系统沉积的材料。所述腔室可以在末端上具有快速连接配件以允许其容易且个别地放置于升华源中或从升华源中移出。腔室可以分别连接到输入配件701和出口配件702，且内部气体管线705可以用于连接内部腔室，使得其可串联、并联、个别地或以其任何组合形式使用。尽管出于说明的目的示出了四个腔室，但是更一般来说，可以使用任何数目个腔室。腔室可以是矩形的以允许固体升华源内的高效填充。图7A-7B中所示的升华源可以包括一个或多个加热器，其可以串联或个别地操作以允许控制升华源的总体温度和/或对各腔室的个别控制。

应理解，本文所述的各种实施例仅借助于实例，并且并不意图限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。如所要求的本发明因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论并不意图是限制性的。

Claims (15)

1.一种有机蒸气喷射印刷OVJP沉积系统，其包含：

固体材料升华源；

印刷头；

衬底固持器，其经配置以固持具有最大长度和最大宽度的衬底；以及

一个或多个气体传输管线，其将所述固体材料升华源的出口通道连接到所述印刷头；

其中所述固体材料升华源与所述印刷头之间穿过所述一个或多个气体传输管线的气体流动路径不超过所述最大长度和所述最大宽度中的最大者的二分之一。

2.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其中所述固体材料升华源内的内部气体流动路径不小于15cm。

3.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其中所述升华源与所述印刷头之间穿过所述一个或多个气体传输管线的所述气体流动路径不超过所述最大长度和所述最大宽度中的最大者的四分之一。

4.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其中所述固体材料升华源内的所述内部气体流动路径不小于30cm。

5.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其进一步包含经安置以提供对所述固体材料升华源的热控制的一个或多个高真空兼容加热器。

6.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其中所述固体材料升华源包含：

多个矩形腔室，每一腔室包含：

在所述腔室的第一端处的气体输入通道；

在所述腔室的第二端处的气体出口通道，所述第二端距所述第一端横跨所述腔室的长轴；

在所述气体输入通道和气体出口通道处的快速连接配件；

其中多个矩形通道中的每一个能够经由所述快速连接配件连接到所述多个矩形通道中的任一另一个且连接到所述固体材料升华源的气体输入端和气体出口。

7.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其中所述固体材料升华源包含：

一个或多个材料托盘，所述一个或多个材料托盘中的每一材料托盘包含：

气体输入通道；

气体出口通道；以及

挡板，其安置于所述多个气体输入通道与所述多个气体出口通道之间且从所述材料托盘的中心部分延伸到所述材料托盘的外缘；

其中所述挡板致使经由所述多个气体输入通道进入的载气在到达所述多个出口气体通道之前绕过所述挡板行进。

8.根据权利要求7所述的OVJP沉积系统，其中所述一个或多个材料托盘包含多个材料托盘。

9.根据权利要求7所述的OVJP沉积系统，其中每一挡板从所述材料托盘的底板延伸到所述材料托盘的顶板。

10.根据权利要求7所述的OVJP沉积系统，其中每一材料托盘为圆形的且每一挡板跨越相关联材料托盘的完整半径延伸。

11.根据权利要求1所述的OVJP沉积系统，其中所述固体材料升华源包含：

垂直源容器，其包含：

多个腔室，所述多个腔室中的每一腔室包含：

气体输入通道；

气体出口通道；

上部部分；

下部部分，其通过多孔分隔物与所述上部部分分隔开且经配置以固持固体材料源；以及

一个或多个挡板；以及

其中所述一个或多个挡板经配置以引导气体在交替方向上循序地通过所述多个腔室中的每一个。

12.根据权利要求11所述的OVJP沉积系统，其中所述多个腔室中的最终腔室包含细粒子过滤器。

13.根据权利要求11所述的OVJP沉积系统，其中：

所述多个腔室包含4个腔室；

所述多个腔室中的第一腔室的所述气体输入通道经配置以从所述升华源外部的源接收气体；

所述第一腔室的所述气体出口通道为所述多个腔室中的第二腔室的所述气体输入通道；

所述第二腔室的所述气体出口通道为所述多个腔室中的第三腔室的所述气体输入通道；

所述第三腔室的所述气体出口通道为所述多个腔室中的第四腔室的所述气体输入通道；以及

所述腔室的所述气体出口通道经配置以引导气体离开所述升华源。

14.根据权利要求11所述的OVJP沉积系统，其进一步包含安置于所述垂直源容器外部且至少部分地围绕所述垂直源容器的加热护套。

15.根据权利要求11所述的OVJP沉积系统，其进一步包含安置于所述多个腔室中的每一个的所述下部部分中的固体源材料。

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